JP2019220559A - マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びそのビーム評価方法 - Google Patents

マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びそのビーム評価方法 Download PDF

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Abstract

【課題】マルチビーム描画装置におけるビーム振動を評価する。【解決手段】本実施形態に係るマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、複数の第１開口を荷電粒子ビームが通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャ基板と、前記マルチビームの各ビームのオンオフを切り替えるブランキングアパーチャアレイ機構と、描画対象の基板が載置されるステージに設けられ、前記マルチビームのうち１本のビームを通過させるように第２開口が設けられた検査アパーチャと、前記検査アパーチャの前記第２開口を通過したビームの電流量を検出する電流検出器と、前記マルチビームを偏向し、前記マルチビームのうち１本のビームを、前記第２開口の周辺を含む領域の所定位置となるように偏向制御する偏向器と、前記電流検出器で検出されたビーム電流よりビーム位置を求める演算部と、を備える。【選択図】図１

Description

本発明は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びそのビーム評価方法に関する。
ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターン（マスク、或いは特にステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。）をウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。高精度の原画パターンは、電子ビーム描画装置によって描画され、所謂、電子ビームリソグラフィ技術が用いられている。
マルチビームを使った描画装置は、１本の電子ビームで描画する場合に比べて、一度に多くのビームを照射できるので、スループットを大幅に向上させることができる。マルチビーム描画装置の一形態であるブランキングアパーチャアレイを使ったマルチビーム描画装置では、例えば、１つの電子銃から放出された電子ビームを複数の開口を持った成形アパーチャアレイに通してマルチビーム（複数の電子ビーム）を形成する。マルチビームは、ブランキングアパーチャアレイのそれぞれ対応するブランカ内を通過する。ブランキングアパーチャアレイはビームを個別に偏向するための電極対と、電極間に設けられたビーム通過用の開口とを備えており、一方の電極をグラウンド電位で固定し、他方の電極をグラウンド電位とそれ以外の電位に切り替えることにより、それぞれ個別に、通過する電子ビームのブランキング偏向を行う。ブランカによって偏向された電子ビームは遮蔽され、偏向されなかった電子ビームは試料上に照射される。
描画装置では、試料に照射される電子ビームに振動（揺らぎ）が生じることがあり、振動を測定し、振動の方向性やその原因を評価する必要がある。従来のシングルビーム描画装置では、試料面に配置されたキャリブレーションマークにビームを照射し、マークからの反射電子を検出し、反射電子の強度変化から電子ビームの振動を評価していた。
マルチビーム描画装置により照射されるマルチビームは、ビーム間に間隔が空いていて照射領域が広く、上述したようなマークからの反射電子を検出する手法は適用できなかった。マルチビームのうち１本のビームのみオンにしてマークをスキャンすることが考えられるが、ビーム１本では反射電子の強度が極めて小さく、検出が困難であった。
特開平１０−６４７９４号公報 特開平７−６５７６０号公報 国際公開第２００５／１２１９０２号
本発明は、マルチビーム描画装置におけるビーム振動を評価できるマルチ荷電粒子ビーム描画装置及びそのビーム評価方法を提供することを課題とする。
