CN107785293B - 周缘部处理装置及周缘部处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种周缘部处理装置及周缘部处理方法。由旋转夹具保持基板，来使该基板旋转。从喷出部向由旋转夹具旋转的基板喷出处理液。喷出部具有沿着一方向排列的多个喷出口，能够从多个喷出口分别选择性地喷出处理液。在喷出部的多个喷出口的排列横穿由旋转夹具旋转的基板的周缘部、且与周缘部相向的状态下，向周缘部的内缘到外侧供给处理液。不向比基板的周缘部的内缘更靠内的内侧供给处理液。

Description

周缘部处理装置及周缘部处理方法
技术领域
本发明涉及使用处理液处理基板的周缘部的周缘部处理装置及周缘部处理方法。
背景技术
在基板处理装置中，由旋转夹具支撑为水平的基板旋转。在该状态下，从喷嘴向基板的上表面的大致中央部喷出处理液，从而向基板的整个表面供给处理液。之后，通过进行规定的热处理，在基板的表面形成由处理液而成的薄膜。此处，如果在基板的周缘部形成薄膜，则在用于搬运基板的搬运装置把持基板的周缘部时，膜剥离而成为颗粒。因此，在向基板的整个表面供给处理液后，进行去除基板的周缘部的处理液的处理(例如，参照日本特开2001-110712号公报)。
在日本特开2001-110712号公报的涂敷膜去除装置中，由旋转夹具保持的基板的周缘部的位置是由检测机构检测的。在该状态下，通过使旋转夹具旋转360°，获取：旋转夹具的旋转相位及与该旋转相位对应的基板的周缘部的位置。通过从冲洗液喷出喷嘴向旋转的基板的周缘部喷出冲洗液，去除基板的周缘部的抗蚀液。在喷出冲洗液时，由定位机构调整旋转夹具的位置或冲洗液喷出喷嘴的位置，以便补偿与伴随旋转夹具的旋转而产生的基板的周缘部的位置变动相应的量。
在日本特开2001-110712号公报中记载了，能够高精度地去除形成于基板的周缘部的不需要的涂敷膜。但是，在日本特开2001-110712号公报的方法中，在去除后的涂敷膜的外周部产生隆起。因此，不能准确地控制基板的周缘部的涂敷膜的形状，难以高精度地处理基板的周缘部。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种周缘部处理装置及周缘部处理方法，能够高精度地进行基板的周缘部的处理。
(1)本发明的一方面的周缘部处理装置，对具有至少一部分为圆形的外周部的基板的一面的、沿着所述外周部的环状的周缘部进行处理，其中，所述周缘部处理装置具备：旋转保持部，保持基板并使该基板旋转；喷出部，具有沿着一方向排列的多个喷出口，能够从多个喷出口分别选择性地喷出处理液；以及，喷出控制部，在喷出部的多个喷出口的排列横穿由旋转保持部旋转的基板的周缘部、且与周缘部相向的状态下，控制从喷出部的多个喷出口喷出处理液，使得不向比周缘部的内缘更靠内的内侧供给处理液，而向周缘部的内缘到外侧供给处理液。
在该周缘部处理装置中，由旋转保持部保持基板，并使该基板旋转。从喷出部向由旋转保持部旋转的基板喷出处理液。此处，喷出部具有沿着一方向排列的多个喷出口，能够从多个喷出口分别选择性地喷出处理液。在喷出部的多个喷出口的排列横穿由旋转保持部旋转的基板的周缘部、且与周缘部相向的状态下，向周缘部的内缘到外侧供给处理液。
根据该结构，不从喷出部向比基板的周缘部的内缘更靠内的内侧供给处理液。另外，在向基板的周缘部的内缘到外侧供给处理液时，无需用高压喷出处理液。因此，降低从基板的一面处理液溅回的情况，从而能够防止处理液溅回到比基板的周缘部的内缘更靠内的内侧。由此，能够高精度地进行基板W的周缘部的处理。
(2)周缘部处理装置可以还具备：位置变化检测部，检测由旋转保持部旋转的基板的外周部的位置的变化，以及，喷出口决定部，基于由位置变化检测部检测到的基板的外周部的位置的变化，决定：由旋转保持部保持的基板的旋转角度和多个喷出口中的应该喷出处理液的一个以上的喷出口之间的关系；喷出控制部基于由旋转保持部旋转的基板的旋转角度和由喷出口决定部决定的关系，使喷出部的多个喷出口中的一个以上的喷出口喷出处理液。根据该结构，即使在基板的中心相对于旋转保持部的旋转中心偏心的情况下，也能够高精度地进行基板的周缘部的处理。
(3)位置变化检测部可包括位置关系检测部，所述位置关系检测部针对基板的每个旋转角度，检测由旋转保持部旋转的基板的外周部的位置和喷出部的多个喷出口的位置之间的关系；喷出口决定部基于由位置关系检测部检测到的关系，决定：由旋转保持部保持的基板的旋转角度和多个喷出口中的应该喷出处理液的一个以上的喷出口之间的关系。在该情况下，确定基板的外周部的位置和喷出部的多个喷出口的位置之间的关系。由此，即使在没有固定喷出部的情况下，也能够高精度地进行基板的周缘部的处理。
(4)位置关系检测部可生成表示基板的外周部和喷出部的图像的图像数据，基于生成的图像数据，检测基板的外周部的位置和喷出部的多个喷出口的位置之间的关系。在该情况下，基于图像数据，能够用简单的结构确定外周部的位置和喷出部的多个喷出口的位置之间的关系。
(5)喷出口决定部可将与基板的周缘部的内缘相向的喷出口、与比内缘更靠外侧的区域相向的喷出口，决定为多个喷出口中应该喷出处理液的一个以上的第一喷出口；喷出控制部使由喷出口决定部决定的一个以上的第一喷出口喷出处理液。在该情况下，能够准确且可靠地向基板的周缘部供给处理液。
(6)喷出口决定部可决定表示由旋转保持部旋转的基板的外周部的位置的变化的周期曲线，并且基于周期曲线，决定一个以上的第一喷出口。在该情况下，可以基于周期曲线容易地决定应该喷出处理液的一个以上的喷出口。
(7)喷出口决定部可基于由位置变化检测部检测到的关系，将比基板的外周部位于外侧的喷出口，决定为多个喷出口中不应该喷出处理液的一个以上的第二喷出口；喷出控制部不使由喷出口决定部决定的一个以上的第二喷出口喷出处理液。在该情况下，不给基板的周缘部的处理带来影响，就能够降低处理液的消耗量。
(8)周缘部处理装置可还具备：移动部，使喷出部移动到与由旋转保持部保持的基板的周缘部相向的位置，以及，移动控制部，控制移动部的动作；移动控制部基于由位置变化检测部检测到的基板的外周部的位置的变化控制移动部，以使多个喷出口的排列横穿由旋转保持部旋转的基板的周缘部、且移动到与周缘部相向的位置。在该情况下，在进行周缘部处理时，能够将喷出部适当地配置于与基板的周缘部相向的位置。另外，在进行除了周缘部处理以外的处理时，无需将喷出部配置于与基板的周缘部相向的位置。由此，能够顺利地执行其他处理。
