JP2018032766A - 周縁部処理装置および周縁部処理方法 - Google Patents

周縁部処理装置および周縁部処理方法 Download PDF

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Abstract

【課題】基板の周縁部の処理を高い精度で行うことが可能な周縁部処理装置および周縁部処理方法を提供する。
【解決手段】スピンチャック２５により基板Ｗが保持され、回転される。スピンチャック２５により回転される基板Ｗに吐出部２１２から処理液が吐出される。吐出部２１２は、一方向に並ぶ複数の吐出口を有し、複数の吐出口からそれぞれ選択的に処理液を吐出可能である。吐出部２１２の複数の吐出口の並びがスピンチャック２５により回転される基板Ｗの周縁部を横切りかつ周縁部に対向する状態で、周縁部の内縁から外方に処理液が供給される。基板Ｗの周縁部の内縁よりも内方には処理液が供給されない。
【選択図】図４

Description

本発明は、処理液を用いて基板の周縁部を処理する周縁部処理装置および周縁部処理方法に関する。
基板処理装置においては、スピンチャックにより水平に支持された基板が回転される。この状態で、基板の上面の略中央部にノズルから処理液が吐出されることにより、基板の表面全体に処理液が供給される。その後、所定の熱処理が行われることにより、基板の表面に処理液からなる薄膜が形成される。ここで、基板の周縁部に薄膜が形成されると、基板を搬送する搬送装置が基板の周縁部を把持した際に、膜が剥離してパーティクルとなる。そこで、基板の表面全体への処理液の供給後に基板の周縁部の処理液を除去する処理が行われる（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１の塗布膜除去装置においては、スピンチャックに保持された基板の周縁部の位置が検出機構により検出される。この状態で、スピンチャックが３６０°回転することにより、スピンチャックの回転位相とそれに対応する基板の周縁部の位置とが取得される。回転する基板の周縁部にリンス液吐出ノズルからリンス液が吐出されることにより、基板の周縁部のレジスト液が除去される。リンス液の吐出時には、スピンチャックの回転に伴う基板の周縁部の位置変動分が補償されるように、スピンチャックまたはリンス液吐出ノズルの位置がアライメント機構により調整される。
特開２００１−１１０７１２号公報
特許文献１には、基板の周縁部に形成された不要な塗布膜を高い精度で除去できると記載されている。しかしながら、特許文献１の方法では、除去後の塗布膜の外周部に盛り上がりが発生する。そのため、基板の周縁部における塗布膜の形状を正確に制御することができず、基板の周縁部を高い精度で処理することは困難である。
本発明の目的は、基板の周縁部の処理を高い精度で行うことが可能な周縁部処理装置および周縁部処理方法を提供することである。
（１）第１の発明に係る周縁部処理装置は、少なくとも一部が円形の外周部を有する基板の一面における外周部に沿った環状の周縁部に処理を行う周縁部処理装置であって、基板を保持して回転させる回転保持部と、一方向に並ぶ複数の吐出口を有し、複数の吐出口からそれぞれ選択的に処理液を吐出可能に構成された吐出部と、吐出部の複数の吐出口の並びが回転保持部により回転される基板の周縁部を横切りかつ周縁部に対向する状態で、周縁部の内縁よりも内方に処理液が供給されずかつ周縁部の内縁から外方に処理液が供給されるように、吐出部の複数の吐出口からの処理液の吐出を制御する吐出制御部とを備える。
この周縁部処理装置においては、回転保持部により基板が保持され、回転される。回転保持部により回転される基板に吐出部から処理液が吐出される。ここで、吐出部は、一方向に並ぶ複数の吐出口を有し、複数の吐出口からそれぞれ選択的に処理液を吐出可能である。吐出部の複数の吐出口の並びが回転保持部により回転される基板の周縁部を横切りかつ周縁部に対向する状態で、周縁部の内縁から外方に処理液が供給される。
この構成によれば、基板の周縁部の内縁よりも内方には吐出部から処理液が供給されない。また、基板の周縁部の内縁から外方に処理液を供給する際に高い圧力で処理液を吐出する必要がない。そのため、基板の一面からの処理液の跳ね返りが低減し、処理液が基板の周縁部の内縁よりも内方に跳ね返ることが防止される。これにより、基板の周縁部の処理を高い精度で行うことができる。
（２）周縁部処理装置は、回転保持部により回転される基板の外周部の位置の変化を検出する位置変化検出部と、位置変化検出部により検出された基板の外周部の位置の変化に基づいて、回転保持部に保持された基板の回転角度と複数の吐出口のうち処理液を吐出すべき１以上の吐出口との関係を決定する吐出口決定部とをさらに備え、吐出制御部は、回転保持部により回転される基板の回転角度および吐出口決定部により決定された関係に基づいて吐出部の複数の吐出口のうち１以上の吐出口から処理液を吐出させてもよい。この構成によれば、基板の中心が回転保持部の回転中心に対して偏心している場合でも、基板の周縁部の処理を高い精度で行うことができる。
（３）位置変化検出部は、回転保持部により回転される基板の外周部の位置と吐出部の複数の吐出口の位置との関係を基板の回転角度ごとに検出する位置関係検出部を含み、吐出口決定部は、位置関係検出部により検出された関係に基づいて、回転保持部に保持された基板の回転角度と複数の吐出口のうち処理液を吐出すべき１以上の吐出口との関係を決定してもよい。この場合、基板の外周部の位置と吐出部の複数の吐出口の位置との関係が特定される。これにより、吐出部が固定されていない場合でも、基板の周縁部の処理をより高い精度で行うことができる。
（４）位置関係検出部は、基板の外周部および吐出部の画像を示す画像データを生成し、生成した画像データに基づいて基板の外周部の位置と吐出部の複数の吐出口の位置との関係を検出してもよい。この場合、画像データに基づいて、簡単な構成で外周部の位置と吐出部の複数の吐出口の位置との関係を特定することができる。
（５）吐出口決定部は、複数の吐出口のうち処理液を吐出すべき１以上の第１の吐出口として基板の周縁部の内縁に対向する吐出口および内縁よりも外方の領域に対向する吐出口を決定し、吐出制御部は、吐出口決定部により決定された１以上の第１の吐出口から処理液を吐出させてもよい。この場合、基板の周縁部に正確かつ確実に処理液を供給することができる。
（６）吐出口決定部は、回転保持部により回転される基板の外周部の位置の変化を示す周期曲線を決定するとともに、周期曲線に基づいて１以上の第１の吐出口を決定してもよい。この場合、周期曲線に基づいて処理液を吐出すべき１以上の吐出口をより容易に決定することができる。
（７）吐出口決定部は、位置変化検出部により検出された関係に基づいて、複数の吐出口のうち処理液を吐出すべきでない１以上の第２の吐出口として基板の外周部よりも外方に位置する吐出口を決定し、吐出制御部は、吐出口決定部により決定された１以上の第２の吐出口から処理液を吐出させなくてもよい。この場合、基板の周縁部の処理に影響を与えることなく処理液の消費量を削減することができる。
（８）周縁部処理装置は、吐出部を回転保持部により保持された基板の周縁部に対向する位置に移動させる移動部と、移動部の動作を制御する移動制御部とをさらに備え、移動制御部は、位置変化検出部により検出された基板の外周部の位置の変化に基づいて、複数の吐出口の並びが回転保持部により回転される基板の周縁部を横切りかつ周縁部に対向する位置に移動するように移動部を制御してもよい。
この場合、周縁部処理時に、吐出部を基板の周縁部に対向する位置に適切に配置することができる。また、周縁部処理以外の処理時に吐出部を基板の周縁部に対向する位置に配置する必要がない。これにより、他の処理を円滑に実行することができる。
（９）複数の吐出口は、基板の周縁部に塗布された液を除去するための除去液を処理液として吐出してもよい。この場合、周縁部処理装置は基板の周縁部に塗布された液を除去する除去処理を行うことができる。
（１０）複数の吐出口は、基板の周縁部に塗布膜を形成するための塗布液を処理液として吐出してもよい。この場合、周縁部処理装置は基板の周縁部に塗布膜を形成する塗布処理を行うことができる。
（１１）吐出部は、インクジェット方式のヘッドを含んでもよい。この場合、吐出部の複数の吐出口からそれぞれ選択的に処理液を容易に吐出することができる。
（１２）第２の発明に係る周縁部処理方法は、少なくとも一部が円形の外周部を有する基板の一面における外周部に沿った環状の周縁部に処理を行う周縁部処理方法であって、回転保持部により基板を保持して回転させるステップと、吐出部から処理液を吐出するステップとを含み、吐出部は、一方向に並ぶ複数の吐出口を有し、複数の吐出口からそれぞれ選択的に処理液を吐出可能であり、処理液を吐出するステップは、吐出部の複数の吐出口の並びが回転保持部により回転される基板の周縁部を横切りかつ周縁部に対向する状態で、周縁部の内縁よりも内方に処理液を供給せずかつ周縁部の内縁から外方に処理液を供給することを含む。
