KR20180023836A - 주연부 처리 장치 및 주연부 처리 방법 - Google Patents

주연부 처리 장치 및 주연부 처리 방법 Download PDF

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Abstract

스핀 척에 의해 기판이 유지되고, 회전된다. 스핀 척에 의해 회전되는 기판에 토출부로부터 처리액이 토출된다. 토출부는, 일방향으로 나열되는 복수의 토출구를 갖고, 복수의 토출구로부터 각각 선택적으로 처리액을 토출 가능하다. 토출부의 복수의 토출구의 나열이 스핀 척에 의해 회전되는 기판의 주연부를 가로지르고 또한 주연부에 대향하는 상태에서, 주연부의 내측 가장자리로부터 외방으로 처리액이 공급된다. 기판의 주연부의 내측 가장자리보다 내방에는 처리액이 공급되지 않는다.

Description

주연부 처리 장치 및 주연부 처리 방법{PERIPHERAL PORTION PROCESSING DEVICE AND PERIPHERAL PORTION PROCESSING METHOD}
본 발명은 처리액을 사용하여 기판의 주연부를 처리하는 주연부 처리 장치 및 주연부 처리 방법에 관한 것이다.
기판 처리 장치에 있어서는, 스핀 척에 의해 수평으로 지지된 기판이 회전된다. 이 상태에서, 기판의 상면의 대략 중앙부에 노즐로부터 처리액이 토출됨으로써, 기판의 표면 전체에 처리액이 공급된다. 그 후, 소정의 열 처리가 실시됨으로써, 기판의 표면에 처리액으로 이루어지는 박막이 형성된다. 여기서, 기판의 주연부에 박막이 형성되면, 기판을 반송하는 반송 장치가 기판의 주연부를 파지했을 때, 막이 박리되어 파티클이 된다. 그래서, 기판의 표면 전체에 대한 처리액의 공급 후에 기판의 주연부의 처리액을 제거하는 처리가 실시된다 (예를 들어, 일본 공개특허공보 2001-110712호 참조).
일본 공개특허공보 2001-110712호의 도포막 제거 장치에 있어서는, 스핀 척에 유지된 기판의 주연부의 위치가 검출 기구에 의해 검출된다. 이 상태에서, 스핀 척이 360°회전함으로써, 스핀 척의 회전 위상과 그에 대응하는 기판의 주연부의 위치가 취득된다. 회전하는 기판의 주연부에 린스액 토출 노즐로부터 린스액이 토출됨으로써, 기판의 주연부의 레지스트액이 제거된다. 린스액의 토출시에는, 스핀 척의 회전에 수반하는 기판의 주연부의 위치 변동분이 보상되도록, 스핀 척 또는 린스액 토출 노즐의 위치가 얼라인먼트 기구에 의해 조정된다.
일본 공개특허공보 2001-110712호에는, 기판의 주연부에 형성된 불필요한 도포막을 높은 정밀도로 제거할 수 있다고 기재되어 있다. 그러나, 일본 공개특허공보 2001-110712호의 방법에서는, 제거 후의 도포막의 외주부에 부풀어오름이 발생한다. 그 때문에, 기판의 주연부에 있어서의 도포막의 형상을 정확하게 제어할 수 없어, 기판의 주연부를 높은 정밀도로 처리하는 것은 곤란하다.
본 발명의 목적은, 기판의 주연부의 처리를 높은 정밀도로 실시하는 것이 가능한 주연부 처리 장치 및 주연부 처리 방법을 제공하는 것이다.
