JP7166427B2 - 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体に関する。

特許文献１には、円形の基板を水平に保持してから、鉛直軸周りに回転させるための基板保持部と、この基板保持部により回転する基板の周縁部の膜を除去するために、当該周縁部に薬液を供給するための薬液ノズルと、を備える液処理装置が開示されている。この液処理装置は、基板の周縁を周方向に等分した複数の撮像領域を撮像して得られた撮像結果に基づいて、基板保持部の回転中心と基板の中心とのずれ量の算出を行う判断部を備えている。

特開２０１３－１６８４２９号公報

本開示は、被膜の周縁部分における除去幅調節に用いられた基板を有効に利用し得る基板処理装置及び基板処理方法を提供する。

本開示の一側面に係る基板処理装置は、基板の表面における被膜の形成と被膜の少なくとも一部の除去とを行う成膜処理部と、基板の表面の状態を示す表面情報を取得する表面検査部と、成膜処理部及び表面検査部を制御する制御部と、を備える。制御部は、基板の表面に被膜を成膜処理部により形成させることと、被膜の周縁部分を成膜処理部により除去させることと、周縁部分が除去された被膜を含む基板の表面の状態を示す表面情報を表面検査部に取得させ、当該表面情報に基づいて周縁部分の除去幅を調節することと、周縁部分が除去された被膜を成膜処理部により剥離させることと、を含む調節処理と、基板の表面に被膜を成膜処理部により形成させることと、調節処理において調節された除去幅にて周縁部分を成膜処理部により除去させることと、を含むプロセス処理と、を実行する。

本開示によれば、被膜の周縁部分における除去幅調節に用いられた基板を有効に利用し得る基板処理装置及び基板処理方法が提供される。

図１は、基板処理システムの概略構成を例示する模式図である。 図２は、塗布現像装置の側面から見た内部構成を例示する模式図である。 図３は、塗布現像装置の上面から見た内部構成を例示する模式図である。 図４は、塗布ユニットの構成を例示する模式図である。 図５は、検査ユニットの構成を例示する模式図である。 図６は、制御装置の機能構成を例示するブロック図である。 図７は、制御装置のハードウェア構成を例示するブロック図である。 図８は、調節処理手順の一例を示すフローチャートである。 図９は、条件設定処理手順の一例を示すフローチャートである。 図１０は、動作条件の補正手順の一例を示すフローチャートである。 図１１（ａ）～図１１（ｃ）は、調節処理手順における基板表面の様子を説明するための図である。 図１２（ａ）～図１２（ｃ）は、調節処理手順における基板表面の様子を説明するための図である。 図１３は、調節処理手順において算出される除去幅を説明するための図である。

以下、種々の例示的実施形態について説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向きとする。

［基板処理システム］
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。ウェハＷは円形に形成されている。ウェハＷの周縁Ｗｃには、当該ウェハＷの向きを示すための切欠きであるノッチが形成されていてもよい。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。

基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。

［基板処理装置］
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１及び図２に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御装置１００（制御部）とを備える。

キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリアＣ（収容部）を支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。

処理モジュール１１は、複数の塗布ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１１の塗布ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１１の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板及び冷却板を内蔵しており、熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを冷却板により冷却して熱処理を行う。

処理モジュール１２（成膜処理部）は、複数の塗布ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、複数の検査ユニットＵ３と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している（図３も参照）。処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布することで、ウェハＷの表面に塗布膜ＡＦを形成する。また、処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１は、被膜の少なくとも一部を除去する。例えば、処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１は、塗布膜ＡＦ形成後に当該塗布膜ＡＦの周縁部分を除去することで、周縁部分が除去された塗布膜（以下、「塗布膜ＲＦ」という。）を形成する。塗布膜ＡＦの周縁部分を除去する際に、処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１は、塗布膜ＡＦの周縁部分を除去するための薬液を塗布膜ＡＦ上に塗布する。処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１は、ウェハＷの全周において塗布膜ＡＦの周縁部分を除去してもよい。

処理モジュール１２の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。処理モジュール１２の熱処理ユニットＵ２は、塗布膜ＲＦが形成されているウェハＷに対して熱処理を施すことでレジスト膜Ｒを形成する。検査ユニットＵ３は、ウェハＷの表面Ｗａの状態を検査するための処理を行う。例えば、検査ユニットＵ３は、ウェハＷの表面Ｗａの状態を示す情報（以下、「表面情報」という。）を取得する。なお以下では、塗布膜ＡＦ、塗布膜ＲＦ、及びレジスト膜Ｒを総称して「レジスト被膜」という場合がある。このように、処理モジュール１２は、ウェハＷの表面Ｗａにおけるレジスト被膜の形成とレジスト被膜の少なくとも一部の除去とを行う複数の塗布ユニットＵ１（複数の処理ユニット）を有する。

処理モジュール１３は、複数の塗布ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜Ｒ上に上層膜を形成する。処理モジュール１３の塗布ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜Ｒの上に塗布する。処理モジュール１３の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１４は、複数の塗布ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜Ｒの現像処理を行う。処理モジュール１４の塗布ユニットＵ１は、露光済みのウェハＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜Ｒの現像処理を行う。処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。

処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

（搬送装置）
続いて、搬送装置Ａ３の構成の一例を具体的に説明する。図３に示されるように、搬送装置Ａ３は、アーム９０と、可動部９１と、移動ステージ９２と、可動部９３とを備える。アーム９０は、搬送対象のウェハＷを水平に支持する。

可動部９１は、複数の塗布ユニットＵ１が並ぶ方向（Ｙ軸方向）に沿ってアーム９０を往復移動させる。可動部９１は、例えば移動ステージ９２をＹ軸方向に沿って移動させるリニアアクチュエータを含む。可動部９１は、回転トルクを発生させる電動モータ（動力源）と、一対のプーリに架け渡されたタイミングベルトとを有していてもよい。例えばタイミングベルトにより、モータによる回転トルクがＹ軸方向に沿った並進の力に変換されて移動ステージ９２に伝達され、移動ステージ９２がＹ軸方向に沿って移動する。

可動部９３は、移動ステージ９２上に設けられており、移動ステージ９２と共に移動する。可動部９３は、複数の塗布ユニットＵ１が並ぶ方向と直交する方向（Ｘ軸方向）に沿ってアーム９０を移動させる（出し入れさせる）。可動部９３は、例えばアーム９０をＸ軸方向に沿って移動させるリニアアクチュエータを含む。可動部９３は、回転トルクを発生させる電動モータ（動力源）と、一対のプーリに架け渡されたタイミングベルトとを有していてもよい。例えばタイミングベルトにより、モータによる回転トルクがＸ軸方向に沿った並進の力に変換されてアーム９０に伝達され、アーム９０がＸ軸方向に沿って移動する。可動部９３は、アーム９０を待機位置から進出位置までの間で往復移動させる。待機位置は、移動ステージ９２上のエリア内の位置であり、進出位置は、移動ステージ９２上のエリア外の位置である。

可動部９１，９３は、制御装置１００からの動作指示に基づいてそれぞれ動作する。例えば、可動部９１，９３には、動作指示としてアーム９０のストローク量を示す信号が送られる。アーム９０のＹ軸方向におけるストローク量は、可動部９１の棚ユニットＵ１０に近い端部を基準位置として、当該基準位置からのアーム９０の移動距離である。アーム９０のＸ軸方向におけるストローク量は、待機位置から進出位置までのアーム９０の移動距離である。可動部９１，９３は、モータの所定位置からの回転量に応じたパルス信号を制御装置１００に出力するエンコーダをそれぞれ有していてもよい。例えば、制御装置１００は、パルス信号のカウント値が予め設定された目標値（以下、「パルス目標値」という。）となるように、動作指示を可動部９１，９３に出力する。

