TWI587350B - 多帶電粒子束描繪方法及多帶電粒子束描繪裝置 - Google Patents

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TWI587350B
TWI587350B TW103120337A TW103120337A TWI587350B TW I587350 B TWI587350 B TW I587350B TW 103120337 A TW103120337 A TW 103120337A TW 103120337 A TW103120337 A TW 103120337A TW I587350 B TWI587350 B TW I587350B
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Description

多帶電粒子束描繪方法及多帶電粒子束描繪裝置
本申請案，係以於2013年6月13向日本特許廳申請發明專利之日本發明專利申請案(日本發明專利申請案2013-124437)作為基礎而主張優先權的申請案。記載於該日本發明專利申請案的所有內容，係併入本申請案。
本發明，係有關於多帶電粒子束描繪方法及多帶電粒子束描繪裝置，例如有關於多射束描繪之情況下的多重描繪手法。
擔負半導體裝置的微細化之進展的責任之光刻技術係在半導體製程之中生成唯一圖案的極重要之程序。近年來，隨著LSI的高積體化，半導體裝置所要求的電路線寬係逐年不斷微細化。於此，電子束(電子束)描繪技術係本質上具有優異之解析度，正進行對於晶圓等使用 電子束而作描繪。
例如，存在採用多射束之描繪裝置。與以1個電子束作描繪之情況比較下，使用多射束使得可一次照射多個射束故可使處理量大幅提升。在該多射束方式的描繪裝置方面，係例如，使從電子槍所放出之電子束通過具有複數個孔的遮罩而形成多射束，分別被消隱(blanking)控制，未被遮蔽之各射束在光學系統被縮小，以偏向器作偏向而照射至樣品上的期望之位置(例如，參照發明專利公開2006-261342號公報)。
於此，在多射束描繪中，係對於各射束的照射量藉照射時間而個別作控制。為了高準確度對於該各射束的照射量作控制，係需要以高速執行進行射束的ON/OFF之消隱控制。歷來，在多射束方式的描繪裝置中，係在配置了多射束的各消隱電極之消隱板搭載了各射束用的消隱控制電路。然後，以非同步對於各射束作控制。例如，對於全射束的控制電路傳送射束ON之觸發訊號。各射束的控制電路係依觸發訊號而將射束ON電壓施加於電極，同時對於照射時間藉計數器而作計數，照射時間結束時施加射束OFF電壓。在該控制方面，係例如，以10位元的控制訊號而作控制。然而，在消隱板上之設置電路的空間或可使用之電流量有限，故針對控制訊號的資訊量不得不採取簡單之電路，難以內建可高速動作之消隱電路。再者，在消隱板搭載各射束用的消隱控制電路，使得對於窄化多射束之間距的情形亦造成限制。另一方 面，為了確保設置電路之空間，而將各射束的控制電路配置於描繪裝置本身之外，以配線作連接的情況下，配線會變長故存在串擾之問題變更顯著這樣的問題。
本發明的一態樣之多帶電粒子束描繪方法，係特徵在於：將一階調值轉換成預先設定之位數的2進制數之值，該階調值係將利用基於帶電粒子束之多射束而進行多重描繪時之照射於樣品的相同位置之1個或複數個對應射束的全描繪次數份之合計照射時間除以量子化單位者，以將該射束的全描繪次數份之照射步驟整體分割成相關位數次之分別設定成按經轉換之2進制數的位而對於相當於將該位之值以10進制數作定義之情況下的階調值乘上量子化單位之照射時間的位數次之照射步驟的各照射步驟或將該位數次之照射步驟之一部分進一步分割而成為多於位數次的複數次之照射步驟的各照射步驟，作為多重描繪的複數個描繪處理之任一照射步驟，而按多重描繪的描繪處理，而將符合該描繪處理的照射步驟之照射時間的射束照射於樣品。
本發明的其他態樣之多帶電粒子束描繪方法，係特徵在於：將對於利用基於帶電粒子束之多射束而進行組合了一邊將射束偏向區域的位置作偏移一邊進行之複數個第1描 繪處理、及按前述第1描繪處理不將前述射束偏向區域的位置作偏移而進行之複數個第2描繪處理的多重描繪時之照射於樣品的相同位置之1個或複數個對應射束的全描繪次數份之合計照射時間按複數個第1描繪處理而分配的照射時間除以量子化單位之階調值轉換成預先設定之位數的2進制數之值，以將該射束之複數個第2描繪處理份的照射步驟整體分割成該位數次之分別設定成按經轉換之2進制數的位而對於相當於將該位之值以10進制數作定義之情況下的階調值乘上量子化單位之照射時間的位數次之照射步驟的各照射步驟或將該位數次之照射步驟之一部分進一步分割而成為多於位數次的複數次之照射步驟的各照射步驟，作為複數個第2描繪處理之任一者的照射步驟，而按多重描繪的複數個第1描繪處理之第1描繪處理，且按複數個第2描繪處理的第2描繪處理，而將符合該描繪處理的照射步驟之照射時間的射束照射於樣品。
本發明的一態樣之多帶電粒子束描繪裝置，係特徵在於：具備：載置樣品之可連續移動的工作台；放出帶電粒子束之放出部；一孔徑構材，其係形成有複數個開口部，在包含複數個開口部整體之區域接收帶電粒子束的照射，帶電粒子束的一部分分別通過複數個開口部，從而形成多射束； 進行通過孔徑構材之複數個開口部的多射束之中分別對應的射束之消隱偏向的複數個消隱器；藉複數個消隱器而以成為射束OFF之狀態的方式對於經偏向之各射束作遮蔽的消隱孔徑構材；一轉換部，其係將對於利用多射束而進行多重描繪時之照射於樣品的相同位置之對應射束的全描繪次數份之合計照射時間除以量子化單位之階調值轉換成預先設定之位數的2進制數之值；以及一偏向控制部，其係以將該射束的全描繪次數份之照射步驟整體分割成相關位數次之分別設定成按經轉換之2進制數的位而對於相當於將該位之值以10進制數作定義之情況下的階調值乘上量子化單位之照射時間的位數次之照射步驟的各照射步驟或將該位數次之照射步驟之一部分進一步分割而成為多於位數次的複數次之照射步驟的各照射步驟，作為多重描繪的複數個描繪處理之任一照射步驟，按多重描繪的描繪處理，而以將符合該描繪處理的照射步驟之照射時間的射束照射於樣品的方式控制複數個消隱器所對應之消隱器。
20‧‧‧多射束
22‧‧‧孔
24、26‧‧‧電極
30‧‧‧描繪區域
32‧‧‧長條區域
40‧‧‧移位暫存器
41‧‧‧邏輯電路
42‧‧‧暫存器
44‧‧‧加算運算器
46‧‧‧放大器
48‧‧‧選擇器
50‧‧‧暫存器
52‧‧‧計數器
60‧‧‧面積密度算出部
62‧‧‧照射時間算出部
64‧‧‧階調值算出部
66‧‧‧位元轉換部
68‧‧‧傳輸處理部
72‧‧‧描繪控制部
73‧‧‧位元加工表作成部
74‧‧‧曝光表作成部
76‧‧‧描繪道次表作成部
80‧‧‧初始設定部
82‧‧‧基準照射時間運算部
84‧‧‧判定部
86‧‧‧增加照射時間數變更部
88‧‧‧分割部
90‧‧‧分配處理部
100‧‧‧描繪裝置
101、340‧‧‧樣品
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY工作台
110‧‧‧控制計算機
112‧‧‧記憶體
130‧‧‧偏向控制電路
132‧‧‧邏輯電路
139‧‧‧工作台位置測定部
140、142‧‧‧記憶裝置
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
200‧‧‧電子束
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧孔徑構材
204‧‧‧消隱板
205‧‧‧縮小透鏡
206‧‧‧限制孔徑構材
207‧‧‧接物鏡
208‧‧‧偏向器
210‧‧‧鏡
212‧‧‧偏向器
圖1，係針對在實施形態1下的描繪裝置之構成作繪示的概念圖。
圖2A與圖2B，係針對在實施形態1下的孔徑構材之 構成作繪示的概念圖。
圖3，係針對在實施形態1下的消隱板之構成作繪示的概念圖。
圖4，係針對在實施形態1下的消隱板之構成作繪示的上表面概念圖。
圖5，係針對在實施形態1下的個別消隱控制電路與共通消隱控制電路之內部構成作繪示的概念圖。
圖6，係供以針對在實施形態1下的描繪動作之一例作說明用的概念圖。
圖7，係針對在實施形態1下的描繪方法之主要程序作繪示的流程圖。
圖8，係針對在實施形態1下的表示在採取位數n=10之情況下的各位數與各位之照射時間的關係之位元加工表的一例作繪示之圖。
圖9，係針對在實施形態1下的經群組化之曝光表的一例作繪示之圖。
圖10，係針對在實施形態1之比較例下的描繪道次表之一例作繪示的圖。
圖11，係針對在實施形態1下的描繪道次表之一例作繪示的圖。
圖12A與圖12B，係針對在實施形態1下的位元加工表作成部與曝光表作成部之內部構成作繪示的圖。
圖13，係針對在實施形態1下的位元加工表、曝光表、描繪道次表之作成方法作繪示的流程圖。
圖14，係針對在實施形態1下之表示在採取位數n=10的情況下之分割後的各位數與各位之照射時間的關係之位元加工表的其他一例作繪示之圖。
圖15，係針對在實施形態1下的經群組化之曝光表的其他一例作繪示之圖。
圖16，係針對在實施形態1下的描繪道次表之其他一例作繪示的圖。
圖17，係針對在實施形態1下的與全描繪道次之中的1次之描繪道次的照射步驟相關之射束ON/OFF切換動作進行繪示的時序圖。
圖18，係供以說明在實施形態1下的消隱動作用之概念圖。
圖19A~圖19C，係供以針對在實施形態1下的長條內之描繪動作的一例作說明用之概念圖。
圖20A~圖20C，係供以針對在實施形態1下的長條內之描繪動作的一例作說明用之概念圖。
圖21A~圖21C，係供以針對在實施形態1下的長條內之描繪動作的其他一例作說明用之概念圖。
圖22A~圖22C，係供以針對在實施形態1下的長條內之描繪動作的其他一例作說明用之概念圖。
圖23，係供以針對在實施形態2下的描繪動作進行說明用之概念圖。
圖24，係針對在實施形態2下的僅y方向將位置作偏移而進行多重描繪之情況下的描繪道次表之一例作繪示 的圖。
圖25，係針對在實施形態2下的僅y方向將位置作偏移而進行多重描繪之情況下的描繪道次表之其他一例作繪示的圖。
圖26，係針對在實施形態3下的描繪裝置之構成作繪示的概念圖。
圖27，係針對在實施形態3下的個別消隱控制電路與共通消隱控制電路之內部構成作繪示的概念圖。
圖28，係供以針對在實施形態4下的邏輯電路與消隱板204之配置狀況作說明用的概念圖。
首先，檢討以下手法：按各射束的射擊，將每1射擊之照射時間轉換成2進制數，將每1射擊之射束的照射分割成組合了各位作為相當於將經轉換之2進制數的各位之值分別以10進制數作定義的情況下之照射時間之位數次的照射步驟，而進行照射。
另一方面，在多射束描繪中，係執行將抑制抗蝕層熱化等之影響所需的照射量分成複數次的描繪(曝光)而進行之多重描繪。在該多重描繪，係以長條單位或基板單位而重複描繪。按描繪處理，而進行該位數次的照射步驟之曝光時，存在多重描繪的道次數(描繪處理份)增加份。為此，要求進一步之改良。
以下，在實施形態中，係說明有關於一種描 繪裝置及方法，可於多重描繪，一邊維持電路設置空間的限制，將照射量控制之準確度予以提升，一邊減低資料傳輸量及照射步驟數。
以下，在實施形態中，係在帶電粒子束之一例方面，針對採用了電子束之構成作說明。但是，帶電粒子束，係非限定於電子束者，採用了離子束等之帶電粒子之射束亦無妨。
實施形態1
