JP2020025118A - 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】ウエハが反りを有する場合であっても当該ウエハの周縁に対して適切な処理を行う。【解決手段】ウエハの処理方法は、反り量が既知である基準ウエハの周縁全周にわたって基準ウエハの端面をカメラによって撮像し、基準ウエハの端面の形状データを基準ウエハの周縁全周にわたって取得する工程と、ウエハの周縁全周にわたってウエハの端面をカメラによって撮像し、ウエハの端面の形状データをウエハの周縁全周にわたって取得する工程と、各形状データに基づいてウエハの反り量を算出する工程と、ウエハの表面にレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜の周縁部に対する有機溶剤の供給位置を当該反り量に基づいて決定し、当該供給位置から供給される有機溶剤によって当該周縁部を溶かしてウエハ上から除去する第７の工程とを含む。【選択図】図２３

Description

本開示は、基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。

現在、基板（例えば、半導体ウエハ）を微細加工して半導体デバイスを製造するにあたり、フォトリソグラフィ技術を用いて凹凸パターン（例えば、レジストパターン）を基板上に形成することが広く一般に行われている。半導体ウエハ上にレジストパターンを形成する工程は、例えば、ウエハの表面にレジスト膜（塗布膜）を形成するレジスト膜形成処理と、このレジスト膜を所定のパターンに沿って露光する露光処理と、露光後のレジスト膜と現像液とを反応させて現像する現像処理とを含む。

レジスト膜形成処理においては、一般的に、ウエハを回転させつつウエハの表面にレジスト液を滴下するスピンコート法が採用される。そのため、通常は、ウエハの表面全体にレジスト膜が形成される。しかしながら、このようなウエハＷを搬送アームによって搬送すると、搬送アームがウエハＷの周縁を把持する際に搬送アームにレジスト膜が付着する。この場合、搬送アームに付着したレジスト膜の残渣によって、後続のウエハが汚染されうる。そこで、ウエハの周縁領域に存在するレジスト膜を除去する周縁除去処理が行われることがある。

特許文献１は、周縁除去処理の一例として、ウエハの表面にレジスト膜を形成した後に、ウエハを回転させつつレジスト膜（固化膜）のうちウエハの周縁領域に位置する部分（レジスト膜の周縁部）に有機溶剤を供給することにより、レジスト膜の周縁部をウエハの周縁に沿って除去する方法（エッジリンス処理）を開示している。特許文献２は、周縁除去処理の他の例として、ウエハの表面にレジスト膜を形成した後に、ウエハの周縁から内側に向けて所定の幅でウエハの周縁領域を露光して、現像することにより、レジスト膜の周縁部をウエハの周縁に沿って除去する方法（周縁露光現像処理）を開示している。

特開平１１−３３３３５５号公報 特開２００２−１５８１６６号公報

ところで、ウエハは様々な工程を経て製造されるので、ウエハが当初から（微細加工が施される前から）反りを有する場合がある。また、ウエハの表面にレジスト膜を形成する際には、レジスト液をウエハの表面に塗布した後に、ウエハに対して加熱処理及び冷却処理が行われる。そのため、ウエハへの熱の出入りに伴い、ウエハが反ってしまうことがある。特に近年、３Ｄ ＮＡＮＤフラッシュメモリの開発が進められている。当該メモリはレジスト膜の形成工程を多数回経て製造されるので、ウエハに対する加熱処理及び冷却処理が繰り返される。そのため、ウエハに生じる反りは、例えば数百μｍ〜１ｍｍ程度と極めて大きくなりうる。

ウエハが反りを有する場合、ウエハの処理に際してウエハが回転すると、ウエハの周縁の高さ位置が変動し得る。そのため、ウエハの周縁に対してエッジリンス処理が行われる場合、当該周縁と有機溶剤の供給ノズルとの離間距離が変動し得る。同様に、ウエハの周縁に対して周縁露光現像処理が行われる場合、当該周縁までの光路長が変動し得る。従って、反りを有するウエハに対して周縁除去処理（エッジリンス処理、周縁露光現像処理等）を行うと、レジスト膜の周縁部の除去幅が、ウエハの周縁に沿って不均一となり、所望の設定範囲に満たなかったり当該設定範囲を超えたりする、といった不都合が生じ得る。特に近年、凹凸パターンの更なる微細化を図り、ウエハに形成される回路の更なる高集積化が求められている。そのため、レジスト膜の周縁部の除去幅が大きい部分が存在すると、回路の基板への高集積化が妨げられる。

そこで、本開示は、基板が反りを有する場合であっても当該基板の周縁に対して適切な処理を行うことが可能な基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。

本開示の一つの観点に係る基板処理方法は、反り量が既知である基準基板の周縁全周にわたって基準基板の端面をカメラによって撮像する第１の工程と、第１の工程で得られた撮像画像を画像処理して、基準基板の端面の形状データを基準基板の周縁全周にわたって取得する第２の工程と、被処理基板の周縁全周にわたって被処理基板の端面をカメラによって撮像する第３の工程と、第３の工程で得られた撮像画像を画像処理して、被処理基板の端面の形状データを被処理基板の周縁全周にわたって取得する第４の工程と、第２の工程で取得された形状データと第４の工程で取得された形状データとに基づいて被処理基板の反り量を算出する第５の工程と、被処理基板の表面に塗布液を供給して塗布膜を形成する第６の工程と、塗布膜の周縁部に対する有機溶剤の供給位置を第５の工程で算出された反り量に基づいて決定し、当該供給位置から供給される有機溶剤によって当該周縁部を溶かして被処理基板上から除去する第７の工程とを含む。

本開示の一つの観点に係る基板処理方法では、第５の工程において被処理基板の反り量を算出し、第７の工程において、塗布膜の周縁部に対する有機溶剤の供給位置を当該反り量に基づいて決定し、当該供給位置から供給される有機溶剤によって当該周縁部を溶かして被処理基板上から除去している。そのため、被処理基板の反りに応じて塗布膜の周縁部に対する有機溶剤の供給位置が適切に決定されるので、当該周縁部の除去幅をより均一にすることが可能となる。従って、被処理基板が反りを有する場合であっても当該被処理基板の周縁に対して適切な処理を行うことができる。また、被処理基板の表面のうちより周縁に近い領域に対しても回路を形成することができるので、回路の被処理基板への高集積化が促進され、被処理基板をより効率的に利用することが可能となる。

本開示の一つの観点に係る基板処理方法は、第７の工程の後に、被処理基板の表面のうち周縁領域に位置する塗布膜を被処理基板の周縁の全周にわたって所定の露光幅で露光する周縁露光工程を更に含み、周縁露光工程では、露光幅を第５の工程で算出された反り量に基づいて決定してもよい。この場合、被処理基板の反りに応じて露光幅が適切に決定されるので、当該周縁部の露光幅をより均一にすることが可能となる。そのため、周縁露光工程の後に被処理基板を現像することにより、当該周縁部の除去幅をより均一にすることが可能となる。

本開示の一つの観点に係る基板処理方法は、第７の工程の後に塗布膜を加熱する第８の工程と、第８の工程の後に、被処理基板の周縁全周にわたって被処理基板の端面をカメラによって撮像する第９の工程と、第９の工程で得られた撮像画像を画像処理して、被処理基板の端面の形状データを被処理基板の周縁全周にわたって取得する第１０の工程と、第２の工程で取得された形状データと第１０の工程で取得された形状データとに基づいて被処理基板の反り量を算出する第１１の工程とを更に含み、第１１の工程で算出された反り量が所定の閾値よりも大きい場合、被処理基板に対して露光処理を行わなくてもよい。この場合、露光機において露光処理が困難な被処理基板を予め判別し、当該被処理基板を露光処理から除外することができる。そのため、被処理基板の処理効率を高めることが可能となる。

本開示の一つの観点に係る基板処理方法は、第７の工程の後に塗布膜を加熱する第８の工程と、第８の工程の後に、被処理基板の周縁全周にわたって被処理基板の端面をカメラによって撮像する第９の工程と、第９の工程で得られた撮像画像を画像処理して、被処理基板の端面の形状データを被処理基板の周縁全周にわたって取得する第１０の工程と、第２の工程で取得された形状データと第１０の工程で取得された形状データとに基づいて被処理基板の反り量を算出する第１１の工程と、第９の工程の後に、被処理基板の表面のうち周縁領域に位置する塗布膜を被処理基板の周縁の全周にわたって所定の露光幅で露光する周縁露光工程とを更に含み、周縁露光工程では、露光幅を第１１の工程で算出された反り量に基づいて決定してもよい。この場合、第８の工程において加熱処理が行われた後の被処理基板の反りに応じて露光幅がより適切に決定されるので、当該周縁部の露光幅をいっそう均一にすることが可能となる。そのため、周縁露光工程の後に被処理基板を現像することにより、当該周縁部の除去幅をよりいっそう均一にすることが可能となる。

第１１の工程で算出された反り量が所定の閾値よりも大きい場合、被処理基板に対して露光処理を行わなくてもよい。この場合、露光機において露光処理が困難な被処理基板を予め判別し、当該被処理基板を露光処理から除外することができる。そのため、被処理基板の処理効率を高めることが可能となる。

本開示の他の観点に係る基板処理方法は、反り量が既知である基準基板の周縁全周にわたって基準基板の端面をカメラによって撮像する第１の工程と、第１の工程で得られた撮像画像を画像処理して、基準基板の端面の形状データを基準基板の周縁全周にわたって取得する第２の工程と、被処理基板の周縁全周にわたって被処理基板の端面をカメラによって撮像する第３の工程と、第３の工程で得られた撮像画像を画像処理して、被処理基板の端面の形状データを被処理基板の周縁全周にわたって取得する第４の工程と、第２の工程で取得された形状データと第４の工程で取得された形状データとに基づいて被処理基板の反り量を算出する第５の工程と、被処理基板の表面に塗布液を供給して塗布膜を形成する第６の工程と、被処理基板の表面のうち周縁領域に位置する塗布膜を被処理基板の周縁の全周にわたって所定の露光幅で露光する周縁露光工程とを含み、周縁露光工程では、被露光幅を第５の工程で算出された反り量に基づいて決定する。

本開示の他の観点に係る基板処理方法では、第５の工程において被処理基板の反り量を算出し、周縁露光工程において、露光幅を当該反り量に基づいて決定している。そのため、被処理基板の反りに応じて露光幅が適切に決定されるので、当該周縁部の露光幅をより均一にすることが可能となる。従って、周縁露光工程の後に被処理基板を現像することにより、当該周縁部の除去幅をより均一にすることが可能となる。その結果、被処理基板が反りを有する場合であっても当該被処理基板の周縁に対して適切な処理を行うことができる。また、被処理基板の表面のうちより周縁に近い領域に対しても回路を形成することができるので、回路の被処理基板への高集積化が促進され、被処理基板をより効率的に利用することが可能となる。

本開示の他の観点に係る基板処理方法は、第６の工程の後に塗布膜を加熱する第７の工程を更に含み、第３〜第５の工程は、第７の工程の後に行われてもよい。この場合、第７の工程において加熱処理が行われた後の被処理基板の反りに応じて露光幅がより適切に決定されるので、当該周縁部の露光幅をいっそう均一にすることが可能となる。そのため、周縁露光工程の後に被処理基板を現像することにより、当該周縁部の除去幅をよりいっそう均一にすることが可能となる。

第５の工程で算出された反り量が所定の閾値よりも大きい場合、被処理基板に対して露光処理を行わなくてもよい。この場合、露光機において露光処理が困難な被処理基板を予め判別し、当該被処理基板を露光処理から除外することができる。そのため、被処理基板の処理効率を高めることが可能となる。

基準基板は平坦であり、第２の工程で取得される形状データは、基準基板の端面の中央を通る第１のプロファイル線のデータであり、第４の工程で取得される形状データは、被処理基板の端面の中央を通る第２のプロファイル線のデータであり、第５の工程では、第１のプロファイル線のデータと第２のプロファイル線のデータとに基づいて被処理基板の反り量を算出してもよい。この場合、第１及び第２のプロファイル線のデータから被処理基板の反り量をより簡単に算出することができる。

