CN109256329A - 基片位置调整方法、存储介质和基片处理系统 - Google Patents

基片位置调整方法、存储介质和基片处理系统 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种基片位置调整方法、存储介质和基片处理系统。即使在不设置具有调节送出时的晶片的方向的功能的处理装置，也能够在小型的基片处理系统中短时间且低成本进行旋转式处理时的晶片的对位。本方法包括：由抗蚀剂涂敷装置实施EBR处理的旋转式处理步骤；由检查装置的拍摄装置对被实施了旋转处理的晶片进行拍摄的拍摄步骤；获取预先存储的、使晶片从抗蚀剂涂敷装置移动至检查装置期间晶片的方向发生变化的量的信息即变化量信息的变化量信息获取步骤；基于拍摄步骤的拍摄结果，获取沿晶片的周向的抗蚀剂膜的除去宽度的信息作为实施结果信息的结果信息获取步骤；和基于变化量信息和实施结果信息，修正EBR处理时的基片的位置的修正步骤。

Description

基片位置调整方法、存储介质和基片处理系统
技术领域
本发明涉及在具有旋转处理装置的基片处理系统中的、对旋转式处理时的基片的位置进行调整的基片位置调整方法、存储介质和基片处理系统，其中，上述旋转处理装置是一边使基片旋转一边对该基片实施作为规定处理的旋转式处理的装置。
背景技术
例如在半导体器件的制造工艺中的光刻步骤中，例如依次进行在半导体晶片(以下称为“晶片”)上涂敷抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、将抗蚀剂膜曝光为规定的图案的图案曝光处理、对曝光后的抗蚀剂膜进行显影的显影处理等，由此，在晶片上形成规定的抗蚀剂图案。该一系列的处理由作为基片处理系统的涂敷显影处理系统进行，该涂敷显影处理系统搭载有处理晶片的各种处理装置、运送晶片的运送机构、载置用于收纳一系列的处理前的晶片和一系列的处理后的晶片的晶片盒的晶片盒载置台等。此外，在抗蚀剂涂敷处理中，使晶片绕与晶片表面正交的轴(以下，正交轴)旋转，并将抗蚀剂液涂敷在晶片表面，由此形成抗蚀剂膜。
另外，作为涂敷显影处理系统包括：具有进行周边曝光处理的周边曝光装置的处理系统(参照专利文献1)、所谓的具有进行大缺陷检查的检查装置的处理系统。周边曝光处理是在图案曝光处理前将抗蚀剂膜的周缘部有选择地曝光的处理，另外，大缺陷检查中，利用拍摄装置拍摄晶片的表面整体，基于拍摄结果判定晶片表面的缺陷的有无。
此外，在维持向周边曝光装置送入时的晶片的方向不变的状态下从周边曝光装置送出时，晶片的方向有时成为不适合后段的图案曝光处理的方向。因此，周边曝光装置具有调节从该周边曝光装置送出时的晶片的方向的送出时方向调节功能。使从周边曝光装置送出时的晶片的方向成为所期望的方向，不需要在图案曝光时的曝光装置中的晶片的方向调节，能够缩短在曝光装置中的处理时间。
并且，作为涂敷显影处理系统，将在曝光前进行除去晶片周缘部的抗蚀剂膜的EBR(Edge Bead Removal：边缘球状物去除)处理的功能设置在进行抗蚀剂涂敷处理的抗蚀剂涂敷装置(专利文献2参照)。在抗蚀剂涂敷装置中的EBR处理中，一边使晶片绕正交轴旋转，一边对晶片的周缘部供给抗蚀剂膜的溶剂，由此呈环状地除去晶片周缘部的抗蚀剂膜。
EBR处理中的抗蚀剂膜的除去宽度要求在沿晶片的周向上是一定的。在上述除去宽度不一定的情况下，晶片上的半导体器件的形成区域的抗蚀剂膜被除去，有时产生不良产品的半导体器件。如上所述，为了使EBR处理中的除去宽度一定，需要对EBR处理时的晶片进行对位，以使得晶片的中心与EBR处理时的晶片的旋转轴一致。
晶片的对位能够使用例如由上述的检查装置拍摄对位用的EBR处理后的晶片的结果。具体来讲，根据拍摄结果，检测沿着晶片的周向的EBR处理时的除去宽度，基于该检测结果，以使除去宽度成为一定的方式修正EBR处理时的晶片的位置，由此来进行对位。
另外，在该对位前，如图10所示，进行调节，以使得向抗蚀剂涂敷装置送入时的晶片的方向D11与在检查装置拍摄时的晶片的方向D12在规定的方向(图的例子中，晶片的凹口位于0点的区域的方向)上成为相同方向。后者的拍摄时的晶片的方向D12通过检查装置所具有的方向调节功能被调节。此外，现有的检查装置的方向调节功能无法调节从检查装置61送出时的晶片的方向。另一方面，前者的向抗蚀剂涂敷装置送入时的晶片的方向D1，因抗蚀剂涂敷装置不具有方向调节功能，因此，通过使基片载置台上的晶片盒(FOUP：FrontOpening Unified Pod：前开式晶片盒)内的晶片的方向为所期望的方向来进行调节。
