DE3443400A1 - Verfahren zur erzeugung eines bildes - Google Patents

Verfahren zur erzeugung eines bildes

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DE3443400A1
DE3443400A1 DE19843443400 DE3443400A DE3443400A1 DE 3443400 A1 DE3443400 A1 DE 3443400A1 DE 19843443400 DE19843443400 DE 19843443400 DE 3443400 A DE3443400 A DE 3443400A DE 3443400 A1 DE3443400 A1 DE 3443400A1
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resist
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John C. Gaithersburg Matthews, Md.
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Fusion Semiconductor Systems
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Fusion Semiconductor Systems
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)

Description

PRINZ5 LEISER/BO:NK£ & PÄBTNER
Patentanwälte "European -Patent- Attorney«
München ~ /-~ Stuttgart ·. y 4'4 O 4 U U
28. November 1-984
Fusion Semiconductor Systems
7600 Standish Place
Rockville, Maryland 20855 / USA
Unser.Zeichen: F 989
Verfahren zur Erzeugung eines Bildes
Die Erfindung -betrifft ein Verfahren zur Erzeugung eines Bildes, insbesondere ein Verfahren zur Erzeugung eines Bildes oder einer Maske auf einem mit mehreren • Photolackschichten versehenen Gegenstand. Die Erfindung befaßt sich insbesondere mit der Schaffung lichtempfindlicher/ sich dem Verlauf einer äußeren Form anpassender Masken, wobei die oberste Schicht so ausgerüstet werden . kann, daß sie den relativ hohen Temperaturen und der aggressiven Umgebung beim reaktiven Ionenätzen, planaren Plasmaätzen und bei der Ionenimplantation zu widerstehen vermögen.
Bei der Herstellung von mit einem Muster versehenen Anordnungen oder Vorrichtungen wie Halbleiterchips und Halbleiterträger gehört das Ätzen verschiedener Schich-
Bj/Ma
-κ-
ten, die das gewünschte Erzeugnis bilden, zu den kritischsten und entscheidendsten Verfahrensstufen. Um ein gewünschtes Muster zu ätzen, kann die zu ätzende Oberfläche mit einer geeigneten Maske bedeckt und dann entweder unter Anwendung, eines naßchemischen Systems oder unter Verwendung eines sogenannten Trockenverfahrens geätzt werden, wobei nur die Oberfläche geätzt wird, während die Maske unberührt bleibt. In dem Maße, wie die zu ätzenden Linien und Zwischenräume kleiner werden, z.B. bei etwa 1 μπι, werden die photolithographischen Verfahren zur Herstellung des Photolackmusters, d.h. der Ätzmaske, und insbesondere die "Trockenverfahren" durch Parameter beeinträchtigt wie z.B. Reflexionen von der Oberflächenkornstruktur der zu ätzenden Metalle oder Polysilicium-Subtrate, stehende Wellen-Effekte, Dickeänderungen im lichtempfindlichen Material, Reflexionen von Stufen und Beugungseffekte.
Eine Methode zur Lösung der mit der Oberflächentopologie, mit Reflexionen und Beugungserscheinungen zusammenhängenden Probleme besteht darin, ein Mehrschichtenresist-System zu verwenden, das als "Portable Conformable Mask (PCM)"-System bekannt geworden ist (vgl. Burn Jeng Lin, "Deep U.V.
