TW201339743A - 多重帶電粒子束描繪裝置以及多重帶電粒子束描繪方法 - Google Patents

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Abstract

[目的]有關多重電子束方式的描繪，在產生經常為電子束OFF或照射量無法控制的不良電子束的情形下，仍一面維持高精度、一面有效率的進行描繪。[構成]本發明之一形態的多重帶電粒子束描繪裝置，其具備：用來檢測通過孔徑構件的複數個開口部的多重電子束中之不良電子束的檢測部；將部分區域設定成包含除了通過孔徑構件的複數個開口部的多重電子束中之不良電子束的開口部以外，剩下的開口部中更多開口部的設定部；和將描繪處理控制成利用藉由通過部分區域內的開口部所形成的多重電子束，對試料描繪圖案的描繪處理控制部。

Description

多重帶電粒子束描繪裝置以及多重帶電粒子束描繪方法
本發明是有關多重帶電粒子束描繪裝置及多重帶電粒子束描繪方法，例如有關於使多重電子束的描繪高精度化的手法。
執行半導體裝置微細化進展的微影技術，在半導體製造製程中仍是唯一生成圖案的極重要製程。近年來隨著LSI的高積體化，半導體裝置所要求的電路線寬也逐年微細化。在此，電子射線(電子束)描繪技術本質上具有優異的解像性，施以對晶圓等使用電子射線進行描繪。
例如具有使用多重電子束的描繪裝置。與使用一條電子束來描繪的情形相比，因可使用多重電子束一次照射許多重電子束，故可大幅提昇生產量。在相關的多重電子束方式的描繪裝置，例如從電子槍射出的電子束，通過具有配置成矩陣狀的複數個孔的光罩來形成多重電子束，各個被熄滅控制、未被遮蔽的各電子束利用偏向器偏向，使其照射至試料上所需要的位置(例如參照專利文獻1)。
在相關的多重電子束方式的描繪裝置，複數個電子束是一次照射，但如上述，是藉由熄滅控制來組合電子束ON和電子束OFF描繪圖案。在此，在多重電子束方式的描繪裝置，為了形成且控制複數個電子束，由構造的複雜度來看，良品率(不良電子束的產生)令人擔心。例如： 具有無法成為電子束ON控制，就是經常成為電子束OFF的不良電子束的情形。除此之外，形成電子束ON，仍無法取得既定的電子束電流量，或者在既定的照射時間進行電子束ON控制與電子束OFF控制，仍會產生回應性差且照射量無法控制在所需要之精度的不良電子束之情形。
若存在該些個不良電子束，就會有所需要的圖案描繪無法完成，或者即使描繪也得不到所需要之描繪精度的問題。
認為例如準備更多的電子束產生相關的不良電子束，也僅是以其他電子束所對應的冗長性對應來維持描繪精度的手法。此方法例如若試料上的同一處以100條不同的電子束描繪，即使其中一條不良，照射量至多產生1%的誤差。但隨著現今圖案微細化，有關照射量精度例如要求0.1%左右的精度。為了以冗長性來對應相關的0.1%精度，對應用於描繪的電子束條數而言，理論上需要1000倍的電子束條數。其結果，以冗長性對應來維持描繪精度，對非冗長之情形下的電子束條數而言，需要新的1000倍之龐大電子束數量的硬體及軟體的資源，使其成為過大的裝置構造。因而希望利用與增加相關的電子束條數手法不同的手法來解決相關的不良電子束的問題。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開第2006-261342號公報
因此，本發明為克服上述之問題，其目的為提供一種針對多重電子束方式的描繪，在無法成為電子束ON控制，就是經常成為電子束OFF的不良電子束或以既定照射時間進行電子束控制，照射量仍無法控制在所需要的精度且產生不良電子束的情況下可一面維持高精度、一面有效率描繪的描繪裝置及方法。
本發明之一形態的多重帶電粒子束描繪裝置，其具備：載置試料之可連續移動的作業台；放射帶電粒子束的放射部；具有複數個開口部，且包含複數個開口部整體的第1區域受到帶電粒子束的照射，帶電粒子束的一部分分別通過複數個開口部，藉此形成多重電子束的孔徑構件；進行通過孔徑構件的複數個開口部的多重電子束中之各自對應的電子束的熄滅偏向的複數個熄滅裝置；藉由複數個熄滅裝置將已偏向的各電子束遮蔽成電子束OFF的狀態的熄滅孔徑構件；用來檢測通過孔徑構件的複數個開口部的多重電子束中之不良電子束的檢測部；將第2區域設定成包含除了通過孔徑構件的複數個開口部中之不良電子束的開口部以外，比剩下的開口部中更多的開口部的設定部；和將描繪處理控制成利用藉由通過第2區域內的開口 部所形成的多重電子束，對試料描繪圖案的描繪處理控制部。
本發明之其他形態的多重帶電粒子束描繪裝置，具備：載置試料之可連續移動的作業台；放射帶電粒子束的放射部；具有複數個開口部，且包含複數個開口部整體的區域受到帶電粒子束的照射，帶電粒子束的一部分分別通過複數個開口部，藉此形成多重電子束的孔徑構件；進行通過孔徑構件的複數個開口部的多重電子束中之各自對應的電子束之熄滅偏向的複數個熄滅裝置；藉由複數個熄滅裝置將已偏向的各電子束遮蔽成電子束OFF之狀態的熄滅孔徑構件；用來檢測通過孔徑構件的複數個開口部的多重電子束中之不良電子束的檢測部；和將描繪處理控制成在不良電子束控制成電子束OFF的狀態下，使用剩下的多重電子束中的至少一個，一面偏離位置、一面進行多重描繪，進而針對藉由不良電子束所應描繪的位置，進行追加描繪的描繪處理控制部。
本發明之其他形態的多重帶電粒子束描繪裝置，具備：載置試料之可連續移動的作業台；放射帶電粒子束的放射部；具有複數個開口部，且包含複數個開口部整體的第1區域受到帶電粒子束的照射，帶電粒子束的一部分分別通過複數個開口部，藉此形成多重電子束的孔徑構件；進行通過孔徑構件的複數個開口部的多重電子束中之各自對應的電子束的熄滅偏向的熄滅裝置；藉由複數個熄滅裝置將已偏向的各電子束遮蔽成電子束OFF的狀態的熄滅 孔徑構件；用來檢測通過孔徑構件的複數個開口部的多重電子束中之不良電子束的檢測部；將第2區域設定成包含除了通過孔徑構件的複數個開口部中之不良電子束的開口部以外，比剩下的開口部中更多的開口部的設定部；用來選擇使用通過第2區域內的開口部的多重電子束對試料描繪圖案的第1模式、與在不良電子束控制成電子束OFF的狀態下使用剩下的多重電子束中的至少一個，一面偏離位置、一面進行多重描繪，進而針對藉由不良電子束所應描繪的位置，進行追加描繪的第2模式的選擇部；和將描繪處理控制成以所選擇的模式進行描繪的描繪處理控制部。
又，在多重描繪的各次描繪處理中，其他次的描繪處理是在與描繪方向直交的方向一面偏離位置、一面進行描繪，於追加描繪之際，將以追加描繪所描繪的描繪範圍的位置調整成在一面偏離位置、一面進行的多重描繪中，使不良電子束應描繪的複數個位置全部描繪為佳。
本發明之一形態的多重帶電粒子束描繪方法，其具備：用來檢測通過受到帶電粒子束的照射形成多重電子束之具有複數個開口部的孔徑構件的複數個開口部的孔徑構件的多重電子束中之不良電子束的工程；將區域設定成包含除了通過孔徑構件的複數個開口部中之不良電子束的開口部以外，比剩下的開口部中更多的開口部的工程；用來選擇使用通過區域內的開口部的多重電子束對試料描繪圖案的第1模式、與在不良電子束控制成電子束OFF的狀 態下使用剩下的多重電子束中的至少一個，一面偏離位置、一面進行多重描繪，進而針對藉由不良電子束所應描繪的位置，進行追加描繪的第2模式的工程；和以所選擇的模式對試料描繪圖案的工程。
