JPH11354418A

JPH11354418A - ブランキングアパーチャアレイの製造方法、および電子ビーム露光装置の製造方法

Info

Publication number: JPH11354418A
Application number: JP16383898A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Maruyama; 繁丸山
Original assignee: Advantest Corp
Current assignee: Advantest Corp
Priority date: 1998-06-11
Filing date: 1998-06-11
Publication date: 1999-12-24

Abstract

(57)【要約】【課題】ブランキングアパーチャアレイを使った電子
ビーム露光装置において、ブランキングアパーチャアレ
イを、欠陥を形成することなく作製できる方法を提供す
る。【解決手段】Ｓｉ基板の表面に、ブランキングアパー
チャアレイに対応した凹部を形成し、各々の凹部に隣接
して偏向電極をめっきにより形成した後、前記基板表面
から、めっき下地として使われた導体層を除去し、その
後で前記Ｓｉ基板の裏面をウェットエッチングしてメン
ブレンを形成する。前記ウェットエッチングは、前記Ｓ
ｉ基板を、その裏面の一部を除き保護した状態で実行す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は一般に半導体装置の
製造に関わり、特に半導体基板等の物体上に電子ビーム
等の荷電粒子ビームにより半導体パターンを描画する際
に微妙なパターンサイズ設定が可能な電子ビーム露光方
法および露光装置に関する。電子ビームリソグラフィは
集積密度の大きな先端的な半導体集積回路を製造する上
で必須の技術である。電子ビームリソグラフィを使うこ
とにより、０．０５μｍ以下の幅を有するパターンを
０．０２μｍ以下のアラインメント誤差で露光すること
が可能である。このため、電子ビームリソグラフィは２
５６Ｍビットあるいは１Ｇビットを超えるような大きな
記憶容量を有するＤＲＡＭ、あるいは非常に強力な演算
機能を備えた高速マイクロプロセッサを始めとする将来
の半導体装置の製造において中心的な役割を果たすと考
えられている。

【０００２】ところで、かかる半導体装置の製造におい
ては、素子パターンの分解能もさることながら、製造時
のスループットが本質的な重要性を持っている。電子ビ
ームリソグラフィでは単一の集束電子ビームを使って描
画を行うため、この点で全パターンを一回の露光で行え
る従来の光露光方法に比べて不利にならざるを得ない。
然し、従来の光露光方法は分解能の限界に到達しつつあ
り、したがって将来の高速・高機能半導体装置の製造に
おいては電子ビーム露光方法に頼らざるをえない事情が
存在する。

【０００３】

【従来の技術】このような状況下で、電子ビーム露光の
スループットを向上させる様々な試みがなされている。
例えば、本発明の出願人は先にいわゆるブロック露光方
法を提案した。このブロック露光方法では、素子パター
ンが多数の基本パターンに分解され、電子ビームはこれ
らの基本パターンに従って整形される。ブロック露光方
法は比較的少数の基本的なパターンが繰り返されること
が多い半導体メモリ装置の露光に特に適しており、現在
約１ｃｍ²／秒のスループットが達成されている。

【０００４】一方、マイクロプロセッサのような、複雑
かつ多様な論理回路を含む半導体装置では、ブロック露
光方法は露光能率が低下してしまう問題点を有する。こ
れは、ブロック露光方法で形成できるパターンが少数の
基本的なパターンの組み合わせに限定されてしまうこと
に起因している。ブロック露光法で不規則な露光パター
ンを形成しようとすると、静電あるいは電磁偏向器によ
りいわゆる可変矩形ビームを形成する必要があるが、か
かる可変ビーム整形は偏向器の静定時間や制御系の動作
速度等に起因して、露光効率が低下してしまう問題点を
有する。

【０００５】このような、複雑かつ多様な論理回路を含
む半導体装置の露光を高速で実行するため、描画パター
ンを小さな露光ドットよりなるドットパターンとして表
現し、各ドットを形成する電子ビームをオンオフする、
いわゆるブランキングアパーチャアレイを備えた電子ビ
ーム露光装置が提案されている。図１はブランキングア
パーチャアレイを使った従来の電子ビーム露光装置の概
要を示す。

【０００６】図１を参照するに、電子ビーム露光装置は
一般に電子ビームを形成しこれを集束させる電子光学系
１００と、電子光学系１００を制御する制御系２００と
よりなる。電子光学系１００は電子ビーム源として電子
銃１０４を含む。一方、電子銃１０４はカソード電極１
０１と、グリッド電極１０２と、アノード電極１０３と
を含み、電子ビームを形成してこれを所定の光軸に沿っ
て発散電子ビームとして発射する。

【０００７】電子銃１０４で形成された電子ビームはビ
ーム整形板１０５に形成されたビーム整形用アパーチャ
１０５ａを通されて整形される。アパーチャ１０５ａは
光軸Ｏに整合して形成されており、入射電子ビームを矩
形断面形状に整形する。整形された電子ビームは、電子
レンズ１０７によって、ブランキングアパーチャアレイ
（ＢＡＡ）を形成されたＢＡＡマスク１１０上に集束さ
れ、レンズ１０７は前記矩形開口の像をＢＡＡマスク１
１０上に投影する。後程図２，３を参照しながら説明す
るが、ＢＡＡマスク１１０には半導体基板上に描画され
る多数の露光ドットに対応して多数のアパーチャが形成
され、各アパーチャには静電偏向器が形成されている。
この静電偏向器は制御信号Ｅにより制御され、非励起状
態では電子ビームをそのまま通過させるが、励起状態で
は通過電子ビームを偏向させ、その結果通過電子ビーム
の方向が光軸Ｏから外れる。その結果、以下に説明する
ように、前記半導体基板上には、非励起状態のアパーチ
ャに対応した露光ドットパターンが形成される。

【０００８】ＢＡＡマスク１１０を通った電子ビームは
電子レンズ１０８および１１６を通った後、光軸Ｏ上の
焦点ｆ₁において集束され、その際選択された開口部の
像が焦点ｆ₁において結像する。こうして集束された電
子ビームは、ラウンドアパーチャ板１１７に形成された
ラウンドアパーチャ１１７ａを通った後、別の縮小光学
系を形成する電子レンズ１１９，１２２により、移動自
在なステージ１２６上に保持された半導体基板１２３上
に集束される。ここで、電子レンズ１２２は対物レンズ
として作用し、焦点補正および収差補正のための補正コ
イル１２０，１２１や集束電子ビームを基板表面上で移
動させるための偏向器１２４，１２５等を含んでいる。