(1) 본 발명의 일 국면에 따른 주연부 처리 장치는, 적어도 일부가 원형의 외주부를 갖는 기판의 일면에 있어서의 외주부를 따른 환상의 주연부에 처리를 실시하는 주연부 처리 장치로서, 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와, 일방향으로 나열되는 복수의 토출구를 갖고, 복수의 토출구로부터 각각 선택적으로 처리액을 토출 가능하게 구성된 토출부와, 토출부의 복수의 토출구의 나열이 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 주연부를 가로지르고 또한 주연부에 대향하는 상태에서, 주연부의 내측 가장자리보다 내방(內方)으로 처리액이 공급되지 않고 또한 주연부의 내측 가장자리로부터 외방(外方)으로 처리액이 공급되도록, 토출부의 복수의 토출구로부터의 처리액의 토출을 제어하는 토출 제어부를 구비한다.
이 주연부 처리 장치에 있어서는, 회전 유지부에 의해 기판이 유지되고, 회전된다. 회전 유지부에 의해 회전되는 기판에 토출부로부터 처리액이 토출된다. 여기서, 토출부는, 일방향으로 나열되는 복수의 토출구를 갖고, 복수의 토출구로부터 각각 선택적으로 처리액을 토출 가능하다. 토출부의 복수의 토출구의 나열이 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 주연부를 가로지르고 또한 주연부에 대향하는 상태에서, 주연부의 내측 가장자리로부터 외방으로 처리액이 공급된다.
이 구성에 의하면, 기판의 주연부의 내측 가장자리보다 내방에는 토출부로부터 처리액이 공급되지 않는다. 또, 기판의 주연부의 내측 가장자리로부터 외방으로 처리액을 공급할 때에 높은 압력으로 처리액을 토출할 필요가 없다. 그 때문에, 기판의 일면으로부터의 처리액의 튀어오름이 저감되어, 처리액이 기판의 주연부의 내측 가장자리보다 내방으로 튀어오르는 것이 방지된다. 이로써, 기판의 주연부의 처리를 높은 정밀도로 실시할 수 있다.
(2) 주연부 처리 장치는, 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 외주부의 위치 변화를 검출하는 위치 변화 검출부와, 위치 변화 검출부에 의해 검출된 기판의 외주부의 위치 변화에 기초하여, 회전 유지부에 유지된 기판의 회전 각도와 복수의 토출구 중 처리액을 토출해야 할 하나 이상의 토출구의 관계를 결정하는 토출구 결정부를 추가로 구비하고, 토출 제어부는, 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 회전 각도 및 토출구 결정부에 의해 결정된 관계에 기초하여 토출부의 복수의 토출구 중 하나 이상의 토출구로부터 처리액을 토출시켜도 된다. 이 구성에 의하면, 기판의 중심이 회전 유지부의 회전 중심에 대해 편심되어 있는 경우에도, 기판의 주연부의 처리를 높은 정밀도로 실시할 수 있다.
(3) 위치 변화 검출부는, 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 외주부의 위치와 토출부의 복수의 토출구의 위치의 관계를 기판의 회전 각도마다 검출하는 위치 관계 검출부를 포함하고, 토출구 결정부는, 위치 관계 검출부에 의해 검출된 관계에 기초하여, 회전 유지부에 유지된 기판의 회전 각도와 복수의 토출구 중 처리액을 토출해야 할 하나 이상의 토출구의 관계를 결정해도 된다. 이 경우, 기판의 외주부의 위치와 토출부의 복수의 토출구의 위치의 관계가 특정된다. 이로써, 토출부가 고정되어 있지 않은 경우에도, 기판의 주연부의 처리를 보다 높은 정밀도로 실시할 수 있다.
(4) 위치 관계 검출부는, 기판의 외주부 및 토출부의 화상을 나타내는 화상 데이터를 생성하고, 생성한 화상 데이터에 기초하여 기판의 외주부의 위치와 토출부의 복수의 토출구의 위치의 관계를 검출해도 된다. 이 경우, 화상 데이터에 기초하여, 간단한 구성으로 외주부의 위치와 토출부의 복수의 토출구의 위치의 관계를 특정할 수 있다.
