JP6949510B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

この発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板の外周部に対して処理液を用いた処理が行われる。基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板の上面の外周部に向けて処理液を吐出する処理液ノズルとを備えている（下記特許文献１参照）。

このような基板処理装置では、基板を回転させながら、基板の上面の外周部における所定の着液位置に向けて処理液を吐出する。着液位置に供給された処理液は基板の回転に伴って基板の周方向の全域に広がり、これにより、基板の上面の外周部に所定の幅を有する環状の処理液が形成される。

特開２０１１−２５８９２５号公報

しかしながら、特許文献１のような構成では、処理時における基板の回転速度（処理回転速度）が遅いと、基板の回転による遠心力が弱いために、着液位置に着液した処理液が着液位置において膨らんで、基板の内側に広がるおそれがある。この場合には、基板の外周部において、処理液により処理される領域の幅（以下、「処理幅」という）が所期の幅より大きくなるおそれがある。すなわち、処理回転速度が遅いと、処理幅を精密に制御できないおそれがある。したがって、処理回転速度が遅くても、基板の外周部における処理幅を精密に制御することが求められている。

そこで、この発明の目的は、基板の回転速度によらずに、基板の外周部における処理幅を精密に制御することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

この発明の一実施形態は、周端の少なくとも一部が円弧状をなす基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている基板を、当該基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させるための基板回転ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている基板の外周部に向けて処理液を吐出するための処理液ノズルと、前記基板における処理液の着液位置に着液した処理液に向けて、基板の回転半径方向の内側から気体を吹き付ける気体ノズルと、前記基板回転ユニットを制御して、前記基板を所定の処理回転速度で回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程に並行して、前記基板の外周部に向けて前記処理液ノズルから処理液を吐出する処理液吐出工程と、前記基板回転工程および前記処理液吐出工程に並行して、前記基板における処理液の着液位置基板の回転半径方向の内側気体を吹き付ける気体吹き付け工程と、前記気体吹き付け工程に並行して、前記基板における気体の吹き付け位置および／または当該気体ノズルから前記基板に吹き付けられる気体の吹き付け流量を制御して、前記着液位置に着液している処理液の内周端の位置を、前記処理回転速度に対応する位置に調整する内周端位置調整工程とを実行する制御装置とを含む、基板処理装置を提供する。

この構成によれば、基板の外周部の着液位置に着液した処理液に向けて、基板の内側から気体が吹き付けられる。着液位置に着液している処理液の内周端の位置（以下、「着液処理液の内周端の位置」）は、基板の回転速度に依存している。基板の処理回転速度に応じて、基板における気体の吹き付け領域の位置（以下、「吹き付け位置」という場合がある）および／または基板に吹き付けられる気体の吹き付け流量を調整することにより、着液処理液の内周端の位置を、処理回転速度（処理時における基板の回転速度）に対応する位置に調整することができる。

着液処理液の内周端の位置を調整することにより、着液位置に着液している処理液の幅（以下、「着液位置液幅」という）を、処理回転速度に適した幅に調整することも可能であり、この場合には、基板の回転速度の如何によらずに着液位置液幅を精密に制御することも可能である。
以上により、基板の回転速度によらずに、基板の外周部における処理幅を精密に制御することができる。

前記気体ノズルは、前記基板保持ユニットによって保持されている基板の外周部における処理液の着液位置に対し前記基板の回転半径方向の内側に位置する前記吹き付け位置に向けて気体を吹き付けるためのノズルであってもよい。
前記基板回転工程は、前記基板保持ユニットに保持されている前記基板を前記基板回転ユニットによって前記回転軸線まわりに回転させる工程を含んでいてもよい。
前記気体吹き付け工程は、前記吹き付け位置に向けて前記気体ノズルから気体を吹き付ける工程を含んでいてもよい。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置は、前記気体ノズルを駆動する気体ノズル駆動ユニットをさらに含む。そして、前記制御装置は、前記内周端位置調整工程において、前記気体ノズル駆動ユニットを制御して、前記気体の吹き付け領域の位置を調整する工程を実行する。
この構成によれば、基板における気体の吹き付け領域の位置を変更することにより、着液処理液の内周端の位置を、処理回転速度に対応する位置に調整する。気体の吹き付け領域の位置は、着液処理液の内周端の位置に直接的に作用し、当該着液処理液の内周端の位置に大きな影響を与える。したがって、気体の吹き付け領域の位置を変更することにより、着液処理液の内周端の位置をより効果的に変更させることができる。この場合、着液位置液幅をより精密に制御することも可能である。
前記内周端位置調整工程は、前記処理回転速度の高低に基づいて、前記吹き付け位置を前記気体ノズル駆動ユニットによって制御する工程を含んでいてもよい。
前記内周端位置調整工程は、前記吹き付け位置を前記処理回転速度の低下に従って当該吹き付け位置が前記基板の回転半径方向の外側になるように配置する工程を含んでいてもよい。

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置は、前記処理回転速度と、前記吹き付け位置との対応関係を規定する第１の対応関係規定情報を記憶する第１の情報記憶部をさらに含む。そして、前記制御装置は、前記第１の対応関係規定情報に基づいて前記内周端位置調整工程を実行する。
この構成によれば、第１の情報記憶部に記憶されている第１の対応関係規定情報によって規定されている、処理回転速度と気体の吹き付け領域の位置との対応関係に基づいて内周端位置調整工程が実行される。これにより、着液処理液の内周端の位置を、処理時における処理回転速度に対応する位置に、確実に制御することができる。

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置は、前記気体の吹き付け流量を調整する吹き付け流量調整ユニットをさらに含む。そして、前記制御装置は、前記内周端位置調整工程において、前記吹き付け流量調整ユニットを制御して前記気体の吹き付け流量を調整する気体流量調整工程を実行する。
この構成によれば、基板における気体の吹き付け流量を調整することにより、着液処理液の内周端の位置を、処理回転速度に対応する位置に調整する。この場合、着液位置液幅をより精密に制御することも可能である。
前記内周端位置調整工程は、前記処理回転速度の高低に基づいて、前記気体ノズルから前記吹き付け位置に吹き付けられる気体の吹き付け流量を前記吹き付け流量調整ユニットによって制御する工程を含んでいてもよい。
前記内周端位置調整工程は、前記気体ノズルから前記吹き付け位置に吹き付けられる気体の前記吹き付け流量を前記処理回転速度の低下に従って多くなるように調整する工程を含んでいてもよい。

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置は、前記処理回転速度と、前記吹き付け流量との対応関係を規定する第２の対応関係規定情報を記憶する第２の情報記憶部をさらに含む。そして、前記制御装置は、前記第２の対応関係規定情報に基づいて前記内周端位置調整工程を実行する。
この構成によれば、第２の情報記憶部に記憶されている第２の対応関係規定情報によって規定されている、処理回転速度と気体の吹き付け流量との対応関係に基づいて内周端位置調整工程が実行される。これにより、着液処理液の内周端の位置を、処理時における処理回転速度に対応する位置に、確実に制御することができる。

この発明の一実施形態では、前記制御装置は、前記処理回転速度が予め定める速度以上である場合に前記内周端位置調整工程を実行せず、前記処理回転速度が予め定める速度未満である場合に前記内周端位置調整工程を実行する。
処理回転速度が遅い場合には、着液位置に着液した処理液が着液位置において膨らんで、基板の内側に広がるおそれがある。その一方で、処理回転速度が速い場合には、着液位置に着液した処理液が基板の内側に広がるおそれはない。

この構成によれば、着液位置に着液した処理液が基板の内側に広がるおそれがある、処理回転速度が遅い場合のみ内周端位置調整工程を実行する。すなわち、必要なときのみ内周端位置調整工程を実行することができる。
この発明の一実施形態では、前記基板保持ユニットは、前記基板の外周部を支持せずに当該基板の中央部を支持して当該基板を保持するユニットを含む。そして、前記基板処理装置は、前記基板保持ユニットに保持されている基板の周方向の各周端位置を計測するための各周端位置計測ユニットをさらに含む。そして、前記制御装置は、前記基板保持ユニットに保持されている基板の、周方向の各周端位置を、前記各周端位置計測ユニットによって計測する各周端位置計測工程をさらに実行する。そして、前記制御装置は、さらに、前記着液位置に着液している処理液の内周端が、前記基板の周端のうち前記処理液ノズルが配置されている周方向位置の周端である配置位置周端の位置変化に追従して往復移動するように、前記着液位置に着液している処理液の内周端の位置を調整する工程（第２の内周端位置調整工程）を実行する。

この構成によれば、気体の吹き付け領域の位置および／または気体の吹き付け流量を調整することにより、着液位置に着液している処理液の内周端を、配置位置周端の位置変化に追従して往復移動させることができる。これにより、処理液の着液位置の往復移動によらずに、基板の外周部における処理幅の均一性を高く保つことができる。
この発明の一実施形態では、前記気体ノズルは、気体の吹き付け位置が前記基板の外周部に沿う帯状をなすような気体吐出口を有している。

この構成によれば、気体の吹き付け位置が基板の外周部に沿う帯状をなしているので、基板の外周部を流れる処理液が、基板の内側へ広がることを、より効果的に抑制することができる。ゆえに、基板の外周部における処理幅を、より一層精密に制御することができる。
この発明の一実施形態では、前記気体ノズルは、前記基板の外側かつ斜め下向きに気体を吐出する。