【０００９】レンズ１０８とラウンドアパーチャ板１１
７の中間には静電偏向器１１５が形成されており、偏向
器１１５を駆動することにより電子ビームに経路は板１
１７のラウンドアパーチャ１１７ａを通る光軸Ｏから外
される。その結果、半導体基板上において電子ビームを
高速でオン／オフすることが可能になる。また、先に説
明したＢＡＡマスク１１０上のアパーチャにおいて静電
偏向器の励起に伴い偏向された電子ビームも前記ラウン
ドアパーチャ１１７ａを外れるため、半導体基板上に到
達することがなく、その結果、前記露光ドットパターン
の制御が可能になる。

【００１０】かかる露光動作の制御のために、図１の電
子ビーム露光装置は制御系２００を使用する。制御系２
００には描画したい半導体装置の素子パターンに関する
データを記憶する磁気テープ装置２０１や磁気ディスク
装置２０２，２０３等の記憶装置が含まれる。例えば、
図示の例において、磁気テープ２０１は様々な設計パラ
メータの記憶に、磁気ディスク２０２は描画パターンの
記憶に、また磁気ディスク２０３はＢＡＡマスク１１０
のアパーチャ配列を記憶するのに使われるものであって
もよい。

【００１１】記憶装置に記憶されたデータはＣＰＵ２０
４により読み出され、データ圧縮を解除された後インタ
ーフェース装置２０５に転送される。その際、ＢＡＡマ
スク１１０上のパターンを指定するデータが抽出され、
かかるデータはデータメモリ２０６に記憶される。デー
タメモリ２０６に記憶されたデータは次に前記制御信号
Ｅを形成する第１の制御回路２０７に転送され、制御回
路２０７はこれをＢＡＡマスク１１０上の各アパーチャ
に対応した静電偏向器に供給する。その結果、先に説明
したＢＡＡマスク上の各アパーチャの励起／非励起が制
御され、かかる制御により基板１２３上における露光ド
ットパターンの制御がなされる。

【００１２】また、第１の制御回路２０７は制御信号を
ブランキング制御装置２１０に送り、ブランキング制御
装置２１０はこれに応じて電子ビームの照射を中断させ
るブランキング信号を形成する。ブランキング信号は次
いでＤ／Ａ変換器２１１によりアナログ信号ＳＢに変換
され、アナログ信号ＳＢは偏向器１１５を制御して電子
ビームを光軸Ｏから離間するように偏向させる。その結
果、電子ビームはラウンドアパーチャ１１７ａを外れ、
基板１２３の表面に到達しなくなる。

【００１３】インターフェース装置２０５はさらに基板
１２３の表面上における電子ビームの移動を制御するデ
ータを抽出し、これを第２の制御回路２１２に供給す
る。これに応じて制御回路２１２は電子ビームを基板１
２３の表面上で偏向させる制御信号を形成し、形成した
制御信号を偏向制御回路２１５に供給する。偏向制御回
路２１５は供給された制御信号に応じて偏向制御信号を
形成し、これをＤ／Ａ変換器２１６および２１７に供給
する。Ｄ／Ａ変換器２１６および２１７は偏向制御信号
に応じて偏向器を駆動する駆動信号ＳＷ１およびＳＷ２
を形成し、これらを偏向器１２４，１２５に供給して電
子ビームの偏向を行う。また、ステージ１２６の位置は
レーザ干渉計２１４により検出され、ウェハ偏向制御回
路２１５は出力偏向制御信号、従って駆動信号ＳＷ１，
ＳＷ２をレーザ干渉計によるステージ位置の測定結果に
従って変化させる。さらに、第２の制御回路２１２はス
テージ１２６を水平面内で移動させる制御信号を形成
し、ステージ駆動機構２１３を介してステージ１２６を
移動させる。

【００１４】図２は図１の電子ビーム露光装置で使われ
るＢＡＡマスク１１０の構成例を示す。図２を参照する
に、マスク１１０には、走査方向に約１２００μｍの大
きさｂを、また走査方向と直交する方向に約３２００μ
ｍの大きさｃを有するメンブレン部が形成されており、
前記メンブレン部には、電子ビーム走査方向に対して略
直交する方向に延在する複数列のアパーチャ１Ａ₁〜１
Ａ_n，１Ｂ₁〜１Ｂ_n，２Ａ₁〜２Ａ_n，・・・，８Ａ
₁〜８Ａ_n，８Ｂ₁〜８Ｂ_nが形成される。図中、アパ
ーチャ列１Ａ₁〜１Ａ_nを含むアパーチャ列を１Ａ、ア
パーチャ列１Ｂ₁〜１Ｂ_nを含むアパーチャ列を１Ｂ等
と表現する。

【００１５】図２のマスクの例では、Ｂ系列のアパーチ
ャはＡ系列のアパーチャに対して互い違いになるよう
に、１ピッチだけずらされて形成されている。図示の例
では、各アパーチャ列は一辺の大きさＳが２５μｍ、ピ
ッチ２Ｓが５０μｍで配列された６４個のアパーチャを
含み、ＢＡＡマスク１１０上には全部で１６列のアパー
チャ列１Ａ〜８Ｂが、走査方向への繰り返しピッチが２
Ｓで互いに平行に形成されている。各アパーチャに対応
して、半導体基板１２３上には一辺が０．０８μｍの正
方形ドットパターンが描画される。

【００１６】従って、かかるブランキングアパーチャア
レイを使った従来の電子線露光装置では、個々のアパー
チャ列により、電子ビームの走査方向に対して略直交す
る方向に整列した個々の電子ビームの集合体よりなる、
偏平な断面形状を有する電子ビーム群が形成され、かか
る偏平な電子ビーム群を前記走査方向に偏向することに
より、描画パターンが半導体基板１２３上に露光ドット
パターンの集合体として露光される。その際、各アパー
チャを互い違いに配列することにより、同時に照射され
る電子ビームの間隔が過度に近接することが回避され、
電子ビームが相互に近接し過ぎることに起因して発生す
る電子ビーム間のクーロン相互作用の問題を回避するこ
とが可能になる。また、複数形成されたアパーチャ列を
使って多重露光を行うことにより、基板上に形成される
露光パターンの露光量を任意に調整することが可能にな
る。その結果、例えば後方散乱電子による近接効果等
の、パターンサイズに依存した露光パターンの変形の問
題を、露光量を露光パターンの変形が補償されるように
変化させることにより、軽減することが可能になる。