若藉由本發明之一形態，即使為不良電子束，在硬體上及軟體上也不必增加電子束條數就能維持描繪精度。 又，即使為不良電子束，仍不會使描繪精度下降，能有效率的描繪。
以下實施形態中，作為帶電粒子束之一例，是針對使用電子束的構造做說明。但帶電粒子束，並不限於電子束，也可為使用離子束等的帶電粒子的電子束。
實施形態1
第1圖是表示實施形態1的描繪裝置的構成的概念圖。於第1圖中，描繪裝置100，具備描繪部150與控制部160。描繪裝置100，是多重帶電粒子束描繪裝置之一例。描繪部150，具備電子鏡筒102與描繪室103。在電子鏡筒102內配置：電子槍201、照明透鏡202、孔徑(aperture)構件203、熄滅板(blanking plate)204、縮小透鏡205、限制孔徑構件206、對物透鏡207、及偏向 器208。在描繪室103內配置著XY作業台105。在XY作業台105上，配置著於描繪時作為描繪對象基板之光罩等的試料101。在試料101包含：製造半導體裝置時的曝光用光罩，或半導體裝置所製造的半導體基板(矽晶圓)等。
並且在試料101包含：塗佈著光阻劑之未做任何描繪的空白光罩。在XY作業台105上更配置：作為電流量測定部之一例的法拉第杯106、和XY作業台105的位置測定用的反射鏡210。
控制部160具有：控制電腦110、記憶體112、偏向控制電路130、132、數位/類比轉換(DAC)放大器134、136、電流檢測器138、作業台位置測定部139及磁碟裝置等的記憶裝置140。控制電腦110、記憶體112、偏向控制電路130、132、DAC放大器134、136、電流檢測器138、作業台位置測定部139及記憶裝置140，是經由圖未表示的匯流排互相連接。在記憶裝置140(記憶部)，是由外部輸入描繪資料，且予儲存。
在控制電腦110內配置：檢測處理部50、設定部51、描繪處理控制部52、描繪資料處理部54、效率算出部60、62、64、判定部66、及模式選擇部68。檢測處理部50、設定部51、描繪處理控制部52、描繪資料處理部54、效率算出部60、62、64、判定部66、及模式選擇部68的各功能，可利用電子電路等的硬體構成，或執行該些個功能的程式等的軟體構成。或者也可以藉由硬體和軟 體的組合構成。輸出入到檢測處理部50、設定部51、描繪處理控制部52、描繪資料處理部54、效率算出部60、62、64、判定部66、及模式選擇部68的資訊及演算中的資訊，隨時儲存到記憶體112。
在此，在第1圖中，為了說明實施形態1的方便，記載著必要的構成。對描繪裝置100而言，通常也可以具備必要的其他構成。
第2圖是表示實施形態1的孔徑構件的構成的概念圖。於第2圖(a)中，在孔徑構件203，縱(y方向)m列×橫(x方向)n列(m、n≧2)的孔(開口部)22，以既定的排列間距形成矩陣狀。在第2圖(a)中，例如形成著512×8列的孔22。各孔22，均是以相同尺寸形狀的矩形例如：長方形或正方形形成。或者也可為相同外徑的圓形。在此，表示有關y方向的各列，於x方向分別形成由A至H的八個孔22的例示。電子束200的一部分會各自通過該些複數個孔22，形成多重電子束20。在此，雖表示縱橫(x、y方向)均為配置兩列以上的孔22的例示，但並不限於此。例如：亦可為縱橫(x、y方向)任一方為複數列，另一方僅為一列。
又，孔22的排列方式如第2圖(a)，並不限於縱橫配置成格子狀的情形。如第2圖(b)，例如：縱方向(y方向)第1段的列和第2段的列的孔彼此也可於橫方向(x方向)僅偏離尺寸a配置。同樣地，縱方向(y方向)第2段的列和第3段的列的孔彼此也可於橫方向(x 方向)僅偏離尺寸b配置。
第3圖是表示實施形態1的熄滅板的構成的概念圖。於熄滅板204，配合孔徑構件203的各孔22的配置位置形成通過孔，在各通過孔，分別配置成對的兩個電極24、26的組合(blanker：熄滅裝置)。通過各通過孔的電子束20，是藉由施加於有關各自獨立之成對的兩個電極24、26的電壓使其偏向。藉由相關的偏向使其受熄滅控制。像這樣，複數個熄滅裝置通過孔徑構件203的複數個孔22(開口部)的多重電子束之中，進行各自對應的電子束的熄滅偏向。
由電子槍201(射出部)射出的電子束200，是藉由照明透鏡202大致垂直的照明孔徑構件203全體。在孔徑構件203，形成矩形例如：長方形或正方形的複數個孔(開口部)，電子束200是照明包含所有複數個孔的區域。照射到複數個孔的位置的電子束200的各一部分，藉由各自通過相關的孔徑構件203的複數個孔，形成例如：矩形形狀的複數個電子束(多重電子束)20a~e。相關的複數個多重電子束20a~e，是通過熄滅板204各自對應的熄滅裝置內。相關的熄滅裝置，分別用以偏向個別通過的電子束20(進行熄滅偏向)。然後通過熄滅板204的多重電子束20a~e，是藉由縮小透鏡205而縮小，向著形成在限制孔徑構件206之中心的孔而前進。在此，藉由熄滅板204的熄滅裝置而偏向的電子束20，是位置偏離限制孔徑構件206(熄滅孔徑構件)之中心的孔，藉由限 制孔徑構件206遮蔽。一方面，未藉由熄滅板204的熄滅裝置而偏向的電子束20，是通過限制孔徑構件206之中心的孔。熄滅控制是藉由相關的熄滅裝置的ON/OFF進行，使電子束的ON/OFF受到控制。像這樣，限制孔徑構件206，是使已偏向的各電子束藉由複數個熄滅裝置遮蔽成電子束OFF的狀態。並且藉由通過自電子束ON形成至電子束OFF的限制孔徑構件206的電子束，形成一次份的發射(shot)電子束。通過限制孔徑構件206的多重電子束20，藉由對物透鏡207對焦，成為所需要的縮小比的圖像，藉由偏向器208，使通過限制孔徑構件206的各電子束(多重電子束20全體)集中於同方向使其偏向，且使各電子束照射到試料101上的各個照射位置。
而且，例如連續移動XY作業台105時，電子束的照射位置藉由偏向器208被控制成跟蹤XY作業台105的移動。一次照射的多重電子束20，理想上是孔徑構件203的複數個孔的排列間距乘以上述之所需要的縮小比的間距排列。描繪裝置100，是以連續依序照射發射電子束進行的光柵掃描方式進行描繪動作，來描繪所需要的圖案之際，配合圖案所需要的電子束藉由熄滅控制被控制成電子束ON。