Lithography", Journal of Vacuum Science and Technology, Vol. 12, Nr. 6, Nov./Dez. 1975, worauf hiermit Bezug genommen wird). Das einfachste Mehrschichtenresist-System benutzt ein Zweischichtenresist-System, mit dem die Kosten und die Komplexität der meisten anderen Mehrschichten-Systeme vermieden werden. Die untere Schicht ist unempfindlich gegenüber der zur Erzeugung eines Bildes in der oberen Resistschicht verwendeten Strahlung und besteht vorzugsweise aus einem Resist aus einem Methylmethacrylatpolymer, vorzugsweise Polymethylmethacrylat (PMMA), das auf das Plättchen zur Erzeugung einer ebenen Oberfläche aufgetragen
* ff ti * «I
^_ , . 3U3400
wird. Die obere Schicht ist im allgemeinen eine relativ dünne (z.B. weniger als etwa 1 μΐη) Schicht aus einem Material, das gleichzeitig empfindlich gegenüber der bilderzeugenden Strahlung - Elektronenstrahl, 5' Röntgenstrahlung oder optische Strahlung - und undurchlässig für die zur Belichtung der unteren Schicht verwendete Strahlung ist. Dies kann z.B. ein positives lichtempfindliches Material sein, das auf die. bilderzeugende Strahlung anspricht, wie z.B. ultraviolettes Licht,, das bei der Additionsphotolithographxe ("stepand-repeat photolithography") verwendet wird," und undurchlässig für nahe (langwellige) UV-Wellenlängen, ■ die zur Belichtung von PMMA verwendet werden, ist. Nachdem die obere Schicht mit einem Bild versehen und entwickelt worden ist, wird die untere Schicht durch Flutbelichtung durch die die obere Schicht bildende Resistmaske hindurch mit einem Bild versehen unter Verwendung von z.B. nahem UV (etwa 190 nm bis etwa 250 nm), und entwickelt. .
:
Danach wird das Substrat geätzt. Dabei werden anisotrope Trockenätztechniken verwendet, wie beispielsweise das reaktive Ionenätzen (RIE) oder das planare Plasmaätzen (PPE), um die Unterätzung und die sich daraus ergebende Verminderung der Linienbreite, ein Charakteristikum isotroper Ätzmethoden, zu vermeiden. Ein mit aniosotropen Trockenätztechniken verbundenes Problem besteht jedoch darin, daß die Ätzmaske dabei Temperaturen ausgesetzt wird, die die plastischen Fließtemperaturen gewöhnlicher positiver Photolacke übersteigen.
Dieses Problem, den Bedingungen und dem Milieu des anisotropen Trockenätzens zu widerstehen, zeigt sich bei den oben erwähnten PCM-Masken. Darüber hinaus taucht dieses Problem auch bei vielen positiven und negativen lichtempfindlichen Materialien auf. Ein
positives lichtempfindliches Material kann durch Belichtung mit einer bilderzeugenden Strahlung in einem Lösungsmittel löslich gemacht werden, in welchem der unbelichtete Photolack nicht löslich ist. Ein negatives Resistmaterial kann durch Belichtung mit einer bilderzeugenden Strahlung polymerisieren und unlöslich gemacht werden.
Mit der Erfindung wird ein Verfahren bereitgestellt, das der Verbesserung der Beständigkeit eines Mehrschichten-Photolack-Gegenstandes ohne gleichzeitige dimensionale Verzerrung der erzeugten Bilder dient. Der Erfindung liegt insbesondere die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Verbesserung der Beständigkeit von Mehrschichten-Photolack-Gegenständen gegenüber anisotropen RIE- und PPE-Umgebungsbedingungen zu schaffen.
Das erfindungsgemäße Verfahren betrifft die Erzeugung eines Bildes und umfaßt die Bildung einer ersten Schicht aus einem ersten Resistmaterial auf einem zweiten, davon verschiedenen Resistmaterial. Das zweite Resistmaterial ist ein lichtempfindliches Material mit beschränkter Empfindlichkeit gegenüber der bilderzeugenden Strahlung für die erste Schicht, wie z.B. Licht einer Wellenlänge· von über 250 nm.
Die erste Schicht wird mit bilderzeugender Strahlung belichtet und zum gewünschten Bild entwickelt. Nach dem Entwickeln wird die erste Schicht mit ultraviolettem Licht bestrahlt, das überwiegend Wellenlängen von über etwa 260 nm aufweist, und zwar während eines für die Härtung der ersten Schicht ausreichenden Zeitraums. Dieser zweite Schritt zum Härten der ersten Schicht beeinträchtigt die Struktur der darunterliegenden zweiten Schicht aus Resistmaterial nicht. Das zweite, vom ersten verschiedene Resistmaterial wird mit einer Strahlung mit Wellenlängen von etwa 250 nm und darunter belichtet.