【００１７】図３はマスク１１０上の前記メンブレン部
に形成されたアパーチャおよびこれと協働する静電偏向
器を示す。図３を参照するに、各々の静電偏向器は斜線
を施した接地側電極ＧＮＤと、アパーチャを隔ててこれ
に対向する駆動側電極ＡＣＴとよりなり、図１のＢＡＡ
制御回路には、図３中走査方向に整列した各アパーチャ
列ＣＯＬ₁，ＣＯＬ₂，ＣＯＬ₃，・・・ＣＯＬ₁₂₈に
対応して複数の駆動回路が設けられている。後ほど詳細
に説明するように、同一列、例えばアパーチャ列ＣＯＬ
₂を構成するアパーチャには、対応する駆動回路から同
一の駆動信号が逐次、ビーム走査速度に対応した遅延量
だけ遅延して供給され、基板上にはアパーチャ列中の各
アパーチャを通った電子ビームにより、前記一辺が０．
０８μｍの正方形ドットパターンが繰り返し露光され
る。かかる露光を行なうため、各列のアパーチャには、
対応する駆動回路から別々のラインを介して駆動信号が
供給される。図３にはアパーチャ列ＣＯＬ₂におけるか
かるラインが記号Ｌで集合的に示されている。他のアパ
ーチャ列に対応するラインは簡単のため図示を省略して
ある。

【００１８】図２あるいは図３のマスク１１０に対応し
て半導体基板１２３上には露光パターンが露光ドットの
二次元配列として形成される。各露光ドットは、例えば
一辺の大きさが０．０８μｍの矩形露光区画として形成
される。そこで、前記露光ドットを、ＢＡＡマスク１１
０を制御してオン／オフすることにより、大きさが０．
０８×０．０８μｍの矩形領域を一単位として露光パタ
ーンの任意の変形が可能になる。

【００１９】図４（Ａ）〜図７（Ｎ）は、従来のＢＡＡ
マスク１１０の製造方法を示す図である。図４（Ａ）を
参照するに、底面に熱酸化ＳｉＯ₂膜３０２を形成され
たＳｉ基板３０１の表面にはＢのドープにより、Ｂドー
プ拡散層３０３が形成される。さらに図４（Ｂ）の工程
で、前記Ｂ拡散層３０３の表面に熱酸化ＳｉＯ₂膜３０
４が形成され、図４（Ｃ）の工程で、前記Ｓｉ基板３０
１底面の熱酸化ＳｉＯ₂膜３０４に、ＢＡＡマスク１１
０の前記メンブレン部に対応して、前記Ｓｉ基板３０１
の底面を露出する開口部３０２Ａが形成される。

【００２０】次に、図４（Ｄ）の工程で、前記Ｓｉ基板
上面の熱酸化ＳｉＯ₂膜３０４中に、前記基板３０１中
のＢ拡散層３０３を露出するコンタクトホール３０４
Ａ，３０４Ｂが形成され、さらに図５（Ｅ）の工程で、
前記前記コンタクトホール３０４Ａ，３０４Ｂを埋める
ように導体層３０５が堆積される。さらに、図５（Ｆ）
の工程で、前記導体層３０５を典型的にはイオンミリン
グ法によりパターニングし、前記コンタクトホール３０
４Ａ，３０４Ｂに対応し、前記Ｂ拡散層３０３と電気的
に接続された接地電極３０５Ａ，３０５Ｂを形成する。
前記導体層３０５のパターニングの結果、前記熱酸化Ｓ
ｉＯ₂膜３０４上には、図３のラインＬに対応する配線
パターン３０５Ｃ〜３０５Ｆが形成される。

【００２１】次に、図５（Ｇ）の工程で、前記図５
（Ｆ）の構造上に、前記接地電極３０５Ａ，３０５Ｂお
よび配線パターン３０５Ｃ〜３０５Ｆを覆うように、Ｓ
ｉＯ₂膜３０６をプラズマＣＶＤ法により形成し、さら
に図５（Ｈ）の工程で、図２のＢＡＡマスク１１０にお
けるアパーチャ１Ａ₁〜１Ａ_n，１Ｂ₁〜１Ｂ_n，２Ａ
₁〜２Ａ_n，・・・，８Ａ₁〜８Ａ_nあるいは８Ｂ₁〜
８Ｂ_nに対応する凹部３０３Ａ，３０３Ｂを、前記Ｓｉ
Ｏ₂膜３０６および３０４を貫通して、Ｂ拡散層３０３
中をＳｉ基板３０１の非ドープ領域３０１Ａにまで到達
するように、ドライエッチング法により形成する。図示
の例では、前記凹部３０３Ａは配線パターン３０５Ｃと
３０５Ｄとの間に、また前記凹部３０３Ｂは配線パター
ン３０５Ｅと３０５Ｆとの間に形成されている。

【００２２】図５（Ｈ）の工程では、前記凹部３０３
Ａ，３０３Ｂを形成するドライエッチング工程は、始め
に前記プラズマＣＶＤＳｉＯ₂膜３０６およびその下の
熱酸化ＳｉＯ₂膜３０４をレジストパターンを使ったＲ
ＩＥ（反応性イオンエッチング）法によりパターニング
し、前記ＳｉＯ₂膜３０６および３０４中に前記凹部３
０３Ａ，３０３Ｂに対応して開口部を形成する工程と、
このようにして開口部を形成されたＳｉＯ₂膜３０６を
マスクに使って、その下のＢドープＳｉ層３０３を、Ｃ
ｌ₂をエッチングガスとして使うＲＩＥ法によりエッチ
ングする工程とにより実行され、その結果前記凹部３０
３Ａ，３０３Ｂが形成される。

【００２３】前記ＢドープＳｉ層３０３をエッチングす
る工程は、その下の非ドープ領域３０１Ａが凹部３０３
Ａ，３０３Ｂの底部において露出した時点で実質的に停
止する。また、図５（Ｈ）の工程のＳｉ層のエッチング
の際、ＳｉＯ₂膜３０６の膜厚も減少するため、図６
（Ｉ）の工程において、ＳｉＯ₂膜３０７を追加成膜し
ておく。ＳｉＯ₂膜３０６の膜厚が十分に大きい場合に
は、この図６（Ｉ）の工程は省略できる。