但是，如图11所示，晶片盒内的晶片的方向D13是任意的，另外，在保持原状地运送到抗蚀剂涂敷装置时，向抗蚀剂涂敷装置送入时的晶片的方向D12有时不能成为规定的方向。因此，一旦将晶片从晶片盒送入上述的具有送出时方向调节功能的周边曝光装置，使从周边曝光装置送出时的晶片的方向D14作为特定的方向将该晶片从该周边曝光装置送出而返回晶片盒，从而晶片盒内的晶片的方向D15成为所期望的方向。
此外，在涂敷显影处理系统没有搭载周边曝光装置的情况下，在搭载有周边曝光装置的其他的涂敷显影处理系统中调整晶片盒内的晶片的方向后，使该晶片盒向EBR处理时的晶片的对位対象的涂敷显影处理系统移动。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-67833号公报
专利文献1：日本特开2001-110712号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
但是，在周边曝光处理不是必要的情况下，为了调节晶片的方向而在涂敷显影处理系统另外设置周边曝光装置，这导致高成本化、系统的大型化。另外，如上所述，当利用搭载有周边曝光装置的其他的涂敷显影处理系统时，晶片盒的移动需要时间。并且，晶片盒内的晶片的方向的调节自身也需要时间。所以，EBR处理时的晶片的对位需要较长时间。关于这一方面，专利文献1和2中没有公开和暗示。另外，上述的方面，在EBR处理以外的旋转式处理、例如沿晶片的外缘形成环状的膜的处理中也相同。
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于即使不设置具有调节送出时的晶片的方向的功能的处理装置，也能够在小型的基片处理系统中短时间且低成本地进行旋转式处理时的晶片的对位。
用于解决技术问题的技术方案
解决上述课题的本发明，提供一种基片位置调整方法，其调整在具有旋转处理装置的基片处理系统中的、旋转式处理时的基片的位置，所述旋转处理装置一边使所述基片旋转一边对该基片实施作为规定的处理的所述旋转式处理，所述基片处理系统还包括为了基片的检查而拍摄该基片的表面的检查装置，所述基片位置调整方法的特征在于，包括：由所述旋转处理装置实施所述旋转式处理的旋转式处理步骤；由所述检查装置拍摄被实施了所述旋转式处理的基片的拍摄步骤；获取预先存储的变化量信息的变化量信息获取步骤，所述变化量信息是使基片从所述旋转处理装置移动至所述检查装置期间该基片的方向发生变化的量的信息；结果信息获取步骤，基于所述拍摄步骤的拍摄结果，获取沿基片的周向的所述旋转式处理的实施结果的信息作为实施结果信息；和至少基于所述变化量信息和所述实施结果信息，修正所述旋转式处理时的基片的位置的修正步骤。
所述基片位置调整方法包括：以使所述拍摄步骤中的基片的方向成为规定的方向的方式使所述基片旋转的旋转步骤；和其它变化量信息获取步骤，获取所述旋转步骤中的基片的方向的变化量的信息作为其它变化量信息，所述修正步骤基于所述变化量信息、所述其它变化量信息和所述实施结果信息，修正所述旋转式处理时的基片的位置。
在所述结果信息获取步骤中，计算在使基片从所述旋转处理装置移动至所述检查装置期间该基片的方向发生变化的量θ1与所述旋转步骤中的基片的方向的变化量θ2之和θe，获取从所述基片的基准位置在所述周向上分别偏离了θe、θe+90°、θe+180°、θe+270°的位置的所述旋转式处理的实施结果的信息作为所述实施结果信息。
所述基片位置调整方法包括获取所述基片的基准位置和从该基准位置在所述周向上分别偏离了90°、180°、270°的位置的、所述旋转式处理的实施结果的信息并将该信息输出的步骤。
根据另一方面的本发明，提供一种可读取的计算机存储介质，其保存有在作为控制基片处理系统的控制部的计算机上工作的程序，以使得所述基片处理系统实施基片位置调整方法。
根据另一方面的本发明，提供一种基片处理系统，其包括一边使基片旋转一边对该基片实施作为规定的处理的旋转式处理的旋转处理装置，所述基片处理系统的特征在于，包括：为了基片的检查而拍摄该基片的表面的检查装置；和调整所述旋转式处理时的基片的位置的控制部，所述控制部控制所述旋转处理装置和所述检查装置，使得由所述旋转处理装置实施所述旋转式处理的旋转式处理步骤、和由所述检查装置拍摄被实施了所述旋转式处理的基片的拍摄步骤实施，并且实施以下步骤：获取预先存储的变化量信息的变化量信息获取步骤，所述变化量信息是使基片从所述旋转处理装置移动至所述检查装置期间该基片的方向发生变化的量的信息；结果信息获取步骤，基于所述拍摄步骤的拍摄结果，获取沿基片的周向的所述旋转式处理的实施结果的信息作为实施结果信息；和至少基于所述变化量信息和所述实施结果信息，修正所述旋转式处理时的基片的位置的修正步骤。