本開示の一つの観点に係る基板処理方法は、被処理基板の表面のうち周縁領域をカメラによって撮像する周縁表面の撮像工程と、第４の工程で撮像された撮像画像を画像処理して被処理基板の端面の状態を検査すると共に、周縁表面の撮像工程で撮像された撮像画像を画像処理して被処理基板の表面のうち周縁領域の状態とを検査する検査工程とを更に含んでもよい。この場合、被処理基板の周縁近傍における欠陥（例えば、割れ、欠け、傷など）を判別し、当該被処理基板を各種処理から除外することができる。そのため、被処理基板の処理効率を高めることが可能となる。

本開示の他の観点に係る基板処理装置は、被処理基板の表面に塗布液を供給するように構成された塗布液供給部と、被処理基板の表面に第１及び第２の有機溶剤を供給するように構成された溶剤供給部と、被処理基板を保持して回転させるように構成された第１の回転保持部と、少なくとも一つのカメラと、制御部とを備え、制御部は、反り量が既知である基準基板の周縁全周にわたって基準基板の端面を少なくとも一つのカメラによって撮像する第１の処理と、第１の処理で得られた撮像画像を画像処理して、基準基板の端面の形状データを基準基板の周縁全周にわたって取得する第２の処理と、被処理基板の周縁全周にわたって被処理基板の端面を少なくとも一つのカメラによって撮像する第３の処理と、第３の処理で得られた撮像画像を画像処理して、被処理基板の端面の形状データを被処理基板の周縁全周にわたって取得する第４の処理と、第２の処理で取得された形状データと第４の処理で取得された形状データとに基づいて被処理基板の反り量を算出する第５の処理と、塗布液供給部及び第１の回転保持部を制御して、回転中の被処理基板の表面に塗布液を供給することにより塗布膜を形成する第６の処理と、溶剤供給部及び第１の回転保持部を制御して、塗布膜の周縁部に対する有機溶剤の供給位置を第５の処理で算出された反り量に基づいて決定し、当該供給位置から供給される有機溶剤によって当該周縁部を溶かして回転中の被処理基板上から除去する第７の処理とを実行する。

本開示の他の観点に係る基板処理装置では、制御部が、第５の処理において被処理基板の反り量を算出し、第７の処理において、塗布膜の周縁部に対する有機溶剤の供給位置を当該反り量に基づいて決定し、当該供給位置から供給される有機溶剤によって当該周縁部を溶かして被処理基板上から除去している。そのため、被処理基板の反りに応じて塗布膜の周縁部に対する有機溶剤の供給位置が適切に決定されるので、当該周縁部の除去幅をより均一にすることが可能となる。従って、被処理基板が反りを有する場合であっても当該被処理基板の周縁に対して適切な処理を行うことができる。また、被処理基板の表面のうちより周縁に近い領域に対しても回路を形成することができるので、回路の被処理基板への高集積化が促進され、被処理基板をより効率的に利用することが可能となる。

本開示の他の観点に係る基板処理装置は、被処理基板の表面のうち周縁領域にエネルギー線を照射するように構成された照射部を更に備え、制御部は、第７の処理の後に照射部を制御して、被処理基板の表面のうち周縁領域に位置する塗布膜を被処理基板の周縁の全周にわたって所定の露光幅で露光する周縁露光処理を更に実行し、周縁露光処理において、露光幅を第５の処理で算出された反り量に基づいて決定してもよい。この場合、被処理基板の反りに応じて露光幅が適切に決定されるので、当該周縁部の露光幅をより均一にすることが可能となる。そのため、周縁露光処理の後に被処理基板を現像することにより、当該周縁部の除去幅をより均一にすることが可能となる。

本開示の他の観点に係る基板処理装置は、被処理基板に関する情報を記憶する記憶部を更に備え、制御部は、第７の処理の後に塗布膜を加熱する第８の処理と、第８の処理の後に、被処理基板の周縁全周にわたって被処理基板の端面をカメラによって撮像する第９の処理と、第９の処理で得られた撮像画像を画像処理して、被処理基板の端面の形状データを被処理基板の周縁全周にわたって取得する第１０の処理と、第２の処理で取得された形状データと第１０の処理で取得された形状データとに基づいて被処理基板の反り量を算出する第１１の処理と、第１１の処理で算出された反り量が所定の閾値よりも大きい場合、被処理基板を、露光処理を行わない被処理基板として記憶部に記憶させる記憶処理とを更に実行してもよい。この場合、露光機において露光処理が困難な被処理基板を予め判別し、当該被処理基板を露光処理から除外することができる。そのため、被処理基板の処理効率を高めることが可能となる。

本開示の他の観点に係る基板処理装置は、被処理基板の表面のうち周縁領域にエネルギー線を照射するように構成された照射部を更に備え、制御部は、第７の処理の後に塗布膜を加熱する第８の処理と、第８の処理の後に、被処理基板の周縁全周にわたって被処理基板の端面をカメラによって撮像する第９の処理と、第９の処理で得られた撮像画像を画像処理して、被処理基板の端面の形状データを被処理基板の周縁全周にわたって取得する第１０の処理と、第２の処理で取得された形状データと第１０の処理で取得された形状データとに基づいて被処理基板の反り量を算出する第１１の処理と、第９の処理の後に照射部を制御して、被処理基板の表面のうち周縁領域に位置する塗布膜を被処理基板の周縁の全周にわたって所定の露光幅で露光する周縁露光処理を更に実行し、周縁露光処理において、露光幅を第５の処理で算出された反り量に基づいて決定してもよい。この場合、第８の処理において加熱処理が行われた後の被処理基板の反りに応じて露光幅がより適切に決定されるので、当該周縁部の露光幅をいっそう均一にすることが可能となる。そのため、周縁露光処理の後に被処理基板を現像することにより、当該周縁部の除去幅をよりいっそう均一にすることが可能となる。

本開示の他の観点に係る基板処理装置は、被処理基板に関する情報を記憶する記憶部を更に備え、制御部は、第１１の処理で算出された反り量が所定の閾値よりも大きい場合、被処理基板に対して露光処理を行わない被処理基板として記憶部に記憶させる記憶処理を更に実行してもよい。この場合、露光機において露光処理が困難な被処理基板を予め判別し、当該被処理基板を露光処理から除外することができる。そのため、被処理基板の処理効率を高めることが可能となる。

本開示の他の観点に係る基板処理装置は、被処理基板の表面に塗布液を供給するように構成された塗布液供給部と、被処理基板の表面のうち周縁領域にエネルギー線を照射するように構成された照射部と、少なくとも一つのカメラと、制御部とを備え、制御部は、反り量が既知である基準基板の周縁全周にわたって基準基板の端面を少なくとも一つのカメラによって撮像する第１の処理と、第１の処理で得られた撮像画像を画像処理して、基準基板の端面の形状データを基準基板の周縁全周にわたって取得する第２の処理と、被処理基板の周縁全周にわたって被処理基板の端面を少なくとも一つのカメラによって撮像する第３の処理と、第３の処理で得られた撮像画像を画像処理して、被処理基板の端面の形状データを被処理基板の周縁全周にわたって取得する第４の処理と、第２の処理で取得された形状データと第４の処理で取得された形状データとに基づいて被処理基板の反り量を算出する第５の処理と、塗布液供給部を制御して、被処理基板の表面に塗布液を供給することにより塗布膜を形成する第６の処理と、第６の処理の後に照射部を制御して、被処理基板の表面のうち周縁領域に位置する塗布膜を被処理基板の周縁の全周にわたって所定の露光幅で露光する周縁露光処理とを実行し、周縁露光処理において、露光幅を第５の処理で算出された反り量に基づいて決定する。

本開示の他の観点に係る基板処理装置では、第５の処理において被処理基板の反り量を算出し、周縁露光処理において、露光幅を当該反り量に基づいて決定している。そのため、被処理基板の反りに応じて露光幅が適切に決定されるので、当該周縁部の露光幅をより均一にすることが可能となる。従って、周縁露光処理の後に被処理基板を現像することにより、当該周縁部の除去幅をより均一にすることが可能となる。その結果、被処理基板が反りを有する場合であっても当該被処理基板の周縁に対して適切な処理を行うことができる。また、被処理基板の表面のうちより周縁に近い領域に対しても回路を形成することができるので、回路の被処理基板への高集積化が促進され、被処理基板をより効率的に利用することが可能となる。

本開示の他の観点に係る基板処理装置は、被処理基板を加熱するように構成された加熱部を更に備え、制御部は、第６の処理の後に加熱部を制御して、塗布膜を加熱する第７の処理を更に実行し、第３〜第５の処理を第７の処理の後に実行してもよい。この場合、第７の処理において加熱処理が行われた後の被処理基板の反りに応じて露光幅がより適切に決定されるので、当該周縁部の露光幅をいっそう均一にすることが可能となる。そのため、周縁露光処理の後に被処理基板を現像することにより、当該周縁部の除去幅をよりいっそう均一にすることが可能となる。

本開示の他の観点に係る基板処理装置は、被処理基板に関する情報を記憶する記憶部を更に備え、制御部は、第５の処理で算出された反り量が所定の閾値よりも大きい場合、被処理基板に対して露光処理を行わない被処理基板として記憶部に記憶させる記憶処理を更に実行してもよい。この場合、露光機において露光処理が困難な被処理基板を予め判別し、当該被処理基板を露光処理から除外することができる。そのため、被処理基板の処理効率を高めることが可能となる。

本開示の他の観点に係る基板処理装置は、被処理基板を保持して回転させるように構成された第２の回転保持部を更に備え、制御部は、第３の処理において第２の回転保持部を制御して、被処理基板を回転させつつ被処理基板の周縁全周にわたって被処理基板の端面を少なくとも一つのカメラによって撮像し、第１の回転保持部のうち被処理基板を保持する部分のサイズは、第２の回転保持部のうち被処理基板を保持する部分のサイズと略同一であってもよい。ところで、回転保持部が被処理基板を保持すると、回転保持部と被処理基板との間に応力が生じて被処理基板の反り量が変化しうる。上記のように、第１の回転保持部のうち被処理基板を保持する部分のサイズが、第２の回転保持部のうち被処理基板を保持する部分のサイズと略同一であると、回転保持部と被処理基板との間に生ずる応力が同程度となる。そのため、第３〜第５の処理において被処理基板の反り量を算出するときと、第７の処理において塗布膜の周縁部に有機溶剤を供給するときとで、反り量の変化量が同程度となる。従って、第７の処理において、塗布膜の周縁部に対する有機溶剤の供給位置を決定しやすくなる。

本開示の他の観点に係る基板処理装置は、被処理基板を保持して回転させるように構成された第１及び第２の回転保持部を更に備え、制御部は、第３の処理において第１の回転保持部を制御して、被処理基板を回転させつつ被処理基板の周縁全周にわたって被処理基板の端面を少なくとも一つのカメラによって撮像し、周縁露光処理において第２の回転保持部を制御して、被処理基板を回転させつつ被処理基板の表面のうち周縁領域に位置する塗布膜を被処理基板の周縁の全周にわたって所定の露光幅で露光し、第１の回転保持部のうち被処理基板を保持する部分のサイズは、第２の回転保持部のうち被処理基板を保持する部分のサイズと略同一であってもよい。ところで、回転保持部が被処理基板を保持すると、回転保持部と被処理基板との間に応力が生じて被処理基板の反り量が変化しうる。上記のように、第１の回転保持部のうち被処理基板を保持する部分のサイズが、第２の回転保持部のうち被処理基板を保持する部分のサイズと略同一であると、回転保持部と被処理基板との間に生ずる応力が同程度となる。そのため、第３〜第５の処理において被処理基板の反り量を算出するときと、周縁露光処理において塗布膜の周縁部を露光するときとで、反り量の変化量が同程度となる。従って、周縁露光処理において、塗布膜の周縁部に対する露光幅を決定しやすくなる。