この構成によれば、気体ノズルは気体を斜め下方向に向けて吐出する。気体ノズルから吐出された気体は、基板の主面に沿って流れる。これにより、効率よく処理液の液膜の内周端を押圧することができる。
前記制御装置は、前記内周端位置調整工程において、前記吹き付け位置を回転速度−吹き付け位置対応テーブルを基準として制御してもよい。前記制御装置は、前記内周端位置調整工程において、前記吹き付け流量を回転速度−吹き付け流量対応テーブルを基準として制御してもよい。前記制御装置は、前記内周端位置調整工程において、前記基板の回転半径方向の前記処理液の液膜の幅を予め定められた幅に調整してもよい。
この発明の一実施形態は、周端の少なくとも一部が円弧状をなす基板を、当該基板の中央部を通る回転軸線まわりに、所定の処理回転速度で回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程に並行して、前記基板の外周部に向けて処理液ノズルから処理液を吐出する処理液吐出工程と、前記基板回転工程および前記処理液吐出工程に並行して、前記基板における処理液の着液位置に着液した処理液に向けて、基板の回転半径方向の内側から気体を吹き付ける気体吹き付け工程と、前記気体吹き付け工程に並行して、前記基板における気体の吹き付け位置および／または当該気体ノズルから前記基板に吹き付けられる気体の吹き付け流量を制御して、前記着液位置に着液している処理液の内周端の位置を、前記処理回転速度に対応する位置に調整する内周端位置調整工程とを含む、基板処理方法を提供する。

前記気体吹き付け工程は、前記基板の外周部における処理液の着液位置に対し気体ノズルから前記基板の回転半径方向の内側に位置する吹き付け位置に向けて気体を吹き付けてもよい。
この発明の一実施形態では、前記内周端位置調整工程は、前記気体の吹き付け領域の位置を調整する工程を含む。
前記内周端位置調整工程は、前記処理回転速度の高低に基づいて、前記吹き付け位置を制御する工程を含んでいてもよい。
前記内周端位置調整工程は、前記吹き付け位置を前記処理回転速度の低下に従って当該吹き付け位置が前記基板の回転半径方向の外側になるように配置する工程を含んでいてもよい。
この発明の一実施形態では、前記内周端位置調整工程は、前記気体の吹き付け流量を調整する気体流量調整工程を含む。
前記内周端位置調整工程は、前記処理回転速度の工程に基づいて、前記気体ノズルから前記吹き付け位置に吹き付けられる気体の吹き付け流量を制御する工程を含んでいてもよい。
前記内周端位置調整工程は、前記気体ノズルから前記吹き付け位置に吹き付けられる気体の前記吹き付け流量を前記処理回転速度の低下に従って多くなるように調整する工程を含んでいてもよい。

この発明の一実施形態では、前記内周端位置調整工程は、前記処理回転速度が予め定める速度以上である場合には実行されず、前記処理回転速度が予め定める速度未満である場合に実行される。

この発明の一実施形態では、前記基板処理方法は、前記基板の外周部を支持せずに当該基板の中央部を支持して当該基板を保持する基板保持ユニットを含む基板処理装置において実行される方法である。そして、前記基板処理方法は、前記基板保持ユニットに保持されている基板の、周方向の各周端位置を計測する各周端位置計測工程をさらに含む。そして、前記基板処理方法は、前記着液位置に着液している処理液の内周端が、前記基板の周端のうち前記処理液ノズルが配置されている周方向位置の周端である配置位置周端の位置変化に追従して往復移動するように、前記着液位置に着液している処理液の内周端の位置を調整する工程（第２の内周端位置調整工程）をさらに含む。

前記内周端位置調整工程は、前記吹き付け位置を回転速度−吹き付け位置対応テーブルを基準として制御してもよい。前記内周端位置調整工程は、前記吹き付け流量を回転速度−吹き付け流量対応テーブルを基準として制御してもよい。前記内周端位置調整工程は、前記基板の回転半径方向の前記処理液の液膜の幅を予め定められた幅に調整してもよい。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。 図２は、前記基板処理装置に備えられた処理ユニットの構成例を説明するための図解的な図である。 図３Ａは、処理位置に配置されている処理液ノズルおよび気体ノズルのそれぞれから処理液および気体を吐出している状態を示す断面図である。 図３Ｂは、参考例において、処理液ノズルから処理液を吐出している状態を示す断面図である。 図４は、処理位置に配置された状態における気体ノズルの平面図である。 図５は、基板が偏芯状態でスピンチャックに保持されている状態を示す模式的な図である。 図６は、基板が偏芯状態でスピンチャックに保持されている状態を示す模式的な図である。 図７は、参考処理例における基板の上面の外周領域の処理幅を示す平面図である。 図８は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。 図９は、情報記憶部に記憶されている回転速度−吹き付け領域位置対応テーブルを説明するための図である。 図１０は、前記処理ユニットによって実行される第１の基板処理例を説明するための流れ図である。 図１１は、図１０に示す各周端径方向位置計測工程の内容を説明するための流れ図である。 図１２は、図１０に示す外周部処理工程の内容を説明するための流れ図である。 図１３は、前記外周部処理工程の内容を説明するための模式的な図である。 図１４は、前記外周部処理工程の内容を説明するための模式的な図である。 図１５Ａは、前記外周部処理工程における処理液ノズルおよび気体ノズルの状態を模式的に示す図である。 図１５Ｂは、前記外周部処理工程における処理液ノズルおよび気体ノズルの状態を模式的に示す図である。 図１６は、前記第１の基板処理例における基板の上面の外周領域の処理幅を示す平面図である。 図１７Ａは、第２の基板処理例に係る外周部処理工程における処理液ノズルおよび気体ノズルの状態を模式的に示す図である。 図１７Ｂは、前記外周部処理工程における処理液ノズルおよび気体ノズルの状態を模式的に示す図である。 図１８は、情報記憶部に記憶されている回転速度−吹き付け領域位置対応テーブルを説明するための図である。 図１９は、第２の実施形態に係る第３の基板処理例に係る外周部処理工程の内容を説明するための流れ図である。 図２０Ａは、第２の実施形態に係る第４の基板処理例に係る外周部処理工程における処理液ノズルおよび気体ノズルの状態を模式的に示す図である。 図２０Ｂは、前記外周部処理工程における処理液ノズルおよび気体ノズルの状態を模式的に示す図である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを、処理液や処理ガスによって一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、処理液を用いて基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリヤＣ１が載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。搬送ロボットＩＲは、キャリヤＣ１と搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。

図２は、処理ユニット２の構成例を説明するための図解的な図である。
処理ユニット２は、基板Ｗの外周部４１（図３Ａ等参照）を、より具体的には基板Ｗの上面（主面）の外周領域４２（図３Ａ等参照）および基板Ｗの周端面４４（図３Ａ等参照）を、処理液を用いて処理（トップサイド処理）するユニットである。この実施形態では、基板Ｗの外周部４１とは、基板Ｗの上面の外周領域４２、基板Ｗの下面（主面）の外周領域４３（図３Ａ等参照）、および基板Ｗの周端面４４を含む部分をいう。また、外周領域４２，４３とは、たとえば、基板Ｗの周端縁からコンマ数ミリ〜数ミリメートル程度の幅を有する環状の領域をいう。

処理ユニット２は、内部空間を有する箱形の処理チャンバ４と、処理チャンバ４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持ユニット）５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面の外周領域４２に処理液（薬液およびリンス液）を供給するための処理液供給ユニット６と、処理液供給ユニット６から外周領域４２に着液した処理液に向けて、基板Ｗの回転半径方向（以下、径方向ＲＤ）の内側から外側に向けて気体の一例としての不活性ガスを吹き付ける気体吹き付けユニット７と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面中央部に、不活性ガスを供給するための第１の不活性ガス供給ユニット８と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面の外周領域４２に、不活性ガスを供給するための第２の不活性ガス供給ユニット９と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの下面の外周領域４３に、不活性ガスを供給するための第３の不活性ガス供給ユニット１０と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの下面の外周領域４３を加熱するためのヒータ１１と、スピンチャック５を取り囲む筒状の処理カップ１２とを含む。

処理チャンバ４は、箱状の隔壁１３と、隔壁１３の上部から隔壁１３内（処理チャンバ４内に相当）に清浄空気を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１４と、隔壁１３の下部から処理チャンバ４内の気体を排出する排気装置（図示しない）とを含む。
ＦＦＵ１４は隔壁１３の上方に配置されており、隔壁１３の天井に取り付けられている。ＦＦＵ１４は、隔壁１３の天井から処理チャンバ４内に清浄空気を送る。排気装置は、処理カップ１２内に接続された排気ダクト１５を介して処理カップ１２の底部に接続されており、処理カップ１２の底部から処理カップ１２の内部を吸引する。ＦＦＵ１４および排気装置により、処理チャンバ４内にダウンフロー（下降流）が形成される。

スピンチャック５は、この実施形態では、真空吸着式のチャックである。スピンチャック５は、基板Ｗの下面中央部を吸着支持している。スピンチャック５は、鉛直な方向に延びたスピン軸１６と、このスピン軸１６の上端に取り付けられて、基板Ｗを水平な姿勢でその下面を吸着して保持するスピンベース１７と、スピン軸１６と同軸に結合された回転軸を有するスピンモータ（基板回転ユニット）１８とを備えている。スピンベース１７は、基板Ｗの外径よりも小さな外径を有する水平な円形の上面１７ａを含む。基板Ｗの裏面がスピンベース１７に吸着保持された状態では、基板Ｗの外周部４１が、スピンベース１７の周端縁よりも外側にはみ出ている。スピンモータ１８が駆動されることにより、スピン軸１６の中心軸線まわりに基板Ｗが回転される。