发明效果
根据本发明，即使不设置具有调节送出时的晶片的方向的功能的处理装置，也能够在小型的基片处理系统中短时间且低成本地进行旋转处理时的晶片的对位。
附图说明
图1是表示本实施方式的涂敷显影处理系统的构成的概略的平面图。
图2是表示本实施方式的涂敷显影处理系统的构成的概略的正面图。
图3是表示本实施方式的涂敷显影处理系统的构成的概略的背面图。
图4是表示抗蚀剂涂敷装置的构成的概略的纵截面图。
图5是表示抗蚀剂涂敷装置的构成的概略的横截面图。
图6是表示缺陷检查装置的构成的概略的纵截面图。
图7是表示缺陷检查装置的构成的概略的横截面图。
图8是表示抗蚀剂涂敷装置内的晶片的方向和检查装置内的晶片的方向的图。
图9是用于说明抗蚀剂涂敷装置中的晶片上的位置和在检查装置的拍摄时的晶片上的位置的对应关系的图。
图10是用于说明现有的EBR处理时的晶片的对位方法的图。
图11是用于说明现有的EBR处理时的晶片的对位方法所需要的、晶片的方向的调节步骤的图。
附图标记说明
1 涂敷显影处理系统
6 控制部
32 抗蚀剂涂敷装置
61 检查装置
70 晶片运送装置
70a 运送臂
124 抗蚀剂液供给喷嘴
127 溶剂供给喷嘴
150 拍摄装置。
具体实施方式
以下，说明本发明的实施方式。此外，在本说明书和附图中，实质上具有相同的功能结构的要素中，标注相同的附图标记，由此省略重复说明。
图1是表示作为本发明的实施方式的基片处理系统的涂敷显影处理系统1的内部构成的概略的说明图。图2和图3分别是表示涂敷显影处理系统1的内部构成的概略的正面图和背面图。
如图1所示，涂敷显影处理系统1例如具有将在与外部之间送入送出晶片盒C的晶片盒站2、包括实施抗蚀剂涂敷处理等的规定的处理的各种处理装置的处理站3、与处理站3相邻的在与曝光装置4之间进行晶片W的交接的接口站5连接为一体的结构。另外，涂敷显影处理系统1具有进行该涂敷显影处理系统1的控制的控制部6。
晶片盒站2例如被分为晶片盒送入送出部10和晶片运送部11。例如晶片盒送入送出部10设置在涂敷显影处理系统1的Y方向负方向(图1的左方向)一侧的端部。在晶片盒送入送出部10设置有晶片盒载置台12。在晶片盒载置台12上设置有多个例如4个载置板13。载置板13在水平方向的X方向(图1的上下方向)排成一列地设置。上述的载置板13，在相对于涂敷显影处理系统1的外部送入送出晶片盒C时，能够载置晶片盒C。
如图1所示，在晶片运送部11设置有能够在X方向上延伸的运送路20上自由移动的晶片运送装置21。晶片运送装置21也能够在上下方向和绕铅垂轴(θ方向)上也自由移动，能够在各载置板13上的晶片盒C与后述的处理站3的第3组件G3的交接装置之间运送晶片W。
在处理站3设置有具有各种装置的多个组件、例如第1个～第4个这4个组件G1、G2、G3、G4。例如在处理站3的正面侧(图1的X方向负方向侧)设置有第1组件G1，在处理站3的背面侧(图1的X方向正方向侧)设置有第2组件G2。另外，在处理站3的晶片盒站2一侧(图1的Y方向负方向侧)设置有第3组件G3，在处理站3的接口站5一侧(图1的Y方向正方向侧)设置有第4组件G4。
如图2所示，在第1组件G1中，多个液处理装置例如对晶片W进行显影处理的显影处理装置30、在晶片W的抗蚀剂膜的下层形成反射防止膜(以下称为“下部反射防止膜”)的下部反射防止膜形成装置31、在晶片W涂敷抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷装置32、以及在晶片W的抗蚀剂膜的上层形成反射防止膜(以下称为“上部反射防止膜”)的上部反射防止膜形成装置33各自配置有多个。
例如显影处理装置30、下部反射防止膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部反射防止膜形成装置33各自在水平方向排列配置有三个。此外，上述显影处理装置30、下部反射防止膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部反射防止膜形成装置33的数量和配置能够任意选择。
在这些显影处理装置30、下部反射防止膜形成装置31、上部反射防止膜形成装置33中，例如进行在晶片W上涂敷规定的涂敷液的旋转涂敷。在旋转涂敷中，例如从涂敷喷嘴对晶片W上排出涂敷液，并且使晶片W旋转，使涂敷液在晶片W的表面扩散。此外，关于抗蚀剂涂敷装置32的构成在后文述说。
