TWI649611B - Multi-charged particle beam drawing device and multi-charged particle beam drawing method - Google Patents

Multi-charged particle beam drawing device and multi-charged particle beam drawing method Download PDF

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Abstract

依本發明一態樣之多帶電粒子束描繪裝置，係具備：孔徑構件，形成有複數個孔，帶電粒子束通過前述複數個孔，藉此形成多射束；及遮沒孔徑陣列，配置有複數個遮沒器，該遮沒器切換前述多射束當中各自相對應之射束的ON/OFF；及可移動的平台，供載置描繪對象的基板；及平台位置檢測器，檢測前述平台的位置；及檢查孔徑，設於前述平台，令前述多射束當中1道的射束通過；及偏向器，將前述多射束偏向；及電流檢測器，檢測將前述多射束在前述檢查孔徑上於XY方向掃描而通過了前述檢查孔徑之前述多射束的各射束的射束電流；及控制計算機，基於檢測出的射束電流來作成射束圖像，基於前述射束圖像與前述平台的位置來算出射束位置。

Description

多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法
本發明有關多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法。
隨著LSI的高度積體化，半導體元件之電路線寬更加持續地微細化。作為形成用來將電路圖樣形成至該些半導體元件之曝光用光罩(用於步進機或掃描機者亦稱為倍縮光罩)的方法，會使用具有優良分析性之電子束描繪技術。 　　作為電子束描繪裝置，使用了多射束之描繪裝置的開發正在進行，以取代過往將1道射束偏向而將射束照射至基板上的必要處之單射束描繪裝置。藉由使用多射束，相較於以1道電子束描繪的情形，能夠照射較多的射束，故能使產出大幅提升。多射束方式之描繪裝置中，例如會使從電子槍放出的電子束通過具有複數個孔之孔徑構件而形成多射束，然後藉由遮沒孔徑陣列進行各射束的遮沒控制，未被遮蔽的各射束則被光學系統縮小，並照射至被載置於可移動的平台上之基板。 　　這樣的多射束方式之描繪裝置中，一口氣照射複數個射束，將通過孔徑構件的同一孔或不同孔而形成之射束彼此予以逐一拼接，來描繪期望的圖形形狀之圖樣。照射至基板上之多射束全體像的形狀(以下亦記載為「射束形狀」)會作為描繪圖形的拼接精度而顯現，因此多射束全體像的畸變之修正乃為重要。 　　為了讓多射束全體像的畸變獲得修正，必須正確地測定射束形狀。習知，射束形狀，是藉由依序切換設為ON的射束而掃描平台上的反射標記來檢測反射電子，並算出各射束的位置，藉此測定。 　　但，當掃描平台上的反射標記時，偏向器所造成的射束偏向量會變大，射束的軌道會變化而射束形狀發生畸變，而有導致射束位置的測定精度降低這樣的問題。 　　此外，多射束由多數道(例如約26萬道)的射束所構成，想要完全無包含缺陷地製造出形成多射束之孔徑構件或進行各射束的遮沒控制之遮沒孔徑陣列是極為困難的。肇因於孔徑構件或遮沒孔徑陣列的缺陷，會有非意圖的射束到達基板、或必要的射束被遮蔽而未到達之情況。當發生了這樣的缺陷的情形下，若依習知的掃描反射標記之手法，難以排除缺陷對射束位置的測定精度造成之影響，因此追求一種精度良好地測定射束位置之新手法。