第4圖是說明實施形態1的描繪動作的概念圖。如第4圖(a)所示，試料101的描繪區域30，例如：向著y方向以既定寬度虛擬分割成長方形狀的複數個帶狀區域32。相關的各帶狀區域32，為描繪單位區域。首先，使 XY作業台105移動，調整成以一次的多重電子束20之照射的可照射的照射區域34，位於第1號的帶狀區域32的左端或更左側的位置，使其開始描繪。在描繪第1號的帶狀區域32之際，藉由使XY作業台105例如朝著-x方向移動，往x方向相對的進行描繪。使XY作業台105以既定速度例如連續移動。第1號的帶狀區域32的描繪結束後，使作業位置於-y方向移動，並使照射區域34調整成相對於y方向位在第2號的帶狀區域32的右端或更右側的位置，本次如第4圖(b)所示，藉由使XY作業台105例如於x方向移動，向著-x方向同樣的進行描繪。以在第3號的帶狀區域32，就能將描繪時間縮短成向著x方向進行描繪，在第4號的帶狀區域32，向著-x方向進行描繪的方式，一面交互的改變方向、一面進行描繪。但並不限於相關之一面交互的改變方向、一面進行描繪的情形，也可為描繪各帶狀區域32之際，向著同方向進行描繪。在一次發射中，如第4圖(c)所示，藉由通過孔徑構件203的各孔22所形成的多重電子束，一次形成與各孔22相同數量的複數個發射圖案36。例如：通過孔徑構件203的一個孔A的電子束，照射到第4圖(c)所示的「A」位置，在該位置形成發射圖案36。同樣的，例如：通過孔徑構件203的一個孔B的電子束，照射到第4圖(c)所示的「B」位置，在該位置形成發射圖案36。以下，C~H也是同樣的形成。然後，描繪各帶狀區域32之際，使XY作業台105向著x方向移動之中，藉由偏向器 208使各發射偏向成朝著y方向或x、y方向依序移動(進行描掃)，且連續依序照射發射電子束以光柵描掃方式進行描繪。
第5圖是表示實施形態1的描繪方法的主要部分工程的流程圖。於第5圖中，實施形態1的描繪方法，是實施不良電子束檢測工程(S102)、部分區域(第2區域)設定工程(S104)、效率算出工程(S106)、效率判定工程(S114)、模式選擇工程(S116)、和描繪工程(S118)的一連串工程。並且，效率算出工程(S106)，作為其內部工程，實施y方向分割效率算出工程(S108)、x方向分割效率算出工程(S110)、和追加通道描繪效率算出工程(S112)的一連串工程。
作為不良電子束檢測工程(S102)，檢測處理部50(檢測部)，是用來檢測通過具有受到電子束200的照射而形成多重電子束20的複數個孔22(開口部)的孔徑構件203的複數個孔22的多重電子束20中的不良電子束。檢測方法，例如：檢測處理部50，針對多重電子束20的各電子束來測定各個電流量。具體而言，使XY作業台105依序移動成法拉第杯106位在被多重電子束20的各電子束照射的位置。而且，多重電子束20一條條，照射到法拉第杯106，以電流檢測器138來接收由法拉第杯106發出的類比信號。然後電流檢測器138，將顯示照射到法拉第杯106的各電子束的電流量的數位信號(資料信號)輸出到檢測處理部50。如此一來，檢測處理部50， 會測定照射到法拉第杯106的各電子束的電流量。被測定的對象電子束以外的電子束，藉由熄滅控制成為電子束OFF之狀態為最佳。即使被對象電子束以外的電子束照射到，只要是未被法拉第杯106檢測到的位置關係依然是電子束ON的狀態。電流量無法測定(檢測不出電流)的電子束，是無法控制成電子束ON，經常為電子束OFF的不良電子束。而且，即使電流量被檢測出來仍非所需要的電流量的電子束，就是即使成為電子束ON也無法在規定的照射時間成為電子束OFF，也就是照射量無法控制的不良電子束。因而，檢測處理部50，根據由電流檢測器138所輸入的資料信號，以電流量無法測定(檢測不出電流)，或非為所需要的電流量的電子束作為不良電子束來檢測。
作為部分區域(矩形區域)設定工程(S104)，設定部51，將包含x方向m條、y方向n條的電子束的部分區域(矩形區域)，設定成包括除了通過孔徑構件203的複數個孔22中之不良電子束的孔以外，比剩下的孔22中更多的孔22。
第6圖是表示實施形態1的y方向分割的部分區域(矩形區域)之一例的圖。在第6圖表示例如：縱向(y方向)512個、橫向(x方向)8個的孔22成矩陣狀配置的孔徑構件203的例示。在第6圖例如：自左端起於x方向第6列及自上端起於-y方向第4段的孔23作為形成不良電子束的孔22。於相關情形下，藉由y方向分割，除 了不良電子束以外設定為部分區域(矩形區域)，如第6圖所示，假設：於x方向全列，並包括自上端起於-y方向第5段至下端的複數個孔22的部分區域(矩形區域)40、和於x方向全列，並包括自上端起於-y方向至第3段的複數個孔22的部分區域(矩形區域)42的兩個區域(矩形區域)。再者，在此例中，電子束配置於xy方向呈直行，因此包括x方向m條、y方向n條的電子束的部分區域(矩形區域)，為正方形或長方形的區域，但在配置並非為直行的情形下，成為對應其配置的形狀。在部分區域(矩形區域)40與部分區域(矩形區域)42中，部分區域(矩形區域)40，包含更多的孔22，因此在y方向分割的情形下，選擇部分區域(矩形區域)40。
第7圖是表示實施形態1的x方向分割的部分區域(矩形區域)之一例的圖。在第7圖與第6圖同樣的，表示例如：縱向(y方向)512個、橫向(x方向)8個的孔22是矩陣狀配置的孔徑構件203的例示。在第7圖與第6圖同樣的，例如：自左端起於x方向第6列及自上端起於-y方向第4段的孔23作為形成不良電子束的孔22。於相關情形下，藉由x方向分割，除了不良電子束以外設定為部分區域(矩形區域)，如第7圖所示，假設：於y方向全列，並包括自左端起於x方向至第5段的複數個孔22的部分區域(矩形區域)44、和於y方向全列，並包含自左端起於x方向由第7段至右端的複數個孔22的部分區域(矩形區域)46的兩個區域(矩形區域)。在部 分區域(矩形區域)44與部分區域(矩形區域)46中，部分區域(矩形區域)44，包含更多的孔22，因此在x方向分割的情形下，選擇部分區域(矩形區域)44。
在實施形態1中，由使用藉由上述之y方向分割所設定的部分區域(矩形區域)內的多重電子束進行描繪的描繪模式(1)(第1模式之一例)；使用藉由x方向分割被設定的部分區域(矩形區域)內的多重電子束進行描繪的描繪模式(2)(第1模式之一例)；和在不良電子束控制成電子束OFF的狀態下，使用剩下的多重電子束中的至少一個，一面偏離位置、一面進行多重描繪，進而針對藉由不良電子束所應描繪的位置，進行追加通道描繪的描繪模式(3)(第2模式之一例)中，選擇效率更優的描繪模式，進行描繪處理。因此，先算出各描繪模式的效率。
效率算出工程(S106)，演算以各描繪模式所描繪之際的各個效率。
作為y方向分割效率算出工程(S108)，效率算出部60，算出以y方向分割的描繪模式(1)所描繪之情形的描繪速度的效率。描繪速度，與可使用的y方向的電子束條數成正比。因而，對於無不良電子束的100%的電子束條數，例如在以80%的電子束條數來描繪的情形下，描繪速度的效率降至80%。描繪速度的效率是包含在部分區域(矩形區域)40的y方向的電子束條數除以無不良電子束之情形的y方向的所有電子束條數所得的值。在第6圖 的例示中，對於無不良電子束之情形的y方向的所有電子束條數為512，包含在部分區域(矩形區域)40的y方向的電子束條數為508條，因此描繪速度的效率=508/512=0.992，描繪速度的效率為99.2%。
作為x方向分割效率算出工程(S110)，效率算出部62，算出以x方向分割的描繪模式(1)所描繪之情形的描繪速度的效率。描繪速度，與可使用的x方向的電子束條數成正比。因而，對於無不良電子束的100%的電子束條數，例如在以80%的電子束條數來描繪的情形下，描繪速度的效率降至80%。描繪速度的效率是包含在部分區域(矩形區域)44的x方向的電子束條數除以無不良電子束之情形的x方向的所有電子束條數所得的值。在第7圖的例示中，對於無不良電子束之情形的x方向的所有電子束條數為8，包含在部分區域(矩形區域)44的x方向的電子束條數為5，因此描繪速度的效率=5/8=0.625，描繪速度的效率為62.5%。