例如在第2组件G2，如图3所示，在上下方向和水平方向排列设置有进行晶片W的加热和冷却等的热处理的热处理装置40、用于提高抗蚀剂液与晶片W的黏附性(固定性)的黏合装置41。上述热处理装置40、黏合装置41的数量和配置也能够任意选择。
在第3组件G3设置有多个交接装置50。另外，在第4组件G4设置有多个交接装置60，在其上设置有检查装置。此外，检查装置61的构成在后文述说。
如图1所示，在由第1组件G1～第4组件G4包围的区域中形成有晶片运送区域D。在晶片运送区域D例如配置有晶片运送装置70。
晶片运送装置70具有例如在Y方向、前后方向、θ方向和上下方向上自由移动的运送臂70a。晶片运送装置70在晶片运送区域D内移动，能够将晶片W运送到周围的第1组件G1、第2组件G2、第3组件G3和第4组件G4内的规定的装置。晶片运送装置70例如如图3所示上下配置有多个，例如能够将晶片W运送到与各组件G1～G4相同程度的高度的规定的装置。
另外，在晶片运送区域D设置有在第3组件G3与第4组件G4之间直线地运送晶片W的往复运送装置71。
往复运送装置71例如在图3的Y方向上直线地自由移动。往复运送装置71以支承晶片W的状态在Y方向上移动，能够在相同程度的高度的第3组件G3的交接装置50与第4组件G4的交接装置60之间运送晶片W。
如图1所示，在第3组件G3的X方向正方向侧设置有晶片运送装置72。晶片运送装置72具有例如在前后方向、θ方向和上下方向上自由移动的运送臂72a。晶片运送装置72以支承晶片W的状态上下移动，能够将晶片W运送到第3组件G3内的各交接装置50。
在接口站5设置有晶片运送装置73和交接装置74。晶片运送装置73具有例如在Y方向、θ方向和上下方向能够自由移动的运送臂73a。晶片运送装置73例如由运送臂73a支承晶片W，能够在第4组件G4内的各交接装置60、交接装置74和曝光装置4之间运送晶片W。
上述的控制部6例如是计算机，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部保存有程序，该程序用于控制上述的各种处理装置、运送装置等的驱动系统的动作，控制涂敷显影处理系统1中的包含基片位置调整处理的晶片W的处理。此外，上述程序例如记录在计算机可读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁盘(MO)、存储卡等的计算机可读取的存储介质H，也可以是从该存储介质H安装到控制部6的程序。
接着，说明上述的抗蚀剂涂敷装置32的构成。图4和图5分别是表示抗蚀剂涂敷装置32的构成的概略的纵截面图和横截面图。抗蚀剂涂敷装置32如图4和图5所示，具有内部能够被密闭的处理容器100。在处理容器100的晶片运送装置70一侧的侧面形成有晶片W的送入送出口(未图示)，该送入送出口设置有开闭闸(未图示)。
在处理容器100内的中央部设置有保持晶片W并使其旋转的旋转卡盘110。旋转卡盘110具有水平的上表面，在该上表面设置有例如吸引晶片W的吸引口(未图示)。通过来自该吸引口的吸引，能够将晶片W吸附保持在旋转卡盘110上。
在旋转卡盘110的下方设置有例如具有电机等的卡盘驱动部111。旋转卡盘110通过卡盘驱动部111能够以规定的速度旋转。另外，在卡盘驱动部111设置有例如气缸等的升价驱动源，旋转卡盘110能够自由升降。
在旋转卡盘110的周围设置有罩112，该罩112接住从晶片W分散或落下的液体，进行回收。在罩112的下表面连接有排出所回收的液体的排出管113和对罩112内的气氛抽真空来进行排气的排气管114。
如图5所示，在罩112的X方向负方向(图5中的下方向)一侧形成有沿Y方向(图5中的左右方向)延伸的轨道120、121。轨道120、121例如从罩112的Y方向负方向(图5中的左方向)一侧的外方至Y方向正方向(图5中的右方向)一侧的外方形成。在轨道120、121分别安装有第1臂122、第2臂123。
如图4和图5所示，在第1臂122支承有将抗蚀剂液供给到晶片W上的抗蚀剂液供给喷嘴124。第1臂122通过图5所示的喷嘴驱动部125在轨道120上能够自由移动。由此，抗蚀剂液供给喷嘴124能够从在罩112的Y方向正方向侧的外方设置的待机部126至罩112内的晶片W的中心部上方移动。另外，第1臂122通过喷嘴驱动部125能够自由升降，调节抗蚀剂液供给喷嘴124的高度。
