JPH04303913A - 投影露光装置 - Google Patents

投影露光装置

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Publication number
JPH04303913A
JPH04303913A JP3093486A JP9348691A JPH04303913A JP H04303913 A JPH04303913 A JP H04303913A JP 3093486 A JP3093486 A JP 3093486A JP 9348691 A JP9348691 A JP 9348691A JP H04303913 A JPH04303913 A JP H04303913A
Authority
JP
Japan
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wafer
arm
resist
delivered
taking
Prior art date
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Pending
Application number
JP3093486A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuya Kamon
和也 加門
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP3093486A priority Critical patent/JPH04303913A/ja
Publication of JPH04303913A publication Critical patent/JPH04303913A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はLSI製造工程で使用さ
れる投影露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図2は従来の投影露光装置を示すブロッ
ク図であり、図2において、21は水銀ランプ、22は
楕円鏡、23はブラインド、24は集光レンズ系、25
は露光パターンが形成されたマスク、26は投影レンズ
系、5は露光されるレジストが塗布されたウエハである
【0003】次に動作について説明する。水銀ランプ2
1から発生した紫外線は楕円鏡22に反射してブライン
ド23へ至り成形される。さらに集光レンズ系24を介
してマスク25を照明する。マスク25を通過した紫外
線は投影レンズ系26を介してウエハ5へ至りウエハ5
上にマスク25の像を形成する。
【0004】さて、従来はこの露光処理を行うために、
図3に示すようなウエハローダー系を用いていた。図3
において、10はウエハカセット、12,14はウエハ
抜き差しアーム、13は横スライドアーム、15はウェ
イトアーム、17は搬出入スライダ、16はプリアライ
メント部、18a,18bはウエハステージである。
【0005】次に動作について説明する。ウエハカセッ
ト10に収納されていたウエハ5はウエハ抜き差しアー
ム14によって取り出され、横スライドアーム15に受
け渡される。次にウエハ5は一旦ウエイトアーム15に
て待機した後、プリアライメント部16に引き渡され、
ここで向きを調整された後、搬出入スライダ17へ受け
渡され、ウエハステージ18aへ到達した後、ウエハス
テージ18bにひきわたされここで図2に示す露光装置
により露光処理される。
【0006】ウエハ5は順次露光後、今までと逆の道す
じを通ってウエハカセット10に順次返される。そして
、ウエハ5は、次の現像前のベーキング(Post E
xposure Bake;PEB)工程へ移る。
【0007】ここで、PEB工程について説明する。一
般に単色光を用いて露光すると、レジストの入射光とレ
ジストと基板界面からの反射光の間で干渉が生じ、レジ
ストの厚さ方向に周期的な光強度の分布が生じる。これ
は定在波効果と呼ばれ、レジストのパターン寸法の変動
や解像不良の原因となる。そこで、この定在波効果を無
くす方法として、この露光後,現像前ベークがある。こ
れはレジスト中の周期的な光強度の分布に従って生じた
分解した感光材の濃度分布がPEB時の感光材の熱拡散
により均一化し、現像後のレジストパターンに対する定
在波の影響を無くすというものである。
【0008】図5に、ネガ型の化学増幅型レジストを用
い、これを露光処理,ベーキング処理,現像処理する一
連の工程を示す。図5(a) は基板52上にネガ型の
化学増幅型レジスト51が形成されたウエハ5を示して
おり、図5(b) はマスク25の上方から露光光54
を照射してウエハ5を露光し、レジスト51に露光部分
55と非露光部分を形成している状態、図5(c) は
該マスクパターンが転写されたウエハ5をPEB処理し
た状態で56はPEB処理後のレジスト露光部分を示し
ている。また、図5(e) は現像処理を施してレジス
トパターン56を形成した状態を示している。
【0009】ところで、従来方法により、1ロットのウ
エハを露光処理,ベーキング処理する際には、先頭のウ
エハは、次工程のベーキング工程に移るまで全ウエハが
露光される期間中、ウエハカセット10にて待機しなけ
ればならない。ネガ型の化学増幅型レジストとして、例
えば、THMRiN100(東京応化工業社製  商品
名)を用い、露光工程後、ベーキング工程に至るまでの
待ち時間とレジストの仕上がり寸法との関係を図4に示
す。図4において、黒丸は図5(e) におけるレジス
ト56の残存部分であるライン58の幅を、白丸は隣接
するライン58間、即ち、スペース57の幅を示してい
る。
【0010】図4から明らかなように、化学増幅型レジ
ストでは露光工程と露光後ベーキング工程との間の時間
が約30分経過すると、露光直後にベーキングしたパタ
ーンに比してライン58の幅は約0.1μm増加し、ス
ペース57の幅は約0.1μm減少することが判る。そ
して30分以上経過するとレジストの仕上がり寸法は急