（塗布ユニット）
続いて、処理モジュール１２における塗布ユニットＵ１の構成の一例を詳細に説明する。塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液をウェハＷの表面Ｗａに供給し、レジスト被膜を形成する。また、塗布ユニットＵ１は、レジスト被膜の周縁部にレジスト被膜を除去するための薬液を供給し、周縁部分が除去されたレジスト被膜を形成する。塗布ユニットＵ１は、周縁部分が除去された残りのレジスト被膜を除去するための薬液をウェハＷの表面Ｗａに供給し、ウェハＷからレジスト被膜を剥離してもよい。なお、本明細書における「剥離」とは、ウェハＷの表面Ｗａに残るレジスト被膜の略全てを取り除くことである。図４に示されるように、塗布ユニットＵ１は、回転保持部２０と、処理液供給部３０と、薬液供給部４０とを有する。

回転保持部２０は、ウェハＷを保持して回転させる。例えば回転保持部２０は、保持部２１と回転駆動部２２とを有する。保持部２１は、表面Ｗａを上方に向けた状態で水平に配置されたウェハＷの中心部を支持し、当該ウェハＷを吸着（例えば真空吸着）により保持する。回転駆動部２２は、例えば電動モータを動力源として、鉛直な中心軸ＣＬまわりに保持部２１を回転させる。これによりウェハＷが回転する。

処理液供給部３０は、ウェハＷの表面Ｗａにレジスト膜形成用の処理液を供給する。例えば処理液供給部３０は、ノズル３１と、液源３２と、送液部３３と、ノズル移動部３４と有する。ノズル３１は、ウェハＷの表面Ｗａに向けて処理液を吐出する。液源３２は、処理液を収容し、当該処理液をノズル３１に圧送する。送液部３３は、液源３２からノズル３１に処理液を導く。例えば送液部３３は、送液ラインＬ１とバルブＶ１とを有する。送液ラインＬ１は、液源３２とノズル３１とを接続する。バルブＶ１は、例えばエアオペレーションバルブであり、送液ラインＬ１内の流路を開閉する。ノズル移動部３４は、電動モータなどを動力源としてノズル３１を水平方向に移動させる。例えば、ノズル移動部３４は、中心軸ＣＬとウェハＷ外の領域との間でノズル３１を移動させる。バルブＶ１及びノズル移動部３４は、制御装置１００からの動作指示に基づいて動作する。

薬液供給部４０は、ウェハＷの表面Ｗａに、レジスト被膜を除去するための薬液を供給する。薬液は、処理液供給部３０から供給された処理液により形成されるレジスト被膜を除去（溶解）できる溶剤である。薬液の具体的としては、シンナー等の有機溶剤が挙げられる。例えば薬液供給部４０は、ノズル４１と、液源４２と、送液部４３と、ノズル移動部４４とを有する。ノズル４１は、回転保持部２０により回転しているウェハＷの表面Ｗａに向けて薬液を吐出する。液源４２は、薬液を収容し、当該薬液をノズル４１側に圧送する。送液部４３は、液源４２からノズル４１に薬液を導く。例えば送液部４３は、送液ラインＬ２とバルブＶ２とを有する。送液ラインＬ２は液源４２とノズル４１とを接続する。バルブＶ２は例えばエアオペレーションバルブであり、送液ラインＬ２内の流路を開閉する。バルブＶ２は、制御装置１００からの動作指示に基づいて動作する。

ノズル移動部４４は、電動モータなどを動力源としてノズル４１を水平方向に移動させる。例えば、ノズル移動部４４は、上方から見て、略水平に保持されているウェハＷの半径方向（例えばＹ軸方向）に沿ってノズル４１を移動させる。ノズル移動部４４によりノズル４１がウェハＷの半径方向に沿って移動することにより、ノズル４１からの表面Ｗａへの薬液の供給位置が変化する。このため、ノズル４１の配置位置に応じて、ノズル４１から吐出された薬液により除去されるレジスト被膜の周縁部分の除去幅が変動する。ノズル移動部４４は、制御装置１００からの動作指示に基づいて動作する。ノズル移動部４４は、モータの所定位置からの回転量に応じたパルス信号を制御装置１００に出力するエンコーダを有していてもよい。例えば、制御装置１００は、パルス信号のカウント値が予め設定された目標値（パルス目標値）となるように、動作指示をノズル移動部４４に出力する。

なお、薬液供給部４０は、レジスト被膜の周縁部分を除去するための薬液を吐出するノズルと、周縁部分が除去されたレジスト被膜を剥離するための薬液を吐出するノズルと、を有していてもよい。周縁部分の除去用の薬液と、被膜の剥離用の薬液は、互いに異なっていてもよい。この場合、薬液供給部４０は、互いに異なる薬液をノズルにそれぞれ供給する２つの送液部及び２つの液源を有していてもよい。

（検査ユニット）
続いて、検査ユニットＵ３の構成の一例について詳細に説明する。検査ユニットＵ３は、ウェハＷの表面Ｗａを撮像することによって、表面Ｗａの状態を示す表面情報として画像データを取得する。また、検査ユニットＵ３は、ウェハＷに形成されているノッチを利用して、ウェハＷの向きを調節する。図５に示されるように、検査ユニットＵ３は、保持部５１と、回転駆動部５２と、ノッチ検出部５３と、撮像部５７（表面検査部）とを有する。

保持部５１は、表面Ｗａを上方に向けた状態で水平に配置されたウェハＷの中心部を支持し、当該ウェハＷを吸着（例えば真空吸着）により保持する。回転駆動部５２は、例えば電動モータを動力源として、鉛直な中心軸まわりに保持部５１を回転させる。これによりウェハＷが回転する。

ノッチ検出部５３は、ウェハＷのノッチを検出する。例えばノッチ検出部５３は、投光部５５と、受光部５６とを有する。投光部５５は、回転しているウェハＷの周縁部に向けて光を出射する。例えば、投光部５５は、ウェハＷの周縁部の上方に配置されており、下方に向けて光を出射する。受光部５６は、投光部５５により出射された光を受ける。例えば、受光部５６は、投光部５５と対向するようにウェハＷの周縁部の下方に配置されている。回転駆動部５２、投光部５５、及び受光部５６は、制御装置１００からの動作指示に基づいて動作する。受光部５６は、受光した結果を示す受光情報を制御装置１００に出力する。当該受光情報に基づいて、制御装置１００によりノッチが所定の向きとなるように調節される。すなわち、ウェハＷの向きが調節される。

撮像部５７は、ウェハＷの表面Ｗａの少なくとも周縁部を撮像するカメラである。例えば、ウェハＷの表面Ｗａ上に周縁部分が除去された状態のレジスト被膜が形成されている場合、撮像部５７は、レジスト被膜の外縁とウェハＷの外縁とを含む撮像範囲でウェハＷの表面Ｗａを撮像する。撮像部５７は、保持部５１に保持されているウェハＷの上方に配置されている。撮像部５７は、制御装置１００からの動作指示に応じて動作し、取得した画像データを制御装置１００に出力する。当該画像データに基づいて、制御装置１００によりウェハＷの表面Ｗａの状態が検査される。