処理液供給ユニット６は、処理液ノズル１９と、処理液ノズル１９に接続された薬液配管２０と、薬液配管２０に介装された薬液バルブ２１と、処理液ノズル１９に接続されたリンス液配管２２と、リンス液配管２２に介装されたリンス液バルブ２３と、処理液ノズル１９を移動させる第１のノズル移動機構２４とを含む。処理液ノズル１９は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルである。薬液配管２０には、薬液供給源からの薬液が供給されている。リンス液配管２２には、リンス液供給源からのリンス液が供給されている。リンス液バルブ２３が閉じられた状態で薬液バルブ２１が開かれると、薬液配管２０から処理液ノズル１９に供給された連続流の薬液が、処理液ノズル１９の下端に設定された処理液吐出口１９ａ（図３Ａ参照）から吐出される。また、薬液バルブ２１が閉じられた状態でリンス液バルブ２３が開かれると、リンス液配管２２から処理液ノズル１９に供給された連続流のリンス液が処理液吐出口１９ａから吐出される。第１のノズル移動機構２４は、平面視で基板Ｗの上面（たとえば上面中央部）を通る軌跡に沿って処理液ノズル１９を水平に移動させる。第１のノズル移動機構２４は、処理液ノズル１９から吐出された処理液（薬液およびリンス液）が基板Ｗの上面の外周領域４２に供給される処理位置と、処理液ノズル１９が平面視でスピンチャック５の側方に退避した退避位置との間で処理液ノズル１９を移動させる。また、第１のノズル移動機構２４は、処理液ノズル１９からの処理液の着液位置４５（図３Ａ参照）が、基板Ｗの上面の外周領域４２において、径方向ＲＤに移動するように処理液ノズル１９を移動させる。

薬液は、たとえば、基板Ｗをエッチングしたり、基板Ｗを洗浄したりするのに用いられる液である。薬液は、フッ酸、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）、希フッ酸（ＤＨＦ）、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえば、クエン酸、蓚酸等）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、有機溶剤（たとえばＩＰＡ（isopropyl alcohol）など）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。リンス液は、たとえば脱イオン水（ＤＩＷ）であるが、ＤＩＷに限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。

気体吹き付けユニット７は、気体ノズル１０１と、気体ノズル１０１に接続された第１の気体配管１０２と、第１の気体配管１０２に介装された第１の気体バルブ１０３および気体流量調整バルブ（吹き付け流量調整ユニット）１０４と、気体ノズル１０１を移動させる第２のノズル移動機構１０５とを含む。図示はしないが、気体流量調整バルブ１０４は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。第１の気体配管１０２には、不活性ガス供給源からの不活性ガスが供給されている。第１の気体バルブ１０３が開かれると、第１の気体配管１０２から気体ノズル１０１に供給された不活性ガスが、気体ノズル１０１の下端に設定された気体吐出口１０１ａ（図３Ａ参照）から吐出される。気体吐出口１０１ａから吐出された気体（不活性ガス）は、処理液供給ユニット６から外周領域４２に着液した処理液に向けて、径方向ＲＤの内側から外側に向けて吹き付けられる。第２のノズル移動機構１０５は、気体ノズル１０１から吐出された気体が基板Ｗの上面の外周領域４２に供給される処理位置と、気体ノズル１０１が平面視でスピンチャック５の側方に退避した退避位置との間で、気体ノズル１０１を移動させる。気体としての不活性ガスは、たとえば、窒素ガスであるが、窒素ガスに限らず、空気やヘリウムガス、アルゴンガスなどの他の不活性ガスであってもよい。

第２のノズル移動機構１０５は、平面視で基板の上面（たとえば上面中央部）を通る軌跡に沿って気体ノズル１０１を水平に移動させる。第２のノズル移動機構１０５は、気体ノズル１０１から吐出された処理液（薬液およびリンス液）が基板Ｗの上面の外周領域４２に吹き付けられる処理位置と、気体ノズル１０１が平面視でスピンチャック５の側方に退避した退避位置との間で気体ノズル１０１を移動させる。また、第２のノズル移動機構１０５は、気体ノズル１０１からの気体の吹き付け領域１０６が、基板Ｗの上面の外周領域４２において径方向ＲＤに移動するように気体ノズル１０１を移動させる。

第１の不活性ガス供給ユニット８は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面の中央部に不活性ガスを供給するための気体吐出ノズル２７と、気体吐出ノズル２７に不活性ガスを供給する第２の気体配管２８と、第２の気体配管２８を開閉する第２の気体バルブ２９と、気体吐出ノズル２７を移動させるための第３のノズル移動機構３０とを含む。基板Ｗの上面中央部の上方に設定された処理位置において第２の気体バルブ２９が開かれると、気体吐出ノズル２７から吐出される不活性ガスによって、中央部から外周部４１に向けて流れる放射状気流が基板Ｗの上方に形成される。

第２の不活性ガス供給ユニット９は、基板Ｗの上面の外周領域４２に対して不活性ガスを吐出するための上外周部気体ノズル３１と、上外周部気体ノズル３１に不活性ガスを供給する第３の気体配管３２と、第３の気体配管３２を開閉する第３の気体バルブ３３と、上外周部気体ノズル３１を移動させるための第４のノズル移動機構３４とを含む。基板Ｗの上面の外周領域４２に対向する処理位置において第３の気体バルブ３３が開かれると、上外周部気体ノズル３１は、基板Ｗの上面の外周領域４２の吹き付け領域に対し、径方向ＲＤの内側から、外側かつ斜め下向きに不活性ガスを吐出する。これにより、基板Ｗの上面の外周領域４２における処理液の処理幅を制御することができる。

第３の不活性ガス供給ユニット１０は、基板Ｗの下面の外周領域４３に対して不活性ガスを吐出するための下外周部気体ノズル３６と、下外周部気体ノズル３６に不活性ガスを供給する第４の気体配管３７と、第４の気体配管３７を開閉する第４の気体バルブ３８とを含む。基板Ｗの下面の外周領域４３に対向する処理位置において第４の気体バルブ３８が開かれると、下外周部気体ノズル３６は、基板Ｗの下面の外周領域４３の吹き付け領域に対し、径方向ＲＤの内側から外側斜め上向きに（たとえば水平面に対し４５°）不活性ガスを吐出する。

ヒータ１１は、円環状に形成されており、基板Ｗの外径と同等の外径を有している。ヒータ１１は、スピンチャック５に保持された基板Ｗの下面の外周領域４３に対向する上端面を有している。ヒータ１１は、セラミックや炭化ケイ素（ＳｉＣ）を用いて形成されており、その内部に加熱源（図示しない）が埋設されている。加熱源の加熱によりヒータ１１が温められて、ヒータ１１が基板Ｗを加熱する。ヒータ１１によって基板Ｗの外周部４１を下面側から加熱することにより、基板Ｗの上面の外周領域４２における処理レートを向上させることができる。

処理カップ１２は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗよりも外方（回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。処理カップ１２は、スピンベース１７の側方を取り囲んでいる。スピンチャック５が基板Ｗを回転させている状態で、処理液が基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された処理液が基板Ｗの周囲に振り切られる。処理液が基板Ｗに供給されるとき、上向きに開いた処理カップ１２の上端部１２ａは、スピンベース１７よりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された薬液や水などの処理液は、処理カップ１２によって受け止められる。そして、処理カップ１２に受け止められた処理液は排液処理される。

また、処理ユニット２は、スピンチャック５によって保持されている基板Ｗの周端の径方向ＲＤの位置（以下、単に「径方向位置」という）を検出するための径方向位置センサ（各周端位置計測ユニット）４７を含む。径方向位置センサ４７は、基板Ｗの周端面４４のうち所定の計測対象位置について、その径方向位置を検出している。
図３Ａは、処理位置に配置されている処理液ノズル１９および気体ノズル１０１のそれぞれから処理液および気体を吐出している状態を示す断面図である。図３Ｂは、参考例において、処理液ノズル１９から処理液を吐出している状態を示す断面図である。図３Ｂは、気体ノズル１０１を処理位置に配置していない（すなわち、気体ノズル１０１を設けていない）点において、図３Ａと相違している。

基板Ｗは、デバイス形成面を上方に向けた状態でスピンチャック５（図２参照）に保持されている。処理液ノズル１９が、基板Ｗの上面の外周領域４２に対向する処理位置に配置された状態で、薬液バルブ２１（図２参照）およびリンス液バルブ２３（図２参照）が選択的に開かれると、処理液ノズル１９は、基板Ｗの上面の外周領域４２の着液位置（以下、単に「着液位置４５」という）に対し、径方向ＲＤの内側から外側斜め下向きに処理液（薬液またはリンス液）を吐出する。径方向ＲＤの内側から着液位置４５に向けて処理液が吐出される。

基板Ｗの上面（デバイス形成面）は外周領域４２を除き、半導体デバイスが形成されたデバイス形成領域である。処理液ノズル１９から径方向ＲＤの内側から斜め下向きに処理液が吐出されるので、デバイス形成領域である基板Ｗの上面中央部への処理液の液跳ねをある程度抑制できる。このとき、処理液吐出口１９ａからの処理液の吐出方向は、径方向ＲＤに沿う方向であり、かつ基板Ｗの上面に対して所定角度で入射するような方向である。入射角θ１は、たとえば約３０°〜約８０°であり、好ましくは約４５°であるである。