(5) 토출구 결정부는, 복수의 토출구 중 처리액을 토출해야 할 하나 이상의 제 1 토출구로서 기판의 주연부의 내측 가장자리에 대향하는 토출구 및 내측 가장자리보다 외방의 영역에 대향하는 토출구를 결정하고, 토출 제어부는, 토출구 결정부에 의해 결정된 하나 이상의 제 1 토출구로부터 처리액을 토출시켜도 된다. 이 경우, 기판의 주연부에 정확하고 또한 확실하게 처리액을 공급할 수 있다.
(6) 토출구 결정부는, 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 외주부의 위치 변화를 나타내는 주기 곡선을 결정함과 함께, 주기 곡선에 기초하여 하나 이상의 제 1 토출구를 결정해도 된다. 이 경우, 주기 곡선에 기초하여 처리액을 토출해야 할 하나 이상의 토출구를 보다 용이하게 결정할 수 있다.
(7) 토출구 결정부는, 위치 변화 검출부에 의해 검출된 관계에 기초하여, 복수의 토출구 중 처리액을 토출해서는 안되는 하나 이상의 제 2 토출구로서 기판의 외주부보다 외방에 위치하는 토출구를 결정하고, 토출 제어부는, 토출구 결정부에 의해 결정된 하나 이상의 제 2 토출구로부터 처리액을 토출시키지 않아도 된다. 이 경우, 기판의 주연부의 처리에 영향을 미치지 않고 처리액의 소비량을 삭감할 수 있다.
(8) 주연부 처리 장치는, 토출부를 회전 유지부에 의해 유지된 기판의 주연부에 대향하는 위치로 이동시키는 이동부와, 이동부의 동작을 제어하는 이동 제어부를 추가로 구비하고, 이동 제어부는, 위치 변화 검출부에 의해 검출된 기판의 외주부의 위치 변화에 기초하여, 복수의 토출구의 나열이 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 주연부를 가로지르고 또한 주연부에 대향하는 위치로 이동하도록 이동부를 제어해도 된다.
이 경우, 주연부 처리시에, 토출부를 기판의 주연부에 대향하는 위치에 적절히 배치할 수 있다. 또, 주연부 처리 이외의 처리시에 토출부를 기판의 주연부에 대향하는 위치에 배치할 필요가 없다. 이로써, 다른 처리를 원활하게 실행할 수 있다.
(9) 복수의 토출구는, 기판의 주연부에 도포된 액을 제거하기 위한 제거액을 처리액으로서 토출해도 된다. 이 경우, 주연부 처리 장치는 기판의 주연부에 도포된 액을 제거하는 제거 처리를 실시할 수 있다.
(10) 복수의 토출구는, 기판의 주연부에 도포막을 형성하기 위한 도포액을 처리액으로서 토출해도 된다. 이 경우, 주연부 처리 장치는 기판의 주연부에 도포막을 형성하는 도포 처리를 실시할 수 있다.
(11) 토출부는 잉크젯 방식의 헤드를 포함해도 된다. 이 경우, 토출부의 복수의 토출구로부터 각각 선택적으로 처리액을 용이하게 토출할 수 있다.
(12) 본 발명의 다른 국면에 따른 주연부 처리 방법은, 적어도 일부가 원형의 외주부를 갖는 기판의 일면에 있어서의 외주부를 따른 환상의 주연부에 처리를 실시하는 주연부 처리 방법으로서, 회전 유지부에 의해 기판을 유지하여 회전시키는 단계와, 토출부로부터 처리액을 토출하는 단계를 포함하고, 토출부는, 일방향으로 나열되는 복수의 토출구를 갖고, 복수의 토출구로부터 각각 선택적으로 처리액을 토출 가능하고, 처리액을 토출하는 단계는, 토출부의 복수의 토출구의 나열이 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 주연부를 가로지르고 또한 주연부에 대향하는 상태에서, 주연부의 내측 가장자리보다 내방으로 처리액을 공급하지 않고 또한 주연부의 내측 가장자리로부터 외방으로 처리액을 공급하는 것을 포함한다.