（制御装置）
続いて、制御装置１００の一例について詳細に説明する。制御装置１００は、塗布・現像装置２に含まれる各要素を制御する。制御装置１００は、ウェハＷの表面Ｗａにレジスト被膜を塗布ユニットＵ１により形成させることと、設定された除去幅にてレジスト被膜の周縁部分を塗布ユニットＵ１により除去させることと、を含むプロセス処理（生産処理）を実行するように構成されている。また、制御装置１００は、プロセス処理におけるレジスト被膜の周縁部分の除去幅に影響を与える装置の動作条件を設定することで除去幅を調節する調節処理を実行するように構成されている。これらのプロセス処理及び調節処理の詳細については後述する。

図６に示されるように、制御装置１００は、機能上の構成として、動作指令保持部１１０と、除去制御部１０１と、搬入制御部１１１と、収容制御部１０２と、剥離制御部１０３と、条件設定部１０４と、状態判別部１０５と、膜形成制御部１０６とを備える。

動作指令保持部１１０は、レジスト被膜の周縁部分の除去幅に関する情報（以下、「保持情報」という。）を記憶する。この保持情報には、除去幅に影響を及ぼす装置の動作に関する設定情報（動作条件）、及び予めオペレータ（作業員）又は他の装置により入力された調節処理実行時の各種条件が含まれていてもよい。例えば、設定情報には、回転保持部２０におけるウェハＷの保持位置、及び周縁部分を除去する際のノズル４１の配置位置が含まれる。回転保持部２０におけるウェハＷの保持位置は、アーム９０のＸ軸方向及びＹ軸方向におけるストローク量により定められてもよい。調節処理の実行条件には、例えば、除去幅の目標値、繰り返し回数の上限、及び設定情報の限界値等が含まれる。

除去制御部１０１は、レジスト被膜の周縁部分を塗布ユニットＵ１により除去させることを実行するように構成されている。具体的には、除去制御部１０１は、動作指令保持部１１０に記憶されたノズル４１の配置位置を示す情報に基づいて、当該配置位置にノズル４１を配置するようにノズル移動部４４を制御する。また、除去制御部１０１は、上記配置位置に配置されたノズル４１からレジスト被膜の周縁部分を除去するための薬液を吐出させるように薬液供給部４０を制御する。

搬入制御部１１１は、レジスト被膜の形成前のウェハＷを回転保持部２０の所定位置に搬送装置Ａ３により配置させることを実行するように構成されている。例えば、搬入制御部１１１は、動作指令保持部１１０に記憶された回転保持部２０におけるウェハＷの保持位置を示す情報に基づいて、ウェハＷを塗布ユニットＵ１に搬入し、回転保持部２０における当該保持位置にウェハＷを配置するように搬送装置Ａ３を制御する。搬入制御部１１１は、保持位置を示す情報に応じたストローク量（パルス目標値）にてアーム９０が移動するように搬送装置Ａ３を制御してもよい。

収容制御部１０２は、調節処理において、キャリアＣ（レジスト被膜の形成前のウェハＷを収容したキャリアＣ）から調節処理に用いるウェハＷを搬送装置Ａ１により搬出させることと、レジスト被膜の剥離後のウェハＷを搬送装置Ａ１，Ａ３（搬送部）によりキャリアＣに搬入させることとを実行するように構成されている。

剥離制御部１０３は、周縁部分が除去されたレジスト被膜を塗布ユニットＵ１により剥離させることを実行するように構成されている。例えば、剥離制御部１０３は、回転保持部２０により保持されているウェハＷの中心軸ＣＬにノズル４１が配置されるようにノズル移動部４４を制御する。また、剥離制御部１０３は、中心軸ＣＬに配置されたノズル４１からレジスト被膜を剥離するための薬液を吐出させるように薬液供給部４０を制御する。

条件設定部１０４は、周縁部分が除去されたレジスト被膜を含むウェハＷの表面Ｗａの状態を示す表面情報を撮像部５７に取得させ、当該表面情報に基づいて周縁部分の除去幅を調節することを実行するように構成されている。例えば、条件設定部１０４は、ウェハＷの全周又は全周のうちの一部において、周縁部分が除去されたレジスト被膜の外縁とウェハＷの外縁とを含む撮像範囲で撮像部５７に撮像させることにより、レジスト被膜を含むウェハＷの表面Ｗａの状態を示す画像データを撮像部５７に取得させる。また、条件設定部１０４は、画像データから周縁部分が除去された幅を測定し、当該幅の測定値に基づいて、除去幅に影響を及ぼす装置の動作条件を調節（補正）することにより周縁部分の除去幅を調節する。

状態判別部１０５は、レジスト被膜の形成前のウェハＷの表面Ｗａの状態を示す表面情報として画像データを撮像部５７に取得させ、当該画像データに基づいて当該ウェハＷが除去幅の調節に利用可能かどうかを判別することを実行するように構成されている。例えば、状態判別部１０５は、塗布膜ＡＦの形成前のウェハＷの表面Ｗａ全体を含む撮像範囲で撮像部５７にウェハＷの表面Ｗａを撮像させることにより、当該ウェハＷの表面Ｗａ全体の状態を示す画像データを撮像部５７に取得させる。また、状態判別部１０５は、この画像データに基づいて、ウェハＷの表面Ｗａに被膜（例えばレジスト被膜）が残っていないかを判別する。例えば、状態判別部１０５は、ウェハＷの表面Ｗａに所定量以上のレジスト被膜が残っていると判別した場合に、当該ウェハＷについて除去幅の調節に利用不能であると判別する。

膜形成制御部１０６は、ウェハＷの表面Ｗａにレジスト被膜を塗布ユニットＵ１により形成させることを実行するように構成されている。具体的には、膜形成制御部１０６は、回転保持部２０により保持されているウェハＷの中心軸ＣＬにノズル３１が配置されるようにノズル移動部３４を制御する。また、膜形成制御部１０６は、中心軸ＣＬに配置されたノズル３１からレジスト膜形成用の処理液を吐出させるように処理液供給部３０を制御する。

制御装置１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御装置１００は、図７に示される回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４とを有する。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述のプロセス処理手順及び調節処理手順を制御装置１００に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１２４は、プロセッサ１２１からの指令に従って、制御対象の部材との間で電気信号の入出力を行う。

なお、制御装置１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御装置１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）により構成されていてもよい。

（プロセス処理手順）
続いて、塗布・現像処理の一例として塗布・現像装置２において実行されるプロセス処理手順について説明する。このプロセス処理手順は、ウェハＷの表面Ｗａにレジスト被膜を塗布ユニットＵ１（処理液供給部３０）により形成させることと、調節処理手順において調節されたレジスト被膜の周縁部分の除去幅にて当該周縁部分を塗布ユニットＵ１（薬液供給部４０）により除去させることと、を含む。

プロセス処理手順において、まず制御装置１００は、キャリアＣ内のプロセス処理対象のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１１内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１２内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜Ｒを形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。例えば、制御装置１００は、ウェハＷの下層膜上にレジスト膜形成用の処理液を塗布することによってレジスト被膜（塗布膜ＡＦ）を形成するように塗布ユニットＵ１を制御する。そして、制御装置１００は、ウェハＷ上のレジスト被膜の周縁部分に薬液を塗布することによってレジスト被膜の周縁部分を除去するように塗布ユニットＵ１を制御する。

