JP2013118060A - 荷電粒子ビーム装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ナイフエッジの位置の変動による計測誤差を低減するために有利な技術を提供する。
【解決手段】複数の荷電粒子ビームを物体に照射する照射部を含む荷電粒子ビーム装置は、前記複数の荷電粒子ビームの特性を計測するための計測器と、制御部と、を備え、前記計測器は、複数のナイフエッジを有するプレートと、前記プレートを介して入射する荷電粒子ビームを検出するセンサとを含み、前記制御部は、前記複数の荷電粒子ビームから選択される１つの荷電粒子ビームが前記複数のナイフエッジのうち少なくとも２つのナイフエッジを横切るように当該荷電粒子ビームを前記計測器に対して相対的に走査させ、当該走査における前記センサの出力に基づいて、前記プレートの変形に起因する前記計測器の計測誤差を補正するための補正情報を生成する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、荷電粒子ビーム装置に関する。

複数の電子ビームを用いた描画方法において、電子ビームの特性のばらつきや経時変化の影響を低減するために、定期的に電子ビームの特性を計測して補正を行うことが必要である。入手可能なイメージセンサの画素よりも電子ビームの径が十分に大きいのであれば、イメージセンサを用いて直接に電子ビームの特性を計測することができる。しかしながら、電子ビームの径は数十ｎｍと小さいので、電子ビームの特性を直接に計測することはできない。

電子ビームの特性を計測するためには、例えば、ナイフエッジを用いた計測方式が有効である。しかし、電子ビームがナイフエッジを有するプレートに直接照射されると、プレートの温度変化に伴いナイフエッジの位置も変化する。熱によるナイフエッジ位置の変化は電子ビームの照射位置の計測誤差をもたらす。この計測誤差を補正するために、電子ビームを用いてナイフエッジの位置を計測し、誤差量を求める方法があるが、計測のための電子ビームの照射位置も変化する可能性があり、ナイフエッジ位置の計測誤差が発生する。ナイフエッジの位置精度と電子ビームの照射位置精度とは、互いに影響を与えあうので、両者を分離して計測を行う必要がある。

ナイフエッジの特性変化をモニタする方法として、特許文献１では、計測値を正常時の計測値と比較する方法が提案されている。特許文献２では、光学系の中に複数あるアパーチャで蹴られるビームの強度をモニタすることでビームがドリフトした位置を特定する方法が提案されている。しかしながら、特許文献１、２では、ナイフエッジの位置の変動を照射位置が変動しうる電子ビームを使って正確に計測することは考慮されていない。

特開２００６−１９４６１８号公報 特開平８−３７１４１号公報

本発明は、ナイフエッジの位置の変動による計測誤差を低減するのに有利な技術を提供することを例示的目的とする。

本発明の１つの側面は、複数の荷電粒子ビームを物体に照射する照射部を含む荷電粒子ビーム装置に係り、前記荷電粒子ビーム装置は、前記複数の荷電粒子ビームの特性を計測するための計測器と、制御部と、を備え、前記計測器は、複数のナイフエッジを有するプレートと、前記プレートを介して入射する荷電粒子ビームを検出するセンサとを含み、前記制御部は、前記複数の荷電粒子ビームから選択される１つの荷電粒子ビームが前記複数のナイフエッジのうち少なくとも２つのナイフエッジを横切るように当該荷電粒子ビームを前記計測器に対して相対的に走査させ、当該走査における前記センサの出力に基づいて、前記プレートの変形に起因する前記計測器の計測誤差を補正するための補正情報を生成する。

本発明によれば、例えば、ナイフエッジの位置の変動による計測誤差を低減するのに有利な技術が提供される。

本発明の荷電粒子ビーム装置の１つの実施形態である電子ビーム描画装置の概略構成を示す図。 ナイフエッジを有する計測器の概略構成を示す図。 複数のナイフエッジを有するナイフエッジプレートを示す図。 ナイフエッジプレートの変形（ナイフエッジの位置の変化）を示す図。 電子ビームの照射位置の変化を示す図。 ナイフエッジプレートの変形と電子ビームの照射位置の変化を示す図。 ナイフエッジプレートの変形と検出器の信号波形との関係を示す図。 標準状態におけるナイフエッジプレートを示す図。 ナイフエッジプレートが変形し電子ビームの照射位置が変化したときの両者を示す図。