作為追加通道效率算出工程(S112)，效率算出部64，算出以追加通道描繪的描繪模式(3)所描繪之情形的描繪速度的效率。描繪速度，例如：在原來以多重度N=2(描繪次數兩次)所描繪的情形下，加一次追加通道描繪，因此描繪速度的效率為2/3=0.667，描繪速度的效率降至66.7%。描繪速度的效率是原本的多重度除以原本的多重度+1之值的值。例如：在以多重度N=4(描繪次數四次)所描繪的情形下，描繪速度的效率為4/5=0.8， 描繪速度的效率降至80.0%。在此，其中一例示是假設以多重度N=2(描繪次數兩次)所描繪的情形。
作為效率判定工程(S114)，判定部66，由已算出的各描繪模式之效率中來判定效率最優的模式。在上述的例示中，得知以y方向分割的描繪模式(1)所描繪之情形的描繪速度的效率99.2%最優異。
再者，例如：不良電子束，於y方向存在於50%的位置、x方向存在於50%的位置的情形下，以描繪模式(1)所描繪之情形的描繪速度的效率降至50%。同樣的，以描繪模式(2)所描繪之情形的描繪速度的效率也降至50%。一方面，以多重度N=2(描繪次數兩次)所描繪時的描繪模式(3)所描繪之情形的描繪速度的效率依然為66.7%。因而，相關的情形下，以描繪模式(3)所描繪之情形的描繪速度是最優的。像這樣，描繪速度的效率因不良電子束的位置而改變。又，描繪速度的效率也因多重度的設定而變。在實施形態1，由各描繪模式的效率中選擇效率最優的模式，描繪處理控制部52，是將各構成的動作控制成以所選擇的模式進行描繪處理。
作為模式選擇工程(S116)，模式選擇部68，由各描繪模式之效率中來選擇效率最優的模式。
作為描繪工程(S118)，描繪處理控制部52，是將各構成的動作控制成以所選擇的模式進行描繪處理。例如：選擇描繪模式(1)的情形下，描繪處理控制部52，是將描繪處理控制成利用藉由通過部分區域(矩形區域) 40內的孔22所形成的多重電子束，對試料101描繪圖案。
具體而言，如下進行描繪處理。
第8圖是以實施形態1的y方向分割的描繪模式來說明描繪處理的概念圖。以y方向分割的描繪模式(1)進行描繪處理的情形，先將試料101的描繪區域虛擬分割成複數個帶狀區域之際，以部分區域(矩形區域)40的y方向的寬度尺寸來分割。具體而言，對於不存在不良電子束而能使用所有多重電子束之情形的帶狀區域33，將帶狀寬度縮小(減小)成限制在y方向的部分區域(矩形區域)40之可描繪的帶狀區域32。然後藉由描繪處理控制部52所控制的描繪資料處理部54，對相關的每個帶狀區域32，由記憶裝置140讀出描繪資料，進行複數段的資料變換處理，生成裝置專有的發射資料。偏向控制電路130，依據發射資料，生成進行各次的各個熄滅裝置的發射之熄滅控制用的信號，將利用DAC放大器134放大、數位信號轉換成類比信號，輸出到各熄滅裝置。偏向控制電路130，是將所對應的熄滅裝置控制成通過孔徑構件203的複數個孔22中偏離部分區域(矩形區域)40的孔22、23的多重電子束成為電子束OFF的狀態。偏向控制電路130，是熄滅控制部之一例。像這樣，在描繪處理之際，有關通過偏離部分區域(矩形區域)40的複數個孔22、23的電子束，藉由熄滅控制成電子束OFF為佳。在以通過部分區域40的電子束進行描繪之際，也能一併使 用偏離部分區域40的電子束進行描繪，但偏離部分區域40的電子束為電子束OFF的話，並不需要用來控制該電子束的描繪資料製作，就能有效率的利用資源(resource)。
並且，偏向控制電路132，是演算對每個發射的x、y方向的偏向量，生成偏向用的信號，將利用DAC放大器136放大、數位信號轉換成類比信號，輸出到各偏向器208。
描繪部150，是將各帶狀區域32使用藉由通過部分區域(矩形區域)40內的孔22所形成的多重電子束，對試料101描繪圖案。
第9圖是以實施形態1的y方向分割的描繪模式來說明光柵掃描的描繪動作之一例的概念圖。在第9圖中，例如：如第4圖(c)所示，有關孔徑構件203於x方向形成八個孔A~H的情形下，作業台在鄰接於一次照射的x方向的發射圖案36間移動的期間，以複數次發射的電子束進行照射。將藉由某一個發射圖案36、鄰接於一次被照射的x方向的發射圖案36、鄰接於一次被照射的y方向的發射圖案36、鄰接於x方向的發射圖案36、和鄰接於一次被照射的y方向的發射圖案36之藉由一次被照射的四個發射圖案36所圍住的區域，例如以既定的量子化尺寸配置成格子狀的控制柵極(AU：位址單元)來分割，設定成nAU×mAU。然後，對每一個AU發射多重電子束。在第9圖中，表示於x方向分割成7AU、於y方向分 割成8AU的例示。
於第9圖中，將電子束全體控制成作業台移動方向為+x方向，藉由偏向器208使其在與此相同方向的x方向及直行的y方向產生偏向進行掃描。將此樣子概念式的以箭頭圖示於同圖的右側。並且，在孔徑的開口(孔)位置(四角孔)之下，將掃描開始的計時以T=0為基準，並以T=-6~3而示之。第9圖是模式性的表示在T=0的時點，各電子束開始掃描的描繪位置。在此例中，配合作業台的+X方向作業台移動而於X方向及Y方向進行掃描，電子束發射一面相對性於Y方向移動、一面覆蓋全面。若T=0而第0次的Y方向掃描結束的話，電子束位置在一次被照射之情形的鄰接的電子束之位置的1AU(往-X方向)偏離之處，由此開始第1次(T=1)的掃描。作業台移動速度，控制成在一次的Y掃描結束的時點，電子束位置在鄰接的電子束的1AU(往-X方向)偏離之處。有關Y方向上下的電子束也同樣的進行描繪，電子束發射可成為以AU單位覆蓋全面。將該些電子束發射的每一個配合所需要的圖案進行電子束ON/電子束OFF的熄滅控制，使其描繪各式各樣的圖案。
藉由相關的構成，在y方向分割的描繪模式(1)中，描繪速度，雖比無不良電子束的情形還低，但能夠不使描繪精度下降的進行描繪處理。並且在選擇描繪模式(1)的情形下，描繪速度的效率也可以使用其他方法的情形更有效率的進行描繪處理。
其次，例如：選擇描繪模式(2)的情形下，描繪處理控制部52，是將描繪處理控制成使用藉由通過部分區域(矩形區域)44內的孔22所形成的多重電子束，對試料101描繪圖案。具體而言，如下進行描繪處理。再者，在無不良電子束的情形下，雖是朝x方向以八條電子束進行描繪，但此時的動作，例如：可為與第9圖所說明的情形相同。
第10圖是以實施形態1的y方向分割的描繪模式來說明光柵掃描的描繪動作之一例的概念圖。在第10圖是表示例如：x方向的八條電子束中，端部的電子束為不良電子束的情形。相關之情形的部分區域(矩形區域)44的x方向的電子束條數為七條。與第9圖相同，表示將藉由某一個發射圖案36、鄰接於一次被照射的x方向的發射圖案36、鄰接於一次被照射的y方向的發射圖案36、和鄰接於x方向的發射圖案36與鄰接於一次被照射的y方向的發射圖案36之藉由一次被照射的四個發射圖案36所圍繞的區域，例如：於x方向分割7AU、於y方向分割8AU的例示。