第３の処理において被処理基板の撮像が行われる処理室と、第１０の処理において被処理基板の撮像が行われる処理室とは異なっていてもよい。

本開示の他の観点に係る基板処理装置は、被処理基板を保持して回転させるように構成された第２の回転保持部と、第２の回転保持部の回転軸に対して傾斜すると共に、第２の回転保持部に保持された被処理基板の端面と裏面の周縁領域とに対向する反射面を有するミラー部材とを更に備え、少なくとも一つのカメラのうち一のカメラは、第２の回転保持部に保持された被処理基板の表面の周縁領域からの第１の光と、第２の回転保持部に保持された被処理基板の端面からの第２の光がミラー部材の反射面で反射された反射光とが共にレンズを介して入力される撮像素子を有してもよい。この場合、被処理基板の表面の周縁領域と基板の端面との双方が、１台のカメラで同時に撮像される。そのため、複数のカメラが不要となる結果、複数のカメラを設置するためのスペースも不要となる。また、カメラを移動させるための機構も不要であるので、当該機構を設置するためのスペースも不要となる。従って、基板撮像装置の小型化及び低コスト化を図ることが可能となる。

基準基板は平坦であり、制御部は、第２の処理において、基準基板の端面の中央を通る第１のプロファイル線のデータを基準基板の端面の形状データとして取得し、第４の処理において、被処理基板の端面の中央を通る第２のプロファイル線のデータを被処理基板の端面の形状データとして取得し、第５の処理において、第１のプロファイル線のデータと第２のプロファイル線のデータとに基づいて被処理基板の反り量を算出してもよい。この場合、第１及び第２のプロファイル線のデータから被処理基板の反り量をより簡単に算出することができる。

制御部は、被処理基板の表面のうち周縁領域を少なくとも一つのカメラによって撮像する周縁表面の撮像処理と、第４の処理で撮像された撮像画像を画像処理して被処理基板の表面のうち周縁領域端面の状態を検査すると共に、周縁表面の撮像処理で撮像された撮像画像を画像処理して被処理基板の表面のうち周縁領域の状態を検査する検査処理とを更に実行してもよい。この場合、被処理基板の周縁近傍における欠陥（例えば、割れ、欠け、傷など）を判別し、当該被処理基板を各種処理から除外することができる。そのため、被処理基板の処理効率を高めることが可能となる。

本開示の他の観点に係るコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、上記の基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録している。本開示の他の観点に係るコンピュータ読み取り可能な記録媒体では、上記の基板処理方法と同様に、塗布膜の周縁部の除去幅をより均一にすることが可能となる。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体には、一時的でない有形の媒体（non-transitory computer recording medium）（例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置）や、伝播信号（transitory computer recording medium）（例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号）が含まれる。

本開示に係る基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、基板が反りを有する場合であっても当該基板の周縁に対して適切な処理を行うことが可能となる。

図１は、基板処理システムを示す斜視図である。 図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。 図３は、単位処理ブロック（ＢＣＴブロック、ＨＭＣＴブロック及びＤＥＶブロック）を示す上面図である。 図４は、単位処理ブロック（ＣＯＴブロック）を示す上面図である。 図５は、液処理ユニットを示す模式図である。 図６は、検査ユニットを上方から見た断面図である。 図７は、検査ユニットを側方から見た断面図である。 図８は、検査ユニットを示す斜視図である。 図９は、周縁撮像サブユニットを前方から見た斜視図である。 図１０は、周縁撮像サブユニットを後方から見た斜視図である。 図１１は、周縁撮像サブユニットの上面図である。 図１２は、二面撮像モジュールの側面図である。 図１３は、ミラー部材を示す斜視図である。 図１４は、ミラー部材を示す側面図である。 図１５（ａ）は照明モジュールからの光がミラー部材において反射する様子を説明するための図であり、図１５（ｂ）はウエハからの光がミラー部材において反射する様子を説明するための図である。 図１６は、裏面撮像サブユニットの側面図である。 図１７は、周縁露光ユニットを側方から見た断面図である。 図１８は、周縁露光ユニットを示す斜視図である。 図１９は、基板処理システムの主要部を示すブロック図である。 図２０は、コントローラのハードウェア構成を示す概略図である。 図２１は、基準ウエハのプロファイル線を算出する手順を説明するためのフローチャートである。 図２２は、ウエハの処理手順の一例（第１の例）を説明するためのフローチャートである。 図２３は、ウエハ検査の処理手順を説明するためのフローチャートである。 図２４（ａ）はウエハの反り量とレジスト膜の周縁部の除去幅との関係を示すグラフであり、図２４（ｂ）はレジスト膜の周縁部の除去幅を説明するための図である。 図２５は、ウエハ及び基準ウエハのプロファイル線を示すグラフである。 図２６は、反り量を示すグラフである。 図２７（ａ）は双曲放物面形状を呈するウエハを示す斜視図であり、図２７（ｂ）は上に凸の回転放物面形状を呈するウエハを示す斜視図であり、図２７（ｃ）は下に凸の回転放物面形状を呈するウエハを示す斜視図である。 図２８は、ウエハの処理手順の他の例（第２の例）を説明するためのフローチャートである。 図２９は、ウエハの処理手順の他の例（第３の例）を説明するためのフローチャートである。

以下に説明される本開示に係る実施形態は本発明を説明するための例示であるので、本発明は以下の内容に限定されるべきではない。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

［基板処理システム］
図１に示されるように、基板処理システム１（基板処理装置）は、塗布現像装置２（基板処理装置）と、コントローラ１０（制御部）とを備える。基板処理システム１には、露光装置３が併設されている。露光装置３は、基板処理システム１のコントローラ１０と通信可能なコントローラ（図示せず）を備える。露光装置３は、塗布現像装置２との間でウエハＷ（基板）を授受して、ウエハＷの表面Ｗａ（図５等参照）に形成された感光性レジスト膜の露光処理（パターン露光）を行うように構成されている。具体的には、液浸露光等の方法により感光性レジスト膜（感光性被膜）の露光対象部分に選択的にエネルギー線を照射する。エネルギー線としては、例えばＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、ｇ線、ｉ線、又は極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet）が挙げられる。

塗布現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、感光性レジスト膜又は非感光性レジスト膜（以下、あわせて「レジスト膜Ｒ」（図５参照）という。）をウエハＷの表面Ｗａに形成する処理を行う。塗布現像装置２は、露光装置３による感光性レジスト膜の露光処理後に、当該感光性レジスト膜の現像処理を行う。

ウエハＷは、円板状を呈してもよいし、多角形など円形以外の板状を呈していてもよい。ウエハＷは、一部が切り欠かれた切り欠き部を有していてもよい。切り欠き部は、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよいし、直線状に延びる直線部（いわゆる、オリエンテーション・フラット）であってもよい。ウエハＷは、例えば、半導体基板、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。ウエハＷの直径は、例えば２００ｍｍ〜４５０ｍｍ程度であってもよい。なお、ウエハＷの縁にベベル（面取り）が存在する場合、本明細書における「表面」には、ウエハＷの表面Ｗａ側から見たときのベベル部分も含まれる。同様に、本明細書における「裏面」には、ウエハＷの裏面Ｗｂ（図５等参照）側から見たときのベベル部分も含まれる。本明細書における「端面」には、ウエハＷの端面Ｗｃ（図５等参照）側から見たときのベベル部分も含まれる。

図１〜図４に示されるように、塗布現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インターフェースブロック６とを備える。キャリアブロック４、処理ブロック５及びインターフェースブロック６は、水平方向に並んでいる。

キャリアブロック４は、図１、図３及び図４に示されるように、キャリアステーション１２と、搬入搬出部１３とを有する。キャリアステーション１２は複数のキャリア１１を支持する。キャリア１１は、少なくとも一つのウエハＷを密封状態で収容する。キャリア１１の側面１１ａには、ウエハＷを出し入れするための開閉扉（図示せず）が設けられている。キャリア１１は、側面１１ａが搬入搬出部１３側に面するように、キャリアステーション１２上に着脱自在に設置される。

キャリア１１内には、記録媒体１１ｂが設けられている（図１参照）。記録媒体１１ｂは、例えば不揮発性メモリであり、キャリア１１内のウエハＷと、当該ウエハＷに関する情報（詳しくは後述する。）とを対応づけて記憶している。キャリア１１がキャリアステーション１２上に装着されている状態において、記録媒体１１ｂにはコントローラ１０がアクセス可能であり、記録媒体１１ｂの情報の読み出しと、記録媒体１１ｂへの情報の書き出しが行える。

搬入搬出部１３は、キャリアステーション１２及び処理ブロック５の間に位置している。搬入搬出部１３は、複数の開閉扉１３ａを有する。キャリアステーション１２上にキャリア１１が載置される際には、キャリア１１の開閉扉が開閉扉１３ａに面した状態とされる。開閉扉１３ａ及び側面１１ａの開閉扉を同時に開放することで、キャリア１１内と搬入搬出部１３内とが連通する。搬入搬出部１３は、受け渡しアームＡ１を内蔵している。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウエハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウエハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。

処理ブロック５は、図１及び図２に示されるように、単位処理ブロック１４〜１７を有する。単位処理ブロック１４〜１７は、床面側から単位処理ブロック１７、単位処理ブロック１４、単位処理ブロック１５、単位処理ブロック１６の順に並んでいる。単位処理ブロック１４，１５，１７は、図３に示されるように、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２（加熱部）と、検査ユニットＵ３とを有する。単位処理ブロック１６は、図４に示されるように、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２（加熱部）と、検査ユニットＵ３と、周縁露光ユニットＵ４とを有する。

液処理ユニットＵ１は、各種の処理液をウエハＷの表面Ｗａに供給するように構成されている（詳しくは後述する。）。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板によりウエハＷを加熱し、加熱後のウエハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。検査ユニットＵ３は、ウエハＷの各面（表面Ｗａ、裏面Ｗｂ及び端面Ｗｃ（図５等参照））を検査するように構成されている（詳しくは後述する。）。周縁露光ユニットＵ４は、レジスト膜Ｒが形成されたウエハＷの周縁領域Ｗｄ（図５等参照）に紫外線を照射して、レジスト膜Ｒのうち周縁領域Ｗｄに位置する部分を露光処理を露光するように構成されている。

単位処理ブロック１４は、ウエハＷの表面Ｗａ上に下層膜を形成するように構成された下層膜形成ブロック（ＢＣＴブロック）である。単位処理ブロック１４は、各ユニットＵ１〜Ｕ３にウエハＷを搬送する搬送アームＡ２を内蔵している（図２及び図３参照）。単位処理ブロック１４の液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の塗布液をウエハＷの表面Ｗａに塗布して塗布膜を形成する。単位処理ブロック１４の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させて下層膜とするための加熱処理が挙げられる。下層膜としては、例えば、反射防止（ＳｉＡＲＣ）膜が挙げられる。

単位処理ブロック１５は、下層膜上に中間膜を形成するように構成された中間膜（ハードマスク）形成ブロック（ＨＭＣＴブロック）である。単位処理ブロック１５は、各ユニットＵ１〜Ｕ３にウエハＷを搬送する搬送アームＡ３を内蔵している（図２及び図３参照）。単位処理ブロック１５の液処理ユニットＵ１は、中間膜形成用の塗布液を下層膜上に塗布して塗布膜を形成する。単位処理ブロック１５の熱処理ユニットＵ２は、中間膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させて中間膜とするための加熱処理が挙げられる。中間膜としては、例えば、ＳＯＣ（Spin On Carbon）膜、アモルファスカーボン膜が挙げられる。

単位処理ブロック１６は、熱硬化性を有するレジスト膜Ｒを中間膜上に形成するように構成されたレジスト膜形成ブロック（ＣＯＴブロック）である。単位処理ブロック１６は、各ユニットＵ１〜Ｕ４にウエハＷを搬送する搬送アームＡ４を内蔵している（図２及び図４参照）。単位処理ブロック１６の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の塗布液（レジスト剤）を中間膜上に塗布して塗布膜を形成する。単位処理ブロック１６の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させてレジスト膜Ｒとするための加熱処理（ＰＡＢ：Pre Applied Bake）が挙げられる。