以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。なお、以下では、本発明を電子ビームによって基板にパターンを描画する電子ビーム描画装置に適用した例を説明するが、本発明は、荷電粒子線を物体に照射する機能を有するあらゆる荷電粒子ビーム装置に適用されうる。ここで、荷電粒子線の概念には、電子ビームの他、イオンビームが含まれる。また、荷電粒子線ビーム装置の概念には、電子顕微鏡などの顕微鏡、表面構造を解析する解析装置などが含まれる。

図１を参照しながら本発明の荷電粒子ビーム装置の１つの実施形態である電子ビーム描画装置ＥＢについて説明する。電子ビーム描画装置ＥＢは、複数の電子ビーム（荷電粒子ビーム）を基板（物体）１１０に照射する照射部１０と、基板１１０を移動させる基板駆動機構３０と、複数の荷電粒子ビームの特性を計測するための計測器４０とを備えうる。その他、電子ビーム描画装置ＥＢは、制御部５０および表示部１１７を備えうる。

照射部１０は、電子銃１００、コンデンサレンズ１０２、アパーチャアレイ１０３、１０６、レンズアレイ１０４、ブランカアレイ１０５、電磁レンズ１０７、１０９、偏向器１０８を含みうる。電子銃１００によってクロスオーバ像１０１が形成される。コンデンサレンズ１０２は、クロスオーバ像１０１からの電子によって平行な電子ビームを生成する。アパーチャアレイ１０３は、２次元配列された複数の開口を有し、該複数の開口により、コンデンサレンズ１０２によって生成された電子ビームから複数の電子ビームを切り出す。レンズアレイ１０４は、２次元配列された複数の静電レンズを有し、アパーチャアレイ１０３からの複数の電子ビームのそれぞれによってクロスオーバ像１０１の中間像を形成する。ここで、クロスオーバ像１０１の中間像は、ブランカアレイ１０５が配置された面に形成されうる。

ブランカアレイ１０５は、複数の電子ビームをそれぞれ個別に偏向させることができる複数の静電ブランカが２次元配列されて構成されており、基板への複数の電子ビームの照射・非照射を個別に制御する。静電ブランカによって偏向されなかった電子ビームは、アパーチャアレイ１０６によって遮断されず、基板１１０に照射される。静電ブランカによって偏向された電子ビームは、アパーチャアレイ１０６によって遮断され、基板１１０には照射されない。

アパーチャアレイ１０６を通過した電子ビームは、電磁レンズ１０７、１０９により、基板１１０に投影される。基板１１０は、基板ステージ１１１によって保持されている。基板駆動機構３０は、基板ステージ１１１を移動させることによって基板１１０を移動させる。偏向器１０８は、基板１１０に照射される電子ビームを一括して偏向させる。偏向器１０８によって電子ビームを主走査方向に走査し基板駆動機構３０によって基板１１０を副走査方向に走査しながらブランカアレイ１０５によって複数の電子ビームの照射・非照射を制御することによって基板１１０にパターンが描画される。

偏向器１０８に対する偏向指令値と偏向器１０８による電子ビームの偏向量との関係は予め校正されていて、偏向器１０８に所望の偏向量で電子ビームを偏向させることができる。ここで、偏向器１０８によって電子ビームの偏向量を変更することは、基板１１０又は計測器４０への電子ビームの入射位置を変更することを意味する。典型的には、基板ステージ１１１は、外乱等に起因して振動している。不図示の干渉計等によって基板ステージ１１１の変位を計測し、これを偏向指令値にフィードバックすることによって基板ステージ１１１の振動による基板１１０への電子ビームの照射位置の変動を低減することができる。

