JP2015524163A - 熱調整ユニット、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents
熱調整ユニット、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
[0001] 本出願は、2012年5月17日出願の米国仮出願第61/648,452号及び2012年12月13日出願の米国仮出願第61/737,002号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0032] − 放射ビームB(例えばUV放射、DUV放射又はEUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
[0033] − パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
[0034] − 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
[0035] − パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ以上のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSと、
を備える。
[0047] 1.ステップモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
[0048] 2.スキャンモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Cの(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Cの(スキャン方向における)高さが決まる。
[0049] 3.別のモードにおいては、支持構造MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルス間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
−放射ビームB(例えばEUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)EILと、
−パターニングデバイス(例えばマスク又はレチクル)MAを支持するように構築され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
−基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構築され、基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
−パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ以上のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば反射投影システム)PSと、を備える。
Claims (30)
- リソグラフィ装置内の基板を熱調整する熱調整ユニットであって、
使用時に、基板に面し、熱伝導率が100W/mK以上の材料を含む第1の層と、第2の層と、前記第1の層と第2の層との間に位置する熱伝達部品とを備える熱調整要素と、
前記熱調整要素よりも剛性が高く、前記熱調整要素を支持してその機械的変形を低減する補剛部材と、を備え、
前記熱調整要素が前記補剛部材から熱的に分離される、熱調整ユニット。 - 前記熱調整要素が、周囲環境から熱的に分離される、請求項1に記載の熱調整ユニット。
- 前記熱調整要素が、熱伝達部品を備える、請求項1又は2に記載の熱調整ユニット。
- 前記熱伝達部品が、熱伝達流体が通過する流路を備える、請求項3に記載の熱調整ユニット。
- 前記熱伝達流体が、熱調整された流体である、請求項4に記載の熱調整ユニット。
- 前記熱伝達流体が、相変化熱伝達システムの相変化流体である、請求項4に記載の熱調整ユニット。
- 前記流路が、ヒートパイプの一部である、請求項4に記載の熱調整ユニット。
- 前記熱調整ユニットが別の流路を備え、前記流路と前記別の流路とが、熱伝達流体が並行して供給されるように構成される、請求項4〜7のいずれかに記載の熱調整ユニット。
- 前記第1の層が、アルミニウム、セラミック、マグネシウム、SiSiC、又は熱分解グラファイトから選択される少なくとも1つの材料製である、請求項1〜8のいずれかに記載の熱調整ユニット。
- 前記第1の層が、熱容量が約3.0Jcm−3K−1未満の材料製である、請求項1〜9のいずれかに記載の熱調整ユニット。
- 前記第1の層の厚さが、5mm以下、4mm以下、3mm以下、2mm以下、1.5mm以下、又は1mm以下である、請求項1〜10のいずれかに記載の熱調整ユニット。
- 前記第2の層が、アルミニウム、セラミック、マグネシウム、エアロゲル、ガラスセラミック、又はステンレス鋼から選択される少なくとも1つの材料製である、請求項1〜11のいずれかに記載の熱調整ユニット。
- 前記第2の層が、熱容量が約3.0Jcm−3K−1未満の材料製である、請求項1〜12のいずれかに記載の熱調整ユニット。
- 前記第2の層が、熱容量が約2.0Jcm−3K−1未満、又は約1.5Jcm−3K−1未満の材料製である、請求項1〜13のいずれかに記載の熱調整ユニット。
- 前記第2の層の厚さが、5mm以下、4mm以下、3mm以下、2mm以下、1.5mm以下、又は1mm以下である、請求項1〜14のいずれかに記載の熱調整ユニット。
- 前記第1の層と第2の層とが異なる材料製である、請求項1〜15のいずれかに記載の熱調整ユニット。
- 前記第1の層の材料が、前記第2の層の材料より低い熱容量、及び/又は高い熱伝導率を有する、請求項1〜16のいずれかに記載の熱調整ユニット。
- 前記第2の層が、前記熱調整要素を前記補剛部材上に支持する、請求項1〜17のいずれかに記載の熱調整ユニット。
- 前記熱調整要素が、その上に基板を配置するために突起部を備える、請求項1〜18のいずれかに記載の熱調整ユニット。
- 前記熱調整要素が、前記基板を前記熱調整要素上に少なくとも部分的に支持するように、前記基板の下側の部分を通って流れるガスフローをガスベアリングとして提供する複数の出口及び/又は入口を備える、請求項1〜18のいずれかに記載の熱調整ユニット。
- 前記熱調整要素に対する前記基板の相対位置及び/又は向きを変更する基板位置マニピュレータをさらに備える、請求項1〜20のいずれかに記載の熱調整ユニット。
- 前記基板位置マニピュレータの一部が前記熱調整要素を通って延在する、請求項21に記載の熱調整ユニット。
- 前記熱調整要素を前記補剛部材上に支持し、複数の別個の位置で前記熱調整要素に接触する支持構造をさらに備える、請求項1〜22のいずれかに記載の熱調整ユニット。
- 前記複数の別個の位置の少なくとも1つが、前記熱調整要素の縁部から離間している、請求項23に記載の熱調整ユニット。
- 前記熱調整要素を前記補剛部材上に支持する複数の板バネをさらに備える、請求項23又は24に記載の熱調整ユニット。
- 前記熱調整要素を前記補剛部材上に支持するガスベアリングをさらに備える、請求項1〜22のいずれかに記載の熱調整ユニット。
- 前記熱調整要素と連結されるヒータをさらに備える、請求項1〜26のいずれかに記載の熱調整ユニット。
- 前記ヒータが薄膜ヒータであり、好ましくは該薄膜ヒータが前記基板に面する前記熱調整要素の外面上に位置する、請求項27に記載の熱調整ユニット。
- 請求項1〜28のいずれかに記載の熱調整要素を備える、リソグラフィ装置。
- リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、
熱調整要素の上に配置することによって基板を熱調整するステップであって、前記熱調整要素は、基板に面し、熱伝導率が100W/mK以上の材料を含む第1の層と、第2の層と、前記第1の層と第2の層との間に位置する熱伝達部品とを備え、前記熱調整要素は、前記熱調整要素の機械的変形を低減するように補剛部材によって支持される、ステップと、
前記基板上にパターニングされたビームを投影するステップと、を含み、
前記熱調整要素が前記補剛部材から熱的に分離される、方法。
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