単位処理ブロック１７は、露光されたレジスト膜Ｒの現像処理を行うように構成された現像処理ブロック（ＤＥＶブロック）である。単位処理ブロック１７は、各ユニットＵ１〜Ｕ３にウエハＷを搬送する搬送アームＡ５と、これらのユニットを経ずにウエハＷを搬送する直接搬送アームＡ６とを内蔵している（図２及び図３参照）。単位処理ブロック１７の液処理ユニットＵ１は、露光後のレジスト膜Ｒに現像液を供給してレジスト膜Ｒを現像する。単位処理ブロック１７の液処理ユニットＵ１は、現像後のレジスト膜Ｒにリンス液を供給して、レジスト膜Ｒの溶解成分を現像液と共に洗い流す。これにより、レジスト膜Ｒが部分的に除去され、レジストパターンが形成される。単位処理ブロック１６の熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には、図２〜図４に示されるように、棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、床面から単位処理ブロック１５にわたって設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウエハＷを昇降させる。

処理ブロック５内におけるインターフェースブロック６側には、棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は床面から単位処理ブロック１７の上部にわたって設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インターフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１のウエハＷを取り出して露光装置３に渡し、露光装置３からウエハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻すように構成されている。

コントローラ１０は、基板処理システム１を部分的又は全体的に制御する。コントローラ１０の詳細については後述する。なお、コントローラ１０は露光装置３のコントローラとの間で信号の送受信が可能であり、各コントローラの連携により基板処理システム１及び露光装置３が制御される。

［液処理ユニットの構成］
続いて、図５を参照して、液処理ユニットＵ１についてさらに詳しく説明する。液処理ユニットＵ１は、図５に示されるように、回転保持部２０と、液供給部３０（塗布液供給部）と、液供給部４０（溶剤供給部）を備える。

回転保持部２０は、回転部２１と、保持部２２とを有する。回転部２１は、上方に突出したシャフト２３を有する。回転部２１は、例えば電動モータ等を動力源としてシャフト２３を回転させる。保持部２２は、シャフト２３の先端部に設けられている。保持部２２上にはウエハＷが配置される。保持部２２は、例えば、吸着等によりウエハＷを略水平に保持する吸着チャックである。保持部２２（吸着チャック）の形状は特に限定されないが、例えば円形であってもよい。保持部２２のサイズは、ウエハＷよりも小さくてもよい。保持部２２が円形の場合、保持部２２のサイズは、例えば直径が８０ｍｍ程度であってもよい。

回転保持部２０は、ウエハＷの姿勢が略水平の状態で、ウエハＷの表面Ｗａに対して垂直な軸（回転軸）周りでウエハＷを回転させる。本実施形態では、回転軸は、円形状を呈するウエハＷの中心を通っているので、中心軸でもある。本実施形態では、図５に示されるように、回転保持部２０は、上方から見て時計回りにウエハＷを回転させる。

液供給部３０は、ウエハＷの表面Ｗａに処理液Ｌ１を供給するように構成されている。単位処理ブロック１４〜１６において、処理液Ｌ１は、下層膜、中間膜又はレジスト膜を形成するための各種塗布液である。この場合、液供給部３０は、塗布液供給部として機能する。単位処理ブロック１７において、処理液Ｌ１は現像液である。この場合、液供給部３０は、現像液供給部として機能する。

液供給部３０は、液源３１と、ポンプ３２と、バルブ３３と、ノズル３４と、配管３５とを有する。液源３１は、処理液Ｌ１の供給源として機能する。ポンプ３２は、液源３１から処理液Ｌ１を吸引し、配管３５及びバルブ３３を介してノズル３４に送り出す。ノズル３４は、吐出口がウエハＷの表面Ｗａに向かうようにウエハＷの上方に配置されている。ノズル３４は、図示しない駆動部によって水平方向及び上下方向に移動可能に構成されている。ノズル３４は、ポンプ３２から送り出された処理液Ｌ１を、ウエハＷの表面Ｗａに吐出可能である。配管３５は、上流側から順に、液源３１、ポンプ３２、バルブ３３及びノズル３４を接続している。

液供給部４０は、ウエハＷの表面Ｗａに処理液Ｌ２を供給するように構成されている。単位処理ブロック１４〜１６において、処理液Ｌ２は、下層膜、中間膜又はレジスト膜をウエハＷから除去するための各種有機溶剤である。この場合、液供給部４０は、溶剤供給部として機能する。単位処理ブロック１７において、処理液Ｌ２はリンス液である。この場合、液供給部４０は、リンス液供給部として機能する。

液供給部４０は、液源４１と、ポンプ４２と、バルブ４３と、ノズル４４と、配管４５とを有する。液源４１は、処理液Ｌ２の供給源として機能する。ポンプ４２は、液源４１から処理液Ｌ２を吸引し、配管４５及びバルブ４３を介してノズル４４に送り出す。ノズル４４は、吐出口がウエハＷの表面Ｗａに向かうようにウエハＷの上方に配置されている。ノズル４４は、図示しない駆動部によって水平方向及び上下方向に移動可能に構成されている。ノズル４４は、ポンプ４２から送り出された処理液Ｌ２を、ウエハＷの表面Ｗａに吐出可能である。配管４５は、上流側から順に、液源４１、ポンプ４２、バルブ４３及びノズル４４を接続している。

［検査ユニットの構成］
続いて、図６〜図１６を参照して、検査ユニットＵ３についてさらに詳しく説明する。検査ユニットＵ３は、図６〜図８に示されるように、筐体１００と、回転保持サブユニット２００（回転保持部）と、表面撮像サブユニット３００と、周縁撮像サブユニット４００（基板撮像装置）と、裏面撮像サブユニット５００とを有する。各サブユニット２００〜５００は、筐体１００内に配置されている。筐体１００のうち一端壁には、ウエハＷを筐体１００の内部に搬入及び筐体１００の外部に搬出するための搬入出口１０１が形成されている。

回転保持サブユニット２００は、保持台２０１と、アクチュエータ２０２，２０３と、ガイドレール２０４とを含む。保持台２０１は、例えば、吸着等によりウエハＷを略水平に保持する吸着チャックである。保持台２０１（吸着チャック）の形状は特に限定されないが、例えば円形であってもよい。保持台２０１のサイズは、ウエハＷよりも小さくてもよく、保持部２２（吸着チャック）のサイズと同程度であってもよい。保持台２０１が円形の場合、保持台２０１（吸着チャック）のサイズは、例えば直径が８０ｍｍ程度であってもよい。

アクチュエータ２０２は、例えば電動モータであり、保持台２０１を回転駆動する。すなわち、アクチュエータ２０２は、保持台２０１に保持されているウエハＷを回転させる。アクチュエータ２０２は、保持台２０１の回転位置を検出するためのエンコーダを含んでいてもよい。この場合、各撮像サブユニット３００，４００，５００によるウエハＷの各面の撮像位置と、回転位置との対応付けを行うことができる。ウエハＷが切り欠き部を有する場合には、各撮像サブユニット３００，４００，５００によって判別された当該切り欠き部とエンコーダによって検出された回転位置とに基づいて、ウエハＷの姿勢を特定することができる。

アクチュエータ２０３は、例えばリニアアクチュエータであり、保持台２０１をガイドレール２０４に沿って移動させる。すなわち、アクチュエータ２０３は、保持台２０１に保持されているウエハＷをガイドレール２０４の一端側と他端側との間で搬送する。従って、保持台２０１に保持されているウエハＷは、搬入出口１０１寄りの第１の位置と、周縁撮像サブユニット４００及び裏面撮像サブユニット５００寄りの第２の位置との間で移動可能である。ガイドレール２０４は、筐体１００内において線状（例えば直線状）に延びている。

表面撮像サブユニット３００は、カメラ３１０（撮像手段）と、照明モジュール３２０とを含む。カメラ３１０及び照明モジュール３２０は、一組の撮像モジュールを構成している。カメラ３１０は、レンズと、一つの撮像素子（例えば、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等）とを含む。カメラ３１０は、照明モジュール３２０（照明部）に対向している。

照明モジュール３２０は、ハーフミラー３２１と、光源３２２とを含む。ハーフミラー３２１は、水平方向に対して略４５°傾いた状態で、筐体１００内に配置されている。ハーフミラー３２１は、上方から見てガイドレール２０４の延在方向に交差するように、ガイドレール２０４の中間部分の上方に位置している。ハーフミラー３２１は、矩形状を呈している。ハーフミラー３２１の長さは、ウエハＷの直径よりも大きい。

光源３２２は、ハーフミラー３２１の上方に位置している。光源３２２は、ハーフミラー３２１よりも長い。光源３２２から出射された光は、ハーフミラー３２１を全体的に通過して下方（ガイドレール２０４側）に向けて照射される。ハーフミラー３２１を通過した光は、ハーフミラー３２１の下方に位置する物体で反射した後、ハーフミラー３２１で再び反射して、カメラ３１０のレンズを通過し、カメラ３１０の撮像素子に入射する。すなわち、カメラ３１０は、ハーフミラー３２１を介して、光源３２２の照射領域に存在する物体を撮像できる。例えば、ウエハＷを保持する保持台２０１がアクチュエータ２０３によってガイドレール２０４に沿って移動する際に、カメラ３１０は、光源３２２の照射領域を通過するウエハＷの表面Ｗａを撮像できる。カメラ３１０によって撮像された撮像画像のデータは、コントローラ１０に送信される。

周縁撮像サブユニット４００は、図６〜図１２に示されるように、カメラ４１０（撮像手段）と、照明モジュール４２０と、ミラー部材４３０とを含む。カメラ４１０、照明モジュール４２０（照明部）及びミラー部材４３０は、一組の撮像モジュールを構成している。カメラ４１０は、レンズ４１１と、一つの撮像素子４１２（例えば、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等）とを含む。カメラ４１０は、照明モジュール４２０に対向している。

照明モジュール４２０は、図９〜図１２に示されるように、保持台２０１に保持されたウエハＷの上方に配置されている。照明モジュール４２０は、光源４２１と、光散乱部材４２２と、保持部材４２３とを含む。光源４２１は、例えば、複数のＬＥＤ点光源４２１ｂ（図１２参照）で構成されていてもよい。

保持部材４２３は、図９〜図１２に示されるように、ハーフミラー４２４と、円柱レンズ４２５と、光拡散部材４２６と、焦点調節レンズ４２７とを内部に保持している。ハーフミラー４２４は、図１２及び図１４に示されるように、水平方向に対して略４５°傾いた状態で、貫通孔４２３ａ及び交差孔４２３ｂの交差部分に配置されている。ハーフミラー４２４は、矩形状を呈している。

焦点調節レンズ４２７は、図９及び図１０に示されるように、交差孔４２３ｂ内に配置されている。焦点調節レンズ４２７は、レンズ４１１との合成焦点距離を変化させる機能を有するレンズであれば特に限定されない。焦点調節レンズ４２７は、例えば、直方体形状を呈するレンズである。

ミラー部材４３０は、図９及び図１２に示されるように、照明モジュール４２０の下方に配置されている。ミラー部材４３０は、図９及び図１２〜図１４に示されるように、本体４３１と、反射面４３２とを含む。本体４３１は、アルミブロックによって構成されている。

反射面４３２は、図９及び図１４に示されるように、保持台２０１に保持されたウエハＷが第２の位置にある場合、保持台２０１に保持されたウエハＷの端面Ｗｃと裏面Ｗｂの周縁領域Ｗｄとに対向する。反射面４３２は、保持台２０１の回転軸に対して傾斜している。反射面４３２には、鏡面加工が施されている。例えば、反射面４３２には、ミラーシートが貼り付けられていてもよいし、アルミめっきが施されていてもよいし、アルミ材料が蒸着されていてもよい。

反射面４３２は、保持台２０１に保持されたウエハＷの端面Ｗｃから離れる側に向けて窪んだ湾曲面である。すなわち、ミラー部材４３０は、凹面鏡である。そのため、ウエハＷの端面Ｗｃが反射面４３２に写ると、その鏡像が実像よりも拡大する。反射面４３２の曲率半径は、例えば、１０ｍｍ〜３０ｍｍ程度であってもよい。反射面４３２の開き角θ（図１４参照）は、１００°〜１５０°程度であってもよい。なお、反射面４３２の開き角θとは、反射面４３２に外接する２つの平面がなす角をいう。