この周縁部処理方法によれば、回転保持部により基板が保持され、回転される。回転保持部により回転される基板に吐出部から処理液が吐出される。ここで、吐出部は、一方向に並ぶ複数の吐出口を有し、複数の吐出口からそれぞれ選択的に処理液を吐出可能である。吐出部の複数の吐出口の並びが回転保持部により回転される基板の周縁部を横切りかつ周縁部に対向する状態で、周縁部の内縁から外方に処理液が供給される。
この方法によれば、基板の周縁部の内縁よりも内方には吐出部から処理液が供給されない。また、基板の周縁部の内縁から外方に処理液を供給する際に高い圧力で処理液を吐出する必要がない。そのため、基板の一面からの処理液の跳ね返りが低減し、処理液が基板の周縁部の内縁よりも内方に跳ね返ることが防止される。これにより、基板の周縁部の処理を高い精度で行うことができる。
本発明によれば、基板の周縁部の処理を高い精度で行うことができる。
本発明の一実施の形態に係る塗布処理ユニットの構成を示す模式的平面図である。 図１のノズルユニットの構成を示す模式的斜視図である。 図２の吐出部を示す模式的底面図である。 ノズルユニットの動作の一例を説明するための図である。 ノズルユニットの動作の他の例を説明するための図である。 図１の塗布処理ユニットに設けられる一方の位置検出ユニットの模式的側面図である。 図６の位置検出ユニットの模式的平面図である。 図１の塗布処理ユニットを制御するためのローカルコントローラの構成を示すブロック図である。 図８のローカルコントローラの動作を説明するための図である。 吐出部の吐出領域を決定する方法を説明するための図である。 吐出部の制御を説明するための図である。 基板の周縁部を処理するための周縁部処理を示すフローチャートである。 図１の塗布処理ユニットを備えた基板処理装置の模式的平面図である。 図１３の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。 図１３の熱処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。 搬送部の内部構成を示す模式的側面図である。
以下、本発明の一実施の形態に係る周縁部処理装置および周縁部処理方法について図面を用いて説明する。本実施の形態では、周縁部処理装置の例として、基板に塗布処理を行う塗布処理ユニットについて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。また、本実施の形態で用いられる基板は、少なくとも一部が円形の外周部を有する。例えば、位置決め用のノッチを除く外周部が円形を有する。
（１）塗布処理ユニットの構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る塗布処理ユニットの構成を示す模式的平面図である。図１に示すように、塗布処理ユニット（スピンコータ）１０は、待機部２０、複数のスピンチャック２５、複数のカップ２７、複数の塗布液ノズル２８、ノズル搬送装置２９、複数のノズルユニット２００および複数の位置検出ユニット３００を備える。
本実施の形態においては、スピンチャック２５、カップ２７、ノズルユニット２００および位置検出ユニット３００は、各塗布処理ユニット１０に２つずつ設けられる。位置検出ユニット３００の詳細については後述する。
各スピンチャック２５は、基板Ｗを保持した状態で、図示しない電動モータ等の駆動装置により回転駆動される。カップ２７はスピンチャック２５の周囲を取り囲むように設けられる。待機時には、各塗布液ノズル２８は待機部２０に挿入される。各塗布液ノズル２８には、図示しない塗布液貯留部から塗布液配管を通して種々の塗布液が供給される。
複数の塗布液ノズル２８のうちのいずれかの塗布液ノズル２８がノズル搬送装置２９により基板Ｗの上方に移動される。スピンチャック２５が回転しつつ塗布液ノズル２８から塗布液（本例では、レジスト液等の感光性液）が吐出されることにより、回転する基板Ｗ上に塗布液が塗布される。これにより、基板Ｗに塗布液の膜（以下、塗布膜と呼ぶ。）が形成される。
ノズルユニット２００は、回転する基板Ｗの周縁部に向けて除去液（本例ではリンス液）を吐出する。ここで、基板Ｗの周縁部とは、基板Ｗの円形の外周部とその外周部から一定距離内側の円との間の環状領域をいう。これにより、基板Ｗの周縁部に形成された塗布膜が溶解される。その結果、基板Ｗの周縁部の塗布膜が除去される。
（２）ノズルユニットの構成
図２は、図１の塗布処理ユニット１０に設けられる一方のノズルユニット２００の構成を示す模式的斜視図である。塗布処理ユニット１０に設けられる他方のノズルユニット２００の構成は、図２のノズルユニット２００の構成と同様である。図２に示すように、ノズルユニット２００は、ヘッド部２１０、温調部２２０、貯留部２３０およびノズル搬送装置２４０（後述する図８）を含む。
ヘッド部２１０は、インクジェット方式のヘッドにより構成され、支持部２１１および吐出部２１２を含む。吐出部２１２は、一方向に延びる略直方体形状を有し、矩形状の一対の端面２１２Ａ，２１２Ｂ、矩形状の一対の側面２１２Ｃ，２１２Ｄ、矩形状の上面２１２Ｅおよび矩形状の底面２１２Ｆを含む。
一対の端面２１２Ａ，２１２Ｂは、吐出部２１２の長手方向における両端部にそれぞれ位置する。一対の側面２１２Ｃ，２１２Ｄは、吐出部２１２の幅方向における両端部にそれぞれ位置する。支持部２１１は、吐出部２１２の上面２１２Ｅに形成され、ノズル搬送装置２４０（後述する図８）に取り付けられる。吐出部２１２は、底面２１２Ｆからリンス液を吐出する。
温調部２２０は、吐出部２１２の側面２１２Ｃに接触するように取り付けられる。温調部２２０の内部には、温度調整された純水等の温調媒体が循環される。これにより、吐出部２１２から吐出されるリンス液の温度が調整される。貯留部２３０には、リンス液が貯留される。貯留部２３０内に貯留されたリンス液は、ヘッド部２１０の吐出部２１２に供給される。
図３は、図２の吐出部２１２を示す模式的底面図である。図３に示すように、吐出部２１２の略矩形状の底面２１２Ｆには、リンス液を吐出する複数の吐出口２１３が形成される。図３の例においては、複数の吐出口２１３のうち略半数の吐出口２１３ａおよび残りの略半数の吐出口２１３ｂが、吐出部２１２の長手方向に沿って２列に並ぶように配置される。
隣り合う２つの吐出口２１３ａの中心間の距離（ピッチ）および隣り合う２つの吐出口２１３ｂの中心間の距離（ピッチ）はそれぞれＬ１である。長手方向において、隣り合う吐出口２１３ａと吐出口２１３ｂとの中心間の距離（ピッチ）はＬ１／２である。すなわち、長手方向において、各吐出口２１３ｂは隣り合う吐出口２１３ａ間の中心に位置し、各吐出口２１３ａは隣り合う吐出口２１３ｂ間の中心に位置する。幅方向において、吐出口２１３ａと吐出口２１３ｂとの中心間の距離（ピッチ）はＬ２である。
本例においては、距離Ｌ１は、例えば０．１６９３ｍｍである。距離Ｌ２は、例えば０．５０８ｍｍである。距離Ｌ１，Ｌ２は、これらの値に限定されず、他の値であってもよい。また、各吐出口２１３ａの寸法（面積）と各吐出口２１３ｂの寸法（面積）とは、等しくてもよいし、異なってもよい。
以下の説明において、複数の吐出口２１３のうち、端面２１２Ａに最も近い吐出口２１３（本例では吐出口２１３ａ）を、特に端部吐出口２１３Ａと呼ぶ。複数の吐出口２１３のうち、端面２１２Ｂに最も近い吐出口２１３（本例では吐出口２１３ｂ）を、特に端部吐出口２１３Ｂと呼ぶ。
吐出部２１２は、複数の吐出口２１３に除去液をそれぞれ導く複数の流路を有する。複数の流路には、それぞれピエゾ素子等の加圧素子が設けられる。複数の流路に設けられた加圧素子がそれぞれ独立に制御されることにより、複数の吐出口２１３からの除去液の吐出がそれぞれ独立に制御される。
（３）ノズルユニットの動作
図４（ａ）〜（ｃ）は、ノズルユニット２００の動作の一例を説明するための図である。図４においては、図２の温調部２２０の図示が省略される。後述する図５においても同様である。図４（ａ）に示すように、基板Ｗの表面には、図１の塗布液ノズル２８により塗布膜Ｆが形成されている。塗布膜Ｆが除去されるべき基板Ｗの周縁部の幅Ｅ（以下、エッジカット幅Ｅと呼ぶ。）は、予め設定されている。
周縁部の塗布膜Ｆの除去時には、ヘッド部２１０は、ノズル搬送装置２４０（後述する図８）により所定の待機位置から基板Ｗの周縁部の上方の吐出位置に移動される。吐出位置においては、吐出部２１２が基板Ｗの半径方向に延びかつ基板Ｗの周縁部が吐出部２１２の底面２１２Ｆに対向するようにヘッド部２１０が位置決めされる。これにより、吐出部２１２の端面２１２Ａは基板Ｗの周縁部よりも外方に位置し、吐出部２１２の端面２１２Ｂは基板Ｗの周縁部よりも内方に位置する。