本發明，提供一種能夠高精度地測定射束位置之多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法。 　　依本發明一態樣之多帶電粒子束描繪裝置，係具備：孔徑構件，形成有複數個孔，帶電粒子束通過前述複數個孔，藉此形成多射束；及遮沒孔徑陣列，配置有複數個遮沒器，該遮沒器切換前述多射束當中各自相對應之射束的ON/OFF；及可移動的平台，供載置描繪對象的基板；及平台位置檢測器，檢測前述平台的位置；及檢查孔徑，設於前述平台，令前述多射束當中1道的射束通過；及偏向器，將前述多射束偏向；及電流檢測器，檢測將前述多射束在前述檢查孔徑上於XY方向掃描而通過了前述檢查孔徑之前述多射束的各射束的射束電流；及控制計算機，基於檢測出的射束電流來作成射束圖像，基於前述射束圖像與前述平台的位置來算出射束位置。
以下，依據圖面說明本發明之實施形態。 　　圖1為本發明實施形態之多帶電粒子束描繪裝置的概略圖。本實施形態中，作為帶電粒子束的一例，係以使用了電子束之構成來做說明。但，帶電粒子束不限於電子束，也可以是離子束等其他帶電粒子束。 　　此描繪裝置，具備對描繪對象的基板24照射電子束而描繪期望的圖樣之描繪部W、及控制描繪部W的動作之控制部C。 　　描繪部W，具備電子束鏡筒2與描繪室20。在電子束鏡筒2內，配置有電子槍4、照明透鏡6、孔徑構件8、遮沒孔徑陣列10、縮小透鏡12、限制孔徑構件14、對物透鏡16、及偏向器18。 　　在描繪室20內配置XY平台22。在XY平台22上，載置有描繪對象的基板24。作為描繪對象的基板24，例如包含晶圓、或包含利用以準分子雷射為光源之步進機或掃描機等縮小投影型曝光裝置或極紫外線曝光裝置(EUV)來將圖樣轉印至晶圓之曝光用光罩。 　　在XY平台22上，配置有XY平台22的位置測定用的鏡(mirror)26。此外，在XY平台22，在和供基板24載置的位置相異之位置，配置有具有多射束檢查用孔徑40(以下記載為「檢查孔徑40」)及電流檢測器50之多射束用射束檢查裝置。檢查孔徑40，藉由調整機構(圖示略)而高度可調整。檢查孔徑40較佳是設置於和基板24同一高度位置。 　　從電子槍4放出之電子束30，會藉由照明透鏡6而近乎垂直地對孔徑構件8全體做照明。圖2為孔徑構件8的構成示意概念圖。在孔徑構件8，有縱(y方向)m列×橫(x方向)n列(m，n≧2)的孔(開口部)80以規定之排列間距(pitch)形成為矩陣狀。例如，形成512列×512列的孔80。各孔80均形成為相同尺寸形狀的矩形。各孔80亦可是相同直徑的圓形。 　　電子束30，對包含孔徑構件8的所有孔80之區域做照明。電子束30的一部分分別通過該些複數個孔80，藉此會形成如圖1所示般的多射束30a～30e。 　　圖2中，雖然示例於縱橫(x，y方向)均配置了2列以上的孔80，但並不限於此。例如，亦可為在縱橫(x，y方向)的其中一方有複數列，而另一方僅有1列。 　　在遮沒孔徑陣列10，係配合孔徑構件8的各孔80的配置位置而形成貫通孔，在各貫通孔，各自配置有由成對的2個電極所構成之遮沒器。通過各貫通孔的電子束30a～30e，會各自獨立地藉由遮沒器施加之電壓而被偏向。藉由此偏向，各射束受到遮沒控制。藉由遮沒孔徑陣列10，對通過了孔徑構件8的複數個孔80之多射束的各射束進行遮沒偏向。 　　通過了遮沒孔徑陣列10的多射束30a～30e，藉由縮小透鏡12，各者的射束尺寸及排列間距會被縮小，朝向形成於限制孔徑構件14的中心的孔行進。在後述的通常模式中，藉由遮沒孔徑陣列10的遮沒器而被偏向的電子束，其位置會位移而偏離限制孔徑構件14的中心的孔，而被限制孔徑構件14遮蔽。另一方面，未受到遮沒孔徑陣列10的遮沒器偏向的電子束，會通過限制孔徑構件14的中心的孔。 　　限制孔徑構件14，是將藉由遮沒孔徑陣列10的遮沒器而被偏向成為射束OFF狀態之各電子束加以遮蔽。然後，從成為射束ON開始至成為射束OFF為止通過了限制孔徑構件14的射束，便成為1次份的擊發的電子束。 　　通過了限制孔徑構件14的多射束30a～30e，藉由對物透鏡16而被合焦，在基板24上成為期望的縮小率的圖樣像。通過了限制孔徑構件14的各電子束(多射束全體)，會藉由偏向器18朝同方向被一齊偏向，照射至基板24。 　　