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、複数の第１開口が形成され、前記複数の第１開口を荷電粒子ビームが通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャ基板と、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのオンオフを切り替える複数のブランカが配置されたブランキングアパーチャアレイ機構と、描画対象の基板が載置される移動可能なステージと、前記ステージに設けられ、前記マルチビームのうち１本のビームを通過させるように第２開口が設けられた検査アパーチャと、前記検査アパーチャの前記第２開口を通過したビームの電流量を検出する電流検出器と、前記マルチビームを偏向し、前記マルチビームのうち１本のビームを、前記第２開口の周辺を含む領域の所定位置となるように偏向制御する偏向器と、前記電流検出器で検出されたビーム電流よりビーム位置を求める演算部と、を備えるものである。
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置において、前記所定位置は、前記第２開口の縁部で前記１本のビームの一部が遮蔽される位置である。
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置において、前記所定位置は、前記１本のビームが前記第２開口の周辺部から前記第２開口を含む領域であり、前記偏向器は前記領域を所定の方向にスキャンするように前記１本のビームを偏向制御する。
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置において、前記ブランキングアパーチャアレイ機構が、前記１本のビームとは異なる複数のビームを所定の周波数でオンオフを切り替え、前記偏向器は、前記１本のビームを前記第２開口の所定位置に偏向制御し、前記演算部は、前記電流検出器で検出された電流量より、前記所定の周波数のノイズの有無を求める。
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置のビーム評価方法は、荷電粒子ビームを放出する工程と、成形アパーチャ基板に設けられた複数の第１開口を前記荷電粒子ビームが通過することによりマルチビームを形成する工程と、複数のブランカを用いて、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのオンオフを切り替える工程と、描画対象の基板が載置されるステージに設けられ、前記マルチビームのうち１本のビームを通過させる第２開口の所定位置にビームを偏向制御する工程と、前記第２開口を通過したビームの電流量を検出する工程と、検出した電流量に基づいて、ビーム位置を評価する工程と、を備えるものである。
本発明によれば、マルチビーム描画装置におけるビーム振動を評価できる。
本発明の実施形態による描画装置の概略図である。 成形アパーチャアレイ基板の概略図である。 （ａ）は同実施形態に係るビーム検査装置の概略図であり、（ｂ）は検査アパーチャの平面図である。 ビーム振動の測定・評価方法を説明するフローチャートである。 ビーム画像の例を示す図である。 （ａ）はビームスキャンの例を示す図であり、（ｂ）はビーム電流の検出結果を示すグラフである。 （ａ）（ｂ）はビーム振動測定時のビーム偏向位置を示す図である。 ビーム振動測定時のビーム偏向位置を示す図である。 （ａ）〜（ｃ）は測定対象ビームと、オン／オフ切り替えを行うビーム領域とを示す図である。 （ａ）〜（ｃ）はビーム電流検出結果をＦＦＴ処理して算出した周波数特性を示すグラフである。 （ａ）（ｂ）は検査アパーチャの開口部の形状の例を示す図である。
図１は本発明の実施形態に係るマルチ荷電粒子ビーム描画装置の概略図である。本実施形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子ビームでもよい。
この描画装置は、描画対象の基板２４に電子ビームを照射して所望のパターンを描画する描画部Ｗと、描画部Ｗの動作を制御する制御部Ｃとを備える。