【００２４】次に、図６（Ｊ）の工程で、前記ＳｉＯ₂
膜３０６，３０７をパターニングして、それぞれ接地電
極３０５Ａ，３０５Ｂおよび配線パターン３０５Ｃ〜３
０５Ｆを露出する開口部３０７Ａ，３０７Ｂおよび開口
部３０７Ｃ₁，３０７Ｃ₂，３０７Ｄ，３０７Ｅ，３０
７Ｆ₁，３０７Ｆ₂を形成し、さらに図６（Ｋ）の工程
において、前記図６（Ｊ）の構造上に、ＴａＭｏ膜、Ａ
ｕ膜およびＴａＭｏ膜を真空蒸着によって順次堆積し、
導体層３０８を、前記ＳｉＯ₂膜３０７および開口部３
０７Ａ，３０７Ｂ，３０７Ｃ₁，３０７Ｃ₂，３０７
Ｄ，３０７Ｅ，３０７Ｆ₁，３０７Ｆ₂を覆うように形
成する。その結果、前記導体層３０８は前記開口部３０
７Ａ，３０７Ｂ，３０７Ｃ₁，３０７Ｃ₂，３０７Ｄ，
３０７Ｅ，３０７Ｆ₁，３０７Ｆ₂において接地電極３
０５Ａ，３０５Ｂあるいは配線パターニング３０５Ｃ〜
３０５Ｆにコンタクトする。

【００２５】次に、図７（Ｌ）の工程において、図６
（Ｋ）の構造上にレジストパターンを形成し、前記導体
層３０８を電極としてＡｕの電解めっきを行なうことに
より、前記電極３０５Ａ，３０５Ｂあるいは配線パター
ン３０５Ｃ〜３０５Ｆに電気的および物理的にコンタク
トする偏向電極３０９Ａ，３０９Ｂ，３０９Ｃ₁，３０
９Ｃ2 ，３０９Ｄ，３０９Ｅ，３０９Ｆ₁，３０９Ｆ₂
を形成する。これらの偏向電極は、先に図３で説明した
接地側電極ＧＮＤあるいは駆動側電極ＡＣＴに対応す
る。図７（Ｌ）の状態では、ＳｉＯ₂膜３０７の表面
は、凹部３０３Ａ，３０３Ｂの側壁面および底面も含め
て、前記導体層３０８により、連続的に覆われている。

【００２６】次に、図７（Ｍ）の工程において、図７
（Ｌ）の構造を、エチレンジアミン、ピロカテコールお
よび水の混合物よりなるエッチング液（ＥＰＷ）中に浸
漬し、前記Ｓｉ基板３０１のうち、下側の熱酸化ＳｉＯ
₂膜３０２の開口部３０２Ａにより露出されている部分
をウェットエッチング法により除去する。その際、ウェ
ットエッチングは前記基板３０１中のＢ拡散層３０３が
露出した時点で実質的に停止し、図７（Ｍ）に示す構造
が得られる。その際、前記基板３０１の表側、すなわち
ＳｉＯ₂膜３０７の表面は前記導体層３０８により連続
的に覆われているためエッチング液から保護されてい
る。図７（Ｍ）の工程の結果、前記Ｂ拡散層３０３によ
り、ＢＡＡマスク１１０のメンブレン部が形成される。

【００２７】さらに、図７（Ｎ）の工程において、前記
図７（Ｍ）の構造に対して前記基板３０１の主面に略垂
直に作用するＲＩＥを行ない、前記導体層３０８を前記
ＳｉＯ₂膜３０７の表面から、また前記凹部３０３Ａ，
３０３Ｂの底部から除去する。その結果、前記ＳｉＯ₂
膜３０７上において前記偏向電極３０９Ａ，３０９Ｂ，
３０９Ｃ₁，３０９Ｃ₂Ｄ，３０９Ｅ，３０９Ｆ₁，３
０９Ｆ₂は互いに独立し、また前記凹部３０３Ａ，３０
３Ｂは図３のアパーチャ１Ａ₁〜１Ａ_n等に対応する貫
通孔を形成する。図７（Ｎ）のＲＩＥ工程では、ＴａＭ
ｏをエッチングする際には、ＣＦ₄をエッチングガスと
して使う。

【００２８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上に説明した
従来のＢＡＡマスク１１０の製造方法では、図７（Ｌ）
の工程でＲＩＥ法により前記導体層８を除去する工程の
際に、形成されるメンブレン部の下面が不純物により汚
染され損傷することが発見された。図８は、このような
メンブレン部の下面を示すＳＥＭ写真である。

【００２９】図８を参照するに、メンブレン部の下面に
は、前記アパーチャ３０３Ａ，３０３Ｂに対応する矩形
断面の開口部の他に多数の不規則な損傷を受けた領域が
見えるが、これらの損傷は、図７（Ｎ）の工程における
ＴａＭｏのＲＩＥの際にエッチングガスとして使われる
ＣＦ₄が、エッチング装置の試料保持台として使われる
ＳｉＯ₂と反応し、その結果形成された弗化物により形
成されたものと考えられる。ＢＡＡマスク１１０のメン
ブレン部にこのような損傷が生じると、図１の露光装置
を使って露光を行なう際に損傷部にチャージアップが発
生しやすく、その結果、被露光基板１２３上に露光され
るパターンに歪みや変形等の欠陥が生じる。

【００３０】また、上記従来の方法では、前記導体層３
０８がＲＩＥ法により除去されるが、ＲＩＥ法は導体層
３０８に対して適用した場合効率が低い問題点を有す
る。そこで、本発明は上記の課題を解決した新規で有用
なＢＡＡマスクの製造方法、およびかかるＢＡＡマスク
を使った電子ビーム露光装置の製造方法を提供すること
を概括的課題とする。

【００３１】本発明のより具体的な課題は、多数のアパ
ーチャを形成されたメンブレンを備え、前記メンブレン
上に各々のアパーチャに対応して静電偏向器を担持した
構成のＢＡＡマスクの製造の際に、前記メンブレン下面
の損傷を回避できるＢＡＡマスクの製造方法を提供する
ことにある。