次に、制御装置１００は、レジスト被膜（塗布膜ＲＦ）に熱処理を施すように熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。なお、レジスト膜Ｒの形成後、制御装置１００は、ウェハＷを検査ユニットＵ３に搬送するように搬送装置Ａ３を制御し、検査ユニットＵ３を用いて当該ウェハＷの表面の状態（例えば除去幅）を検査してもよい。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜Ｒ上に上層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。その後制御装置１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜Ｒに現像処理を施すように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このウェハＷをキャリアＣ内に戻すように搬送装置Ａ７及び搬送装置Ａ１を制御する。以上でプロセス処理が完了する。

（調節処理手順）
続いて、プロセス処理におけるレジスト被膜の周縁部分の除去幅を調節するための調節処理手順について説明する。この調節処理手順は、ウェハＷの表面Ｗａにレジスト被膜を塗布ユニットＵ１（処理液供給部３０）により形成させることと、レジスト被膜の周縁部分を塗布ユニットＵ１（薬液供給部４０）により除去させることとを含む。この調節処理手順は、周縁部分が除去されたレジスト被膜を含むウェハＷの表面Ｗａの状態を示す表面情報を撮像部５７に取得させ、当該表面情報に基づいて周縁部分の除去幅を調節することと、周縁部分が除去されたレジスト被膜を塗布ユニットＵ１（薬液供給部４０）により剥離させることとを含む。

なお、以下では説明を簡単にするために、処理モジュール１２の複数の塗布ユニットＵ１のうちの一つの塗布ユニットＵ１において一連の調節処理手順が行われるとする。また、当該塗布ユニットＵ１を「調節対象の塗布ユニットＵ１」と表記する。さらに、説明の便宜のため、一連の調節処理手順において、同一のウェハＷが用いられるとし、当該ウェハＷを「調節処理用のウェハＷ」と表記する。

図８に示されるように、まず制御装置１００は、ステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、収容制御部１０２が、キャリアＣから調節処理用のウェハＷを搬出するように搬送装置Ａ１を制御する。そして、収容制御部１０２は、搬出した調節処理用のウェハＷを棚ユニットＵ１０における処理モジュール１２用のセルに配置するように搬送装置Ａ１を制御する。その後、収容制御部１０２は、棚ユニットＵ１０に配置された調節処理用のウェハＷを検査ユニットＵ３に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。

次に制御装置１００は、ステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２では、制御装置１００が設定前処理を実行する。設定前処理では、まず制御装置１００は、調節処理用のウェハＷの向きを所定の向きに合わせるように検査ユニットＵ３を制御する。具体的には、制御装置１００は、調節処理用のウェハＷに形成されたノッチが所定の向きとなるように、受光部５６からの受光情報に基づいて回転駆動部５２を制御する。これにより、ウェハＷのノッチの向きが所定の向き（例えばＸ軸負方向）となる。

次に設定前処理において、状態判別部１０５が、レジスト被膜が形成されていない調節処理用のウェハＷの表面Ｗａを撮像部５７に撮像させ、当該表面Ｗａの状態を示す画像データを撮像部５７に取得させる。状態判別部１０５は、この画像データに基づいて調節処理用のウェハＷが除去幅の調節に利用可能かどうかを判別する。例えば、状態判別部１０５は、調節処理用のウェハＷの表面Ｗａに所定量以上のレジスト被膜が残っていると判別した場合に、当該調節処理用のウェハＷについて除去幅の調節に利用不能であると判別する。制御装置１００は、調節処理用のウェハＷが除去幅の調節に利用不能であると判別した場合に、調節処理の実行を中断し、他のウェハを用いて調節処理を最初から実行してもよい。

調節処理用のウェハＷが除去幅の調節に利用可能であると判別された場合、次に制御装置１００は、ステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、条件設定部１０４が条件設定処理を実行する。条件設定部１０４は、条件設定処理において、調節処理用のウェハＷ上にテスト用のレジスト被膜を形成し、当該レジスト被膜の周縁部分を除去した後に、除去幅に影響を及ぼす装置の動作条件を調節する。ステップＳ０３の条件設定処理の詳細については後述する。

次に制御装置１００は、ステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、例えば収容制御部１０２が、条件設定処理が行われた調節処理用のウェハＷをキャリアＣに搬入するように搬送装置Ａ３，Ａ１を制御する。

次に制御装置１００は、ステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５では、例えば収容制御部１０２が、調節処理用のウェハＷをキャリアＣから搬出して、棚ユニットＵ１０における処理モジュール１２用のセルに調節処理用のウェハＷを配置するように搬送装置Ａ１を制御する。そして、制御装置１００は、棚ユニットＵ１０に配置された調節処理用のウェハＷを調節対象の塗布ユニットＵ１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。

次に制御装置１００は、ステップＳ０６を実行する。ステップＳ０６では、剥離制御部１０３が、調節処理用のウェハＷの表面Ｗａ上に残るレジスト被膜を剥離するように調節対象の塗布ユニットＵ１の薬液供給部４０を制御する。なお、ステップＳ０３における条件設定処理の終了時点において、図１１（ａ）に示されるように、調節処理用のウェハＷの表面Ｗａにはレジスト被膜（レジスト膜Ｒ）が残っている。ステップＳ０６において、具体的には、図１１（ｂ）に示されるように、剥離制御部１０３は、回転保持部２０により保持されている調節処理用のウェハＷの中心軸ＣＬに薬液供給部４０のノズル４１が配置されるようにノズル移動部４４を制御する。そして、剥離制御部１０３は、中心軸ＣＬに配置されたノズル４１からレジスト被膜を剥離するための薬液６２を吐出させるように薬液供給部４０のバルブＶ１を制御する。なお、薬液６２の吐出が行われている間に調節処理用のウェハＷが回転するように、制御装置１００は回転保持部２０の回転駆動部２２を制御してもよい。これにより、図１１（ｃ）に示されるように、調節処理用のウェハＷの表面Ｗａからレジスト被膜が剥離される。

次に制御装置１００は、ステップＳ０７を実行する。ステップＳ０７では、収容制御部１０２が、レジスト被膜の剥離後の調節処理用のウェハＷをキャリアＣに搬入するように搬送装置Ａ１，Ａ３を制御する。

次に制御装置１００は、ステップＳ０８を実行する。ステップＳ０８では、制御装置１００が、終了フラグがＯＦＦであるかどうかを判断する。この終了フラグは、調節処理を終了させるかどうかを判断するためのフラグであり、ステップＳ０３の条件設定処理において設定される。なお、終了フラグは、調節処理が実行される前においてＯＦＦに予め設定されている。

ステップＳ０８において、終了フラグがＯＦＦであると判断された場合（ステップＳ０８：ＹＥＳ）、制御装置１００は、ステップＳ０１～ステップＳ０８の処理を繰り返す。ステップＳ０８において、終了フラグがＯＮであると判断された場合（ステップＳ０８：ＮＯ）、制御装置１００は調節処理手順を終了する。制御装置１００は、終了フラグがＯＮであると判断されるまで、調節処理手順を繰り返す。上述した通り、この例では同一の調節処理用のウェハＷが調節処理に用いられるので、制御装置１００は、同一の調節処理用のウェハＷを用いて調節対象の塗布ユニットＵ１に調節処理を繰り返し実行させる。制御装置１００は、調節対象の塗布ユニットＵ１における調節処理の実行後、複数の塗布ユニットＵ１のうちの他の塗布ユニットにおける調節処理を順に実行してもよい。制御装置１００は、これらの調節処理が全て終了した後にプロセス処理を実行してもよい。