(9)多个喷出口可将去除液作为处理液喷出，去除液用于去除涂敷于基板的周缘部的液体。在该情况下，周缘部处理装置能够进行用于去除涂敷于基板的周缘部的液体的去除处理。
(10)多个喷出口可将涂敷液作为处理液喷出，涂敷液用于在基板的周缘部形成涂敷膜。在该情况下，周缘部处理装置能够进行用于在基板的周缘部形成涂敷膜的涂敷处理。
(11)喷出部可包括喷墨方式的头。在该情况下，能够容易地从喷出部的多个喷出口分别选择性地喷出处理液。
(12)本发明的另一方面的周缘部处理方法，对具有至少一部分为圆形的外周部的基板的一面的、沿着外周部的环状的周缘部进行处理，其中，周缘部处理方法包括：由旋转保持部保持基板并使该基板旋转的步骤，以及，从喷出部喷出处理液的步骤；喷出部具有沿着一方向排列的多个喷出口，能够从多个喷出口分别选择性地喷出处理液；喷出处理液的步骤，包括：在喷出部的多个喷出口的排列横穿由旋转保持部旋转的基板的周缘部、且与周缘部相向的状态下，不向比周缘部的内缘更靠内的内侧供给处理液，而向周缘部的内缘到外侧供给处理液。
根据该周缘部处理方法，由旋转保持部保持基板，并使该基板旋转。从喷出部向由旋转保持部旋转的基板喷出处理液。此处，喷出部具有沿着一方向排列的多个喷出口，能够从多个喷出口分别选择性地喷出处理液。在喷出部的多个喷出口的排列横穿由旋转保持部旋转的基板的周缘部、且与周缘部相向的状态下，向周缘部的内缘到外侧供给处理液。
根据本方法，不从喷出部向比基板的周缘部的内缘更靠内的内侧供给处理液。另外，在向基板的周缘部的内缘到外侧供给处理液时，无需用高压喷出处理液。因此，降低从基板的一面处理液溅回的情况，从而能够防止处理液溅回到比基板的周缘部的内缘更靠内的内侧。由此，能够高精度地进行基板W的周缘部的处理。
附图说明
图1是示意性表示本发明一实施方式的涂敷处理单元的结构的俯视图。
图2是示意性表示图1的喷嘴单元的结构的立体图。
图3是示意性表示图2的喷出部的仰视图。
图4A～图4C是用于说明喷嘴单元的动作的一例的图。
图5A～图5C是用于说明喷嘴单元的动作的其他例的图。
图6是设置于图1的涂敷处理单元的一个位置检测单元的示意性的侧视图。
图7是图6的位置检测单元的示意性的俯视图。
图8是表示用于控制图1的涂敷处理单元的本地控制器的结构的框图。
图9A～图9C是用于说明图8的本地控制器的动作的图。
图10A～图10C是用于说明决定喷出部的喷出区域的方法的图。
图11是用于说明喷出部的控制的图。
图12是表示用于处理基板的周缘部的周缘部处理的流程图。
图13是具有图1的涂敷处理单元的基板处理装置的示意性的俯视图。
图14是示意性表示图13的涂敷处理部、显影处理部及清洗干燥处理部的内部结构的侧视图。
图15是示意性表示图13的热处理部及清洗干燥处理部的内部结构的侧视图。
图16是示意性表示搬运部的内部结构的侧视图。
具体实施方式
以下，参考附图，对本发明一实施方式的周缘部处理装置及周缘部处理方法进行说明。在本实施方式中，作为周缘部处理装置的例子，对于对基板进行涂敷处理的涂敷处理单元进行说明。另外，以下说明中，基板是指，半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等。另外，就用于本实施方式的基板而言，具有至少一部分为圆形的外周部。例如，除定位用的凹口(notch)之外的外周部呈圆形。
(1)涂敷处理单元的结构
图1是示意性表示本发明的一实施方式的涂敷处理单元的结构的俯视图。如图1所示，涂敷处理单元(旋转涂敷机)10具备待机部20、多个旋转夹具25、多个罩27、多个涂敷液喷嘴28、喷嘴搬运装置29、多个喷嘴单元200及多个位置检测单元300。
在本实施方式中，旋转夹具25、罩27、喷嘴单元200及位置检测单元300，在各个涂敷处理单元10分别设置有两个。对位置检测单元300的详细内容在后面进行详述。
各个旋转夹具25在保持基板W的状态下，由未图示的电动马达等驱动装置驱动旋转。罩27包围旋转夹具25的周围。在待机时，各个涂敷液喷嘴28插入到待机部20。从未图示的涂敷液贮存部经由涂敷液配管向各个涂敷液喷嘴28供给各种涂敷液。
多个涂敷液喷嘴28中的一个涂敷液喷嘴28由喷嘴搬运装置29移动到基板W的上方。通过一边使旋转夹具25旋转一边从涂敷液喷嘴28喷出涂敷液(本例中为抗蚀液等感光性液)，在旋转的基板W上涂敷涂敷液。由此，在基板W形成涂敷液的膜(以下，称为涂敷膜。)。
喷嘴单元200向旋转的基板W的周缘部喷出去除液(本例中为冲洗液)。在此，基板W的周缘部是指，基板W的圆形的外周部和从该外周部向内侧离开规定距离的圆之间的环状区域。由此，形成于基板W的周缘部的涂敷膜被溶解。结果，去除基板W的周缘部的涂敷膜。
(2)喷嘴单元的结构
图2是示意性表示设置于图1的涂敷处理单元10的一个喷嘴单元200的结构的立体图。设置于涂敷处理单元10的另一个喷嘴单元200的结构，与图2的喷嘴单元200的结构相同。如图2所示，喷嘴单元200包括头部210、调温部220、贮存部230及喷嘴搬运装置240(后述的图8)。
头部210由喷墨(inkjet)方式的头构成，包括支撑部211及喷出部212。喷出部212呈沿着一方向延伸的大致长方体形状，包括矩形的一对端面212A、212B、矩形的一对侧面212C、212D、矩形的上表面212E及矩形状的底表面212F。
一对端面212A、212B分别位于喷出部212的长度方向的两端部。一对侧面212C、212D分别位于喷出部212的宽度方向的两端部。支撑部211形成于喷出部212的上表面212E，安装于喷嘴搬运装置240(后述的图8)。喷出部212从底表面212F喷出冲洗液。
调温部220安装成与喷出部212的侧面212C接触。在调温部220的内部，循环有进行了温度调整的纯水等调温介质。由此，调整从喷出部212喷出的冲洗液的温度。在贮存部230贮存有冲洗液。贮存在贮存部230内的冲洗液，向头部210的喷出部212供给。
图3是示意性表示图2的喷出部212的仰视图。如图3所示，在喷出部212的大致矩形的底表面212F，形成有喷出冲洗液的多个喷出口213。在图3的例子中，多个喷出口213中的大致半数的喷出口213a和剩余的大致半数的喷出口213b，沿着喷出部212的长度方向排成两列。