【００３２】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題
を、請求項１に記載したように、複数のアパーチャを形
成されたメンブレン上に、前記複数のアパーチャの各々
に対応して静電偏向器を形成されたブランキングアパー
チャアレイの製造方法において、Ｓｉ基板上に配線パタ
ーンを形成する工程と、前記Ｓｉ基板上に、前記配線パ
ターンを覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記Ｓｉ
基板中に、前記複数のアパーチャに対応した複数の凹部
を形成する工程と、前記絶縁膜中に、前記配線パターン
を露出するコンタクトホールを、前記複数の凹部の各々
に隣接して形成する工程と、前記絶縁膜上に、前記複数
のコンタクトホールを含むように導体膜を堆積する工程
と、前記導体膜を電極にめっきを行ない、前記複数のコ
ンタクトホールの各々において前記配線パターンに電気
的に接続された電極を、前記静電偏向器の電極として形
成する工程と、前記Ｓｉ基板の裏面を、ウェットエッチ
ング法により、所定の位置まで除去するウェットエッチ
ング工程とよりなり、前記ウェットエッチング工程は、
前記導体膜を除去する工程の後で、前記Ｓｉ基板を、前
記裏面の一部を除いて保護した状態で実行されることを
特徴とするブランキングアパーチャアレイの製造方法に
より、または請求項２に記載したように、前記ウェット
エッチング工程は、前記Ｓｉ基板を、前記裏面の一部を
除いて覆う保護治具中に保持して実行されることを特徴
とする請求項１記載のブランキングアパーチャアレイの
製造方法により、または請求項３に記載したように、前
記保護治具中には凹部が形成されており、前記ウェット
エッチング工程は、前記Ｓｉ基板を前記保護治具上に、
前記絶縁膜が前記保護治具凹部に対面するように装着
し、これを前記Ｓｉ基板により密閉する工程と、前記Ｓ
ｉ基板を装着された前記保護治具を、エッチング液中に
浸漬する工程とを含むことを特徴とする請求項２記載の
ブランキングアパーチャアレイの製造方法により、また
は請求項４に記載したように、前記保護治具の縁部に
は、前記保護治具凹部を囲むシール部材が形成されてお
り、前記絶縁膜を前記縁部に係合させる工程は、前記絶
縁膜を前記シール部材に当接させる工程と、前記Ｓｉ基
板を押え部材により、前記シール部材に付勢する工程と
を含み、前記押え部材は前記Ｓｉ基板の裏面に係合し、
前記Ｓｉ基板の裏面の一部を露出する開口部を有するこ
とを特徴とする請求項３記載のブランキングアパーチャ
アレイの製造方法により、または請求項５に記載したよ
うに、前記導体層を除去する工程は、イオンミリング法
により実行されることを特徴とする請求項１〜４のう
ち、いずれか一項記載のブランキングアパーチャアレイ
の製造方法により、または請求項６に記載したように、
電子ビームを所定の光路に沿って発射する電子ビーム源
と、前記電子ビームの光路中に配設され、複数のアパー
チャを形成されたメンブレン上に前記複数のアパーチャ
の各々に対応して静電偏向器を担持し、入射する電子ビ
ームを前記複数のアパーチャの各々において、前記静電
偏向器によりオン・オフすることにより複数の電子ビー
ム要素よりなる電子ビーム束を形成するブランキングア
パーチャアレイと、前記複数の電子ビーム要素を被露光
物体上に集束する電子光学系と、前記複数の電子ビーム
要素を偏向させる電子偏向系とを備えた電子ビーム露光
装置の製造方法であって、前記ブランキングアパーチャ
アレイを、Ｓｉ基板上に配線パターンを形成する工程
と、前記Ｓｉ基板上に、前記配線パターンを覆うように
絶縁膜を形成する工程と、前記Ｓｉ基板中に、前記複数
のアパーチャに対応した複数の凹部を形成する工程と、
前記絶縁膜中に、前記配線パターンを露出するコンタク
トホールを、前記複数の凹部の各々に隣接して形成する
工程と、前記絶縁膜上に、前記複数のコンタクトホール
を含むように導体膜を堆積する工程と、前記導体膜を電
極にめっきを行ない、前記複数のコンタクトホールの各
々において前記配線パターンに電気的に接続された電極
を、前記静電偏向器の電極として形成する工程と、前記
Ｓｉ基板の裏面を、ウェットエッチング法により、所定
の位置まで除去するウェットエッチング工程とにより製
造する工程を含み、前記ウェットエッチング工程は、前
記導体膜を除去する工程の後で、前記Ｓｉ基板を、前記
裏面の一部を除いて保護した状態で実行されることを特
徴とする電子ビーム露光装置のの製造方法により、また
は請求項７に記載したように、前記ウェットエッチング
工程は、前記Ｓｉ基板を、前記裏面の一部を除いて覆う
保護治具中に保持して実行されることを特徴とする請求
項６記載の電子ビーム露光装置の製造方法により、また
は請求項８に記載したように、前記保護治具中には閉じ
た空間を画成する凹部が形成されており、前記ウェット
エッチング工程は、前記Ｓｉ基板を前記保護治具上に、
前記絶縁膜が前記保護治具の凹部に対面するように装着
し、前記保護治具の凹部を前記Ｓｉ基板により密閉する
工程と、前記Ｓｉ基板を装着された前記保護治具を、エ
ッチング液中に浸漬する工程とを含むことを特徴とする
請求項７記載の電子ビーム露光装置の製造方法により、
または請求項９に記載したように、前記保護治具の縁部
には、前記保護治具の凹部を囲むシール部材が形成され
ており、前記絶縁膜を前記縁部に係合させる工程は、前
記絶縁膜を前記シール部材に当接させる工程と、前記Ｓ
ｉ基板を押え部材により、前記シール部材に付勢する工
程とを含み、前記押え部材は前記Ｓｉ基板の裏面に係合
し、前記Ｓｉ基板の裏面の一部を露出する開口部を有す
ることを特徴とする請求項８記載の電子ビーム露光装置
の製造方法により、または請求項１０に記載したよう
に、前記導体層を除去する工程は、イオンミリング法に
より実行されることを特徴とする請求項６〜９のうち、
いずれか一項記載の電子ビーム露光装置の製造方法によ
り、解決する。

【００３３】本発明によれば、前記Ｓｉ基板の裏面をウ
ェットエッチングしてメンブレンを形成する際に、前記
Ｓｉ基板の表面が保護治具により保護されているため、
ウェットエッチングに先立って、ＢＡＡの静電偏向器を
電解めっきで形成する際にめっき下地として使われる導
体層を除去することが可能になり、メンブレンを形成後
にＲＩＥ法で前記導体層を除去する場合におけるよう
な、メンブレン下面の不純物による汚染、および形成さ
れたＢＡＡマスクの電子ビーム露光装置中での使用時に
おける、かかる汚染に起因するチャージアップの問題が
回避される。また、前記ウェットエッチングに先立って
前記導体層を除去する際には、ＲＩＥのかわりに効率的
なイオンミリングを使うことが可能になる。前記Ｓｉ基
板は、ＢＡＡのアパーチャに対応する凹部および静電偏
向器が表面に形成された後、前記表面が前記保護治具中
に形成された凹部の閉じた空間に面するように、また前
記空間を前記Ｓｉ基板が密閉するように前記保護治具上
の装着されるため、前記導体層がウェットエッチングの
際にすでに除去されていても、前記Ｓｉ基板の表面側に
形成された絶縁膜あるいは静電偏向器がエッチング液に
より損傷することがない。