圖1，係針對在實施形態1下的描繪裝置之構成作繪示的概念圖。在圖1中，描繪裝置100，係具備：描繪部150與控制部160。描繪裝置100，係多帶電粒子束描繪裝置之一例。描繪部150，係具備：電子鏡筒102與描繪室103。在電子鏡筒102內，係配置：電子槍201、照明透鏡202、孔徑構材203、消隱板204、縮小透鏡205、偏向器212、限制孔徑構材206、接物鏡207、及偏向器208。在描繪室103內，係配置XY工作台105。在XY工作台105上，係配置在描繪時成為描繪對象基板之遮罩等的樣品101。在樣品101方面，係包含：製造半導體裝置時之曝光用遮罩、或製造半導體裝置的半導體基板(矽晶圓)等。此外，在樣品101方面，係包含：塗佈了抗蝕層之尚未作任何描繪的遮罩基底。在XY工作台105上，係進一步配置：XY工作台105的位置測定用之鏡210。
控制部160，係具有：控制計算機110、記憶體112、偏向控制電路130、邏輯電路132、工作台位置測定部139、及磁碟裝置等之記憶裝置140、142、144。控制計算機110、記憶體112、偏向控制電路130、工作台位置測定部139、及記憶裝置140、142、144，係透過不圖示之匯流排而互相連接。在記憶裝置140(記憶部)，係描繪資料從外部被輸入，被儲存。
在控制計算機110內，係配置：面積密度算出部60、照射時間算出部62、階調值算出部64、位元轉換部66、位元加工部70、描繪控制部72、位元加工表作成部73、曝光表作成部74、描繪道次表作成部76、及傳輸處理部68。面積密度算出部60、照射時間算出部62、階調值算出部64、位元轉換部66、位元加工部70、描繪控制部72、位元加工表作成部73、曝光表作成部74、描繪道次表作成部76、及傳輸處理部68等各功能，係能以電路等的硬體而構成，亦能以執行此等之功能的程式等之軟體而構成。或者，亦可藉硬體與軟體之組合而構成。輸出入於面積密度算出部60、照射時間算出部62、階調值算出部64、位元轉換部66、位元加工部70、描繪控制部72、位元加工表作成部73、曝光表作成部74、描繪道次表作成部76、及傳輸處理部68之資訊及運算中的資訊係每次儲存於記憶體112。
於此，在圖1中，係記載在針對實施形態1作說明方面必要之構成。對於描繪裝置100，一般而言， 具備必要之其他構成亦無妨。
圖2A與圖2B，係針對在實施形態1下的孔徑構材之構成作繪示的概念圖。在圖2A中，在孔徑構材203方面，係縱(y方向)m行×橫(x方向)n列(m、n≧2)的孔(開口部)22以既定的配列間距而形成為矩陣狀。在圖2A中，係例如，形成了512×8行的孔22。各孔22，係共同以相同的尺寸形狀之矩形而形成。或者，為相同的外徑之圓形亦無妨。於此，係繪示如下之例：針對y方向的各行，於x方向分別形成A~H的8個孔22。電子束200的一部分分別通過此等之複數個孔22，因而形成多射束20。於此，雖針對縱橫(x、y方向)共同配置2行以上的孔22之例作了繪示，惟並非限定於此者。例如，縱橫(x、y方向)任一方為複數行而另一方僅為1行亦無妨。此外，孔22之配列的做法，係如圖2A所示，並非限於縱橫配置成格子狀之情況者。如圖2B所示，例如，縱向(y方向)第1階之行、及第2階之行的孔彼此在橫向(x方向)偏差尺寸a而配置亦可。同樣，縱向(y方向)第2階之行、及第3階之行的孔彼此在橫向(x方向)偏差尺寸b而配置亦可。
圖3，係針對在實施形態1下的消隱板之構成作繪示的概念圖。
圖4，係針對在實施形態1下的消隱板之構成作繪示的上表面概念圖。
在消隱板204係配合孔徑構材203的各孔22之配置位置而形成通過孔，在各通過孔，係分別配置成對的2個 電極24、26之組(消隱器：消隱偏向器)。在各射束用之2個電極24、26中的一方(例如，電極24)，係分別配置施加電壓之放大器46。然後，在各射束用的放大器46，係分別獨立配置邏輯電路41。各射束用之2個電極24、26中的另一方(例如，電極26)，係作接地。通過各通過孔的電子束20，係分別藉施加於獨立之成對的2個電極24、26之電壓而被偏向。藉該偏向而被消隱控制。如此，複數個消隱器進行通過孔徑構材203之複數個孔22(開口部)的多射束之中分別對應的射束之消隱偏向。
圖5，係針對在實施形態1下的個別消隱控制電路與共通消隱控制電路之內部構成作繪示的概念圖。在圖5中，在配置於描繪裝置100本身內之消隱板204的個別消隱控制用之各邏輯電路41，係配置：移位暫存器40、暫存器42、選擇器48、及AND運算器44(邏輯與運算器)。另外，關於AND運算器44，係省略亦無妨。在實施形態1，係對於歷來例如被藉10位元的控制訊號而控制之各射束用的個別消隱控制，藉例如2位元之控制訊號而作控制。亦即，在移位暫存器40、暫存器42、選擇器48、及AND運算器44，係被輸出入例如2位元的控制訊號。控制訊號的資訊量為少，使得可縮小控制電路之設置面積。換言之，即使在設置空間為窄之消隱板204上配置邏輯電路的情況下，仍能以更小之射束間距配置更多的射束。此係可將透過消隱板之電流量予以增加，亦即可提升描繪處理量。
此外，在共通消隱用的偏向器212係配置了放大器，在邏輯電路132係配置了暫存器50、及計數器52。此等係並非同時進行複數個不同的控制，而是運用進行ON/OFF控制之1電路即可，故即使在配置供以予以高速響應用之電路的情況下亦不會發生設置空間、電路之使用電流的限制之問題。所以此放大器以比可實現於消隱孔徑上之放大器還格外高速而動作。此放大器係例如，藉10位元的控制訊號而作控制。亦即，在暫存器50、及計數器52，係被輸出入例如10位元的控制訊號。
在實施形態1，係運用以下兩者而進行各射束的消隱控制：藉上述之個別消隱控制用的各邏輯電路41而進行之射束ON/OFF控制；及藉總結多射束整體而作消隱控制之共通消隱控制用的邏輯電路132而進行之射束ON/OFF控制。
圖6，係供以針對在實施形態1下的描繪動作之一例作說明用的概念圖。如圖6所示，樣品101的描繪區域30，係例如，朝向y方向以既定的寬度假想分割成長條狀之複數個長條區域32。該各長條區域32，係成為描繪單位區域。首先，使XY工作台105移動，調整成能以一次的多射束20之照射而照射的照射區域位於第1個長條區域32之左端、或更左側的位置，開始描繪。在描繪第1個長條區域32時，係將XY工作台105予以移動於例如-x方向，從而相對上往x方向進行描繪。XY工作台105係以既定的速度而予以例如連續移動。多重描繪的 第1道次(第1次的描繪處理)之情況下的第1個長條區域32之描繪結束後，再度返回第1個長條區域32之左端，進行多重描繪的第2道次(第2次的描繪處理)之情況下的第1個長條區域32之描繪。同樣，多重描繪的道次數份重複第1個長條區域32之描繪。全道次數份的第1個長條區域32之描繪結束後，將工作台位置予以移動於-y方向，而調整成照射區域相對在y方向上位於第2個長條區域32的右端、或更右側的位置，下次係將XY工作台105予以移動於例如x方向，從而朝向-x方向以同樣方式進行描繪。多重描繪的第1道次(第1次的描繪處理)之情況下的第2個長條區域32之描繪結束後，再度返回第2個長條區域32之右端，進行多重描繪的第2道次(第2次的描繪處理)之情況下的第2個長條區域32之描繪。同樣，多重描繪的道次數份重複第2個長條區域32之描繪。全道次數份的第2個長條區域32之描繪結束後，將工作台位置予以移動於-y方向，而調整成照射區域相對在y方向上位於第3個長條區域32的左端、或更左側的位置。然後，下次係將XY工作台105予以移動於例如-x方向，從而朝向x方向以同樣方式進行第3個長條區域32的描繪。然後，多重描繪的道次數份重複第3個長條區域32之描繪。全道次數份的第3個長條區域32之描繪結束後，在第4個長條區域32，係朝向-x方向作描繪，以這樣的方式，一邊交互改變方向一邊作描繪因而可縮短描繪時間。但是，不限於該一邊交互改變方向一邊描繪之情 況，採取在描繪各長條區域32時朝向相同的方向而進行描繪亦無妨。在1次的射擊，係藉通過孔徑構材203的各孔22從而形成之多射束，一次形成與各孔22同數之複數個射擊圖案。
在圖6中，係說明了以長條區域32為單位而重複描繪處理的多重描繪之例，惟並非限定於此者。為以樣品101(基板)為單位而重複描繪處理之多重描繪的手法亦無妨。或者，為以長條區域32內之既定區域為單位而重複描繪處理之多重描繪的手法亦無妨。在既定區域方面，例如，亦可採用能以多射束一次照射之x方向寬度下將長條區域32內作分割之區域。
圖7，係針對在實施形態1下的描繪方法之主要程序作繪示的流程圖。在圖7中，在實施形態1下的描繪方法，係實施以下一連串的程序：圖案面積密度算出程序(S102)、全射擊時間(合計照射時間)T算出程序(S104)、階調值N算出程序(S106)、2進制數轉換程序(S108)、照射時間配列資料加工程序(S109)、照射時間配列資料輸出程序(S110)、對象描繪道次資料傳輸程序(S112)、對象描繪道次的描繪程序(S114)、判定程序(S120)、描繪道次變更程序(S122)等。對象描繪道次的描繪程序(S114)，係在其內部程序方面，實施：個別射束ON/OFF切換程序(S116)、共通射束ON/OFF切換程序(S118)等一連串的程序。在實施形態1中，判定程序(S124)亦可省略。關於判定程序(S124)係在實施形態2中作說明。
在圖案面積密度算出程序(S102)方面，面積密度算出部60從記憶裝置140讀取描繪資料，算出樣品101的描繪區域、或被描繪之晶片區域被假想分割成網狀的複數個網格區域之按網格區域配置於其內部的圖案之面積密度。例如，首先，將樣品101的描繪區域、或被描繪之晶片區域以既定的寬度分割成短冊上的長條區域。然後，將各長條區域假想分割成上述之複數個網格區域。網格區域的尺寸，係適合為例如射束尺寸、或其以下的尺寸。例如，適合為採取10nm程度的尺寸。面積密度算出部60，係例如，按長條區域從記憶裝置140讀取對應之描繪資料，將定義於描繪資料內之複數個圖形圖案分成網格區域。然後，算出配置於各網格區域之圖形圖案的面積密度即可。
在合計射擊時間(合計照射時間)T算出程序(S104)方面，照射時間算出部62，係按既定的尺寸之網格區域，算出利用基於電子束之多射束而進行多重描繪時之對於樣品101的相同位置作照射之對應射束的全道次(全描繪次數)份之合計照射時間T(射擊時間，或亦稱作曝光時間。以下，相同)。對應射束，係可為多射束的特定之1個，亦可為複數個。複數個之情況下，變成複數個射束分別在不同的時刻，對於樣品上之相同地方作曝光。成為基準之合計照射時間T，係比例於經算出之圖案的面積密度而求出較佳。此外，最終所算出之合計照射時間T，係採取與對於與不圖示之鄰近效應、霧化效應、負載效應等之 引起尺寸變動的現象有關之尺寸變動份依照射量而修正之修正後的照射量相當之時間較佳。定義合計照射時間T之複數個網格區域與定義了圖案的面積密度脂複數個網格區域可為相同尺寸，以不同的尺寸而構成亦無妨。在以不同的尺寸而構成之情況下，係依線形插值等而對於面積密度作插值後，求出各合計照射時間T即可。各網格區域的合計照射時間T，係定義於合計照射時間圖(map)，合計照射時間圖經儲存於例如記憶裝置142。
在階調值N算出程序(S106)方面，階調值算出部64，係算出對於定義於合計照射時間圖之按網格區域的合計照射時間T利用既定的量子化單位△而定義時之整數的階調值N。合計照射時間T，係被以下式(1)定義。
(1)T=△N
因此，階調值N，係定義為將照射時間T除以量子化單位△之整數的值。量子化單位△，係可設定為各式各樣，例如，能以1ns(奈秒)等作定義。量子化單位△，係採用例如1~10ns之值較佳。△，係表示以計數器作控制之情況下的時鐘週期等控制上的量子化單位。