Die erste Schicht aus dem ersten Resistmaterial, das gemäß der Erfindung verwendet wird, kann ein positives oder negatives Resistmaterial sein, vorzugsweise ist es jedoch ein positives Resistmaterial, das durch Belichtung mit Wellenlängen von 260 nm und darüber gehärtet oder vernetzt werden kann. Beispiele und Erläuterungen für die Verwendung von naher UV-Strahlung, zum. Härten oder Vernetzen positiver Resists sind bei ■ Yen et al., "Deep U.V. and Plasma' Hardening of ' Photoresist Patterns", Integrated Circuit Laboratory, " Xerox, Palo Alto Research Center, Palo Alto, California; Hiraoaka et al., "High Temperature Flow Resistance of . Micron Sized Images in AZ Resists", AZ.Resists, Vol. 128, Nr. 12, S. 2645-2647; und Ma, "Plasma Resist Image Stabilization Technique (PRIST) Update", Vol. 333, Submicron Lithography, 1982, S. 1-23, zu finden, auf deren Offenbarung hiermit ausdrücklich Bezug genommen wird.
Unter den lichtempfindlichen Materialien, die sich als besonders geeignet erwiesen haben, sind die positiven lichtempfindlichen Materialien, die durch Belichtung mit UV-Strahlung von 260 nm und darüber vernetzbar sind, und insbesondere jene lichtempfindliehen Materialien, die mit Diazoverbindungen sensibilisiert sind. Beispiele für solche Diazo-Sensibilisatoren sind auf den Seiten 48 bis 55 des Buches "Photoresist Materials and Processes" von DeForest, . McGraw-Hill .Book Company, 1975, beschrieben, auf dessen Offenbarung hiermit ebenfalls ausdrücklich Bezug genommen wird. Einige dieser Diazoverbindungen sind Benzochin-1-on-2-diazid-4-sulphochlorid; 2-Diazo-naphth-T-ol-5-sulphonsäureester;.Naphthochin-1-on-2-diazid-5-sulphochlorid; Naphthochin-1-on-2-diazid-4-sulphochlorid; Naphthochin-2-on-i-diazid-4-sulphochlorid und Naphthochin-2-on-1-diazid-5-sulphochlorid.
Die als erste Schicht bevorzugt verwendeten lichtempfindlichen Materialien sind die mit einer Diazoverbindung sensibilisierten Novolake vom Phenol-Formaldehyd-Harz -Typ. Die Phenole schließen Phenol und substituierte Phenole wie Kresol ein. Ein spezielles Beispiel dafür ist Shipley AZ 1350, das eine m-Kresol-Forinaldehyd-Novolak-Zusammensetzung ist. Eine solche positive Resist-Zusammensetzung schließt ein Diazoketon wie 2-Diazo-naphth~1-ol-sulphonsäureester ein. Die Zusammensetzung enthält üblicherweise etwa 15 Gew.% an Diazoketonverbindung oder" einen in dieser Größenordnung liegenden Gehalt. Beispiele für einige andere im Handel erhältliche lichtempfindliche Materialien, die zur Bildung der ersten Schicht aus dem ersten Material erfindungsgemäß verwendet werden können sind AZ 1370 und AZ 1470 von Shipley; AZ 4110 und AZ 4210 von American Hoechst (AZ Photoresistive Division); HPR 204 von Phillip A. Hunt; und Kodak 820 von Kodak sowie OFPR 800 von Tokyo Ohka.
Darüber hinaus werden verschiedene lichtempfindliche Materialien beispielsweise im Journal of the Electrochemical Society, Vol. 125, Nr. 3, März 1980, erläutert; es handelt sich um den Artikel von Deckert et al., S. 45C-56C, "Microlithography - Key to Solid-State Fabrication", auf dessen Offenbarung hiermit ausdrücklich Bezug genommen wird.