計測器４０は、基板ステージ１１１の上に配置されている。計測器４０は、例えば、電子ビームの強度（電流）、形状（強度分布）、照射位置を計測するために用いられうる。計測器４０は、計測器コントローラ１１３によって制御されうる。計測器コントローラ１１３は、制御部５０からの指令に基づいて計測器４０を駆動し、計測器４０から出力された信号またはそれを処理した信号を制御部５０に伝送する。制御部５０は、計測器４０から計測器コントローラ１１３を介して伝送されてくる信号を記憶部１１５に格納し、演算部１１６がそれを処理することによって電子ビームの特性、例えば、電子ビームの強度（電流）、形状（強度分布）、照射位置を求める。このようにして得られた電子ビームの特性は、オペレータによる調整作業のために、例えば表示部１１７に表示されうる。制御部５０は、得られた電子ビームの特性に基づいて、各電子ビームの特性が目標特性となるようにレンズアレイ１０４および電磁レンズ１０７、１０９を制御する信号、および、ブランカアレイ１０５に印加する信号の位相などを調整するように構成されてもよい。

図２を参照しながら計測器４０について説明する。計測器４０は、電子ビーム２０１を遮断するナイフエッジプレート２０２と、ナイフエッジプレート２０２の開口を通して入射する電子ビームを検出するセンサ２０３とを含む。ナイフエッジプレート２０２は、導電性のプレートで、複数の開口を有し、各開口のエッジは、ナイフエッジＫＥを構成している。説明の簡単化のために、図２には、１つの電子ビーム２０１と、１つのナイフエッジＫＥとが示されている。図２（ａ）に示す状態では、ナイフエッジプレート２０２によって電子ビーム２０１が完全に遮断されている。図２（ｂ）に示すように、電子ビーム２０１が検出部１１２に対して相対的に移動すると、電子ビーム２０１が部分的にセンサ２０３に入射する。図２（ｃ）に示すように、電子ビーム２０１が検出部１１２に対して相対的に更に移動すると、電子ビーム２０１の全体がセンサ２０３に入射する。

図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように電子ビーム２０１を検出部１１２に対して相対的に走査すると、センサ２０３によって検出される電子ビーム２０１の量（センサ２０３から出力される信号）が変化することが分かる。これを利用して電子ビーム２０１と検出部１１２（結果として基板ステージ１１１）との相対的な位置関係、あるいは、電子ビーム２０１の強度分布を検出することができる。電子ビーム２０１を検出部１１２に対して相対的に走査する方法としては、偏向器１０８によって電子ビーム２０１を走査する方法と、基板駆動機構３０によって基板ステージ１１１を走査する方法とがある。あるいは、偏向器１０８によって電子ビーム２０１を走査しながら基板駆動機構３０によって基板ステージ１１１を走査してもよい。

図３（ａ）には、ナイフエッジプレート２０２の構成例が模式的に示されている。図３（ｂ）には、ナイフエッジプレート２０２とともに電子ビーム２０１が示されている。ナイフエッジプレート２０２は、複数のナイフエッジを有する。図３（ａ）、（ｂ）に示す例では、ナイフエッジプレート２０２は、４個の開口を有し、これにより８個のナイフエッジ３０２ａ〜３０２ｈが形成されている。ナイフエッジ３０２ａ〜３０２ｈは、図２におけるナイフエッジＫＥに相当する。開口の個数あるいはナイフエッジの個数は、任意に定めることができる。

ここで、図３（ａ）には、標準状態におけるナイフエッジプレート２０２（即ち、ナイフエッジ３０２ａ〜３０２ｈの位置が標準状態のナイフエッジプレート２０２）が示されているものとする。また、図３（ｂ）には、標準状態におけるナイフエッジプレート２０２、および、標準状態における電子ビーム２０１の配列が示されているものとする。図３（ｂ）において、ナイフエッジ３０２ａ〜３０２ｈの位置に誤差がなく、ナイフエッジ３０２ａ、３０２ｃ、３０２ｅ、３０２ｇの配列ピッチと電子ビーム２０１の配列ピッチとが等しい。標準状態とは、例えば、設計値通りの状態あるいは理想状態として考えることができる。