激に変化してしまう。通常、1ロットのウエハが露光処
理し終わるまでには30〜40分程度の時間がかかるの
で、1ロットの先頭のウエハと末尾のウエハでは露光処
理してからベーキング処理するまでの待ち時間が大幅に
異なり、これによりレジストパターンの仕上がり寸法が
異なるという問題点があった。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】従来の投影露光装置は
以上のように構成されているので、ロットの先頭のウエ
ハは、全ウエハが露光されるまで待機しなければならず
、先頭のウエハと末尾のウエハではレジストの仕上がり
寸法が大幅に異なるという問題点があった。
【0012】本発明は上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、レジストの仕上がり寸法が安定す
る投影露光装置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明に係る投影露光装
置は、平板状の被加工物に塗布されたレジストに投影レ
ンズによってパターンなどを露光する投影露光装置にお
いて、露光の終了した被加工物を加熱処理した後、キャ
リアに収納する機能を有することを特徴とするものであ
る。
【0014】
【作用】本発明における投影露光装置は、露光終了後の
ウエハを加熱処理した後にキャリアに返却するよう構成
したので、ウエハは露光後、直ちにベーキングされるこ
ととなり、これにより、1ロットのウエハを処理する際
には先頭のウエハと末尾のウエハのレジストの仕上がり
寸法を等しくでき、1ロット内で安定したレジストのパ
ターンが得られる。
【0015】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図を用いて説明す
る。図1は本発明の一実施例による露光投影装置のウエ
ハ搬送系を示す図であり、図において、10はウエハカ
セット、12,14はウエハ抜き差しアーム、13は横
スライドアーム、15はウェイトアーム、17は搬出入
スライダ、16はプリアライメント部、18a,18b
はウエハステージであり、これらは約23℃に設定され
た恒温チャンバ6内に設けられている。また、恒温チャ
ンバ6外のウエハステージ18bの上部には、図2に示
した投影レンズ系26が設けられている。また、1はウ
ェイトアーム、2はホットプレート、3は抜き差しアー
ムであり、これらは恒温チャンバ6外に設けられている
【0016】次に動作について説明する。図1において
、ウエハカセット10に収納されていたウエハ5は、ウ
エハ抜き差しアーム14によって取り出され、横スライ
ドアーム15に受け渡される。次にウエハは一旦ウエイ
トアーム15にて待機した後、プリアライメント部16
に送られ、ここで向きが調整された後、搬出入スライダ
17へ受け渡され、ウエハステージ18aに到達し、さ
らにウエハステージ18bに送られた後、ここで露光さ
れる。
【0017】ウエハ5は露光ののち、搬出入スライダ1
7へ受け渡され、プリアライメント部16を経て恒温チ
ャンバ6外のウェイトアーム1へ至る。次にホットプレ
ート2に受け渡され、この上にてベーキング処理を行う
。例えば、このベーキング処理は110℃で60秒間行
う。ベーキング処理が終了すると、横スライドアーム1
3によりウエハ抜き差しアーム3に渡され、ウエハカセ
ット4へ収納される。
【0018】このような本実施例によれば、露光処理し
た後のウエハ5をウエハカセットに一旦収納することな
しに、引き続いてベーキング処理を施すようにしたので
、1ロットのウエハを露光,ベーキング処理する場合に
、全てのウエハの露光後,ベーキングまでの待ち時間を
等しくでき、これにより、例えば、化学増幅型のレジス
ト等の敏感なレジストを用いた場合であっても、1ロッ
ト内の全てのウエハのレジストの仕上がり寸法を等しく
でき、1ロット内で安定したレジストのパターンが得ら
れる。
【0019】また、ホットプレート1とウエハカセット
4を恒温チャンバ6の外に設けるようにしたので、投影
露光装置のレンズ系の熱による歪を抑えることができ、
さらに精度の高いプロセスが実現できる。
【0020】なお、上記実施例ではウエハ5を露光後、
もとのウエハカセット10とは異なるウエハカッセト4
に収納した例について示したが、これはもとのウエハカ
セット10に戻すように構成してもよい。
【0021】また、ウエハの搬送系は上記の実施例のも
のに限定されるものではなく、露光処理ののちに、ただ
ちにベーキング処理できる構成であればなんでもよく、
他の方法によるウエハ搬送系であってもよい。
【0022】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、露光
後、直ちにベーキング処理をするように投影露光装置を
構成したので、パターン寸法の安定したプロセスが得ら
れるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による投影露光装置のウエハ
搬送系を示す図である。
【図2】従来例による投影露光装置のブロック図である
【図3】従来例による投影露光装置のウエハ搬送系を示
す図である。
【図4】従来例による化学増幅型レジストの寸法変動を
示す図である。
【図5】露光,現像前ベーク,現像の一連の工程を示す
図である。
【符号の説明】
1    ウェイトアーム 2    ホットプレート 3    抜き差しアーム 4    ウエハカセット 5    ウエハ 6    恒温チャンバ 10  ウエハカセット 12  抜き差しアーム 13  横スライドアーム 14  抜き差しアーム 15  ウェイトアーム 16  プリアライメント部 17  搬出入スライダ 18a,18b  ウエハステージ 21  水銀ランプ 22  楕円鏡 23  ブラインド 24  集光レンズ 25  マスク 26  投影レンズ系 51  化学増幅型ネガ型レジスト 52  基板 54  露光光 55  レジストの露光部分 56  PEB処理後のレジストの露光部分57  ス
ペース 58  ライン