在2進制數轉換程序(S108)方面，位元轉換部66，係按射擊位置，將對於利用多射束而進行多重描繪時之照射於樣品101的相同位置之對應射束的全描繪次數份之合計照射時間除以量子化單位△之階調值N轉 換成預先設定之位數n的2進制數之值。例如，N=50時，50=21+24+25，故例如轉換成10位的2進制數之值時成為「0000110010」。例如，N=500時同樣，成為「0111110100」。例如，N=700時同樣，成為「1010111100」。例如，N=1023時同樣，成為「1111111111」。藉此，合計照射時間T，係被以下式(2)定義。
ak，係表示對於階調值N以2進制數作了定義之情況下的各位之值(1或0)。位數n，係2位以上即可，較佳係4位以上，更佳係8位以上較佳。
在實施形態1，係將該射束的全描繪次數份之照射步驟整體，分割成分別設定成按經轉換之2進制數的位而對於相當於將該位之值以10進制數作定義之情況下的階調值乘上量子化單位之照射時間的位數n次之照射步驟。換言之，將多重描繪之全道次的照射步驟整體，分割成△a020、△a121、…△ak2k、…△an-12n-1各照射時間的複數個照射步驟。採取位數n=10之情況下，全道次的照射步驟整體，係分割成10次的照射步驟。
圖8，係針對在實施形態1下的表示在採取位數n=10之情況下的各位數與各位之照射時間的關係之位元加工表的一例作繪示之圖。在圖8中，第1位(k=0)(第1位元)之照射時間係△、第2位(k=1)(第2位元)之照射時 間係2△、第3位(k=2)(第3位元)之照射時間係4△、第4位(k=3)(第4位元)之照射時間係8△、…、第10位(k=9)(第10位元)之照射時間係成為512△。
例如，採取位數n=10之情況下，N=700時，第10位(第10位元)之照射時間成為△×512。第9位(第9位元)之照射時間成為△×0=0。第8位(第8位元)之照射時間成為△×128。第7位(第7位元)之照射時間成為△×0=0。第6位(第6位元)之照射時間成為△×32。第5位(第5位元)之照射時間成為△×16。第4位(第4位元)之照射時間成為△×816。第3位(第3位元)之照射時間成為△×4。第2位(第2位元)之照射時間成為△×0=0。第1位(第1位元)之照射時間成為△×0=0。此等之合計時間係700△。
然後，例如從位數大之方依序作照射之情況下，採取例如△=1ns時，第1次的照射步驟成為512ns(射束ON)的照射。第2次的照射步驟成為0ns(射束OFF)的照射。第3次的照射步驟成為128ns(射束ON)的照射。第4次的照射步驟成為0ns(射束OFF)的照射。第5次的照射步驟成為32ns(射束ON)的照射。第6次的照射步驟成為16ns(射束ON)的照射。第7次的照射步驟成為8ns(射束ON)的照射。第8次的照射步驟成為4ns(射束ON)的照射。第9次的照射步驟成為0ns(射束OFF)的照射。第10次的照射步驟成為0ns(射束OFF)的照射。
在實施形態1，係將該n次的照射步驟分配成 經設定之道次數的道次之任一者。
圖9，係針對在實施形態1下的經群組化之曝光表的一例作繪示之圖。在圖9中，係如同圖8，繪示n=10之情況。在圖9之例中，係以經群組化之照射時間的合計間之差更接近均勻的方式，在曝光程序1方面，圖8之位元加工表的第1位(k=0)(第1位元)與第10位(k=9)(第10位元)構成群組1。在曝光程序2方面，以第2位(k=1)(第2位元)與第9位(k=8)(第9位元)構成群組2。在曝光程序3方面，以第3位(k=2)(第3位元)與第8位(k=7)(第8位元)構成群組3。在曝光程序4方面，以第4位(k=3)(第4位元)與第7位(k=6)(第7位元)構成群組4。在曝光程序5方面，以第5位(k=4)(第5位元)與第6位(k=5)(第6位元)構成群組5。
圖10，係針對在實施形態1之比較例下的描繪道次表之一例作繪示的圖。在圖10中，係如同圖8、9，繪示n=10之情況。在圖10中，係針對並非將多重描繪的全道次份而是將各道次的照射時間分別分割成示於圖8之n次的照射步驟並進行示於圖9之群組化的情況作繪示。在圖10之比較例，係變成：按多重描繪的道次，每次實施曝光程序1~5之n次的照射步驟。為此，變成照射步驟數與其所帶來之各照射步驟的資料傳輸量依道次數而增加。
圖11，係針對在實施形態1下的描繪道次表之一例作繪示的圖。在圖11中，係如同圖8、9，繪示 n=10之情況。在實施形態1，係將多重描繪的全道次份之照射時間分割成示於圖8之n次的照射步驟，故將示於圖9之各曝光程序分配成多重描繪的各描繪道次之任一者即可。在圖11之例中，係在成為第1道次(第1次的描繪處理)之描繪道次1方面，分配曝光程序1的各位。在成為第2道次(第2次的描繪處理)之描繪道次2方面，分配曝光程序2的各位。在成為第3道次(第3次的描繪處理)之描繪道次3方面，分配曝光程序3的各位。在成為第4道次(第4次的描繪處理)之描繪道次4方面，分配曝光程序4、5的各位。藉此，即使多重描繪之情況下的道次數(多重度)增加，仍可防止其所帶來之照射步驟數的增加與各照射步驟之資料傳輸量的增加。在實施形態1，係亦可構成為在多重描繪的各描繪處理之1者與其他的至少一者之間所實施的照射步驟數不同。在圖11之描繪道次表，係相較於示於圖10之比較例，可使資料傳輸量、使用於資料傳輸之移位暫存器的時鐘為1/4。
於此，如圖11所示，相對於在描繪道次1所示之描繪道次的照射時間之合計為513△，在描繪道次4所示之描繪道次的照射時間之合計成為120△。如此，在描繪道次間，於曝光時間(照射時間)之合計存在4倍以上的差距。在短曝光時間(照射時間)之描繪道次，係相較於長曝光時間(照射時間)之描繪道次，需要在進行工作台連續移動描繪時，加速工作台速度、或設置使工作台速度為相同而不進行曝光之空耗時間。此外，在長曝光時間(照 射時間)之描繪道次，係相較於短曝光時間(照射時間)之描繪道次，抗蝕層熱化所造成之影響會增大。所以，在使該曝光時間的合計差為更小之情況下係如以下實施位元加工較佳。
圖12A與圖12B，係針對在實施形態1下的位元加工表作成部與曝光表作成部之內部構成作繪示的圖。在圖12A中，於位元加工表作成部73內，係配置了初始設定部80、基準照射時間T’運算部82、判定部84、增加照射時間數a變更部86、分割部88。在圖12B中，於曝光表作成部74內，係配置了分配處理部90。初始設定部80、基準照射時間T’運算部82、判定部84、增加照射時間數a變更部86、分割部88、及分配處理部90如此之各功能，係能以電路等的硬體而構成，亦能以執行此等之功能的程式等之軟體而構成。或者，亦可藉硬體與軟體之組合而構成。輸出入於初始設定部80、基準照射時間T’運算部82、判定部84、增加照射時間數a變更部86、分割部88、及分配處理部90之資訊及運算中的資訊係每次儲存於記憶體112。
圖13，係針對在實施形態1下的位元加工表、曝光表、描繪道次表之作成方法作繪示的流程圖。在圖13中，位元加工表、曝光表及描繪道次表之作成方法，係實施初始設定程序(S20)、基準照射時間T’運算程序(S22)、判定程序(S24)、增加照射時間數a變更程序(S26)、分割程序(S30)、群組化處理程序(S32)、描繪道次 表作成程序(S34)等一連串的程序。
位元加工表作成部73，係全道次份的合計照射時間被以對於相當於將位數n之2進制數的各位之值分別以10進制數而定義之情況下的階調值乘上△之照射時間的形式而分割成位數n個之複數個照射時間(第1照射時間)，該複數個照射時間的一部分之b個的照射時間被進一步分割成複數個照射時間(第2照射時間)，利用被分割之(a+b)個的複數個照射時間(第2照射時間)與未被分割之剩餘的(n-b)個之複數個照射時間(第1照射時間)，而作成顯示位元資料之位值k、對應於其之照射時間的關係之位元加工表。
在初始設定程序(S20)方面，初始設定部80，係針對從位數n個之複數個照射時間所增加的照射時間之個數a(增加照射時間數a)與多重描繪的多重度(道次數)N，而設定初始值。例如，在示於圖8之列表中，係分割成k=0~9之位數10個的照射時間。然後，該照射時間之中，例如分割2個照射時間，而例如作成4個照射時間之情況下，係該2個照射時間成為4個照射時間，故位數10個的照射時間成為合計12個之照射時間，增加照射時間數a=2。例如，分割2個照射時間，而例如作成6個照射時間之情況下，係該2個照射時間成為6個照射時間，故位數10個的照射時間成為合計14個之照射時間，增加照射時間數a=4。於此，係例如，採取a=2。
在基準照射時間T’運算程序(S22)方面，基準 照射時間T’運算部82，係利用位數n、多重度N(道次數N)、量子化單位△，解以下的式(3)，而運算基準照射時間T’。
例如，在n=10、N=4之例中，係基準照射時間T’=255.8△(=1023△/4)。接著，判定所運算之基準照射時間T’是否妥當。
在判定程序(S24)方面，判定部84，係利用增加照射時間個數a、位數n個之複數個照射步驟的照射時間(第1照射時間)之中的2進制數之第i位的照射時間Ti(第1照射時間)、位數n個的複數個照射步驟之照射時間(第1照射時間)之中成為分割對象的照射時間之一部分的照射時間之個數b，而判定經運算之基準照射時間T’是否滿足以下的式(4)。
例如，在上述之n=10、a=2、基準照射時間T’=255.8△的例中，係圖9的位元表之中超過255.8△之照射時間Ti係256△與512△之2個。在實施形態1，係將超過該基準照射時間T’的照射時間當作分割對象。因此，位數n個之複數個照射步驟的照射時間(第1照射時間)之中成為分割對象之一部分的照射步驟之照射時間(第 2照射時間)的個數b，係求為b=2。因此，式(4)之右邊=(256+512)/(2+2)=192，得知滿足式(4)。在經運算之基準照射時間T’未滿足以下的式(4)之情況下，係進至增加照射時間數a變更程序(S26)。
在增加照射時間數a變更程序(S26)方面，增加照射時間數a變更部86，係變更增加照射時間數a。然後，返回基準照射時間T’運算程序(S22)。然後，在判定程序(S24)中，直到經運算之基準照射時間T’滿足式(4)，重複基準照射時間T’運算程序(S22)~增加照射時間數a變更程序(S26)之各程序。
採取以上方式，求出基準照射時間T’、成為該時的分割對象之照射時間的個數b、增加照射時間數a。在判定程序(S24)中，經運算之基準照射時間T’滿足式(4)之情況下，係進至分割程序(S30)。
在分割程序(S30)方面，分割部88，係位數n個的複數個照射時間(第1照射時間)之中將大於基準照射時間T’之個數b個的照射時間Ti(第2照射時間)以照射時間的個數比複數個照射時間(第1照射時間)僅增加個數a的方式而分割成複數個照射時間(第3照射時間)。具體而言，例如，在上述之n=10、a=2、b=2、及T’=255.8△之例，照射時間Ti係256△與512△之2個。因此，將2個的256△與512△分割成4個(a+b)之照射時間。
圖14，係針對在實施形態1下之表示在採取位數n=10的情況下之分割後的各位數與各位之照射時間 的關係之位元加工表的其他一例作繪示之圖。在圖14中，第1位(k=0)(第1位元)至第8位(k=7)(第8位元)之照射時間，係如同圖8。在圖14中，係將第9位(k=8)(第9位元)分割成k=8a與8b，而使各自的照射時間為128△。然後，將第10位(k=9)(第10位元)分割成k=9a與9b，而使各自的照射時間為256△。如此作成合計12個(n+a個)之照射時間的組合。
採取以上方式，位元加工表作成部73係作成供以生成對於每1射擊之照射時間作定義的(n+a)位之2進制數資料用的位元加工表。如上而作成的該位元加工表，係儲存於記憶裝置144。另外，分割後之照射時間的ON/OFF資料，係構成為接辦分割前之照射時間的ON/OFF資料。亦即，例如，第10位(第10位元)之照射時間的ON/OFF資料為ON時，經分割之k=9a與9b之照射時間的ON/OFF資料亦採取ON。第9位(第9位元)之照射時間的ON/OFF資料為ON時，經分割之k=8a、8b之照射時間的ON/OFF資料亦採取ON。藉此，即使分割，每1射擊之照射時間的合計仍可作成相同。另外，位元加工表，係在開始描繪處理前預先作成。
