JPH08111364A - 電子線描画装置 - Google Patents

電子線描画装置

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JPH08111364A
JPH08111364A JP24373594A JP24373594A JPH08111364A JP H08111364 A JPH08111364 A JP H08111364A JP 24373594 A JP24373594 A JP 24373594A JP 24373594 A JP24373594 A JP 24373594A JP H08111364 A JPH08111364 A JP H08111364A
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JP
Japan
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vibration
electron beam
deviation
drawing apparatus
mirror body
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JP24373594A
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English (en)
Inventor
Shinichi Kato
慎一 加藤
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電子線描画装置の振動を高精度で検出し、描
画効率を低下させることなく描画誤差を補正し、描画精
度が向上された電子線描画装置を実現する。 【構成】 実際の描画前に描画データに基づきステージ
7を移動させ電子線ずれを電流検出器35、偏差検出部
36により検出し、ずれが最小となるアクティブダンパ
29の制御値を振動制御部37が決定し、その制御値を
描画パターン毎にメモリ331に記憶させる。最小とな
った偏差は描画パターン毎に偏差メモリ332に記憶さ
れる。振動値メモリ331に記憶された振動値データは
実描画時にステージ制御部12からの描画パターンデー
タに応じて振動制御部37が読み出しアクティブダンパ
29を駆動して振動制御を行う。偏差メモリ332に記
憶された偏差データはステージ制御部12からの描画パ
ターンデータに応じて偏向制御部11が読み出し、電子
線ズレが0となるように偏向器5を補正制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子線描画装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】LSI等の製造に使用される電子線描画
装置がある。この電子線描画装置においては、装置動作
による内部振動及び装置が設置された床の振動等の装置
外部からの各種振動により描画精度が低下する。つま
り、描画時のステージ移動は、装置自身の加振源となり
これに起因する内部振動は、試料室を介して鏡体を振動
させ変位を生じさせる。この変位によりステージ上の試
料面に対する電子線位置に相対的なずれを生じさせ、電
子線の所定目標位置への正確な位置決めを困難とし、描
画精度を悪化させてしまう。
【0003】特に、ステージ停止時の振動の影響は大き
く、また、床振動に代表される外部振動は通常、電子光
学系鏡体、ステージ等試料移動搬送系、真空ポンプ等真
空排気系を除振台に搭載することで伝播する振動を低減
しているが、一部の振動は除振台を介し、ステージ、鏡
体を振動させ描画精度を悪化させる原因となっている。
【0004】これら振動の影響を小さくするためには、
振動が減衰するまで待機してから描画動作を実行しなけ
ればならない。この振動減衰までの待ち時間を長くする
と、スループットが低下してしまう。
【0005】従来の電子線描画装置においては、例え
ば、特開平1−87532号公報に記載されているよう
に、鏡体をステーで補強することで振動の影響を低減し
ていた。また、“The 6th international Micro Proces
s Conference”の“Digest Papers P.P.164-165”に記
載されているように、鏡体の固有振動数を高くし、振動
し難い構造とすることで振動の影響を低減することが開
示されている。
【0006】また、電子線描画装置において、鏡筒の変
位を検出するものとして、特開平2−295106号公
報記載の「電子ビーム露光装置」がある。この「電子ビ
ーム露光装置」においては、試料室に配置され、ステー