抗蚀剂液供给喷嘴124与未图示的抗蚀剂液供给源连接。另外，在抗蚀剂液供给喷嘴124与上述抗蚀剂液供给源之间的未图示的供给管设置有包括控制抗蚀剂液的流动的阀和流量调节部等的供给设备组。
如图4和图5所示，在第2臂123支承有将抗蚀剂膜的溶剂供给到晶片W上的溶剂供给喷嘴127。第2臂123通过图5所示的喷嘴驱动部128能够在轨道121上自由移动。由此，溶剂供给喷嘴127能够从在罩112的Y方向负方向侧的外方设置的待机部129至罩112内的晶片W的周缘部上方移动。另外，第1臂123通过喷嘴驱动部128能够自由升降，调节溶剂供给喷嘴127的高度。
溶剂供给喷嘴127与未图示的溶剂供给源连接。另外，在溶剂供给喷嘴127与上述溶剂供给源之间的未图示的供给管设置有包括控制溶剂的流动的阀和流量调节部等的供给设备组。
接着，说明检查装置61的构成。图6和图7各自是表示检查装置61的构成的概略的纵截面图和横截面图。检查装置61如图6和图7所示具有壳体130。在壳体130内设置有载置晶片W的载置台140。该载置台140通过电机等的旋转驱动部141能够旋转、停止。在壳体130的底面设置有从壳体130内的一端侧(图7中的X方向负方向侧)延伸至另一端侧(图7中的X方向正方向侧的导轨142。载置台140和旋转驱动部141设置在导轨142上，能够通过驱动装置143沿导轨142移动。
在壳体130内的另一端侧(图7的X方向正方向侧)的侧面设置有拍摄装置150。在拍摄装置150例如能够使用广角型的CCD摄像机。
在壳体130的上部中央附近设置有半反射镜151。半反射镜151在与拍摄装置150相对的位置以镜面从朝向铅垂下方的状态向着拍摄装置150的方向斜向上倾斜45度的状态设置。在半反射镜151的上方设置有照明装置152。半反射镜151和照明装置152固定在壳体130内部的上表面。来自照明装置152的照明通过半反射镜151向下方照射。因此，通过处于照明装置152的下方的物体所反射的光，由半反射镜151进一步反射，进入拍摄装置150。即，拍摄装置150能够拍摄处于由照明装置152照射的照射区域的物体。
另外，在壳体中的晶片W的周缘所处的区域设置有检测晶片W的凹口(“基准位置”的一例)N的未图示的凹口检测部。该凹口检测部例如包括：设置在与晶片W的周缘部的正面侧相对的位置的由LED(Light Emitting Diode：发光二极管)等形成的发光部；和设置在与该发光部和晶片的周缘部的背面侧相对的位置的PD(Photodiode：光电二极管)等构成的受光部，基于入射到受光部的光量的变化检测晶片W的凹口N。此外，凹口检测可以基于拍摄装置150的拍摄结果进行。检查装置61中，通过该凹口检测部和能够自由旋转的载置台140，能够调整晶片的方向。
接着，说明使用涂敷显影处理系统1的晶片处理。
首先，通过晶片运送装置21，从晶片盒载置台12上的晶片盒C取出晶片W，运送到处理站3的交接装置50。接着，晶片W被晶片运送装置70运送到第2组件G2的热处理装置40进行温度调节处理后，由下部反射防止膜形成装置31形成下部反射防止膜，接着，运送到黏合装置41进行黏合处理。
之后，晶片W在抗蚀剂涂敷装置32中实施抗蚀剂涂敷处理和EBR处理，形成抗蚀剂膜，并且，呈环状地除去晶片W的周缘部的抗蚀剂膜。
接着，晶片W在上部反射防止膜形成装置33中形成上部反射防止膜。之后，晶片W被运送到曝光装置4，以规定的图案进行图案曝光处理。接着，晶片W被运送到显影处理装置30，进行显影处理，处理站3的一系列的光刻处理结束。结束了光刻处理的晶片W被运送到检查装置61，通过检查装置61的后述的拍摄装置获取晶片W的表面整体的图像数据，基于该图像数据，进行晶片W的大缺陷检查。之后，晶片W被依次收纳在晶片盒C。
接着，使用图8和图9说明涂敷显影处理系统1中的EBR处理时的调整晶片W的位置的基片位置调整处理。图8是表示抗蚀剂涂敷装置32内的晶片W的方向和检查装置61内的晶片W的方向的图。图9是用于说明抗蚀剂涂敷装置中的晶片上的位置和检查装置中的拍摄时的晶片上的位置的对应关系的图。此外，上述基片位置调整处理例如在涂敷显影处理系统1的启动时、上述晶片W的位置的再调整时、品质管理时进行。
在基片位置调整处理中，首先，通过晶片运送装置21，从晶片盒载置台12上的晶片盒C取出调整用的晶片W，运送到处理站3的交接装置50。其中，晶片盒C内的晶片W的方向可以为任意方向。另外，调整用的晶片W例如是裸晶片。
