JP2005203440A - 位置調整方法及び基板処理システム - Google Patents

Abstract

【課題】 ウェハのレジスト塗布装置における，スピンチャックに対するウェハの保持位置の調整を迅速かつ正確に行う。
【解決手段】 レジスト塗布装置４０において，スピンチャックに保持され回転されたウェハに対してレジスト液が塗布され，その後ウェハの外周部のレジスト液が環状に除去される。ウェハに対し一連の塗布現像処理が施され，ウェハ上のレジスト膜に所定のパターンが形成された後，欠陥検出装置２１においてウェハの表面の画像が撮像される。制御装置１１５は，当該画像データに基づいて，ウェハ上のレジスト液が除去されている外周部の幅を測定する。この測定から，スピンチャックに対するウェハの保持位置の位置ずれ量を算出する。その位置ずれ量が搬送装置制御部３１に出力され，ウェハ保持アーム３０ａのレジスト塗布装置４０に対する搬送先の設定座標が変更され，スピンチャックに対するウェハの保持位置が調整される。
【選択図】 図１

Description

本発明は，基板に塗布液を塗布する塗布処理装置における位置調整方法と基板処理システムに関する。

例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハの表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理，露光処理されたウェハに対して現像を行う現像処理，及びウェハを所定温度に加熱又は冷却する熱処理などの複数の処理が行われている。これらのウェハ処理は，各種処理装置が多数搭載された塗布現像処理システムにおいて，枚葉式に連続して行われている。

また，近年では，ウェハ上に形成されたレジスト膜の膜厚を測定する膜厚測定装置やウェハ上の表面の欠陥を検出する欠陥検出装置，レジスト膜に形成されたパターンの線幅を測定する線幅測定装置等が搭載されている塗布現像処理システムが提案されており，この塗布現像処理システムでは，上記複数の処理が終了した後に，ウェハに対する各種複数の検査が行われていた（例えば，特許文献１，２参照。）。

ところで，上記塗布現像処理システムで行われるレジスト塗布処理は，通常レジスト塗布装置で行われている。レジスト塗布装置は，ウェハを載置し保持して回転させるスピンチャックと，ウェハの上方からレジスト液を吐出するレジスト液吐出ノズルを備えている。レジスト塗布処理時には，スピンチャックにウェハを載置し当該スピンチャックを回転させ，回転しているウェハの中心部に，レジスト液吐出ノズルからレジスト液を吐出し，レジスト液をウェハの中心部から全体に拡散させることによって行われている。このようなレジスト塗布装置では，スピンチャックに対するウェハの保持位置やレジスト液吐出ノズルの吐出位置がずれていると，レジスト液がウェハ上で均等に拡散されず，厚みに斑のあるレジスト膜が形成されてしまう。このため，ウェハ上に均一にレジスト液が塗布されるためには，スピンチャックの回転中心に対し，ウェハの載置位置やレジスト液吐出ノズルの吐出位置を合わせる，いわゆるセンタリング調整を行う必要がある。

しかしながら，上記レジスト塗布装置におけるセンタリング調整は，従来より作業員の目視によって行われていた。つまり，スピンチャックの回転中心にウェハの中心が合うようにウェハが載置されているか，レジスト液吐出ノズルがスピンチャックの回転中心軸上に位置しているかを肉眼で確認し，位置ずれがある場合には，作業員によってその位置ずれ量を推定し，手探りで修正することにより位置調整されていた。このため，センタリング調整には，時間がかかり，その間装置を稼動できないため，装置の稼働率の低下を招いていた。また，作業員の熟練度によっては位置調整が不正確になり，常に一定の精度を確保できない問題があった。

特開２００３−２１８０２２号公報 特開２００２−１９０４４６号公報

本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，ウェハなどの基板のレジスト塗布装置などの塗布処理装置において，基板の保持位置やレジスト液吐出ノズルなどの塗布液吐出部材のいわゆるセンタリング調整を迅速かつ正確に行うことができる位置調整方法及び基板処理システムを提供することをその目的とする。

上記目的を達成するために，本発明によれば，回転保持部材によって基板を保持し回転させた状態で，前記基板の中央部に塗布液を吐出して基板の表面に塗布液を拡散させて塗布する工程と，その後，前記回転保持部材によって基板を回転させた状態で，一定の位置の除去液吐出部材から前記基板の外周部に対し塗布液の除去液を供給して当該外周部の塗布液を環状に除去する工程と，その後，前記基板の表面の画像を撮像する工程と，前記基板の表面の画像から，塗布液が除去された前記外周部の幅を測定し，当該測定された外周部の幅から前記回転保持部材における基板の保持位置の位置ずれを導出し，当該位置ずれに基づいて前記基板の保持位置を調整する工程と，を有することを特徴とする位置調整方法が提供される。

前記回転保持部材上で基板の保持位置がずれている場合，回転保持部材により回転される基板が偏心するので，一定位置の除去液吐出部材によって除去される基板外周部の塗布液の幅が，保持位置がずれている分だけ基板の周方向に沿って変動する。本発明によれば，当該外周部の幅を画像から測定し，その幅から基板の保持位置のずれを導出する。そして，その位置ずれに基づいて基板の保持位置を調整する。このように，本発明では，基板の保持位置のずれが比較的簡単に導出されるので，基板の保持位置の位置調整をより短時間で行うことができる。また，画像の情報から基板の保持位置を調整できるので，作業員の熟練度に関わらず，正確な位置調整を行うことができる。なお，前記外周部の幅の測定は，平面から見て基板上で直交する所定の二方向の基板の両端部で行うようにしてもよい。

本発明によれば，回転保持部材によって基板を保持し回転させた状態で，塗布液吐出部材から基板の中央部に対し塗布液を吐出して，基板の表面に塗布液を拡散させて塗布する工程と，その後，前記基板の表面における前記塗布液の厚みの分布を検出する工程と，前記検出された厚みの分布から前記基板の表面における前記塗布液吐出部材の吐出位置を特定して，当該塗布液吐出部材の吐出位置と前記基板の表面における回転保持部材の回転中心との位置ずれを導出し，当該位置ずれに基づいて前記回転保持部材に対する前記塗布液吐出部材の吐出位置を調整する工程と，を有することを特徴とする位置調整方法が提供される。