【００３４】

【発明の実施の形態】図９（Ａ）〜図１２（Ｎ）は、本
発明の一実施例によるＢＡＡマスク４００の製造工程を
示す。ただし、図中、先に説明した部分には同一の参照
符号を付し、説明を省略する。図９（Ａ）〜図１２
（Ｎ）を参照するに、図９（Ａ）〜図１２（Ｌ）は従来
の図１（Ａ）〜図７（Ｌ）の工程と実質的に同一であ
り、図９（Ａ）の工程では、前記Ｂ拡散層３０３はＢを
約１０²⁰ｃｍ^-3程度の濃度で含み約２０μｍの厚さに形
成される。Ｓｉ基板３０１自体は、通常の（１００）面
を主面とする市販のＳｉウェハでよい。また、図９
（Ｂ）の工程では、前記熱酸化ＳｉＯ₂膜３０２および
３０４はそれぞれ約７００ｎｍの厚さに形成される。こ
れに対して、図１１（Ｉ）の工程において、絶縁膜３０
６，３０７の厚さの合計は、おおよそ１０００ｎｍ程度
である。また、図１０（Ｈ）の工程で、前記凹部３０３
Ａ，３０３Ｂは、例えば２５μｍの深さに形成される。
先にも説明したように、前記凹部３０３Ａ，３０３Ｂは
図２，３のアパーチャ１Ａ₁，１Ａ₂，・・・に対応し
ており、一辺が例えば２５μｍの大きさを有する。

【００３５】本実施例では、図１（Ａ）〜図７（Ｌ）の
工程に対応する図９（Ａ）〜図１２（Ｌ）の工程の後、
図１２（Ｍ）の工程において、図１２（Ｌ）の構造をイ
オンミリング装置の試料台上に保持し、前記導体層３０
８をイオンミリングにより除去する。導体層３０８のイ
オンミリングはＲＩＥよりも数倍以上効率が高く、この
ため前記導体層３０８はイオンミリングにより確実に除
去される。図９（Ａ）〜図１２（Ｌ）の工程は、図１
（Ａ）〜図７（Ｌ）の工程と実質的に同一であり、説明
を省略する。

【００３６】次に、本実施例では、図１２（Ｍ）の構造
の基板３０１を、図１３（Ａ），（Ｂ）に示す保護治具
４１０に装着し、ウェットエッチング液に浸漬してウェ
ットエッチングを行なう。図１３（Ａ），（Ｂ）を参照
するに、保護治具４１０は例えばフッ素樹脂よりなり凹
部４１２を形成された本体４１１と、前記本体４１１上
に、前記凹部４１２を囲むように形成され、Ｓｉ基板３
０１を支持するＯリング４１３と、前記本体４１１とは
別体で、前記Ｓｉ基板３０１を前記Ｏリング４１３に付
勢する押さえ板４１４とを含み、前記押え板４１４は前
記本体４１１上に形成されたネジ穴に挿通されたネジ４
１５により前記本体４１１およびその上のＯリング４１
３に対して付勢される。同様なＯリング４１６が、前記
押え板４１４上にも形成される。図１３（Ｂ）の断面図
を参照。

【００３７】前記Ｏリング４１３上において、前記Ｓｉ
基板３０１は上下反転した状態で保持され、前記熱酸化
ＳｉＯ₂膜３０２が形成されたＳｉ基板３０１の下面が
前記押え板４１４により押圧される。前記押え板４１４
には開口部４１４Ａが形成されており、前記Ｓｉ基板３
０１の下面において前記熱酸化ＳｉＯ₂膜３０２により
画成された開口部３０２Ａを露出する。また、前記Ｓｉ
基板３０１の上面のうち、図１２（Ｍ）の偏向電極３０
９Ａ，３０９Ｂ，３０９Ｃ₁，３０９Ｃ₂、・・・が形
成された領域、すなわちメンブレン部は、前記本体４１
１中の凹部４１２内に収容される。そこで、前記押え板
４１４を使って前記Ｓｉウェハ３０１を前記保護治具本
体４１１上に装着し、前記ネジ４１５を締めることによ
り、前記凹部４１２は、前記Ｓｉ基板３０１により密閉
される。

【００３８】前記保護治具本体４１１には、前記凹部４
１２の外側にさらに貫通孔４１１Ａが形成されており、
前記貫通孔４１１Ａに保持具４２１を係合させることに
より、保護治具４１０を図１４に示すようにエッチング
液４２２を保持したエッチング槽４２３中に浸漬する。
エッチング液４２２としては、典型的にはエチレンジア
ミンとピロカテコールと水の混合物よりなる、いわゆる
ＥＰＷが使われ、液温をヒータ４２４を駆動することに
より制御し、前記押え板４１４の開口部４１４Ａにおい
て、露出したＳｉ基板３０１の底面に対して異方性ウェ
ットエッチングがなされる。その際、前記開口部４１４
Ａは、前記Ｓｉ基板３０１の底面のうち、熱酸化ＳｉＯ
₂膜３０２で覆われた部分と前記熱酸化ＳｉＯ₂膜３０
２中の開口部３０２Ａにより露出された部分とを露出す
るが、前記ＳｉＯ₂膜３０２で覆われた部分は保護され
ており、エッチングは受けない。このため、前記開口部
３０２Ａにより露出された部分のみが、選択的にウェッ
トエッチングされ、所望のメンブレン部が形成される。

【００３９】図１４の工程の結果、図１２（Ｎ）に示す
ように、前記Ｓｉ基板３０１中の非ドープ層部分３０１
Ａが前記開口部３０２Ａにおいて除去され、メンブレン
部中に前記凹部３０３Ａ，３０３Ｂに対応した開口部
が、アパーチャとして形成された構造が得られる。図１
４の工程では、Ｓｉ基板３０１のうち、前記静電偏向器
の偏向電極３０９Ａ，３０９Ｂ，３０９Ｃ₁，３０９Ｃ
₂、・・・が形成された領域は、前記保護治具４１０の
密閉された凹部４１２中において保護されているため、
先に図１２（Ｍ）の工程において前記導体層３０８を除
去していても、絶縁膜３０６，３０７が損傷する等の問
題は生じない。