接着，晶片W由晶片运送装置70的运送臂70a保持，该晶片运送装置70向抗蚀剂涂敷装置32的正面移动。然后，保持着晶片W的晶片运送装置70的运送臂70a插入到抗蚀剂涂敷装置32，晶片W被运送到旋转卡盘110的上方的交接位置。之后，将晶片W交接到上升了的旋转卡盘110并被该旋转卡盘110吸附保持，运送臂70a从抗蚀剂涂敷装置32拔出，旋转卡盘110下降，晶片W被配置在进行抗蚀剂涂敷处理和EBR处理的位置。此外，运送臂70a的插拔方向与涂敷显影处理系统1中的X方向一致，在水平面内与上述插拔方向正交的方向、即晶片运送装置70在运送区域D内移动的方向，与涂敷显影处理系统1中的Y方向一致。
接着，通过第1臂122使待机部126的抗蚀剂液供给喷嘴124移动至晶片W的中心部的上方。之后，通过旋转卡盘110使晶片W旋转，并且从抗蚀剂液供给喷嘴124向晶片W上供给抗蚀剂液。所供给的抗蚀剂液通过离心力在晶片W的整个表面扩散，在该晶片W上形成抗蚀剂膜。接着，实施EBR处理。具体来讲，首先，通过第1臂122使抗蚀剂液供给喷嘴124从晶片W的上方退避，并且通过第2臂123使待机部129的溶剂供给喷嘴127移动至晶片W的周缘部上方附近的规定位置。之后，一边通过旋转卡盘110使晶片W旋转，一边从溶剂供给喷嘴127对晶片W的周缘部供给溶剂。所供给的溶剂通过离心力从溶剂供给位置向晶片W的周端缘扩散，由此，沿晶片W的周缘部呈环状地除去抗蚀剂膜。
此外，该EBR处理时的晶片W的对位、即如果从运送臂70a交接晶片W的交接对位不恰当时，晶片W的中心与晶片W的旋转轴即旋转卡盘110的旋转轴不一致，抗蚀剂膜的除去宽度在周向不是一定的。
在EBR处理后，晶片W通过晶片运送装置70被从抗蚀剂涂敷装置32送出。而且，从抗蚀剂涂敷装置32送出时的晶片W相对于该抗蚀剂涂敷装置32的方向与送入时相同。
从抗蚀剂涂敷装置32送出的晶片W通过晶片运送装置70移动到检查装置61的正面。然后，保持着晶片W的晶片运送装置70的运送臂70a插入到检查装置61，将晶片W向载置台140交接。在交接后，运送臂70a被从检查装置61拔出，晶片W向检查装置61的送入完成。
如图8所示，向检查装置61送入时的晶片W的方向D2与向抗蚀剂涂敷装置32送入送出时的晶片W的方向D1不同。该晶片W的方向的变化量θ1由涂敷显影处理系统1中的检查装置61与抗蚀剂涂敷装置32的配置关系决定，该变化量θ1的信息例如通过来自用户的输入等预先存储在控制部6中。
在晶片W向检查装置61的送入完成后，如后文所述进行基于拍摄装置150的拍摄，但是，在该拍摄前，通过上述的凹口检测部和载置台140进行调节以使得拍摄时的晶片W的方向D3成为规定的方向(例如是晶片W的凹口N位于X方向正侧端的方向)。该调节的晶片W的方向的变化量θ2的信息即载置台140的旋转角的信息被从检查装置61输出到控制部6。
在上述的晶片W的方向的调节后，通过拍摄装置150拍摄晶片W的表面，获取晶片W的图像数据，该图像数据被输出到控制部6。被拍摄后的晶片W通过晶片运送装置70从检查装置61送出，返回晶片盒C。
控制部6根据使用检查装置61的拍摄装置150获取的图像数据即拍摄结果，获取作为EBR处理的实施结果的信息的、抗蚀剂膜的除去宽度的信息。然后，控制部6获取预先存储的上述晶片W的方向的变化量θ1的信息，基于该信息和上述抗蚀剂膜的除去宽度的信息，修正EBR处理时的晶片W的位置。
以下，具体说明获取上述的抗蚀剂膜的除去宽度的信息的除去宽度获取步骤，和修正EBR处理时的晶片W的位置即晶片W的交接位置的修正步骤。此外，上述除去宽度获取步骤是本发明中的“结果信息获取步骤”的一例。
抗蚀剂涂敷装置32中的晶片W的方向D1与检查装置61的拍摄时的晶片W的方向D3偏离，而该偏离量θe能够使用上述的变化量θ1、θ2由以下的式(1)表示。
θe＝θ1+θ2…(1)
因此，控制部6在除去信息获取步骤中，首先，计算上述的变化量θ1和变化量θ2之和，将计算结果作为上述的偏离量θe。然后，控制部6基于检查装置61的图像数据，计算出晶片W的从凹口N在周向上分别偏离了θe、θe+90°、θe+180°、θe+270°的位置的抗蚀剂膜的除去宽度W1～W4。将该除去宽度W1～W4的信息作为实施结果信息/修正用信息，对后段的步骤输出。此外，除去宽度是从晶片W的周端缘至抗蚀剂膜的周端缘的距离。另外，在基于拍摄晶片W而得到的图像数据的图像中，晶片W上的抗蚀剂膜与该抗蚀剂膜被除去了的区域的边界、和晶片W存在的区域与不存在的区域的边界分别产生明暗，因此，基于该明暗，计算出除去宽度W1～W4。
然后，控制部6在修正步骤中，基于作为修正用信息的除去宽度W1～W4的信息，修正在抗蚀剂涂敷装置32中的从运送臂70a交接晶片W的交接位置。具体如以下所示。