描画部Ｗは、電子ビーム鏡筒２及び描画室２０を有している。電子ビーム鏡筒２内には、電子銃４、照明レンズ６、成形アパーチャアレイ基板８、ブランキングアパーチャアレイ機構１０、縮小レンズ１２、制限アパーチャ基板１４、対物レンズ１６、及び偏向器１８が配置されている。
描画室２０内には、ＸＹステージ２２が配置される。ＸＹステージ２２上には、描画対象の基板２４が載置されている。基板２４は、例えば、ウェーハや露光用マスクである。
ＸＹステージ２２上には、ＸＹステージ２２の位置測定用のミラー２６が配置されている。また、ＸＹステージ２２には、基板２４が載置される位置とは異なる位置に、マルチビーム検査用アパーチャ４０（以下、「検査アパーチャ４０」と記載する）及び電流検出器５０を有するマルチビーム用ビーム検査装置が配置されている。検査アパーチャ４０は、基板２４と同じ高さ位置に設置されることが好ましい。
電子銃４から放出された電子ビーム３０は、照明レンズ６によりほぼ垂直に成形アパーチャアレイ基板８全体を照明する。図２は、成形アパーチャアレイ基板８の構成を示す概念図である。成形アパーチャアレイ基板８には、縦（ｙ方向）ｍ列×横（ｘ方向）ｎ列（ｍ，ｎ≧２）の開口部８０が所定の配列ピッチでマトリクス状に形成されている。例えば、５１２列×５１２列の開口部８０が形成される。各開口部８０は、共に同じ寸法形状の矩形で形成される。各開口部８０は、同じ径の円形であっても構わない。
電子ビーム３０は、成形アパーチャアレイ基板８のすべての開口部８０が含まれる領域を照明する。これらの複数の開口部８０を電子ビーム３０の一部がそれぞれ通過することで、図１に示すようなマルチビーム３０ａ〜３０ｅが形成されることになる。
ブランキングアパーチャアレイ機構１０には、成形アパーチャアレイ基板８の各開口部８０の配置位置に合わせて貫通孔が形成され、各貫通孔には、対となる２つの電極からなるブランカが、それぞれ配置される。各貫通孔を通過する電子ビーム３０ａ〜３０ｅは、それぞれ独立に、ブランカが印加する電圧によって偏向される。この偏向によって、各ビームがブランキング制御される。ブランキングアパーチャアレイ機構１０により、成形アパーチャアレイ基板８の複数の開口部８０を通過したマルチビームの各ビームに対してブランキング偏向が行われる。
ブランキングアパーチャアレイ機構１０を通過したマルチビーム３０ａ〜３０ｅは、縮小レンズ１２によって、各々のビームサイズと配列ピッチが縮小され、制限アパーチャ基板１４の中心部に形成された開口部に向かって進む。ブランキングアパーチャアレイ機構１０のブランカにより偏向された電子ビームは、その軌道が変位し、制限アパーチャ基板１４の中心の開口部から位置がはずれ、制限アパーチャ基板１４によって遮蔽される。一方、ブランキングアパーチャアレイ機構１０のブランカによって偏向されなかった電子ビームは、制限アパーチャ基板１４の中心の開口部を通過する。
制限アパーチャ基板１４は、ブランキングアパーチャアレイ機構１０のブランカによってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各電子ビームを遮蔽する。そして、ビームＯＮになってからビームＯＦＦになるまでに制限アパーチャ基板１４を通過したビームが、１回分のショットの電子ビームとなる。
制限アパーチャ基板１４を通過した電子ビーム３０ａ〜３０ｅは、対物レンズ１６により焦点が合わされ、基板２４上で所望の縮小率のパターン像となる。制限アパーチャ基板１４を通過した各電子ビーム（マルチビーム全体）は、偏向器１８によって同方向にまとめて偏向され、基板２４に照射される。
ＸＹステージ２２が連続移動している時、ビームの描画位置（照射位置）がＸＹステージ２２の移動に追従するように偏向器１８によってトラッキング制御される。ＸＹステージ２２の位置は、ステージ位置検出器３６からＸＹステージ２２上のミラー２６に向けてレーザを照射し、その反射光を用いて測定される。
一度に照射されるマルチビームは、理想的には成形アパーチャアレイ基板８の複数の開口部８０の配列ピッチに上述した所望の縮小率を乗じたピッチで並ぶことになる。この描画装置は、ショットビームを連続して順に照射していくラスタースキャン方式で描画動作を行い、所望のパターンを描画する際、パターンに応じて必要なビームがブランキング制御によりビームＯＮに制御される。