図４には、電子ビーム２０１の位置は標準状態から変動していないが、ナイフエッジプレート２０２の変形（膨張）によりナイフエッジ３０２ａ〜３０２ｈの位置は標準状態から変動している様子が示されている。なお、点線で示されたナイフエッジプレート２０２’は、比較のためのものであって、図３に示す標準状態におけるナイフエッジプレート２０２と同じである。符号４０１は、ナイフエッジ３０２ｃ、３０２ｅ、３０２ｇと電子ビーム２０１の中心とのずれ量を示している。電子ビーム２０１の配列は標準状態であるので、符号４０１は、標準状態からのナイフエッジ３０２ｃ、３０２ｅ、３０２ｇの変動量を意味する。

図５には、ナイフエッジプレート２０２が変形（膨張）せず、ナイフエッジ３０２ａ〜３０２ｈの位置は標準状態であるが、電子ビーム２０１の位置は標準状態から変動している様子が示されている。なお、点線で示されたナイフエッジプレート２０２’とともに示された電子ビーム２０１は、比較のためのものであって、図３に示す標準状態における電子ビームと同じである。符号５０１は、ナイフエッジ３０２ｃ、３０２ｅ、３０２ｇと電子ビーム２０１の中心とのずれ量を示している。ナイフエッジ３０２ｃ、３０２ｅ、３０２ｇの位置は標準状態であるので、符号５０１は、標準状態からの電子ビーム２０１の変動量を意味する。

図６には、ナイフエッジ３０２ａ〜３０２ｈの位置と電子ビーム２０１の位置の双方が標準状態からずれている様子が示されている。符号６０１は、ナイフエッジ３０２ｃ、３０２ｅ、３０２ｇと電子ビーム２０１の中心とのずれ量を示している。通常は、ナイフエッジ３０２ａ〜３０２ｈの位置と電子ビーム２０１の位置の双方が標準状態からずれている可能性があるので、計測を通してナイフエッジ３０２ａ〜６０２ｈの相対位置を決定する必要がある。なお、ナイフエッジ３０２ａ〜６０２ｈの相対位置が分かれば、いずれかのナイフエッジの位置を基準として他のナイフエッジの位置を特定することができる。

以下、計測器４０のキャリブレーションについて説明する。このキャリブレーションでは、ナイフエッジプレート２０２の変形またはナイフエッジ３０２ａ〜６０２ｈの相対位置が求められ、この変形または相対位置に基づいて補正情報が決定される。この補正情報は、計測器４０によって電子ビームの特性を計測する際に計測器４０による計測結果を制御部５０（演算部１１６）が補正するために使用される。この補正は、例えば、計測器４０による計測結果から、ナイフエッジプレート２０２の変形による誤差を除去するものでありうる。

図７を参照しながらナイフエッジプレート２０２のエッジの位置の変化およびナイフエッジの間隔の変化について説明する。なお、図７では、簡単化のために１つの開口、即ち２つのナイフエッジＫＥ１、ＫＥ２を有するナイフエッジプレート２０２が示されている。電子ビーム２０１を計測器４０のナイフエッジプレート２０２の２つのナイフエッジＫＥ１、ＫＥ２を横切るように相対的に走査させると、センサ２０３から出力される信号の波形は、波形７０４のようになる。ここで、図７（ａ）は、ナイフエッジＫＥ１、ＫＥ２の位置に誤差がなく、電子ビーム２０１の位置にも誤差がない場合を模式的に示している。図７（ｂ）は、ナイフエッジＫＥ１、ＫＥ２の位置に誤差がある場合を模式的に示している。図７（ｂ）の例では、ナイフエッジＫＥ１の位置の誤差が考慮されなければ、電子ビーム２０１の位置に誤差Ｅ１があるものとして計測される。

図７（ｃ）は、ナイフエッジＫＥ１、ＫＥ２の間隔（ナイフエッジＫＥ１、ＫＥ２の相対位置）を検出する原理を示している。ナイフエッジプレート２０２の変形（通常は、電子ビームが照射されることによる膨張）によってナイフエッジＫＥ１、ＫＥ２の間隔は、波形７０４の幅Ｗ（あるいは、波形７０４におけるエッジの間隔）として検出されうる。そこで、幅Ｗを検出することによってナイフエッジＫＥ１、ＫＥ２の間隔（ナイフエッジＫＥ１、ＫＥ２の相対位置）を検出することができる。