如图9所示，由检查装置61进行拍摄时的上述偏离了θe的位置P1的除去宽度W1，对应于在抗蚀剂涂敷装置32中的X方向的正侧端部的位置Pxp的除去宽度X1，上述偏离了θe+180°的位置P3的除去宽度W3，对应于抗蚀剂涂敷装置32中的X方向负侧端部的位置Pxn的除去宽度X2。另外，上述偏离了θe+90°的位置P2的除去宽度W2，对应于抗蚀剂涂敷装置32中的Y方向正侧端部的位置Pyp的除去宽度Y1，上述偏离了θe+270°的位置P4的除去宽度W4，对应于抗蚀剂涂敷装置32中的Y方向负侧端部的位置P4的除去宽度Y2。
因此，控制部6在修正步骤中，作为表示在抗蚀剂涂敷装置32中的从运送臂70a交接晶片W的交接位置的修正量、即X方向的修正量ΔX的关系式，使用以下的式(3)替代以下的式(2)，计算出上述修正量ΔX。
ΔX＝(X1-X2)/2…式(2)
ΔX＝(W1-W3)/2…式(3)
另外，作为表示在抗蚀剂涂敷装置32中的从运送臂70a交接晶片W的交接位置的修正量即Y方向的修正量ΔY的关系式，控制部6使用以下的式(5)替代以下的式(4)，计算出上述修正量ΔY。
ΔY＝(Y1-Y2)/2…式(4)
ΔY＝(W2-W4)/2…式(5)
然后，控制部6对晶片W的交接位置进行修正，使其从当前设定的位置偏离修正量ΔX、ΔY。
在装置启动时，优选使用多个晶片进行以上的步骤，即进行多次。这是因为存在与再调整时、品质管理时相比，调整前的晶片W的交接位置与所期望的位置偏离较大的情况，另外是因为通过进行多次，能够调整至更准确的位置。再调整时、品质管理时可以进行一次上述的一系列的步骤，也可以进行多次。
如上所述，根据本实施方式，因为基于从抗蚀剂涂敷装置32向检查装置61移动期间的晶片的方向的变化量θ1的信息和在检查装置61的拍摄结果，进行在抗蚀剂涂敷装置32中的从运送臂70a交接晶片W的交接位置即EBR处理时的晶片的位置的调整(以下，EBR调整)，因此，晶片盒C内的晶片W的方向可以为任意。换言之，不需要调节晶片盒C内的晶片W的方向使其统一为特定的方向，所以能够缩短上述调整所需要的时间。另外，不需要设置用于调节晶片盒C内的晶片W的方向的装置、例如周边露光装置，因此，能够防止涂敷显影处理系统1的高成本化、大型化。另外，现有技术中，在忘记晶片盒C内的晶片W的方向的调节而进行了EBR调整的情况下，调整失败，时间被浪费，但是根据本实施方式，不需要上述晶片W的方向的调节，因此，能够防止调整失误、时间被浪费的情况。
此外，在以上的说明中，基片位置调整即在抗蚀剂涂敷装置32中的运送臂70a的位置调整，例如在涂敷显影处理系统1的启动时等进行，但是，本实施方式的上述运送臂70a的位置调整可以在产品制造中进行。另外，以上所述的从晶片W的凹口N在周向上偏离了θe的位置作为基准的EBR处理结果可以按以下的方式利用。即，当监视上述EBR处理结果、除去宽度变得不均匀时，判定变得不均匀的原因是否为运送精度导致的。
在以上说明中，为了使说明变得容易，说明了计算在检查装置61中拍摄时的晶片W的从凹口N在周向上分别偏离了θe、θe+90°、θe+180°、θe+270°的4个位置的抗蚀剂膜的除去宽度。
实际上，计算出晶片W的沿着周向每偏离15°的区域共计24处区域的上述除去宽度。然后，将包含上述4个位置的任一者的区域的上述除去宽度、或者与上述4个位置的任一者最接近的区域的上述除去宽度作为该位置的除去宽度，用于修正量的计算。
另外，如上所述获取24处的区域的除去宽度的情况下，控制部6也可以为了其它的运算而输出晶片W的凹口N存在的区域θO、从θO在周向上分别偏离了90°、180°、270°的区域的除去宽度(以下，凹口基准的4点的除去宽度)的信息。
上述凹口基准的4点的除去宽度的信息例如用于以下的运算。因检查装置61中的拍摄装置150的位置的装置间差异等，基于拍摄结果的抗蚀剂膜的除去宽度的计算结果在装置间不同。另外，在晶片W的周端缘形成有倾斜(Bevel、倒角)，因此，根据拍摄结果计算出的抗蚀剂膜的除去宽度与实际的除去宽度不同。而且，从测定实际的除去宽度的装置通常输出上述凹口基准的4点的除去宽度。因此，为了正确获取实际的除去宽度和根据拍摄结果所计算出的抗蚀剂膜的除去宽度的相关性，输出上述凹口基准的4点的除去宽度的信息。