回転保持部材の回転中心と塗布液吐出部材の吐出位置がずれている場合，塗布液吐出部材の吐出位置の基板表面における塗布液の厚みは，他の部分と異なる。この発明によれば，基板表面の塗布液の厚みの分布から回転保持部材の回転中心と塗布液吐出部材の吐出位置との位置ずれを検出し，その位置ずれに基づいて塗布液吐出部材の吐出位置を調整しているので，当該位置調整を簡単な方法で行うことができる。この結果，かかる塗布液吐出部材の位置調整を短時間で行うことができる。また，塗布液の厚み分布の情報から塗布液吐出部材の吐出位置を調整できるので，作業員の熟練度に関わらず，正確な位置調整を行うことができる。なお，前記位置調整方法は，基板の表面を撮像し，その撮像の情報から前記塗布液の厚みの分布を検出するようにしてもよい。

本発明によれば，回転保持部材によって保持された基板に対して塗布液吐出部材から所定量の塗布液を吐出して，基板の表面の一部に塗布液を供給する工程と，その後，前記基板の表面の画像を撮像する工程と，前記基板の表面の画像に現れた前記塗布液の供給部分の位置に基づいて前記基板の表面における塗布液吐出部材の吐出位置を特定し，当該塗布液吐出部材の吐出位置に基づいて前記回転保持部材に対する前記塗布液吐出部材の吐出位置を調整する工程と，を有することを特徴とする位置調整方法が提供される。

この発明によれば，塗布液吐出部材から表面の一部に塗布液が供給された基板を撮像し，その画像に現れる塗布液の供給部分の位置から前記塗布液吐出部材の吐出位置を特定して，塗布液吐出部材の吐出位置を調整している。かかる場合，基板表面の画像から，調整前の実際の塗布液吐出部材の吐出位置を容易に特定できるので，塗布液吐出部材の位置調整を簡単かつ正確に行うことができる。この結果，かかる塗布液吐出部材の位置調整を短時間で行うことができる。また，作業員の熟練度に関わらず，精度の高い位置調整を行うことができる。

本発明によれば，基板を保持し回転させる回転保持部材と，前記回転保持部材によって回転された基板の中央部に対し塗布液を吐出して基板の表面に塗布液を塗布する塗布液吐出部材と，前記回転保持部材によって回転された前記基板の外周部に対し塗布液の除去液を吐出して当該外周部の塗布液を環状に除去する除去液吐出部材とを有する塗布処理装置と，前記基板の表面の画像を撮像する撮像装置と，前記撮像装置により撮像された前記画像から，前記除去液吐出部材により塗布液が除去された基板の外周部の幅を測定し，当該測定された外周部の幅から前記回転保持部材における基板の保持位置の位置ずれを導出し，当該位置ずれに基づいて前記回転保持部材における基板の保持位置を調整する位置調整装置と，を備えたことを特徴とする基板処理システムが提供される。

この発明によれば，基板表面の全面に塗布液を塗布し，その後基板の外周部の塗布液のみを環状に除去することができる。そして，当該基板の表面を撮像し，当該撮像した画像から，塗布液が除去されている基板の外周部の幅を測定し，当該幅から，回転保持部材における基板の保持位置の位置ずれを導出し，当該位置ずれに基づいて基板の保持位置を調整できる。かかる場合，基板の保持位置のずれを，基板の画像から簡単に導出できるので，位置調整をより短時間で行うことができる。また，基板の画像の情報から基板の保持位置を調整できるので，作業員の熟練度に関わらず，正確な位置調整を行うことができる。

前記撮像装置は，基板の表面の画像を撮像して基板の表面の欠陥を検出する欠陥検出装置であってもよい。かかる場合，既存の装置を用いて基板の保持位置の位置調整を行うことができるので，別途撮像装置を設けた場合に比べて，基板処理システムの大型化やコストの増大が防止できる。

本発明によれば，基板を保持し回転させる回転保持部材と，前記回転保持部材によって回転された基板の中央部に対し塗布液を吐出して基板の表面に塗布液を塗布する塗布液吐出部材とを有する塗布処理装置と，前記基板の表面における塗布液の厚みの分布を検出する厚み分布検出装置と，前記厚み分布検出装置により検出された前記厚みの分布から前記基板の表面における前記塗布液吐出部材の吐出位置を特定して，当該塗布液吐出部材の吐出位置と前記基板の表面における回転保持部材の回転中心との位置ずれを導出し，当該位置ずれに基づいて前記回転保持部材に対する前記塗布液吐出部材の吐出位置を調整する位置調整装置と，を備えたことを特徴とする基板処理システムが提供される。

この発明によれば，基板の表面に塗布された塗布液の厚みの分布から回転保持部材の回転中心と塗布液吐出部材の吐出位置との位置ずれを導出し，当該位置ずれに基づいて塗布液吐出部材の吐出位置の調整を行うことができる。この場合，塗布液吐出部材の位置調整を比較的簡単な手法で行うことができるので，位置調整を短時間で行うことができる。また，厚み分布検出装置から検出された塗布液の厚み分布の情報から塗布液吐出部材の吐出位置を調整できるので，作業員の熟練度に関わらず，正確な位置調整を行うことができる。

前記厚み分布検出装置は，基板の表面を撮像し，その撮像の情報から前記塗布液の厚みの分布を検出できるものであってもよい。また，前記厚み分布検出装置は，基板の表面の画像を撮像して基板の表面の欠陥を検出する欠陥検出装置であってもよい。かかる場合，既存の装置を用いて塗布液吐出部材の吐出位置の位置調整を行うことができるので，別途厚み分布検出装置を設けた場合に比べて，基板処理システムの大型化やコストの増大が防止できる。

本発明によれば，基板を保持し回転させる回転保持部材と，前記回転保持部材によって回転された基板に対し塗布液を吐出して基板の表面の一部に塗布液を供給する塗布液吐出部材とを有する塗布処理装置と，前記基板の表面の画像を撮像する撮像装置と，前記基板の表面の画像に現れる前記塗布液の供給部分の位置に基づいて前記基板の表面における塗布液吐出部材の吐出位置を特定し，当該塗布液吐出部材の吐出位置に基づいて前記回転保持部材に対する前記塗布液吐出部材の吐出位置を調整する位置調整装置と，を備えたことを特徴とする基板処理システムが提供される。

この発明によれば，塗布液吐出部材から表面の一部に塗布液が供給された基板を撮像し，その画像に現れる塗布液の供給部分の位置から前記塗布液吐出部材の吐出位置を特定して，回転保持部材に対する塗布液吐出部材の吐出位置を調整できる。かかる場合，基板表面の画像の情報から，調整前の実際の塗布液吐出部材の吐出位置を容易に特定できるので，塗布液吐出部材の位置調整を簡単かつ正確に行うことができる。この結果，かかる塗布液吐出部材の位置調整を短時間で行うことができる。また，作業員の熟練度に関わらず，精度の高い位置調整を行うことができる。