（条件設定処理）
続いてステップＳ０３における条件設定処理について説明する。図９に示されるように、条件設定処理において、まず制御装置１００はステップＳ１１を実行する。ステップＳ１１では、例えば、搬入制御部１１１が、検査ユニットＵ３から調節対象の塗布ユニットＵ１まで調節処理用のウェハＷを搬送し、回転保持部２０に調節処理用のウェハＷを配置するように搬送装置Ａ３を制御する。この際、搬入制御部１１１は、動作指令保持部１１０に記憶された回転保持部２０におけるウェハＷの保持位置を示す情報（以下、「保持位置情報」という。）に基づいて、ウェハＷを塗布ユニットＵ１に搬入し、回転保持部２０における当該保持位置にウェハＷを配置するように搬送装置Ａ３を制御する。この際、搬入制御部１１１は、ステップＳ０２において調節されたノッチの向きが維持された状態にて、調節処理用のウェハＷを搬送して回転保持部２０に配置するように搬送装置Ａ３を制御してもよい。例えば、搬入制御部１１１は、保持位置情報に基づいて、アーム９０のＸ軸方向及びＹ軸方向におけるストローク量（パルス設定値）を設定することによって、調節処理用のウェハＷが回転保持部２０における保持位置に配置されるように搬送装置Ａ３を制御してもよい。

次に制御装置１００は、ステップＳ１２を実行する。ステップＳ１２では、膜形成制御部１０６が、調節処理用のウェハＷの表面Ｗａにレジスト被膜を形成するように処理液供給部３０を制御する。具体的には、図１２（ａ）に示されるように、膜形成制御部１０６は、処理液供給部３０のノズル３１が回転保持部２０により保持されているウェハＷの中心軸ＣＬに配置されるようにノズル移動部３４を制御する。そして、膜形成制御部１０６は、中心軸ＣＬに配置されたノズル３１からレジスト被膜を形成するための処理液６１を吐出させるように処理液供給部３０のバルブＶ１を制御する。なお、処理液６１の吐出が行われている間に調節処理用のウェハＷが回転するように、制御装置１００は回転保持部２０の回転駆動部２２を制御してもよい。これにより、図１２（ｂ）に示されるように、調節処理用のウェハＷの表面Ｗａにレジスト被膜（塗布膜ＡＦ）が形成される。

次に制御装置１００は、ステップＳ１３を実行する。ステップＳ１３では、除去制御部１０１が、動作指令保持部１１０に記憶されたノズル４１の配置位置を示す情報（以下、「配置位置情報」という。）に基づいて、当該配置位置にノズル４１を配置するようにノズル移動部４４を制御する。例えば、除去制御部１０１は、配置位置情報に基づいて、ノズル移動部４４におけるパルス目標値を設定することにより、ノズル４１が上記配置位置に配置されるようにノズル移動部４４を制御してもよい。

次に制御装置１００は、ステップＳ１４を実行する。ステップＳ１４では、図１２（ｃ）に示されるように、除去制御部１０１が、上記配置位置に配置されたノズル４１からレジスト被膜を除去するための薬液６２を吐出させるように薬液供給部４０のバルブＶ２を制御する。なお、薬液６２の吐出が行われている間に調節処理用のウェハＷが回転するように、制御装置１００は回転駆動部２２を制御してもよい。これにより、図１１（ａ）に示されるように、調節処理用のウェハＷの表面Ｗａにおいてレジスト被膜の周縁部分が除去される。そして、制御装置１００は、周縁部分が除去されたレジスト被膜（塗布膜ＲＦ）を含む調節処理用のウェハＷを処理モジュール１２内のいずれかの熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御し、レジスト被膜に熱処理を施すように当該熱処理ユニットＵ２を制御する。これにより、調節処理用のウェハＷの表面Ｗａにテスト用のレジスト膜Ｒが形成される。その後、制御装置１００は、調節処理用のウェハＷを検査ユニットＵ３に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。

次に制御装置１００は、ステップＳ１５，Ｓ１６を実行する。ステップＳ１５では、条件設定部１０４が、レジスト被膜の形成後の調節処理用のウェハＷの表面Ｗａの状態を示す画像データを撮像部５７に取得させる。ステップＳ１６では、条件設定部１０４が、当該画像データに基づいて、除去された周縁部分の除去幅を算出する。例えば、条件設定部１０４は、図１３に示されるように、当該画像データに基づいて、ウェハＷの中心Ｐ１における周方向において互いに９０°間隔で離間した４つの角度での除去幅ΔＸ１，ΔＸ２，ΔＹ１，ΔＹ２を算出してもよい。例えば、条件設定部１０４は、ノッチが形成されている位置における除去幅を、除去幅ΔＸ１として算出してもよい。

条件設定部１０４は、除去幅ΔＸ１，ΔＸ２，ΔＹ１，ΔＹ２の平均を平均除去幅ΔＡとして算出してもよい。また、条件設定部１０４は、除去幅ΔＸ１と除去幅ΔＸ２との差分をＸ軸方向における偏心値ΔＸとして算出し、除去幅ΔＹ１と除去幅ΔＹ２との差分をＹ軸方向における偏心値ΔＹとして算出してもよい。なお、偏心値ΔＸ，ΔＹは、ウェハＷの中心Ｐ１とレジスト膜Ｒの中心Ｐ２との間のずれの程度（ずれ量ΔＺの大きさ）を示している。偏心値ΔＸ，ΔＹの値は、周縁除去時の回転保持部２０におけるウェハＷの保持位置によって変動する。

次に制御装置１００は、ステップＳ１７を実行する。ステップＳ１７では、条件設定部１０４が、ステップＳ１６において算出した除去幅（以下、「算出除去幅」という。）が、予め定められた目標範囲外であるかどうかを判断する。例えば、条件設定部１０４は、ステップＳ１６において算出した除去幅と、目標範囲の上限である目標値との差分（偏差）を求め、当該差分が所定レベルに達していないかどうかを判断する。一例としては、条件設定部１０４は、偏心値ΔＸ，ΔＹが閾値Ｔｈ１よりも大きいかどうか、及び平均除去幅ΔＡと目標値との偏差δが閾値Ｔｈ２よりも大きいかどうかを判断してもよい。条件設定部１０４は、いずれか一方の条件が満たされる場合には、算出除去幅が目標範囲外であると判断してもよい。

ステップＳ１７において、算出除去幅が目標範囲外であると判断された場合（ステップＳ１７：ＹＥＳ）、制御装置１００は、ステップＳ１８を実行する。ステップＳ１８では、条件設定部１０４が、除去幅が目標範囲内となるように（目標値に近づくように）、除去幅に影響を及ぼす動作条件の補正を行う。この動作条件の補正手順の具体例については後述する。

一方、ステップＳ１７において、算出除去幅が目標範囲内であると判断された場合（ステップＳ１７：ＮＯ）、制御装置１００は、ステップＳ１９を実行する。ステップＳ１９では、制御装置１００が終了フラグをＯＮに設定する。上述した例では、偏心値ΔＸ，ΔＹが双方とも閾値Ｔｈ１以下であり、平均除去幅ΔＡと目標値との偏差δが閾値Ｔｈ２以下である場合に、制御装置１００は終了フラグをＯＮに設定する。以上により、制御装置１００は条件設定処理を終了する。