ジ位置の測定に用いられる、レーザー測長器からのレー
ザービームがビームスプリッタにより分割され、分割さ
れた一部のレーザービームが試料室の天井に配置された
ミラーに照射される。これにより、天井の歪が検出さ
れ、鏡筒の変位が検出される。また、鏡筒と試料室天井
との間に圧電素子が挟み込まれ、この圧電素子の出力電
圧が検出されることにより、鏡筒の変位が検出される。
【0007】また、特開平2−199813号公報に
は、ステッパ等の露光装置における振動を防止する「露
光装置」が記載されている。この露光装置においては、
ステージ定盤と位置決め定盤との間にアクティブマウン
トが配置され、ステージ定盤上に取り付けられた加速度
計からの加速度データに基づいて、アクティブコントロ
ーラがボイスコイルモータを駆動させ、アクティブマウ
ントによりステージ定盤の振動が抑制される。このアク
ティブマウンントは、検出された振動の位相と反対位相
で振動するように、動作され、ステージ定盤の振動が抑
制される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
技術において、鏡体をステーで固定する方法にあって
は、ステー自体の剛性を高くする必要が有り、ステーの
大型化、ステーと鏡体との結合の工夫などが必要であっ
た。また、固有振動数を高くすることで描画精度に対す
る振動の影響を低減させる方法においても、鏡体及びそ
の周辺部の剛性を上げる必要が有った。そのため、鏡体
及びその周辺部が大きく、かつ重くなり、装置全体が大
きく重くなってしまうという問題があった。そこで、上
記特開平2−199813号公報に記載された「露光装
置」のように、アクティブマウントにより、積極的に振
動を抑制する方法が有効となる。
【0009】ところで、電子線描画装置においては、描
画精度のさらなる向上が要望されている。しかしなが
ら、ステージ定盤の振動を検出し、検出した振動に基づ
いて、アクティブマウントを動作させ、振動を抑制する
方法では、電子線の描画誤差の補正に限界があり、上述
のような描画精度の向上化が困難であった。
【0010】本発明の目的は、電子線描画装置の振動を
高精度で検出し、描画効率を低下させることなく電子線
の描画誤差を補正して、描画精度が向上された電子線描
画装置を実現することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、次のように構成される。電子線描画装置に
おいて、試料面の所定位置と電子線の試料面の照射位置
との偏差を検出する電子線偏差検出手段と、振動を発生
する振動発生手段と、電子線描画パターン毎に、電子線
偏差検出手段により検出された偏差が最小となるよう
に、振動発生手段の振動動作を制御する振動制御手段
と、描画パターン毎に電子線を偏向して、振動制御手段
により最小とされた電子線の偏差を補正する偏向補正手
段とを備える。
【0012】好ましくは、上記電子線描画装置におい
て、描画パターン毎に、偏差が最小となる振動発生手段
の振動制御データを記憶する振動データ記憶手段と、振
動制御手段により最小とされた電子線の偏差を記憶する
偏差記憶手段とを、さらに備える。
【0013】また、好ましくは、上記電子線描画装置に
おいて、振動発生手段は、試料移動搬送手段と除振台と
の間に配置される。また、好ましくは、上記電子線描画
装置において、鏡体の振動を検出する振動検出手段をさ
らに備え、振動制御手段は、振動データ記憶手段に記憶
された振動制御データと、振動検出手段により検出され
た鏡体の振動とに基づいて、振動発生手段の振動動作を
制御する。
【0014】また、好ましくは、上記電子線描画装置に
おいて、鏡体を取り囲む箱体を備え、振動発生手段は、
鏡体と箱体との間に配置される。また、好ましくは、上
記電子線描画装置において、試料移動搬送手段を収容
し、鏡体と接続される試料室を備え、振動発生手段は鏡
体と試料室との間に配置される。
【0015】
【作用】電子線による描画時には、試料移動搬送手段の
移動動作により振動が発生し、試料面の照射目的位置と
実際の電子線の照射位置との間に偏差が生じる。この偏
差は、電子線偏差検出手段によって検出される。そし
て、検出された偏差を最小とするために、振振動制御手
段が振動発生手段の振動を制御して、試料移動搬送手段
の動作により発生される振動を相殺する。これは、各描
画パターン毎に実行され、最小とされた偏差は、偏向補
正手段により偏向補正される。これにより、振動の減衰
を待つこと無く、つまり、描画効率を低下させること無
く描画誤差を補正して、描画精度を向上することができ
る。
【0016】
【実施例】以下に、本発明の実施例を添付図面に基づい
て説明する。図1は本発明の第1実施例である電子線描