本発明によれば，回転保持部材に対する基板の保持位置と塗布液吐出部材の吐出位置の位置調整が迅速かつ正確に行われるので，当該位置調整にかかる時間を短縮できる。また，作業員の熟練度による位置調整の精度のばらつきがなくなり，常に高精度の位置調整が実現できる。

以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる基板処理システムとしての塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。

塗布現像処理システム１は，図１に示すように例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，ウェハＷに対し所定の検査を行う検査ステーション３と，塗布現像工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション４と，この処理ステーション４に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイス部５とを一体に接続した構成を有している。

カセットステーション２では，カセット載置台６上の所定の位置に複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に沿って一列に載置できる。カセットステーション２には，搬送路７上をＸ方向に沿って移動可能なウェハ搬送体８が設けられている。ウェハ搬送体８は，上下方向にも移動可能であり，カセットＣ内に上下方向に配列されたウェハＷに対して選択的にアクセスできる。ウェハ搬送体８は，鉛直方向の軸周り（θ方向）に回転可能であり，後述する検査ステーション３側の受け渡し部１０に対してもアクセスできる。

検査ステーション３には，検査のための複数の測定装置が多段に配置された，例えば２つの測定装置群Ｈ１，Ｈ２を備えている。第１の測定装置群Ｈ１は，例えば検査ステーション３のＸ方向負方向（図１の下方向）側に配置され，第２の測定装置群Ｈ２は，例えば検査ステーション３のＸ方向正方向（図１の上方）側に配置されている。検査ステーション３のカセットステーション２側には，カセットステーション２との間でウェハＷを受け渡しするための受け渡し部１０が配置されている。この受け渡し部１０には，例えばウェハＷを載置する載置部１０ａが設けられている。第１の測定装置群Ｈ１と第２の測定装置群Ｈ２との間には，例えば搬送路１１上をＸ方向に沿って移動可能なウェハ搬送装置１２が設けられている。ウェハ搬送装置１２は，例えば上下方向に移動可能でかつθ方向にも回転自在であり，測定装置群Ｈ１，Ｋ２内の後述する各測定装置，受け渡し部１０及び処理ステーション４側の第３の処理装置群Ｇ３内の後述する各処理装置に対してアクセスできる。

第１の測定装置群Ｈ１には，例えば図２に示すようにウェハＷ上に形成されたパターンの線幅を測定する線幅測定装置２０，ウェハ表面上の欠陥を検出する欠陥検出装置２１が下から順に２段に重ねられている。

第２の測定装置群Ｈ２には，例えば図３に示すようにウェハＷ上の膜の膜厚を測定する膜厚測定装置２２及び露光の重ね合わせのずれを測定する重ね合わせ測定装置２３が下から順に２段に重ねられている。

処理ステーション４は，図１に示すように複数の処理装置が多段に配置された，例えば５つの処理装置群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。処理ステーション４のＸ方向負方向（図１中の下方向）側には，検査ステーション３側から第１の処理装置群Ｇ１，第２の処理装置群Ｇ２が順に配置されている。処理ステーション４のＸ方向正方向（図１中の上方向）側には，検査ステーション３側から第３の処理装置群Ｇ３，第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５が順に配置されている。

第３の処理装置群Ｇ３と第４の処理装置群Ｇ４の間には，第１の搬送装置３０が設けられている。第１の搬送装置３０は，例えばθ方向に回転可能で，かつ水平方向と上下方向に移動可能なウェハ保持アームを備えている。第１の搬送装置３０は，隣接する第１の処理装置群Ｇ１，第３の処理装置群Ｇ３及び第４の処理装置群Ｇ４内の各装置に対しウェハ保持アーム３０ａを進退させることによって，当該各装置間でウェハＷを搬送できる。第１の搬送装置３０は，例えば搬送装置制御部３１によってその動作が制御されている。例えば搬送装置制御部３１には，ウェハＷの搬送先の停止位置の座標が設定されており，搬送装置制御部３１は，当該設定座標に従ってウェハ保持アーム３０ａを移動できる。

第４の処理装置群Ｇ４と第５の処理装置群Ｇ５の間には，第２の搬送装置３２が設けられている。第２の搬送装置３２は，第１の搬送装置３０と同様のウェハ保持アーム３２ａを備えており，第２の処理装置群Ｇ２，第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５に対して選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。

図２に示すように第１の処理装置群Ｇ１には，ウェハＷに所定の液体を供給して処理を行う液処理装置，例えばウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成する塗布処理装置としてのレジスト塗布装置４０，４１，４２，露光処理時の光の反射を防止する反射防止膜を形成するボトムコーティング装置４３，４４が下から順に５段に重ねられている。第２の処理装置群Ｇ２には，液処理装置，例えばウェハＷを現像処理する現像処理装置５０〜５４が下から順に５段に重ねられている。また，第１の処理装置群Ｇ１及び第２の処理装置群Ｇ２の最下段には，各処理装置群Ｇ１及びＧ２内の前記液処理装置に各種処理液を供給するためのケミカル室６０，６１がそれぞれ設けられている。

例えば図３に示すように第３の処理装置群Ｇ３には，温調装置７０，ウェハＷの受け渡しを行うためのトランジション装置７１，精度の高い温度管理下でウェハＷを加熱処理する高精度温調装置７２〜７４及びウェハＷを高温で加熱処理する高温度熱処理装置７５〜７８が下から順に９段に重ねられている。

第４の処理装置群Ｇ４では，例えば高精度温調装置８０，レジスト塗布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキング装置８１〜８４及び現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキング装置８５〜８９が下から順に１０段に重ねられている。

第５の処理装置群Ｇ５では，ウェハＷを熱処理する複数の熱処理装置，例えば高精度温調装置９０〜９３，露光後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキング装置９４〜９９が下から順に１０段に重ねられている。

図１に示すように第１の搬送装置３０のＸ方向正方向側には，複数の処理装置が配置されており，例えば図３に示すようにウェハＷを疎水化処理するためのアドヒージョン装置１００，１０１，ウェハＷを加熱処理する加熱処理装置１０２，１０３が下から順に４段に重ねられている。図１に示すように第２の搬送装置３２のＸ方向正方向側には，例えばウェハＷの外周部のみを選択的に露光する周辺露光装置１０４が配置されている。