當XY平台22在連續移動時，射束的描繪位置(照射位置)會藉由偏向器18而受到追蹤控制，以便跟隨XY平台22的移動。XY平台22的位置，是從平台位置檢測器36將雷射朝向XY平台22上的鏡26照射，利用其反射光來測定。 　　一次所照射之多射束，理想上會成為以孔徑構件8的複數個孔80的排列間距乘上上述期望的縮小率而得之間距而並排。此描繪裝置，係以連續依序逐漸照射擊發射束之逐線掃瞄(raster scan)方式來進行描繪動作，當描繪期望的圖樣時，因應圖樣不同，必要的射束會藉由遮沒控制而被控制成射束ON。 　　控制部C，具有控制計算機32及控制電路34。控制計算機32，具有射束陣列辨識部60、射束位置檢測部62、射束形狀測定部64及擊發資料生成部66。控制計算機32的各部，可以由電子電路等硬體來構成，亦可由執行該些功能的程式等軟體來構成。當由軟體構成的情形下，亦可將實現該些功能之程式存放於記錄媒體，並令其讀入至含有電子電路等的電腦以執行。 　　擊發資料生成部66，對描繪資料進行複數段的資料變換處理，生成裝置固有的擊發資料，輸出至控制電路34。擊發資料中，定義著各擊發的照射量及照射位置座標等。控制電路34，將各擊發的照射量除以電流密度以求出照射時間t，當進行相對應的擊發時，對遮沒孔徑陣列10的相對應的遮沒器施加偏向電壓，使得僅於照射時間t設為射束ON。 　　控制電路34，演算偏向量使得各射束被偏向至擊發資料所示之位置(座標)，並對偏向器18施加偏向電壓。藉此，該次被擊發之多射束會受到一齊偏向。 　　這樣的描繪裝置中，對描繪對象之基板24，一口氣照射以孔徑構件8的複數個孔80的排列間距乘上規定的縮小率而得之間距而並排之多數個射束，將射束彼此拼接來填埋射束間距，藉此描繪期望的圖形形狀的圖樣。因此，於描繪處理之前，必須檢測射束位置，測定射束形狀來修正射束形狀的畸變。射束位置的檢測，是使用具有檢查孔徑40及電流檢測器50之多射束用射束檢查裝置來進行。 　　利用圖3～圖5說明多射束用射束檢查裝置的構成。圖3為多射束用射束檢查裝置的概略構成圖。圖4為從下面側觀看檢查孔徑40時之立體圖。圖5為從上面側觀看檢查孔徑40時之立體圖。另，圖3所示之檢查孔徑40，為圖5的III-III線下之剖斷端面圖。 　　檢查孔徑40，為限制使得電子束僅通過一道之物，例如能夠使用具備散射層41與吸收層43之物。散射層41設於吸收層43上。檢查孔徑40例如呈圓形的平面形狀，沿著中心軸形成有貫通孔。此貫通孔，是由形成於吸收層43的中心部之開口部44、及形成於散射層41的中心部而和開口部44相連之貫通孔42所構成。 　　當製作檢查孔徑40的情形下，例如準備Pt或W等阻止能力(stopping power)高的重金屬的薄膜，藉由運用了FIB(聚焦離子束)之蝕刻，在下面側形成開口部44。接著，藉由運用了FIB之蝕刻，在開口部44的底部，形成直徑比開口部44還小的貫通孔42。重金屬薄膜當中，形成有開口部44之部分相當於吸收層43，形成有貫通孔42之部分相當於散射層41。另，加工的順序不限於此。 　　當將基板24上的多射束的射束間距訂為P、(1道的)射束的尺寸訂為S的情形下，貫通孔42的直徑φ1較佳是訂為S＜φ1＜P-S。若徑φ1比射束尺寸S還大，則1道的電子束能夠通過(無散射穿透)所有貫通孔42，能夠提高S／N比。為使徑φ1容易找到射束，此外，為免孔被異物堵塞，較佳是儘可能做成較大。 　　另一方面，若徑φ1比P-S還小，則當掃描多射束時，相鄰2道的射束(的一部分)不會同時通過貫通孔42。是故，貫通孔42，能使多射束當中僅1道的電子束通過。例如，如圖6所示，當電子束B1通過貫通孔42時，電子束B1的相鄰的電子束B2不會重疊於貫通孔42。 　　如圖6所示，當電子束B1通過貫通孔42時，電子束B1的第1相鄰的電子束B2(電子束B1的周邊的8道電子束B2)，會照射至散射層41，一部分在散射層41的表面反射，但其近乎全部會如虛線所示侵入至散射層41而被散射。