相邻的两个喷出口213a的中心之间的距离(间距)和相邻的两个喷出口213b的中心之间的距离(间距)都为L1。在长度方向上，相邻的喷出口213a的中心和喷出口213b的中心之间的距离(间距)为L1/2。即，长度方向上，各个喷出口213b位于相邻的喷出口213a之间的中心，各个喷出口213a位于相邻的喷出口213b之间的中心。在宽度方向上，喷出口213a的中心和喷出口213b的中心之间的距离(间距)为L2。
本例中，距离L1例如为0.1693mm。距离L2例如为0.508mm。距离L1、L2并不限定于该值，也可以是其他值。另外，各个喷出口213a的尺寸(面积)和各个喷出口213b的尺寸(面积)可以相等，也可以不同。
以下的说明中，将多个喷出口213中的最靠近端面212A的喷出口213(本例中为喷出口213a)，特别地称为端部喷出口213A。将多个喷出口213中的最靠近端面212B的喷出口213(本例中为喷出口213b)，特别地称为端部喷出口213B。
喷出部212具有：用于分别向多个喷出口213引导去除液的多个流路。在多个流路，分别设置有压电元件等加压元件。通过分别独立地控制设置于多个流路的加压元件，分别独立地控制从多个喷出口213喷出去除液的动作。
(3)喷嘴单元的动作
图4A～图4C是用于说明喷嘴单元200的动作的一例的图。在图4A～图4C中，省略了图2的调温部220的图示。在后述的图5中也相同。如图4A所示，通过图1的涂敷液喷嘴28在基板W的表面形成涂敷膜F。应该去除涂敷膜F的基板W的周缘部的宽度E(以下，称为切边宽度E)是预先设定的。
在去除周缘部的涂敷膜F时，头部210由喷嘴搬运装置240(后述的图8)从规定的待机位置移动到基板W的周缘部的上方的喷出位置。在喷出位置上，以使喷出部212沿着基板W的径向延伸、且使基板W的周缘部与喷出部212的底表面212F相向的方式，对头部210进行定位。由此，喷出部212的端面212A位于基板W的周缘部的外侧，喷出部212的端面212B位于基板W的周缘部的内侧。
如上所述，喷出部212可从图3的多个喷出口213分别单独地喷出冲洗液。另外，如下所述，确定喷出位置的喷出部212和基板W的位置关系。此处，确定多个喷出口213中的喷出冲洗液的喷出口213和不喷出冲洗液的喷出口213，以使基板W的周缘部的涂敷膜F仅被去除切边宽度E那么多。
在图4B的例子中，在喷出部212的长度方向上，从包含于从端部喷出口213A(图3)朝向喷出部212的端面212B的宽度W1的区域的多个喷出口213(图3)喷出冲洗液R。另一方面，在喷出部212的长度方向上，包含于从端部喷出口213B(图3)朝向喷出部212的端面212A的宽度W2的区域的多个喷出口213，不喷出冲洗液R。
由此，如图4C所示，基板W的周缘部的切边宽度E的区域内的涂敷膜F的部分被去除。根据该结构，能够防止去除后的涂敷膜F的外周部隆起的情况(参照图4C的双点划线)。由此，能够高精度地去除基板W的周缘部的涂敷膜F。
图5A～图5C是用于说明喷嘴单元200的动作的其他例的图。基板W以其中心与旋转夹具25的旋转中心大致一致的方式载置。但是，由于受到用于将基板W搬运到旋转夹具25的搬运装置的各种构件的机械精度的限制，基板W的中心和旋转夹具25的旋转中心产生100μm左右的错位。
在该状态下卡盘25旋转时，如5A中粗箭头所示，基板W的外周部的位置产生变化。在图5A中，位移到最内侧的基板W用实线图示，位移到最外侧的基板W用双点划线图示。位移的振幅是ΔA。另外，此处使用的振幅是指，全振幅(两个振幅)即、峰-峰值(Peak to Peakvalue)。对应基板W的旋转角度，逐步决定多个喷出口213中的喷出冲洗液的喷出口213和不喷出冲洗液的喷出口213，以便即使在该情况下，也能够根据基板W的位移将周缘部的涂敷膜F仅去除切边宽度E那么多。
在图5B的例子中，基板W位移到最外侧。此时，在喷出部212的长度方向上，从包含于从端部喷出口213A(图3)朝向喷出部212的端面212B的宽度W3的区域的多个喷出口213(图3)，喷出冲洗液R。另一方面，在喷出部212的长度方向上，包含于从端部喷出口213B(图3)朝向喷出部212的端面212A的宽度W4的区域的多个喷出口213，不喷出冲洗液R。
在图5C的例子中，基板W位移到最内侧。此时，在喷出部212的长度方向上，从包含于从端部喷出口213A朝向喷出部212的端面212B的宽度W5的区域的多个喷出口213，喷出冲洗液R。另一方面，在喷出部212的长度方向上，包含于从端部喷出口213B朝向喷出部212的端面212A的宽度W6的区域的多个喷出口213，不喷出冲洗液R。宽度W5大于宽度W3，宽度W6小于宽度W4。
由此，与图4C的例子同样地，基板W的周缘部的切边宽度E的区域内的涂敷膜F的部分被去除。根据该结构，即使在由于基板W的中心和旋转夹具25的旋转中心错位而基板W相对于旋转夹具25偏心地旋转的情况下，也能够高精度地去除基板W的周缘部的涂敷膜F，从而能够将切边宽度E设定为期望的恒定值。以下的说明中，将如宽度W1、W3、W5的区域那样的喷出部212的底表面212F中喷出冲洗液R的区域，称为喷出区域。
(4)位置检测单元的结构
图6是设置于图1的涂敷处理单元10的一个位置检测单元300的示意性的侧视图。图7是图6的位置检测单元300的示意性的俯视图。设置于涂敷处理单元10的另一个位置检测单元300的结构，与图6及图7的位置检测单元300的结构相同。
在本实施方式中，如图6及图7所示，位置检测单元300由单一的拍摄装置310构成。拍摄装置310具备照明部311、反射镜312及CCD(Charge Co upled Device：电荷耦合元件)线性传感器313。
照明部311配置于基板W的周缘部的上方。反射镜312以隔着喷嘴单元200与照明部311相向的方式，配置于基板W的上方。反射镜312的上方配置有CCD线性传感器313。CCD线性传感器313配置成像素排成一列。
从照明部311产生带状的光(以下，称为照明光)。照明光向基板W的周缘部照射。另外，照明光的一部分向喷嘴单元200的下端照射。就照射的照明光而言，在基板W上反射，进一步在反射镜312上反射，之后入射到CCD线性传感器313。
由此，拍摄基板W的周缘部及其附近的区域(以下，简称为周缘部区域)，并且拍摄喷嘴单元200的下端的喷出部212(图2)的下端。表示基板W的周缘部区域及喷出部212的图像的图像数据，提供至后述的图8的本地控制器400。
(5)本地控制器的结构