インターフェイス部５には，例えば図１に示すようにＸ方向に向けて延伸する搬送路１１０上を移動するウェハ搬送体１１１と，バッファカセット１１２が設けられている。ウェハ搬送体１１１は，Ｚ方向に移動可能でかつθ方向にも回転可能であり，インターフェイス部５に隣接した図示しない露光装置と，バッファカセット１１２及び第５の処理装置群Ｇ５に対してアクセスしてウェハＷを搬送できる。

塗布現像処理システム１には，図１に示すように例えば位置調整装置としての制御装置１１５が設けられている。制御装置１１５は，例えば塗布現像処理システム１内の各処理装置や搬送装置の動作の制御や動作に関する設定の変更などを行うことができる。制御装置１１５は，例えば前記搬送装置制御部３１におけるウェハＷの搬送先の停止位置の設定座標を変更できる。

次に，上述したレジスト塗布装置４０の構成について詳しく説明する。図４は，レジスト塗布装置４０の構成の概略を示す縦断面の説明図であり，図５は，レジスト塗布装置４０の横断面の説明図である。

レジスト塗布装置４０は，例えば図４に示すようにケーシング４０ａを有し，当該ケーシング４０ａ内の中央部には，ウェハＷを保持し回転させる回転保持部材としてのスピンチャック１２０が設けられている。スピンチャック１２０は，水平な上面を有し，当該上面には，例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により，ウェハＷをスピンチャック１２０上に吸着できる。

スピンチャック１２０には，例えばスピンチャック１２０を回転及び昇降させるためのチャック駆動機構１２１が設けられている。チャック駆動機構１２１は，例えばスピンチャック１２０を所定速度で回転させるモータなどの回転駆動部（図示せず）や，スピンチャック１２０を昇降させるモータ又はシリンダなどの昇降駆動部（図示せず）を備えている。このチャック駆動機構１２１により，スピンチャック１２０上のウェハＷを所定のタイミングで昇降したり，所定の速度で回転することができる。

スピンチャック１２０の周囲には，ウェハＷから飛散した塗布液，除去液等を受け止め，回収するためのカップ１２２が設けられている。カップ１２２は，上面が開口した略円筒形状を有し，スピンチャック１２０上のウェハＷの外方と下方とを囲むように形成されている。カップ１２２の下面１２２ａには，回収した塗布液液等を排液する排液管１２３とカップ１２２内を排気する排気管１２４とが設けられている。

図５に示すようにカップ１２２のＸ方向負方向（図５の下方向）側には，Ｙ方向（図５の左右方向）に沿って延伸するレール１３０が形成されている。レール１３０は，例えばカップ１２２のＹ方向負方向（図５の左方向）側の外方からカップ１２２のＹ方向正方向（図５の右方向）側の外方まで形成されている。レール１３０には，二本のアーム１３１，１３２が取り付けられている。第１のアーム１３１には，塗布液吐出部材としてのレジスト液吐出ノズル１３３が支持されている。第１のアーム１３１は，例えば第１の駆動機構１３４によってレール１３０上をＹ方向に移動自在であり，レジスト液吐出ノズル１３３をカップ１２２の外方に設置された待機部１３５からカップ１２２の内側の所定の位置まで移送することができる。第１のアーム１３１は，例えば第１のアーム１３１をＸ方向に伸縮する第２の駆動機構１３６を備えており，レジスト液吐出ノズル１３３をＸ方向の所定の位置に合わせることができる。なお，第１のアーム１３１は，例えば前記第１の駆動機構１３４によって上下方向にも移動自在であり，レジスト液吐出ノズル１３３を所定の高さに昇降することができる。

レジスト液吐出ノズル１３３は，レジスト塗布装置４０の外部に設置された図示しないレジスト液供給源に対しレジスト液供給管１３７によって連通しており，当該レジスト液供給源から供給されたレジスト液を下方に向けて吐出できる。

図５に示すように第２のアーム１３２には，ウェハＷの外周部にレジスト液の除去液を吐出する除去液吐出部材としての除去液吐出ノズル１５０が支持されている。第２のアーム１３２は，例えば第３の駆動機構１５１によってレール１３０上をＹ方向に移動自在である。また，第２のアーム１３２は，上記第３の駆動機構１５１によって上下方向にも移動自在である。かかる構成から，第２のアーム１３２は，除去液吐出ノズル１５０を，カップ１２２のＹ方向正方向側の外方に設けられた待機部１５２からカップ１２２内のウェハＷの外周部上方まで搬送することができる。除去液吐出ノズル１５０は，レジスト塗布装置４０の外部に設置された図示しない除去液供給源に対し除去液供給管１５３によって連通しており，当該除去液供給源から供給された除去液を下方に向けて吐出できる。

上記第１の駆動機構１３４，第２の駆動機構１３６及び第３の駆動機構１５１などの動作は，例えば塗布装置制御部１６０によって制御されている。塗布装置制御部１６０には，例えばレジスト液をウェハＷに吐出するときのレジスト液吐出ノズル１３３の吐出位置の座標や，除去液を吐出するときの除去液吐出ノズル１５０の吐出位置の座標が設定されている。塗布装置制御部１６０は，この設定座標に従って駆動機構１３４，１３６，１５１を駆動し，レジスト液吐出ノズル１３３や除去液吐出ノズル１５０を移動させることができる。この塗布装置制御部１６０における各種設定は，上述した塗布現像処理システム１の制御装置１１５によって変更することができる。

ケーシング４０ａのＸ方向正方向側の側面には，ウェハＷを搬入出するための搬送口１７０が設けられている。この搬送口１７０には，シャッタ１７１が設けられており，このシャッタ１７１が開放され，第１の搬送装置３０のウェハ保持アーム３０ａが搬送口１７０を通過することによってレジスト塗布装置４０内にウェハＷを搬送することができる。

図４に示すようにケーシング４０ａの上面には，温度及び湿度が調節され，清浄化された気体を導入するダクト１７２が接続されており，ウェハＷの処理時に所定の気体を導入し，ケーシング４０ａ内を所定の雰囲気に維持することができる。

次に，塗布現像処理システム１に搭載されている欠陥検出装置２１の構成について説明する。図６は，欠陥検出装置２１の構成の概略を示す縦断面の説明図である。

欠陥検出装置２１の筐体２１ａ内には，ウェハＷを水平に支持しその向きも変えることができる回転載置台１８０が設けられている。回転載置台１８０の上方には，回転載置台１８０上のウェハＷの表面の画像を撮像する撮像部材としてのＣＣＤカメラ１８１が設けられている。ＣＣＤカメラ１８１の側方には，照明部材としてのブラックライト１８２が設けられている。ＣＣＤカメラ１８１により撮像された画像データは，例えばデータ処理部１８３に出力される。データ処理部１８３では，出力された画像データを解析してウェハＷ表面の欠陥を検出できる。