この条件設定処理では、ステップＳ１７において算出除去幅が目標範囲外である場合に、ステップＳ１８における動作条件の補正が行われ、終了フラグがＯＮとならない。このため、ステップＳ０１～Ｓ０８の処理を含む調節処理が繰り返して実行される。繰り返し実行される度に、ステップＳ１８において除去幅が目標値に近づくように動作条件の補正が行われる。換言すると、制御装置１００は、除去幅（算出除去幅）と目標値との偏差が所定レベルに達するまで調節処理を繰り返し実行する。

（動作条件の補正処理）
続いて、ステップＳ１８における動作条件の補正処理の具体例について説明する。図１０は、ステップＳ１６において偏心値ΔＸ，ΔＹ及び平均除去幅ΔＡを算出する場合に行われる動作条件の補正手順の一例を示すフローチャートである。

この動作条件の補正手順では、まず制御装置１００が、ステップＳ２１，Ｓ２２を実行する。ステップＳ２１では、条件設定部１０４が、繰り返し回数を示す変数ｋをインクリメントする。換言すると、条件設定部１０４は変数ｋに１を加算する。なお、調節処理の実行前において変数ｋは０に設定されている。ステップＳ２２では、条件設定部１０４が、変数ｋが予め定められた定数Ｎ（例えばＮは３以上の整数）よりも小さいかどうかを判断する。ステップＳ２２において、変数ｋが定数Ｎ以上であると判断された場合（ステップＳ２２：ＮＯ）、制御装置１００は、ステップＳ３０を実行する。ステップＳ３０については後述する。

ステップＳ２２において、変数ｋが定数Ｎよりも小さいと判断された場合（ステップＳ２２：ＹＥＳ）、制御装置１００は、ステップＳ２３を実行する。ステップＳ２３では、例えば、条件設定部１０４が、偏心値ΔＸ，ΔＹのいずれか一方が閾値Ｔｈ１よりも大きいかどうかを判断する。ステップＳ２３において、偏心値ΔＸ，ΔＹのいずれか一方が閾値Ｔｈ１よりも大きいと判断された場合（ステップＳ２３：ＹＥＳ）、制御装置１００は、ステップＳ２４，Ｓ２５を実行する。ステップＳ２３において、偏心値ΔＸ，ΔＹの双方が閾値Ｔｈ１以下であると判断された場合（ステップＳ２３：ＮＯ）、制御装置１００は、ステップＳ２４，Ｓ２５を実行しない。

ステップＳ２４では、条件設定部１０４が、閾値Ｔｈ１よりも大きいと判断された偏心値ΔＸ，ΔＹの少なくとも一方が補正可能な範囲かどうかを判断する。例えば、偏心値ΔＸ，ΔＹについての補正可能な範囲が、オペレータ（作業員）により予め制御装置１００（動作指令保持部１１０）に記憶されていてもよい。ステップＳ２４において、偏心値ΔＸ，ΔＹのいずれか一方が補正可能な範囲ではないと判断された場合（ステップＳ２４：ＮＯ）、制御装置１００は、ステップＳ３０を実行する。ステップＳ２４において、偏心値ΔＸ，ΔＹが補正可能な範囲であると判断された場合（ステップＳ２４：ＹＥＳ）、制御装置１００は、ステップＳ２５を実行する。

ステップＳ２５では、条件設定部１０４が、偏心値ΔＸ，ΔＹに応じて、動作指令保持部１１０に記憶されている保持位置情報を補正する。例えば、条件設定部１０４は、偏心値ΔＸ，ΔＹに応じて、偏心値ΔＸ，ΔＹが偏心値に関する目標値に近づくように保持位置情報を補正する。条件設定部１０４は、可動部９１，９３に含まれるモータについてのパルス目標値を補正することによって、保持位置情報を補正してもよい。

次に、制御装置１００は、ステップＳ２６を実行する。ステップＳ２６では、条件設定部１０４が、平均除去幅ΔＡと目標値との偏差δが閾値Ｔｈ２よりも大きいかどうかを判断する。ステップＳ２６において、偏差δが閾値Ｔｈ２よりも大きいと判断された場合（ステップＳ２６：ＹＥＳ）、制御装置１００は、ステップＳ２７～Ｓ２９を実行する。ステップＳ２６において、偏差δが閾値Ｔｈ２以下であると判断された場合（ステップＳ２６：ＮＯ）、制御装置１００は、ステップＳ２７～Ｓ２９を実行しない。

ステップＳ２７では、条件設定部１０４が、偏差δが補正可能な範囲かどうかを判断する。例えば、偏差δについての補正可能な範囲が、オペレータ（作業員）により予め制御装置１００（動作指令保持部１１０）に記憶されていてもよい。ステップＳ２７において、偏差δが補正可能な範囲ではないと判断された場合（ステップＳ２７：ＮＯ）、制御装置１００は、ステップＳ３０を実行する。ステップＳ２７において、偏差δが補正可能な範囲であると判断された場合（ステップＳ２７：ＹＥＳ）、制御装置１００は、ステップＳ２８を実行する。

ステップＳ２８では、条件設定部１０４が、偏差δに応じてノズル４１の配置位置情報についての補正量を算出する。例えば、条件設定部１０４は、目標値を平均除去幅ΔＡで減算することで得られる値と同じ分だけノズル４１の配置位置をずらすように補正量を算出する。そして、ステップＳ２９では、条件設定部１０４が、動作指令保持部１１０に記憶されている配置位置情報をステップＳ２８において算出した補正量を用いて補正する。例えば、条件設定部１０４は、上記補正量に応じて、ノズル移動部４４におけるモータについてのパルス目標値を補正することによって、ノズル４１の配置位置情報を補正してもよい。

ステップＳ３０では、条件設定部１０４が、終了フラグをＯＮに設定する。この場合の終了フラグは、繰り返し回数が設定回数を超えている場合、あるいは偏差δ等が補正不能な範囲である場合にＯＮとなるので、ステップＳ１９と異なり異常終了であることを示している。以上により、制御装置１００は、動作条件の補正処理を終了する。この例示した動作条件の補正処理が行われることで、制御装置１００は、調節処理において、回転保持部２０における調節処理用のウェハＷの保持位置と薬液を吐出させる際のノズル４１の位置とを調節する。

なお、条件設定処理及び動作条件の補正処理において、制御装置１００は、平均除去幅ΔＡの算出及び薬液吐出の際のノズル位置の調整（配置位置情報の補正）を行わずに、偏心値ΔＸ，ΔＹの算出及び保持位置情報の補正を行ってもよい。あるいは、制御装置１００は、偏心値ΔＸ，ΔＹの算出及び保持位置情報の補正を行わずに、平均除去幅ΔＡの算出及び配置位置情報の補正を行ってもよい。換言すると、制御装置１００（条件設定部１０４）は、調節処理において、回転保持部２０におけるウェハＷの保持位置と薬液を吐出させる際のノズル４１の位置とのいずれか一方を調節することによって除去幅を調節してもよい。

［実施形態の効果］
以上説明した本実施形態に係る塗布・現像装置２は、ウェハＷの表面Ｗａにおけるレジスト被膜の形成とレジスト被膜の少なくとも一部の除去とを行う処理モジュール１２（処理液供給部３０及び薬液供給部４０）と、ウェハＷの表面Ｗａの状態を示す表面情報を取得する撮像部５７と、処理モジュール１２及び撮像部５７を制御する制御装置１００と、を備える。制御装置１００は、ウェハＷの表面Ｗａにレジスト被膜を処理液供給部３０により形成させることと、レジスト被膜の周縁部分を薬液供給部４０により除去させることと、周縁部分が除去されたレジスト被膜を含むウェハＷの表面Ｗａの状態を示す表面情報を撮像部５７に取得させ、当該表面情報に基づいて周縁部分の除去幅を調節することと、周縁部分が除去されたレジスト被膜を薬液供給部４０により剥離させることと、を含む調節処理と、ウェハＷの表面Ｗａにレジスト被膜を処理液供給部３０により形成させることと、調節処理において調節された除去幅にて周縁部分を薬液供給部４０により除去させることと、を含むプロセス処理と、を実行する。