【００４０】勿論、本実施例において、図１２（Ｍ）の
工程で前記導体層３０８を除去するのに、イオンミリン
グ法のかわりに、効率は落ちるがＲＩＥ法を使うことも
できる。また、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）法を使うこ
ともできる。また、前記導体層３０８はＴａＭｏ／Ａｕ
／ＴａＭｏ構造を有するものに限定されるわけではな
く、別の金属材料を使うことも可能である。さらに、図
１４のウェットエッチング工程において、エッチング液
としてＥＰＷの代わりにＫＯＨを使うことも可能であ
り、前記保護治具４１０を使ったウェットエッチング工
程は、このような場合にも有効である。

【００４１】以上、本発明を好ましい実施例について説
明したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるも
のではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内におい
て、様々な変形・変更が可能である。

【００４２】

【発明の効果】請求項１または６記載の本発明の特徴に
よれば、複数の開口部を形成されたメンブレン上に、前
記複数の開口部の各々に対応して静電偏向器を形成され
たブランキングアパーチャアレイの製造方法において、
前記ブランキングアパーチャアレイを、Ｓｉ基板の表面
に不純物元素を導入し、不純物拡散層を形成する工程
と、前記Ｓｉ基板上に配線パターンを形成する工程と、
前記Ｓｉ基板上に、前記配線パターンを覆うように絶縁
膜を形成する工程と、前記Ｓｉ基板中に、前記不純物拡
散層を貫通して凹部を形成する工程と、前記絶縁膜中
に、前記配線パターンを露出するコンタクトホールを、
前記凹部に隣接して形成する工程と、前記絶縁膜上に、
前記コンタクトホールを含むように導体膜を堆積する工
程と、前記導体膜を電極に電解めっきを行ない、前記コ
ンタクトホールにおいて前記配線パターンに電気的に接
続された電極を、前記静電偏向器の電極として形成する
工程と、前記Ｓｉ基板の裏面を、ウェットエッチング法
により、前記不純物拡散層が露出するまで除去してメン
ブレンを形成するウェットエッチング工程とにより作製
し、その際、前記ウェットエッチング工程を、前記導体
膜を除去する工程の後で、前記Ｓｉ基板を前記裏面を除
いて保護した状態で実行することにより、前記静電偏向
器を電解めっきで形成する際にめっき下地として使われ
る導体層をウェットエッチングに先立って除去すること
が可能になり、メンブレン下面の不純物による汚染、お
よび形成されたブランキングアパーチャマスクの電子ビ
ーム露光装置中での使用時における、かかる汚染に起因
するチャージアップの問題が解決される。

【００４３】請求項２，３あるいは７，８記載の本発明
の特徴によれば、前記ウェットエッチング工程を、前記
Ｓｉ基板を、前記裏面の一部を除いて覆う保護治具中に
保持して実行することにより、前記ウェットエッチング
工程において強力なエッチング液を使うことが可能にな
る。請求項４あるいは９記載の本発明の特徴によれば、
前記絶縁膜を前記縁部に係合させる際に、前記絶縁膜を
前記保護治具の縁部を囲むように形成されたシール部材
に当接させ、前記Ｓｉ基板を押え部材により前記シール
部材に付勢する工程を行ない、その際、前記押え部材と
して前記Ｓｉ基板の裏面の一部を露出する開口部を有す
る部材を使い、これをを前記Ｓｉ基板の裏面に係合させ
ることにより、前記Ｓｉ基板を前記保護治具と共にエッ
チング槽に浸漬した場合に、前記露出したＳｉ基板の裏
面が選択的にエッチングされ、前記メンブレンが容易に
形成される。

【００４４】請求項５あるいは１０記載の本発明の特徴
によれば、前記導体層を除去する工程をイオンミリング
法により実行することにより、前記導体層を効率よく除
去することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の電子ビーム露光装置の構成を示す図であ
る。

【図２】図１の電子ビーム露光装置で使われるＢＡＡマ
スクの構成を示す図である。

【図３】図２のＢＡＡマスクの詳細を示す図である。

【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は、従来のＢＡＡマスクの製造
工程を示す図（その１）である。

【図５】（Ｅ）〜（Ｈ）は、従来のＢＡＡマスクの製造
工程を示す図（その２）である。

【図６】（Ｉ）〜（Ｋ）は、従来のＢＡＡマスクの製造
工程を示す図（その３）である。

【図７】（Ｌ）〜（Ｎ）は、従来のＢＡＡマスクの製造
工程を示す図（その４）である。

【図８】従来技術の問題点を示す図である。

【図９】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の一実施例によるＢ
ＡＡマスクの製造工程を示す図（その１）である。