図３Ａおよび図３Ｂに示すように、着液位置４５に着液した処理液は、着液位置４５の周囲において処理液の液膜ＬＦを形成し、着液位置４５に対し、基板Ｗの回転方向Ｒにかつ径方向ＲＤの外側に向けて流れる。そのため、基板Ｗの上面の外周領域４２には、処理液が環状に保持される。このときの処理液の液膜ＬＦの幅Ｗ１（以下、「着液位置液幅Ｗ１」という。着液位置４５における処理液の幅）が、処理幅になる。

図３Ａに示すように、気体ノズル１０１が、基板Ｗの上面の外周領域４２に対向する処理位置に配置される。このとき、気体ノズル１０１の気体吐出口１０１ａからの気体の吐出方向は、径方向ＲＤに沿う方向であり、かつ基板Ｗの上面に対して所定角度で入射するような方向である。入射角θ２は、たとえば約２０ °〜約８０°であり、好ましくは約４５°であるである。

この状態で、第１の気体バルブ１０３（図２参照）が開かれると、気体ノズル１０１は、着液位置４５に対し、径方向ＲＤの内側に位置する吹き付け領域１０６に対し、径方向ＲＤの内側から外側斜め下向きに気体を吐出する。気体ノズル１０１の気体吐出口１０１ａから吐出された気体は、吹き付け領域１０６に吹き付けられた後、基板Ｗの上面に沿って径方向ＲＤの外側に向けて流れ、処理液の液膜ＬＦに衝突する（吹き付けられる）。図３Ａに示すように、処理液の液膜ＬＦに対し、径方向ＲＤの内側から気体が吹き付けられることにより処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置を精度良く制御することができる。

図３Ｂのように気体の吹き付けを行わない場合には、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置を精度良く制御できず、着液位置液幅Ｗ１を細くすることができないため、処理幅を約１ｍｍ以下にすることは困難である。これに対し、図３Ａに示すように、本実施形態では、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置を精度良く制御できるから、着液位置液幅Ｗ１を細幅に調整することも可能である。具体的には、このような気体の吹き付けを行うことにより、処理幅をコンマ数ミリという細幅に調整することもできる。

また、処理液の液膜ＬＦ（着液位置４５に着液した処理液）に対し、径方向ＲＤの内側から気体が吹き付けられるので、着液位置４５に着液した処理液が、径方向ＲＤの内側に向けて飛散することを抑制できる。これにより、デバイス形成領域に処理液が進入することを、より効果的に抑制することができる。
また、着液位置液幅Ｗ１（液膜ＬＦの幅）の広狭（すなわち、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置）は、処理回転速度（処理時における基板Ｗの回転速度）に依存している。処理回転速度が速いと、基板Ｗの回転による遠心力が増大するから着液位置液幅Ｗ１が狭くなる。一方、処理回転速度が遅いと、基板Ｗの回転による遠心力が減少するから着液位置液幅Ｗ１が広くなる。

図４は、処理位置に配置された状態における気体ノズル１０１の平面図である。図４では、処理液ノズル１９の図示を省略している。気体ノズル１０１の下面には、平面視で円弧スリット状の気体吐出口１０１ａが形成されている。気体吐出口１０１ａは、基板Ｗの周方向に所定の幅Ｗ２を有している。気体ノズル１０１が処理位置に配置された状態で、気体吐出口１０１ａから吐出された気体は、基板Ｗの上面に吹き付けられて、基板Ｗの外周領域４２に沿う帯状（この実施形態では円弧状）をなす。基板Ｗの回転速度が遅い場合には、基板Ｗの上面の外周領域４２に作用する遠心力が小さいから、着液位置４５（図３Ａ参照）に着液した処理液が回転方向Ｒに向けて流れる過程で内側に広がるおそれもある。しかしながら、この実施形態では、吹き付け領域１０６が基板Ｗの外周領域４２に沿う帯状（円弧状）をなしているので、基板Ｗの内側への処理液の広がりをより効果的に抑制することができる。

図５は、基板Ｗが偏芯状態でスピンチャック５に保持されている状態を示す模式的な図である。図６は、基板Ｗが偏芯状態でスピンチャック５に保持されている状態を示す模式的な図である。図７は、参考処理例における基板Ｗの上面の外周領域４２の処理幅を示す平面図である。
スピンチャック５は、基板Ｗの中央部を支持するタイプのものである。このようなタイプのスピンチャックは基板Ｗの外周部４１を支持しない。そのため、基板Ｗの保持状態において、図５および図６に示すように、基板Ｗの中心がスピンチャック５による基板Ｗの回転軸線Ａ１からずれる（すなわち、スピンチャック５に対して基板Ｗが偏芯している）おそれがある。

基板Ｗの外周部に対する処理では、回転軸線Ａ１回りに基板Ｗを回転させるため、スピンチャック５に対して基板Ｗが偏芯していると、基板Ｗの回転角度位置に応じて、基板Ｗの周端のうち処理液ノズル１９の処理位置に対応する周方向位置の周端（処理液ノズル１９が配置されている周方向位置の周端。以下、「配置位置周端４６（図３Ａ参照）」という）と回転軸線Ａ１との間の距離が変化する。処理液ノズル１９がスピンチャック５に対して静止姿勢にある場合には、処理液の着液位置４５と配置位置周端４６との間の距離が基板Ｗの回転角度位置に伴って変化する。換言すると、回転軸線Ａ１に対する配置位置周端４６の径方向位置が、基板Ｗの回転角度位置に伴って変化する。

その結果、図７に示すように、基板Ｗの上面の外周領域４２の処理幅が、周方向の各位置でばらつきが生じることになる。処理幅に大きなばらつきがあると、それを見込んで中央のデバイス領域を狭く設定しなければならなくなる。そのため、処理幅には高い精度が要求される。
図８は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。

制御装置３は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置３はＣＰＵ等の演算ユニット５１、固定メモリデバイス（図示しない）、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット５２、出力ユニット５３および入力ユニット（図示しない）を有している。記憶ユニット５２には、演算ユニット５１が実行するプログラムが記憶されている。

記憶ユニット５２は、電気的にデータを書き換え可能な不揮発性メモリからなる。記憶ユニット５２は、基板Ｗに対する各処理の内容を規定するレシピを記憶するレシピ記憶部５４と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの周方向の各周端位置における回転軸線Ａ１に対する径方向ＲＤの位置（以下、「各周端径方向位置」という。）に関する位置情報を記憶する各周端径方向位置記憶部５９と、基板Ｗの回転速度と気体の吹き付け領域１０６（図３Ａ等）の位置（吹き付け位置）との対応関係を規定する回転速度−吹き付け領域位置対応テーブル１０７（回転速度−吹き付け位置対応テーブル、第１の対応関係規定情報。図９参照）を記憶する情報記憶部（第１の情報記憶部）５５とを含む。

制御装置３には、スピンモータ１８、第１〜第４のノズル移動機構２４，１０５，３０，３４、ヒータ１１の加熱源、薬液バルブ２１、リンス液バルブ２３、第１の気体バルブ１０３、第２の気体バルブ２９、第３の気体バルブ３３、第４の気体バルブ３８、流量調整バルブ１０４等が制御対象として接続されている。制御装置３は、スピンモータ１８、第１〜第４のノズル移動機構２４，１０５，３０，３４、およびヒータ１１の動作を制御する。また、制御装置３は、バルブ２１，２３，１０３，２９，３３，３８等を開閉する。また、制御装置３は、流量調整バルブ１０４の開度を調整する。

また、制御装置３には、径方向位置センサ４７の検出出力が入力されるようになっている。
図９は、情報記憶部５５に記憶されている回転速度−吹き付け領域位置対応テーブル１０７を説明するための図である。
回転速度−吹き付け領域位置対応テーブル１０７には、基板Ｗの回転速度（処理回転速度）と、各回転速度に対応する吹き付け領域１０６（図３Ａ参照）の径方向ＲＤの位置との対応関係が規定されている。回転速度−吹き付け領域位置対応テーブル１０７によって規定される「吹き付け領域１０６の位置」は、気体ノズル１０１の処理位置の径方向ＲＤの位置情報そのものであってもよいし、気体ノズル１０１を駆動する第２のノズル移動機構１０５を構成するモータの駆動値であって、当該気体ノズル１０１の処理位置に対応する駆動値であってもよい。

一般的に、基板Ｗの回転速度が遅くなるに従って、着液位置液幅Ｗ１が広くなる傾向にある。また、各回転速度に対する気体ノズル１０１の処理位置（基準となる処理位置）の径方向ＲＤの位置が径方向ＲＤの外方に向かうに従って、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１を径方向ＲＤの外方に向けて押す力が増大する。着液位置液幅Ｗ１が広くなることを阻止すべく、基板Ｗの回転速度が遅くなるに従って処理液の液膜ＬＦの内周端３０１を径方向ＲＤの外方に向けて押す力が増大するように、すなわち、基板Ｗの回転速度が遅くなるに従って吹き付け領域１０６が径方向ＲＤの外方に移動するように、回転速度−吹き付け領域位置対応テーブル１０７は規定されている。

図１０は、処理ユニット２によって実行される第１の基板処理例を説明するための流れ図である。図１１は、各周端径方向位置計測工程（Ｓ４）の内容を説明するための流れ図である。図１２は、外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）の内容を説明するための流れ図である。図１３および図１４は、外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）の内容を説明するための模式的な図である。図１５Ａ，１５Ｂは、外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）における処理液ノズル１９および気体ノズル１０１の状態を模式的に示す図である。図１６は、第１の基板処理例における基板Ｗの上面の外周領域４２の処理幅を示す平面図である。