画装置の要部概略構成図であり、図10は、本発明が適
用される電子線描画装置の全体概略構成図である。ま
ず、図10において、電子銃1から放出される電子線2
は、絞り31、電子レンズ41、成形偏向器17、絞り
32、電子レンズ42等により形状と電流密度とが制御
され、試料6に照射される。そして、試料6上に照射さ
れた電子線2は、偏向器5により試料6上を走査され
る。
【0017】CPU13は、電子銃に高電圧を供給する
高圧電源8を制御して、電子線2の電流値や加速電圧な
どを設定する。また、CPU13は、描画データ入力部
(図示せず)からの描画データに基づいて、制御信号を
レンズ制御部9、成形制御部10、偏向制御部11等に
供給する。また、CPU13は、描画データを必要に応
じてディスプレイ14に表示させる。
【0018】また、CPU13は、ステージ制御部12
に描画位置データを供給し、ステージ制御部12により
ステージ(試料移動搬送手段)7の位置を制御する。ま
た、真空計27により描画装置の真空度が測定され、こ
の測定値が真空度検出部28を介して、CPU13真空
度データとして転送される。
【0019】次に、図10に示した電子線描画装置にお
いて、振動により電子線が位置ずれを発生する場合につ
いて、図11から図14を用いて説明する。図11にお
いて、電子線描画装置に、外部又は内部から発生子伝搬
した振動は、試料室16を介し鏡体(電子光学系鏡体)
15を振動させる。この結果、変位21を生じさせ試料
6と電子線2の照射位置の相対的なずれ22を生じさせ
る。このずれ22により描画精度が劣化する。このずれ
22は、鏡体15の振動が収束することで縮小する。し
たがって、上述したように、描画精度を上げるために
は、振動が減衰する迄、待機すればよいが、それではス
ループットの低下が免れない。
【0020】上述した鏡体15の振動形態は、図12、
図13及び図14に示すようなものがある。図12に示
す振動形態は、鏡体15は剛体状であり、試料室上蓋1
8の曲げ変形により、鏡体15が倒れ込むような、つま
り、x又はy方向(図の左右方向)へ傾斜する状態の振
動である。
【0021】また、図13に示す振動形態は、鏡体15
は剛体状であり、試料室上蓋18の曲げ変形により、鏡
体15がz方向(図の上下方向)へ変位する振動であ
る。
【0022】また、図14に示す振動形態は、試料室上
蓋18は、ほぼ剛体状であり、鏡体15の曲げ変形によ
る振動である。
【0023】上述のような変形は、試料室上蓋18から
鏡体15の上部の電子銃1までの距離が長いこと、及び
試料室上蓋18の剛性に対して、鏡体15の重量が大き
いこと、鏡体15が一体構造ではなく各レンズを重ねた
構造となっていることに起因する。
【0024】次に、上述したような鏡体15の振動によ
る電子線の位置ずれを高精度で検出し、電子線の描画誤
差を補償可能な本発明の第1実施例を説明する。この第
1実施例は、ステージ移動時に発生する振動を高精度に
検出し、補正する例である。図1において、試料室16
と除振台20との間には、アクティブダンパ(振動発生
手段)29が挟み込まれて配置される。このアクティブ
ダンパは、例えば、圧電素子からなり、電圧を印加する
ことにより振動又は変形可能となっている。そして、ア
クティブダンパ29は、除振台20と試料室16とを4
つの部分で接続しており、これら4つのアクティブダン
パ29により、試料室16と除振台20とは、相対的に
上下左右方向に振動又は変位可能となっている。アクテ
ィブダンパ29の振動制御は、振動制御部37により供
給される信号により制御される。
【0025】電流検出器35は、試料6に照射された電
子線2の照射位置ずれに対応する電流を検出する検出器
である。偏差検出部36は、電流検出器35により検出
された電流値から、照射位置ずれ、つまり、目標照射位
置と実際の照射位置との偏差を検出する。この偏差は、
偏差検出部36から振動制御部37に供給され、偏差が
最小となるように、アクティブダンパ29が振動制御部
37により駆動される。
【0026】振動値メモリ(振動データ記憶手段)33
1は、上記偏差が最小となるために、アクティブダンパ
29を振動させる振動値を格納する振動値メモリであ
る。また、偏差メモリ332は、アクティブダンパ29
の動作により最小とされる上記偏差の値、つまり、残留
偏差を格納するメモリである。
【0027】上記振動値メモリ331には、描画パター
ン毎、つまり、ステージ制御部12により移動されるス
テージ7の移動パターン毎に振動値が記憶される。ま
た、同様に、偏差メモリ332には、描画パターン毎に
偏差が記憶される。
【0028】さて、鏡体15に伝搬される振動の中で、