照明モジュール４２０においては、光源４２１から出射された光は、光散乱部材４２２で散乱され、円柱レンズ４２５で拡大され、さらに光拡散部材４２６で拡散された後、ハーフミラー４２４を全体的に通過して下方に向けて照射される。ハーフミラー４２４を通過した拡散光は、ハーフミラー４２４の下方に位置するミラー部材４３０の反射面４３２で反射する。保持台２０１に保持されたウエハＷが第２の位置にある場合、拡散光が反射面４３２で反射した反射光は、図１５（ａ）に示されるように、主としてウエハＷの端面Ｗｃ（ウエハＷの縁にベベルが存在する場合には、特にベベル部分の上端側）と表面Ｗａの周縁領域Ｗｄとに照射される。

ウエハＷの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄから反射した反射光は、ミラー部材４３０の反射面４３２には向かわずにハーフミラー４２４で再び反射して（図１５（ｂ）参照）、焦点調節レンズ４２７は通過せずにカメラ４１０のレンズ４１１を通過し、カメラ４１０の撮像素子４１２に入射する。一方、ウエハＷの端面Ｗｃから反射した反射光は、ミラー部材４３０の反射面４３２とハーフミラー４２４とで順次反射して、焦点調節レンズ４２７とカメラ４１０のレンズ４１１とを順次通過し、カメラ４１０の撮像素子４１２に入射する。従って、ウエハＷの端面Ｗｃからカメラ４１０の撮像素子４１２に到達する光の光路長は、ウエハＷの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄからカメラ４１０の撮像素子４１２に到達する光の光路長よりも長い。これらの光路の光路差は、例えば１ｍｍ〜１０ｍｍ程度であってもよい。このように、カメラ４１０の撮像素子４１２には、ウエハＷの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄからの光と、ウエハＷの端面Ｗｃからの光との双方が入力される。すなわち、保持台２０１に保持されたウエハＷが第２の位置にある場合、カメラ４１０は、ウエハＷの表面Ｗａの周縁領域ＷｄとウエハＷの端面Ｗｃとの双方を撮像できる。カメラ４１０によって撮像された撮像画像のデータは、コントローラ１０に送信される。

なお、焦点調節レンズ４２７が存在せずにウエハＷの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄに合焦した場合、当該光路差の存在により、カメラ４１０によって撮像された撮像画像において、ウエハＷの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄは鮮明に写るがウエハＷの端面Ｗｃはぼけて写る傾向にある。一方、焦点調節レンズ４２７が存在せずにウエハＷの端面Ｗｃに合焦した場合、当該光路差の存在により、カメラ４１０によって撮像された撮像画像において、ウエハＷの端面Ｗｃは鮮明に写るがウエハＷの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄはぼけて写る傾向にある。しかしながら、ミラー部材４３０の反射面４３２で反射された反射光がレンズ４１１に至るまでの間に焦点調節レンズ４２７が存在しているので、当該光路差が存在しても、ウエハＷの端面Ｗｃの結像位置が撮像素子４１２に合う。従って、カメラ４１０によって撮像された撮像画像において、ウエハＷの表面Ｗａの周縁領域ＷｄとウエハＷの端面Ｗｃとが共に鮮明に写る。

裏面撮像サブユニット５００は、図６〜図１１及び図１６に示されるように、カメラ５１０（撮像手段）と、照明モジュール５２０（照明部）とを含む。カメラ５１０及び照明モジュール５２０は、一組の撮像モジュールを構成している。カメラ５１０は、レンズ５１１と、一つの撮像素子５１２（例えば、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等）とを含む。カメラ５１０は、照明モジュール５２０（照明部）に対向している。

照明モジュール５２０は、照明モジュール４２０の下方であって、保持台２０１に保持されたウエハＷの下方に配置されている。照明モジュール５２０は、図１６に示されるように、ハーフミラー５２１と、光源５２２とを含む。ハーフミラー５２１は、水平方向に対して略４５°傾いた状態で配置されている。ハーフミラー５２１は、矩形状を呈している。

光源５２２は、ハーフミラー５２１の下方に位置している。光源５２２は、ハーフミラー５２１よりも長い。光源５２２から出射された光は、ハーフミラー５２１を全体的に通過して上方に向けて照射される。ハーフミラー５２１を通過した光は、ハーフミラー５２１の上方に位置する物体で反射した後、ハーフミラー５２１で再び反射して、カメラ５１０のレンズ５１１を通過し、カメラ５１０の撮像素子５１２に入射する。すなわち、カメラ５１０は、ハーフミラー５２１を介して、光源５２２の照射領域に存在する物体を撮像できる。例えば、保持台２０１に保持されたウエハＷが第２の位置にある場合、カメラ５１０は、ウエハＷの裏面Ｗｂを撮像できる。カメラ５１０によって撮像された撮像画像のデータは、コントローラ１０に送信される。

［周縁露光ユニットの構成］
続いて、図１７及び図１８を参照して、周縁露光ユニットＵ４についてさらに詳しく説明する。周縁露光ユニットＵ４は、図１７に示されるように、筐体６００と、回転保持サブユニット７００（回転保持部）と、露光サブユニット８００（照射部）とを有する。各サブユニット７００，８００は、筐体６００内に配置されている。筐体６００のうち一端壁には、ウエハＷを筐体６００の内部に搬入及び筐体６００の外部に搬出するための搬入出口６０１が形成されている。

回転保持サブユニット７００は、図１７及び図１８に示されるように、保持台７０１と、アクチュエータ７０２，７０３と、ガイドレール７０４とを含む。保持台７０１は、例えば、吸着等によりウエハＷを略水平に保持する吸着チャックである。保持台７０１（吸着チャック）の形状は特に限定されないが、例えば円形であってもよい。保持台７０１のサイズは、ウエハＷよりも小さくてもよく、保持部２２（吸着チャック）及び保持台２０１（吸着チャック）のサイズと同程度であってもよい。保持台７０１が円形の場合、保持台７０１（吸着チャック）のサイズは、例えば直径が８０ｍｍ程度であってもよい。

アクチュエータ７０２は、例えば電動モータであり、保持台７０１を回転駆動する。すなわち、アクチュエータ７０２は、保持台２０１に保持されているウエハＷを回転させる。アクチュエータ７０２は、保持台７０１の回転位置を検出するためのエンコーダを含んでいてもよい。この場合、露光サブユニット８００によるウエハＷの周縁領域Ｗｄに対する露光位置と、回転位置との対応付けを行うことができる。

アクチュエータ７０３は、例えばリニアアクチュエータであり、保持台７０１をガイドレール７０４に沿って移動させる。すなわち、アクチュエータ７０３は、保持台７０１に保持されているウエハＷをガイドレール７０４の一端側と他端側との間で搬送する。従って、保持台７０１に保持されているウエハＷは、搬入出口６０１寄りの第１の位置と、露光サブユニット８００寄りの第２の位置との間で移動可能である。ガイドレール７０４は、筐体６００内において線状（例えば直線状）に延びている。

露光サブユニット８００は、回転保持サブユニット７００の上方に位置している。露光サブユニット８００は、図１８に示されるように、光源８０１と、光学系８０２と、マスク８０３と、アクチュエータ８０４とを有する。光源８０１は、レジスト膜Ｒを露光可能な波長成分を含むエネルギー線（例えば紫外線）を下方（保持台７０１側）に向けて照射する。光源８０１としては、例えば、超高圧ＵＶランプ、高圧ＵＶランプ、低圧ＵＶランプ、エキシマランプなどを使用してもよい。

光学系８０２は、光源８０１の下方に位置している。光学系８０２は、少なくとも一つのレンズによって構成されている。光学系８０２は、光源８０１からの光を略平行光に変換して、マスク８０３に照射する。マスク８０３は、光学系８０２の下方に位置している。マスク８０３には、露光面積を調節するための開口８０３ａが形成されている。光学系８０２からの平行光は、開口８０３ａを通過し、保持台７０１に保持されているウエハＷの表面Ｗａのうち周縁領域Ｗｄに照射される。

アクチュエータ８０４は、光源８０１に接続されている。アクチュエータ８０４は、例えば昇降シリンダであり、光源８０１を上下方向に昇降させる。すなわち、光源８０１は、アクチュエータ８０４によって、保持台７０１に保持されているウエハＷに近づく第１の高さ位置（下降位置）と、保持台７０１に保持されているウエハＷから遠ざかる第２の高さ位置（上昇位置）との間で移動可能である。

［コントローラの構成］
コントローラ１０は、図１９に示されるように、機能モジュールとして、読取部Ｍ１と、記憶部Ｍ２と、処理部Ｍ３と、指示部Ｍ４とを有する。これらの機能モジュールは、コントローラ１０の機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラ１０を構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）により実現されるものであってもよい。

読取部Ｍ１は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体ＲＭからプログラムを読み取る。記録媒体ＲＭは、基板処理システム１の各部を動作させるためのプログラムを記録している。記録媒体ＲＭとしては、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。

記憶部Ｍ２は、種々のデータを記憶する。記憶部Ｍ２は、例えば、読取部Ｍ１において記録媒体ＲＭから読み出したプログラム、記録媒体１１ｂから読み出したウエハＷに関する情報、カメラ３１０，４１０，５１０において撮像された撮像画像のデータの他、ウエハＷに処理液Ｌ１，Ｌ２を供給する際の各種データ（いわゆる処理レシピ）、外部入力装置（図示せず）を介してオペレータから入力された設定データ等を記憶する。

処理部Ｍ３は、各種データを処理する。処理部Ｍ３は、例えば、記憶部Ｍ２に記憶されている各種データに基づいて、液処理ユニットＵ１（例えば、回転保持部２０、液供給部３０，４０等）、熱処理ユニットＵ２、検査ユニットＵ３（例えば、回転保持サブユニット２００、カメラ３１０，４１０，５１０、照明モジュール３２０，４２０，５２０）及び周縁露光ユニットＵ４（例えば、回転保持サブユニット７００、露光サブユニット８００）を動作させるための動作信号を生成する。また、処理部Ｍ３は、カメラ３１０，４１０，５１０において撮像された撮像画像のデータに基づいてウエハＷに関する情報を生成する。

指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３において生成された動作信号を各種装置に送信する。指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３において生成されたウエハＷに関する情報を記録媒体１１ｂに記憶させる。指示部Ｍ４は、記録媒体１１ｂに記憶されているウエハＷに関する情報を読み出す指示信号を記録媒体１１ｂに送信する。

コントローラ１０のハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成される。コントローラ１０は、ハードウェア上の構成として、例えば図２０に示される回路１０Ａを有する。回路１０Ａは、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路１０Ａは、具体的には、プロセッサ１０Ｂと、メモリ１０Ｃ（記憶部）と、ストレージ１０Ｄ（記憶部）と、ドライバ１０Ｅと、入出力ポート１０Ｆとを有する。プロセッサ１０Ｂは、メモリ１０Ｃ及びストレージ１０Ｄの少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポート１０Ｆを介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。メモリ１０Ｃ及びストレージ１０Ｄは、記憶部Ｍ２として機能する。ドライバ１０Ｅは、基板処理システム１の各種装置をそれぞれ駆動する回路である。入出力ポート１０Ｆは、ドライバ１０Ｅと基板処理システム１の各種装置（例えば、記録媒体１１ｂ、回転部２１、保持部２２、ポンプ３２，４２、バルブ３３，４３、熱処理ユニットＵ２、保持台２０１，７０１、アクチュエータ２０２，２０３，７０２，７０３，８０４、カメラ３１０，４１０，５１０、光源３２２，４２１，５２２，８０１等）との間で、信号の入出力を行う。

本実施形態では、基板処理システム１は、一つのコントローラ１０を備えているが、複数のコントローラ１０で構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理システム１がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコントローラ１０によって実現されていてもよいし、２個以上のコントローラ１０の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラ１０が複数のコンピュータ（回路１０Ａ）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路１０Ａ）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路１０Ａ）の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラ１０は、複数のプロセッサ１０Ｂを有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのプロセッサ１０Ｂによって実現されていてもよいし、２つ以上のプロセッサ１０Ｂの組み合わせによって実現されていてもよい。