於第10圖中，將電子束全體控制成作業台移動方向為+X方向，在與此同方向的X方向及直行的Y方向進行掃描。將該樣子概念式的以箭頭圖示於第10圖的右側。並且，在孔徑的開口(孔)位置(四角孔)之下，將掃描開始的計時，以T=0為基準，並以T=-6~7而示之。第10圖是模式表示在T=0的時點，各電子束開始掃描的描 繪位置。在此例中，配合作業台的+X方向作業台移動於X方向及Y方向進行掃描，電子束發射一面相對性朝Y方向移動、一面覆蓋全面。若T=0第0次的Y方向掃描結束的話，電子束位置就位在一次被照射時所鄰接的電子束位置，該位置已經藉由已一次被照射時所鄰接的電子束照射。因此，在此時點藉由偏向器208進行偏向，藉此掃描偏離1AU(往-X方向)之處。然後，由此開始第1次(T=1)的掃描。
作業台移動速度，控制成在一次Y掃描結束的時點電子束位置為一次被照射時所鄰接的電子束位置。有關Y方向上下的電子束也同樣的進行描繪，電子束發射可成為以AU單位覆蓋全面。將該些電子束發射的每一個配合所需要的圖案進行電子束ON/電子束OFF的熄滅控制，使其描繪各式各樣的圖案。
第11圖是以實施形態1的x方向分割的描繪模式來說明光柵掃描的描繪動作之另一例的概念圖。在第11圖是表示例如：x方向的八條電子束中，自端部的電子束起一條內側的電子束為不良電子束的情形。相關之情形的部分區域(矩形區域)44的x方向的電子束條數為六條。與第9圖相同，表示將藉由某一個發射圖案36、鄰接於一次被照射的x方向的發射圖案36、鄰接於一次被照射的y方向的發射圖案36、和鄰接於x方向的發射圖案36與鄰接於一次被照射的y方向的發射圖案36之藉由一次被照射的四個發射圖案36所圍繞的區域，例如：於x方 向分割7AU、於y方向分割8AU的例示。
於第11圖中，控制成作業台移動方向為+X方向，將電子束全體在與此同方向的X方向及直行的Y方向進行掃描。將該樣子概念式的以箭頭圖示於第11圖的右側。並且，在孔徑的開口(孔)位置(四角孔)之下，將掃描開始的計時，以T=0為基準，並以T=-5~6而示之。第11圖是模式表示在T=0的時點，各電子束開始掃描的描繪位置。在此例中，配合作業台的+X方向作業台移動進行X方向及Y方向的掃描，電子束發射一面相對性朝Y方向移動、一面覆蓋全面。若T=0第0次的Y方向掃描結束的話，電子束位置就位在偏離一次被照射時所鄰接的電子束位置的1AU(+x方向)的位置。然後，由此開始第1次(T=1)的掃描。作業台移動速度，控制成在一次Y掃描結束的時點電子束位置為偏離一次被照射時所鄰接的電子束位置的1AU(+x方向)的位置。有關Y方向上下的電子束也同樣的進行描繪，電子束發射可成為以AU單位覆蓋全面。將該些電子束發射的每一個配合所需要的圖案進行電子束ON/電子束OFF的熄滅控制，使其描繪各式各樣的圖案。
第12圖是以實施形態1的x方向分割的描繪模式來說明光柵掃描的描繪動作之另一例的概念圖。在第12圖是表示例如：x方向的八條電子束中，自端部的電子束起二條內側的電子束為不良電子束的情形。相關之情形的部分區域(矩形區域)44的x方向的電子束條數為五條。 與第9圖相同，表示將藉由某一個發射圖案36、鄰接於一次被照射的x方向的發射圖案36、鄰接於一次被照射的y方向的發射圖案36、和鄰接於x方向的發射圖案36與鄰接於一次被照射的y方向的發射圖案36之藉由一次被照射的四個發射圖案36所圍繞的區域，例如：於x方向分割7AU、於y方向分割8AU的例示。
於第12圖中，將電子束全體控制成作業台移動方向為+X方向，在與此同方向的X方向及直行的Y方向進行掃描。將該樣子概念式的以箭頭圖示於第12圖的右側。並且，在孔徑的開口(孔)位置(四角孔)之下，將掃描開始的計時，以T=0為基準，並以T=-5~5而示之。第12圖是模式表示在T=0的時點，各電子束開始掃描的描繪位置。在此例中，配合作業台的+X方向作業台移動於X方向及Y方向進行掃描，電子束發射一面相對性朝Y方向移動、一面覆蓋全面。若T=0第0次的Y方向掃描結束的話，電子束位置就位在偏離一次被照射時所鄰接的電子束位置的2AU(+x方向)的位置，該位置已經藉由其他電子束被照射。因此，在此時點藉由偏向器208進行偏向，藉此掃描偏離1AU(往-X方向)之處。然後，由此開始第1次(T=1)的掃描。作業台移動速度，控制成在一次Y掃描結束的時點電子束位置為偏離一次被照射時所鄰接的電子束位置的2AU(+x方向)的位置。有關Y方向上下的電子束也同樣的進行描繪，電子束發射可成為以AU單位覆蓋全面。將該些電子束發射的每一個配合 所需要的圖案進行電子束ON/電子束OFF的熄滅控制，使其描繪各式各樣的圖案。
第13圖是以實施形態1的x方向分割的描繪模式來說明光柵掃描的描繪動作之另一例的概念圖。在第13圖是表示例如：x方向的八條電子束中，自端部的電子束起三條內側的電子束為不良電子束的情形。相關之情形的部分區域(矩形區域)44的x方向的電子束條數為四條。與第9圖相同，表示將藉由某一個發射圖案36、鄰接於一次被照射的x方向的發射圖案36、鄰接於一次被照射的y方向的發射圖案36、和鄰接於x方向的發射圖案36與鄰接於一次被照射的y方向的發射圖案36之藉由一次被照射的四個發射圖案36所圍繞的區域，例如：於x方向分割7AU、於y方向分割8AU的例示。
於第13圖中，將電子束全體控制成作業台移動方向為+X方向，在與此同方向的X方向及直行的Y方向進行掃描。將該樣子概念式的以箭頭圖示於第13圖的右側。並且，在孔徑的開口(孔)位置(四角孔)之下，將掃描開始的計時，以T=0為基準，並以T=-5~7而示之。第13圖是模式表示在T=0的時點，各電子束開始掃描的描繪位置。在此例中，配合作業台的+X方向作業台移動進行X方向及Y方向的掃描，電子束發射一面相對性朝Y方向移動、一面覆蓋全面。若T=0第0次的Y方向掃描結束的話，電子束位置就位在偏離一次被照射時所鄰接的電子束位置的3AU(+x方向)的位置。然後，由此開始 第1次(T=1)的掃描。作業台移動速度，控制成在一次Y掃描結束的時點電子束位置為偏離一次被照射時所鄰接的電子束位置的3AU(+x方向)的位置。有關Y方向上下的電子束也同樣的進行描繪，電子束發射可成為以AU單位覆蓋全面。將該些電子束發射的每一個配合所需要的圖案進行電子束ON/電子束OFF的熄滅控制，使其描繪各式各樣的圖案。
像這樣，在x方向分割的描繪模式(2)中，描繪速度，雖比無不良電子束的情形還低，但能夠不使描繪精度下降的進行描繪處理。並且在選擇描繪模式(2)的情形下，描繪速度的效率也可以使用其他方法的情形更有效率的進行描繪處理。
其次，例如：選擇描繪模式(3)的情形，描繪處理控制部52，是將描繪處理控制成在不良電子束控制成電子束OFF的狀態下，使用剩下的多重電子束中的至少一個，一面偏離位置、一面進行多重描繪，進而針對藉由不良電子束所應描繪的位置，進行追加描繪。