根據以上，將位數n個的複數個照射時間重新生成(n+a個)之複數個照射時間。換言之，將1射擊從n個的複數個照射步驟重新分割成(n+a個)之複數個照射步驟。
接著，曝光表作成部74，係將經作成之位元 加工表的各照射時間分配成藉至少2個照射時間的組合而構成之複數個群組(照射時間群)的任一者，作成經群組化之曝光表。
在群組化處理程序(S32)方面，分配處理部90係按各射束的射擊，將該射束的照射時間被以相當於將經轉換之2進制數的各位之值分別以10進制數而定義之情況下的照射時間之形式而分割成位數n個的複數個照射時間(第1照射時間)且複數個照射時間(第1照射時間)之一部分的照射時間(第2照射時間)被進一步分割成複數個照射時間(第3照射時間)之複數個照射時間(第3照射時間)與未被分割之剩餘的複數個照射時間(第1照射時間)，分配成藉至少2個照射時間的組合而構成之複數個照射時間群(群組)的任一者。具體而言，分配如下。將經分割之複數個照射時間(第3照射時間)與未經分割之剩餘的複數個照射時間(第1照射時間)分配成複數個群組之任一者。於此，分配處理部90係以對於從較小(短)之照射時間側1個、從較大(長)之照射時間側1個依序作組合的方式分配成複數個群組之任一者。如此，針對將位數n次的照射步驟或位數n次的照射步驟之一部分進一步作分割而變成多於位數n次之複數次的照射步驟，分配處理部90係對於複數個照射步驟作群組化而設定複數個群組。
圖15，係針對在實施形態1下的經群組化之曝光表的其他一例作繪示之圖。在圖15中，係如同圖14，繪示照射時間(曝光時間)被分割成個數12個之情 況。在圖15之例中，係在曝光程序1方面，以圖14之位元加工表的第1位(k=0)(第1位元)與是第10位(第10位元)之分割(k=9b)的第12位(第12位元)構成群組1。在曝光程序2方面，以第2位(k=1)(第2位元)與是第10位(第10位元)之分割(k=9a)的第11位(第11位元)構成群組2。在曝光程序3方面，以第3位(k=2)(第3位元)與是第9位(第9位元)之分割(k=8b)的第10位(第10位元)構成群組3。在曝光程序4方面，以第4位(k=3)(第4位元)與是第9位(第9位元)之分割(k=8a)的第9位(第9位元)構成群組4。在曝光程序5方面，以第5位(k=4)(第5位元)與第8位(k=7)(第8位元)構成群組5。在曝光程序6方面，以第6位(k=5)(第6位元)與第7位(k=6)(第7位元)構成群組6。
如以上方式而作成之經群組化的曝光表，係儲存於記憶裝置144。另外，曝光表，係在開始描繪處理前預先作成。
在描繪道次表作成程序(S34)方面，描繪道次表作成部76係將經群組化之各群組分配成多重度N的描繪道次(描繪處理)之任一者。具體而言，分配如下。描繪道次表作成部76，係以更接近經運算之基準照射時間T’的方式，而將各群組分配成多重度N個的描繪道次(描繪處理)之任一者。於此，係針對將位數n次的照射步驟或位數n次的照射步驟之一部分進一步作分割而變成多於位數n次之複數次的照射步驟，對於複數個照射步驟作群組 化而設定複數個群組，以群組單位分配成複數個描繪道次(描繪處理)。
圖16，係針對在實施形態1下的描繪道次表之其他一例作繪示的圖。在圖16中，係如同圖14、15，繪示n=10之情況。在實施形態1，係將多重描繪的全道次份之照射時間分割成示於圖14之n+a次的照射步驟，故將示於圖15之各曝光程序(各群組)分配成多重描繪的各描繪道次之任一者即可。在圖16之例中，係在成為第1道次(第1次的描繪處理)之描繪道次1方面，分配曝光程序1的各位。在成為第2道次(第2次的描繪處理)之描繪道次2方面，分配曝光程序2的各位。在成為第3道次(第3次的描繪處理)之描繪道次3方面，分配曝光程序3、4的各位。在成為第4道次(第4次的描繪處理)之描繪道次4方面，分配曝光程序5、6的各位。藉此，相較於示於圖11之描繪道次表，可使各道次的情況下之照射時間的合計(總曝光時間之最大值)更接近均勻之值。在實施形態1，係亦可構成為在多重描繪的各描繪處理之1者與其他的至少一者之間所實施的照射步驟數不同。
於此，如圖16所示，相對於在描繪道次3所示之描繪道次的照射時間之合計為268△，在描繪道次4所示之描繪道次的照射時間之合計成為210△。如此，在描繪道次間，可將曝光時間(照射時間)之合計抑制成不足1倍的差距。如以上縮小在描繪道次間之曝光時間(照射時間)的合計差，係變成加長是最小曝光時間(照射時間)之描 繪道次的曝光時間(照射時間)可降低工作台速度。其結果，提升描繪準確度。在不按描繪道次而改變工作台速度之情況下，可不進行曝光之空耗時間變小而抑制處理量的劣化，同時迴避在曝光時間短之道次提升移位暫存器的動作速度。再者，縮小在描繪道次間之曝光時間(照射時間)的合計差，係變成縮小是最大曝光時間(照射時間)之描繪道次的曝光時間(照射時間)，可減低或回避因抗蝕層熱化所造成之尺寸變動現象。
依以上方式而作成之描繪道次表，係儲存於記憶裝置144。另外，描繪道次表，係在開始描繪處理前預先作成。在上述之例中，係在描繪裝置100內，作成描繪道次表惟非限於此者。只要將每1射擊之照射時間轉換成2進制數資料時之位數n及多重度N被預先設定，亦可預先設定描繪道次表本身。因此，預先在外部作成描繪道次表，輸入至描繪裝置100內而儲存於記憶裝置144亦可。換言之，將以圖1及圖12A與圖12B所示之位元加工表作成部73、曝光表作成部74、及描繪道次表作成部76作為外部裝置亦可。
在照射時間配列資料加工程序(S109)中，位元加工部70係參照儲存於記憶裝置144之位元加工表，而將在2進制數轉換程序(S108)經轉換之位數n的2進制數資料轉換成(n+a)位之2進制數資料。例如，圖14之位元加工表的情況下，將10位的2進制數資料轉換成12位之2進制數資料。例如，N=50時，將10位的「0000110010」 轉換成12位的「000000110010」。例如，N=500時，同樣，將10位的「0111110100」轉換成12位的「001111110100」。於此10位的2進制數資料之第9位為「1」，第10位為「0」，故加工後的12位之值的第9、10位(8a、8b)成為「1」，第11-12位(9a、9b)成為0。例如，N=700時，同樣，將10位的「1010111100」轉換成12位的「110010111100」。例如，N=1023時，同樣，將10位的「1111111111」轉換成12位的「111111111111」。
在照射時間配列資料輸出程序(S110)方面，傳輸處理部68係按各射束的射擊，而將經轉換成(n+a)位的2進制數資料之照射時間配列資料輸出至偏向控制電路130。此情況下，傳輸處理部68，係參照儲存於記憶裝置144之描繪道次表，按描繪道次(描繪處理)，而將對應之照射時間配列資料輸出至偏向控制電路130。
在對象描繪道次的資料傳輸程序(S112)方面，偏向控制電路130係按射擊，而對於各射束用的邏輯電路41輸出成為對象之描繪道次的照射時間配列資料。此外，與此同步，偏向控制電路130係對於共通消隱用之邏輯電路132輸出各照射步驟之時序資料。
在實施形態1，係如圖5所示，在邏輯電路41使用移位暫存器40，故資料傳輸時，偏向控制電路130係將構成相同的描繪道次之各位元的資料依射束之配列順序(或識別號碼順序)而資料傳輸至消隱板204的各邏輯電路41。此外，輸出同步用的時鐘訊號(CLK1)、資料 讀出用的讀訊號(read)、及加算器訊號(BLK)。例如，在各描繪道次中照射於相同的位置之射束1的構成第k描繪道次之第k1位元(第k1位)與第k2位元(第k2位)之資料方面，採取2位元之「11」。在各描繪道次中照射於相同的位置之射束2的構成第k描繪道次之第k1位元(第k1位)與第k2位元(第k2位)之資料方面，採取2位元之「11」。在射束3之構成第k描繪道次的第k1位元(第k1位)與第k2位元(第k2位)之資料方面，採取2位元之「00」。在射束4之構成第k描繪道次的第k1位元(第k1位)與第k2位元(第k2位)之資料方面，採取2位元之「11」。在射束5之構成第k描繪道次的第k1位元(第k1位)與第k2位元(第k2位)之資料方面，採取2位元之「00」。偏向控制電路130，係從之後的射束側傳輸「0011001111」之各2位元資料。各射束的移位暫存器40，係依時鐘訊號(CLK1)，而從上位側依序將資料每2位元傳輸至下個移位暫存器40。例如，射束1~5之第k描繪道次的資料，係依5次的時鐘訊號，而於射束1的移位暫存器40係儲存是2位元資料之「11」。於射束2的移位暫存器40係儲存是2位元資料之「11」。於射束3的移位暫存器40係儲存是2位元資料之「00」。於射束4的移位暫存器40係儲存是2位元資料之「11」。於射束5的移位暫存器40係儲存是2位元資料之「00」。
接著，各射束的暫存器42輸入讀訊號(read)時，各射束的暫存器42從移位暫存器40讀進各射束之第 k描繪道次的資料。在上述之例中，係在第k描繪道次的資料方面，於射束1的暫存器42係儲存是2位元資料之「11」。在第k描繪道次的資料方面，於射束2的暫存器42係儲存是2位元資料之「11」。在第k描繪道次的資料方面，於射束3的暫存器42係儲存是2位元資料之「00」。在第k描繪道次的資料方面，於射束4的暫存器42係儲存是2位元資料之「11」。在第k描繪道次的資料方面，於射束5的暫存器42係儲存是2位元資料之「00」。各射束的個別暫存器42，係輸入第k描繪道次的資料時，依該資料，而將ON/OFF訊號透過選擇器48輸出至AND運算器44。第k描繪道次的資料為「11」時一起輸出ON訊號，「00」時一起輸出OFF訊號即可。第k描繪道次的資料為「10」時以ON訊號與OFF訊號之順序輸出，「01」時以OFF訊號與ON訊號之順序輸出即可。在實施形態1，係2位元訊號，故個別暫存器42的輸出，係依選擇器48之切換，而從第k1位元(第k1位)的輸出切換成第k2位元(第k2位)之輸出。選擇器48，係輸入選擇訊號(select)時從2位元訊號的一方切換成另一方。然後，在AND運算器44，係BLK訊號為ON訊號、暫存器42之訊號為ON時，對於放大器46輸出ON訊號，放大器46係將ON電壓施加於個別消隱偏向器之電極24。除此之外，AND運算器44係對於放大器46輸出OFF訊號，放大器46係將OFF電壓施加於個別消隱偏向器之電極24。
另外，如示於圖16之描繪道次3、4，在藉複數個群組而構成之情況下，係在第k描繪道次的最初之群組的2位元資料被處理之期間，偏向控制電路130係將第k描繪道次的下個群組之2位元資料依射束的配列順序(或識別號碼順序)而資料傳輸至消隱板204之各邏輯電路41即可。
於此，有關於示於圖5之AND運算器44，係省略亦無妨。但是，邏輯電路41內之各元件的任一者故障，而陷入無法作成射束OFF之狀態的情況等下，配置AND運算器44使得在可將射束控制成OFF方面具有效果。
在對象描繪道次的描繪程序(S114)方面，實施按各射束的射擊而分割成依複數個描繪道次之複數個照射步驟的照射之中對象描繪道次的各照射步驟之照射時間的描繪。
圖17，係針對在實施形態1下的與全描繪道次之中的1次之描繪道次的照射步驟相關之射束ON/OFF切換動作進行繪示的時序圖。在圖17中，係例如，構成多射束的複數個射束之中針對1個射束(射束1)作繪示。於此，係例如，針對照射於相同之位置的多重描繪之中照射第k描繪道次之射束1的由第k1位元(第k1位)與第k2位元(第k2位)所構成之最初的群組(第1群組)至由第k3位元(第k3位)與第k4位元(第k4位)所構成之下個群組(第2群組)的照射步驟作繪示。例如，如示於圖16之描繪道次 3、4，為藉複數個群組而構成之情況。在如示於圖16之描繪道次1、2藉1個群組而構成之情況下，係無上述之下個群組(第2群組)不言而喻。