Die erste, oberste Schicht ist gewöhnlich etwa 2000
bis etwa 40000 A dick, vorzugsweise etwa 5000 bis etwa 12000 Ä.
Das zweite und vom ersten verschiedene Resistmaterial, das erfindungsgemäß verwendet wird, muß eine begrenzte Empfindlichkeit für die bilderzeugende Strahlung aufweisen, die für die erste Schicht verwendet wird, und zwar vorzugsweise eine eingeschränkte Empfindlichkeit
Φ. ns
-ps- /ΙΑ
gegenüber ultraviolettem Licht von Wellenlängen oberhalb 260 nm, wobei es sich vorzugsweise um ein positives lichtempfindliches Material und, besondersbevorzugt, um ein Methylmethacrylat-Polymer handelt. Das am meisten bevorzugte lichtempfindliche Material für die zweite Schicht ist Polymethylmethacrylat. Copolymere von Methylmethacrylat, die die Empfind-■ lichtkeit des Polymers gegenüber Wellenlängen ober-
; halb 260 nm nicht stark erhöhen, sind jedoch ebenso erfindungsgmäß bevorzugt verwendbar. Solche Materialien Sind von Wayne M. Moreau beschrieben in "State of the Art of Acrylate Resists, an Overview of Polymer Structure and Lithographic Performance", Optical Engineering 22 (2), März-April 1983, auf dessen Offenbarung hiermit ausdrücklich Bezug genommen wird. Die Dicke der zweiten Schicht muß so stark sein, daß das Substrat eingeebnet wird, und sollte dementsprechend die Stufenhöhe der Schaltung auf dem Substrat übersteigen i Üblicherweise beträgt die Dicke etwa 0,2 bis etwa 2,0 μΐϊΐ und vorzugsweise, etwa 0,5 bis etwa 1,5 μπι.
. Die Bildung der ersten Schicht über der zweiten Schicht und die Bildung der zweiten Schicht über dem Substrat kann nach irgendeiner der bekannten Beschichtungstechniken erfolgen, beispielsweise'durch Aufschleuderri der Polymere auf die gewünschte Oberfläche.
Die erste Schicht wird mit der bilderzeugenden Strahlung belichtet und wie bei Einschichten-Resist-Verfahren entwickelt. Im Falle der bevorzugt verwendeten, oben erläuterten positiven'lichtempfindlichen Materialien wird das Resistbild üblicherweise unter Verwendung eines Projektionsmaskenausrichters erzeugt, und die Entwicklung erfolgt unter Entfernung-des belichteten Teils mit einer wäßrigen alkalischen Lösung.
Die entwickelte erste Schicht wird gehärtet oder vernetzt durch Belichtung mit ultravioletter Strahlung, die Wellenlängen von überwiegend oberhalb etwa 260 nm und vorzugsweise von etwa 26Ό nm bis etwa 320 nm aufweist. Darüber hinaus beträgt das Verhältnis der Wellenlängen von 260 bis 320 nm zu denjenigen unterhalb von 260 nm vorzugsweise mehr als etwa 10:1.
Die Belichtung wird ausreichend lange fortgesetzt,^ um die erste Schicht zu härten oder zu vernetzen, und zwar üblicherweise etwa 5 Sekunden bis etwa 15 Minuten, vorzugsweise etwa 15 Sekunden bis etwa 90 Sekunden.