ステージ7等の試料搬送系に起因する振動は、電子線描
画パターンによりその大きさが変化する。例えば、図2
に示すようにフィールドAを描画し、次にフィールドB
を描画する場合、ステージ7はフィールドAからフィー
ルドBを高速に移動し、その加速度は大きくなる。一
方、図3に示すパターンのように描画する場合、ステー
ジ7は、一定速で連続して移動するため、その加速度は
小さい。したがって、個々の電子線描画パターンによ
り、ステージ7等の振動は異なるものとなる。
【0029】このように種々の描画パターンが存在する
ため、実際の描画前に描画データに基いてステージ7を
移動させ、そのときに発生する電子線のずれ(偏差)を
電流検出器35及び偏差検出部36により検出する。そ
して、検出した偏差が最小となるようにアクティブダン
パ29の制御振動値を振動制御部37により決定し、決
定した制御振動値をその描画パターン毎にメモリ331
に記憶させる。そして、最小となった偏差を描画パター
ン毎に偏差メモリ332に記憶させる。
【0030】振動値メモリ331に記憶された振動値デ
ータは、実際の描画時において、ステージ制御部12か
ら供給される描画パターンデータに対応して振動制御部
37に読み出される。そして、振動制御部37は、読み
出した振動値データに基づき、ステージ7の動作に同期
してアクティブダンパ29を駆動し、振動制御を行う。
【0031】また、偏差メモリ332に記憶された偏差
データは、ステージ制御部12から供給される描画パタ
ーンデータに対応して偏向制御部(偏向補正手段)11
に読み出される。そして、偏向制御部11は、読みだし
た偏差データに基づき、電子線のズレが0となるよう
に、偏向器5を補正制御する。つまり、描画データに偏
差データを加算することで電子線のズレを0に近づける
ことができる。
【0032】電子線のずれを電流検出器35により検出
することを上述したが、この電子線のずれ検出につい
て、以下に説明する。図4及び図5に示すように、試料
6面上に設けられた細いワイヤ状の部材34に電子線を
照射し、通過した電子線を電流検出器35により検出す
る。この場合、鏡体15の振動に伴いワイヤ34を通過
する電子線の量が変化するので、電流検出器35で電流
値Aを検出すれば、電子線のずれ(振動)を検出するこ
とができる。図6に示すように、ステージ7には電流検
出器35とワイヤ34が設置されており、ステージ移動
時における振動による電子線のずれが測定できる。
【0033】以上のように、本発明の第1実施例によれ
ば、ステージ7の移動に伴う電子線のずれを検出し、検
出したずれが最小となるように、試料室16と除振台2
0との間に配置されたアクティブダンパ29が、振動制
御部37により駆動される。そして、電子線ずれ(偏
差)が最小となる制御振動値が描画パターン毎に振動値
メモリ331に記憶され、最小とされた偏差が偏差メモ
リ332に記憶される。そして、描画パターン毎に、記
憶された制御振動値に基づいて、アクティブダンパ29
が駆動制御されるとともに、記憶された電子線ずれに基
づいて、偏向制御部11により偏向補正が行われる。
【0034】したがって、電子線描画装置の振動を高精
度で検出し、電子線の描画誤差を補正して、描画精度が
向上された電子線描画装置を実現することができる。
【0035】なお、個々のアクティブダンパ29の形状
は、円柱状、角柱状、三角柱状のいずれであってもよ
い。また、複数のアクティブダンパ29の個数は、3つ
以上であれば良い。
【0036】図7は、本発明の第2実施例である電子線
描画装置の要部概略構成図であり、図1の例と同等なも
のには、同一の符号が付してある。そして、この図7の
例は、図1の例に、振動センサ25と、振動検出部26
が追加されている。図1の例においては、ステージ移動
に伴い発生する振動を抑制する場合の例であるが、鏡体
15の振動は、ステージ移動以外の要因により発生する
場合もある。
【0037】そこで、図7の例においては、鏡体15の
上部に、複数の振動センサ25を配置する。これらの振
動センサ25は、振り子を使用したもの、又は圧電素子
を使用したものの、どちらのタイプ振動センサを使用し
てもよい。これらの振動センサ25により検出された振
動は、振動検出部26に供給される。そして、振動検出
部26により、鏡体15の水平方向及び垂直方向の振動
が算出され、算出された振動が振動情報として、振動制
御部37に供給される。振動制御部37は、振動検出部
26から供給された振動情報を、ステージ7の移動に伴
い発生する振動を抑制するための制御信号に重畳して、
アクティブダンパ29に供給する。
【0038】以上のように、本発明の第2実施例によれ
ば、図1の例と同様な効果が得られる他、ステージ移動