制御部Ｃは、制御計算機３２及び制御回路３４を有している。制御計算機３２（演算部）は、ビーム位置算出部６０、解析部６２、及びショットデータ生成部６４を有する。制御計算機３２の各部は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。ソフトウェアで構成する場合には、これらの機能を実現するプログラムを記録媒体に収納し、電気回路等を含むコンピュータに読み込ませて実行させてもよい。
ショットデータ生成部６４は、メモリ（図示略）に格納されている描画データを読み出し、描画データに対し複数段のデータ変換処理を行って装置固有のショットデータを生成し、制御回路３４に出力する。描画データは、例えば、各図形パターンの配置位置、図形種、及び図形サイズ等が定義されている。ショットデータには、各ショットの照射量及び照射位置座標等が定義される。制御回路３４は、各ショットの照射量を電流密度で割って照射時間ｔを求め、対応するショットが行われる際、照射時間ｔだけビームＯＮするように、ブランキングアパーチャアレイ機構１０の対応するブランカに偏向電圧を印加する。
制御回路３４は、ショットデータが示す位置（座標）に各ビームが偏向されるように偏向量を演算し、偏向器１８に偏向電圧を印加する。これにより、その回にショットされるマルチビームがまとめて偏向される。
このような描画装置では、描画処理を行うにあたり、ビームの振動測定を行う必要がある。本実施形態では、ビームの振動測定に検査アパーチャ４０及び電流検出器５０を有する検査装置を用いる。
図３（ａ）は検査装置の概略構成図であり、図３（ｂ）は検査アパーチャ４０の平面図である。検査アパーチャ４０は例えば円形の平面形状の基板４１からなり、基板４１の中心部には基板４１を貫通した開口部４２が形成されている。基板４１は、例えばＰｔやＷ等の重金属からなる。
基板２４上でのマルチビームのビームピッチをＣ、（１本の）ビームのサイズをＳとした場合、開口部４２の径φ１はＳ＜φ１＜Ｃ−Ｓとすることが好ましい。例えば、ビームサイズＳを１０ｎｍ、ビームピッチＣを１６０ｎｍ、径φ１を１００ｎｍとする。
径φ１がビームサイズＳより大きいと、１本の電子ビームが全て開口部４２を通過（無散乱透過）することができ、Ｓ／Ｎ比を高くすることができる。径φ１はビームを見つけやすいよう、また、異物により穴が塞がらないようなるべく大きくすることが好ましい。
一方、径φ１がＣ−Ｓより小さいと、マルチビームをスキャンした際に、隣り合う２本のビーム（の一部）が同時に開口部４２を通過することがない。従って、開口部４２は、マルチビームのうち、１本の電子ビームのみを通過させる、他のビームを遮蔽できる。
開口部４２を通過した電子ビームは、電流検出器５０に入射し、ビーム電流が検出される。電流検出器５０には、例えばＳＳＤ（半導体検出器(solid-state detector)）を用いることができる。電流検出器５０による検出結果は制御計算機３２に通知される。
次に、図４に示すフローチャートを用いて、ビーム振動の測定・評価方法を説明する。
ブランキングアパーチャアレイ機構１０のブランカを制御し、一部（又は全て）のビームをオンにし、偏向器１８を用いてビームをｘ方向及びｙ方向の２次元方向に偏向させて検査アパーチャ４０をスキャンする（ステップＳ１）。電流検出器５０がビーム電流を検出する。
制御計算機３２は、電流検出器５０により検出されたビーム電流を輝度に変換し、偏向器１８の偏向量に基づいてビーム画像を作成する。例えば、図５に示すようなビーム画像が作成される。これは、４×４アレイのビームをオンにして検査アパーチャ４０をスキャンした場合の画像の一例である。制御計算機３２はビーム画像から、ビームアレイを認識する。
ビーム位置算出部６０は、ステージ位置検出器３６により検出されたステージ位置を用いて、ビームアレイ領域内の各ビームの位置、及びビームアレイの中心座標を算出する（ステップＳ２）。
ステップＳ１でオンにしたビームのうちの１本のビームを、開口部４２の縁部を横切るようにｘ方向に沿って１次元スキャンする（ステップＳ３）。例えば、図６（ａ）に示すように、１本のビームＢのｙ方向の位置を開口部４２に合わせ、ｘ方向にスキャンする。このビームＢが、ビーム振動の測定対象のビームとなる。