ナイフエッジプレート２０２のナイフエッジの間隔の検出のために使用する電子ビームは、電子ビーム露光装置ＥＢが発生しうる複数の電子ビームから任意に選択されうる。制御部５０は、エッジの間隔の検出のために使用される電子ビームが複数のエッジのうち少なくとも２つのエッジを横切るように当該電子ビームを計測器４０に対して相対的に走査させる。この走査においてセンサ２０３から出力される信号（波形７０４）に基づいて、演算部１１６は、当該少なくとも２つのエッジの相対位置（間隔）を決定する。当該少なくとも２つのエッジは、隣り合うエッジであってもよいし、他の少なくとも１つのエッジを間に挟むエッジであってもよい。重要なことは、１つの電子ビームを当該少なくとも２つのエッジに対して相対的に走査することである。前述のように、偏向器１０８に対する偏向指令値と偏向器１０８による電子ビームの偏向量との関係は予め校正されている。したがって、仮に電子ビームの照射位置に誤差が存在するとしても、当該電子ビームの偏向量として検出される少なくとも２つのエッジの相対位置（間隔）には、高い精度が保証される。

１つの電子ビームを検出すべき複数のナイフエッジに対して相対的に走査させることができない場合は、複数の電子ビームを使用することができる。この場合には、第１電子ビームによって、検出すべき複数のナイフエッジのうち少なくとも２つのナイフエッジを横切るように当該第１電子ビームを計測器４０に対して相対的に走査させる。そして、その走査におけるセンサ２０３の出力に基づいて、演算部１１６により当該少なくとも２つのナイフエッジの相対位置を決定する。次いで、第２電子ビームが第１ナイフエッジ（第１ナイフエッジは当該少なくとも２つのナイフエッジのうちの１つのナイフエッジである。）と、第２ナイフエッジ（第２ナイフエッジは検出すべき複数のナイフエッジのうち当該少なくとも２つのナイフエッジ以外のナイフエッジである。）とを横切るように当該第２電子ビームを計測器４０に対して相対的に走査させる。そして、その走査におけるセンサ２０３の出力に基づいて、演算部１１６により第１ナイフエッジおよび第２ナイフエッジの相対位置を決定する。この第２ナイフエッジを他のナイフエッジに変更しながら同様の処理を繰り返すことにより、検出すべき複数のナイフエッジのすべての相対的な位置を検出することができる。

以下、図８および図９を参照しながら計測器４０のキャリブレーションと、キャリブレーションによって得られた補正情報に基づいて、電子ビームの特性の計測時に計測器４０による計測結果を補正する処理を具体的に説明する。ここで、一例として、左端のナイフエッジ３０２ａを基準として、左から５番目のナイフエッジ３０２ｅの位置を計測する例を説明するが、これは基準や計測すべきナイフエッジを限定することを意図したものではない。以下における位置、間隔、距離の演算などは、制御部５０の演算部１１６によってなされる。

図８において、８０２は、１つの開口に形成されたナイフエッジ３０２ａ、３０２ｂ間の標準状態における間隔であり、８０４は、他の１つの開口に形成されたナイフエッジ３０２ｃ、３０２ｄ間の標準状態における間隔である。８０３は、隣接する開口ペアのナイフエッジ３０２ｂ、３０２ｃ間の標準状態における間隔であり、８０５は、他の隣接する開口ペアのナイフエッジ３０２ｄ、３０２ｅ間の標準状態における間隔である。標準状態におけるナイフエッジ３０２ａとナイフエッジ３０２ｅとの距離８０６（つまり、ナイフエッジ３０２ａおよびナイフエッジ３０２ｅの相対位置）は、間隔８０２、８０３、８０４、８０５の合計で与えられる。