照射時間配列資料，係例如，第k1位元(第k1位)為「1」、第k2位元(第k2位)為「1」、第k3位元(第k3位)為「0」、顯示第k4位元(第k4位)為「1」之情況。
首先，依藉第k1位元(第k1位)與第k2位元(第k2位)而構成之第k描繪道次的最初之群組(第1群組)的讀訊號之輸入，個別暫存器42(個別暫存器訊號1及個別暫存器訊號2)係依所儲存之第k1位元(第k1位)與第k2位元(第k2位)之資料(2位元)而輸出ON/OFF訊號。在實施形態1，係2位元訊號故需要選擇訊號而作切換。在圖17中，係首先，在選擇器48選擇個別暫存器1之資料，第k1位元(第k1位)的ON訊號被輸出至個別放大器。接著，個別暫存器42的輸出，係依選擇器48之切換，而選擇個別暫存器訊號2的資料，從第k1位元(第k1位)的輸出切換成第k2位元(第k2位)之輸出。以下，按照射步驟依序重複此切換。
第k1位元(第k1位)的資料為ON資料，故個別放大器46(個別放大器1)係輸出ON電壓，對於射束1用的消隱電極24施加ON電壓。另一方面，在共通消隱用之邏輯電路132內，係依(n+a)位元(例如12位元)的各照射步驟之時序資料，而切換ON/OFF。在共通消隱機構，係輸出ON訊號僅各群組的各照射步驟之照射時間。 例如，採取△=1ns時，第k描繪道次的最初之群組(第1群組)的第1次之照射步驟(例如，k=2的照射步驟)之照射時間成為4△=4ns。第2次的照射步驟(例如，k=8b(第10位)的照射步驟)之照射時間成為128△=128ns。下個群組(第2群組)之第1次的照射步驟(例如，k=8a的照射步驟)之照射時間成為128△=128ns。以下，同樣，於各描繪道次中僅對應的各照射步驟之照射時間成為ON。在邏輯電路132內，係控制成：在對於暫存器50輸入各照射步驟之時序資料時，暫存器50輸出第k位(第k位元)之ON資料，計數器52計數第k位(第k位元)的照射時間，在該照射時間的經過時成為OFF。以下，按描繪道次，而進行對象描繪道次的射束之照射。
如以上，依實施形態1，即可針對各描繪道次的任一射擊，皆以照射時間的合計盡可能接近基準照射時間T’的方式分配全描繪道次份之照射時間，從而使資料傳輸時間含於與1個之前的經照射之位置對應之各照射步驟所照射之期間的時間內。
此外，在共通消隱機構，係針對個別消隱機構之ON/OFF切換，而在經過放大器46之電壓穩定時間(Settling時間)S1/S2後進行ON/OFF切換。在圖17之例中，係個別放大器1成為ON後，在經過從OFF切換至ON時的個別放大器1之穩定時間S1後，共通放大器成為ON。藉此，可排除個別放大器1之立升時的不穩定之電壓下的射束照射。然後，共通放大器係在成為對象的第k 位(第k位元)之照射時間的經過時成為OFF。其結果，實際之射束，係在個別放大器與共通放大器同時為ON之情況下，成為射束ON，照射於樣品101。因此，被以共通放大器的ON時間成為實際之射束的照射時間方式控制。另一方面，在個別放大器1為OFF時共通放大器成為ON之情況下，係個別放大器1成為OFF後，在經過從ON切換至OFF時的個別放大器1之穩定時間S2後，共通放大器成為ON。藉此，可排除個別放大器1之立降時的不穩定之電壓下的射束照射。
如以上，在個別射束ON/OFF切換程序(S116)方面，藉複數個個別消隱機構(消隱板204等)，針對多射束之中分別對應的射束而個別進行射束之ON/OFF控制，按射束而針對第k描繪道次的對應群組之各照射步驟(照射)，而藉該射束用的個別消隱機構進行射束的ON/OFF切換。在圖17之例中，係第k描繪道次的第k2位(第k2位元)之照射步驟非射束OFF，故未進行從ON至OFF切換，惟例如第k2位(第k2位元)之照射步驟為射束OFF時，進行從ON至OFF切換不言而喻。
然後，在共通射束ON/OFF切換程序(S118)方面，按射束，而針對第k描繪道次的各照射步驟(照射)，而藉個別消隱機構進行射束的ON/OFF切換後，使用共通消隱機構(邏輯電路132、及偏向器212等)而對於多射束整體總括而進行射束的ON/OFF控制，以僅對應於第k道次的各照射步驟(照射)之照射時間成為射束ON之狀態的 方式進行消隱控制。
如上所述，在消隱板204係於電路之設置面積或使用電流方面有限，故成為簡易之放大器電路。為此，在縮短個別放大器的穩定時間方面亦有限。相對於此，在共通消隱機構，係可在鏡筒之外搭載足夠大小、使用電流、電路規模之高精密度的放大器電路。因此，可縮短共通放大器的穩定時間。所以，在實施形態1，係在個別消隱機構作成射束ON後(或第目標位的讀訊號輸出後)，於穩定時間經過後在共通消隱機構作成射束ON，使得可排除消隱板上之個別放大器的包含電壓不穩定時間或串擾之雜訊成分，且能以高準確度之照射時間進行消隱動作。
在判定程序(S120)方面，描繪控制部72係針對重複照射於相同的位置之該射束的照射時間配列資料判定全描繪道次的資料之傳輸是否結束。在未結束之情況下，係進至描繪道次變更程序(S122)。在結束之情況下，係進至判定程序(S124)。
在描繪道次變更程序(S122)方面，描繪控制部72係變更對象描繪道次。例如，將對象描繪道次從第k描繪道次變更成第k+1描繪道次。然後，返回對象描繪道次的資料傳輸程序(S112)。然後，針對第k+1描繪道次的處理，而從對象描繪道次的資料傳輸程序(S112)實施至描繪道次變更程序(S122)。然後，於判定程序(S120)針對重複照射於相同的位置之該射束的照射時間配列資料而以同 樣方式重複，直到全描繪道次的資料之處理結束。
如以上，以將該射束的全描繪次數份之照射步驟整體分割成位數n次之分別設定成按經轉換之2進制數的位而對於相當於將該位之值以10進制數作定義之情況下的階調值N乘上量子化單位△之照射時間的位數n次之照射步驟的各照射步驟或將位數n次之照射步驟之一部分進一步分割而成為多於位數n次的複數次(n+a次)之照射步驟的各照射步驟，作為多重描繪的複數個描繪道次之任一照射步驟，按多重描繪的描繪道次，而將符合該描繪道次的照射步驟之照射時間的射束照射於樣品101。
從電子槍201(放出部)所放出之電子束200，係藉照明透鏡202大致垂直照明於孔徑構材203整體。在孔徑構材203方面係形成有矩形之複數個孔(開口部)，電子束200係照明於含有所的複數個孔之區域。照射於複數個孔之位置的電子束200之各一部分分別通過該孔徑構材203的複數個孔，使得形成例如矩形狀之複數個電子束(多射束)20a~e。該多射束20a~e，係通過消隱板204之分別對應的消隱器(第1偏向器：個別消隱機構)內。該消隱器，係分別對於個別通過之電子束20作偏向(進行消隱偏向)。
圖18，係供以說明在實施形態1下的消隱動作用之概念圖。通過消隱板204之多射束20a~e，係藉縮小透鏡205，而縮小，朝向形成於限制孔徑構材206之中心的孔而行進。於此，藉消隱板204之消隱器而被偏向之 電子束20，係位置從限制孔徑構材206(消隱孔徑構材)之中心的孔偏離，藉限制孔徑構材206而被遮蔽。另一方面，未藉消隱板204之消隱器而被偏向之電子束20，係不藉偏向器212(共通消隱機構)而被偏向時，通過如圖1所示限制孔徑構材206之中心的孔。藉該個別消隱機構的ON/OFF與共通消隱機構之ON/OFF的組合，而進行消隱控制，射束的ON/OFF被控制。如此，限制孔徑構材206，係藉個別消隱機構或共通消隱機構而對於被以成為射束OFF之狀態的方式而偏向之各射束作遮蔽。然後，藉在射束ON之後成為射束OFF之前所形成之通過限制孔徑構材206的射束，形成對於全描繪道次份之合計照射時間作了分割的複數個照射時間之1次份的照射時間之照射步驟的射束。通過限制孔徑構材206的多射束20，係藉接物鏡207而對焦，成為期望之縮小率的圖案影像，藉偏向器208而使得通過限制孔徑構材206之各射束(多射束20整體)被集中於同方向而偏向，照射於各射束之樣品101上的各自之照射位置。此外，例如XY工作台105連續移動時，藉偏向器208而控制成射束的照射位置追隨XY工作台105的移動。一度被照射之多射束20，係理想上變成以對於孔徑構材203的複數個孔之配列間距乘上上述的期望之縮小率的間距而排列。描繪裝置100，係以連續依序照射射擊束之光柵掃描方式進行描繪動作，描繪期望之圖案時，必要之射束依圖案藉消隱控制而被控制成射束ON。
圖19A~圖19C，係供以針對在實施形態1下的長條內之描繪動作的一例作說明用之概念圖。在圖19A~圖19C之例中，係例如針對在x、y方向使用4×4之多射束而對於長條內作描繪的例子作繪示。在圖19A~圖19C之例中，係例如針對在y方向以多射束整體的照射區域之約2倍的寬度對於長條區域作分割之情況作繪示。並且，針對一邊在x方向或y方向將照射位置每次偏移1網格一邊以4次的射擊(1射擊係複數個照射步驟之合計)曝光(描繪)結束多射束整體的1個照射區域之情況作繪示。首先，針對長條區域之上側的區域作描繪。在圖19A中，係針對以1次的射擊(1射擊係複數個照射步驟之合計)而照射之網格區域作繪示。接著，如圖19B所示，在y方向，偏移位置至尚未被照射之網格區域，而進行第2次的射擊(複數個照射步驟之合計)。接著，如圖19C所示，在x方向，偏移位置至尚未被照射之網格區域，而進行第3次的射擊(複數個照射步驟之合計)。
圖20A~圖20C，係供以針對在實施形態1下的長條內之描繪動作的一例作說明用之概念圖。在圖20A~圖20C，係繪示圖19C的接續。接著，如圖20A所示，在y方向，偏移位置至尚未被照射之網格區域，而進行第4次的射擊(1射擊係複數個照射步驟之合計)。以該4次的射擊(1射擊係複數個照射步驟之合計)曝光(描繪)結束多射束整體的1個照射區域。接著，針對長條區域之下側的區域作描繪。如圖20B所示，針對長條區域之下側的區 域，進行第1次的射擊(1射擊係複數個照射步驟之合計)。接著，在y方向，偏移位置至尚未被照射之網格區域，而進行第2次的射擊(1射擊係複數個照射步驟之合計)。接著，在x方向，偏移位置至尚未被照射之網格區域，而進行第3次的射擊(1射擊係複數個照射步驟之合計)。接著，在y方向，偏移位置至尚未被照射之網格區域，而進行第4次的射擊(1射擊係複數個照射步驟之合計)。藉以上的動作，結束長條區域之中多射束的照射區域之第1行的描繪。然後，如圖20C所示，移動於x方向，針對多射束的照射區域之第2行，而以同樣方式進行描繪即可。重複進行以上的動作，使得可對於長條區域整體作描繪。
圖21A~圖21C，係供以針對在實施形態1下的長條內之描繪動作的其他一例作說明用之概念圖。在圖21A~圖21C之例中，係例如針對在x、y方向使用4×4之多射束而對於長條內作描繪的例子作繪示。在圖21A~圖21C之例中，係針對分離各射束間之距離而例如以在y方向與多射束整體的照射區域同等、或若干寬之寬度對於長條區域作分割之情況作繪示。並且，針對一邊在x方向或y方向將照射位置每次偏移1網格一邊以16次的射擊(1射擊係複數個照射步驟之合計)曝光(描繪)結束多射束整體的1個照射區域之情況作繪示，在圖21A中，係針對以1次的射擊(1射擊係複數個照射步驟之合計)而照射之網格區域作繪示。接著，接著，如圖21B所示，在y方 向，一邊將位置每次偏移1網格至尚未被照射之網格區域，一邊依序進行第2、3、4次的射擊(1射擊係複數個照射步驟之合計)。接著，如圖21C所示，在x方向將位置每次偏移1網格至尚未被照射之網格區域，進行第5次的射擊(1射擊係複數個照射步驟之合計)。接著，在y方向，一邊將位置每次偏移1網格至尚未被照射之網格區域，一邊依序進行第6、7、8次的射擊(1射擊係複數個照射步驟之合計)。