図６（ｂ）は、ビームをスキャンした際の電流検出器５０によるビーム電流の検出結果を示すグラフである。ビームＢが検査アパーチャ４０で遮蔽されている間は、検出値Ｍ１は極めて小さく（ほぼゼロ）、ビームＢが開口部４２を通過し始めると検出値は徐々に増加し、ビームＢ全体が開口部４２を通過すると、検出値Ｍ２は一定となる。
ビーム位置算出部６０は、ビーム電流がＭ１とＭ２の中間値（（Ｍ１＋Ｍ２）／２）となる位置ＰにビームＢを偏向するための偏向量を算出する（ステップＳ４）。これは、図７（ａ）に示すように、ビームＢのｘ方向の一半側（図中斜線部分）が開口部４２の縁部に掛かって検査アパーチャ４０で遮蔽され、他半側が開口部４２を通過する位置である。
同様に、ビームＢを、開口部４２の縁部を横切るようにｙ方向に沿って１次元スキャンし、ビーム電流の検出結果から、図７（ｂ）に示すように、ビームＢのｙ方向の一半側（図中斜線部分）が開口部４２の縁部に掛かって検査アパーチャ４０で遮蔽され、他半側が開口部４２を通過する位置にビームＢを偏向するための偏向量を算出する。
図８に示すように、ｘ方向及びｙ方向のそれぞれに対して４５°をなす方向にビームＢをスキャンして、ビームＢの一部が開口部４２の縁部に掛かる位置にビームＢを偏向するための偏向量を算出してもよい。
ビームＢの全体が開口部４２を通過する位置、ビームＢの全体が検査アパーチャ４０で遮蔽される位置、図７（ａ）（ｂ）に示す位置にそれぞれビームＢを一定時間固定して、電流検出器５０でビーム電流を検出・測定する（ステップＳ５）。解析部６２が、ビーム電流の検出結果を解析し、ビームの振動を算出する（ステップＳ６）。
例えば、図７（ａ）に示すように、ビームＢのｘ方向の一半側が検査アパーチャ４０で遮蔽され、他半側が開口部４２を通過する位置におけるビーム電流の検出結果には、ビームＢのｘ方向の振動の影響が大きく現れる。例えば、この位置でビームＢがｙ方向に振動してもビーム電流の検出結果はほとんど変化しないが、ｘ方向に振動した場合はビーム電流の検出結果が（大きく）変化する。
図７（ｂ）に示すように、ビームＢのｙ方向の一半側が検査アパーチャ４０で遮蔽され、他半側が開口部４２を通過する位置におけるビーム電流の検出結果には、ビームＢのｙ方向の振動の影響が大きく現れる。例えば、この位置でビームＢがｘ方向に振動してもビーム電流の検出結果はほとんど変化しないが、ｙ方向に振動した場合はビーム電流の検出結果が（大きく）変化する。
ビームＢの全体が開口部４２を通過する位置におけるビーム電流の検出結果には、電子銃４から放出される電子ビームの出力強度の揺らぎが大きく現れる。
ビームＢの全体が検査アパーチャ４０で遮蔽される位置におけるビーム電流の検出結果には、バックグラウンドノイズが大きく現れる。
解析部６２は、電子ビームの出力強度の揺らぎ及びバックグラウンドノイズを差し引いて、図７（ａ）に示す位置でのビーム電流検出結果から、ｘ方向のビーム位置の振動量を算出する。例えば、ビーム電流検出結果に対しＦＦＴ（高速フーリエ変換）処理を施し、ｘ方向のビーム振動の周波数特性を解析する。
同様に、解析部６２は、電子ビームの出力強度の揺らぎ及びバックグラウンドノイズを差し引いて、図７（ｂ）に示す位置でのビーム電流検出結果から、ｙ方向のビーム位置の振動量を算出する。例えば、ビーム電流検出結果に対しＦＦＴ処理を施し、ｙ方向のビーム振動の周波数特性を解析する。
このように、１本の電子ビームの一部分が検査アパーチャ４０で遮蔽される位置にビームを偏向し、開口部４２を通過した部分のビーム電流を検出することで、ビーム振動を評価できる。
測定対象のビームが開口部４２の一部に掛かるようにしてビーム電流を検出している際に、他の領域のビームを所定の周波数でＯＮ／ＯＦＦ切り替えし、クロストークノイズを測定してもよい。図９（ａ）〜（ｃ）は、測定対象のビーム（図中黒色）と、ＯＮ／ＯＦＦ切り替えを行うビーム（図中斜線部）の例を示す。図１０（ａ）は、図９（ａ）の場合のビーム電流検出結果をＦＦＴ処理した結果の例を示す。図１０（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ図９（ｂ）、（ｃ）に対応する。