この第１の基板処理例について、図１、図２、図３Ａ、図３Ｂ、および図８〜図１０を参照しながら説明する。図１１〜図１６は適宜参照する。
まず、未処理の基板Ｗが、処理チャンバ４の内部に搬入される（図１０のＳ１）。具体的には、基板Ｗを保持している搬送ロボットＣＲのハンドＨを処理チャンバ４の内部に進入させることにより、基板Ｗがデバイス形成面を上方に向けた状態でスピンチャック５に受け渡される。

その後、基板Ｗの下面中央部が吸着支持されると、スピンチャック５によって基板Ｗが保持される（基板保持工程。図１０のＳ２）。この実施形態では、センタリング機構を用いた、スピンチャック５に対する基板Ｗの芯合わせは行わない。
スピンチャック５に基板Ｗが保持された後、制御装置３はスピンモータ１８を制御して、基板Ｗを回転開始させる（図１０のＳ３）。

次いで、制御装置３は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの各周端径方向位置を計測する各周端径方向位置計測工程（図１０のＳ４）を実行する。図１１を併せて参照しながら、各周端径方向位置計測工程（Ｓ４）について説明する。
各周端径方向位置計測工程（Ｓ４）では、制御装置３は、基板Ｗの回転速度を、所定の計測回転速度（次に述べる液処理速度よりも遅い速度。たとえば約５０ｒｐｍ）まで上昇させ、その計測回転速度に保つ（図１１のＳ１１）。基板Ｗの回転が計測回転速度に達すると（Ｓ１１でＹＥＳ）、制御装置３は、径方向位置センサ４７を用いて各周端径方向位置を計測開始する（図１１のＳ１２）。具体的には、制御装置３は、スピンモータ１８を制御して基板Ｗを回転軸線Ａ１まわりに回動させながら、径方向位置センサ４７によって、基板Ｗの周端面４４のうち所定の計測対象位置の径方向位置を検出させる。径方向位置センサ４７による検出開始後、基板Ｗが少なくとも一周（３６０°）回動し終えると（図１１のＳ１３でＹＥＳ）、全ての各周端径方向位置を検出したとして（ＹＥＳ）、計測が終了する（図１１のＳ１４）。これにより、スピンチャック５に対する基板Ｗの偏芯状態を検出することができる。制御装置３は、計測された各周端径方向位置に基づいて、着液位置４５の往復移動に関する情報（たとえば、往復移動の振幅、周期および位相）を算出する（図１１のＳ１５）。算出された情報は、各周端径方向位置記憶部５９に記憶される（図１１のＳ１６）。その後、各周端径方向位置計測工程（Ｓ４）は、終了する。各周端径方向位置計測工程（Ｓ４）の実行時間は、たとえば約５秒間である。

各周端径方向位置計測工程（Ｓ４）の終了後、次いで、制御装置３は、基板Ｗの外周部４１を、薬液を用いて処理する外周部薬液処理工程（外周部処理工程。図１０のＳ５）を実行する。外周部薬液処理工程（Ｓ５）は、基板Ｗの回転が所定の回転速度（約３００ｒｐｍ〜約１３００ｒｐｍの所定の速度）にある状態で実行される。また、外周部薬液処理工程（Ｓ５）に並行して、制御装置３は、基板Ｗの上面の外周領域４２における薬液の着液位置４５を、基板Ｗの回転角度位置に伴う配置位置周端４６の径方向位置変化に追従して径方向ＲＤに往復移動させる着液位置往復移動工程（第２の内周端位置調整工程）を実行する。また、外周部薬液処理工程（Ｓ５）に並行して、制御装置３は、薬液の着液位置４５の径方向ＲＤ移動に同伴して、吹き付け領域１０６を往復移動させる吹き付け領域往復移動工程を実行する。なお、この明細書において、「着液位置４５を往復移動」および「吹き付け領域１０６を往復移動」とは、基板Ｗを基準とした往復移動ではなく、静止状態にある物体（たとえば処理チャンバ４の隔壁１３）を基準した往復移動のことをいう。

図１２を併せて参照しながら、外周部薬液処理工程（Ｓ５）について説明する。
外周部薬液処理工程（Ｓ５）では、制御装置３は、スピンモータ１８を制御して基板Ｗの回転速度を、所定の処理回転速度（すなわち、外周部薬液処理工程（Ｓ５）における基板Ｗの回転速度）に設定する（図１２のＳ３０）。また、処理液ノズル１９が退避位置にある場合には、制御装置３は、第１のノズル移動機構２４を制御して、処理液ノズル１９を、上面の処理位置（図３Ａに示す位置）に配置する（図１２のＳ３１）。

また、制御装置３の演算ユニット５１は、情報記憶部５５に記憶されている回転速度−吹き付け領域位置対応テーブル１０７（図９参照）を参照して、当該処理回転速度に対応する気体ノズル１０１の処理位置（径方向ＲＤの位置）を決定する（図１２のＳ３２）。そして、制御装置３は、決定した処理位置（径方向ＲＤの位置）に気体ノズル１０１を配置する（図１２のＳ３３）。

基板Ｗの回転が処理回転速度に達すると、制御装置３は、リンス液バルブ２３を閉じながら薬液バルブ２１を開くことにより、処理液ノズル１９の処理液吐出口１９ａから薬液を吐出開始させる（図１２のＳ３４）。また、制御装置３は、第１の気体バルブ１０３を開くことにより、気体ノズル１０１の気体吐出口１０１ａから気体を吐出開始させる（図１２のＳ３４）。気体の吐出開始前の状態において、流量調整バルブ１０４は予め定める開度に調整されている。これにより、図３Ａに示すように、基板Ｗの上面の外周領域４２に薬液が着液して薬液の液膜ＬＦが形成され、かつ薬液の液膜ＬＦに対し、径方向ＲＤの内側から気体が吹き付けられる。これにより、着液位置液幅Ｗ１を良好に制御できる。

なお、気体ノズル１０１からの気体の吐出開始は、処理液ノズル１９からの薬液の吐出開始よりも先立って開始されてもよい。
制御装置３は、図１３および図１４に示すように、前述の着液位置往復移動工程（図１２のＳ３５）を実行する。具体的には、制御装置３は、各周端径方向位置記憶部５９に記憶されている情報（振幅、周期よび位相（各周端径方向位置計測工程（Ｓ４）の計測結果））に基づいて、配置位置周端４６の位置変化と同じ振幅、同じ周期、かつ同じ位相で着液位置４５が移動するように処理液ノズル１９を移動させる。

さらに、制御装置３は、着液位置往復移動工程に並行して、吹き付け領域往復移動工程（Ｓ３５）を実行する。図１５Ａ，１５Ｂに示すように、偏芯している基板Ｗの回転に伴って、配置位置周端４６が図１５Ａに示す実線で位置（図１５Ｂに破線で示す位置）と、図１５Ｂに実線で示す位置との間で移動している。制御装置３は、気体ノズル１０１を、着液位置４５と吹き付け領域１０６との径方向ＲＤの距離が一定に保ちながら、処理液ノズル１９の移動に同期させて気体ノズル１０１を往復移動させる。これにより、着液位置４５の往復移動によらずに、着液位置液幅Ｗ１を、基板Ｗの回転速度に対応する一定の幅に保つことができる。その結果、図１６に示すように、基板Ｗの上面の外周領域４２における処理幅の均一性を高く保つことができる
薬液の吐出開始から予め定める期間が経過すると（図１２のＳ３６でＹＥＳ）、制御装置３は、薬液バルブ２１および第１の気体バルブ１０３をそれぞれ閉じる。これにより、処理液ノズル１９からの薬液の吐出が停止（終了）し、かつ気体ノズル１０１からの気体の吐出が停止（終了）する（図１２のＳ３７）。

また、外周部薬液処理工程（Ｓ５）では、ヒータ１１の熱源がオンされて、ヒータ１１によって、基板Ｗの下面の外周領域４３が加熱される。これにより、外周部薬液処理の処理速度を高めている。また、外周部薬液処理工程（Ｓ５）では、処理位置に配置される気体吐出ノズル２７から吐出される不活性ガスによって、中央部から外周部４１に向けて流れる放射状気流が基板Ｗの上方に形成される。この放射状気流によって、デバイス形成領域である基板Ｗの上面中央部が保護される。また、外周部薬液処理工程（Ｓ５）では、基板の上面の外周領域４２において、気体ノズル１０１の処理位置とは異なる周方向位置に設定された処理位置に位置する上外周部気体ノズル３１から基板Ｗの上面の外周領域４２の吹き付け位置に対し不活性ガスが吹き付けられる。この不活性ガスの吹き付けにより、基板Ｗの上面の外周領域４２における薬液の処理幅を、基板Ｗの周方向の複数位置において制御することができる。また、外周部薬液処理工程（Ｓ５）では、処理位置に位置する下外周部気体ノズル３６から基板Ｗの下面の外周領域４３の吹き付け位置に対し不活性ガスが吹き付けられる。この不活性ガスの吹き付けにより、基板Ｗの下面への薬液の回り込みを防止することができる。

外周部薬液処理工程（Ｓ５）の終了後、次いで、制御装置３は、基板Ｗの外周部４１を、リンス液を用いて処理する外周部リンス液処理工程（外周部処理工程。図１０のＳ６）を実行する。外周部リンス液処理工程（Ｓ６）は、基板Ｗの回転が所定の回転速度（約３００ｒｐｍ〜約１３００ｒｐｍの所定の速度）にある状態で実行される。また、外周部リンス液処理工程（Ｓ６）に並行して、制御装置３は、基板Ｗの上面の外周領域４２におけるリンス液の着液位置４５を、基板Ｗの回転角度位置に伴う配置位置周端４６の径方向位置変化に追従して径方向ＲＤに往復移動させる着液位置往復移動工程を実行する。図１３を併せて参照しながら、外周部リンス液処理工程（Ｓ６）について説明する。