上記のように、吐出部２１２は、図３の複数の吐出口２１３から個別にリンス液を吐出可能に構成される。また、後述するように、吐出位置における吐出部２１２と基板Ｗとの位置関係が特定される。そこで、基板Ｗの周縁部の塗布膜Ｆがエッジカット幅Ｅだけ除去されるように、複数の吐出口２１３のうち、リンス液を吐出する吐出口２１３とリンス液を吐出しない吐出口２１３とが決定される。
図４（ｂ）の例では、吐出部２１２の長手方向において、吐出口２１３Ａ（図３）から吐出部２１２の端面２１２Ｂに向かって幅ｗ１の領域に含まれる複数の吐出口２１３（図３）からリンス液Ｒが吐出される。一方、吐出部２１２の長手方向において、吐出口２１３Ｂ（図３）から吐出部２１２の端面２１２Ａに向かって幅ｗ２の領域に含まれる複数の吐出口２１３からはリンス液Ｒが吐出されない。
これにより、図４（ｃ）に示すように、基板Ｗの周縁部におけるエッジカット幅Ｅの領域内の塗布膜Ｆの部分が除去される。この構成によれば、除去後の塗布膜Ｆの外周部に盛り上がり（図４（ｃ）の二点鎖線参照）が発生することが防止される。これにより、基板Ｗの周縁部の塗布膜Ｆの除去を高い精度で行うことができる。
図５（ａ）〜（ｃ）は、ノズルユニット２００の動作の他の例を説明するための図である。基板Ｗは、その中心がスピンチャック２５の回転中心に略一致するように載置される。しかしながら、基板Ｗをスピンチャック２５に搬送する搬送装置における種々の部材の機械精度の制限により、基板Ｗの中心とスピンチャック２５の回転中心とには、１００μｍ程度のずれが生じる。
この状態でスピンチャック２５が回転すると、図５（ａ）に太い矢印で示すように、基板Ｗの外周部の位置が変化する。図５（ａ）においては、最内方に変位した基板Ｗが実線で図示され、最外方に変位した基板Ｗが二点鎖線で図示される。変位の振幅はΔＡである。なお、ここで用いられる振幅とは、全振幅（両振幅）、すなわちピークトゥピーク値を意味する。このような場合でも、基板Ｗの変位に応じて周縁部の塗布膜Ｆがエッジカット幅Ｅだけ除去されるように、複数の吐出口２１３のうち、リンス液を吐出する吐出口２１３とリンス液を吐出しない吐出口２１３とが基板Ｗの回転角度に対応して逐次決定される。
図５（ｂ）の例では、基板Ｗが最外方に変位する。このとき、吐出部２１２の長手方向において、吐出口２１３Ａ（図３）から吐出部２１２の端面２１２Ｂに向かって幅ｗ３の領域に含まれる複数の吐出口２１３（図３）からリンス液Ｒが吐出される。一方、吐出部２１２の長手方向において、吐出口２１３Ｂ（図３）から吐出部２１２の端面２１２Ａに向かって幅ｗ４の領域に含まれる複数の吐出口２１３からはリンス液Ｒが吐出されない。
図５（ｃ）の例では、基板Ｗが最内方に変位する。このとき、吐出部２１２の長手方向において、吐出口２１３Ａから吐出部２１２の端面２１２Ｂに向かって幅ｗ５の領域に含まれる複数の吐出口２１３からリンス液Ｒが吐出される。一方、吐出部２１２の長手方向において、吐出口２１３Ｂから吐出部２１２の端面２１２Ａに向かって幅ｗ６の領域に含まれる複数の吐出口２１３からはリンス液Ｒが吐出されない。幅ｗ５は幅ｗ３よりも大きく、幅ｗ６は幅ｗ４よりも小さい。
これにより、図４（ｃ）の例と同様に、基板Ｗの周縁部におけるエッジカット幅Ｅの領域内の塗布膜Ｆの部分が除去される。この構成によれば、基板Ｗの中心とスピンチャック２５の回転中心とがずれていることにより基板Ｗがスピンチャック２５に関して偏心して回転する場合でも、基板Ｗの周縁部の塗布膜Ｆの除去を高い精度で行うことができ、エッジカット幅Ｅを所望の一定値にすることができる。以下の説明において、幅ｗ１，ｗ３，ｗ５の領域のように、吐出部２１２の底面２１２Ｆにおけるリンス液Ｒを吐出する領域を吐出領域と呼ぶ。
（４）位置検出ユニットの構成
図６は、図１の塗布処理ユニット１０に設けられる一方の位置検出ユニット３００の模式的側面図である。図７は、図６の位置検出ユニット３００の模式的平面図である。塗布処理ユニット１０に設けられる他方の位置検出ユニット３００の構成は、図６および図７の位置検出ユニット３００の構成と同様である。
本実施の形態では、図６および図７に示すように、位置検出ユニット３００は単一の撮像装置３１０により構成される。撮像装置３１０は、照明部３１１、反射ミラー３１２およびＣＣＤ（電荷結合素子）ラインセンサ３１３を備える。
照明部３１１は基板Ｗの周縁部の上方に配置される。反射ミラー３１２は、ノズルユニット２００を挟んで照明部３１１と対向するように基板Ｗの上方に配置される。反射ミラー３１２の上方にＣＣＤラインセンサ３１３が配置される。ＣＣＤラインセンサ３１３は、画素が一列に並ぶように配置される。
照明部３１１から帯状の光（以下、照明光と呼ぶ。）が発生される。照明光は、基板Ｗの周縁部に照射される。また、照明光の一部はノズルユニット２００の下端に照射される。照射された照明光は、基板Ｗ上で反射され、さらに反射ミラー３１２上で反射され、ＣＣＤラインセンサ３１３に入射する。
これにより、基板Ｗの周縁部およびその近傍の領域（以下、周縁部領域と略記する。）が撮像されるとともに、ノズルユニット２００の下端の吐出部２１２（図２）の下端が撮像される。基板Ｗの周縁部領域および吐出部２１２の画像を示す画像データは、後述する図８のローカルコントローラ４００に与えられる。
（５）ローカルコントローラの構成
図８は、図１の塗布処理ユニット１０を制御するためのローカルコントローラ４００の構成を示すブロック図である。図８に示すように、ローカルコントローラ４００は、記憶部４１０および主制御部４２０を含む。記憶部４１０は、例えば不揮発性メモリまたはハードディスクにより構成される。記憶部４１０には、塗布処理ユニット１０の動作を制御するためのプログラムが記憶されるとともに、種々のデータが記憶される。また、記憶部４１０には、予め設定されたエッジカット幅Ｅを示す情報が記憶される。
主制御部４２０は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）により構成され、搬送制御部４２１、回転制御部４２２、撮像制御部４２３、基板位置算出部４２４、ノズル位置算出部４２５、吐出口決定部４２６および吐出制御部４２７を含む。主制御部４２０が記憶部４１０に記憶されたプログラムを実行することにより、搬送制御部４２１、回転制御部４２２、撮像制御部４２３、基板位置算出部４２４、ノズル位置算出部４２５、吐出口決定部４２６および吐出制御部４２７の機能が実現される。
搬送制御部４２１は、ノズルユニット２００のヘッド部２１０（図２）を待機位置と吐出位置との間で移動させるようにノズル搬送装置２４０を制御する。回転制御部４２２は、基板Ｗを保持、回転または停止させるようにスピンチャック２５を制御するとともに、スピンチャック２５の回転速度を制御する。また、スピンチャック２５には、エンコーダが設けられる。回転制御部４２２は、スピンチャック２５のエンコーダから出力信号を取得し、スピンチャック２５の回転角度（基板Ｗの回転角度）を検出する。例えば、基板Ｗのノッチが予め定められた方向を向く状態を基準角度（０度）と定義する。回転角度は基準角度からの基板Ｗの回転角度である。
撮像制御部４２３は、基板Ｗの周縁部領域および吐出部２１２を撮像することにより画像データを生成するように位置検出ユニット３００を制御する。また、撮像制御部４２３は、位置検出ユニット３００から基板Ｗの周縁部領域および吐出部２１２の画像を示す画像データを取得する。
基板位置算出部４２４は、回転制御部４２２により検出された基板Ｗの回転角度と、撮像制御部４２３により取得された画像データとに基づいて、基板Ｗの半径方向における基板Ｗの外周部の位置を回転角度ごとに算出する。ノズル位置算出部４２５は、撮像制御部４２３により取得された画像データに基づいて、基板Ｗに対する吐出部２１２の位置を算出する。
吐出部２１２における各吐出口２１３（図３）の位置は、既知である。そこで、吐出口決定部４２６は、基板位置算出部４２４により算出された基板Ｗの外周部の位置と、ノズル位置算出部４２５により算出された吐出部２１２の位置とに基づいて、リンス液を吐出する吐出口２１３を基板Ｗの回転角度ごとに決定する。吐出制御部４２７は、回転制御部４２２により検出される基板Ｗの回転角度に応じて、吐出口決定部４２６により決定された吐出口２１３からリンス液を吐出し、他の吐出口２１３からはリンス液を吐出しないように吐出部２１２を制御する。
（６）ローカルコントローラの動作
図９（ａ）〜（ｃ）は、図８のローカルコントローラ４００の動作を説明するための図である。図９（ａ）〜（ｃ）においては、最外方に変位した基板Ｗの外周部が二点鎖線で図示され、最内方に変位した基板Ｗの外周部が実線で図示される。図９（ａ）に示すように、基板Ｗが回転されつつ位置検出ユニット３００により基板Ｗの周縁部領域が撮像される。これにより、基板Ｗの周縁部領域の画像を示す画像データが生成される。