［基準ウエハのプロファイル線の算出方法］
続いて、図２１を参照して、検査ユニットＵ３を用いて基準ウエハのプロファイル線を算出する方法について説明する。ここで、基準ウエハとは、反り量（特に周縁の反り量）が既知であるウエハをいう。基準ウエハは、平坦なウエハであってもよい。ウエハＷの平坦度の評価指標としては、例えば、ＳＥＭＩ（Semiconductor equipment and materialsinternational）規格で定義されるＧＢＩＲ（GlobalBackside Ideal focal plane Range）、ＳＦＱＲ（Site Frontsideleast sQuares focal plane Range）、ＳＢＩＲ（SiteBackside least sQuares focal plane Range）、ＲＯＡ（Roll OffAmount）、ＥＳＦＱＲ（Edge Site Frontsideleast sQuares focal plane Range）、ＺＤＤ（Z-heightDoubleDifferentiation）などが挙げられる。基準ウエハは、例えば、ＳＦＱＲの最大値が１００ｎｍ程度の平坦度を有していてもよいし、ＳＦＱＲの最大値が４２ｎｍ程度の平坦度を有していてもよいし、ＳＦＱＲの最大値が３２ｎｍ程度の平坦度を有していてもよいし、ＳＦＱＲの最大値が１６ｎｍ程度の平坦度を有していてもよい。

保持台２０１の回転軸自体の軸振れ、回転保持サブユニット２００における機械的な組み付け公差による振れ、保持台２０１の吸着面における公差による振れなどの存在によって、保持台２０１によって回転されるウエハＷは偏心回転し、ウエハＷの周縁は上下に振れうる。基準ウエハを用いる目的は、回転保持サブユニット２００におけるウエハＷの上下方向での振れの基準値を得ることにある。基板処理システム１によるウエハＷの処理開始前に基準ウエハを用いて基準値のデータを取得してもよいし、基板処理システム１のメンテナンス（調整、清掃等）の後に基準ウエハを用いて基準値のデータを取得してもよいし、定期的に基準ウエハを用いて基準値のデータを取得してもよい。基準値のデータと、実際に処理されるウエハＷ（処理ウエハ）を検査ユニットＵ３において検査して得られたデータとを比較することにより、処理ウエハの正確な反り量が把握できる。

まず、コントローラ１０が基板処理システム１の各部を制御して、基準ウエハを検査ユニットＵ３に搬送させる（ステップＳ１１）。次に、コントローラ１０が回転保持サブユニット２００を制御して、保持台２０１に基準ウエハを保持させる。次に、コントローラ１０が回転保持サブユニット２００を制御して、第１の位置から第２の位置へと保持台２０１をガイドレール２０４に沿ってアクチュエータ２０３によって移動させる。これにより、基準ウエハの周縁部が、照明モジュール４２０とミラー部材４３０との間に位置する。

次に、コントローラ１０が回転保持サブユニット２００を制御して、保持台２０１をアクチュエータ２０２によって回転させる。これにより、基準ウエハが回転する。この状態で、コントローラ１０が周縁撮像サブユニット４００を制御して、光源４２１をＯＮにさせつつ、カメラ４１０による撮像を行う（ステップＳ１２）。こうして、基準ウエハの周縁全周にわたって基準ウエハの端面が撮像される。

次に、ステップＳ１２で得られた基準ウエハの端面の撮像画像に基づいて、基準ウエハのプロファイル線を処理部Ｍ３において算出する（ステップＳ１３）。具体的には、コントローラ１０は、撮像画像から基準ウエハの端面の上縁及び下縁を、例えばコントラスト差に基づいて処理部Ｍ３において判別する。そして、コントローラ１０は、当該上縁と下縁との中間位置を通る線をプロファイル線として、処理部Ｍ３において算出する。こうして、基準ウエハの端面の形状が取得される。なお、一例として、基準ウエハのプロファイル線Ｐ０を図２５に示す。

［ウエハ処理方法］
続いて、図２２を参照して、ウエハＷの処理方法について説明する。まず、コントローラ１０が基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷをキャリア１１から検査ユニットＵ３に搬送させ、ウエハＷの検査処理を行う（ステップＳ２１）。ウエハＷの検査処理の詳細については後述するが、ウエハＷの検査処理においてウエハＷの反り量が算出される。算出された当該反り量は、当該ウエハＷと対応づけて記憶部Ｍ２に記憶される。

次に、コントローラ１０は、基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷを液処理ユニットＵ１に搬送し、ウエハＷの表面Ｗａにレジスト膜Ｒを形成する（ステップＳ２２）。具体的には、コントローラ１０は、回転保持部２０を制御して、ウエハＷを保持部２２に保持させると共に、所定の回転数でウエハＷを回転させる。この状態で、コントローラ１０は、ポンプ３２、バルブ３３及びノズル３４（より詳しくはノズル３４を駆動する駆動部）を制御して、ウエハＷの表面Ｗａに対して処理液Ｌ１（レジスト液）をノズル３４から吐出し、固化していない状態の塗布膜（未固化膜）をウエハＷの表面Ｗａ全体に形成する。

次に、コントローラ１０は、基板処理システム１の各部を制御して、未固化膜のうちウエハＷの周縁領域Ｗｄに位置する部分（未固化膜の周縁部）を除去する（いわゆる、エッジリンス処理をする）（ステップＳ２３）。具体的には、コントローラ１０は、回転保持部２０を制御して、ウエハＷを保持部２２に保持させると共に、所定の回転数（例えば１５００ｒｐｍ程度）でウエハＷを回転させる。この状態で、コントローラ１０は、ポンプ４２、バルブ４３及びノズル４４（より詳しくはノズル４４を駆動する駆動部）を制御して、ウエハＷの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄに対して処理液Ｌ２（有機溶剤であるシンナー）をノズル４４から吐出させ、未固化膜の周縁部を溶かす。

次に、コントローラ１０は、基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷを液処理ユニットＵ１から熱処理ユニットＵ２に搬送する。次に、コントローラ１０は、熱処理ユニットＵ２を制御して、ウエハＷと共に未固化膜を加熱し（いわゆるＰＡＢ）、未固化膜が固化した固化膜（レジスト膜Ｒ）を形成する（ステップＳ２４）。

ところで、ウエハＷの周縁に反りが存在すると、ウエハＷの回転に際してウエハＷの周縁の高さ位置が変動し得る。ここで、ノズル４４の高さ位置を変えずに、周縁が反っているウエハＷに対してエッジリンス処理を行う試験をしたところ、図２４（ａ）に示されるように、ウエハＷの周縁の反り量とレジスト膜Ｒの周縁部の除去幅ＲＷ（図２４（ｂ）参照）との間に比例関係があることが確認された。そのため、このようなウエハＷに対してエッジリンス処理を行うと、除去幅ＲＷがウエハＷの周縁に沿って不均一となり得る。なお、除去幅ＲＷは、ウエハＷの表面Ｗａ側から見て、ウエハＷの径方向におけるウエハＷの周縁とレジスト膜Ｒの周縁との直線距離である。

そこで、ステップＳ２３においては、コントローラ１０は、ステップＳ２１で算出されたウエハＷの周縁の反り量を記憶部Ｍ２から読み出し、当該反り量に基づいて、レジスト膜Ｒの周縁部に対するノズル４４による処理液Ｌ２の供給位置等を決定する。液処理ユニットＵ１の処理レシピにおいては、反りを有しないウエハＷを想定して除去幅の設定値が予め設定されているので、コントローラ１０は、未固化膜の周縁部の実際の除去幅が所望の大きさとなるように、反り量に基づいて当該設定値を補正する。具体的には、コントローラ１０は、未固化膜の周縁部の除去幅が所望の大きさとなるように、ノズル４４を制御してノズル４４の吐出口の位置を調節したり、ノズル４４を制御してノズル４４のウエハＷに対する移動速度を調節したり、バルブ４３を制御してノズル４４からの処理液Ｌ２の吐出流量を調節したりする。

これにより、異なるウエハＷごとにノズル４４による処理液Ｌ２の供給位置等を変えつつ、ウエハＷの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄに対して処理液Ｌ２（有機溶剤）をノズル４４から吐出させる。なお、一のウエハＷに対してエッジリンス処理を行う際、エッジリンス処理におけるウエハＷの回転数は比較的高いので（例えば１５００ｒｐｍ程度）、当該ウエハＷの周縁の反り量の平均値に基づいて当該供給位置を決定してもよい。なお、除去幅は、例えば１ｍｍ程度であってもよい。

次に、コントローラ１０が基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷを液処理ユニットＵ１から周縁露光ユニットＵ４に搬送させ、ウエハＷの周縁露光処理を行う（ステップＳ２５）。具体的には、コントローラ１０は、回転保持サブユニット７００を制御して、ウエハＷを保持台７０１に保持させると共に、所定の回転数（例えば３０ｒｐｍ程度）でウエハＷを回転させる。この状態で、コントローラ１０は、露光サブユニット８００を制御して、ウエハＷの表面Ｗａのうち周縁領域Ｗｄに位置するレジスト膜Ｒに対して所定のエネルギー線（紫外線）を光源８０１から照射させる。なお、保持台７０１の中心軸とウエハＷの中心軸とが一致していない場合には、ウエハＷは保持台７０１において偏心回転するので、コントローラ１０は、アクチュエータ７０３を制御して、ウエハＷの偏心量に応じて保持台７０１をガイドレール７０４に沿って移動させてもよい。

ところで、ウエハＷの周縁に反りが存在すると、ウエハＷの回転に際してウエハＷの周縁の高さ位置が変動し得る。この場合に、ウエハＷの表面Ｗａのうち周縁領域Ｗｄにエネルギー線を照射させると、当該周縁領域Ｗｄにおいてエネルギー線が収束する箇所と収束しない箇所が生じうる。そのため、当該周縁領域Ｗｄに対する露光量が不十分となり得る。

そこで、ステップＳ２５においては、コントローラ１０は、ステップＳ２１で算出されたウエハＷの周縁の反り量を記憶部Ｍ２から読み出し、当該反り量に基づいて、当該周縁領域Ｗｄに対する露光サブユニット８００の位置を決定する。周縁露光ユニットＵ４の処理レシピにおいては、反りを有しないウエハＷを想定して露光幅の設定値が予め設定されているので、コントローラ１０は、レジスト膜Ｒの周縁部の実際の露光幅が所望の大きさとなるように、反り量に基づいて当該設定値を補正する。具体的には、コントローラ１０は、レジスト膜Ｒの周縁部の露光幅が所望の大きさとなるように、アクチュエータ７０３を制御してウエハＷの露光サブユニット８００に対する水平位置を調節したり、アクチュエータ８０４を制御してウエハＷの露光サブユニット８００に対する離間距離（光路長）を調節したりする。例えば、ウエハＷの周縁が露光サブユニット８００に近づく側に反っている場合（上向きに反っている場合）には、露光サブユニット８００がウエハＷの中心寄りに位置するようにウエハＷの露光サブユニット８００に対する水平位置が調節されたり、露光サブユニット８００が上方に向けて移動する。一方、ウエハＷの周縁が露光サブユニット８００から離れる側に反っている場合（下向きに反っている場合）には、露光サブユニット８００がウエハＷの周縁寄りに位置するようにウエハＷの露光サブユニット８００に対する水平位置が調節されたり、露光サブユニット８００が下方に向けて移動する。なお、ウエハＷの周縁が例えば２００μｍ程度反っている場合には、ウエハＷの露光サブユニット８００に対する水平位置が例えば０．１ｍｍ程度調節されるか、又は露光サブユニット８００のウエハＷに対する高さ位置が例えば０．２ｍｍ程度調節される。

これにより、異なるウエハＷごとに、ウエハＷに対する露光サブユニット８００の位置を変えつつ、ウエハＷの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄに対してエネルギー線が照射される。なお、一のウエハＷに対して周縁露光処理を行う際、ウエハＷの回転数は比較的低いので（例えば３０ｒｐｍ程度）、ウエハＷの周縁の座標に対する反り量に基づいてウエハＷに対する露光サブユニット８００の位置を決定してもよい。なお、露光幅は、エッジリンス処理における除去幅よりも大きく、例えば１．５ｍｍ程度であってもよい。

次に、コントローラ１０が基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷを周縁露光ユニットＵ４から検査ユニットＵ３に搬送させ、ウエハＷの検査処理を行う（ステップＳ２６）。ここでのウエハＷの検査処理は、ステップＳ２１と同様であり、詳細については後述する。