外周部リンス液処理工程（Ｓ６）では、制御装置３は、スピンモータ１８を制御して基板Ｗの回転速度を、所定の処理回転速度（すなわち、外周部リンス液処理工程（Ｓ６）における基板Ｗの回転速度）に設定する（Ｓ３０）。また、処理液ノズル１９が退避位置にある場合には、制御装置３は、第１のノズル移動機構２４を制御して、処理液ノズル１９を、上面の処理位置（図３Ａに示す位置）に配置する（Ｓ３１）。

また、制御装置３の演算ユニット５１は、情報記憶部５５に記憶されている回転速度−吹き付け領域位置対応テーブル１０７（図９参照）を参照して、当該処理回転速度に対応する気体ノズル１０１の処理位置（径方向ＲＤの位置）を決定する（Ｓ３２）。そして、制御装置３は、決定した処理位置（径方向ＲＤの位置）に気体ノズル１０１を配置する（Ｓ３３）。

基板Ｗの回転が処理回転速度に達すると、制御装置３は、薬液バルブ２１を閉じながらリンス液バルブ２３を開くことにより、処理液ノズル１９の処理液吐出口１９ａからリンス液を吐出開始させる（Ｓ３４）。また、制御装置３は、第１の気体バルブ１０３を開くことにより、気体ノズル１０１の気体吐出口１０１ａから気体を吐出開始させる（Ｓ３４）。これにより、図３Ａに示すように、基板Ｗの上面の外周領域４２にリンス液が着液してリンス液の液膜ＬＦが形成され、かつ薬液の液膜ＬＦに対し、径方向ＲＤの内側から気体が吹き付けられる。これにより、着液位置液幅Ｗ１を良好に制御できる。

また、制御装置３は、図１３および図１４に示すように、前述の着液位置往復移動工程（Ｓ３３）を実行する。また、制御装置３は、図１５Ａおよび図１５Ｂに示すように、着液位置往復移動工程に並行して、吹き付け領域往復移動工程（Ｓ３３）を実行する。着液位置往復移動工程および吹き付け領域往復移動工程については、外周部薬液処理工程（Ｓ５）において説明済みであるので、その説明を省略する。

リンス液の吐出開始から予め定める期間が経過すると（Ｓ３６でＹＥＳ）、制御装置３は、リンス液バルブ２３を閉じ、かつ第１の気体バルブ１０３を閉じる。これにより、処理液ノズル１９からのリンス液の吐出が停止（終了）し、かつ気体ノズル１０１からの気体の吐出が停止（終了）する（Ｓ３７）。
また、外周部リンス液処理工程（Ｓ６）では、処理位置に位置する気体吐出ノズル２７から吐出される不活性ガスによって、中央部から外周部４１に向けて流れる放射状気流が基板Ｗの上方に形成される。また、外周部リンス液処理工程（Ｓ６）では、処理位置に位置する上外周部気体ノズル３１から基板Ｗの上面の外周領域４２の吹き付け位置に対し不活性ガスが吹き付けられる。また、外周部リンス液処理工程（Ｓ６）では、処理位置に位置する下外周部気体ノズル３６から基板Ｗの下面の外周領域４３の吹き付け位置に対し不活性ガスが吹き付けられる。外周部リンス液処理工程（Ｓ６）では、ヒータ１１の熱源がオンされて、基板Ｗの下面の外周領域４３が、ヒータ１１によって加熱されてもよいし、加熱されなくてもよい。

その後、制御装置３は、第１のノズル移動機構２４を制御して、処理液ノズル１９をスピンチャック５の側方の退避位置へと戻す。
次いで、基板Ｗを乾燥させるスピンドライ（図１０のＳ７）が行われる。具体的には、制御装置３はスピンモータ１８を制御して、各処理工程Ｓ２〜Ｓ６における回転速度よりも大きい乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、その乾燥回転速度で基板Ｗを回転させる。また、これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗの外周部に付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗの外周部から液体が除去され、基板Ｗの外周部が乾燥する。

基板Ｗの高速回転の開始から所定期間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１８を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる。
その後、処理チャンバ４内から基板Ｗが搬出される（図１０のＳ８）。具体的には、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドを処理チャンバ４の内部に進入させる。そして、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドにスピンチャック５上の基板Ｗを保持させる。その後、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドを処理チャンバ４内から退避させる。これにより、処理後の基板Ｗが処理チャンバ４から搬出される。

以上により、この第１の実施形態によれば、基板Ｗの上面の外周領域４２の着液位置４５に着液した処理液に向けて、基板Ｗの径方向ＲＤの内側から気体が吹き付けられる。処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置は、基板Ｗの回転速度に依存している。基板Ｗの処理回転速度に応じて基板Ｗにおける気体の吹き付け領域１０６の位置を調整すること（内周端位置調整工程の実行）により、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置を、外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）における処理回転速度に対応する位置に調整することができる。そして、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置を調整することにより、着液位置液幅Ｗ１を、処理回転速度に適した幅に調整することも可能である。そのため、基板Ｗの回転速度の如何によらずに、着液位置液幅Ｗ１を精密に制御することができる。これにより、基板Ｗの回転速度によらずに、基板Ｗの上面の外周領域４２における処理幅を精密に制御することができる。

また、吹き付け領域１０６の径方向ＲＤの位置を変更することにより、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置を、処理回転速度に対応する位置に調整することができる。吹き付け領域１０６の径方向ＲＤの位置は、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置に直接的に作用し、当該処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置に大きな影響を与える。したがって、気体の吹き付け領域の位置を変更することにより、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置をより効果的に変更させることができる。これにより、着液位置液幅Ｗ１を、より精密に制御できる。

図１７Ａおよび図１７Ｂは、第１の実施形態に係る第２の基板処理例の外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）における処理液ノズル１９および気体ノズル１０１の状態を模式的に示す図である。
この第２の基板処理例が、前述の第１の基板処理例と異なる点は、外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）において、着液位置往復移動工程（処理液ノズル１９の往復移動）を行わずに、吹き付け領域往復移動工程によって、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１を、配置位置周端４６の位置変化に追従して往復移動させている点である。偏芯している基板Ｗの回転に伴って、配置位置周端４６が図１７Ａに示す実線で位置（図１７Ｂに破線で示す位置）と、図１７Ｂに実線で示す位置との間で移動する。この場合、制御装置３は、各周端径方向位置記憶部５９（図８参照）に記憶されている情報（振幅、周期よび位相（各周端径方向位置計測工程（Ｓ４）の計測結果））に基づいて、配置位置周端４６の位置変化と同じ振幅、同じ周期、かつ同じ位相で処理液の液膜ＬＦの内周端３０１が移動するように気体ノズル１０１を往復移動させる。これにより、処理液ノズル１９を移動させることなく、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１と配置位置周端４６との距離を一定に保つことができる。その結果、基板Ｗの偏芯状態によらずに、基板Ｗの上面の外周領域４２における処理幅の均一性を高く保つことができる。

次に第２の実施形態について説明する。図１８は、第２の実施形態に係る情報記憶部（第２の情報記憶部）５５に記憶されている回転速度−吹き付け流量対応テーブル（第２の対応関係規定情報）２０７を説明するための図である。
回転速度−吹き付け流量対応テーブル２０７には、基板Ｗの回転速度（処理回転速度）と、各回転速度に対応する、気体ノズル１０１から吹き付け領域１０６に吹き付けられる気体の吹き付け流量との対応関係が規定されている。回転速度−吹き付け流量対応テーブル２０７によって規定される「気体の吹き付け流量」は、吹き付け流量そのものであってもよいし、当該吹き付け流量に対応する流量調整バルブ１０４の開度であってもよい。

一般的に、基板Ｗの回転速度が遅くなるに従って、着液位置液幅Ｗ１が広くなる傾向にある。また、吹き付け領域１０６に吹き付けられる気体の吹き付け流量が多量になるに従って、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１が径方向ＲＤの外方に向けて押し付けられる。着液位置液幅Ｗ１が広くなることを阻止すべく、基板Ｗの回転速度が遅くなるに従って処理液の液膜ＬＦの内周端３０１を径方向ＲＤの外方に向けて押す力が増大するように、すなわち、基板Ｗの回転速度が遅くなるに従って気体の吹き付け流量が増大するように、回転速度−吹き付け流量対応テーブル２０７は規定されている。
図１９は、第２の実施形態に係る第３の基板処理例に係る外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）の内容を説明するための流れ図である。第２の実施形態に係る第３の基板処理例は、外周部薬液処理工程（Ｓ５）において、第１の実施形態に係る第１の基板処理例と相違する。第３の基板処理例に係る外周部薬液処理工程（Ｓ５）について、図２、図８および図１９を参照しながら説明する。第３の基板処理例に係る外周部リンス液処理工程（Ｓ６）についての説明は省略する。

外周部薬液処理工程（Ｓ５）では、制御装置３は、基板Ｗの回転速度を処理回転速度に設定し（Ｓ４０）。また、処理液ノズル１９が退避位置にある場合には、制御装置３は、処理液ノズル１９を、上面の処理位置（図３Ａに示す位置）に配置する（Ｓ３１）。Ｓ４０およびＳ４１は、それぞれ図１２にＳ３０およびＳ３１に相当する。また、制御装置３は、予め定める処理位置に気体ノズル１０１を配置する。