図９は、ナイフエッジプレートのナイフエッジの位置と電子ビームの位置が変化した状態を模式的に示している。なお、図９（ａ）、（ｂ）のうち（ｂ）では、煩雑さを防ぐために、ナイフエッジを特定するための符号が省略されている。９１０は、１つの開口に形成されたナイフエッジ３０２ａ、３０２ｂ間の間隔であり、９１２は、他の１つの開口に形成されたナイフエッジ３０２ｃ、３０２ｄ間の間隔である。９１１は、隣接する開口ペアのナイフエッジ３０２ｂ、３０２ｃ間の間隔であり、９１３は、他の隣接する開口ペアのナイフエッジ３０２ｄ、３０２ｅ間の間隔である。

まず、電子ビーム２０１ａを用いてナイフエッジ３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃの位置、および、間隔９１０、９１１を計測する。次に、電子ビーム２０１ｂを用いてナイフエッジ３０２ｃ、３０２ｄ、３０２ｅの位置、および、間隔９１２、９１３を計測する。ここで、電子ビーム２０１ａが前述の第１電子ビームに相当し、電子ビーム２０１ｂが前述の第２電子ビームに相当する。また、ナイフエッジ３０２ｃが前述の第１エッジに相当し、ナイフエッジ３０２ｄ、３０２ｅが前述の第２エッジに相当する。ナイフエッジ３０２ｃの位置を電子ビーム２０１ａを使って計測するとともに電子ビーム２０１ｂを使っても計測するので、ナイフエッジ３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄ、３０２ｅの相対位置を得ることができる。演算部１１６は、ナイフエッジプレート２０２のナイフエッジの位置および電子ビームの位置が変化した状態におけるナイフエッジ３０２ａとナイフエッジ３０２ｅとの距離９１５（つまり、ナイフエッジ３０２ａおよびナイフエッジ３０２ｅの相対位置。）を、間隔９１０、９１１、９１２、９１３を合計することによって決定する。

ここでは連続したる３つのナイフエッジの位置を計測したが、必ずしも連続したナイフエッジの位置を計測する必要はなく、例えば、電子ビーム２０１ｂでナイフエッジ３０２ａ、３０２ｄ、３０２ｅを計測してもよい。この場合、ナイフエッジ３０２ａが前述の第１エッジに相当し、ナイフエッジ３０２ｄ、３０２ｅが前述の第２エッジに相当する。

演算部１１６は、距離９１５から距離８０６を減じることによって、ナイフエッジプレート２０２のナイフエッジ３０２ｅにおける変形量９１６を決定する。変形量９１６は、ナイフエッジ３０２ｅの位置が標準状態の位置からずれていることに起因して発生する計測器４０の計測誤差を補正するための補正情報として使用される。

５番目のナイフエッジ３０２ｅの位置を決定し補正情報を得る処理を具体的に説明したが、以上のような方法に従って、電子ビームの特性の計測に使用するための全てのナイフエッジについて補正情報が決定される。これにより、ナイフエッジプレートの変形に起因して発生する計測器４０の計測誤差を低減するためのキャリブレーションが終了する。キャリブレーションによって決定された補正情報は、表示部１１７に表示されうる。

ここで、複数のナイフエッジのうち少なくとも２つのナイフエッジの相対位置（間隔）を求めることによって当該２つのナイフエッジ間におけるナイフエッジプレート２０２の変形量を求めることができる。そこで、ナイフエッジプレート２０２の変形が均一になされるものと仮定して、当該２つのナイフエッジの相対位置に基づいて他のナイフエッジの相対位置を求めてもよい。あるいは、ナイフエッジプレート２０２の変形が均一ではないが、一定の法則性がある場合には、当該２つのナイフエッジの相対位置とその法則性に基づいて他のナイフエッジの相対位置を求めてもよい。

制御部５０は、その後、検出部１１２を使って各電子ビームの特性を計測する。そして、例えば、５番目のナイフエッジ３０２ｅを用いて検出部１１２によって実施された計測の結果を５番目のナイフエッジ３０２ｅの変形量９１６（ナイフエッジ３０２ａに対するナイフエッジ３０２ｅの相対位置）に基づいて補正する。