第14圖是以實施形態1的追加通道描繪的描繪模式來說明進行描繪動作時之一例的概念圖。在第14圖中，以多重度N=2的情形為一例示而示之。多重描繪的第1次描繪處理和第2次描繪處理，是朝x方向、y方向，或xy方向偏離位置的帶狀區域進行描繪。在第14圖的例示中，例如：於僅y方向偏離1/2帶寬進行多重描繪的情形。換言之，在多重描繪的各次描繪處理中，其他次的描 繪處理是在與描繪方向(x方向)直交的方向(y方向)一面偏離、一面進行描繪。在第1次的描繪處理中，將熄滅控制執行成針對不良電子束成為電子束OFF，使用剩下的多重電子束，針對帶狀區域32a進行第1次的描繪處理。光柵掃描的描繪動作，例如可為與第9圖說明的內容相同。在相關之情形下，不對通過孔23a的不良電子束所應描繪的位置照射電子束。
其次，針對將第1次的描繪處理的對象的帶狀區域32a僅於y方向偏離1/2帶寬的帶狀區域32b進行第1次的描繪處理。光柵掃描的描繪動作，例如可為與第9圖說明的內容相同。在相關之情形下，不對通過孔23b的不良電子束所應描繪的位置照射電子束。
按此情況，在通過孔23a的不良電子束所應描繪的位置與通過孔23b的不良電子束所應描繪的位置，僅受到每一所需要之照射量的1/2的電子束的照射。
因此，作為追加通道描繪(追加描繪)，針對藉由不良電子束所應描繪的位置(通過孔23a的不良電子束所應描繪的位置、以及通過孔23b的不良電子束所應描繪的位置)，進行追加描繪。此時，針對偏離位置、一面進行的第1次和第2次的描繪處理的多重描繪，將以追加描繪所描繪的描繪範圍的位置調整成不良電子束所應描繪的複數個位置全部被描繪。於第14圖中，描繪處理控制部52，是將帶狀區域32c設定成包含：通過孔23a的不良電子束所應描繪的位置、以及通過孔23b的不良電子束所應描繪 的位置。然後，有關追加通道描繪，是對通過孔23a的不良電子束所應描繪的位置、以及通過孔23b的不良電子束所應描繪的位置，使用不良電子束以外的其他電子束進行照射。
在此，在以追加通道所描繪之際，除了不良電子束所應描繪的部分以外也一併進行描繪就能形成圖案，但只針對不良電子束所應描繪的位置進行描繪為佳。若為僅針對不良電子束所應描繪的位置進行描繪的話，就不需要有關其他電子束的描繪資料製作，具有能夠有效利用資料製作資源的優點。
藉由以上，無論哪個位置都能成為既定的照射量。在第14圖中，有關多重描繪，雖是說明多重描繪之各次的描繪位置偏離y方向的情形，但也可為偏離x方向。
第15圖是以實施形態1的追加通道描繪的描繪模式來說明進行描繪動作時之另一例的概念圖。在第15圖中，以多重度N=2的情形為一例示而示之。在第15圖的例示中，例如：於x方向每偏離2AU份進行多重描繪的情形。在第1次的描繪處理中，將熄滅控制進行針對不良電子束(例如：通過以「1」所示的孔A的電子束)成為電子束OFF的控制，使用剩下的多重電子束(例如：通過「2」~「8」所示的孔B~H的電子束)，如第15圖(a)所示，進行第1次的描繪處理。光柵掃描的描繪動作，例如可為與第9圖所說明的內容相同。在相關之情形下，並不會在通過「1」所示的孔A的不良電子束所應描 繪的位置照射電子束。
其次，第1次的描繪處理，如第15圖(b)所示，自僅朝x方向偏離2AU的位置起進行第2次的描繪處理。描繪動作的內容，也可為與第1次的描繪處理相同。
按此情況，在通過「1」所示的孔A的不良電子束所應描繪的位置，僅受到每一所需要之照射量的1/2的電子束的照射。
因此，作為追加通道描繪(追加描繪)，如第15圖(c)所示，自僅朝x方向偏離2AU的位置起進行第3次的描繪處理(追加通道描繪)。此時，針對應藉由不良電子束所描繪的位置，使用不良電子束以外的其他電子束進行照射。有關第1次、第2次和第3次的描繪處理，控制成通過以「1」所示的孔A的不良電子束所應描繪的位置都會不重疊，且無論哪個位置都能成為既定的照射量。
如以上，在追加通道描繪的描繪模式(3)中，描繪速度，雖比無不良電子束的情形還低，但能夠不使描繪精度下降的進行描繪處理。並且在選擇描繪模式(3)的情形下，描繪速度的效率也可以使用其他方法的情形更有效率的進行描繪處理。
如以上，在實施形態1中，準備複數個描繪模式，藉由描繪速度的效率來選擇描繪模式，就能以效率更優的描繪模式來進行描繪處理。
實施形態2
在實施形態1中，雖是針對所設定的部分區域為矩形的情形做說明，但並不限於此。在實施形態2中，針對其他形狀的情形做說明。並且，在實施形態2中，以下，除特別說明之點以外，其餘與實施形態1相同。
第16圖是表示實施形態2的y方向分割的部分區域(平行四邊形區域：第2區域)之一例的圖。在第16圖中表示例如：縱向(y方向)512個、橫向(x方向)8個的孔22，是於縱方向(y方向)每偏離一段所配置且於橫方向(x方向)例如僅偏離尺寸a所配置之孔徑構件203的例示。例如：縱方向(y方向)第1段的列和第2段的列的孔彼此僅偏離尺寸b配置在橫方向(x方向)。同樣地，縱方向(y方向)第2段的列和第3段的列的孔彼此，也可為將因各段而偏離的寬度變更成在橫方向(x方向)僅偏離尺寸b所配置。像這樣，包含孔徑構件203的孔22全體的區域為平行四邊形。在第16圖的例示中，孔徑構件203本身的形狀以平行四邊形示之，但也可為矩形。在第16圖例如：自左端起於x方向第6列及自上端起於-y方向第4段的孔23作為形成不良電子束的孔22。於相關情形下，藉由y方向分割，除了不良電子束以外設定為部分區域(平行四邊形區域)，如第16圖所示，假設：於x方向全列，並包括自上端起於-y方向第5段至下端的複數個孔22的部分區域(平行四邊形區域)41、和於x方向全列，並包括自上端起於-y方向至第3段的複數個孔22的部分區域(平行四邊形區域)43的兩個區 域(平行四邊形)。在部分區域(平行四邊形區域)41與部分區域(平行四邊形區域)43中，部分區域(平行四邊形區域)41，包含更多的孔22，因此在y方向分割的情形下，選擇部分區域(平行四邊形區域)41。
第17圖是表示實施形態2的x方向分割的部分區域(平行四邊形區域：第2區域)之一例的圖。在第17圖中與第16圖相同，表示例如：縱向(y方向)512個、橫向(x方向)8個的孔22，是於縱方向(y方向)每偏離一段所配置且於橫方向(x方向)例如僅偏離尺寸a所配置之孔徑構件203的例示。在第17圖中與第16圖相同，例如：自左端起於x方向第6列及自上端起於-y方向第4段的孔23作為形成不良電子束的孔22。於相關情形下，藉由x方向分割，除了不良電子束以外設定為部分區域(平行四邊形區域)，如第17圖所示，假設：於y方向全列，並包括自左端起於x方向至第5段的複數個孔22的部分區域(平行四邊形區域)45、和於y方向全列，並包含自左端起於x方向由第7段至右端的複數個孔22的部分區域(平行四邊形區域)47的兩個區域(平行四邊形區域)。在部分區域(平行四邊形區域)45與部分區域(平行四邊形區域)47中，部分區域(平行四邊形區域)45，包含更多的孔22，因此在x方向分割的情形下，選擇部分區域(平行四邊形區域)45。