位置検出ユニット３００により生成された画像データが撮像制御部４２３（図８）により取得される。これにより、基板Ｗの回転角度ごとの基板Ｗの外周部の位置が基板位置算出部４２４により算出される。最外方に変位した基板Ｗの外周部の位置と最内方に変位した基板Ｗの外周部の位置との差（基板Ｗの変位の振幅）はΔＡである。振幅ΔＡは、基板Ｗの回転中心（スピンチャック２５の回転中心）に対する基板Ｗの中心の偏心量に相当する。吐出部２１２の吐出領域の長さは、エッジカット幅Ｅと上記の振幅ΔＡとの合計以上である。
次に、図８のノズル搬送装置２４０が搬送制御部４２１に制御されることにより、図９（ｂ）に示すように、吐出部２１２が待機位置から吐出位置に移動される。この場合、搬送制御部４２１は、吐出部２１２の複数の吐出口２１３の並びが基板Ｗの半径方向に略一致し、かつ吐出部２１２の端部吐出口２１３Ａ（図３）が最外方に位置した基板Ｗの外周部の位置よりも外方にあるようにノズル搬送装置２４０を制御する。これにより、基板Ｗの回転に伴って基板Ｗの外周部の位置が変化しても、吐出部２１２の吐出領域が基板Ｗの周縁部に対向する。
この状態で、位置検出ユニット３００により回転する基板Ｗの周縁部領域および吐出部２１２が撮像される。これにより、基板Ｗの周縁部領域および吐出部２１２の画像を示す画像データが生成される。
位置検出ユニット３００により生成された画像データが撮像制御部４２３により取得される。これにより、基板Ｗの外周部の位置に対する吐出部２１２の位置が基板Ｗの回転角度ごとにノズル位置算出部４２５（図８）により算出される。ここで、吐出部２１２における各吐出口２１３（図３）の位置は既知であるため、基板Ｗの外周部の位置に対する各吐出口２１３の位置が基板Ｗの回転角度ごとに特定される。その後、基板Ｗの外周部の位置に対する各吐出口２１３の位置に基づいて、リンス液を吐出すべき吐出口２１３（吐出領域）が基板Ｗの回転角度ごとに吐出口決定部４２６（図８）により決定される。
具体的には、図９（ｃ）に示すように、基板Ｗが最外方に変位したときの吐出部２１２の吐出領域が決定される。当該吐出領域は、図５（ｂ）の幅ｗ３の領域に相当する。また、基板Ｗが最内方に変位したときの吐出部２１２の吐出領域が決定される。当該吐出領域は、図５（ｃ）の幅ｗ５の領域に相当する。これらの吐出領域は、基板Ｗの周縁部の内縁に対向する吐出口２１３およびその内縁よりも外方の領域に対向する吐出口２１３に相当する。
図１０（ａ）〜（ｃ）は、吐出部２１２の吐出領域を決定する方法を説明するための図である。図１０（ａ）〜（ｃ）においては、横軸は基板Ｗの回転角度を示し、縦軸は吐出部２１２の吐出領域の幅を示す。図１０（ａ）の例では、上記のように、吐出領域の幅ｗ３，ｗ５が決定される。その後、最外方と最内方との間で基板Ｗの外周部の位置が変位したときの基板Ｗの回転角度と吐出領域の幅との関係が吐出口決定部４２６により正弦曲線または余弦曲線で補間される。
図１０（ａ）においては、補間された吐出領域の幅を示す曲線が二点鎖線で示される。曲線の振幅は、幅ｗ３と幅ｗ５との差であり、基板Ｗの外周部の変位の振幅ΔＡに等しい。図１０（ａ）の例では２つの吐出領域の幅ｗ３，ｗ５に基づいて他の位置に基板Ｗの外周部が変位したときの基板Ｗの回転角度と吐出領域の幅との関係が補間されるが、本発明はこれに限定されない。
図１０（ｂ）の例では、最外方と最内方との中間位置に基板Ｗの外周部が変位したときの基板Ｗの回転角度と吐出領域の幅との関係が、幅ｗ３，ｗ５の決定方法と同様の方法で予め決定される。その後、他の位置に基板Ｗの外周部が変位したときの基板Ｗの回転角度と吐出領域の幅との関係が補間される。図１０（ｃ）の例では、基板のさらに多数の回転角度での基板Ｗの回転角度と吐出領域の幅との関係の関係が幅ｗ３，ｗ５の決定方法と同様の方法で決定される。
図１１は、吐出部２１２の制御を説明するための図である。図１１の上部において、横軸は基板Ｗの回転角度を示し、縦軸は基板Ｗの外周部の位置を示す。基板Ｗの外周部の位置は、スピンチャック２５（図１）の回転中心を原点（０）として表される。図１１の下部において、横軸は基板Ｗの回転角度を示し、縦軸は吐出部２１２の吐出領域の幅を示す。吐出部２１２の吐出領域の幅は、吐出部２１２の長手方向における端部吐出口２１３Ａの位置を原点（０）として表される。
以下、図１１の上部における板Ｗの外周部の位置の変化を示す曲線を位置変化曲線と呼び、図１１の下部における吐出部２１２の吐出領域の幅を示す曲線を幅変化曲線と呼ぶ。図１１に示すように、幅変化曲線と位置変化曲線との位相差がπとなるように、吐出領域の吐出口２１３（図３）からリンス液を吐出するように吐出部２１２が吐出制御部４２７（図８）により制御される。この場合、吐出制御部４２７は、吐出部２１２の吐出領域の幅の変化が基板Ｗの回転速度に同期するように吐出部２１２を制御する。これにより、基板Ｗの中心が基板Ｗの回転中心から偏心している場合でも、塗布膜Ｆの除去される部分の幅が一定となる。
（７）周縁部処理
図１２は、基板Ｗの周縁部を処理するための周縁部処理を示すフローチャートである。以下、図８を参照しながらローカルコントローラ４００の主制御部４２０による周縁部処理を説明する。周縁部処理は、基板Ｗに塗布膜が形成された直後に、基板Ｗがスピンチャック２５により引き続き回転される状態で実行される。
まず、主制御部４２０は、回転する基板Ｗの周縁部領域を位置検出ユニット３００により撮像する（ステップＳ１）。次に、主制御部４２０は、生成された画像データを取得する（ステップＳ２）。続いて、主制御部４２０は、取得された画像データに基づいて、基板Ｗの外周部の位置を回転角度ごとに算出する（ステップＳ３）。
次に、主制御部４２０は、ノズル搬送装置２４０によりヘッド部２１０（図２）を待機位置から吐出位置に移動させる（ステップＳ４）。この状態で、主制御部４２０は、回転する基板Ｗの周縁部領域とともに、ヘッド部２１０の吐出部２１２を位置検出ユニット３００により撮像する（ステップＳ５）。続いて、主制御部４２０は、生成された画像データを取得する（ステップＳ６）。その後、主制御部４２０は、取得された画像データに基づいて、基板Ｗの外周部に対する吐出部２１２の位置を算出する（ステップＳ７）。
次に、主制御部４２０は、基板Ｗに対する吐出部２１２の各吐出口２１３（図３）の位置を特定する（ステップＳ８）。続いて、主制御部４２０は、基板Ｗの外周部の位置、基板Ｗに対する吐出部２１２の各吐出口２１３の位置および予め設定されたエッジカット幅Ｅに基づいて、吐出部２１２の吐出領域の幅を基板Ｗの回転角度ごとに決定する（ステップＳ９）。
その後、主制御部４２０は、基板Ｗの回転角度ごとの吐出領域の幅を変化させながら吐出部２１２の吐出領域に相当する１以上の吐出口２１３からからリンス液を吐出する（ステップＳ１０）。吐出部２１２がリンス液を吐出しながら基板Ｗが１回転以上の予め定められた回転数だけ回転した後、主制御部４２０は、ノズル搬送装置２４０によりヘッド部２１０を吐出位置から待機位置に移動させ（ステップＳ１１）、処理を終了する。
（８）基板処理装置の構成
図１３は、図１の塗布処理ユニット１０を備えた基板処理装置の模式的平面図である。図１３および以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
図１３に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、塗布ブロック１２、現像ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。
インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。搬送部１１２には、メインコントローラ１１４および搬送装置（搬送ロボット）１１５が設けられる。メインコントローラ１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送装置１１５は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
塗布ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向する。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４（図１６参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送装置１２７，１２８（図１６参照）が設けられる。