以外の要因による鏡対5の振動も抑制することができ、
描画精度がさらに向上された電子線描画装置を実現する
ことができる。
【0039】図8は、本発明の第3実施例の概略構成図
であり、図1の例と同等なものには同一の符号が付せら
れている。そして、この図8の例と図1の例との異なる
ところは、鏡体15の上部にアクティブダンパ24が取
り付けられていることである。この図8においては、図
1に示した、偏向制御部11、ステージ制御部12、電
流検出器35、偏差検出部36、振動制御部37、振動
値メモリ331、偏差メモリ332と同様なものが配置
されているが、図示は省略する。
【0040】図8の(A)及び(B)において、鏡体1
5は、構造体(箱体)23により、側面部及び上面部が
取り囲まれており、鏡体15の上方側面部と構造体23
との間に4つのアクティブダンパ24が取り付けられ
(xy方向)、鏡体15の上面部と構造体23との間に
もアクティブダンパ24が取り付けられている(z方
向)。
【0041】そして、これらアクティブダンパ24は、
振動制御部37により駆動制御される。つまり、図1の
例と同様に、描画データ毎にステージ7が移動され、そ
のときの電子線のずれが最小となるように、振動制御部
37によりアクティブダンパ24が駆動され、その制御
振動値が振動値メモリ331に格納される。そして、そ
のときの最小電子線ずれ(偏差)が偏差メモリ332に
格納され、格納された制御振動値に基づき、アクティブ
ダンパ24が駆動制御され、格納された電子線偏差に基
づき、電子線が制御される。以上説明した、本発明の第
3実施例においても、図1の例と同様な効果を得ること
ができる。
【0042】図9は、本発明の第4実施例の要部概略構
成図であり、図1の例と同等なものには同一の符号が付
せられている。そして、この図9の例と図1の例との異
なるところは、鏡体15と試料室16とがベローズ38
により連結され、かつ、鏡体15と試料室16との間に
アクティブダンパ27が配置される。
【0043】この図9においては、図8の例と同様に、
図1に示した、偏向制御部11、ステージ制御部12、
電流検出器35、偏差検出部36、振動制御部37、振
動値メモリ331、偏差メモリ332と同様なものが配
置されているが、図示は省略する。
【0044】図9において、アクティブダンパ27は、
4つ配置されており、ベローズ38を間にして、x方向
及びy方向に、それぞれ一対のアクティブダンパ27が
互いに対向して配置されている。そして、これらアクテ
ィブダンパ27は、振動制御部37により駆動制御され
る。つまり、図1の例と同様に、描画データ毎にステー
ジ7が移動され、そのときの電子線のずれが最小となる
ように、振動制御部37によりアクティブダンパ24が
駆動され、その制御振動値が振動値メモリ331に格納
される。そして、そのときの最小電子線ずれ(偏差)が
偏差メモリ332に格納され、格納された制御振動値に
基づき、アクティブダンパ27が駆動制御され、格納さ
れた電子線偏差に基づき、電子線が制御される。以上説
明した、本発明の第4実施例においても、図1の例と同
様な効果を得ることができる。
【0045】なお、アクティブダンパの配置位置は、上
述した例に限らず他の位置でもよい。例えば、構造体2
3と試料室16との間にアクティブダンパを配置する構
成でもよい。また、試料室16と除振台20との間及び
鏡体15の上部と構造体23との間の両方にアクティブ
ダンパを配置してもよい。さらに、図1、図7、図8、
図9の例を適宜、組み合わせてアクティブダンパを配置
する構成であってもよい。
【0046】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているため、次のような効果がある。電子線描画装置に
おいて、電子線偏差検出手段と、振動発生手段と、電子
線描画パターン毎に、電子線の偏差が最小となるよう
に、振動発生手段の振動動作を制御する振動制御手段
と、描画パターン毎に電子線を偏向して、振動制御手段
により最小とされた電子線の偏差を補正する偏向補正手
段とを備える。電子線描画装置の振動を高精度で検出
し、描画効率を低下させることなく電子線の描画誤差を
補正して、描画精度が向上された電子線描画装置を実現
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例である電子線描画装置の要
部概略構成図である。
【図2】描画パターンによるステージの移動方向の一例
を示す図である。
【図3】描画パターンによるステージの移動方向の他の
例を示す図である。
【図4】電子線描画装置における電子線のずれ検出方法
の説明図である。
