JP4673170B2 - マルチ電子ビーム描画装置用デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Description
(1)アルカリ水溶液によるエッチング用いて平行四辺形状の貫通孔を形成する前に、小さい一次貫通孔をレーザー加工もしくは反応性イオンエッチング等により形成すること。
(2)前記レジストパターンを前記平行四辺形状の貫通孔の鋭角部分にのみ形成して、前記偏向電極用金属膜と共にシールド電極用金属膜を一緒に形成し、前記偏向電極用金属膜及び前記シールド電極用金属膜上にそれぞれ金属膜をめっきして偏向電極及びシールド電極を形成すること。
(3)前記貫通孔を鋭角の角度が54.7°である平行四辺形状に形成すること。
(1)前記貫通孔は鋭角の角度が54.7°である平行四辺形状に形成されていること。
Claims (6)
- シリコン基板に貫通孔を複数形成した後、電子ビームを偏向するための偏向電極を前記貫通孔の側壁に形成するマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法において、
表裏面が{110}結晶方位のシリコン基板に、アルカリ水溶液を用いてシリコンの異方性エッチングにより、側壁面が{111}結晶方位となるように平行四辺形状で且つアスペクト比4以上の貫通孔を形成し、
前記シリコン基板の表面及び前記貫通孔の側壁面に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜で形成される前記シリコン基板の表面及び前記貫通孔の内部全体にレジストを形成し、
前記貫通孔の側壁面の対向する面に偏向電極を、前記シリコン基板の表面に配線をそれぞれ形成するためのレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンを利用して前記貫通孔の側壁面の対向面に偏向電極用金属膜を、この偏向電極用金属膜から前記シリコン基板の表面に延びる配線用金属膜をそれぞれ形成し、
前記レジストパターンを除去し、
前記偏向電極用金属膜及び前記配線用金属膜上にそれぞれ金属膜をめっきして前記偏向電極及び配線を形成する
ことを特徴とするマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法。 - 請求項1に記載のマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法において、アルカリ水溶液によるエッチング用いて平行四辺形状の貫通孔を形成する前に、小さい一次貫通孔をレーザー加工もしくは反応性イオンエッチング等により形成することを特徴とするマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法。
- 請求項1または2に記載のマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法において、前記レジストパターンを前記平行四辺形状の貫通孔の鋭角部分にのみ形成して、前記偏向電極用金属膜と共にシールド電極用金属膜を一緒に形成し、前記偏向電極用金属膜及び前記シールド電極用金属膜上にそれぞれ金属膜をめっきして偏向電極及びシールド電極を形成することを特徴とするマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法。
- 請求項1から3の何れかに記載のマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法において、前記貫通孔を鋭角の角度が54.7°である平行四辺形状に形成することを特徴とするマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法。
- シリコン基板に複数形成した貫通孔と、電子ビームを偏向するために前記貫通孔の側壁に形成した偏向電極と、前記偏向電極から前記シリコン基板表面に延びる配線とを備えるマルチ電子ビーム描画装置用デバイスにおいて、
貫通孔は、表裏面が{110}結晶方位のシリコン基板に、側壁面が{111}結晶方位となるように平行四辺形状で且つアスペクト比4以上に形成されており、
前記貫通孔と偏向電極との間及び前記シリコン基板の表面と前記配線との間にはそれぞれ絶縁膜が形成されており、
前記偏向電極は、前記絶縁膜の上に形成された偏向電極用金属膜上に金属膜をめっきして形成されたものである
ことを特徴とするマルチ電子ビーム描画装置用デバイス。 - 請求項5に記載のマルチ電子ビーム描画装置用デバイスにおいて、前記貫通孔は鋭角の角度が54.7°である平行四辺形状に形成されていることを特徴とするマルチ電子ビーム描画装置用デバイス。
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