現像ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向する。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５〜ＰＡＳＳ８（図１６参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送装置１３７，１３８（図１６参照）が設けられる。
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向する。搬送部１６３には、搬送装置１４１，１４２が設けられる。
搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図１６参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。
また、搬送装置１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１６参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。
搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送装置１４３が設けられる。搬送装置１４３は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。
（９）塗布処理部および現像処理部
図１４は、図１３の塗布処理部１２１、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１の内部構成を示す模式的側面図である。図１４に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、図１の塗布処理ユニット１０が設けられる。現像処理部１３１には、現像処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１〜３４には、現像処理ユニット１３９（スピンデベロッパ）が設けられる。
本実施の形態においては、塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１０の塗布液ノズル２８からは、反射防止膜用の塗布液（反射防止液）が吐出される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１０の塗布液ノズル２８からは、レジスト膜用の塗布液（レジスト液）が吐出される。
現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１０と同様に、複数のスピンチャック３５および複数のカップ３７を備える。また、図１３に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそれらのスリットノズル３８を移動させる移動装置３９を備える。
現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。この状態で、スリットノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。これにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去されるとともに、基板Ｗの現像処理が行われる。
洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
（１０）熱処理部
図１５は、図１３の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２の内部構成を示す模式的側面図である。図１５に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部１０１および下方に設けられる下段熱処理部１０２を有する。上段熱処理部１０１および下段熱処理部１０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。
熱処理部１２３の最上部には、図８のローカルコントローラ４００が設けられる。ローカルコントローラ４００は、図１３のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３の動作を制御する。
熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。
熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部１０３および下方に設けられる下段熱処理部１０４を有する。上段熱処理部１０３および下段熱処理部１０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。
熱処理部１３３の最上部には、ローカルコントローラ５００が設けられる。ローカルコントローラ５００は、図１３のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３の動作を制御する。
エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。基板Ｗにエッジ露光処理が行われることにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。それにより、現像処理後において、基板Ｗの周縁部が他の部分と接触した場合に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。
洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
（１１）搬送部
図１６は、搬送部１２２，１３２，１６３の内部構成を示す模式的側面図である。図１６に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送装置１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送装置１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送装置１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送装置１３８が設けられる。
搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。
上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、搬送装置１３７および搬送装置１４１，１４２（図１３）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、搬送装置１３８および搬送装置１４１，１４２（図１３）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ９および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、搬送装置１４１，１４２（図１３）および搬送装置１４３による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。
搬送装置１２７は、塗布処理室２１，２２（図１４）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図１６）および上段熱処理部１０１（図１５）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。搬送装置１２６は、塗布処理室２３，２４（図１４）、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図１６）および下段熱処理部１０２（図１５）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。
搬送装置１３７は、現像処理室３１，３２（図１４）、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図１６）、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図１６）および上段熱処理部１０３（図１５）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。搬送装置１３８は、現像処理室３３，３４（図１４）、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図１６）、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図１６）および下段熱処理部１０４（図１５）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。