이 주연부 처리 방법에 의하면, 회전 유지부에 의해 기판이 유지되고, 회전된다. 회전 유지부에 의해 회전되는 기판에 토출부로부터 처리액이 토출된다. 여기서, 토출부는, 일방향으로 나열되는 복수의 토출구를 갖고, 복수의 토출구로부터 각각 선택적으로 처리액을 토출 가능하다. 토출부의 복수의 토출구의 나열이 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 주연부를 가로지르고 또한 주연부에 대향하는 상태에서, 주연부의 내측 가장자리로부터 외방으로 처리액이 공급된다.
이 방법에 의하면, 기판의 주연부의 내측 가장자리보다 내방에는 토출부로부터 처리액이 공급되지 않는다. 또, 기판의 주연부의 내측 가장자리로부터 외방으로 처리액을 공급할 때에 높은 압력으로 처리액을 토출할 필요가 없다. 그 때문에, 기판의 일면으로부터의 처리액의 튀어오름이 저감되어, 처리액이 기판의 주연부의 내측 가장자리보다 내방으로 튀어오르는 것이 방지된다. 이로써, 기판의 주연부의 처리를 높은 정밀도로 실시할 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 도포 처리 유닛의 구성을 나타내는 모식적 평면도,
도 2 는, 도 1 의 노즐 유닛의 구성을 나타내는 모식적 사시도,
도 3 은, 도 2 의 토출부를 나타내는 모식적 저면도,
도 4(a)∼(c) 는, 노즐 유닛의 동작의 일례를 설명하기 위한 도면,
도 5(a)∼(c) 는, 노즐 유닛의 동작의 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 6 은, 도 1 의 도포 처리 유닛에 형성되는 일방의 위치 검출 유닛의 모식적 측면도,
도 7 은, 도 6 의 위치 검출 유닛의 모식적 평면도,
도 8 은, 도 1 의 도포 처리 유닛을 제어하기 위한 로컬 컨트롤러의 구성을 나타내는 블록도,
도 9(a)∼(c) 는, 도 8 의 로컬 컨트롤러의 동작을 설명하기 위한 도면,
도 10(a)∼(c) 는, 토출부의 토출 영역을 결정하는 방법을 설명하기 위한 도면,
도 11 은, 토출부의 제어를 설명하기 위한 도면,
도 12 는, 기판의 주연부를 처리하기 위한 주연부 처리를 나타내는 플로우 차트,
도 13 은, 도 1 의 도포 처리 유닛을 구비한 기판 처리 장치의 모식적 평면도,
도 14 는, 도 13 의 도포 처리부, 현상 처리부 및 세정 건조 처리부의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도,
도 15 는, 도 13 의 열 처리부 및 세정 건조 처리부의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도,
도 16 은, 반송부의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다.
이하, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 주연부 처리 장치 및 주연부 처리 방법에 대해 도면을 사용하여 설명한다. 본 실시형태에서는, 주연부 처리 장치의 예로서, 기판에 도포 처리를 실시하는 도포 처리 유닛에 대해 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체 기판, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판 또는 포토마스크용 기판 등을 말한다. 또, 본 실시형태에서 사용되는 기판은, 적어도 일부가 원형의 외주부를 갖는다. 예를 들어, 위치 결정용의 노치를 제외한 외주부가 원형을 갖는다.
(1) 도포 처리 유닛의 구성
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 도포 처리 유닛의 구성을 나타내는 모식적 평면도이다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 도포 처리 유닛 (스핀 코터) (10) 은, 대기부 (20), 복수의 스핀 척 (25), 복수의 컵 (27), 복수의 도포액 노즐 (28), 노즐 반송 장치 (29), 복수의 노즐 유닛 (200) 및 복수의 위치 검출 유닛 (300) 을 구비한다.