图8是表示用于控制图1的涂敷处理单元10的本地控制器400的结构的框图。如图8所示，本地控制器400包括存储部410及主控制部420。存储部410例如由非挥发性存储器或硬盘构成。存储部410存储有用于控制涂敷处理单元10的动作的程序，并且存储有各种数据。另外，存储部410存储有表示预先设定的切边宽度E的信息。
主控制部420由中央运算处理装置(CPU)构成，包括搬运控制部421、旋转控制部422、拍摄控制部423、基板位置算出部424、喷嘴位置算出部425、喷出口决定部426及喷出控制部427。通过主控制部420执行存储于存储部410的程序，实现搬运控制部421、旋转控制部422、拍摄控制部423、基板位置算出部424、喷嘴位置算出部425、喷出口决定部426及喷出控制部427的功能。
搬运控制部421控制喷嘴搬运装置240，以使喷嘴单元200的头部210(图2)在待机位置和喷出位置之间移动。旋转控制部422以使基板W保持、旋转或停止的方式控制旋转夹具25，并且控制旋转夹具25的旋转速度。另外，在旋转夹具25设置有编码器。旋转控制部422从旋转夹具25的编码器获取输出信号，从而检测旋转夹具25的旋转角度(基板W的旋转角度)。例如，将基板W的凹口朝向预先设定的方向的状态，定义为基准角度(0度)。旋转角度是基板W从基准角度旋转的角度。
拍摄控制部423以通过拍摄基板W的周缘部区域及喷出部212来生成图像数据的方式，控制位置检测单元300。另外，拍摄控制部423从位置检测单元300获取：表示基板W的周缘部区域及喷出部212的图像的图像数据。
基板位置算出部424基于由旋转控制部422检测到的基板W的旋转角度和由拍摄控制部423获取到的图像数据，针对每个旋转角度算出基板W的径向上的基板W的外周部的位置。喷嘴位置算出部425基于由拍摄控制部423获取到的图像数据，算出喷出部212相对于基板W的位置。
喷出部212中各个喷出口213(图3)的位置是已知的。因此，喷出口决定部426基于由基板位置算出部424算出的基板W的外周部的位置、由喷嘴位置算出部425算出的喷出部212的位置，针对基板W的每个旋转角度决定喷出冲洗液的喷出口213。喷出控制部427根据由旋转控制部422检测到的基板W的旋转角度控制喷出部212，使得从由喷出口决定部426决定的喷出口213喷出冲洗液，而其他喷出口213不喷出冲洗液。
(6)本地控制器的动作
图9A～图9C是用于说明图8的本地控制器400的动作的图。在图9A～图9C中，位移到最外侧的基板W的外周部用双点划线图示，位移到最内侧的基板W的外周部用实线图示。如图9A所示，基板W旋转并且由位置检测单元300拍摄基板W的周缘部区域。由此，生成显示基板W的周缘部区域的图像的图像数据。
由位置检测单元300生成的图像数据被拍摄控制部423(图8)获取。由此，基板位置算出部424算出：基板W的每个旋转角度的基板W的外周部的位置。位移到最外侧的基板W的外周部的位置和位移到最内侧的基板W的外周部的位置之差(基板W的位移的振幅)是ΔA。振幅ΔA相当于，基板W的中心相对于基板W的旋转中心(旋转夹具25的旋转中心)的偏心量。喷出部212的喷出区域的长度是，切边宽度E和所述的振幅ΔA的合计值以上。
接着，如图9B所示，通过由搬运控制部421控制图8的喷嘴搬运装置240，将喷出部212从待机位置移动到喷出位置。在该情况下，搬运控制部421控制喷嘴搬运装置240，使得喷出部212的多个喷出口213的排列与基板W的径向大致一致，并且喷出部212的端部喷出口213A(图3)比位于最外侧的基板W的外周部的位置更靠外侧。由此，即使基板W的外周部的位置伴随基板W的旋转发生变化，喷出部212的喷出区域也与基板W的周缘部相向。
在该状态下，由位置检测单元300拍摄旋转的基板W的周缘部区域及喷出部212。由此，生成表示基板W的周缘部区域及喷出部212的图像的图像数据。
由位置检测单元300生成的图像数据被拍摄控制部423获取。由此，针对基板W的每个旋转角度，由喷嘴位置算出部425(图8)算出喷出部212相对于基板W的外周部的位置。此处，由于喷出部212中的各个喷出口213(图3)的位置是已知的，因此，根据基板W的每个旋转角度，确定各个喷出口213相对于基板W的外周部的位置的位置。之后，基于各个喷出口213相对于基板W的外周部的位置的位置，针对基板W的每个旋转角度，由喷出口决定部426(图8)决定应该喷出冲洗液的喷出口213(喷出区域)。
具体来讲，如图9C所示，决定基板W位移到最外侧时的喷出部212的喷出区域。该喷出区域相当于，图5B的宽度W3的区域。另外，决定基板W位移到最内侧时的喷出部212的喷出区域。该喷出区域相当于，图5C的宽度W5的区域。这些喷出区域相当于，与基板W的周缘部的内缘相向的喷出口213及与比该内缘更靠外侧的区域相向的喷出口213。
图10A～图10C是用于说明决定喷出部212的喷出区域的方法的图。在图10A～图10C中，横轴表示基板W的旋转角度，纵轴表示喷出部212的喷出区域的宽度。在图10A的例子中，如上所述那样决定喷出区域的宽度W3、W5。之后，基板W的外周部的位置在最外侧和最内侧之间位移时的、基板W的旋转角度和喷出区域的宽度的关系，由喷出口决定部426用正弦曲线或余弦曲线进行插补。
在图10A中，表示插补后的喷出区域的宽度的曲线，用双点划线表示。曲线的振幅是宽度W3和宽度W5之差，与基板W的外周部的位移的振幅ΔA相等。在图10A的例子中，基于两个喷出区域的宽度W3、W5，对基板W的外周部位移到其他位置时的、基板W的旋转角度和喷出区域的宽度的关系进行插补，但是本发明并不局限于此。
在图10B的例子中，用与宽度W3、W5的决定方法相同的方法预先决定：基板W的外周部位移到最外侧和最内侧的中间位置时的、基板W的旋转角度和喷出区域的宽度的关系。之后，对基板W的外周部位移到其他位置时的、基板W的旋转角度和喷出区域的宽度的关系，进行插补。图10C的例子中，用与宽度W3、W5的决定方法相同的方法决定：基板在更多的旋转角度下的、基板W的旋转角度和喷出区域的宽度的关系。
图11是用于说明喷出部212的控制的图。在图11的上部中，横轴表示基板W的旋转角度，纵轴表示基板W的外周部的位置。基板W的外周部的位置将旋转夹具25(图1)的旋转中心作为原点(0)表示。在图11的下部中，横轴表示基板W的旋转角度，纵轴表示喷出部212的喷出区域的宽度。喷出部212的喷出区域的宽度，将喷出部212的长度方向的端部喷出口213A的位置作为原点(0)表示。