次に、コントローラ１０が基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷを検査ユニットＵ３から露光装置３に搬送させ、ウエハＷの露光処理を行う（ステップＳ２７）。具体的には、露光装置３において、ウエハＷの表面Ｗａに形成されているレジスト膜Ｒに対して所定パターンで所定のエネルギー線が照射される。その後、単位処理ブロック１７における現像処理等を経て、ウエハＷの表面Ｗａにレジストパターンが形成される。

［ウエハ検査方法］
続いて、図２３を参照して、ウエハＷ（被処理基板）の検査方法について詳しく説明する。まず、コントローラ１０が基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷを検査ユニットＵ３に搬送させる（ステップＳ３１）。次に、コントローラ１０が回転保持サブユニット２００を制御して、保持台２０１にウエハＷを保持させる。次に、コントローラ１０が回転保持サブユニット２００を制御して、第１の位置から第２の位置へと保持台２０１をガイドレール２０４に沿ってアクチュエータ２０３によって移動させる。このとき、コントローラ１０が表面撮像サブユニット３００を制御して、光源３２２をＯＮにさせつつ、カメラ３１０による撮像を行う（ステップＳ３２；ウエハＷの表面Ｗａの撮像工程）。こうして、ウエハＷの表面Ｗａ全面が撮像される。ウエハＷが第２の位置に到達し、カメラ３１０による撮像が完了すると、カメラ３１０による撮像画像のデータが記憶部Ｍ２に送信される。カメラ３１０による撮像完了時において、ウエハＷの周縁部は、照明モジュール４２０とミラー部材４３０との間に位置する。

次に、コントローラ１０が回転保持サブユニット２００を制御して、保持台２０１をアクチュエータ２０２によって回転させる。これにより、ウエハＷが回転する。この状態で、コントローラ１０が周縁撮像サブユニット４００を制御して、光源４２１をＯＮにさせつつ、カメラ４１０による撮像を行う（ステップＳ３２；ウエハＷの端面Ｗｃの撮像工程及びウエハＷの表面Ｗａのうち周縁領域Ｗｄの撮像工程）。こうして、ウエハＷの周縁全周にわたって、ウエハＷの端面Ｗｃと、ウエハＷの表面Ｗａのうち周縁領域Ｗｄとが撮像される。同時に、コントローラ１０が裏面撮像サブユニット５００を制御して、光源５２２をＯＮにさせつつ、カメラ５１０による撮像を行う（ステップＳ３２；ウエハＷの裏面Ｗｂの撮像工程）。こうして、ウエハＷの裏面Ｗｂが撮像される。ウエハＷが１回転してカメラ４１０，５１０カメラ３１０による撮像が完了すると、カメラ４１０，５１０による撮像画像のデータが記憶部Ｍ２に送信される。

次に、コントローラ１０は、ステップＳ３２において撮像された撮像画像のデータを処理部Ｍ３において処理し、ウエハＷの欠陥を検出する（ステップＳ３３）。画像処理による欠陥検出は、公知の種々の手法を用いることができるが、例えばコントラスト差に基づいて欠陥を検出してもよい。コントローラ１０は、検出された欠陥の大きさ、形状、場所等に基づいて、欠陥の種類（例えば、割れ、欠け、傷、塗布膜の形成不良など）を処理部Ｍ３において判定する。

次に、コントローラ１０は、ステップＳ３３において検出された欠陥が許容範囲内か否かを処理部Ｍ３において判定する。判定の結果、許容できない欠陥がウエハＷに存在する場合には（ステップＳ３４でＮＯ）、当該ウエハＷに対して以降の処理を行わず、コントローラ１０が基板処理システム１の各部を制御して、当該ウエハＷをキャリア１１に返送する（ステップＳ３５）。そのため、当該ウエハＷに対しては、ステップＳ２６の露光処理が行われない（図２２及び図２３の「Ａ」印参照）。

一方、判定の結果、ウエハＷに欠陥が存在しない場合又は許容可能な欠陥がウエハＷに存在する場合には（ステップＳ３４でＹＥＳ）、コントローラ１０は、ステップＳ３２で得られたウエハＷの端面Ｗｃの撮像画像に基づいて、ウエハＷのプロファイル線を処理部Ｍ３において算出する（ステップＳ３６）。具体的には、コントローラ１０は、撮像画像からウエハＷの端面Ｗｃの上縁及び下縁を、例えばコントラスト差に基づいて判別する。そして、コントローラ１０は、当該上縁と下縁との中間位置を通る線をプロファイル線として、処理部Ｍ３において算出する。こうして、ウエハＷの端面Ｗｃの形状が取得される。

一例として、３種類のウエハＷのプロファイル線Ｐ１〜Ｐ３を図２５に示す。プロファイル線Ｐ１は、基準ウエハのプロファイル線Ｐ０と交差するようにサインカーブを描いている。プロファイル線Ｐ２は、基準ウエハのプロファイル線Ｐ０を上回ることなくプロファイル線Ｐ０に沿って延びている。プロファイル線Ｐ３は、基準ウエハのプロファイル線Ｐ０を下回ることなくプロファイル線Ｐ０に沿って延びている。

次に、コントローラ１０は、ステップＳ１３で予め取得したプロファイル線Ｐ０を用いてステップＳ３６で得られたプロファイル線Ｐ１〜Ｐ３を補正して、ウエハＷの反り量を処理部Ｍ３において算出する（ステップＳ３７）。具体的には、コントローラ１０は、処理部Ｍ３において、ウエハＷのプロファイル線から基準ウエハのプロファイル線を減算して、ウエハＷの座標（角度）に対する反り量を算出する。

図２６に、ウエハＷのプロファイル線Ｐ１から基準ウエハのプロファイル線Ｐ０を減算して得られた反り量Ｑ１と、ウエハＷのプロファイル線Ｐ２から基準ウエハのプロファイル線Ｐ０を減算して得られた反り量Ｑ２と、ウエハＷのプロファイル線Ｐ３から基準ウエハのプロファイル線Ｐ０を減算して得られた反り量Ｑ３とを示す。反り量Ｑ１によれば、当該ウエハＷの周縁が上下にうねっていることが理解できる。そのため、当該ウエハＷは、図２７（ａ）に示されるような双曲放物面形状を呈していると判定できる。反り量Ｑ２によれば、当該ウエハＷの周縁が下方に位置していることが理解できる。そのため、当該ウエハＷは、図２７（ｂ）に示されるような上に凸の回転放物面形状を呈していると判定できる。反り量Ｑ３によれば、当該ウエハＷの周縁が上方に位置していることが理解できる。そのため、当該ウエハＷは、図２７（ｃ）に示されるような下に凸の回転放物面形状を呈していると判定できる。

次に、コントローラ１０は、ステップＳ３７で得られた反り量が許容範囲内か否かを処理部Ｍ３において判定する。反り量の許容範囲は、例えば、露光装置３のオーバーレイ（ＯＬ）制御における数値によって設定されてもよい。判定の結果、反り量が大きく許容できない場合には（ステップＳ３８でＮＯ）、コントローラ１０は、当該ウエハＷに対して露光処理を行わない旨の情報を当該ウエハＷと対応づけて記憶部Ｍ２に記憶させる（ステップＳ３９）。そのため、当該ウエハＷに対しては、ステップＳ２６の露光処理が行われない（図２２及び図２３の「Ａ」印参照）。

一方、判定の結果、反り量が小さく許容できる場合には、（ステップＳ３８でＹＥＳ）、コントローラ１０は検査処理を完了する。このとき、コントローラ１０が基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷを検査ユニットＵ３から露光装置３に搬送させる。

［作用］
本実施形態では、ステップＳ３７においてウエハＷの反り量を算出し、ステップＳ２３において、レジスト膜Ｒの周縁部に対するノズル４４による処理液Ｌ２の供給位置を当該反り量に基づいて設定し、当該供給位置から供給される処理液Ｌ２によって当該周縁部を溶かしてウエハＷ上から除去している。そのため、ウエハＷの周縁の反りに応じてレジスト膜Ｒの周縁部に対する処理液Ｌ２の供給位置が適切に設定されるので、当該周縁部の除去幅ＲＷをより均一にすることが可能となる。従って、ウエハＷが反りを有する場合であっても当該ウエハＷの周縁に対して適切な処理を行うことが可能となる。また、ウエハＷの表面Ｗａのうちより周縁に近い領域に対しても回路を形成することができるので、回路のウエハＷへの高集積化が促進され、ウエハＷをより効率的に利用することが可能となる。

同様に、本実施形態では、ステップＳ３７においてウエハＷの反り量を算出し、ステップＳ２５において、露光幅を当該反り量に基づいて決定している。そのため、ウエハＷの周縁の反りに応じて露光幅が適切に設定されるので、当該周縁部の露光幅をより均一にすることが可能となる。従って、レジスト膜Ｒの周縁部の除去幅をより均一にすることが可能となる。その結果、ウエハＷが反りを有する場合であっても当該ウエハＷの周縁に対して適切な処理を行うことが可能となる。また、ウエハＷの表面Ｗａのうちより周縁に近い領域に対しても回路を形成することができるので、回路のウエハＷへの高集積化が促進され、ウエハＷをより効率的に利用することが可能となる。

本実施形態では、ステップＳ３７において、基準ウエハのプロファイル線Ｐ０を用いてウエハＷのプロファイル線Ｐ１〜Ｐ３を補正し、ウエハＷの反り量を算出している。そのため、ウエハＷのプロファイル線Ｐ１〜Ｐ３から基準ウエハのプロファイル線Ｐ０を減算することで、プロファイル線Ｐ０及びプロファイル線Ｐ１〜Ｐ３からウエハＷの反り量をより簡単に算出することができる。

本実施形態では、ステップＳ３７で得られた反り量が許容範囲内か否かを判定し、反り量が大きく許容できない場合には（ステップＳ３８でＮＯ）、当該ウエハＷに対して露光処理が行われない。そのため、露光装置３において露光処理が困難なウエハＷを予め判別し、当該ウエハＷを露光処理から除外することができる。従って、ウエハＷの処理効率を高めることが可能となる。

本実施形態では、ステップＳ３３において検出された欠陥が許容範囲内か否かを判定し、許容できない欠陥がウエハＷに存在する場合には（ステップＳ３４でＮＯ）、当該ウエハＷに対して以降の処理が行われない。そのためウエハＷの表面Ｗａ又はウエハＷの周縁近傍における欠陥（例えば、割れ、欠け、傷など）を判別し、当該ウエハＷを各種処理から除外することができる。従って、ウエハＷの処理効率をより高めることが可能となる。

本実施形態では、保持部２２のサイズ、保持台２０１のサイズ及び保持台７０１のサイズがいずれも同程度である。そのため、保持部２２及び保持台２０１，７０１とウエハＷとの間に生ずる応力が同程度となる。従って、ステップＳ３７においてウエハＷの反り量を算出するときと、ステップＳ２３においてエッジリンス処理をするときと、ステップＳ２５で周縁露光処理をするときとで、反り量の変化量が同程度となる。その結果、ステップＳ３７で算出された反り量に基づいて、ステップＳ２３における除去幅の設定値の補正及びステップＳ２５における露光幅の設定値の補正を行いやすくなる。

本実施形態では、ミラー部材４３０が、保持台２０１の回転軸に対して傾斜すると共に保持台２０１に保持されたウエハＷの端面Ｗｃと裏面Ｗｂの周縁領域Ｗｄとに対向する反射面４３２を有している。また、本実施形態では、カメラ４１０の撮像素子４１２に、保持台２０１に保持されたウエハＷの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄからの光と、保持台２０１に保持されたウエハＷの端面Ｗｃからの光がミラー部材４３０の反射面４３２で反射された反射光とが共に、レンズ４１１を介して入力される。そのため、ウエハＷの表面Ｗａの周縁領域ＷｄとウエハＷの端面Ｗｃとの双方が、１台のカメラ４１０で同時に撮像される。従って、複数のカメラが不要となる結果、複数のカメラを設置するためのスペースも不要となる。このように、本実施形態では、検査ユニットＵ３の装置構成が極めて簡略化される。また、カメラ４１０を移動させるための機構も不要であるので、当該機構を設置するためのスペースも不要となる。その結果、機器トラブルを抑制しつつ、検査ユニットＵ３の小型化及び低コスト化を図ることが可能となる。