【図１０】（Ｅ）〜（Ｈ）は、本発明の一実施例による
ＢＡＡマスクの製造工程を示す図（その２）である。

【図１１】（Ｉ）〜（Ｋ）は、本発明の一実施例による
ＢＡＡマスクの製造工程を示す図（その３）である。

【図１２】（Ｌ）〜（Ｎ）は、本発明の一実施例による
ＢＡＡマスクの製造工程を示す図（その４）である。

【図１３】（Ａ），（Ｂ）は、図１２（Ｎ）の工程で使
われる保護治具の構成を示す図である。

【図１４】図１３の保護治具を使ったウェットエッチン
グ工程を示す図である。

【符号の説明】

１Ａ₁〜１Ａ_n，２Ａ₁〜２Ａ_n，・・・８Ａ₁〜８Ａ
_n アパーチャ１００電子光学系１０２グリッド電極１０３アノード電極１０４電子銃１０５ビーム整形版１０５ａアパーチャ１０７，１０８，１１６，１１９電子レンズ１１０ＢＡＡマスク１１５静電偏向器１１７ビーム遮蔽版１１７ａラウンドアパーチャ１２２対物レンズ１２３被露光基板１２４，１２５偏向器１２６ステージ２００制御系２０１〜２０３記憶装置２０４ＣＰＵ２０５インターフェース２０６メモリ２０７第１制御回路２０９ＢＡＡ制御回路２１０ブランキング制御回路２１１，２１６，２１７Ｄ／Ａ変換器２１２第２制御回路２１３ステージ移動機構２１４レーザ干渉計２１５偏向回路３０１Ｓｉ基板３０２，３０４熱酸化膜３０２Ａ開口部３０３Ｂ拡散層３０３Ａ，３０３Ｂ凹部（アパーチャ）３０４Ａ，３０４Ｂコンタクトホール３０５導体層３０５Ａ，３０５Ｂ接地パターン３０５Ｃ〜３０５Ｆ配線パターン３０６，３０７ＳｉＯ₂膜３０７Ａ，３０７Ｂ，３０７Ｃ₁，３０７Ｃ₂，３０７
Ｄ，３０７Ｅ，３０７Ｆ ₁，３０７Ｆ₂ コンタクトホ
ール３０８めっき下地膜３０９Ａ，３０９Ｂ，３０９Ｃ_1,３０９Ｃ₂，３０９
Ｄ，３０９Ｅ，３０９Ｆ₁，３０９Ｆ₂ 偏向電極４１０保護治具４１１本体４１１Ａ保持穴４１１ａ，４１４ａネジ穴４１２凹部４１３，４１６Ｏリング４１４押え部材４１４Ａ開口部４１５ネジ４２１保持具４２２エッチング液４２３エッチング槽４２４ヒータ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数のアパーチャを形成されたメンブレ
ン上に、前記複数のアパーチャの各々に対応して静電偏
向器を形成されたブランキングアパーチャアレイの製造
方法において、Ｓｉ基板上に配線パターンを形成する工程と、前記Ｓｉ基板上に、前記配線パターンを覆うように絶縁
膜を形成する工程と、前記Ｓｉ基板中に、前記複数のアパーチャに対応した複
数の凹部を形成する工程と、前記絶縁膜中に、前記配線パターンを露出するコンタク
トホールを、前記複数の凹部の各々に隣接して形成する
工程と、前記絶縁膜上に、前記複数のコンタクトホールを含むよ
うに導体膜を堆積する工程と、前記導体膜を電極にめっきを行ない、前記複数のコンタ
クトホールの各々において前記配線パターンに電気的に
接続された電極を、前記静電偏向器の電極として形成す
る工程と、前記Ｓｉ基板の裏面を、ウェットエッチング法により、
所定の位置まで除去するウェットエッチング工程とより
なり、前記ウェットエッチング工程は、前記導体膜を除去する
工程の後で、前記Ｓｉ基板を、前記裏面の一部を除いて
保護した状態で実行されることを特徴とするブランキン
グアパーチャアレイの製造方法。
【請求項２】前記ウェットエッチング工程は、前記Ｓ
ｉ基板を、前記裏面の一部を除いて覆う保護治具中に保
持して実行されることを特徴とする請求項１記載のブラ
ンキングアパーチャアレイの製造方法。
【請求項３】前記保護治具中には凹部が形成されてお
り、前記ウェットエッチング工程は、前記Ｓｉ基板を前
記保護治具上に、前記絶縁膜が前記保護治具凹部に対面
するように装着し、これを前記Ｓｉ基板により密閉する
工程と、前記Ｓｉ基板を装着された前記保護治具を、エ
ッチング液中に浸漬する工程とを含むことを特徴とする
請求項２記載のブランキングアパーチャアレイの製造方
法。
【請求項４】前記保護治具の縁部には、前記保護治具
凹部を囲むシール部材が形成されており、前記絶縁膜を
前記縁部に係合させる工程は、前記絶縁膜を前記シール
部材に当接させる工程と、前記Ｓｉ基板を押え部材によ
り、前記シール部材に付勢する工程とを含み、前記押え
部材は前記Ｓｉ基板の裏面に係合し、前記Ｓｉ基板の裏
面の一部を露出する開口部を有することを特徴とする請
求項３記載のブランキングアパーチャアレイの製造方
法。
【請求項５】前記導体層を除去する工程は、イオンミ
リング法により実行されることを特徴とする請求項１〜
４のうち、いずれか一項記載のブランキングアパーチャ
アレイの製造方法。
【請求項６】電子ビームを所定の光路に沿って発射す
る電子ビーム源と、前記電子ビームの光路中に配設さ
れ、複数のアパーチャを形成されたメンブレン上に前記
複数のアパーチャの各々に対応して静電偏向器を担持
し、入射する電子ビームを前記複数のアパーチャの各々
において、前記静電偏向器によりオン・オフすることに
より複数の電子ビーム要素よりなる電子ビーム束を形成
するブランキングアパーチャアレイと、前記複数の電子
ビーム要素を被露光物体上に集束する電子光学系と、前
記複数の電子ビーム要素を偏向させる電子偏向系とを備
えた電子ビーム露光装置の製造方法であって、前記ブランキングアパーチャアレイを、Ｓｉ基板上に配線パターンを形成する工程と、前記Ｓｉ基板上に、前記配線パターンを覆うように絶縁
膜を形成する工程と、前記Ｓｉ基板中に、前記複数のアパーチャに対応した複
数の凹部を形成する工程と、前記絶縁膜中に、前記配線パターンを露出するコンタク
トホールを、前記複数の凹部の各々に隣接して形成する
工程と、前記絶縁膜上に、前記複数のコンタクトホールを含むよ
うに導体膜を堆積する工程と、前記導体膜を電極にめっきを行ない、前記複数のコンタ
クトホールの各々において前記配線パターンに電気的に
接続された電極を、前記静電偏向器の電極として形成す
る工程と、前記Ｓｉ基板の裏面を、ウェットエッチング法により、
所定の位置まで除去するウェットエッチング工程とによ
り製造する工程を含み、前記ウェットエッチング工程は、前記導体膜を除去する
工程の後で、前記Ｓｉ基板を、前記裏面の一部を除いて
保護した状態で実行されることを特徴とする電子ビーム
露光装置の製造方法。
【請求項７】前記ウェットエッチング工程は、前記Ｓ
ｉ基板を、前記裏面の一部を除いて覆う保護治具中に保
持して実行されることを特徴とする請求項６記載の電子
ビーム露光装置の製造方法。
【請求項８】前記保護治具中には閉じた空間を画成す
る凹部が形成されており、前記ウェットエッチング工程
は、前記Ｓｉ基板を前記保護治具上に、前記絶縁膜が前
記保護治具の凹部に対面するように装着し、前記保護治
具の凹部を前記Ｓｉ基板により密閉する工程と、前記Ｓ
ｉ基板を装着された前記保護治具を、エッチング液中に
浸漬する工程とを含むことを特徴とする請求項７記載の
電子ビーム露光装置の製造方法。
【請求項９】前記保護治具の縁部には、前記保護治具
の凹部を囲むシール部材が形成されており、前記絶縁膜
を前記縁部に係合させる工程は、前記絶縁膜を前記シー
ル部材に当接させる工程と、前記Ｓｉ基板を押え部材に
より、前記シール部材に付勢する工程とを含み、前記押
え部材は前記Ｓｉ基板の裏面に係合し、前記Ｓｉ基板の
裏面の一部を露出する開口部を有することを特徴とする
請求項８記載の電子ビーム露光装置の製造方法。
【請求項１０】前記導体層を除去する工程は、イオン
ミリング法により実行されることを特徴とする請求項６
〜９のうち、いずれか一項記載の電子ビーム露光装置の
製造方法。