以下，将图11的上部的表示基板W的外周部的位置的变化的曲线称为位置变化曲线，将图11的下部的表示喷出部212的喷出区域的宽度的曲线称为宽度变化曲线。如图11所示，由喷出控制部427(图8)控制喷出部212，以便以使宽度变化曲线和位置变化曲线之间的相位差成π的方式，从喷出区域的喷出口213(图3)喷出冲洗液。在该情况下，喷出控制部427控制喷出部212，以使喷出部212的喷出区域的宽度的变化与基板W的旋转速度同步。由此，即使在基板W的中心与基板W的旋转中心偏心的情况下，涂敷膜F的被去除的部分的宽度也会恒定。
(7)周缘部处理
图12是表示用于处理基板W的周缘部的周缘部处理的流程图。以下，一边参照图8，一边对由本地控制器400的主控制部420进行的周缘部处理进行说明。在刚刚在基板W上形成涂敷膜之后、由旋转夹具25继续旋转基板W的状态下，执行周缘部处理。
首先，主控制部420由位置检测单元300拍摄旋转的基板W的周缘部区域(步骤S1)。接着，主控制部420获取生成的图像数据(步骤S2)。接着，主控制部420基于获取到的图像数据，针对每个旋转角度，算出基板W的外周部的位置(步骤S3)。
接着，主控制部420由喷嘴搬运装置240将头部210(图2)从待机位置移动到喷出位置(步骤S4)。该状态下，主控制部420由位置检测单元300拍摄旋转的基板W的周缘部区域及头部210的喷出部212(步骤S5)。接着，主控制部420获取生成的图像数据(步骤S6)。之后，主控制部420基于获取到的图像数据，算出喷出部212相对于基板W的外周部的位置(步骤S7)。
接着，主控制部420确定喷出部212的各个喷出口213(图3)相对于基板W的位置(步骤S8)。接着，主控制部420基于基板W的外周部的位置、喷出部212的各个喷出口213相对于基板W的位置及预先设定的切边宽度E，针对基板W的每个旋转角度，决定喷出部212的喷出区域的宽度(步骤S9)。
之后，主控制部420一边使基板W的每个旋转角度的喷出区域的宽度发生变化，一边从相当于喷出部212的喷出区域的一个以上的喷出口213喷出冲洗液(步骤S10)。在一边使喷出部212喷出冲洗液，一边使基板W仅旋转一转以上的预先设定的转数之后，主控制部420由喷嘴搬运装置240将头部210从喷出位置移动到待机位置(步骤S11)，从而结束处理。
(8)基板处理装置的结构
图13是具备图1的涂敷处理单元10的基板处理装置的示意性的俯视图。在图13及之后的规定的图中，为了明确位置关系，用箭头表示彼此正交的X方向、Y方向和Z方向。X方向和Y方向在水平面内彼此正交，Z方向相当于铅垂方向。
如图13所示，基板处理装置100具备：索引(index)区11、涂敷区12、显影区13、清洗干燥处理区14A和搬入搬出区14B。由清洗干燥处理区14A和搬入搬出区14B构成转接区14。曝光装置15配置成与搬入搬出区14B相邻。
索引区11包括多个容纳架载置部111和搬运部112。在各个容纳架载置部111，载置有将多个基板W分成多层容纳的容纳架113。在搬运部112，设置有主控制器114和搬运装置(搬运机械手)115。主控制器114对基板处理装置100的各种结构构件进行控制。搬运装置115一边保持基板W一边搬运该基板W。
涂敷区12包括涂敷处理部121、搬运部122和热处理部123。涂敷处理部121和热处理部123隔着搬运部122相向。在搬运部122与索引区11之间，设置有用于载置基板W的基板载置部PASS1～PASS4(参照图16)。在搬运部122，设置有用于搬运基板W的搬运装置127、128(参照图16)。
显影区13包括显影处理部131、搬运部132和热处理部133。显影处理部131和热处理部133隔着搬运部132相向。在搬运部132与搬运部122之间，设置有用于载置基板W的基板载置部PASS5～PASS8(参照图16)。在搬运部132，设置有用于搬运基板W的搬运装置137、138(参照图16)。
清洗干燥处理区14A包括清洗干燥处理部161、162和搬运部163。清洗干燥处理部161、162隔着搬运部163相向。在搬运部163设置有搬运装置141、142。
在搬运部163与搬运部132之间，设置有载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2(参照图16)。载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2能够容纳多个基板W。
另外，在搬运装置141、142之间，基板载置部PASS9和后述的载置兼冷却部P-CP(参照图16)设置成与搬入搬出区14B相邻。载置兼冷却部P-CP具备冷却基板W的功能(例如，冷却板)。在载置兼冷却部P-CP中，基板W被冷却到适于曝光处理的温度。
在搬入搬出区14B设置有搬运装置143。搬运装置143相对于曝光装置15搬入和搬出基板W。在曝光装置15设置有用于搬入基板W的基板搬入部15a和用于搬出基板W的基板搬出部15b。
(9)涂敷处理部和显影处理部
图14是示意性表示图13的涂敷处理部121、显影处理部131及清洗干燥处理部161的内部结构的侧视图。如图14所示，在涂敷处理部121，分层地设置有涂敷处理室21、22、23、24。在各个涂敷处理室21～24设置有图1的涂敷处理单元10。在显影处理部131，分层地设置有显影处理室31、32、33、34。在各显影处理室31～34设置有显影处理单元139(旋转显影机)。
在本实施方式中，从涂敷处理室22、24的涂敷处理单元10的涂敷液喷嘴28，喷出防反射膜用的涂敷液(防反射液)。从涂敷处理室21、23的涂敷处理单元10的涂敷液喷嘴28，喷出抗蚀膜用的涂敷液(抗蚀液)。
显影处理单元139与涂敷处理单元10同样地，具备多个旋转夹具35和多个罩37。另外，如图13所示，显影处理单元139具备两个狭缝喷嘴38和移动装置39，所述狭缝喷嘴38用于喷出显影液，所述移动装置39用于使这些狭缝喷嘴38移动。
在显影处理单元139中，由未图示的驱动装置使旋转夹具35旋转。由此，使基板W旋转。在该状态下，一边使狭缝喷嘴38移动，一边向各个基板W供给显影液。由此，对基板W进行显影处理。
在清洗干燥处理部161，设置有多个(本例中为四个)清洗干燥处理单元SD1。在清洗干燥处理单元SD1中，对曝光处理前的基板W进行清洗及干燥处理。
(10)热处理部
图15是表示图13的热处理部123、133及清洗干燥处理部162的内部结构的示意性的侧视图。如图15所示，热处理部123具有设置于上方的上层热处理部101及设置于下方的下层热处理部102。在上层热处理部101及下层热处理部102，设置有多个热处理单元PHP、多个紧贴强化处理单元PAHP及多个冷却单元CP。