圖22A~圖22C，係供以針對在實施形態1下的長條內之描繪動作的其他一例作說明用之概念圖。在圖22A~圖22C，係繪示圖21C的接續。如圖22A所示，如同以圖21A~圖21C作說明之動作，重複依序進行剩餘之第9~16次的射擊(1射擊係複數個照射步驟之合計)即可。在圖21A~圖21C、圖22A~圖22C之例中，係例如針對進行多重描繪(多重度=2)之情況作繪示。在該情況下，係在x方向移動僅多射束整體的照射區域之約1/2的尺寸，如圖22B所示，進行多重描繪第2層的第1次之射擊(1射擊係複數個照射步驟之合計)。以下，如以圖21B及圖21C作了說明，依序，進行多重描繪第2層的第2~8次之各射擊(1射擊係複數個照射步驟之合計)，如圖22C所示，如同以圖21B及圖21C作了說明之動作，重複依序進行剩餘之第9~16次的射擊(1射擊係複數個照射步驟之合計)即可。
在以上之說明中，在實施形態1下的多重描 繪之各描繪道次，係除了如上所述以長條區域32單位、或樣品101(基板)單位而重複描繪處理之情況以外，以圖20B或圖22A所示之依多射束的描繪區域單位而重複描繪處理亦為合適。例如，亦可採取以如圖22A~圖22C在1長條的描繪之間進行多重度2的曝光之曝光方法，對於各長條區域作2次掃描，而以第1次的長條描繪進行圖16之描繪道次1、2之曝光，以第2次的長條描繪進行道次3、4之曝光。
如以上，依實施形態1，即可藉將共通消隱用之偏向器與消隱孔徑作併用，從而精簡化消隱孔徑之電路構成而維持電路設置空間之限制。此外，個別消隱用的邏輯電路41為2位元之資料量，故亦可抑制消耗電力。在多重描繪方面，係不僅維持電路設置空間的限制，將照射量控制之準確度予以提升，亦可大幅減低資料傳輸量及照射步驟數。再者，可降低移位暫存器等之電路的動作時鐘同時減低電路之發熱。其結果，可降低消隱孔徑的電路負載或將描繪處理整體方面之處理量予以提升。
實施形態2
在實施形態1，係針對在多重描繪的各描繪道次在未偏移位置之情況下重複描繪處理之情況作了說明，惟並非限定於此者。在實施形態2，係針對進行組合了一邊將偏向區域之位置作偏移一邊重複描繪處理之處理(第1描繪處理)、及在偏移之各偏向區域的位置進一步在未將 位置偏移的情況下重複描繪處理之處理(第2描繪處理)的多重描繪之情況作說明。描繪裝置100的裝置構成係如同圖1。此外，針對在實施形態2下的描繪方法之主要程序作繪示的流程圖，係如同圖7。以下，特別說明之部分以外的內容係如同實施形態1。
圖23，係係供以針對在實施形態2下的描繪動作進行說明用之概念圖。在圖23中，進行多重描繪時，以長條區域20單位一邊於例如x、y方向將位置作偏移一邊進行描繪處理。在圖23中，係針對一邊將位置作偏移一邊重複描繪處理之處理(第1描繪處理)，而繪示各道次的描繪位置。將位置作偏移使得可減低在長條區域20彼此的邊界之圖形圖案的位置誤差等。此外，在實施形態2，係亦一起實施在經偏移之各長條區域的位置進一步在不將位置作偏移之情況下重複描繪處理的處理(第2描繪處理)。位置偏移，係針對僅x方向、或僅y方向、或x、y兩方向而進行。
圖24，係針對在實施形態2下的僅y方向將位置作偏移而進行多重描繪之情況下的描繪道次表之一例作繪示的圖。在圖24之例中，係針對在相同的位置進行4次的描繪處理(第2描繪處理)後偏移至下個位置而以同樣方式進行描繪處理之情況作繪示。於此，係繪示對於進行4次的位置偏移之描繪處理(第1描繪處理)作執行之情況。亦即，在描繪道次號1~4以相同的位置關係作描繪。在描繪道次號5~8以相同的位置關係作描繪。在描 繪道次號9~12以相同的位置關係作描繪。在描繪道次號13~16以相同的位置關係作描繪。此外，在圖24之例中，係進行4次的位置偏移，故每次，將位置作偏移y方向之長條區域寬度W的1/4。因此，在描繪道次號1~4在y方向之長條偏移量成為0之位置作描繪。在描繪道次號5~8在y方向之長條偏移量成為W/4之位置作描繪。在描繪道次號9~12在y方向之長條偏移量成為W/2之位置作描繪。在描繪道次號13~16在y方向之長條偏移量成為3W/4之位置作描繪。
進行位置偏移時，偏向區域會偏移，故照射於相同之位置的射束成為變更。成為變更之射束，係有可能由於電子光學系統之歪斜等，而投影於從變更前之射束位置所偏移的位置。因此，在將位置作偏移之情況下，係將合計照射時間份之射束照射依一連串的照射步驟而分割並不佳。所以，在實施形態2，係在描繪道次號1~4實施示於圖15之曝光程序1~6。具體而言，在描繪道次號1實施曝光程序1。在描繪道次號2實施曝光程序2。在描繪道次號3實施曝光程序3、4。在描繪道次號4實施曝光程序5、6。同樣，在描繪道次號5~8實施示於圖15之曝光程序1~6。具體而言，在描繪道次號5實施曝光程序1。在描繪道次號6實施曝光程序2。在描繪道次號7實施曝光程序3、4。在描繪道次號8實施曝光程序5、6。同樣，在描繪道次號9~12實施示於圖15之曝光程序1~6。具體而言，在描繪道次號9實施曝光程序1。在描 繪道次號10實施曝光程序2。在描繪道次號11實施曝光程序3、4。在描繪道次號12實施曝光程序5、6。同樣，在描繪道次號13~16實施示於圖15之曝光程序1~6。具體而言，在描繪道次號13實施曝光程序1。在描繪道次號14實施曝光程序2。在描繪道次號15實施曝光程序3、4。在描繪道次號16實施曝光程序5、6。
於此，如同以圖10作了說明之比較例，將示於圖24之描繪道次號1~16的各道次之照射時間分別分割成n次的照射步驟，進行了群組化之情況下，變成按描繪道次號1~16之道次而每次實施曝光程序1~5之n次的照射步驟。為此，變成照射步驟數與其所帶來之各照射步驟的資料傳輸量依道次數而增加。相對於此，在實施形態2，係如圖24所示，將描繪道次號1~16以相同的位置彼此匯集，將在相同的位置重複進行描繪處理時之描繪時間的合計分別分割成n次或n+a次之照射步驟，進行群組化，使得可減低照射步驟數與其所帶來的各照射步驟之資料傳輸量。
因此，在實施形態2，係將一照射時間作為分割對象而使用，該照射時間係利用多射束而對於進行組合了一邊將射束偏向區域的位置作偏移一邊進行之複數個描繪處理(第1描繪處理)、及按描繪處理(第1描繪處理)而在不將射束偏向區域的位置作偏移之情況下進行的複數個描繪處理(第2描繪處理)之多重描繪時的照射於樣品101的相同位置之對應射束的全描繪次數(描繪道次號1~16) 份之合計照射時間以複數個描繪處理(第1描繪處理)之次數(例如，在圖24之例中係4次)作分割之照射時間。
首先，在圖案面積密度算出程序(S102)方面，首先，將樣品101的描繪區域、或被描繪之晶片區域，分割成以圖24之描繪道次號1~4所示之位置下的複數個長條區域。換言之，以長條區域之偏移量成為0的方式作成長條層。然後，將各長條區域假想分割成上述之複數個網格區域。面積密度算出部60，係例如，按長條區域從記憶裝置140讀取對應之描繪資料，將定義於描繪資料內之複數個圖形圖案分成網格區域。然後，算出配置於各網格區域之圖形圖案的面積密度即可。
在合計射擊時間(合計照射時間)T算出程序(S104)方面，照射時間算出部62係按既定的尺寸之網格區域，而算出將利用藉電子束之多射束而進行多重描繪時之照射於樣品101的相同位置之對應射束的全道次(全描繪次數：圖24之描繪道次號1~16)份的合計照射時間除以基於描繪處理(第1描繪處理)之位置偏移次數的照射時間T(亦稱作射擊時間、或曝光時間。以下，相同)。
在階調值N算出程序(S106)方面，階調值算出部64，係算出對於定義於合計照射時間圖之按網格區域的照射時間T利用既定的量子化單位△而定義時之整數的階調值N。藉該處理，算出不進行位置偏移之下重複進行描繪處理之情況下的階調值N。
在2進制數轉換程序(S108)方面，位元轉換部 66係按射擊位置，而將對於將全描繪次數份之合計照射時間除以基於描繪處理(第1描繪處理)之位置偏移次數的照射時間T除以量子化單位△之階調值N轉換成預先設定之位數的2進制數之值。
然後，以下，如同實施形態1，針對不進行位置偏移之以圖24的描繪道次號1~4所示之描繪處理實施圖7的照射時間配列資料加工程序(S109)至描繪道次變更程序(S122)的各程序。
在判定程序(S124)方面，描繪控制部72係判定全位置偏移描繪處理(第1描繪處理)是否結束。然後，全位置偏移描繪處理(第1描繪處理)結束時則結束，另外在全位置偏移描繪處理(第1描繪處理)未結束之情況下係返回圖案面積密度算出程序(S102)，重複圖案面積密度算出程序(S102)至判定程序(S124)，直到全位置偏移描繪處理(第1描繪處理)結束。
另外，在圖24之描繪道次號1~4的描繪結束後返回圖案面積密度算出程序(S102)時，係將樣品101的描繪區域、或被描繪之晶片區域，分割成以圖24之描繪道次號5~8所示之位置下的複數個長條區域。換言之，以長條區域之偏移量成為W/4的方式作成長條層。然後，將位置被偏移W/4之各長條區域假想分割成上述之複數個網格區域。面積密度算出部60，係例如按長條區域從記憶裝置140讀取對應之描繪資料，將定義於描繪資料內之複數個圖形圖案分成網格區域。然後，算出配置於各 網格區域之圖形圖案的面積密度即可。同樣，在圖24之描繪道次號5~8的描繪結束後返回圖案面積密度算出程序(S102)時，係將樣品101的描繪區域、或被描繪之晶片區域，分割成以圖24之描繪道次號9~12所示之位置下的複數個長條區域。換言之，以長條區域之偏移量成為W/2的方式作成長條層。同樣，在圖24之描繪道次號9~12的描繪結束後返回圖案面積密度算出程序(S102)時，係將樣品101的描繪區域、或被描繪之晶片區域，分割成以圖24之描繪道次號13~16所示之位置下的複數個長條區域。換言之，以長條區域之偏移量成為3W/4的方式作成長條層。
採取以上方式，在實施形態2，係以按描繪處理(第1描繪處理)而將該射束的複數個描繪處理(第2描繪處理)份之照射步驟整體分割成位數n次之分別設定成按經轉換之2進制數的位而對於相當於將該位之值以10進制數作定義之情況下的階調值N乘上量子化單位△之照射時間的位數n次之照射步驟的各照射步驟或將位數n次之照射步驟之一部分進一步分割而成為多於位數n次的複數次(n+a次)之照射步驟的各照射步驟，作為複數個描繪處理(第2描繪處理)之任一者的照射步驟，而按多重描繪的複數個描繪處理(第1描繪處理)之描繪處理(第1描繪處理)，且按複數個描繪處理(第2描繪處理)之描繪處理(第2描繪處理)，而將符合該描繪處理的照射步驟之照射時間的射束照射於樣品101。
圖25，係針對在實施形態2下的僅y方向將位置作偏移而進行多重描繪之情況下的描繪道次表之其他一例作繪示的圖。在圖25之例中，係針對在相同的位置進行4次的描繪處理(第2描繪處理)後偏移至下個位置而以同樣方式進行描繪處理之情況作繪示。於此，係繪示對於進行4次的位置偏移之描繪處理(第1描繪處理)作執行之情況。此外，在圖25之例中，係進行4次的位置偏移，故每次，將位置作偏移y方向之長條區域寬度W的1/4。再者，在y方向、x方向、及x、y兩方向將位置每次偏移射束尺寸a的1/2。因此，在描繪道次號1~4在y方向之長條偏移量成為0之位置作描繪。在描繪道次號5~8在y方向之長條偏移量成為W/4+a/2之位置作描繪。在描繪道次號9~12在x方向的長條偏移量成為a/2、在y方向之長條偏移量成為W/2的位置作描繪。在描繪道次號13~16在x方向的長條偏移量成為a/2、在y方向之長條偏移量成為3W/4+a/2的位置作描繪。其他的部分，係如同圖24。於此，關於射束尺寸a之一半的偏移，係如例如日本發明專利公開平6-302506所示，存在描繪圖案的位置、尺寸的準確度提升之效果。此情況下，位置偏移a/2之射束的曝光量一般而言係不同。因此，針對a/2的偏移，亦需要在無偏移之一連串的曝光下完成位元加工表之所有的曝光。