以下、図（ｂ）を参照しながら、キャリブレーションによって得られた補正情報に基づいて、電子ビームの特性の計測時に計測器４０による計測結果を補正する処理を説明する。なお、点線で示されたナイフエッジプレート２０２’は、比較のためのものであって、標準状態におけるナイフエッジプレート２０２と同じである。

ここでは、電子ビーム２０１ｃの位置または形状（強度分布）を、ナイフエッジ３０２ｅを用いて計測するものとする。この計測において、図９（ｂ）に示すように、電子ビーム２０１ｃの位置が、変形によって変位しているナイフエッジ３０２ｅに対して変位量９１４を有するものとする。電子ビーム２０１ｃの正確な位置は、補正情報としての変形量９１６から変位量９１４を減じることによって求められる。そこで、演算部１１６は、補正情報としての変形量９１６から変位量９１４を減じることによって、変形量９１６による計測誤差が補正された正確な電子ビーム２０１ｃの変位量９１７を求める。このようにして得られた電子ビームの変位量は、表示部１１７に表示されうる。ここで、調整が必要な電子ビームについては、ハイライト表示されうる。

電子ビームの特性の調整方法の一例として、電子ビームの照射位置を調整する方法を説明する。電子ビームの変位量を調整あるいは低減するには、基板ステージ１１１の走査速度、偏向器１０８による電子ビームの偏向速度に基づいて、ブランカアレイ１０５に印加する信号の位相を調整すればよい。

つぎに、本発明の一実施形態のデバイス製造方法について説明する。デバイスは、例えば、半導体デバイスでありうる。半導体デバイスは、ウエハ（半導体基板）に集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程とを経ることにより製造される。前工程は、前述の荷電粒子ビーム描画装置を用いて、感光剤が塗布されたウエハに描画を行う工程と、そのウエハを現像する工程とを含みうる。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）とを含みうる。

Claims (5)

1. 複数の荷電粒子ビームを物体に照射する照射部を含む荷電粒子ビーム装置であって、
   前記複数の荷電粒子ビームの特性を計測するための計測器と、
   制御部と、を備え、
   前記計測器は、複数のナイフエッジを有するプレートと、前記プレートを介して入射する荷電粒子ビームを検出するセンサとを含み、
   前記制御部は、前記複数の荷電粒子ビームから選択される１つの荷電粒子ビームが前記複数のナイフエッジのうち少なくとも２つのナイフエッジを横切るように当該荷電粒子ビームを前記計測器に対して相対的に走査させ、当該走査における前記センサの出力に基づいて、前記プレートの変形に起因する前記計測器の計測誤差を補正するための補正情報を生成する、
   ことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
2. 前記制御部は、前記センサの出力に基づいて、前記少なくとも２つのナイフエッジの相対位置を求め、前記相対位置に基づいて前記補正情報を生成する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム装置。
3. 前記制御部は、
   前記複数の荷電粒子ビームから選択される他の１つの荷電粒子ビームが、前記少なくとも２つのナイフエッジのうちの１つのナイフエッジである第１ナイフエッジと、前記複数のナイフエッジのうち前記少なくとも２つのナイフエッジ以外のナイフエッジである第２ナイフエッジとを横切るように前記他の１つの荷電粒子ビームを前記計測器に対して相対的に走査させ、
   当該走査における前記センサの出力に基づいて前記第１ナイフエッジおよび前記第２ナイフエッジの相対位置を求め、
   更に、前記少なくとも２つのナイフエッジの相対位置と、前記第１ナイフエッジおよび前記第２ナイフエッジの相対位置とに基づいて、前記少なくとも２つのナイフエッジおよび前記第２ナイフエッジの相対位置を求める、
   ことを特徴とする請求項２に記載の荷電粒子ビーム装置。
4. 前記複数の荷電粒子線によって前記物体に描画を行う描画装置として構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の荷電粒子ビーム装置。
5. 請求項４に記載の荷電粒子ビーム装置を用いて前記物体としての基板に描画を行う工程と、
   前記工程で描画を行われた該基板を現像する工程と、
   を含むことを特徴とするデバイス製造方法。