また、制御装置３の演算ユニット５１は、情報記憶部５５に記憶されている回転速度−吹き付け流量対応テーブル２０７（図１８参照）を参照して、当該処理回転速度に対応する気体の吹き付け流量（気体ノズル１０１からの吐出流量）を決定する（Ｓ４２）。そして、制御装置３は、気体流量調整バルブ１０４を制御して、決定された吹き付け流量が気体吐出口１０１ａから吐出されるように、気体流量調整バルブ１０４の開度を調整する（Ｓ４３）。

基板Ｗの回転が処理回転速度に達すると、制御装置３は、リンス液バルブ２３を閉じながら薬液バルブ２１を開くことにより、処理液ノズル１９の処理液吐出口１９ａから薬液を吐出開始させる（Ｓ４４）。また、制御装置３は、第１の気体バルブ１０３を開くことにより、気体ノズル１０１の気体吐出口１０１ａから気体を吐出開始させる（Ｓ４４）。これにより、図３Ａに示すように、基板Ｗの上面の外周領域４２に薬液が着液して薬液の液膜ＬＦが形成され、かつ薬液の液膜ＬＦに対し、径方向ＲＤの内側から気体が吹き付けられる。これにより、着液位置液幅Ｗ１を良好に制御できる。

制御装置３は、図１３および図１４に示すように、着液位置往復移動工程（Ｓ４５）を実行する。着液位置往復移動工程（Ｓ４５）は、図１２のＳ３５の着液位置往復移動工程と同等の工程である。さらに、制御装置３は、着液位置往復移動工程に並行して、吹き付け領域往復移動工程（Ｓ４５）を実行する。吹き付け領域往復移動工程（Ｓ４５）も、図１２のＳ３５の吹き付け領域往復移動工程と同等の工程である。

薬液の吐出開始から予め定める期間が経過すると（Ｓ４６でＹＥＳ）、制御装置３は、薬液バルブ２１および第１の気体バルブ１０３をそれぞれ閉じる。これにより、処理液ノズル１９からの薬液の吐出が停止（終了）し、かつ気体ノズル１０１からの気体の吐出が停止（終了）する（Ｓ４７）。
以上により、この第２の実施形態によれば、基板Ｗの処理回転速度に応じて、吹き付け領域１０６に吹き付けられる気体の吹き付け流量を調整することにより、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置を、外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）における処理回転速度に対応する位置に調整することができる。処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置を調整することにより、着液位置液幅Ｗ１を、処理回転速度に適した幅に調整することも可能である。そのため、基板Ｗの回転速度の如何によらずに、着液位置液幅Ｗ１を精密に制御することができる。これにより、基板Ｗの回転速度によらずに、基板Ｗの上面の外周領域４２における処理幅を精密に制御することができる。

図２０Ａおよび図２０Ｂは、第２の実施形態に係る第４の基板処理例の外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）における処理液ノズル１９および気体ノズル１０１の状態を模式的に示す図である。
この第４の基板処理例が、前述の第３の基板処理例と異なる点は、外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）において、着液位置往復移動工程（処理液ノズル１９の往復移動）および吹き付け領域往復移動工程を行わずに、気体ノズル１０１からの気体の吹き付け流量を変化させることにより、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１を、配置位置周端４６の位置変化に追従して往復移動させている点である。偏芯している基板Ｗの回転に伴って、配置位置周端４６が図２０Ａに示す実線で位置（図２０Ｂに破線で示す位置）と、図２０Ｂに実線で示す位置との間で移動する。この場合、制御装置３は、各周端径方向位置記憶部５９（図８参照）に記憶されている情報（振幅、周期よび位相（各周端径方向位置計測工程（Ｓ４）の計測結果））に基づいて、配置位置周端４６の位置変化と同じ振幅、同じ周期、かつ同じ位相で処理液の液膜ＬＦの内周端３０１が移動するように、気体流量調整バルブ１０４を制御して、気体ノズル１０１の気体吐出口１０１ａから吐出される気体の流量を調整する。これにより、処理液ノズル１９を移動させることなく、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１と配置位置周端４６との距離を一定に保つことができる。その結果、基板Ｗの偏芯状態によらずに、基板Ｗの上面の外周領域４２における処理幅の均一性を高く保つことができる。ゆえに、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１と配置位置周端４６との距離を一定に保つことができる。

以上、この発明の２つの実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。
たとえば、処理液の液膜ＬＦへの気体の吹き付けによる、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置の制御（内周端位置調整工程）を、外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）における基板Ｗの処理回転速度が、予め定める速度（たとえば１３００ｒｐｍ）未満である場合にのみ実行し、当該処理回転速度が、予め定める速度（たとえば１３００ｒｐｍ）以上である場合には、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１に対する気体の吹き付けを実行しないようにしてもよい。処理回転速度が１３００ｒｐｍ未満である場合には、着液位置４５に着液した処理液が着液位置４５において膨らんで、基板Ｗの内側に広がるおそれがある。その一方で、処理回転速度が１３００ｒｐｍ以上である場合には、着液位置４５に着液した処理液は、基板Ｗの内側には広がらない。そのため、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１に対する気体の吹き付けを、必要なときのみ実行してもよい。

また、前述の各実施形態において、情報記憶部５５に、回転速度−吹き付け領域位置対応テーブル１０７や回転速度−吹き付け流量対応テーブル２０７を記憶するとして説明したが、処理回転速度と吹き付け領域１０６の位置との対応関係や、吹き付け領域１０６への気体の吹き付け流量との対応関係を表すマップを情報記憶部５５に記憶し、このマップに基づいて、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１に対する気体の吹き付けを実行するようにしてもよい。

また、前述の各実施形態において、気体吐出口１０１ａが、円弧状のスリットではなく、たとえば直線状のスリットを用いて構成されていてもよい。また、気体吐出口１０１ａが複数の吐出穴によって構成されていてもよい。
また、気体ノズル１０１が、基板Ｗの上面の中央部に間隔を空けて対向する対向部材（たとえば気体吐出ノズル２７（図２参照））の外周部に一体的に設けられていてもよい。

また、内周端位置調整工程において、気体の吹き付け領域１０６の位置および吹き付け流量の双方を調整するようにしてもよい。
たとえば、周端位置計測工程として、各周端径方向位置計測工程（Ｓ４）に代えて、基板Ｗの周方向の各周端位置における高さ位置である各周端高さ位置を計測する各周端高さ位置計測工程が実行されてもよい。この場合、スピンチャック５によって保持されている基板Ｗの周端の高さ位置を検出するための高さ位置センサ（位置センサ）が設けられており、高さ位置センサの検出出力に基づいて、各周端高さ位置が計測されるようになっていてもよい。また、位置センサに限られず、ＣＣＤカメラを用いて、基板Ｗの周方向の各周端位置を計測するようにしてもよい。

また、前述の各実施形態では、基板処理装置が円板状の基板Ｗを処理する装置である場合について説明したが、基板Ｗは周端の少なくとも一部が円弧状をなしていれば足り、必ずしも真円である必要はない。
また、ノズル駆動機構として、処理液ノズル１９および気体ノズル１０１を、円弧軌跡を描きながら移動させるスキャンタイプのものを例に挙げたが、処理液ノズル１９および気体ノズル１０１として、直線状に移動させる直動タイプのものが採用されていてもよい。

また、前述の各実施形態では、基板Ｗの偏芯状態に拘りなく、基板Ｗの上面の外周領域４２における処理幅を均一にすべく、外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）において配置位置周端４６の位置変化に追従して、処理液の着液位置４５や、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１を往復移動させるようにした。しかしながら、本発明は、処理液の着液位置４５や、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１を往復移動させるものに限られない。すなわち、処理幅を細幅に調整することを目的として、処理液の液膜ＬＦに対し径方向ＲＤの内側から気体を吹き付けて着液位置液幅Ｗ１を細くするものであってもよい。

また、処理液ノズル１９は、薬液およびリンス液の双方を吐出するものを例に挙げて説明したが、薬液を吐出するための処理液ノズル（薬液ノズル）と、リンス液を吐出するための処理液ノズル（リンス液ノズル）とが個別に設けられていてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能で
ある。

１ ：基板処理装置
２ ：処理ユニット
３ ：制御装置
５ ：スピンチャック（基板保持ユニット）
１８ ：スピンモータ（基板回転ユニット）
１９ ：処理液ノズル
４１ ：外周部
４５ ：着液位置
４６ ：配置位置周端
４７ ：径方向位置センサ（各周端位置計測ユニット）
５５ ：情報記憶部（第１の情報記憶部、第２の情報記憶部）
１０１ ：気体ノズル
１０１ａ ：気体吐出口
１０４ ：気体流量調整バルブ（吹き付け流量調整ユニット）
１０５ ：第２のノズル移動機構（気体ノズル駆動ユニット）
１０６ ：吹き付け領域
１０７ ：回転速度−吹き付け領域位置対応テーブル（回転速度−吹き付け位置対応テーブル、第１の対応関係規定情報）
２０７ ：回転速度−吹き付け流量対応テーブル（第２の対応関係規定情報）
３０１ ：内周端
Ａ１ ：回転軸線
Ｗ ：基板
Ｗ１ ：着液位置液幅

Claims (16)