Außerdem kann die erste Schicht gewünschtenfalls scharf gebrannt werden, und zwar durch Erhitzen bei erhöhten Temperaturen über 1000C, vorzugsweise bei etwa 120 bis etwa 2000C, entweder während und/oder nach der Belichtung mit der ultravioletten Strahlung von Wellenlängen über 260 nm. Die höchste Temperatur sollte unter der Temperatur liegen, die die zweite Schicht verformen oder verändern würde. Für das Belichten des Resists, während er mit wegen der UV-Bestrahlung steigendem Polymerisationsgrad einer erhöhten Temperatur ausgesetzt wird, wobei die erhöhte Temperatur unterhalb der Fließtemperatur des Films gehalten wird, kann gewünschtenfalls die in der noch anhängigen US-Patentanmeldung Nr. 497 466 beschriebene Belichtungstechnik, auf die hiermit ausdrücklich Bezug genommen wird, verwendet werden. Dieses Verfahren vermindert insbesondere deutlich die erforderliche Belichtungszeit. Wie dort beschrieben, wird das Resistmaterial während der Belichtung mit UV-Strahlung auf eine erhöhte Temperatur erhitzt, die höher als die Fließtemperatur des Resistmaterial zu Beginn der Belichtung mit der UV-Strahlung ist. Gewünschtenfalls kann die in der US-Patentanmeldung Nr. 497 466 be-
I- schriebene, der Temperatursteuerung dienende Haltevorrichtung erfindungsgemäß verwendet werden.
Die Dosis der UV-Strahlung einer Wellenlänge von · 260 bis 320 nm, der das Resistmaterial erfindungsgemäß ausgesetzt wird, beträgt mindestens etwa 1 Joule/cm2 und vorzugsweise etwa 2 Joule./cm2 .
Die Belichtung mit der Strahlung einer Wellenlänge von 26.0 bis· 320 nm kann unter Verwendung einer • Quecksilberlampe.und einer Quarzhülle zur Verminderung der Wellenlängen auf unter 250 nm durchgeführt werden. Ein geeigneter Quarzmantel wird aus ozonfreiem Quarz hergestellt und ist im Handel beispielsweise unter den Handelsbezeichnungen GE219 Quartz von General Electric und M-84 Quartz von Heraeus Amersil erhältlich. Außerdem, obwohl sicherlich nicht notwendig, ist die bevorzugte UV-Strahlung· . mit.Wellenlängen von 260 bis 320 nm hoch ungerichtet.
""■■■.■■■
Die Belichtung mit Wellenlängen über 260' nm kann nach der Entwicklung der ersten Schicht und vorzugsweise vor der Belichtung der zweiten, von der ersten verschiedenen Schicht mit naher, also verhältnismäßig langwelliger UV-Strahlung durchgeführt werden. Gewünschtenfalls kann jedoch die Belichtung mit Wellenlängen über 260 nm nach der Belichtung der zweiten Schicht mit naher UV-Strahlung und vor oder nach.der Entwicklung der zweiten und von der ersten verschiedenen Schicht durchgeführt werden.
Die zweite und von der ersten verschiedene Schicht aus Resistmaterial wird einer Strahlung ausgesetzt, die in der Lage ist, das lichtempfindliche Material der zweiten Schicht zu depolymerisieren. Zum Beispiel liegt im Falle von Methylmethacrylat-Polymeren die verwendete Strahlung im nahen UV-Bereich, beispiels-
weise bei etwa 190 nm bis etwa 250 nm. Das belichtete lichtempfindliche Material kann dann durch Auflösen in einem Keton-Lösungsmittel entwickelt werden, beispielsweise in Methylisobutylketon, oder in einem aromatischen Lösungsmittel wie Chlorbenzol, ohne die gehärtete obere Schicht aufzulösen.
Die Struktur ist nun in der Lage, den Bedingungen des RIE- oder PPE-Ätzens von Aluminium und Aluminiumlegierungen ohne starke Erosion der Maske zu widerstehen. Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung weiter erläutert. Die Figuren 1 bis 3 sind Querschnitte eines Substrats in verschiedenen Fertigungsstufen, wie sie sich bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben.