（１２）基板処理
図１３〜図１６を参照しながら基板処理を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１３）には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送装置１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図１６）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送装置１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図１６）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。
塗布ブロック１２において、搬送装置１２７（図１６）は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図１５）、冷却ユニットＣＰ（図１５）および塗布処理室２２（図１４）に順に搬送する。次に、搬送装置１２７は、塗布処理室２２の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図１５）、冷却ユニットＣＰ（図１５）、塗布処理室２１（図１４）、熱処理ユニットＰＨＰ（図１５）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図１６）に順に搬送する。
この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１０（図１４）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成され、基板Ｗの周縁部の反射防止膜が除去される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１０（図１４）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成され、基板Ｗの周縁部のレジスト膜が除去される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
また、搬送装置１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図１６）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図１６）に搬送する。
搬送装置１２８（図１６）は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図１５）、冷却ユニットＣＰ（図１５）および塗布処理室２４（図１４）に順に搬送する。次に、搬送装置１２８は、塗布処理室２４の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図１５）、冷却ユニットＣＰ（図１５）、塗布処理室２３（図１４）、熱処理ユニットＰＨＰ（図１５）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図１６）に順に搬送する。
また、搬送装置１２８（図１６）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図１６）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図１６）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図１４）および下段熱処理部１０２（図１５）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図１４）および上段熱処理部１０１（図１５）における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
現像ブロック１３において、搬送装置１３７（図１６）は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図１５）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図１６）に順に搬送する。この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。エッジ露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置される。
また、搬送装置１３７（図１６）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図１５）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送装置１３７は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図１５）、現像処理室３１，３２（図１４）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図１５）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図１６）に順に搬送する。
この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。
搬送装置１３８（図１６）は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図１５）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図１６）に順に搬送する。
また、搬送装置１３８（図１６）は、インターフェイスブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図１５）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送装置１３８は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図１５）、現像処理室３３，３４（図１４）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図１５）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図１６）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部１０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２および上段熱処理部１０３における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送装置１４１（図１３）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図１６）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図１４）および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１６）に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて露光装置１５（図１３）による露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
搬送装置１４２（図１３）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図１６）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図１５）および上段熱処理部１０３または下段熱処理部１０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図１５）に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２において基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送装置１４３（図１３）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１６）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５の基板搬入部１５ａ（図１３）に搬送する。また、搬送装置１４３（図１３）は、露光装置１５の基板搬出部１５ｂ（図１３）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図１６）に搬送する。