第18圖是表示實施形態2的x方向分割的部分區域(閃電形區域：第2區域)之一例的圖。在第18圖中， 表示例如：以縱向(y方向)512個、橫向(x方向)8個的孔22，是於縱方向(y方向)僅既定段數每偏離一段所配置且於橫方向(x方向)例如僅偏離尺寸a所配置，若為既定段數，下一段則與第1段相同返回到x方向的位置，由該段再度僅於既定段數每偏離一段所配置且與橫方向(x方向)例如僅偏離尺寸a所配置的情形進行重覆所配置之孔徑構件203的例示。例如在第18圖的例示中，例如：於縱方向(y方向)第1段~第4段，各段的列和其下一段的列的孔彼此於橫方向(x方向)僅偏離尺寸a所配置。然後，於在第5段~第8段、第9段~第12段的縱方向(y方向)每四段，與第1段~第4段的x方向位置相同的被配置。在此，x方向的偏離量是配置成四段所相鄰之孔的位置。在第18圖例如：自左端起於x方向第6列及自上端起於-y方向第4段的孔23作為形成不良電子束的孔22。
於相關情形下，藉由x方向分割，除了不良電子束以外設定為部分區域，如第18圖所示，組合自下端起於y方向至第4段，並包含自左端起於x方向至第5列的複數個孔22的小分區域(平行四辺形區域)47a、於y方向由第5段至第8段，並包含自左端起於x方向至第5列的複數個孔22的小部分區域(平行四邊形區域)47b、．．．、自上端起於-y方向第8段至第5段，並包含自左端起於x方向至第5列的複數個孔22的小部分區域(平行四邊形區域)47c、及自上端起於-y方向第4段至第1段，並包 含自左端起於x方向至第5列的複數個孔22的小部分區域(平行四邊形區域)47d的部分區域(閃電形區域)48；和組合自下端起於y方向至第4段，並包含自左端起於x方向由第7列至右端的複數個孔22的小分區域(平行四邊形區域)49a、於y方向第5段至第8段，並包含自左端起於x方向由第7列至右端的複數個孔22的小部分區域(平行四邊形區域)49b、．．．、自上端起於-y方向第8段至第5段，並自左端起於x方向由第7列至右端的複數個孔22的小部分區域(平行四邊形區域)49c、及自上端起於-y方向第4段至第1段，並包含自左端起於x方向由第7列至右端的複數個孔22的小部分區域(平行四邊形區域)49d的部分區域(閃電形區域)70的兩個部分區域(閃電形區域)。換言之就是，於x方向分割中，將複數個小部分區域(平行四邊形區域)構成除了存在不良電子束32的第x方向列以外，其餘於y方向組合複數個小部分區域(平行四邊形區域)來構成部分區域(閃電形區域)48、70。
在部分區域(閃電形區域)49與部分區域(閃電形區域)70中，部分區域(平行四邊形區域)49，包含更多的孔22，因此在x方向分割的情形下，選擇部分區域(閃電形區域)49。像這樣，構成包含x方向m1條×y方向n1條的電子束形成孔22的平行四邊形區域是重覆配置在y方向，藉此可將所構成的多角形區域(例如閃電區域)作為部分區域而設定。
如以上，電子束配置(孔徑構件203的複數個孔22的配置)為未在xy方向直行的情形下，部分區域只要為對應該配置的形狀即可。
實施形態3
在實施形態2中，在電子束配置(孔徑構件203的複數個孔22的配置)為未在xy方向直行的情形下，雖針對設定矩形以外的區域的情形做說明，但並不限於此。在實施形態3中，在電子束配置(孔徑構件203的複數個孔22的配置)為未在xy方向直行的情形下，雖針對設定矩形以外的區域的情形做說明，但並不限於此。在實施形態3中，以下，除特別說明之點以外，其餘與實施形態1相同。
第19圖是表示實施形態3的y方向分割的部分區域(矩形區域：第2區域)之一例的圖。在第19圖中與第18圖相同，表示例如：以縱向(y方向)512個、橫向(x方向)8個的孔22，是於縱方向(y方向)僅既定段數每偏離一段所配置且於橫方向(x方向)例如僅偏離尺寸a所配置，若為既定段數，下一段則與第1段相同返回到x方向的位置，由該段再度僅於既定段數每偏離一段所配置且與橫方向(x方向)例如僅偏離尺寸a所配置的情形進行重覆所配置之孔徑構件203的例示。例如在第19圖的例示中，例如：於縱方向(y方向)第1段至第4段，各段的列和其下一段的列的孔彼此於橫方向(x方 向)僅偏離尺寸a所配置。然後，於在第5段~第8段、第9段~第12段的縱方向(y方向)每四段，皆與第1段~第4段的x方向位置相同的被配置。在此，x方向的偏離量是配置成四段所相鄰之孔的位置。在第19圖例如：自左端起於x方向第6列及自上端起於-y方向第4段的孔23作為形成不良電子束的孔22。
於相關情形下，假設藉由y方向分割，除了不良電子束以外設定為部分區域(平行四邊形區域)，如第19圖所示，於x方向全列，並包括自上端起於-y方向第5段至下端的複數個孔22的部分區域(矩形區域)72、和於x方向全列，並包括自上端起於-y方向至第3段的複數個孔22的部分區域(矩形區域)74的兩個區域(平行四邊形)。在部分區域(矩形區域)72與部分區域(矩形區域)74中，部分區域(矩形區域)72，包含更多的孔22，因此在y方向分割的情形下，選擇部分區域(矩形區域)72。換言之就是，於y方向分割中，將部分區域(矩形區域)72、76構成，除了存在不良電子束23的第y方向段以外，其餘選擇包含其內更多孔22的部分區域(矩形區域)72。
如以上，電子束配置(孔徑構件203的複數個孔22的配置)為未在xy方向直行的情形下，部分區域可為矩形。
如以上，在上述的各實施形態中，也可將複數個部分區域構成於y方向分割中，除了存在不良電子束23的第 y方向段以外，且於x方向分割中，除了存在不良電子束23的第x方向列以外，其餘選擇包含其內更多孔22的部分區域。
以上，一面參照具體例示、一面針對實施形態做說明。但本發明並不限於該些具體例示。上述的光柵掃描動作為其中一例，使用多重電子束的光柵掃描動作也可為其他動作方法。
而且，裝置構成和控制手法等，於本發明的說明中，雖直接針對不必要的部分等等予以省略記載，但可適當選擇利用必要的裝置構成和控制手法。例如：有關控制描繪裝置100的控制部構成，雖予以省略記載，但理所當然可適當選擇利用必要的控制部構成。
除此之外，具備本發明的要素，該業者得以做適當設計變更的所有的多重帶電粒子束描繪裝置及方法，皆包含在本發明的範圍。
20‧‧‧多重電子束
22、23‧‧‧孔
24、26‧‧‧電極
30‧‧‧描繪區域
32、33‧‧‧帶狀區域
34‧‧‧照射區域
36‧‧‧發射圖案
40、42、44、46‧‧‧部分區域
50‧‧‧檢測處理部
51‧‧‧設定部
52‧‧‧描繪處理控制部
54‧‧‧描繪資料處理部
60、62、64‧‧‧效率算出部
66‧‧‧判定部
68‧‧‧模式選擇部
100‧‧‧描繪裝置
101、340‧‧‧試料
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY作業台
106‧‧‧法拉第杯
110‧‧‧控制電腦
112‧‧‧記憶體
130、132‧‧‧偏向控制電路
134、136‧‧‧DAC放大器
138‧‧‧電流檢測器
139‧‧‧作業台位置測定部
140‧‧‧記憶裝置
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
200‧‧‧電子束
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧孔徑構件
204‧‧‧熄滅板
205‧‧‧縮小透鏡
206‧‧‧限制孔徑構件
207‧‧‧對物透鏡
208‧‧‧偏向器