Figur 1 zeigt ein Substrat 1 mit einem Profil bzw. mit Stufen 2. Über dem Substrat 1 befindet sich eine Schicht aus Resistmaterial wie Polymethymethacrylat zum Zwecke der Einebnung. Eine Schicht aus Resistmaterial 4 befindet sich über der Schicht 3. Die oberste Schicht 4 wird mit einer bilderzeugenden Strahlung belichtet und dann unter Bildung der in Figur 2 wiedergegebenen Struktur entwickelt. Anschließend wird die Struktur einer UV-Strahlung unterworfen, die überwiegend Wellenlängen von 260 bis 320 nm, jedoch keine signifikanten Energiemengen unterhalb von 250 nm aufweist, wodurch der Rest der Schicht vernetzt und gehärtet, die darunterliegende Schicht jedoch nicht merklich beeinträchtigt wird. Anschließend wird die Struktur einer nahen UV-Strahlung von etwa 190 bis etwa 250 nm unterworfen, gefolgt von der Entwicklung mit einem Keton wie Methylisobutylketon oder mit einer aromatischen Verbindung wie Chlorbenzol, unter Bildung der in Figur 3 gezeigten Struktur.
Danach kann die Struktur dem reaktiven Ionenätzen unterworfen werden, wobei die Maske der Temperatur und den sonstigen Bedingungen.des Ätzens widerstehen wird. i ■
' ' ■
Das folgende Beispiel, auf das die Erfindung aber keineswegs beschränkt sein soll, dient der weiteren Erläuterung der Erfindung. ·
. . Beispiel
Ein 100 mm-Siliciumplättchen mit einer Zweischichten-Resist-Struktur, die eine schon vorher mit einem • Muster oder Bild versehene, 0,5 μπι starke obere Schicht aus Kodak 809-Resist über einer 1,5 μια starken eingeebneten Schicht aus PMMA enthält, wird mit stabilisierender UV-Strahlung belichtet, die von Lampen· emittiert wird, die aus M-84 Quartz von Heraeus-Amersil in einem Microlite 126 PM-Photostabilisator,' hergestellt von Fusion Semiconductor Systems Corporation, gebaut sind. Das von dieser Quelle emittierte charakteristische Spektrum besitzt ein Strahlungsverhältnis •von dem Wellenlängenbereich von 260 bis 320 nm und der Strahlung von unter 260 nm von mehr als 100:1.
Die Temperatur des Plättchens steigt linear von der Anfangstemperatur von 500C auf eine Endtemperatur von 1850C während einer Belichtungsdauer von 2 Minuten mit der oben genannten Quelle unter Verwendung einer der Temperatursteuerung dienenden Haltevorrichtung von der Art, wie sie in der US-Patentanmeldung Nr. 497 466 beschrieben ist. Die mikroskopische Prüfung der Resiststruktur nach dieser Belichtung ergibt kein Anzeichen für ein Fließen des Resists oder für eine Verzerrung des Bildes. Die nachfolgende Analyse mit dem Raster-Elektronenmikroskop (SEM) bestätigt, daß das Resistbild dimensionsstabil ist.
Das Plättchen mit der auf die vorstehend beschriebene Weise hergestellten, stabilisierten Zweischichten-Struktur wird anschließend mit naher UV-Strahlung einer Microlite 100 M-Lampe der Fusion Semiconductor Systems belichtet und in Methylisobutylketon (MIBK) entwickelt. Während der 45 Sekunden dauernden MIBK-Entwicklung wird die stabilisierte Kodak 809-Resistschicht nicht entfernt, und das belichtete PMMA wird sauber entwickelt. Die entstehende Zweischichten- · Resist-Struktur wird durch optische Mikroskopie und mit Hilfe eines Raster-Elektronenmikroskops geprüft. Das Kodak 809-Resistbild behielt seine Linienbreite und sein Kantenprofil bei, und die PMMA-Struktur zeigt das kontrastreiche Bild, das für das Zweischichten-Resist-Verfahren ohne stabilisierende Strahlung charakteristisch ist.