如以上，依實施形態2，即可對於進行偏向區域的位置偏移之多重描繪作執行時，如同實施形態1，減 低資料傳輸量及照射步驟數。其結果，可將描繪處理整體方面之處理量予以提升。
實施形態3
在上述之各實施形態，係利用個別消隱控制用的消隱板204與共通消隱用之偏向器212，按射束而針對對於在不將位置作偏移之情況下進行的多重描繪之全道次份的射擊作了分割之複數次的照射之各次的照射步驟進行消隱控制，惟並非限定於此者。在實施形態3，係說明有關於以下構成：在不使用共通消隱用之偏向器212之情況下使用個別消隱控制用的消隱板204而按射束針對對於在不將位置作偏移之情況下進行的多重描繪之全道次份的射擊作了分割之複數次的照射之各次的照射步驟進行消隱控制。
圖26，係針對在實施形態3下的描繪裝置之構成作繪示的概念圖。在圖26中，無偏向器212這點、邏輯電路132的輸出連接於消隱板204這點以外，係如同圖1。此外，在實施形態3下的描繪方法之主要程序，係如同圖7。以下，特別說明之部分以外的內容，係如同實施形態1。
圖27，係針對在實施形態3下的個別消隱控制電路與共通消隱控制電路之內部構成作繪示的概念圖。在圖27中，無偏向器212這點、對於AND運算器44(邏輯與電路)代替來自偏向控制電路130之訊號而輸入邏輯 電路132之輸出訊號這點以外之內容係如同圖5。
在個別射束ON/OFF切換程序(S116)方面，利用具有對於多射束之中分別對應的射束而個別輸出射束之ON/OFF控制訊號的移位暫存器40與個別暫存器42之複數個邏輯電路(第1邏輯電路)，按射束，針對複數次的照射之各次的照射，而藉該射束用的邏輯電路(第1邏輯電路)輸出射束的ON/OFF控制訊號(第1ON/OFF控制訊號)。具體而言，如上所述，各射束的個別暫存器42，係輸入第k描繪道次的2位元資料時，依該資料，而將ON/OFF訊號透過選擇器48輸出至AND運算器44。第k描繪道次的資料為「11」時一起輸出ON訊號，「00」時一起輸出OFF訊號即可。
然後，在共通射束ON/OFF切換程序(S118)方面，按射束，針對複數次的照射之各次的照射，而藉個別消隱用的邏輯電路進行射束的ON/OFF控制訊號之切換後，對於多射束整體總括而利用輸出射束的ON/OFF控制訊號之邏輯電路132(第2邏輯電路)而以僅對應於該照射之照射時間成為射束ON之狀態的方式輸出射束的ON/OFF控制訊號(第2ON/OFF控制訊號)。具體而言，在共通消隱用之邏輯電路132內，係依10位元的各照射步驟之時序資料，而切換ON/OFF。邏輯電路132，係將該ON/OFF控制訊號輸出至AND運算器44。在邏輯電路132，係輸出ON訊號僅各照射步驟之照射時間。
然後，在消隱控制程序方面，AND運算器44 係在個別射束用的ON/OFF控制訊號與共通射束用的ON/OFF控制訊號同時為ON控制訊號之情況下，針對該射束，而以僅對應於該照射之照射時間成為射束ON之狀態的方式進行消隱控制。AND運算器44，係在個別射束用與共通射束用的ON/OFF控制訊號同時為ON控制訊號之情況下，對於放大器46輸出ON訊號，放大器46係將ON電壓施加於個別消隱偏向器之電極24。除此之外，AND運算器44係對於放大器46輸出OFF訊號，放大器46係將OFF電壓施加於個別消隱偏向器之電極24。如此，個別消隱偏向器的電極24(個別消隱機構)，係在個別射束用與共通射束用的ON/OFF控制訊號同時為ON控制訊號之情況下，針對該射束，而以僅對應於該照射之照射時間成為射束ON之狀態的方式個別進行射束的ON/OFF控制。
如以上，在不使用共通消隱用之偏向器212之情況下使用個別消隱控制用的消隱板204亦如同實施形態1，可減低資料傳輸量及照射步驟數。其結果，可將描繪處理整體方面之處理量予以提升。此外，在可省略共通消隱用之偏向器212方面亦有優點。
實施形態4
在上述之各實施形態，係將個別消隱控制用的各邏輯電路41配置於消隱板204上，惟設置於外部亦可。在實施形態4，係針對將個別消隱控制用的各邏輯電 路41配置於消隱板204之外部的情況作說明。在實施形態4下的裝置構成，係將個別消隱控制用的各邏輯電路41配置於消隱板204之外部這點以外如同圖1。此外，針對在實施形態4下的描繪方法之主要程序作繪示的流程圖，係如同圖7。此外，以下，特別說明之部分以外的內容，係如同實施形態1~3之任一者。
圖28，係供以針對在實施形態4下的邏輯電路與消隱板204之配置狀況作說明用的概念圖。在實施形態4，個別消隱控制用的各邏輯電路41與各放大器46，係配置於配置在描繪部150的外部之邏輯電路134內。然後，於個別消隱控制用的各電極24係藉配線而連接。依該構成，係配線會變長，故變成串擾與穩定時間會增大。然而，在實施形態4，係如上所述，在以個別消隱機構作ON/OFF切換後，等待電壓穩定，而以共通消隱機構進行ON/OFF切換，故即使該串擾與穩定時間增大仍可不受此等之影響而高準確度對於照射時間作控制。
以上，一邊參照具體例一邊針對實施形態作了說明。然而，本發明，係非限定於此等之具體例者。
此外，針對裝置構成和控制手法等在本發明之說明方面無直接需要的部分等係省略了記載，惟可適當選擇必要的裝置構成和控制手段而使用。例如，針對控制描繪裝置100之控制部構成，係省略了記載，惟適當選擇必要之控制部構成而使用不言而喻。
除此之外，具備本發明之要素、本發明所屬 技術領域中具有通常知識者可適當設計變更之全部的多帶電粒子束描繪裝置及方法，係包含於本發明之範圍。

Claims (13)

  1. 一種多帶電粒子束描繪方法，特徵在於：將一階調值轉換成預先設定之位數的2進制數之值，該階調值係將利用基於帶電粒子束之多射束而進行多重描繪時之照射於樣品的相同位置之1個或複數個對應射束的全描繪次數份之合計照射時間除以量子化單位者，以將前述1個或複數個對應射束之照射步驟整體分割成前述位數次之分別設定成按經轉換之2進制數的位而對於相當於將該位之值以10進制數作定義之情況下的階調值乘上量子化單位之照射時間的前述位數次之照射步驟的各照射步驟或將前述位數次之照射步驟之一部分進一步分割而成為多於前述位數次的複數次之照射步驟的各照射步驟，作為前述多重描繪的複數個描繪處理之任一照射步驟，按前述多重描繪的描繪處理，而以對應於該描繪處理的照射步驟之照射時間將前述射束照射於樣品。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，在前述多重描繪的各描繪處理之1個與其他的至少一個之間所實施之照射步驟數不同。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，針對將前述位數次的照射步驟或前述位數次的照射步驟之一部分進一步分割而成為多於前述位數次之複數次的照射步驟，對於複數個照射步驟作群組化而設定複數個群組，以群組單位而分配成前述複數個描繪處理。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，針對從位數 n個的複數個照射步驟之第1照射時間而增加的照射步驟之照射時間的個數a與多重描繪的道次數N，而設定初始值，利用前述位數n、前述道次數N、量子化單位△，解以下的式(3)，而運算基準照射時間T’。
  5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中，利用前述個數a、前述位數n個之複數個照射步驟的第1照射時間之中的2進制數之第i位的照射時間Ti、前述位數n個之複數個照射步驟的第1照射時間之中成為分割對象的照射步驟之第2照射時間的個數b，而判定經運算之基準照射時間T’是否滿足以下的式(4)。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中，在經運算之基準照射時間T’未滿足前述式(4)之情況下，係變更前述個數a，再度判定前述基準照射時間T’是否滿足前述式(4)。
  7. 如申請專利範圍第5項之方法，其中，前述位數次的照射步驟之第1照射時間之中超過前述基準照射時間T’之第2照射時間的照射步驟被分割。
  8. 一種多帶電粒子束描繪方法，特徵在於：將對於利用基於帶電粒子束之多射束而進行組合了一 邊將射束偏向區域的位置作偏移一邊進行之複數個第1描繪處理、及按前述第1描繪處理不將前述射束偏向區域的位置作偏移而進行之複數個第2描繪處理的多重描繪時之照射於樣品的相同位置之1個或複數個對應射束的全描繪次數份之合計照射時間按前述複數個第1描繪處理而分配的照射時間除以量子化單位之階調值轉換成預先設定之位數的2進制數之值，以將前述1個或複數個對應射束之前述複數個第2描繪處理份的照射步驟整體分割成前述位數次之分別設定成按經轉換之2進制數的位而對於相當於將該位之值以10進制數作定義之情況下的階調值乘上量子化單位之照射時間的前述位數次之照射步驟的各照射步驟或將前述位數次之照射步驟之一部分進一步分割而成為多於前述位數次的複數次之照射步驟的各照射步驟，作為前述複數個第2描繪處理之任一者的照射步驟，按前述多重描繪的複數個第1描繪處理之第1描繪處理，且按前述複數個第2描繪處理的第2描繪處理而以對應於該描繪處理的照射步驟之照射時間將前述對應射束照射於樣品。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中，針對從位數n個的複數個照射步驟之第1照射時間而增加的照射步驟之第1照射時間的個數a與多重描繪的道次數N，而設定初始值，利用前述位數n、前述道次數N、量子化單位△，解以下的式(3)，而運算基準照射時間T’。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中，利用前述個數a、前述位數n個之複數個照射步驟的第1照射時間之中的2進制數之第i位的照射時間Ti、前述位數n個之複數個照射步驟的第1照射時間之中成為分割對象的照射步驟之第2照射時間的個數b，而判定經運算之基準照射時間T’是否滿足以下的式(4)。
  11. 如申請專利範圍第10項之方法，其中，在經運算之基準照射時間T’未滿足前述式(4)之情況下，係變更前述個數a，再度判定前述基準照射時間T’是否滿足前述式(4)。
  12. 如申請專利範圍第10項之方法，其中，前述位數次的照射步驟之第1照射時間之中超過前述基準照射時間T’之第2照射時間的照射步驟被分割。
  13. 一種多帶電粒子束描繪裝置，特徵在於：具備：載置樣品之可連續移動的工作台；放出帶電粒子束之放出部；一孔徑構材，其係形成有複數個開口部，在包含前述複數個開口部整體之區域接收前述帶電粒子束的照射，前述帶電粒子束的一部分分別通過前述複數個開口部，從而 形成多射束；進行通過前述孔徑構材之複數個開口部的多射束之中分別對應的射束之消隱偏向的複數個消隱器；藉前述複數個消隱器而以成為射束OFF之狀態的方式對於經偏向之各射束作遮蔽的消隱孔徑構材；一轉換部，其係將對於利用前述多射束而進行多重描繪時之照射於樣品的相同位置之對應射束的全描繪次數份之合計照射時間除以量子化單位之階調值轉換成預先設定之位數的2進制數之值；以及一偏向控制部，其係以將前述對應射束的全描繪次數份之照射步驟整體分割成前述位數次之分別設定成按經轉換之2進制數的位而對於相當於將該位之值以10進制數作定義之情況下的階調值乘上量子化單位之照射時間的前述位數次之照射步驟的各照射步驟或將前述位數次之照射步驟之一部分進一步分割而成為多於前述位數次的複數次之照射步驟的各照射步驟，作為前述多重描繪的複數個描繪處理之任一照射步驟，按前述多重描繪的描繪處理，而以對應於前述描繪處理的照射步驟之照射時間將前述對應射束照射於樣品的方式控制前述複數個消隱器所對應之消隱器。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI757832B (zh) * 2019-09-10 2022-03-11 日商紐富來科技股份有限公司 多帶電粒子束評估方法以及多帶電粒子束描繪裝置

