JP4477435B2 - 偏向器作製方法、荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
偏向器作製方法、荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
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Description
すなわち、この製造方法は、次の通りである。
(a)基板1011に第1開口1012を形成する工程、
(b)第1開口1012内に絶縁膜1013を形成する工程、
(c)第1開口1012内に導電性材料1014を充填し電極1014Aを形成する工程、
(d)電極1014Aの間の基板材料を除去し第2開口1011Aを形成する工程、および
(e)第2開口1011A内側面に電極1014Aを露出する工程
を有する。
(a)基板に第1開口を形成する工程、および
(d)電極の間の基板材料を除去し第2開口を形成する工程
において、基板材料であるシリコンの加工には、加工の異方性や他材料との選択性に優れた反応性イオンエッチング(RIE)法が用いられている。これにより、より微細かつ集積化された偏向電極1014Aおよび電子線通過用貫通口1011Aを備えたブランキングアパーチャアレイを作製することができ、より高精度により微細なパターンの露光を行うことが可能になる。
(1)印加電圧信号に対応した所望の偏向感度を得ることが難しい。
(2)高周波駆動に向けての対策について言及していない。
図1は、本発明の実施例1に係る荷電粒子線偏向器の概観図であり、(a)が上面図、(b)が(a)におけるA−A’断面を示し、(c)が(a)におけるB-B’断面をそれぞれ示している。
04aは熱酸化法により形成された二酸化シリコンからなり、厚さは1.5μmである。また、絶縁層504bは低圧CVDにより形成された窒化シリコンからなり、厚さは0.2μmである。但し、厚さは偏向器500の100MHz程度の高周波駆動に対して十分に対応できる値とした。また、熱酸化膜は工程上、2.0μm以下の厚さで安定して形成可能な膜であるために選択した。また、窒化シリコンは工程上、ふっ酸耐性のある無機膜として選択した。そのため、窒化シリコンの代わりに、多結晶シリコン、窒化チタン、または窒化アルミニウムを用いてもよい。絶縁層を窒化シリコンのみで1.7μmの厚さにしてもよいが、工程上難しい。そのため、絶縁層を2層に形成することで、工程上の問題を解決し、所望の厚さを確保している。
図2は本発明の実施例2に係る荷電粒子線偏向器500の概観図であり、(a)が上面図、(b)が(a)におけるA−A’断面図である。図中、実施例1の図1と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明は省略する。
するように照射される時に、シールド電極506は絶縁層504bのチャージアップを防ぐものである。シールド電極506は電気的に接地されているため、常に接地電位に保たれる。また、偏向器500を例えばアレイ状に配置した偏向器アレイとして構成した場合、隣接する偏向器500間のクロストークを低減する効果が得られる。
e)。
本発明の実施例3では、実施例1および実施例2において説明した荷電粒子線偏向器をブランカーとして用いた電子ビーム露光装置の例を示す。なお、本発明は、電子ビームに限らずイオンームを用いた露光装置にも同様に適用できる。
高スループットな荷電粒子線露光装置を提供することができる。
Claims (4)
- 基板上に第1の開口と第2の開口とを形成する工程と、
前記第1の開口の側壁と前記第2の開口の側壁とに第1の絶縁層、第2の絶縁層の順で複数の絶縁層を積層する工程と、
前記第1の開口の内部に第1の電極を形成する工程と、
前記第2の開口の内部に第2の電極を形成する工程と、
前記第1の開口と前記第2の開口との間に第3の開口を形成し、前記第1の電極と前記第2の電極とから第1の電極面と第2の電極面とをそれぞれ露出させる工程とを有し、
前記第1の絶縁層は、二酸化シリコンからなり、前記第2の絶縁層は、窒化シリコン、多結晶シリコン、窒化チタン及び窒化アルミニウムの1つからなることを特徴とする偏向器の作製方法。 - 前記基板はシリコンであり、
前記第3の開口を形成する際に、ふっ酸を用いて前記第1の絶縁層を除去することを特徴とする請求項1に記載の偏向器の作製方法。 - 荷電粒子線を用いて被露光基板を露光する荷電粒子線露光装置であって、
荷電粒子線を放射する荷電粒子源と、
請求項1または2に記載の方法によって作製された偏向器を有し、前記荷電粒子源の中間像を複数形成する第1の電子光学系と、
前記第1の電子光学系によって形成される複数の中間像を被露光基板上に投影する第2の電子光学系と、
前記被露光基板を保持し所定の位置に駆動して位置決めする位置決め手段と、
を備えることを特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 請求項3に記載の荷電粒子線露光装置を用いて、被露光基板に露光を行う工程と、
露光された前記被露光基板を現像する工程と、
を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
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