本実施の形態においては、上段に設けられた塗布処理室２１，２２、現像処理室３１，３２および上段熱処理部１０１，１０３における基板Ｗの処理と、下段に設けられた塗布処理室２３，２４、現像処理室３３，３４および下段熱処理部１０２，１０４における基板Ｗの処理とを並行して行うことができる。それにより、フットプリントを増加させることなく、スループットを向上させることができる。
（１３）効果
本実施の形態に係る塗布処理ユニット１０においては、スピンチャック２５により回転される基板Ｗに吐出部２１２からリンス液が吐出される。ここで、吐出部２１２は、一方向に並ぶ複数の吐出口２１３を有し、複数の吐出口２１３からそれぞれ選択的にリンス液を吐出可能である。吐出部２１２の複数の吐出口２１３の並びがスピンチャック２５により回転される基板Ｗの周縁部を横切りかつ周縁部に対向する状態で、周縁部の内縁から外方にリンス液が供給される。
この構成によれば、基板Ｗの周縁部の内縁よりも内方には吐出部２１２からリンス液が供給されない。また、基板Ｗの周縁部の内縁から外方にリンス液を供給する際に高い圧力でリンス液を吐出する必要がない。そのため、基板Ｗの一面からのリンス液の跳ね返りが低減し、リンス液が基板Ｗの周縁部の内縁よりも内方に跳ね返ることが防止される。これにより、図４（ｃ）の二点鎖線で示されるような除去後の塗布膜Ｆの外周部に盛り上がりが発生することが防止される。その結果、基板Ｗの周縁部の処理を高い精度で行うことができる。
（１４）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態においては、図４（ｃ）および図５（ｂ），（ｃ）の例のように、基板Ｗの周縁部の塗布膜の除去時に、基板Ｗの外周部よりも外方の領域に対向する吐出口２１３からもリンス液が吐出されるが、本発明はこれに限定されない。基板Ｗの外周部よりも外方に位置する吐出口２１３からはリンス液を吐出する必要がない。そのため、板Ｗの周縁部の塗布膜の除去時に、基板Ｗの外周部よりも外方の領域に対向する吐出口２１３からはリンス液が吐出されなくてもよい。この場合、基板Ｗの周縁部の処理に影響を与えることなくリンス液の消費量を削減することができる。
（ｂ）上記実施の形態においては、複数の吐出口２１３が２列で長手方向に並ぶように吐出部２１２の底面２１２Ｆに形成されるが、本発明はこれに限定されない。複数の吐出口２１３が１列で長手方向に並ぶように吐出部２１２の底面２１２Ｆに形成されてもよいし、複数の吐出口２１３が３列以上で長手方向に並ぶように吐出部２１２の底面２１２Ｆに形成されてもよい。
（ｃ）上記実施の形態においては、基板Ｗの周縁部の塗布膜の除去時に、吐出部２１２の複数の吐出口２１３の並びが基板Ｗの半径方向に略一致するようにヘッド部２１０が配置されるが、本発明はこれに限定されない。基板Ｗの周縁部の塗布膜の除去時に、吐出部２１２の複数の吐出口２１３の並びが基板Ｗの半径方向から傾斜するようにヘッド部２１０が配置されてもよい。
（ｄ）上記実施の形態においては、位置検出ユニット３００は基板Ｗの外周部の位置および吐出部２１２の位置を検出する共通の撮像装置３１０により構成されるが、本発明はこれに限定されない。位置検出ユニット３００は、基板Ｗの外周部の位置および吐出部２１２の位置をそれぞれ検出する２つの撮像装置３１０により構成されてもよい。この場合、基板Ｗの外周部とノズルユニット２００との位置関係の制約なしにノズルユニット２００の配置の自由度を向上させることができる。
（ｅ）上記実施の形態においては、ヘッド部２１０はピエゾ素子により複数の吐出口２１３からの除去液の吐出がそれぞれ独立に制御されるピエゾ方式の吐出部２１２を有するが、本発明はこれに限定されない。複数の吐出口２１３からの除去液の吐出がそれぞれ独立に制御可能であれば、ヘッド部２１０は熱方式等の他の方式の吐出部２１２を有してもよい。
（ｆ）上記実施の形態においては、位置検出ユニット３００の撮像装置３１０は、反射型の光電センサにより構成されるが、本発明はこれに限定されない。撮像装置３１０は、透過型の光電センサにより構成されてもよい。
（ｇ）上記実施の形態においては、撮像装置３１０は反射ミラー３１２を含むが、本発明はこれに限定されない。撮像装置３１０は反射ミラー３１２を含まなくてもよい。この場合、ＣＣＤラインセンサ３１３は基板Ｗ上で反射された光を直接検出するように配置される。
（ｈ）上記実施の形態においては、周縁部処理として基板Ｗの周縁部に塗布された反射防止液またはレジスト液を除去する処理が行われるが、本発明はこれに限定されない。周縁部処理として基板Ｗの周縁部に塗布液の膜を形成する処理が行われてもよい。
例えば、基板Ｗの周縁部の表面が粗いために基板Ｗの周縁部に異物が付着しやすくなることがある。このような場合、基板Ｗの周縁部に塗布液の膜を形成することにより、基板Ｗの周縁部が被覆される。これにより、基板Ｗの周縁部に異物が付着することを防止することができる。
（１５）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
上記の実施の形態では、基板Ｗが基板の例であり、塗布処理ユニット１０が周縁部処理装置の例であり、スピンチャック２５が回転保持部の例であり、吐出口２１３が吐出口の例である。吐出部２１２が吐出部の例であり、吐出制御部４２７が吐出制御部の例であり、位置検出ユニット３００、基板位置算出部４２４およびノズル位置算出部４２５が位置変化検出部の例である。吐出口決定部４２６が吐出口決定部の例であり、ノズル位置算出部４２５が位置関係検出部の例であり、ノズル搬送装置２４０が移動部の例であり、搬送制御部４２１が移動制御部の例である。
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
本発明は、種々の処理液を用いた基板の周縁部処理に有効に利用することができる。
１０ 塗布処理ユニット
１１ インデクサブロック
１２ 塗布ブロック
１３ 現像ブロック
１４ インターフェイスブロック
１４Ａ 洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ 搬入搬出ブロック
１５ 露光装置
１５ａ 基板搬入部
１５ｂ 基板搬出部
２０ 待機部
２１〜２４ 塗布処理室
２５，３５ スピンチャック
２７，３７ カップ
２８ 塗布液ノズル
２９，２４０ ノズル搬送装置
３１〜３４ 現像処理室
３８ スリットノズル
３９ 移動装置
１００ 基板処理装置
１０１，１０３ 上段熱処理部
１０２，１０４ 下段熱処理部
１１１ キャリア載置部
１１２，１２２，１３２，１６３ 搬送部
１１３ キャリア
１１４ メインコントローラ
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１〜１４３ 搬送装置
１２１ 塗布処理部
１２３，１３３ 熱処理部
１２５，１３５ 上段搬送室
１２６，１３６ 下段搬送室
１３１ 現像処理部
１６１，１６２ 洗浄乾燥処理部
２００ ノズルユニット
２１０ ヘッド部
２１１ 支持部
２１２ 吐出部
２１２Ａ，２１２Ｂ 端面
２１２Ｃ，２１２Ｄ 側面
２１２Ｅ 上面
２１２Ｆ 底面
２１３，２１３ａ，２１３ｂ 吐出口
２１３Ａ，２１３Ｂ 端部吐出口
２２０ 温調部
２３０ 貯留部
３００ 位置検出ユニット
３１０ 撮像装置
３１１ 照明部
３１２ 反射ミラー
３１３ ＣＣＤラインセンサ
４００，５００ ローカルコントローラ
４１０ 記憶部
４２０ 主制御部
４２１ 搬送制御部
４２２ 回転制御部
４２３ 撮像制御部
４２４ 基板位置算出部
４２５ ノズル位置算出部
４２６ 吐出口決定部
４２７ 吐出制御部
ＣＰ 冷却ユニット
Ｅ エッジカット幅
ＥＥＷ エッジ露光部
Ｆ 塗布膜
Ｌ１，Ｌ２ 距離
ＰＡＨＰ 密着強化処理ユニット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９ 基板載置部
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２ 載置兼バッファ部
Ｐ−ＣＰ 載置兼冷却部
ＰＨＰ 熱処理ユニット
Ｒ リンス液
ＳＤ１，ＳＤ２ 洗浄乾燥処理ユニット
ｗ１〜ｗ６ 幅
Ｗ 基板
図４（ｂ）の例では、吐出部２１２の長手方向において、端部吐出口２１３Ａ（図３）から吐出部２１２の端面２１２Ｂに向かって幅ｗ１の領域に含まれる複数の吐出口２１３（図３）からリンス液Ｒが吐出される。一方、吐出部２１２の長手方向において、端部吐出口２１３Ｂ（図３）から吐出部２１２の端面２１２Ａに向かって幅ｗ２の領域に含まれる複数の吐出口２１３からはリンス液Ｒが吐出されない。