また，例えばデータ処理部１８３は，欠陥検出装置２１で検出された画像データを，図１に示す塗布現像処理システム１の制御装置１１５に出力できる。制御装置１１５は，当該画像データに基づいて，例えばレジスト塗布装置４０におけるセンタリング調整，例えばスピンチャック１２０におけるウェハＷの保持位置，つまり，第１の搬送装置３０のスピンチャック１２０に対する受け渡し位置を調整できる。例えば制御装置１１５は，データ処理部１８３から出力された画像データに基づいて，除去液吐出ノズル１５０によりレジスト液が除去されて形成されたウェハＷの外周部の幅を測定し，その外周部の幅から，ウェハＷの保持位置の位置ずれを算出することができる。そして，制御装置１１５は，例えばスピンチャック１２０の回転中心とウェハＷの中心が一致するように，搬送装置制御部３１におけるウェハＷの搬送先の停止位置の設定座標を変更することができる。なお，この実施の形態において，欠陥検出装置２１は，撮像装置として機能する。

次に，以上のように構成された塗布現像処理システム１で行われる通常のウェハ処理について説明する。先ず，図１に示すウェハ搬送体８によって，カセット載置台６上のカセットＣ内のウェハＷが一枚取り出され，検査ステーション３の受け渡し部１０に受け渡される。受け渡し部１０に受け渡されたウェハＷは，ウェハ搬送装置１２によって処理ステーション４の第３の処理装置群Ｇ３に属する温調装置７０に搬送される。温調装置７０に搬送されたウェハＷは，温度調節された後，第１の搬送装置３０によって例えばボトムコーティング装置４３に搬送され，反射防止膜が形成され，さらに，加熱処理装置１０２，高温度熱処理装置７５，高精度温調装置８０に順次搬送され，各処理装置において所定の処理が施される。その後ウェハＷは，第１の搬送装置３０によってレジスト塗布装置４０に搬送される。

このとき，第１の搬送装置３０のウェハ保持アーム３０ａは，図５に示す搬入口１７０から進入し，スピンチャック１２０上の所定の位置までウェハＷを搬送する。ウェハＷが所定の位置まで搬送されると，ウェハＷは，スピンチャック１２０上に吸着保持される。このとき，ウェハＷが，スピンチャック１２０上の適正な保持位置に保持されると，ウェハＷの中心がスピンチャック１２０の回転中心に合わせられる。ウェハＷがスピンチャック１２０上に吸着保持されると，第１のアーム１３１が移動し，待機部１３５で待機していたレジスト液吐出ノズル１３３がウェハＷの中心部上方の吐出位置まで移動する。続いて，例えばスピンチャック１２０によりウェハＷが回転され，当該回転されたウェハＷの中心部にレジスト液吐出ノズル１３３から所定量のレジスト液が吐出される。ウェハＷ上に吐出されたレジスト液は，遠心力により拡散し，ウェハＷの表面全面にレジスト液が塗布される。その後，ウェハＷの回転速度が変更され，ウェハＷ上の余分なレジスト液が飛散し，ウェハＷ上に所定の膜厚のレジスト液の液膜（レジスト膜）が形成される。

その後，第１のアーム１３１が待機部１３５に退避し，ウェハＷの回転速度が変更されると，第２のアーム１３１が移動し，除去液吐出ノズル１５０がウェハＷの外周部の上方まで移動し停止する。続いて，除去液吐出ノズル１５０から回転しているウェハＷの外周部に除去液が吐出され，ウェハＷの外周部のレジスト液が環状に除去される。

ウェハＷの外周部のレジスト液が環状に除去されると，ウェハＷの回転が停止され，第２のアーム１３１が待機部１５２に戻される。その後，第１の搬送装置３０のウェハ保持アーム３０ａにウェハＷが渡され，ウェハＷがレジスト塗布装置３０から搬出されて，一連のレジスト塗布処理が終了する。

レジスト塗布処理が終了すると，ウェハＷは，第１の搬送装置３０によってプリベーキング装置８１に搬送され，加熱処理が施された後，第２の搬送装置３２によって周辺露光装置１０４，高精度温調装置９３に順次搬送され，各装置において所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，ウェハ搬送体１１１によってインターフェイス部５を介して図示しない露光装置に搬送され，レジスト膜に所定のパターンが露光される。露光処理の終了したウェハＷは，再びインターフェイス部５を介して処理ステーション４内に戻され，第２の搬送装置３２によってポストエクスポージャーベーキング装置９４，高精度温調装置９１に順次搬送され，所定の処理が施された後，現像処理装置５０に搬送されて現像処理が施される。

現像処理の終了したウェハＷは，第２の搬送装置３２によってポストベーキング装置８５に搬送され加熱処理が施された後，第１の搬送装置３０によって高精度温調装置７２に搬送され冷却処理が施される。その後，ウェハＷは，第１の搬送装置３０によってトランジション装置７１に搬送され，その後ウェハ搬送装置１２によって検査ステーション３の第１の測定装置群Ｈ１に属する欠陥検出装置２１に搬送される。

欠陥検出装置２１に搬送されたウェハＷは，回転載置台１８０に載置され，例えばウェハＷのノッチ部が所定の方向に向くように回転される。その後，ブラックライト１８２からウェハＷに光が照射され，ＣＣＤカメラ１８１によりウェハＷの表面の全体の画像が撮像される。このとき得られる画像は，例えば図７に示すようにウェハＷの表面の中央部に，レジスト液の円状の塗布領域Ｒ１が形成され，その外周部にレジスト液の除去領域Ｒ２が形成されたものである。この画像データは，データ処理部１８３に出力され解析されて，ウェハＷの表面の欠陥の有無が検査される。

上記欠陥検査が終了したウェハＷは，例えば線幅測定装置２０，第２の測定装置群Ｈ２に属する膜厚測定装置２２，重ね合わせ測定装置２３に順に搬入され，各装置において所定の測定，検査が行われる。検査ステーション３における検査が終了したウェハＷは，ウェハ搬送装置１２によって受け渡し部１０に受け渡され，受け渡し部１０からウェハ搬送体８によってカセットＣに戻され，塗布現像処理装置１における一連のプロセスが終了する。