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  平板状の被加工物に塗布されたレジス
    トに投影レンズによってパターンなどを露光する投影露
    光装置において、露光の終了した前記被加工物を加熱処
    理した後、キャリアに収納する機能を有することを特徴
    とする投影露光装置。
JP3093486A 1991-03-29 1991-03-29 投影露光装置 Pending JPH04303913A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3093486A JPH04303913A (ja) 1991-03-29 1991-03-29 投影露光装置

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JP3093486A JPH04303913A (ja) 1991-03-29 1991-03-29 投影露光装置

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Publication Number Publication Date
JPH04303913A true JPH04303913A (ja) 1992-10-27

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ID=14083677

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JP3093486A Pending JPH04303913A (ja) 1991-03-29 1991-03-29 投影露光装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6697145B1 (en) 1994-09-12 2004-02-24 Nikon Corporation Substrate processing apparatus for coating photoresist on a substrate and forming a predetermined pattern on a substrate by exposure
JP2015524163A (ja) * 2012-05-17 2015-08-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 熱調整ユニット、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6697145B1 (en) 1994-09-12 2004-02-24 Nikon Corporation Substrate processing apparatus for coating photoresist on a substrate and forming a predetermined pattern on a substrate by exposure
JP2015524163A (ja) * 2012-05-17 2015-08-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 熱調整ユニット、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
US9891541B2 (en) 2012-05-17 2018-02-13 Asml Netherlands B.V. Thermal conditioning unit, lithographic apparatus and device manufacturing method
US10191395B2 (en) 2012-05-17 2019-01-29 Asml Neatherlands B.V. Thermal conditioning unit, lithographic apparatus and device manufacturing method

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