본 실시형태에 있어서는, 스핀 척 (25), 컵 (27), 노즐 유닛 (200) 및 위치 검출 유닛 (300) 은, 각 도포 처리 유닛 (10) 에 2 개씩 형성된다. 위치 검출 유닛 (300) 의 상세한 것에 대해서는 후술한다.
각 스핀 척 (25) 은, 기판 (W) 을 유지한 상태에서, 도시되지 않은 전동 모터 등의 구동 장치에 의해 회전 구동된다. 컵 (27) 은 스핀 척 (25) 의 주위를 둘러싸도록 형성된다. 대기시에는, 각 도포액 노즐 (28) 은 대기부 (20) 에 삽입된다. 각 도포액 노즐 (28) 에는, 도시되지 않은 도포액 저류부로부터 도포액 배관을 통해 여러 가지 도포액이 공급된다.
복수의 도포액 노즐 (28) 중 어느 도포액 노즐 (28) 이 노즐 반송 장치 (29) 에 의해 기판 (W) 의 상방으로 이동된다. 스핀 척 (25) 이 회전하면서 도포액 노즐 (28) 로부터 도포액 (본 예에서는 레지스트액 등의 감광성액)이 토출됨으로써, 회전하는 기판 (W) 상에 도포액이 도포된다. 이로써, 기판 (W) 에 도포액의 막 (이하, 도포막이라고 부른다) 이 형성된다.
노즐 유닛 (200) 은, 회전하는 기판 (W) 의 주연부를 향하여 제거액 (본 예에서는 린스액) 을 토출한다. 여기서, 기판 (W) 의 주연부란, 기판 (W) 의 원형의 외주부와 그 외주부로부터 일정 거리 내측의 원 사이의 환상 영역을 말한다. 이로써, 기판 (W) 의 주연부에 형성된 도포막이 용해된다. 그 결과, 기판 (W) 의 주연부의 도포막이 제거된다.
(2) 노즐 유닛의 구성
도 2 는, 도 1 의 도포 처리 유닛 (10) 에 형성되는 일방의 노즐 유닛 (200) 의 구성을 나타내는 모식적 사시도이다. 도포 처리 유닛 (10) 에 형성되는 타방의 노즐 유닛 (200) 의 구성은, 도 2 의 노즐 유닛 (200) 의 구성과 동일하다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 노즐 유닛 (200) 은, 헤드부 (210), 온조부 (220), 저류부 (230) 및 노즐 반송 장치 (240) (후술하는 도 8) 를 포함한다.
헤드부 (210) 는, 잉크젯 방식의 헤드에 의해 구성되고, 지지부 (211) 및 토출부 (212) 를 포함한다. 토출부 (212) 는, 일방향으로 연장되는 대략 직방체 형상을 갖고, 사각형상의 1 쌍의 단면 (212A, 212B), 사각형상의 1 쌍의 측면 (212C, 212D), 사각형상의 상면 (212E) 및 사각형상의 저면 (212F) 을 포함한다.
1 쌍의 단면 (212A, 212B) 은, 토출부 (212) 의 길이 방향에 있어서의 양단부에 각각 위치한다. 1 쌍의 측면 (212C, 212D) 은, 토출부 (212) 의 폭 방향에 있어서의 양단부에 각각 위치한다. 지지부 (211) 는, 토출부 (212) 의 상면 (212E) 에 형성되고, 노즐 반송 장치 (240) (후술하는 도 8) 에 장착된다. 토출부 (212) 는, 저면 (212F) 으로부터 린스액을 토출한다.
온조부 (220) 는, 토출부 (212) 의 측면 (212C) 에 접촉하도록 장착된다. 온조부 (220) 의 내부에는, 온도 조정된 순수 등의 온조 매체가 순환된다. 이로써, 토출부 (212) 로부터 토출되는 린스액의 온도가 조정된다. 저류부 (230) 에는, 린스액이 저류된다. 저류부 (230) 내에 저류된 린스액은, 헤드부 (210) 의 토출부 (212) 에 공급된다.