在以上的说明中，仅进行EBR处理时的晶片W的位置的调整，但是，实际上，也进行EBR处理时的溶剂供给喷嘴127的位置调整。该位置调整例如基于抗蚀剂膜的除去宽度的平均值进行，例如当平均值大于规定的值时，溶剂供给喷嘴127的位置从原来的位置调整至晶片W的周端缘侧的位置，当平均值比规定的值低时，溶剂供给喷嘴127的位置从原来的位置调整至晶片W的中心侧的位置。溶剂供给喷嘴127的位置调整所使用的除去宽度的平均值，可以为从在检查装置61的拍摄时的晶片W的凹口N在周向上分别偏离了θe、θe+90°、θe+180°、θe+270°的4个位置的抗蚀剂膜的除去宽度的平均值，也可以为凹口基准的4个除去宽度的平均值，也可以为上述的24处的区域的除去宽度的平均值。
以上的例子的涂敷显影处理系统1不行进晶片W的正反的反转动作，但是，本发明也能够适用于伴随这样的反转动作的基片处理系统。
另外，在以上说明中，对EBR处理时的晶片W的位置的调整方法进行了说明，本发明也能够应用于EBR处理以外的旋转式处理、例如沿晶片的外缘形成环状的膜的处理中的晶片W的位置的调整方法。
以上，参照附图对本发明的适当的实施方式进行了说明，但是本发明不限于该例。对于本领域技术人员而言，在专利申请的范围所记载的思想范畴内，当然能够想到各种的变形例或修正例，它们当然也属于本发明的技术的范围。
工业上的可利用性
本发明在一边使基片旋转一边对该基片实施作为规定的处理的旋转式处理的基片处理系统中，对于进行旋转式处理时的基片的对位的技术是有用的。

Claims (6)

1.一种基片位置调整方法，其调整在具有旋转处理装置的基片处理系统中的、旋转式处理时的基片的位置，所述旋转处理装置一边使所述基片旋转一边对该基片实施作为规定的处理的所述旋转式处理，所述基片处理系统还包括为了基片的检查而拍摄该基片的表面的检查装置，所述基片位置调整方法的特征在于，包括：
由所述旋转处理装置实施所述旋转式处理的旋转式处理步骤；
由所述检查装置拍摄被实施了所述旋转式处理的基片的拍摄步骤；
获取预先存储的变化量信息的变化量信息获取步骤，所述变化量信息是使基片从所述旋转处理装置移动至所述检查装置期间该基片的方向发生变化的量的信息；
结果信息获取步骤，基于所述拍摄步骤的拍摄结果，获取沿基片的周向的所述旋转式处理的实施结果的信息作为实施结果信息；和
至少基于所述变化量信息和所述实施结果信息，修正所述旋转式处理时的基片的位置的修正步骤。
2.如权利要求1所述的基片位置调整方法，其特征在于，包括：
以使所述拍摄步骤中的基片的方向成为规定的方向的方式使所述基片旋转的旋转步骤；和
其它变化量信息获取步骤，获取所述旋转步骤中的基片的方向的变化量的信息作为其它变化量信息，
所述修正步骤基于所述变化量信息、所述其它变化量信息和所述实施结果信息，修正所述旋转式处理时的基片的位置。
3.如权利要求2所述的基片位置调整方法，其特征在于：
在所述结果信息获取步骤中，计算在使基片从所述旋转处理装置移动至所述检查装置期间该基片的方向发生变化的量θ1与所述旋转步骤中的基片的方向的变化量θ2之和θe，获取从所述基片的基准位置在所述周向上分别偏离了θe、θe+90°、θe+180°、θe+270°的位置的所述旋转式处理的实施结果的信息作为所述实施结果信息。
4.如权利要求3所述的基片位置调整方法，其特征在于：
包括获取所述基片的基准位置和从该基准位置在所述周向上分别偏离了90°、180°、270°的位置的、所述旋转式处理的实施结果的信息并将该信息输出的步骤。
5.一种可读取的计算机存储介质，其特征在于：
保存有在作为控制基片处理系统的控制部的计算机上工作的程序，以使得所述基片处理系统实施权利要求1～4中任一项所述的基片位置调整方法。
6.一种基片处理系统，其包括一边使基片旋转一边对该基片实施作为规定的处理的旋转式处理的旋转处理装置，所述基片处理系统的特征在于，包括：
为了基片的检查而拍摄该基片的表面的检查装置；和
调整所述旋转式处理时的基片的位置的控制部，
所述控制部控制所述旋转处理装置和所述检查装置，使得由所述旋转处理装置实施所述旋转式处理的旋转式处理步骤、和由所述检查装置拍摄被实施了所述旋转式处理的基片的拍摄步骤实施，并且，
实施以下步骤：
获取预先存储的变化量信息的变化量信息获取步骤，所述变化量信息是使基片从所述旋转处理装置移动至所述检查装置期间该基片的方向发生变化的量的信息；
结果信息获取步骤，基于所述拍摄步骤的拍摄结果，获取沿基片的周向的所述旋转式处理的实施结果的信息作为实施结果信息；和
至少基于所述变化量信息和所述实施结果信息，修正所述旋转式处理时的基片的位置的修正步骤。
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