散射的電子，會貫通散射層41，其一部分直接在真空中直進，一部分在吸收層43的表面被反射而一部分入射至吸收層43，(幾乎)不會到達電流檢測器50。電子束B1的第2以上相鄰的電子束B3，在散射層41被散射。散射的電子侵入至吸收層43，被吸收。 　　另，檢查孔徑40的構造並不限定於上述之物，能夠運用能限制使得電子束僅通過一道之物。 　　通過了貫通孔42及開口部44的電子束(圖3的電子束B、圖6的電子束B1)，會入射至電流檢測器50，射束電流受到檢測。在電流檢測器50，例如能夠使用SSD(半導體檢測器(solid-state detector))。電流檢測器50所做的檢測結果會通知至控制計算機32。 　　接著，利用圖7所示流程圖，說明射束位置的測定方法。 　　本實施形態中，將遮沒孔徑陣列10分割成複數個測定區域，藉由各測定區域的射束來掃描檢查孔徑40，進行射束位置之測定。換言之，將孔徑構件8分割成複數個測定區域，將通過了各測定區域的孔80之射束依序設為ON來掃描檢查孔徑40。 　　將遮沒孔徑陣列10(孔徑構件8)分割成複數個測定區域，是因為射束掃描所使用的偏向器18的最大偏向量並未大到能夠涵蓋遮沒孔徑陣列10的全域之緣故。即使偏向量大到能夠涵蓋遮沒孔徑陣列10的全域，因射束偏向量變大，射束的軌道會變化而讓射束形狀發生畸變，使射束位置的測定精度降低，因此測定所使用之偏向量較佳是小到不讓射束形狀發生畸變之程度。因此，首先，決定遮沒孔徑陣列10的區域分割數n(n為2以上的整數)(步驟S1)。另，當偏向器18的偏向量大，能夠涵蓋遮沒孔徑陣列10的全域，且因射束偏向而發生之射束形狀的畸變相對於測定精度而言足夠小的情形下，亦可不進行測定區域的分割。 　　選擇尚未進行測定之區域，決定測定區域(步驟S2)。移動XY平台22，將檢查孔徑40配置於測定區域的射束的正下方之位置(步驟S3)。 　　例如，將檢查區域的遮沒器的施加電壓設為0V、其他區域(非測定區域)的遮沒器的施加電壓設為5V，令藉由測定區域的遮沒器而被設為射束ON之複數個射束藉由偏向器18朝XY方向偏向，掃描檢查孔徑40，依序切換通過貫通孔42的電子束(步驟S4)。電流檢測器50檢測射束電流。 　　控制計算機32，將藉由電流檢測器50檢測出的射束電流變換成亮度，基於偏向器18的偏向量來作成射束圖像，進行圖像分析(步驟S5)。例如，作成如圖8(a)所示般的射束圖像。此為當將檢查區域設為左下(1，1)、4×4陣列的情形下之圖像的一例。 　　由此圖像可知，如圖8(b)所示，有(1，1)及(3，3)的射束缺損。 　　當在測定區域的鄰近存在有常時ON缺陷的射束的情形下，會得到如圖9所示般的圖像。射束陣列辨識部60辨識和測定區域相對應之射束陣列區域，區域外的缺陷則被忽視。例如，事先決定好測定區域為4×4陣列，因此射束陣列辨識部60，是以4×4陣列的尺寸的區域內包含的射束數會成為最多之方式來辨識射束陣列。 　　射束位置檢測部62，使用藉由平台位置檢測器36檢測出的平台位置，來檢測射束陣列區域內的各射束的位置。然後，射束位置檢測部62，由各射束的位置，算出和測定區域相對應之射束陣列的中心座標(步驟S6)。 　　例如，如圖10所示設定變數i、j，將各射束的x座標、y座標擬合(fitting)至以下數式而求出係數a0 、a1 、a2 、b0 、b1 、b2 。圖10所示例子中，有(1，1)及(3，3)的射束欠損，因此將其以外的射束的x座標、y座標擬合至此數式。求出係數a0 、a1 、a2 、b0 、b1 、b2 後，利用此數式算出中心座標。圖10所示例子中，藉由代入i＝2.5、j＝2.5，算出射束陣列的中心座標。 　　另，上述數式亦可為非僅有1次項，而是如下記般考量2次項而得者。此外，亦可考量更高次項。 　　