次に，レジスト塗布装置４０におけるセンタリング調整を行うためのウェハ処理について説明する。上述の通常のウェハ処理と同様に，ウェハＷは，カセット載置台６のカセットＣから取り出され，例えば温調装置７０，ボトムコーティング装置４３，加熱処理装置１０２，高温度熱処理装置７５及び高精度温調装置８０に順次搬送され，各処理装置において所定の処理が施された後，レジスト塗布装置４０に搬送される。そして，レジスト塗布装置４０において，上述した通常のウェハ処理と同様にウェハＷ上にレジスト膜が形成され，その後ウェハＷの外周部のレジスト液が除去され，その後直ちに検査ステーション３の欠陥検査装置２１に搬送される。

欠陥検査装置２１にウェハＷが搬送されると，ウェハ表面の画像が撮像され，当該ウェハ表面の画像データが例えば制御装置１１５に出力される。制御装置１１５では，当該画像データから，図７に示したレジスト液の除去領域Ｒ２の幅が測定される。この幅の測定は，例えば平面から見てスピンチャック１２０の回転中心を通るＸ方向のウェハ両端部の幅Ｄ１，Ｄ２とＹ方向のウェハ両端部の幅Ｄ３，Ｄ４の４箇所，９０°間隔で行われる。

例えば図８に示すようにレジスト塗布装置４０における塗布処理時に，ウェハＷの保持位置がスピンチャック１２０の回転中心からずれていた場合，ウェハＷが偏心して回転するので，除去液吐出ノズル１５０によって除去されるレジスト液の幅が不均一になる。制御装置１１５は，かかる場合の図９に示すような幅Ｄ１〜Ｄ４を測定し，当該幅Ｄ１〜Ｄ４から，ウェハＷの位置ずれ量を算出する。例えば，幅Ｄ１と幅Ｄ２から，ウェハＷの中心とスピンチャック１２０の回転中心とのＸ方向の位置ずれ量が算出され，幅Ｄ３と幅Ｄ４からウェハＷの中心とスピンチャック１２０の回転中心とのＹ方向の位置ずれ量が算出される。制御装置１１５は，算出したＸ方向とＹ方向の位置ずれ量を補正値として例えば搬送装置制御部３１に出力し，搬送装置制御部３１では，レジスト塗布装置４０に対するウェハＷの搬送先の停止位置の設定座標が変更される。これによって，ウェハ保持アーム３０ａにより搬送されるウェハＷのスピンチャック１２０上の停止位置が修正され，スピンチャック１２０上のウェハＷの保持位置が調整される。

以上の実施の形態によれば，欠陥検出装置２１で検出されたウェハ表面の画像から，ウェハ外周部の除去部分Ｒ２の幅を測定し，当該幅からレジスト塗布装置４０におけるウェハＷの保持位置の位置ずれを算出することができる。そして，その位置ずれに基づいてウェハＷの保持位置を調整することができる。かかる場合，レジスト塗布装置４０におけるセンタリング調整を簡単な方法で行うことができるので，センタリング調整を短時間で迅速に行うことができる。それ故，例えば塗布現像処理システム１の稼働率を上げることができる。また，センタリング調整が，画像データを用いて正確に行われるので，常に高い精度の位置調整を行うことができる。

また，センタリング調整に用いる画像データを，既存の欠陥検出装置２１を用いて検出できるので，塗布現像処理システム１に別途位置ずれ検出専用の装置を搭載する必要がない。この結果，塗布現像処理システム１の大型化，コストの増大が防止できる。

上記実施の形態では，レジスト塗布装置４０で塗布処理が施されたウェハＷを，現像処理装置５０や露光装置（図示せず）に搬送せず，パターンを形成しない状態で直接欠陥検出装置２１に搬送するようにしたので，ウェハ表面の画像に基づくウェハ表面上の除去領域Ｒ２の幅の測定がパターンの形状等に影響されず，当該除去領域Ｒ２の幅の測定を正確に行うことができる。この結果，センタリング調整を正確に行うことができる。

上記実施の形態では，ウェハ表面上の除去領域Ｒ２の幅を９０°おきに４箇所で測定していたが，等間隔の他の複数箇所で測定してもよい。

以上の実施の形態では，欠陥検出装置２１で検出されるウェハＷの画像データに基づいて，スピンチャック１２０上のウェハＷの保持位置に関するセンタリング調整を行っていたが，レジスト液吐出ノズル１３３に関するセンタリング調整を行ってもよい。以下，かかる場合の一例を説明する。

例えば，レジスト塗布装置４０においてレジスト液が塗布され，外周部のレジスト液が除去されたウェハＷが，欠陥検出装置２１に搬入される。そして欠陥検出装置２１においてウェハＷの画像が検出され，その画像データが制御装置１１５に出力される。制御装置１１５は，当該画像データを解析して，ウェハＷ上のレジスト液の厚さの分布を検出する。このレジスト液の厚さ分布は，例えば画像データを処理し，レジスト液の厚さの違いを色の違いで表すことによって検出する。レジスト塗布時にスピンチャック１２０の回転中心に対してレジスト液吐出ノズル１３３の吐出位置がずれていた場合，この吐出位置に対応するウェハ表面のレジスト液の厚さは他の部分と異なる。これは，例えばウェハ表面における吐出位置には，他の部分に比べてより多くのレジスト液が供給されて，前記吐出位置におけるレジスト液の厚さが他の部分よりも僅かに厚くなるためであると推測できる。この結果，図１０に示すように，ウェハ表面におけるレジスト液吐出ノズル１３３の吐出位置Ｐ１は，厚さの分布において，他の部分と異なる色で表示される。また，レジスト塗布時のスピンチャック１２０の回転中心Ｐ２は，例えばウェハＷが回転載置台１８０に載置される際に，回転載置台１８０の中心位置に一致するように調整されている。

制御装置１１５は，厚さ分布の色からレジスト液吐出ノズル１３３の吐出位置Ｐ１を特定し，その吐出位置Ｐ１とスピンチャック１２０の回転中心Ｐ２とのＸ方向及びＹ方向の位置ずれ量を算出する。制御装置１１５は，算出されたＸ，Ｙ方向の位置ずれを補正値として塗布装置制御部１６０に出力する。塗布装置制御部１６０では，その補正値に基づいて，レジスト液吐出時のレジスト液吐出ノズル１３３の停止位置の設定座標が変更される。こうして，レジスト液吐出時のレジスト液吐出ノズル１３３の吐出位置Ｐ１がスピンチャック１２０の回転中心Ｐ２上に調整される。

かかる場合，レジスト液吐出ノズル１３３のセンタリング調整が欠陥検出装置２１による画像データに基づいて行われるので，そのセンタリング調整が比較的簡単に行われる。それ故，センタリング調整にかかる時間が短縮され，例えば塗布現像処理システム１の稼働率を向上することができる。また，ウェハ表面の画像データに基づいて正確に位置調整できるので，常に精度の高い位置調整を行うことができる。なお，この例では，欠陥検出装置２１が厚み分布検出装置として機能している。