1. 周端の少なくとも一部が円弧状をなす基板を保持する基板保持ユニットと、
   前記基板保持ユニットによって保持されている基板を、当該基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させるための基板回転ユニットと、
   前記基板保持ユニットによって保持されている基板の外周部に向けて処理液を吐出するための処理液ノズルと、
   前記基板保持ユニットによって保持されている基板の外周部における処理液の着液位置に対し前記基板の回転半径方向の内側に位置する吹き付け位置に向けて気体を吹き付けるための気体ノズルと、
   前記気体ノズルを駆動するための気体ノズル駆動ユニットと、
   前記吹き付け位置に吹き付けられる気体の流量を調整するための吹き付け流量調整ユニットと、
   前記基板回転ユニット、ならびに前記気体ノズル駆動ユニットおよび前記吹き付け流量調整ユニットの少なくとも一方を制御して、前記基板保持ユニットに保持されている前記基板を前記基板回転ユニットによって前記回転軸線まわりに所定の処理回転速度で回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程に並行して、前記基板の外周部に向けて前記処理液ノズルから処理液を吐出する処理液吐出工程と、前記基板回転工程および前記処理液吐出工程に並行して、前記吹き付け位置に向けて前記気体ノズルから気体を吹き付ける気体吹き付け工程と、前記気体吹き付け工程に並行して、前記処理回転速度の高低に基づいて、前記吹き付け位置を前記気体ノズル駆動ユニットによって制御しておよび／または前記気体ノズルから前記吹き付け位置に吹き付けられる気体の吹き付け流量を前記吹き付け流量調整ユニットによって制御して、前記着液位置に着液している処理液の内周端の位置を、前記処理回転速度に対応する位置に調整する内周端位置調整工程とを実行する制御装置とを含み、
   前記内周端位置調整工程は、前記吹き付け位置を、前記処理回転速度の低下に従って当該吹き付け位置が前記基板の回転半径方向の外側になるように配置する工程、および／または前記気体ノズルから前記吹き付け位置に吹き付けられる気体の前記吹き付け流量を前記処理回転速度の低下に従って多くなるように調整する工程を含む、基板処理装置。
2. 前記制御装置は、前記内周端位置調整工程において、前記気体ノズル駆動ユニットを制御して、前記吹き付け位置を、前記処理回転速度の低下に従って当該吹き付け位置が前記基板の回転半径方向の外側になるように配置する工程を実行する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記処理回転速度と、前記吹き付け位置との対応関係を規定する第１の対応関係規定情報を記憶する第１の情報記憶部をさらに含み、
   前記制御装置は、前記第１の対応関係規定情報に基づいて前記内周端位置調整工程を実行する、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記制御装置は、前記内周端位置調整工程において、前記吹き付け流量調整ユニットを制御して、前記吹き付け流量を前記処理回転速度の低下に従って多くなるように調整する気体流量調整工程を実行する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記処理回転速度と、前記吹き付け流量との対応関係を規定する第２の対応関係規定情報を記憶する第２の情報記憶部をさらに含み、
   前記制御装置は、前記第２の対応関係規定情報に基づいて前記内周端位置調整工程を実行する、請求項４に記載の基板処理装置。
6. 周端の少なくとも一部が円弧状をなす基板を保持する基板保持ユニットと、
   前記基板保持ユニットによって保持されている基板を、当該基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させるための基板回転ユニットと、
   前記基板保持ユニットによって保持されている基板の外周部に向けて処理液を吐出するための処理液ノズルと、
   前記基板保持ユニットによって保持されている基板の外周部における処理液の着液位置に対し前記基板の回転半径方向の内側に位置する吹き付け位置に向けて気体を吹き付けるための気体ノズルと、
   前記基板回転ユニットを制御して、前記基板保持ユニットに保持されている前記基板を前記回転軸線まわりに所定の処理回転速度で回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程に並行して、前記基板の外周部に向けて前記処理液ノズルから処理液を吐出する処理液吐出工程と、前記基板回転工程および前記処理液吐出工程に並行して、前記吹き付け位置に向けて前記気体ノズルから気体を吹き付ける気体吹き付け工程と、前記気体吹き付け工程に並行して、前記吹き付け位置または前記吹き付け位置に吹き付けられる気体の吹き付け流量を制御して、前記着液位置に着液している処理液の内周端の位置を、前記処理回転速度に対応する位置に調整する内周端位置調整工程とを実行する制御装置とを含み、
   前記制御装置は、前記内周端位置調整工程において、
   前記吹き付け位置を回転速度−吹き付け位置対応テーブルを基準として制御し、前記吹き付け流量を回転速度−吹き付け流量対応テーブルを基準として制御し、
   前記基板の回転半径方向の前記処理液の液膜の幅を予め定められた幅に調整する、基板処理装置。
7. 前記制御装置は、前記処理回転速度が予め定める速度以上である場合に前記内周端位置調整工程を実行せず、前記処理回転速度が予め定める速度未満である場合に前記内周端位置調整工程を実行する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 前記基板保持ユニットは、前記基板の外周部を支持せずに当該基板の中央部を支持して当該基板を保持するユニットを含み、
   前記基板処理装置は、前記基板保持ユニットに保持されている基板の周方向の各周端位置を計測するための各周端位置計測ユニットをさらに含み、
   前記制御装置は、前記基板保持ユニットに保持されている基板の、周方向の各周端位置を、前記各周端位置計測ユニットによって計測する各周端位置計測工程と、前記着液位置に着液している処理液の内周端が、前記基板の周端のうち前記処理液ノズルが配置されている周方向位置の周端である配置位置周端の位置変化に追従して往復移動するように、前記着液位置に着液している処理液の内周端の位置を調整する第２の内周端位置調整工程とをさらに実行する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
9. 前記気体ノズルは、気体の前記吹き付け位置が前記基板の外周部に沿う帯状をなすような気体吐出口を有している、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
10. 前記気体ノズルは、前記基板の外側かつ斜め下向きに気体を吐出する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
11. 周端の少なくとも一部が円弧状をなす基板を、当該基板の中央部を通る回転軸線まわりに、所定の処理回転速度で回転させる基板回転工程と、
    前記基板回転工程に並行して、前記基板の外周部に向けて処理液ノズルから処理液を吐出する処理液吐出工程と、
    前記基板回転工程および前記処理液吐出工程に並行して、前記基板の外周部における処理液の着液位置に対し前記基板の回転半径方向の内側に位置する吹き付け位置に向けて気体ノズルから気体を吹き付ける気体吹き付け工程と、
    前記気体吹き付け工程に並行して、前記処理回転速度の高低に基づいて、前記吹き付け位置および／または前記気体ノズルから前記吹き付け位置に吹き付けられる気体の吹き付け流量を制御して、前記着液位置に着液している処理液の内周端の位置を、前記処理回転速度に対応する位置に調整する内周端位置調整工程とを含み、
    前記内周端位置調整工程は、前記吹き付け位置を、前記処理回転速度の低下に従って当該吹き付け位置が前記基板の回転半径方向の外側になるように配置する工程、および／または前記気体ノズルから前記吹き付け位置に吹き付けられる気体の前記吹き付け流量を前記処理回転速度の低下に従って多くなるように調整する工程を含む、基板処理方法。
12. 前記内周端位置調整工程は、前記吹き付け位置を、前記処理回転速度の低下に従って当該吹き付け位置が前記基板の回転半径方向の外側になるように配置する工程を含む、請求項１１に記載の基板処理方法。
13. 前記内周端位置調整工程は、前記気体の前記吹き付け流量を前記処理回転速度の低下に従って多くなるように調整する気体流量調整工程を含む、請求項１１または１２に記載の基板処理方法。
14. 周端の少なくとも一部が円弧状をなす基板を、当該基板の中央部を通る回転軸線まわりに、所定の処理回転速度で回転させる基板回転工程と、
    前記基板回転工程に並行して、前記基板の外周部に向けて処理液ノズルから処理液を吐出する処理液吐出工程と、
    前記基板回転工程および前記処理液吐出工程に並行して、前記基板の外周部における処理液の着液位置に対し前記基板の回転半径方向の内側に位置する吹き付け位置に向けて気体ノズルから気体を吹き付ける気体吹き付け工程と、
    前記気体吹き付け工程に並行して、前記吹き付け位置または前記気体ノズルから前記吹き付け位置に吹き付けられる気体の吹き付け流量を制御して、前記着液位置に着液している処理液の内周端の位置を、前記処理回転速度に対応する位置に調整する内周端位置調整工程とを含み、
    前記内周端位置調整工程は、
    前記吹き付け位置を回転速度−吹き付け位置対応テーブルを基準として制御し、
    前記吹き付け流量を回転速度−吹き付け流量対応テーブルを基準として制御し、
    前記基板の回転半径方向の前記処理液の液膜の幅を予め定められた幅に調整する、基板処理方法。
15. 前記内周端位置調整工程は、前記処理回転速度が予め定める速度以上である場合には実行されず、前記処理回転速度が予め定める速度未満である場合に実行される、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
16. 前記基板処理方法は、前記基板の外周部を支持せずに当該基板の中央部を支持して当該基板を保持する基板保持ユニットを含む基板処理装置において実行される方法であり、
    前記基板処理方法は、
    前記基板保持ユニットに保持されている基板の、周方向の各周端位置を計測する各周端位置計測工程と、
    前記着液位置に着液している処理液の内周端が、前記基板の周端のうち前記処理液ノズルが配置されている周方向位置の周端である配置位置周端の位置変化に追従して往復移動するように、前記着液位置に着液している処理液の内周端の位置を調整する第２の内周端位置調整工程とをさらに含む、請求項１１〜１５のいずれか一項に記載の基板処理方法。

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