將這樣的檢查孔徑40之掃描、圖像分析、及射束陣列之中心座標算出，對遮沒孔徑陣列10的n個測定區域全部進行(步驟S2～S7)。 　　針對全部測定區域的測定結束後，射束形狀測定部64，基於各測定區域的射束陣列的中心座標，測定射束形狀(步驟S8)。 　　例如，射束形狀測定部64，將和n個測定區域相對應之射束陣列的中心座標以3次多項式來擬合，求出表現射束形狀之多項式。若將此多項式繪製成圖表，則例如會得到圖11所示般發生了些微畸變的射束形狀。圖11，是揭示將理想格子設定在±1□，而繪製與其相差之偏差量以便於視覺上地掌握射束形狀者。 　　擊發資料生成部66，以修正射束形狀的畸變之方式調變劑量，生成擊發資料。 　　像這樣，按照本實施形態，將遮沒孔徑陣列10分割成複數個測定區域，以各測定區域的複數個射束掃描檢查孔徑40，依序切換通過貫通孔42之電子束，藉此能夠在短時間內檢測各電子束的位置。由各射束的位置，能夠求取和各測定區域相對應之射束陣列的中心座標，測定射束形狀。 　　此外，進行射束陣列辨識，而忽視射束陣列區域外的缺陷，因此如圖9所示即使當在射束陣列區域外有缺陷射束的情形下，仍不受缺陷射束的影響而能夠檢測射束位置。 　　上述實施形態中，如圖12(a)所示，說明了多射束MB全體當中將測定區域R1的射束設為ON、其以外的非測定區域則設為射束OFF來掃描檢查孔徑40之例子，但亦可將非測定區域也設為射束ON。 　　例如，如圖12(b)所示，亦可於不僅測定區域R1，非測定區域R2也設為射束ON之狀態下，以測定區域R1的射束掃描檢查孔徑40。藉由非測定區域的射束也預設為ON，能夠在和實際的描繪處理時同樣的條件下做射束檢測，能夠精度良好地測定射束形狀。 　　另，為了進行射束陣列之辨識，較佳是針對非測定區域當中測定區域R1的周緣區域預設為射束OFF。 　　上述實施形態中說明了測定射束形狀之方法，但亦能測定偏向器18的偏向靈敏度。例如，將位於遮沒孔徑陣列10的中心之測定區域的射束設為ON，將檢查孔徑40移動至ON射束的正下方的位置，掃描檢查孔徑40而檢測射束位置(射束陣列中心座標)。 　　接著，將檢查孔徑40移動至偏向器18所造成之偏向區域內的另一位置，以同一測定區域的射束掃描而檢測射束位置。其後，以同樣的手續將檢查孔徑40再移動至另一位置，檢測射束位置。例如，當偏向器18所造成之偏向區域為矩形的情形下，依序將檢查孔徑40移動至矩形的中心與四隅，而檢測射束位置。將偏向器18所造成之偏向量、及檢測出的射束位置(射束陣列中心座標)予以比較，藉此便能測定偏向靈敏度。 　　當偏向器18為主偏向器及副偏向器的2段構成的情形下，能夠分別測定主偏向靈敏度及副偏向靈敏度。 　　另，本發明並不限定於上述實施形態本身，於實施階段中在不脫離其要旨的範圍內能夠將構成要素變形而予具體化。此外，藉由將上述實施形態中揭示之複數個構成要素予以適當組合，能夠形成種種發明。例如，亦可將實施形態所示之全部構成要素中刪除數個構成要素。又，亦可將不同實施形態之間的構成要素予以適當組合。
2‧‧‧電子束鏡筒
4‧‧‧電子槍
6‧‧‧照明透鏡
8‧‧‧孔徑構件
10‧‧‧遮沒孔徑陣列
12‧‧‧縮小透鏡
14‧‧‧限制孔徑構件
16‧‧‧對物透鏡
18‧‧‧偏向器
20‧‧‧描繪室
22‧‧‧XY平台
24‧‧‧基板
30‧‧‧電子束
30a～30e‧‧‧多射束
32‧‧‧控制計算機
34‧‧‧控制電路
40‧‧‧檢查孔徑
41‧‧‧散射層
42‧‧‧貫通孔
43‧‧‧吸收層
44‧‧‧開口部
50‧‧‧電流檢測器
60‧‧‧射束孔徑辨識部
62‧‧‧射束位置檢測部
64‧‧‧射束形狀測定部
66‧‧‧擊發資料生成部
80‧‧‧孔(開口部)
C‧‧‧控制部
W‧‧‧描繪部
MB‧‧‧多射束
R1‧‧‧測定區域
R2‧‧‧非測定區域