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6383228B2 (ja) * 2014-09-19 2018-08-29 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビームのビーム位置測定方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6587887B2 (ja) * 2015-03-23 2019-10-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6541999B2 (ja) * 2015-03-26 2019-07-10 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6616986B2 (ja) 2015-09-14 2019-12-04 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2017073461A (ja) 2015-10-07 2017-04-13 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6593090B2 (ja) * 2015-10-20 2019-10-23 株式会社ニューフレアテクノロジー 支持ケース及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6589597B2 (ja) * 2015-11-25 2019-10-16 株式会社ニューフレアテクノロジー アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6682278B2 (ja) 2016-01-19 2020-04-15 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム露光方法及びマルチ荷電粒子ビーム露光装置
JP6589758B2 (ja) 2016-07-04 2019-10-16 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6861508B2 (ja) * 2016-12-08 2021-04-21 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム露光方法及びマルチ荷電粒子ビーム露光装置
US10593509B2 (en) * 2018-07-17 2020-03-17 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device, multi-beam blanker for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device
JP7124763B2 (ja) * 2019-02-27 2022-08-24 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
US11120965B2 (en) * 2019-12-04 2021-09-14 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Beam blanking device for a multi-beamlet charged particle beam apparatus

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050072914A1 (en) * 2003-09-24 2005-04-07 Chapman James T. System and method for quality control in nuclear imaging systems
US20090134343A1 (en) * 2007-11-26 2009-05-28 Nuflare Technology, Inc. Tracking control method and electron beam writing system
US20090200495A1 (en) * 2006-04-03 2009-08-13 Ims Nanofabrication Ag Particle-beam exposure apparatus with overall-modulation of a patterned beam
TWI340301B (en) * 2005-10-25 2011-04-11 Nuflare Technology Inc Beam dose computing method and writing method and record carrier body and writing apparatus
TW201123255A (en) * 2009-08-26 2011-07-01 D2S Inc Method and system for manufacturing a surface using charged particle beam lithography with variable beam blur
US20130056647A1 (en) * 2011-09-01 2013-03-07 Nuflare Technology, Inc. Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57111026A (en) * 1980-12-26 1982-07-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Exposure device for electron beam
JP3394237B2 (ja) * 2000-08-10 2003-04-07 株式会社日立製作所 荷電粒子ビーム露光方法及び装置
SE0104238D0 (sv) * 2001-12-14 2001-12-14 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for patterning a workpiece
JP5180446B2 (ja) * 2006-07-20 2013-04-10 株式会社ナノシステムソリューションズ 露光装置及び露光方法
JP5216347B2 (ja) * 2008-02-04 2013-06-19 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置及び描画データの変換方法
EP3144955A1 (en) * 2009-05-20 2017-03-22 Mapper Lithography IP B.V. Method for exposing a wafer
JP5826566B2 (ja) * 2011-09-01 2015-12-02 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
US8745549B2 (en) * 2012-02-05 2014-06-03 D2S, Inc. Method and system for forming high precision patterns using charged particle beam lithography
JP6215586B2 (ja) * 2012-11-02 2017-10-18 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6097640B2 (ja) * 2013-06-10 2017-03-15 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6230881B2 (ja) * 2013-11-12 2017-11-15 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6190254B2 (ja) * 2013-12-04 2017-08-30 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2015201576A (ja) * 2014-04-09 2015-11-12 株式会社ニューフレアテクノロジー ショットデータ生成方法およびマルチ荷電粒子ビーム描画方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050072914A1 (en) * 2003-09-24 2005-04-07 Chapman James T. System and method for quality control in nuclear imaging systems
TWI340301B (en) * 2005-10-25 2011-04-11 Nuflare Technology Inc Beam dose computing method and writing method and record carrier body and writing apparatus
US20090200495A1 (en) * 2006-04-03 2009-08-13 Ims Nanofabrication Ag Particle-beam exposure apparatus with overall-modulation of a patterned beam
US20090134343A1 (en) * 2007-11-26 2009-05-28 Nuflare Technology, Inc. Tracking control method and electron beam writing system
TW201123255A (en) * 2009-08-26 2011-07-01 D2S Inc Method and system for manufacturing a surface using charged particle beam lithography with variable beam blur
US20130056647A1 (en) * 2011-09-01 2013-03-07 Nuflare Technology, Inc. Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI757832B (zh) * 2019-09-10 2022-03-11 日商紐富來科技股份有限公司 多帶電粒子束評估方法以及多帶電粒子束描繪裝置

Also Published As

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