本実施形態に係る基板処理方法は、ウェハＷの表面Ｗａにおける被膜の形成と被膜の少なくとも一部の除去とを行う処理モジュール１２（処理液供給部３０及び薬液供給部４０）によりウェハＷの表面Ｗａにレジスト被膜を形成させることと、レジスト被膜の周縁部分を薬液供給部４０により除去させることと、周縁部分が除去されたレジスト被膜を含むウェハＷの表面Ｗａの状態を示す表面情報に基づいて周縁部分の除去幅を調節することと、周縁部分が除去されたレジスト被膜を薬液供給部４０により剥離させることと、を含む調節処理を実行することと、ウェハＷの表面Ｗａにレジスト被膜を処理液供給部３０により形成させることと、調節処理において調節された除去幅にて周縁部分を薬液供給部４０により除去させることと、を含むプロセス処理を実行することと、を含む。

上記塗布・現像装置２及び基板処理手順では、調節処理において周縁部分が除去されたレジスト被膜が剥離される。このため、レジスト被膜の略全てが除去されたウェハＷを他の処理に用いることができるので、塗布・現像装置２及び基板処理手順では、除去幅調節に用いられたウェハＷが有効に利用され得る。

以上の実施形態において、制御装置１００は、除去幅と目標値との偏差が所定レベルに達するまで調節処理を繰り返し実行する。調節処理を繰り返し実行する際には、繰り返しの度に調節処理用のウェハＷが必要となる。上記構成では、繰り返しの度にウェハＷ上のレジスト被膜が剥離されるので、除去幅調節に用いられたウェハＷを有効に利用できることのメリットがより大きい。

以上の実施形態において、制御装置１００は、同一のウェハＷを用いて調節処理を繰り返し実行する。ウェハＷ上のレジスト被膜が剥離されることで、当該ウェハＷを用いて再度、調節処理を行うことができる。上記構成では、同一のウェハＷを用いて除去幅の調節が繰り返されるので、除去幅の調節においてウェハＷ間の固体差による影響が小さい。このため、より高精度に除去幅を調節することが可能となる。

以上の実施形態において、塗布・現像装置２は、ウェハＷを搬送する搬送装置Ａ１，Ａ３を更に備える。制御装置１００は、調節処理において、被膜の形成前のウェハＷを収容するキャリアＣから調節処理用のウェハＷを搬送装置Ａ１により搬出させることと、被膜の剥離後の調節処理用のウェハＷを搬送装置Ａ１，Ａ３によりキャリアＣに搬入させることと、を更に実行する。この場合、調節処理用のウェハＷが、再利用可能な状態となってキャリアＣに収容されるので、当該ウェハＷの再利用が容易である。

以上の実施形態において、塗布・現像装置２は、ウェハＷを保持して回転させる回転保持部２０を更に備える。処理液供給部３０及び薬液供給部４０は、回転保持部２０により回転しているウェハＷに向けて周縁部分を除去するための薬液を吐出するノズル４１を有する。制御装置１００は、調節処理において、回転保持部２０におけるウェハＷの保持位置と薬液を吐出させる際のノズル４１の位置との少なくとも一方を調節することによって除去幅を調節する。回転保持部２０におけるウェハＷの保持位置及びノズル４１の配置位置が、周縁部分の除去幅に大きな影響を与えるので、これらの保持位置及び配置位置の少なくとも一方を調節することで、より高精度に除去幅を調節することが可能となる。

以上の実施形態において、制御装置１００は、レジスト被膜の形成前のウェハＷの表面Ｗａの状態を示す表面情報を撮像部５７に取得させ、当該表面情報に基づいて当該調節処理用のウェハＷが除去幅の調節に利用可能かどうかを判別することを更に実行する。ウェハＷの表面Ｗａの状態によっては除去幅の調節を精度良く行うことができない場合があるが、上記構成では、除去幅の調節を行う前に利用可能かどうかの判別が行われるので、除去幅の調節をより高精度に行うことが可能となる。

以上、実施形態について説明したが、本開示は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

（変形例１）
制御装置１００は、プロセス処理を実行しつつ、複数の塗布ユニットＵ１のうちのいずれかの塗布ユニット（例えば調節対象の塗布ユニットＵ１）における調節処理を実行してもよい。具体的には、制御装置１００は、調節対象の塗布ユニットＵ１を除く複数の塗布ユニットＵ１にプロセス処理を実行させている期間に、調節対象の塗布ユニットＵ１に調節処理の少なくとも一部を実行させてもよい。なお、制御装置１００は、プロセス処理を実行しつつ調節処理の一部を行う処理（以下、「プロセス及び調節の並列処理」という。）を、全ての調節処理が終了しプロセス処理に移行させた後に実行してもよい。あるいは、複数の塗布ユニットＵ１の一部について調節処理が終了した後に、調節処理が終了した塗布ユニットＵ１から順にプロセス処理に移行するようにプロセス及び調節の並列処理を実行してもよい。

この変形例１では、処理モジュール１２が、レジスト被膜の形成とレジスト被膜の少なくとも一部の除去とを行う複数の塗布ユニットＵ１を有する。制御装置１００は、複数の塗布ユニットＵ１のうちのいずれかの塗布ユニットＵ１にプロセス処理を実行させている期間に、複数の塗布ユニットＵ１のうちの他の塗布ユニットＵ１に調節処理の少なくとも一部を実行させる。この場合、調節処理を行うことに起因してプロセス処理を止めることなく、プロセス処理を実行することが可能となる。

（変形例２）
制御装置１００は、一の塗布ユニットＵ１における調節処理を実行しつつ、他の塗布ユニットＵ１における調節処理を実行してもよい。具体的には、制御装置１００は、複数の塗布ユニットＵ１のうちのいずれかの塗布ユニットＵ１（例えば、調節対象の塗布ユニットＵ１）に調節処理を実行させている期間に、他の塗布ユニットＵ１に調節処理を実行させてもよい。制御装置１００は、複数の調節処理用のウェハＷを用いて、複数の塗布ユニットＵ１に並行して調節処理を実行させる処理（以下、「調節の並行処理」という。）を行ってもよい。制御装置１００は、変形例１に係るプロセス及び調節の並列処理において行われる調節処理を、変形例２に係る調節の並行処理と同様の方法で行ってもよい。

この変形例２では、処理モジュール１２が、レジスト被膜の形成とレジスト被膜の少なくとも一部の除去とを行う複数の塗布ユニットＵ１を有する。制御装置１００は、複数の塗布ユニットＵ１のうちのいずれかの塗布ユニットＵ１に調節処理を実行させている期間に、複数の塗布ユニットＵ１のうちの他の塗布ユニットＵ１に調節処理を実行させる。複数の塗布ユニットＵ１における調節処理が並行して行われるので、短い期間で調節処理が終了する。このため、プロセス処理に早く移行することが可能となる。