図１０（ｂ）におけるピーク周波数が、ビームＯＮ／ＯＦＦの周波数と一致する場合、測定対象のビームを偏向するブランカの周囲のブランカの動作によるノイズを拾っている可能性があることが分かる。図１０（ａ）（ｃ）ではピークが現れていないことから、図９（ａ）（ｃ）に示すビームのＯＮ／ＯＦＦ切り替えを行っているブランカの動作は影響しないことが分かる。
上記実施形態では、検査アパーチャ４０の開口部４２が円形である例について説明したが、図１１（ａ）に示すように矩形の開口部４２Ａとしてもよい。また、多角形の開口部としてもよい。図１１（ｂ）は、８角形の開口部４２Ｂを示している。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
２ 電子ビーム鏡筒
４ 電子銃
６ 照明レンズ
８ 成形アパーチャアレイ基板
１０ ブランキングアパーチャアレイ機構
１２ 縮小レンズ
１４ 制限アパーチャ部材
１６ 対物レンズ
１８ 偏向器
２０ 描画室
２２ ＸＹステージ
３２ 制御計算機
３４ 制御回路
３６ ステージ位置検出器
４０ マルチビーム検査用アパーチャ（検査アパーチャ）
４１ 基板
４２ 開口部
５０ 電流検出器
６０ ビーム位置算出部
６２ 解析部
６４ ショットデータ生成部

Claims (5)

  1. 複数の第１開口が形成され、前記複数の第１開口を荷電粒子ビームが通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャ基板と、
    前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのオンオフを切り替える複数のブランカが配置されたブランキングアパーチャアレイ機構と、
    描画対象の基板が載置される移動可能なステージと、
    前記ステージに設けられ、前記マルチビームのうち１本のビームを通過させるように第２開口が設けられた検査アパーチャと、
    前記検査アパーチャの前記第２開口を通過したビームの電流量を検出する電流検出器と、
    前記マルチビームを偏向し、前記マルチビームのうち１本のビームを、前記第２開口の周辺を含む領域の所定位置となるように偏向制御する偏向器と、
    前記電流検出器で検出されたビーム電流よりビーム位置を求める演算部と、
    を備えるマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
  2. 前記所定位置は、前記第２開口の縁部で前記１本のビームの一部が遮蔽される位置であることを特徴とする請求項１に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
  3. 前記所定位置は、前記１本のビームが前記第２開口の周辺部から前記第２開口を含む領域であり、前記偏向器は前記領域を所定の方向にスキャンするように前記１本のビームを偏向制御することを特徴とする請求項１に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
  4. 前記ブランキングアパーチャアレイ機構が、前記１本のビームとは異なる複数のビームを所定の周波数でオンオフを切り替え、
    前記偏向器は、前記１本のビームを前記第２開口の所定位置に偏向制御し、
    前記演算部は、前記電流検出器で検出された電流量より、前記所定の周波数のノイズの有無を求めることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
  5. 荷電粒子ビームを放出する工程と、
    成形アパーチャ基板に設けられた複数の第１開口を前記荷電粒子ビームが通過することによりマルチビームを形成する工程と、
    複数のブランカを用いて、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのオンオフを切り替える工程と、
    描画対象の基板が載置されるステージに設けられ、前記マルチビームのうち１本のビームを通過させる第２開口の所定位置にビームを偏向制御する工程と、
    前記第２開口を通過したビームの電流量を検出する工程と、
    検出した電流量に基づいて、ビーム位置を評価する工程と、
    を備えるマルチ荷電粒子ビーム描画装置のビーム評価方法。
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