209‧‧‧檢測器
210‧‧‧反射鏡
第1圖是表示實施形態1的描繪裝置的構成的概念圖。
第2圖是表示實施形態1的孔徑構件的構成的概念圖。
第3圖是表示實施形態1的熄滅板的構成的概念圖。
第4圖是表示實施形態1的描繪動作的概念圖。
第5圖是表示實施形態1的描繪方法的主要部分工程 的流程圖。
第6圖是表示實施形態1的y方向分割的第2區域(矩形區域)之一例的圖。
第7圖是表示實施形態1的x方向分割的第2區域(矩形區域)之一例的圖。
第8圖是以實施形態1的y方向分割的描繪模式來說明描繪處理的概念圖。
第9圖是以實施形態1的y方向分割的描繪模式來說明光柵掃描的描繪動作之一例的概念圖。
第10圖是以實施形態1的x方向分割的描繪模式來說明光柵掃描的描繪動作之一例的概念圖。
第11圖是以實施形態1的x方向分割的描繪模式來說明光柵掃描的描繪動作之另一例的概念圖。
第12圖是以實施形態1的x方向分割的描繪模式來說明光柵掃描的描繪動作之另一例的概念圖。
第13圖是以實施形態1的x方向分割的描繪模式來說明光柵掃描的描繪動作之另一例的概念圖。
第14圖是以實施形態1的追加通道描繪的描繪模式來說明進行描繪動作時之一例的概念圖。
第15圖是以實施形態1的追加通道描繪的描繪模式來說明進行描繪動作時之另一例的概念圖。
第16圖是表示實施形態2的y方向分割的第2區域(平行四邊形區域)之一例的圖。
第17圖是表示實施形態2的x方向分割的第2區域 (平行四邊形區域)之一例的圖。
第18圖是表示實施形態2的x方向分割的第2區域(閃電形區域)之一例的圖。
第19圖是表示實施形態3的y方向分割的第2區域(矩形區域)之一例的圖。
20a~20e‧‧‧多重電子束
50‧‧‧檢測處理部
51‧‧‧設定部
52‧‧‧描繪處理控制部
54‧‧‧描繪資料處理部
60、62、64‧‧‧效率算出部
66‧‧‧判定部
68‧‧‧模式選擇部
100‧‧‧描繪裝置
101‧‧‧試料
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY作業台
106‧‧‧法拉第杯
110‧‧‧控制電腦
112‧‧‧記憶體
130、132‧‧‧偏向控制電路
134、136‧‧‧DAC放大器
138‧‧‧電流檢測器
139‧‧‧作業台位置測定部
140‧‧‧記憶裝置
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
200‧‧‧電子束
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧孔徑構件
204‧‧‧熄滅板
205‧‧‧縮小透鏡
206‧‧‧限制孔徑構件
207‧‧‧對物透鏡
208‧‧‧偏向器
210‧‧‧反射鏡

Claims (6)

  1. 一種多重帶電粒子束描繪裝置，其具備；載置試料之可連續移動的作業台；放射帶電粒子束的放射部；具有複數個開口部，且包含前述複數個開口部整體的第1區域受到前述帶電粒子束的照射，前述帶電粒子束的一部分分別通過前述複數個開口部，藉此形成多重電子束的孔徑構件；進行通過前述孔徑構件的前述複數個開口部的多重電子束中之各自對應的電子束的熄滅偏向的複數個熄滅裝置；藉由前述複數個熄滅裝置將已偏向的各電子束遮蔽成電子束OFF的狀態的熄滅孔徑構件；用來檢測通過前述孔徑構件的複數個開口部的多重電子束中之不良電子束的檢測部；將第2區域設定成包含除了通過前述孔徑構件的複數個開口部中之前述不良電子束的開口部以外，比剩下的開口部中更多開口部的設定部；和將描繪處理控制成利用藉由通過前述第2區域內的開口部所形成的多重電子束，對試料描繪圖案的描繪處理控制部。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載的多重帶電粒子束描繪裝置，其中，更具備：將熄滅裝置控制成對應通過前述孔徑構件的複數個開口部中偏離前述第2區域的開口部的多重電子束成為電子束OFF的狀態的熄滅控制部。
  3. 一種多重帶電粒子束描繪裝置，其具備：載置試料之可連續移動的作業台；放射帶電粒子束的放射部；具有複數個開口部，且包含前述複數個開口部整體的區域受到前述帶電粒子束的照射，前述帶電粒子束的一部分分別 通過前述複數個開口部，藉此形成多重電子束的孔徑構件；進行通過前述孔徑構件的複數個開口部的多重電子束中之各自對應的電子束之熄滅偏向的複數個熄滅裝置；藉由前述複數個熄滅裝置將已偏向的各電子束遮蔽成電子束OFF之狀態的熄滅孔徑構件；用來檢測通過前述孔徑構件的複數個開口部的多重電子束中之不良電子束的檢測部；和將描繪處理控制成在前述不良電子束控制成電子束OFF的狀態下，使用剩下的多重電子束中的至少一個，一面偏離位置、一面進行多重描繪，進而針對藉由前述不良電子束所應描繪的位置，進行追加描繪的描繪處理控制部。
  4. 如申請專利範圍第3項所記載的多重帶電粒子束描繪裝置，其中，在前述多重描繪的各次描繪處理中，其他次的描繪處理是在與描繪方向直交的方向一面偏離、一面進行描繪；前述追加描繪之際，將以追加描繪所描繪的描繪範圍的位置調整成在一面偏離位置、一面進行的前述多重描繪中，前述不良電子束應描繪的複數個位置全部描繪。
  5. 一種多重帶電粒子束描繪裝置，其具備：載置試料之可連續移動的作業台；放射帶電粒子束的放射部；具有複數個開口部，且包含前述複數個開口部整體的區域受到前述帶電粒子束的照射，前述帶電粒子束的一部分分別通過前述複數個開口部，藉此形成多重電子束的孔徑構件；進行通過前述孔徑構件的複數個開口部的多重電子束中之各自對應的電子束的熄滅偏向的複數個熄滅裝置；藉 由前述複數個熄滅裝置將已偏向的各電子束遮蔽成電子束OFF的狀態的熄滅孔徑構件；用來檢測通過前述孔徑構件的複數個開口部的多重電子束中之不良電子束的檢測部；將第2區域設定成包含除了通過前述孔徑構件的複數個開口部中之前述不良電子束的開口部以外，比剩下的開口部中更多開口部的設定部；用來選擇使用通過前述第2區域內的開口部的多重電子束對試料描繪圖案的第1模式、與在前述不良電子束控制成電子束OFF的狀態下使用剩下的多重電子束中的至少一個，一面偏離位置、一面進行多重描繪，進而針對藉由前述不良電子束所應描繪的位置，進行追加描繪的第2模式的選擇部；和將描繪處理控制成以所選擇的模式進行描繪的描繪處理控制部。
  6. 一種多重帶電粒子束描繪方法，其具備：用來檢測通過具有受到帶電粒子束的照射而形成多重電子束的複數個開口部的孔徑構件的複數個開口部的多重電子束中之不良電子束的工程；將區域設定成包含除了通過前述孔徑構件的複數個開口部中之前述不良電子束的開口部以外，比剩下的開口部中更多開口部的工程；用來選擇使用通過前述區域內的開口部的多重電子束對試料描繪圖案的第1模式、與在前述不良電子束控制成電子束OFF的狀態下使用剩下的多重電子束中的至少一個，一面偏離位置、一面進行多重描繪，進而針對藉由前述不良電子束所應描繪的位置，進行追加描繪的第2模式的工程；和以所選擇的模式對試料描繪圖案的工程。
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