本実施形態では、反射面４３２が、保持台２０１に保持されたウエハＷの端面Ｗｃから離れる側に向けて窪んだ湾曲面である。そのため、ウエハＷの端面Ｗｃが反射面４３２に写った鏡像が実像よりも拡大する。例えば、反射面４３２が湾曲面でない場合、撮像画像におけるウエハＷの端面Ｗｃの幅は２０ピクセル程度であるが、反射面４３２が上記のような湾曲面であると、撮像画像におけるウエハＷの端面Ｗｃの幅がウエハＷの厚み方向において１．５倍程度に拡大する。従って、ウエハＷの端面Ｗｃのより詳細な撮像画像を得ることができる。その結果、当該撮像画像を画像処理することにより、ウエハＷの端面Ｗｃをより正確に検査することが可能となる。

ところで、ウエハＷの端面Ｗｃからの光がミラー部材４３０の反射面４３２で反射されてレンズ４１１に至るまでの光路長は、ウエハＷの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄからの光がレンズ４１１に至るまでの光路長と比較して、ミラー部材４３０で反射される分だけ長くなる。しかしながら、本実施形態では、ウエハＷの端面Ｗｃからの光がミラー部材４３０の反射面４３２で反射されてレンズ４１１に至るまでの間の光路の途中に焦点調節レンズ４２７が配置されている。焦点調節レンズ４２７は、ウエハＷの端面Ｗｃの結像位置を撮像素子４１２に合わせるように構成されている。そのため、焦点調節レンズ４２７によってウエハＷの端面Ｗｃの結像位置が撮像素子４１２に合うので、撮像画像におけるウエハＷの表面Ｗａの周縁領域ＷｄとウエハＷの端面Ｗｃとの双方が鮮明となる。従って、当該撮像画像を画像処理することにより、ウエハＷの端面Ｗｃをより正確に検査することが可能となる。

本実施形態では、照明モジュール４２０からの拡散光がミラー部材４３０の反射面４３２で反射した反射光が、保持台２０１に保持されたウエハＷの端面Ｗｃに到達するように、ミラー部材４３０の反射面４３２に対して照明モジュール４２０が拡散光を照射している。そのため、拡散光が種々の方向からウエハＷの端面Ｗｃに入射する。従って、ウエハＷの端面Ｗｃが全体的に均一に照明される。その結果、ウエハＷの端面Ｗｃをより鮮明に撮像することが可能となる。

本実施形態では、光源４２１から出射された光が、光散乱部材４２２で散乱され、円柱レンズ４２５で拡大され、さらに光拡散部材４２６で拡散される。そのため、拡散光が種々の方向からウエハＷの端面Ｗｃに入射する。従って、ウエハＷの端面Ｗｃが全体的に均一に照明される。その結果、ウエハＷの端面Ｗｃをより鮮明に撮像することが可能となる。

［他の実施形態］
以上、本開示に係る実施形態について詳細に説明したが、本発明の要旨の範囲内で種々の変形を上記の実施形態に加えてもよい。例えば、反射面４３２は、保持台２０１の回転軸に対して傾斜すると共に保持台２０１に保持されたウエハＷの端面Ｗｃと裏面Ｗｂの周縁領域Ｗｄとに対向していればよく、湾曲面以外の他の形状（例えば、平坦面）を呈していてもよい。

周縁撮像サブユニット４００は、焦点調節レンズ４２７を含んでいなくてもよい。

周縁撮像サブユニット４００は、光散乱部材４２２、円柱レンズ４２５及び光拡散部材４２６のいずれかを含んでいなくてもよい。

検査ユニットＵ３は、棚ユニットＵ１０，Ｕ１１に配置されていてもよい。例えば、検査ユニットＵ３は、棚ユニットＵ１０，Ｕ１１のうち単位処理ブロック１４〜１７に対応して位置するセル内に設けられていてもよい。この場合、ウエハＷは、アームＡ１〜Ａ８によって搬送される過程で検査ユニットＵ３に直接受け渡される。

ウエハＷの反り量を算出するにあたり、ウエハＷの端面Ｗｃと表面Ｗａの周縁領域Ｗｄとの双方を撮像可能な周縁撮像サブユニット４００を用いず、ウエハＷの端面Ｗｃのみを撮像可能な撮像モジュールを用いてもよい。ウエハＷの表面Ｗａ、裏面Ｗｂ、端面Ｗｃ及び表面Ｗａの周縁領域Ｗｄがそれぞれ異なるカメラによって別々に撮像されてもよい。ウエハＷの表面Ｗａ、裏面Ｗｂ、端面Ｗｃ及び表面Ｗａの周縁領域Ｗｄのうち少なくとも２つ以上の箇所が１つのカメラで同時に撮像されてもよい。

ステップＳ２４の加熱処理の前後において、同じ検査ユニットＵ３でウエハ検査処理を実施してもよいし、異なる検査ユニットＵ３でウエハ検査処理を実施してもよい。

ステップＳ２５におけるウエハＷの検査処理は、ステップＳ２４の周縁露光処理の後ではなく、ステップＳ２２における熱処理ユニットＵ２での加熱処理（いわゆるＰＡＢ）の後で且つステップＳ２６における露光処理前に行ってもよい。

図２８に示されるように、ステップＳ２４での加熱処理とステップＳ２５での周縁露光処理との間において、検査ユニットＵ３でウエハ検査処理（再検査処理）を実施してもよい（ステップＳ２８）。このとき、ステップＳ２５の周縁露光処理では、ステップＳ２８のウエハ検査処理において算出された反り量に基づいて露光幅を決定してもよい。この場合、ステップＳ２４で加熱処理が行われた後のウエハＷの反りに応じて露光幅がより適切に決定されるので、レジスト膜Ｒの周縁部の露光幅をいっそう均一にすることが可能となる。そのため、周縁露光処理の後にウエハＷを現像することにより、当該周縁部の除去幅をよりいっそう均一にすることが可能となる。またこのとき、ステップＳ２８のウエハ検査処理において算出された反り量が許容範囲内か否かを判定してもよい。当該反り量が大きく許容できない場合には、当該ウエハＷに対して周縁露光処理が行われない。そのため、周縁露光ユニットＵ４において周縁露光処理が困難なウエハＷを予め判別し、当該ウエハＷを周縁露光処理から除外することができる。従って、ウエハＷの処理効率を高めることが可能となる。

図２９に示されるように、ステップＳ２３のエッジリンス処理を行わずに、後続のステップＳ２４〜Ｓ２７を行ってもよい。図示はしていないが、ステップＳ２４で加熱処理をした後にステップＳ２５の周縁露光処理を行わずに、後続のステップＳ２６，Ｓ２７を行ってもよい。

検査ユニットＵ３におけるウエハ検査処理（ステップＳ２１）で算出された反り量を、後続の熱処理ユニットＵ２における加熱処理（ステップＳ２４）に利用してもよい。例えば、ウエハＷを熱処理ユニットＵ２の熱板に対して吸引させるか否かの判断、吸引量、吸引位置、吸引圧力、吸引のタイミング等を、反り量に基づいて制御するようにしてもよい。

１…基板処理システム（基板処理装置）、２…塗布現像装置（基板処理装置）、１０…コントローラ（制御部）、１０Ｃ…メモリ（記憶部）、１０Ｄ…ストレージ（記憶部）、１１ｂ…記録媒体、１４〜１７…単位処理ブロック、３０…液供給部（塗布液供給部）、４０…液供給部（溶剤供給部）、２００，７００…回転保持サブユニット（回転保持部）、２０１，７０１…保持台、３００…表面撮像サブユニット、４００…周縁撮像サブユニット（基板撮像装置）、５００…裏面撮像サブユニット、８００…露光サブユニット（照射部）、３１０、４１０、５１０…カメラ、４１１、５１１…レンズ、４１２、５１２…撮像素子、３２０、４２０、５２０…照明モジュール（照明部）、３２２、４２１、５２２…光源、４２２…光散乱部材、４２５…円柱レンズ、４２６…光拡散部材、４２７…焦点調節レンズ、４３０…ミラー部材、４３２…反射面、Ｍ２…記憶部、Ｍ３…処理部、Ｐ０〜Ｐ３…プロファイル線、Ｑ１〜Ｑ３…反り量、Ｒ…レジスト膜（塗布膜）、ＲＭ…記録媒体、ＲＷ…除去幅、Ｕ１…液処理ユニット、Ｕ２…熱処理ユニット（加熱部）、Ｕ３…検査ユニット、Ｕ４…周縁露光ユニット、Ｗ…ウエハ（基板）、Ｗａ…表面、Ｗｂ…裏面、Ｗｃ…端面、Ｗｄ…周縁領域。

ステップＳ２６におけるウエハＷの検査処理は、ステップＳ２５の周縁露光処理の後ではなく、ステップＳ２４における熱処理ユニットＵ２での加熱処理（いわゆるＰＡＢ）の後で且つステップＳ２５における露光処理前に行ってもよい。

Claims (11)

1. 被処理基板の反り量を取得することと、
   前記被処理基板の周縁部に対する処理液の供給位置を前記被処理基板の反り量に基づいて決定することと、
   表面に膜が形成された前記被処理基板を回転させつつ、前記供給位置から供給される処理液によって前記周縁部における前記膜を溶かして前記被処理基板上から除去することとを含む、基板処理方法。
2. 前記被処理基板の周縁全周にわたって前記被処理基板の端面をカメラによって撮像し、撮像画像を取得することと、
   前記撮像画像を画像処理して、前記被処理基板の端面の形状データを前記被処理基板の周縁全周にわたって取得することとをさらに含み、
   前記被処理基板の反り量を取得することは、反り量が既知である基準基板の端面の形状データと、画像処理により得られた前記被処理基板の端面の形状データとに基づいて、前記被処理基板の反り量を算出することを含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記供給位置を決定することは、前記供給位置を前記被処理基板の周縁の反り量の平均値に基づいて決定することを含む、請求項１又は２に記載の方法。
4. 前記膜を除去することは、前記被処理基板の反り量に基づいて流量が調節された前記処理液によって前記周縁部における前記膜を除去することを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
5. 前記膜はレジスト膜であり、
   前記処理液は有機溶剤である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
6. 被処理基板を保持して回転させるように構成された回転保持部と、
   前記被処理基板の表面に処理液を供給するように構成された処理液供給部と、
   制御部とを備え、
   前記制御部は、
   被処理基板の反り量を取得する処理と、
   前記被処理基板の周縁部に対する処理液の供給位置を前記被処理基板の反り量に基づいて決定する処理と、
   表面に膜が形成された前記被処理基板を回転させるように前記回転保持部を制御しつつ、前記供給位置から処理液を供給するように前記処理液供給部を制御することにより、前記周縁部における前記膜を溶かして前記被処理基板上から除去する処理とを実行するように構成されている、基板処理装置。
7. 前記被処理基板の周縁全周にわたって前記被処理基板の端面を撮像して撮像画像を取得するように構成されたカメラをさらに備え、
   前記制御部は、前記撮像画像を画像処理して、前記被処理基板の端面の形状データを前記被処理基板の周縁全周にわたって取得する処理をさらに実行するように構成されており、
   前記被処理基板の反り量を取得する前記処理は、反り量が既知である基準基板の端面の形状データと、画像処理により得られた前記被処理基板の端面の形状データとに基づいて、前記被処理基板の反り量を算出することを含む、請求項６に記載の装置。
8. 前記供給位置を決定する前記処理は、前記供給位置を前記被処理基板の周縁の反り量の平均値に基づいて決定することを含む、請求項６又は７に記載の装置。
9. 前記膜を除去する前記処理は、前記被処理基板の反り量に基づいて前記処理液の流量を調節するように前記処理液供給部を制御することにより、前記周縁部における前記膜を除去することを含む、請求項６〜８のいずれか一項に記載の装置。
10. 前記膜はレジスト膜であり、
    前記処理液は有機溶剤である、請求項６〜９のいずれか一項に記載の装置。
11. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。