レジスト塗布装置４０におけるウェハＷの回転速度を変えることによって，ウェハ表面におけるレジスト液の厚み分布を変えることができる。前記実施の形態において，レジスト塗布装置４０においてウェハＷにレジスト液を塗布する際に，レジスト液吐出ノズル１３３の吐出位置Ｐ１におけるレジスト液の厚みと他の部分の厚みとの差がより大きくなるように，ウェハＷの回転速度を制御してもよい。かかる場合，欠陥検出装置２１においてウェハＷの表面の厚さ分布から，レジスト液吐出ノズル１３３の吐出位置Ｐ１を特定する際に，厚さ分布における吐出位置Ｐ１の色の相違が明確になる。それ故，吐出位置Ｐ１の特定を簡単かつ正確に行うことができ，この結果レジスト液吐出ノズル１３３の位置調整を正確に行うことができる。

また，レジスト塗布装置４０におけるウェハＷの回転速度を制御して，ウェハＷ表面上のスピンチャック１２０の回転中心Ｐ２におけるレジスト液の厚みと，他の部分の厚みとが異なるようにしてもよい。かかる場合，欠陥検出装置２１においてウェハ表面のレジスト液の厚さ分布を検出することにより，その厚さ分布の色の相違からウェハ表面におけるレジスト液吐出ノズル１３３の吐出位置Ｐ１とスピンチャックＰ２の回転中心Ｐ２を特定することができる。そして，かかる吐出位置Ｐ１と回転中心Ｐ２とのＸ方向，Ｙ方向の位置ずれ量を算出し，当該位置ずれ量に基づいてレジスト液吐出ノズル１３３の吐出位置を調整することができる。

前記実施の形態では，レジスト液の厚さ分布を欠陥検出装置２１によって検出していたが，他の装置，例えば膜厚測定装置２０によって検出してもよい。膜厚測定装置２０では，例えばウェハＷに対し所定の光を照射し，その反射光を検出して解析することによってレジスト液の液膜の厚さを測定できる。

前記実施の形態では，レジスト塗布装置４０においてウェハ表面の全面に塗布液を吐出し，そのレジスト液の厚み分布からレジスト液吐出ノズル１３３の吐出位置Ｐ１を特定していたが，レジスト塗布装置４０においてレジスト液吐出ノズル１３３からウェハ表面の一部にレジスト液を供給し，そのウェハ表面における供給部分の位置に基づいてレジスト液吐出ノズル１３３の吐出位置Ｐ１を特定してもよい。

かかる場合，例えばレジスト塗布装置４０において，吐出位置として設定されている位置にあるレジスト液吐出ノズル１３３から，スピンチャック１２０上のウェハＷに対して所定のレジスト液が吐出される。このとき，ウェハＷは，回転していないか又は極めて低速で回転され，ウェハＷ上に吐出されたレジスト液がウェハ表面の全面に広がらないようにする。この結果，図１１に示すようにウェハＷ上の一部にレジスト液の供給され，ウェハ表面上にレジスト液の供給部分Ｆが形成される。レジスト塗布装置４０においてレジスト液が供給されたウェハＷは，欠陥検出装置２１に搬送され，ウェハ表面の画像が撮像される。この画像の情報は，例えば制御装置１１５において処理され，例えば画像中に現れた供給部分Ｆのウェハ表面における位置に基づいてレジスト液吐出ノズル１３３の吐出位置Ｐ１が特定される。このレジスト液吐出ノズル１３３の吐出位置Ｐ１の特定は，例えば図１２に示すようにＸ，Ｙ方向の沿った４つの直線によって供給部分Ｆの外縁部を四角状に囲み，当該四角状の対角線の交叉する位置を吐出位置Ｐ１とすることによって行われる。レジスト液吐出ノズル１３３の吐出位置Ｐ１が特定されると，例えばその吐出位置Ｐ１とウェハ表面におけるスピンチャック１２０の回転中心Ｐ２との位置ずれ量が算出され，その位置ずれ量に基づいてレジスト液吐出ノズル１３３の位置調整が行われる。この場合，レジスト液吐出ノズル１３３の吐出位置Ｐ１が特定し易く，正確な位置調整を行うことができる。

以上の実施の形態において，欠陥検出装置２１によって検出されたウェハＷの画像に基づいて，上述したウェハＷの保持位置の位置調整とレジスト液吐出ノズル１３３の吐出位置の位置調整の両方を行ってもよいし，いずれか一方のみを行ってもよい。また，レジスト塗布装置４０に関する位置調整を行う場合，レジスト塗布装置４０で塗布処理が施されたウェハＷを，通常のウェハ処理と同様に現像処理装置５０や露光装置に搬送し，ウェハＷ上にパターンを形成してから欠陥検出装置２１に搬送するようにしてもよい。かかる場合，通常のウェハ処理時にレジスト塗布装置４０に関する位置調整を行うことができる。

以上の実施の形態において，センタリング調整を行う際に塗布現像処理システム１に流されるウェハは，製品となる通常のウェハＷであってもよいし，例えばウェハＷと同じ形状を有する位置調整用の治具であってもよい。また。この位置調整用の治具は，予め塗布現像処理システム１内に搭載されていてもよく，かかる場合，例えば図１３に示すように，検査ステーション３のウェハ搬送装置１２がアクセス可能な位置に，位置調整用の治具Ｊを収容する治具収容部としてのバッファ１９０を設けるようにしてもよい。さらに，このバッファ１９０は，欠陥検出装置２１と同じ第１の測定装置群Ｈ１内に設けるようにしてもよい。

また，以上の実施の形態で記載した位置調整は，塗布現像処理システム１の稼働中に定期的行ってもよいし，レジスト塗布装置４０の立ち上げ時，メンテナンス時などに合わせて行うようにしてもよい。

以上の実施の形態は，本発明の一例を示すものであり，本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば，上記実施の形態で記載した塗布現像処理システム１は，装置の種類や数，配置など他の構成を有するものであってもよい。また，上記実施の形態では，本発明を，レジスト液を塗布するレジスト塗布装置に関する位置調整に適用していたが，他の塗布液，例えば反射防止膜を形成するための反射防止膜液，層間絶縁膜を形成するためのＳＯＤ（Spin on Dielectric），ＳＯＧ（Spin on Ｇlass）及びポリイミド膜を形成するためのポリイミドをウェハＷに塗布する塗布処理装置に関する位置調整に適用してもよい。さらに，本発明は，ウェハ以外の基板，例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）基板，マスク基板，レクチル基板などの他の基板にも適用できる。