在热处理部123的最上部，设置有图8的本地控制器400。本地控制器400基于来自图13的主控制器114的指令，控制涂敷处理部121、搬运部122及热处理部123的动作。
在热处理单元PHP中，进行基板W的加热处理及冷却处理。在紧贴强化处理单元PAHP中，进行用于提高基板W与防反射膜的紧贴性的紧贴强化处理。具体来讲，在紧贴强化处理单元PAHP中，对基板W涂敷HMDS(hexa methyldisilazane：六甲基二硅氮烷)等紧贴强化剂，并对基板W进行加热处理。在冷却单元CP中，进行基板W的冷却处理。
热处理部133具有设置于上方的上层热处理部103和设置于下方的下层热处理部104。在上层热处理部103和下层热处理部104，设置有冷却单元CP、多个热处理单元PHP和边缘曝光部EEW。
在热处理部133的最上部，设置有本地控制器500。本地控制器500基于来自图13的主控制器114的指令，控制显影处理部131、搬运部132及热处理部133的动作。
在边缘曝光部EEW，进行基板W的周缘部的曝光处理(边缘曝光处理)。通过对基板W进行边缘曝光处理，在之后的显影处理时，去除基板W的周缘部上的抗蚀膜。由此，在进行显影处理后，在基板W的周缘部与其他部分发生接触的情况下，能够防止基板W的周缘部上的抗蚀膜剥离而成颗粒的情况。
在清洗干燥处理部162，设置有多个(本例为五个)清洗干燥处理单元SD2。在清洗干燥处理单元SD2，对曝光处理后的基板W进行清洗及干燥处理。
(11)搬运部
图16是表示搬运部122、132、163的内部结构的示意性的侧视图。如图16所示，搬运部122具有上层搬运室125和下层搬运室126。搬运部132具有上层搬运室135和下层搬运室136。在上层搬运室125设置有搬运装置127，在下层搬运室126设置有搬运装置128。另外，在上层搬运室135设置有搬运装置137，在下层搬运室136设置有搬运装置138。
在搬运部112与上层搬运室125之间，设置有基板载置部PASS1、PASS2，在搬运部112与下层搬运室126之间，设置有基板载置部PASS3、PASS4。在上层搬运室125与上层搬运室135之间，设置有基板载置部PASS5、PASS6，在下层搬运室126与下层搬运室136之间，设置有基板载置部PASS7、PASS8。
在上层搬运室135与搬运部163之间，设置有载置兼缓冲部P-BF1，在下层搬运室136与搬运部163之间设置载置兼缓冲部P-BF2。在搬运部163，基板载置部PASS9和多个载置兼冷却部P-CP设置成与搬入搬出区14B相邻。
载置兼缓冲部P-BF1构成为，能够由搬运装置137及搬运装置141、142(图13)进行基板W的搬入及搬出。载置兼缓冲部P-BF2构成为，能够由搬运装置138及搬运装置141、142(图13)进行基板W的搬入及搬出。另外，基板载置部PASS9及载置兼冷却部P-CP构成为，能够由搬运装置141、142(图13)及搬运装置143进行基板W的搬入及搬出。
搬运装置127针对涂敷处理室21、22(图14)、基板载置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6(图16)及上层热处理部101(图15)进行基板W的交接。搬运装置128针对涂敷处理室23、24(图14)、基板载置部PASS3、PASS4、PASS7、PASS8(图16)及下层热处理部102(图15)进行基板W的交接。
搬运装置137针对显影处理室31、32(图14)、基板载置部PASS5、PASS6(图16)、载置兼缓冲部P-BF1(图16)及上层热处理部103(图15)进行基板W的交接。搬运装置138针对显影处理室33、34(图14)、基板载置部PASS7、PASS8(图16)、载置兼缓冲部P-BF2(图16)及下层热处理部104(图15)进行基板W的交接。
(12)基板处理
参照图13～图16，对基板处理进行说明。在索引区11的容纳架载置部111(图13)，载置容纳了未处理的基板W的容纳架113。搬运装置115将未处理的基板W从容纳架113搬运到基板载置部PASS1、PASS3(图16)。另外，搬运装置115将载置到基板载置部PASS2、PASS4(图16)的完成处理的基板W搬运到容纳架113。
在涂敷区12中，搬运装置127(图16)将载置在基板载置部PASS1的未处理的基板W依次搬运到紧贴强化处理单元PAHP(图15)、冷却单元CP(图15)和涂敷处理室22(图14)。接着，搬运装置127将涂敷处理室22的基板W依次搬运到热处理单元PHP(图15)、冷却单元CP(图15)、涂敷处理室21(图14)、热处理单元PHP(图15)及基板载置部PASS5(图16)。
在该情况下，在紧贴强化处理单元PAHP中对基板W进行紧贴强化处理之后，在冷却单元CP中，基板W被冷却到适于形成防反射膜的温度。接着，在涂敷处理室22中，由涂敷处理单元10(图14)在基板W上形成防反射膜，去除基板W的周缘部的防反射膜。接着，在热处理单元PHP中进行基板W的热处理之后，在冷却单元CP中，基板W被冷却到适于形成抗蚀膜的温度。接着，在涂敷处理室21中，由涂敷处理单元10(图14)在基板W上形成抗蚀膜，去除基板W的周缘部的抗蚀膜。之后，在热处理单元PHP中进行基板W的热处理，将该基板W载置到基板载置部PASS5。
另外，搬运装置127将载置在基板载置部PASS6(图16)中的进行了显影处理后的基板W搬运到基板载置部PASS2(图16)。
搬运装置128(图16)将载置在基板载置部PASS3的未处理的基板W依次搬运到紧贴强化处理单元PAHP(图15)、冷却单元CP(图15)和涂敷处理室24(图14)。接着，搬运装置128将涂敷处理室24的基板W依次搬运到热处理单元PHP(图15)、冷却单元CP(图15)、涂敷处理室23(图14)、热处理单元PHP(图15)和基板载置部PASS7(图16)。
另外，搬运装置128(图16)将载置在基板载置部PASS8(图16)的进行了显影处理后的基板W搬运到基板载置部PASS4(图16)。基板W在涂敷处理室23、24(图14)和下层热处理部102(图15)的处理内容与基板W在上述的涂敷处理室21、22(图14)和上层热处理部101(图15)的处理内容相同。