図５（ｂ）の例では、基板Ｗが最外方に変位する。このとき、吐出部２１２の長手方向において、端部吐出口２１３Ａ（図３）から吐出部２１２の端面２１２Ｂに向かって幅ｗ３の領域に含まれる複数の吐出口２１３（図３）からリンス液Ｒが吐出される。一方、吐出部２１２の長手方向において、端部吐出口２１３Ｂ（図３）から吐出部２１２の端面２１２Ａに向かって幅ｗ４の領域に含まれる複数の吐出口２１３からはリンス液Ｒが吐出されない。
図５（ｃ）の例では、基板Ｗが最内方に変位する。このとき、吐出部２１２の長手方向において、端部吐出口２１３Ａから吐出部２１２の端面２１２Ｂに向かって幅ｗ５の領域に含まれる複数の吐出口２１３からリンス液Ｒが吐出される。一方、吐出部２１２の長手方向において、端部吐出口２１３Ｂから吐出部２１２の端面２１２Ａに向かって幅ｗ６の領域に含まれる複数の吐出口２１３からはリンス液Ｒが吐出されない。幅ｗ５は幅ｗ３よりも大きく、幅ｗ６は幅ｗ４よりも小さい。
以下、図１１の上部における基板Ｗの外周部の位置の変化を示す曲線を位置変化曲線と呼び、図１１の下部における吐出部２１２の吐出領域の幅を示す曲線を幅変化曲線と呼ぶ。図１１に示すように、幅変化曲線と位置変化曲線との位相差がπとなるように、吐出領域の吐出口２１３（図３）からリンス液を吐出するように吐出部２１２が吐出制御部４２７（図８）により制御される。この場合、吐出制御部４２７は、吐出部２１２の吐出領域の幅の変化が基板Ｗの回転速度に同期するように吐出部２１２を制御する。これにより、基板Ｗの中心が基板Ｗの回転中心から偏心している場合でも、塗布膜Ｆの除去される部分の幅が一定となる。
現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。この状態で、スリットノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。これにより、基板Ｗの現像処理が行われる。
搬送装置１２７は、塗布処理室２１，２２（図１４）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図１６）および上段熱処理部１０１（図１５）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。搬送装置１２８は、塗布処理室２３，２４（図１４）、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図１６）および下段熱処理部１０２（図１５）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。
（１４）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態においては、図４（ｃ）および図５（ｂ），（ｃ）の例のように、基板Ｗの周縁部の塗布膜の除去時に、基板Ｗの外周部よりも外方の領域に対向する吐出口２１３からもリンス液が吐出されるが、本発明はこれに限定されない。基板Ｗの外周部よりも外方に位置する吐出口２１３からはリンス液を吐出する必要がない。そのため、基板Ｗの周縁部の塗布膜の除去時に、基板Ｗの外周部よりも外方の領域に対向する吐出口２１３からはリンス液が吐出されなくてもよい。この場合、基板Ｗの周縁部の処理に影響を与えることなくリンス液の消費量を削減することができる。

Claims (12)

  1. 少なくとも一部が円形の外周部を有する基板の一面における前記外周部に沿った環状の周縁部に処理を行う周縁部処理装置であって、
    基板を保持して回転させる回転保持部と、
    一方向に並ぶ複数の吐出口を有し、前記複数の吐出口からそれぞれ選択的に処理液を吐出可能に構成された吐出部と、
    前記吐出部の前記複数の吐出口の並びが前記回転保持部により回転される基板の前記周縁部を横切りかつ前記周縁部に対向する状態で、前記周縁部の内縁よりも内方に処理液が供給されずかつ前記周縁部の内縁から外方に処理液が供給されるように、前記吐出部の前記複数の吐出口からの処理液の吐出を制御する吐出制御部とを備える、周縁部処理装置。
  2. 前記回転保持部により回転される基板の外周部の位置の変化を検出する位置変化検出部と、
    前記位置変化検出部により検出された基板の外周部の位置の変化に基づいて、前記回転保持部に保持された基板の回転角度と前記複数の吐出口のうち処理液を吐出すべき１以上の吐出口との関係を決定する吐出口決定部とをさらに備え、
    前記吐出制御部は、前記回転保持部により回転される基板の回転角度および前記吐出口決定部により決定された関係に基づいて前記吐出部の前記複数の吐出口のうち１以上の吐出口から処理液を吐出させる、請求項１記載の周縁部処理装置。
  3. 前記位置変化検出部は、前記回転保持部により回転される基板の外周部の位置と前記吐出部の前記複数の吐出口の位置との関係を基板の回転角度ごとに検出する位置関係検出部を含み、
    前記吐出口決定部は、前記位置関係検出部により検出された関係に基づいて、前記回転保持部に保持された基板の回転角度と前記複数の吐出口のうち処理液を吐出すべき１以上の吐出口との関係を決定する、請求項２記載の周縁部処理装置。
  4. 前記位置関係検出部は、基板の外周部および前記吐出部の画像を示す画像データを生成し、生成した画像データに基づいて基板の外周部の位置と前記吐出部の前記複数の吐出口の位置との関係を検出する、請求項３記載の周縁部処理装置。
  5. 前記吐出口決定部は、前記複数の吐出口のうち処理液を吐出すべき１以上の第１の吐出口として基板の周縁部の内縁に対向する吐出口および前記内縁よりも外方の領域に対向する吐出口を決定し、
    前記吐出制御部は、前記吐出口決定部により決定された前記１以上の第１の吐出口から処理液を吐出させる、請求項２〜４のいずれか一項に記載の周縁部処理装置。
  6. 前記吐出口決定部は、前記回転保持部により回転される基板の外周部の位置の変化を示す周期曲線を決定するとともに、前記周期曲線に基づいて前記１以上の第１の吐出口を決定する、請求項５記載の周縁部処理装置。
  7. 前記吐出口決定部は、前記位置変化検出部により検出された関係に基づいて、前記複数の吐出口のうち処理液を吐出すべきでない１以上の第２の吐出口として基板の外周部よりも外方に位置する吐出口を決定し、
    前記吐出制御部は、前記吐出口決定部により決定された前記１以上の第２の吐出口から処理液を吐出させない、請求項２〜６のいずれか一項に記載の周縁部処理装置。
  8. 前記吐出部を前記回転保持部により保持された基板の前記周縁部に対向する位置に移動させる移動部と、
    前記移動部の動作を制御する移動制御部とをさらに備え、
    前記移動制御部は、前記位置変化検出部により検出された基板の外周部の位置の変化に基づいて、前記複数の吐出口の並びが前記回転保持部により回転される基板の前記周縁部を横切りかつ前記周縁部に対向する位置に移動するように前記移動部を制御する、請求項２〜７のいずれか一項に記載の周縁部処理装置。
  9. 前記複数の吐出口は、基板の前記周縁部に塗布された液を除去するための除去液を処理液として吐出する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の周縁部処理装置。
  10. 前記複数の吐出口は、基板の前記周縁部に塗布膜を形成するための塗布液を処理液として吐出する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の周縁部処理装置。
  11. 前記吐出部は、インクジェット方式のヘッドを含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の周縁部処理装置。
  12. 少なくとも一部が円形の外周部を有する基板の一面における前記外周部に沿った環状の周縁部に処理を行う周縁部処理方法であって、
    回転保持部により基板を保持して回転させるステップと、
    吐出部から処理液を吐出するステップとを含み、
    前記吐出部は、一方向に並ぶ複数の吐出口を有し、前記複数の吐出口からそれぞれ選択的に処理液を吐出可能であり、
    前記処理液を吐出するステップは、前記吐出部の前記複数の吐出口の並びが前記回転保持部により回転される基板の前記周縁部を横切りかつ前記周縁部に対向する状態で、前記周縁部の内縁よりも内方に処理液を供給せずかつ前記周縁部の内縁から外方に処理液を供給することを含む、周縁部処理方法。
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