本発明は，基板上に塗布液を塗布する塗布処理装置において，回転保持部材における基板の保持位置や，塗布液の吐出位置の位置調整を迅速かつ正確に行う際に有用である。

本実施の形態における塗布現像処理装置の構成の概略を示す平面図である。 図１の塗布現像処理装置の正面図である。 図１の塗布現像処理装置の背面図である。 レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。 レジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面の説明図である。 欠陥検出装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。 ウェハ表面を撮像した画像を示す説明図である。 ウェハの保持位置がずれている場合のウェハ表面の様子を示す説明図である。 ウェハ表面における除去領域の幅の測定位置を示す説明図である。 レジスト液吐出ノズルの吐出位置を特定するためのウェハ表面上の厚み分布を示す説明図である。 ウェハ表面の一部にレジスト液を供給した状態を示すウェハの平面図である。 レジスト液吐出ノズルの吐出位置を特定する方法を説明するためのウェハの平面図である。 位置調整用の治具を収容するバッファを設けた場合の塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。

符号の説明

１ 塗布現像処理システム
２１ 欠陥検出装置
３０ａ ウェハ保持アーム
３１ 搬送装置制御部
４０ レジスト塗布装置
１１５ 制御装置
１２０ スピンチャック
１３３ レジスト液吐出ノズル
Ｗ ウェハ

Claims (11)

1. 回転保持部材によって基板を保持し回転させた状態で，前記基板の中央部に塗布液を吐出して，基板の表面に塗布液を拡散させて塗布する工程と，
   その後，前記回転保持部材によって基板を回転させた状態で，一定の位置の除去液吐出部材から前記基板の外周部に対し塗布液の除去液を供給して当該外周部の塗布液を環状に除去する工程と，
   その後，前記基板の表面の画像を撮像する工程と，
   前記基板の表面の画像から，塗布液が除去された前記外周部の幅を測定し，当該測定された外周部の幅から前記回転保持部材における基板の保持位置の位置ずれを導出し，当該位置ずれに基づいて前記基板の保持位置を調整する工程と，を有することを特徴とする，位置調整方法。
2. 前記外周部の幅の測定は，平面から見て基板上で直交する所定の二方向の基板の両端部で行うことを特徴とする，請求項１に記載の位置調整方法。
3. 回転保持部材によって基板を保持し回転させた状態で，塗布液吐出部材から基板の中央部に対し塗布液を吐出して，基板の表面に塗布液を拡散させて塗布する工程と，
   その後，前記基板の表面における前記塗布液の厚みの分布を検出する工程と，
   前記検出された厚みの分布から前記基板の表面における前記塗布液吐出部材の吐出位置を特定して，当該塗布液吐出部材の吐出位置と前記基板の表面における回転保持部材の回転中心との位置ずれを導出し，当該位置ずれに基づいて前記回転保持部材に対する前記塗布液吐出部材の吐出位置を調整する工程と，を有することを特徴とする，位置調整方法。
4. 基板の表面を撮像し，その撮像の情報から前記塗布液の厚みの分布を検出することを特徴とする，請求項３に記載の位置調整方法。
5. 回転保持部材によって保持された基板に対して塗布液吐出部材から所定量の塗布液を吐出して，基板の表面の一部に塗布液を供給する工程と，
   その後，前記基板の表面の画像を撮像する工程と，
   前記基板の表面の画像に現れた前記塗布液の供給部分の位置に基づいて前記基板の表面における塗布液吐出部材の吐出位置を特定し，当該塗布液吐出部材の吐出位置に基づいて前記回転保持部材に対する前記塗布液吐出部材の吐出位置を調整する工程と，を有することを特徴とする，位置調整方法。
6. 基板を保持し回転させる回転保持部材と，前記回転保持部材によって回転された基板の中央部に対し塗布液を吐出して基板の表面に塗布液を塗布する塗布液吐出部材と，前記回転保持部材によって回転された前記基板の外周部に対し塗布液の除去液を吐出して当該外周部の塗布液を環状に除去する除去液吐出部材とを有する塗布処理装置と，
   前記基板の表面の画像を撮像する撮像装置と，
   前記撮像装置により撮像された前記画像から，前記除去液吐出部材により塗布液が除去された基板の外周部の幅を測定し，当該測定された外周部の幅から前記回転保持部材における基板の保持位置の位置ずれを導出し，当該位置ずれに基づいて前記回転保持部材における基板の保持位置を調整する位置調整装置と，を備えたことを特徴とする，基板処理システム。
7. 前記撮像装置は，基板の表面の画像を撮像して基板の表面の欠陥を検出する欠陥検出装置であることを特徴とする，請求項６に記載の基板処理システム。
8. 基板を保持し回転させる回転保持部材と，前記回転保持部材によって回転された基板の中央部に対し塗布液を吐出して基板の表面に塗布液を塗布する塗布液吐出部材とを有する塗布処理装置と，
   前記基板の表面における塗布液の厚みの分布を検出する厚み分布検出装置と，
   前記厚み分布検出装置により検出された前記厚みの分布から前記基板の表面における前記塗布液吐出部材の吐出位置を特定して，当該塗布液吐出部材の吐出位置と前記基板の表面における回転保持部材の回転中心との位置ずれを導出し，当該位置ずれに基づいて前記回転保持部材に対する前記塗布液吐出部材の吐出位置を調整する位置調整装置と，を備えたことを特徴とする，基板処理システム。
9. 前記厚み分布検出装置は，基板の表面を撮像し，その撮像の情報から前記塗布液の厚みの分布を検出できるものであることを特徴とする，請求項８に記載の基板処理システム。
10. 前記厚み分布検出装置は，基板の表面の画像を撮像して基板の表面の欠陥を検出する欠陥検出装置であることを特徴とする，請求項９に記載の基板処理システム。
11. 基板を保持し回転させる回転保持部材と，前記回転保持部材によって回転された基板に対し塗布液を吐出して基板の表面の一部に塗布液を供給する塗布液吐出部材とを有する塗布処理装置と，
    前記基板の表面の画像を撮像する撮像装置と，
    前記基板の表面の画像に現れた前記塗布液の供給部分の位置に基づいて前記基板の表面における塗布液吐出部材の吐出位置を特定し，当該塗布液吐出部材の吐出位置に基づいて前記回転保持部材に対する前記塗布液吐出部材の吐出位置を調整する位置調整装置と，を備えたことを特徴とする，基板処理システム。

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