在显影区13中，搬运装置137(图16)将载置在基板载置部PASS5中的形成有抗蚀膜后的基板W依次搬运到边缘曝光部EEW(图15)和载置兼缓冲部P-BF1(图16)。在该情况下，在边缘曝光部EEW中对基板W进行边缘曝光处理。进行了边缘曝光处理后的基板W载置在载置兼缓冲部P-BF1。
另外，搬运装置137(图16)从与清洗干燥处理区14A相邻的热处理单元PHP(图15)中，取出进行了曝光处理后、且进行了热处理后的基板W。搬运装置137将该基板W依次搬运到冷却单元CP(图15)、显影处理室31、32(图14)中的一个、热处理单元PHP(图15)和基板载置部PASS6(图16)。
在该情况下，在冷却单元CP中将基板W冷却到适于显影处理的温度之后，在显影处理室31、32中的一个，由显影处理单元139进行基板W的显影处理。然后，在热处理单元PHP中进行基板W的热处理，将该基板W载置到基板载置部PASS6。
搬运装置138(图16)将载置在基板载置部PASS7的形成有抗蚀膜后的基板W依次搬运到边缘曝光部EEW(图15)和载置兼缓冲部P-BF2(图16)。
另外，搬运装置138(图16)从与清洗干燥处理区14A相邻的热处理单元PHP(图15)中，取出进行了曝光处理后、且进行了热处理后的基板W。搬运装置138将该基板W依次搬运到冷却单元CP(图15)、显影处理室33、34(图14)中的一个、热处理单元PHP(图15)和基板载置部PASS8(图16)。基板W在显影处理室33、34和下层热处理部104中的处理内容与基板W在上述的显影处理室31、32和上层热处理部103中的处理内容相同。
在清洗干燥处理区14A中，搬运装置141(图13)将载置在载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2(图16)中的基板W依次搬运到清洗干燥处理单元SD1(图14)和载置兼冷却部P-CP(图16)。在该情况下，在清洗干燥处理单元SD1中进行基板W的清洗和干燥处理之后，在载置兼冷却部P-CP中将基板W冷却到适于曝光装置15(图13)进行曝光处理的温度。
搬运装置142(图13)将载置在基板载置部PASS9(图16)中的进行了曝光处理后的基板W依次搬运到清洗干燥处理单元SD2(图15)以及上层热处理部103的热处理单元PHP(图15)或下层热处理部104的热处理单元PH P(图15)。在该情况下，在清洗干燥处理单元SD2中进行基板W的清洗及干燥处理之后，在该热处理单元PHP中进行曝光后烘烤(PEB：PostExposur e Bake)处理。
在搬入搬出区14B中，搬运装置143(图13)将载置在载置兼冷却部P-CP(图16)的曝光处理前的基板W搬运到曝光装置15的基板搬入部15a(图13)。另外，搬运装置143(图13)从曝光装置15的基板搬出部15b(图13)中取出进行了曝光处理后的基板W，将该基板W搬运到基板载置部PASS9(图16)。
在本实施方式中，基板W在设置于上层的涂敷处理室21、22、显影处理室31、32及上层热处理部101、103中的处理，可以与基板W在设置于下层的涂敷处理室23、24、显影处理室33、34及下层热处理部102、104中的处理并行进行。由此，无需增加占用面积(footprint)，就能够提高生产吞吐量。
(13)效果
在本实施方式的涂敷处理单元10中，从喷出部212向由旋转夹具25旋转的基板W喷出冲洗液。此处，喷出部212具有沿着一方向排列的多个喷出口213，可以分别从多个喷出口213选择性地喷出冲洗液。在喷出部212的多个喷出口213的排列横穿由旋转夹具25旋转的基板W的周缘部、且与周缘部相向的状态下，向周缘部的内缘到外侧供给冲洗液。
根据该结构，喷出部212不向比基板W的周缘部的内缘更靠内的内侧供给冲洗液。另外，在向基板W的周缘部的内缘到外侧供给冲洗液时，无需用高压喷出冲洗液。因此，降低从基板W的一面冲洗液溅回的情况，从而能够防止冲洗液溅回到比基板W的周缘部的内缘更靠内的内侧。由此，能够防止如图4C中用双点划线表示那样的、去除后的涂敷膜F的外周部产生隆起的情况。结果，能够高精度地进行基板W的周缘部的处理。
(14)其他实施方式
(a)在上述实施方式中，如图4C和图5B、图5C的例子那样，在去除基板W的周缘部的涂敷膜时，还从与比基板W的外周部更靠外侧的区域相向的喷出口213喷出冲洗液，但本发明并不局限于此。无需从比基板W的外周部位于外侧的喷出口213喷出冲洗液。因此，在去除基板W的周缘部的涂敷膜时，也可以不从与比基板W的外周部更靠外侧的区域相向的喷出口213喷出冲洗液。在该情况下，不给基板W的周缘部的处理带来影响，就能够减少冲洗液的消耗量。
(b)在上述实施方式中，多个喷出口213在喷出部212的底表面212F形成为沿着长度方向排成两列，但是本发明并不局限于此。多个喷出口213可在喷出部212的底表面212F形成为沿着长度方向排成一列，多个喷出口213也可以在喷出部212的底表面212F沿着长度方向排成三列以上。
(c)在上述实施方式中，在去除基板W的周缘部的涂敷膜时，头部210配置成，喷出部212的多个喷出口213的排列与基板W的径向大致一致，但本发明并不局限于此。在去除基板W的周缘部的涂敷膜时，头部210可以配置成，喷出部212的多个喷出口213的排列相对于基板W的径向倾斜。
(d)在上述实施方式中，位置检测单元300由检测基板W的外周部的位置和喷出部212的位置的共用的拍摄装置310构成，但本发明并不局限于此。位置检测单元300可以由分别检测基板W的外周部的位置和喷出部212的位置的两个拍摄装置310构成。在该情况下，能够不用限制基板W的外周部和喷嘴单元200的位置关系，来提高喷嘴单元200的配置的自由度。
(e)在上述实施方式中，头部210具有压电方式的喷出部212，由压电元件分别独立地控制从多个喷出口213喷出去除液的动作，但本发明并不局限于此。只要能够分别独立地控制从多个喷出口213喷出去除液的动作即可，头部210也可以具有热方式等其他方式的喷出部212。
(f)在上述实施方式中，位置检测单元300的拍摄装置310由反射型的光电传感器构成，但本发明并不局限于此。拍摄装置310也可以由透过型的光电传感器构成。
(g)在上述实施方式中，拍摄装置310包括反射镜312，但本发明并不局限于此。拍摄装置310也可以不包括反射镜312。在该情况下，CCD线性传感器313直接检测在基板W上反射的光。