【図5】電子線描画装置における電子線のずれ検出方法
の説明図である。
【図6】電子線描画装置における電子線のずれ検出方法
の説明図である。
【図7】本発明の第2実施例である電子線描画装置の要
部概略構成図である。
【図8】本発明の第3実施例である電子線描画装置の要
部概略構成図である。
【図9】本発明の第4実施例である電子線描画装置の要
部概略構成図である。
【図10】電子線描画装置の全体概略構成図である。
【図11】電子線描画装置における鏡体の振動による電
子線のずれを説明する図である。
【図12】電子線描画装置における鏡体の振動の一例を
説明する図である。
【図13】電子線描画装置における鏡体の振動の他の例
を説明する図である。
【図14】電子線描画装置における鏡体の振動のさらに
他の例を説明する図である。
【符号の説明】
1 電子銃 2 電子線 5 偏向器 6 試料 7 ステージ 8 高圧電源 9 レンズ制御部 10 成形制御部 11 偏向制御部 12 ステージ制御部 13 CPU 14 ディスプレイ 15 鏡体 16 試料室 17 成形偏向器 20 除振台 23 構造体 24 アクティブダンパ 25 振動センサ 26 振動検出部 27 真空計 28 真空検出部 29 アクティブダンパ 31、32 絞り 34 ワイヤ 35 電流検出器 36 偏差検出部 37 振動制御部 38 ベローズ 41、42 電子レンズ 331 振動値メモリ 332 偏差メモリ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子銃と、電子光学系鏡体と、試料移動
    搬送手段と、除振台とを有し、電子線から発生された電
    子線を任意図形に成形し試料面上に描画する電子線描画
    装置において、 上記試料面の所定位置と電子線の試料面の照射位置との
    偏差を検出する電子線偏差検出手段と、 振動を発生する振動発生手段と、 電子線描画パターン毎に、電子線偏差検出手段により検
    出された上記偏差が最小となるように、振動発生手段の
    振動動作を制御する振動制御手段と、 描画パターン毎に電子線を偏向して、振動制御手段によ
    り最小とされた電子線の偏差を補正する偏向補正手段
    と、 を備えることを特徴とする電子線描画装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の電子線描画装置におい
    て、描画パターン毎に、上記偏差が最小となる振動発生
    手段の振動制御データを記憶する振動データ記憶手段
    と、振動制御手段により最小とされた電子線の偏差を記
    憶する偏差記憶手段とを、さらに備えることを特徴とす
    る電子線描画装置。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2記載の電子線描画装置に
    おいて、上記振動発生手段は、試料移動搬送手段と除振
    台との間に配置されることを特徴とする電子線描画装
    置。
  4. 【請求項4】 請求項2記載の電子線描画装置におい
    て、上記鏡体の振動を検出する振動検出手段をさらに備
    え、上記振動制御手段は、上記振動データ記憶手段に記
    憶された振動制御データと、上記振動検出手段により検
    出された鏡体の振動とに基づいて、振動発生手段の振動
    動作を制御することを特徴とする電子線描画装置。
  5. 【請求項5】 請求項1又は2記載の電子線描画装置に
    おいて、上記鏡体を取り囲む箱体を備え、上記振動発生
    手段は、上記鏡体と箱体との間に配置されることを特徴
    とする電子線描画装置。
  6. 【請求項6】 請求項1又は2記載の電子線描画装置に
    おいて、上記試料移動搬送手段を収容し、上記鏡体と接
    続される試料室を備え、上記振動発生手段は、上記鏡体
    と試料室との間に配置されることを特徴とする電子線描
    画装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100952006B1 (ko) * 2007-06-27 2010-04-08 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 하전 입자 빔 묘화 방법
JP2019220559A (ja) * 2018-06-19 2019-12-26 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びそのビーム評価方法

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