（変形例３）
処理モジュール１２は、レジスト被膜の形成と周縁部分の除去とを行う調節対象の塗布ユニットＵ１（第１処理ユニット）と、当該調節対象の塗布ユニットＵ１とは別の塗布ユニットＵ１（第２処理ユニット）であって、レジスト被膜の剥離を行う塗布ユニットＵ１とを有していてもよい。この場合、調節対象の塗布ユニットＵ１の薬液供給部４０は、レジスト被膜を剥離する機能を有していてもよく、当該機能を有していなくてもよい。別の塗布ユニットＵ１は、処理液供給部３０を有していなくてもよく、塗布ユニットＵ１の薬液供給部４０は、周縁部分を除去する機能を有していなくてもよい。すなわち、別の塗布ユニットＵ１は、レジスト被膜の剥離を専用に行うユニットであってもよい。制御装置１００は、調節対象の塗布ユニットＵ１における除去幅を調節する調節処理において、レジスト被膜を別の塗布ユニットＵ１により剥離させることを実行してもよい。なお、変形例３に係る処理モジュール１２を有する塗布・現像装置２において、制御装置１００は、変形例１に係るプロセス及び調節の並列処理を実行してもよく、変形例２に係る調節の並行処理を実行してもよい。

この変形例３では、処理モジュール１２が、レジスト被膜の形成と周縁部分の除去とを行う調節対象の塗布ユニットＵ１と、レジスト被膜の剥離を行う別の塗布ユニットＵ１とを有する。制御装置１００は、調節対象の塗布ユニットＵ１における除去幅を調節する調節処理において、周縁部分が除去されたレジスト被膜を第２処理ユニットにより剥離させることを実行する。この場合、調節処理におけるレジスト被膜の剥離が別の塗布ユニットＵ１で行われることで、剥離処理を待つことなく調節処理用の塗布ユニットＵ１での処理を進めることが可能となる。

（その他の変形例）
塗布・現像装置２は、レジスト被膜の形成と周縁部分の除去とを行う成膜処理部と、これを制御可能な制御装置１００とを備えていればどのようなものであってもよい。成膜処理部は、上述した構成に限らず、例えば被膜の形成、周縁部分の除去、及び被膜の剥離をそれぞれ行う異なるユニットを有していてもよい。検査ユニットＵ３は、処理モジュール１２以外に配置されていてもよい。例えば、検査ユニットＵ３は、キャリアブロック４又は棚ユニットＵ１０の一部に配置されていてもよい。ステップＳ０２の設定前処理と、ステップＳ１５の表面情報の取得は、異なる検査ユニットＵ３で行われてもよい。調節処理の対象とする除去幅は、レジスト被膜（レジスト膜Ｒ）における除去幅に限られない。調節処理の対象となる除去幅は、ウェハＷの表面Ｗａに形成されるいずれの被膜における除去幅であってもよい。

処理対象の基板は半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）などであってもよい。

２…塗布・現像装置、Ｕ１…塗布ユニット、Ｕ３…検査ユニット、Ａ１，Ａ３…搬送装置、２０…回転保持部、３０…処理液供給部、４０…薬液供給部、４１…ノズル、５７…撮像部、１００…制御装置、Ｗ…ウェハ、Ｗａ…表面。

Claims (11)

1. 基板の表面における被膜の形成と前記被膜の少なくとも一部の除去とを行う成膜処理部と、
   前記基板の表面の状態を示す表面情報を取得する表面検査部と、
   前記成膜処理部及び前記表面検査部を制御する制御部と、を備え、
   前記制御部は、
   前記基板の表面に前記被膜を前記成膜処理部により形成させることと、前記被膜の周縁部分を前記成膜処理部により除去させることと、前記周縁部分が除去された前記被膜を含む前記基板の表面の状態を示す前記表面情報を前記表面検査部に取得させ、当該表面情報に基づいて前記周縁部分の除去幅を調節することと、前記周縁部分が除去された前記被膜を前記成膜処理部により剥離させることと、を含む調節処理と、
   前記基板の表面に前記被膜を前記成膜処理部により形成させることと、前記調節処理において調節された前記除去幅にて前記周縁部分を前記成膜処理部により除去させることと、を含むプロセス処理と、
   を実行する、基板処理装置。
2. 前記制御部は、前記除去幅と目標値との偏差が所定レベルに達するまで前記調節処理を繰り返し実行する、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記制御部は、同一の前記基板を用いて前記調節処理を繰り返し実行する、請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記基板を搬送する搬送部を更に備え、
   前記制御部は、前記調節処理において、
   前記被膜の形成前の前記基板を収容する収容部から前記調節処理用の前記基板を前記搬送部により搬出させることと、
   前記被膜の剥離後の前記基板を前記搬送部により前記収容部に搬入させることと、を更に実行する、請求項１～３のいずれか一項記載の基板処理装置。
5. 前記基板を保持して回転させる回転保持部を更に備え、
   前記成膜処理部は、前記回転保持部により回転している前記基板に向けて前記周縁部分を除去するための薬液を吐出するノズルを有し、
   前記制御部は、前記調節処理において、前記回転保持部における前記基板の保持位置と前記薬液を吐出させる際の前記ノズルの位置との少なくとも一方を調節することによって前記除去幅を調節する、請求項１～４のいずれか一項記載の基板処理装置。
6. 前記制御部は、前記被膜の形成前の前記基板の表面の状態を示す前記表面情報を前記表面検査部に取得させ、当該表面情報に基づいて当該基板が前記除去幅の調節に利用可能かどうかを判別することを更に実行する、請求項１～５のいずれか一項記載の基板処理装置。
7. 前記成膜処理部は、前記被膜の形成と前記被膜の少なくとも一部の除去とを行う複数の処理ユニットを有し、
   前記制御部は、前記複数の処理ユニットのうちのいずれかの処理ユニットに前記プロセス処理を実行させている期間に、前記複数の処理ユニットのうちの他の処理ユニットに前記調節処理の少なくとも一部を実行させる、請求項１～６のいずれか一項記載の基板処理装置。
8. 前記成膜処理部は、前記被膜の形成と前記被膜の少なくとも一部の除去とを行う複数の処理ユニットを有し、
   前記制御部は、前記複数の処理ユニットのうちのいずれかの処理ユニットに前記調節処理を実行させている期間に、前記複数の処理ユニットのうちの他の処理ユニットに前記調節処理を実行させる、請求項１～６のいずれか一項記載の基板処理装置。
9. 前記成膜処理部は、前記被膜の形成と前記周縁部分の除去とを行う第１処理ユニットと、前記被膜の剥離を行う第２処理ユニットとを有し、
   前記制御部は、前記第１処理ユニットにおける前記除去幅を調節する前記調節処理において、前記周縁部分が除去された前記被膜を前記第２処理ユニットにより剥離させることを実行する、請求項１～６のいずれか一項記載の基板処理装置。
10. 基板の表面における被膜の形成と前記被膜の少なくとも一部の除去とを行う成膜処理部により前記基板の表面に前記被膜を形成させることと、前記被膜の周縁部分を前記成膜処理部により除去させることと、前記周縁部分が除去された前記被膜を含む前記基板の表面の状態を示す表面情報に基づいて前記周縁部分の除去幅を調節することと、前記周縁部分が除去された前記被膜を前記成膜処理部により剥離させることと、を含む調節処理を実行することと、
    前記基板の表面に前記被膜を前記成膜処理部により形成させることと、前記調節処理において調節された前記除去幅にて前記周縁部分を前記成膜処理部により除去させることと、を含むプロセス処理を実行することと、
    を含む基板処理方法。
11. 請求項１０記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

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