(h)在上述实施方式中，作为周缘部处理，进行了去除涂敷于基板W的周缘部的防反射液或抗蚀液的处理，但本发明并不局限于此。作为周缘部处理，也可以进行在基板W的周缘部形成涂敷液的膜的处理。例如，由于基板W的周缘部的表面粗糙，因此有时基板W的周缘部容易附着异物。在该情况下，通过在基板W的周缘部形成涂敷液的膜来覆盖基板W的周缘部。由此，能够防止在基板W的周缘部附着异物的情况。
(15)权利要求的各个结构构件与实施方式的各个构件的对应关系
以下，对权利要求的各个结构构件与实施方式的各个构件的对应关系的例子进行说明，但本发明不限于下述例子。
在上述的实施方式中，基板W是基板的例子，涂敷处理单元10是周缘部处理装置的例子，旋转夹具25是旋转保持部的例子，喷出口213是喷出口的例子。喷出部212是喷出部的例子，喷出控制部427是喷出控制部的例子，位置检测单元300、基板位置算出部424及喷嘴位置算出部425是位置变化检测部的例子。喷出口决定部426是喷出口决定部的例子，喷嘴位置算出部425是位置关系检测部的例子，喷嘴搬运装置240是移动部的例子，搬运控制部421是移动控制部的例子。
作为权利要求的各个结构构件，也能够使用具有权利要求记载的结构或功能的其它各种构件。
本发明能够有效地利用于使用各种处理液的基板的周缘部处理。

Claims (10)

1.一种周缘部处理装置，对具有至少一部分为圆形的外周部的基板的一面的、沿着所述外周部的环状的周缘部进行处理，其中，
所述周缘部处理装置具备：
旋转保持部，保持所述一面形成有膜的基板并使该基板旋转；
喷墨式的头部，具有沿着一方向排列的多个喷出口，能够从所述多个喷出口分别选择性地喷出处理液；以及，
喷出控制部，在周缘部处理时，在所述头部的所述多个喷出口的排列横穿由所述旋转保持部旋转的基板的所述周缘部、与所述周缘部相向且进行了所述头部相对于基板的定位的状态下，对应于基板的旋转角度来选择应该喷出处理液的喷出口和不应该喷出处理液的喷出口，以从被选择为应该喷出处理液的喷出口喷出处理液且不从被选择为不应该喷出处理液的喷出口喷出处理液的方式，控制从所述头部的所述多个喷出口喷出处理液，使得不向比所述周缘部的内缘更靠内的内侧供给处理液，而向所述周缘部的内缘到外侧供给处理液，
所述多个喷出口将去除液作为处理液喷出，所述去除液用于去除在基板的所述周缘部形成的膜。
2.根据权利要求1所述的周缘部处理装置，其中，
还具备：
位置变化检测部，检测由所述旋转保持部旋转的基板外周部的位置变化，以及，
喷出口决定部，基于由所述位置变化检测部检测到的基板外周部的位置变化，决定：由所述旋转保持部保持的基板的旋转角度和所述多个喷出口中的应该喷出处理液的一个以上的喷出口之间的关系；
所述喷出控制部基于由所述旋转保持部旋转的基板的旋转角度和由所述喷出口决定部决定的关系，使所述头部的所述多个喷出口中的一个以上的喷出口喷出处理液。
3.根据权利要求2所述的周缘部处理装置，其中，
所述位置变化检测部包括位置关系检测部，所述位置关系检测部针对基板的每个旋转角度，检测由所述旋转保持部旋转的基板的外周部的位置和所述头部的所述多个喷出口的位置之间的关系，
所述喷出口决定部基于由所述位置关系检测部检测到的关系，决定：由所述旋转保持部保持的基板的旋转角度和所述多个喷出口中的应该喷出处理液的一个以上的喷出口之间的关系。
4.根据权利要求3所述的周缘部处理装置，其中，
所述位置关系检测部生成表示基板的外周部和所述头部的图像的图像数据，基于生成的图像数据，检测基板的外周部的位置和所述头部的所述多个喷出口的位置之间的关系。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的周缘部处理装置，其中，
所述喷出口决定部将与基板的周缘部的内缘相向的喷出口、与比所述内缘更靠外侧的区域相向的喷出口，决定为所述多个喷出口中应该喷出处理液的一个以上的第一喷出口，
所述喷出控制部使由所述喷出口决定部决定的所述一个以上的第一喷出口喷出处理液。
6.根据权利要求5所述的周缘部处理装置，其中，
所述喷出口决定部决定表示由所述旋转保持部旋转的基板的外周部的位置变化的周期曲线，并且基于所述周期曲线，决定所述一个以上的第一喷出口。
7.根据权利要求2至4中任一项所述的周缘部处理装置，其中，
所述喷出口决定部基于由所述位置变化检测部检测到的关系，将比基板的外周部位于外侧的喷出口，决定为所述多个喷出口中不应该喷出处理液的一个以上的第二喷出口，
所述喷出控制部不使由所述喷出口决定部决定的所述一个以上的第二喷出口喷出处理液。
8.根据权利要求2至4中任一项所述的周缘部处理装置，其中，
还具备：
移动部，使所述头部移动到与由所述旋转保持部保持的基板的所述周缘部相向的位置，以及，
移动控制部，控制所述移动部的动作；
所述移动控制部基于由所述位置变化检测部检测到的基板外周部的位置变化控制所述移动部，以使所述多个喷出口的排列横穿由所述旋转保持部旋转的基板的所述周缘部、且移动到与所述周缘部相向的位置。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的周缘部处理装置，其中，
所述去除液用于去除由涂敷于所述周缘部的液体形成的膜。
10.一种周缘部处理方法，对具有至少一部分为圆形的外周部的基板的一面的、沿着所述外周部的环状的周缘部进行处理，其中，
所述周缘部处理方法包括：
由旋转保持部保持所述一面形成有膜的基板并使该基板旋转的步骤，以及，
从喷墨式的头部喷出处理液的步骤；
所述头部具有沿着一方向排列的多个喷出口，能够从所述多个喷出口分别选择性地喷出处理液；
所述喷出处理液的步骤，包括：
在周缘部处理时，设为所述头部的所述多个喷出口的排列横穿由所述旋转保持部旋转的基板的所述周缘部、与所述周缘部相向且进行了所述头部相对于基板的定位的状态，
选择应该喷出处理液的喷出口和不应该喷出处理液的喷出口，
以从被选择为应该喷出处理液的喷出口喷出处理液且不从被选择为不应该喷出处理液的喷出口喷出处理液的方式，对应于基板的旋转角度来从所述头部的所述多个喷出口喷出处理液，使得不向比所述周缘部的内缘更靠内的内侧供给处理液，而向所述周缘部的内缘到外侧供给处理液，
所述多个喷出口将去除液作为处理液喷出，所述去除液用于去除在基板的所述周缘部形成的膜。
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GR01 Patent grant
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