圖1為本發明實施形態之多帶電粒子束描繪裝置的概略圖。 　　圖2為孔徑構件的概略圖。 　　圖3為同實施形態之射束檢查裝置的概略圖。 　　圖4為同實施形態之多射束檢查用孔徑的立體圖。 　　圖5為同實施形態之多射束檢查用孔徑的平面圖。 　　圖6為照射至檢查用孔徑之多射束示意圖。 　　圖7為同實施形態之射束位置測定方法說明流程圖。 　　圖8(a)為藉由射束掃描得到的圖像的一例示意圖，圖8(b)為射束缺損的一例示意圖。 　　圖9為射束陣列辨識處理的例子示意圖。 　　圖10為射束陣列中心座標的求取方式說明圖。 　　圖11為算出的射束形狀的例子示意圖。 　　圖12(a)、圖12(b)為將射束設為ON之區域的例子示意圖。

Claims (8)

  1. 一種多帶電粒子束描繪裝置，具備：孔徑構件，形成有複數個孔，帶電粒子束通過前述複數個孔，藉此形成多射束；及遮沒孔徑陣列，配置有複數個遮沒器，該遮沒器切換前述多射束當中各自相對應之射束的ON/OFF；及可移動的平台，供載置描繪對象的基板；及平台位置檢測器，檢測前述平台的位置；及檢查孔徑，設於前述平台，令前述多射束當中1道的射束通過；及偏向器，將前述多射束偏向；及電流檢測器，檢測將前述多射束在前述檢查孔徑上於XY方向掃描而通過了前述檢查孔徑之前述多射束的各射束的射束電流；及控制計算機，基於檢測出的射束電流來作成射束圖像，基於前述射束圖像與前述平台的位置來算出射束位置；前述檢查孔徑，具備：散射層，設有供前述1道的射束通過之貫通孔，其他射束則被散射；及吸收層，設有直徑比前述貫通孔還大之開口部，將侵入的射束的至少一部分予以吸收。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，將前述遮沒孔徑陣列分割成複數個測定區域，以測定區域單位進行前述檢查孔徑的掃描。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，前述控制計算機，進行前述射束圖像中，和前述測定區域相對應之射束陣列區域的辨識，算出前述射束陣列區域的中心座標。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，前述控制計算機，基於和複數個測定區域的各者相對應之射束陣列區域的中心座標，來算出在前述平台上之多射束的形狀。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，當以和前述測定區域相對應之射束來掃描前述檢查孔徑時，前述遮沒孔徑陣列，將和非測定區域相對應之射束設為ON。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，前述遮沒孔徑陣列，將和前述非測定區域當中前述測定區域的周緣區域相對應之射束設為OFF。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，將前述檢查孔徑依序移動至前述偏向器的偏向區域內的複數個位置，於各位置，以前述多射束掃描前述檢查孔徑，基於算出的射束位置與前述偏向器的偏向量，測定前述偏向器的偏向靈敏度。
  8. 一種多帶電粒子束描繪方法，具備：放出帶電粒子束之工程；及前述帶電粒子束通過孔徑構件的複數個孔，藉此形成多射束之工程；及使用設於遮沒孔徑陣列之複數個遮沒器，切換各自相對應之射束的ON/OFF之工程；及在設於供載置描繪對象的基板之平台，而令前述多射束當中1道的射束通過之檢查孔徑上，將前述多射束於XY方向掃描之工程；及檢測通過了前述檢查孔徑的前述多射束的各射束的射束電流之工程；及基於檢測出的射束電流來作成射束圖像之工程；及檢測前述平台的位置之工程；及基於前述射束圖像與前述平台的位置，算出射束位置之工程；前述檢查孔徑，具備：散射層，設有供前述1道的射束通過之貫通孔，其他射束則被散射；及吸收層，設有直徑比前述貫通孔還大之開口部，將侵入的射束的至少一部分予以吸收。
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