Claims (1)

  1. PRINZ, LEISER,' BUNKf & PARTNER
    Patentanwälte "^European -Patent- Attorneys O/ / Q/ ΠΙΊ
    München Stuttgart
    28. November 1984
    Fusion Semicontuctor Systems
    7600 Standish Place
    Rockville, Maryland 20855 / USA
    Unser Zeichen: F 989
    Patentansprüche
    1. Verfahren zur Erzeugung eines Bildes, dadurch gekennzeichnet, daß:
    (a) eine erste Schicht aus einem ersten Resistmaterial auf einem zweiten, vom ersten verschiedenen
    Resistmaterial gebildet wird, wobei"das zweite Material ein lichtempfindliches Material mit
    begrenzter Empfindlichkeit für die bilderzeugende •Strahlung, die für das erste Resistmaterial verwendet wird, ist;
    (b) die erste Schicht mit einer bilderzeugenden Strahlung belichtet und unter Bildung einer Resistbildmaske entwickelt wird;
    (c) die erste Schicht mit ultravioletter Strahlung einer Wellenlänge von mindestens etwa 260 nm
    während eines Zeitraumes belichtet wird, der zur Härtung der ersten Schicht ausreicht;
    Bj/Ma
    (d) das zweite, vom ersten verschiedene'Resistmaterial mit einer bilderzeugenden Strahlung einer Wellenlänge von 250 nm und darunter durch die erste Resistbildmaske hindurch· belichtet wird und
    (e) die zweite, von der ersten verschiedene Resistschicht entwickelt wird.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht in Stufe (c) mit ultravioletter Strahlung mit Wellenlängen von etwa 260 bis etwa 320 nm belichtet wird.
    3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis der Wellenlängen der
    ultravioletten Strahlung, die in Stufe (c) verwendet wird, welche größer als 260 nm sind, und der Wellenlängen, welche kleiner als 260 nm sind, mindestens 10:1 beträgt.
    20
    4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite, von der ersten verschiedene Resistschicht anschließend an die Stufe (c) mit actinischer Strahlung belichtet wird.
    5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Belichtung der ersten Schicht in Stufe (c) etwa 5 Sekunden bis etwa 15 Minuten lang durchgeführt wird.
    6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Belichtung der ersten Schicht in Stufe (c) etwa 15 Sekunden bis etwa 90 Sekunden lang durchgeführt wird.
    '- 7. /erfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht erhöhten Temperaturen über 10O0C während oder nach der Belichtung mit ultravioletter Strahlung in Stufe (c) oder
    5" während und nach dieser Belichtung unterworfen wird.
    8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erhöhte Temperatur etwa 120 bis etwa 2000C
    ;beträgt. . - '
    · . '
    9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis" 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Struktur reaktivem Ionenätzen oder planarem Plasmaätzen nach der Entwicklung der zweiten, von der ersten verschiedenen Resistschicht unterworfen wird.
    10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß zur Belichtung der ersten Schicht mit ultravioletter.Strahlung in Stufe (c) hoch ungerxchtetes Licht verwendet wird.
    11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite, vom ersten : verschiedene Resistmaterial mit Strahlung belichtet wird, die Wellenlängen von etwa 190 bis etwa 250 nm aufweist.
    12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß als zweite, von der ersten verschiedene Resistschicht eine Schicht aus einem Polymeren von Methylmethacrylat verwendet wird.
    13. Verfahren- nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß als erstes Resistmaterial eine Polymerzusammensetzung verwendet wird, die mit einer Diazoverbindung sensibilisiert ist.
    14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß ein Polymer vom Phenol-Formaldehyd-Novolak-Typ verwendet wird.
    15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht etwa 2000 bis etwa 40000 A dick ist. -
    16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht etwa 5000 bis etwa 12000 Ä dick ist.
    17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite, von der ersten verschiedene Resistschicht anschließend an die Stufe (c) entwickelt wird.
    18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite, von der ersten verschiedene Resistschicht vor der Stufe (c) belichtet wird.
    19. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite, von der ersten verschiedene Resistschicht anschließend an die Stufe
    (c) belichtet wird.
    20. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite, von der ersten verschiedene Resistschicht vor der Stufe (c) entwickelt wird.
DE19843443400 1983-11-28 1984-11-28 Verfahren zur erzeugung eines bildes Withdrawn DE3443400A1 (de)

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