도 3 은, 도 2 의 토출부 (212) 를 나타내는 모식적 저면도이다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 토출부 (212) 의 대략 사각형상의 저면 (212F) 에는, 린스액을 토출하는 복수의 토출구 (213) 가 형성된다. 도 3 의 예에 있어서는, 복수의 토출구 (213) 중 대략 반수의 토출구 (213a) 및 나머지 대략 반수의 토출구 (213b) 가, 토출부 (212) 의 길이 방향을 따라 2 열로 나열되도록 배치된다.
이웃하는 2 개의 토출구 (213a) 의 중심간 거리 (피치) 및 이웃하는 2 개의 토출구 (213b) 의 중심간 거리 (피치) 는 각각 L1 이다. 길이 방향에 있어서, 이웃하는 토출구 (213a) 와 토출구 (213b) 의 중심간 거리 (피치) 는 L1/2 이다. 즉, 길이 방향에 있어서, 각 토출구 (213b) 는 이웃하는 토출구 (213a) 간의 중심에 위치하고, 각 토출구 (213a) 는 이웃하는 토출구 (213b) 간의 중심에 위치한다. 폭 방향에 있어서, 토출구 (213a) 와 토출구 (213b) 의 중심간 거리 (피치) 는 L2 이다.
본 예에 있어서는, 거리 (L1) 는, 예를 들어 0.1693 ㎜ 이다. 거리 (L2) 는, 예를 들어 0.508 ㎜ 이다. 거리 (L1, L2) 는 이들 값에 한정되지 않고, 다른 값이어도 된다. 또, 각 토출구 (213a) 의 치수 (면적) 와 각 토출구 (213b) 의 치수 (면적) 는 동일해도 되고, 상이해도 된다.
이하의 설명에 있어서, 복수의 토출구 (213) 중, 단면 (212A) 에 가장 가까운 토출구 (213) (본 예에서는 토출구 (213a)) 를, 특히 단부 토출구 (213A) 라고 부른다. 복수의 토출구 (213) 중, 단면 (212B) 에 가장 가까운 토출구 (213) (본 예에서는 토출구 (213b)) 를, 특히 단부 토출구 (213B) 라고 부른다.
토출부 (212) 는, 복수의 토출구 (213) 에 제거액을 각각 유도하는 복수의 유로를 갖는다. 복수의 유로에는, 각각 피에조 소자 등의 가압 소자가 형성된다. 복수의 유로에 형성된 가압 소자가 각각 독립적으로 제어됨으로써, 복수의 토출구 (213) 로부터의 제거액의 토출이 각각 독립적으로 제어된다.
(3) 노즐 유닛의 동작
도 4(a)∼(c) 는, 노즐 유닛 (200) 의 동작의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 도 4 에 있어서는, 도 2 의 온조부 (220) 의 도시가 생략된다. 후술하는 도 5 에 있어서도 동일하다. 도 4(a) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 표면에는, 도 1 의 도포액 노즐 (28) 에 의해 도포막 (F) 이 형성되어 있다. 도포막 (F) 이 제거되어야 할 기판 (W) 의 주연부의 폭 (E) (이하, 에지 컷폭 (E) 이라고 부른다) 은 미리 설정되어 있다.
주연부의 도포막 (F) 의 제거시에는, 헤드부 (210) 는, 노즐 반송 장치 (240) (후술하는 도 8) 에 의해 소정의 대기 위치로부터 기판 (W) 의 주연부의 상방의 토출 위치로 이동된다. 토출 위치에 있어서는, 토출부 (212) 가 기판 (W) 의 반경 방향으로 연장되고 또한 기판 (W) 의 주연부가 토출부 (212) 의 저면 (212F) 에 대향하도록 헤드부 (210) 가 위치 결정된다. 이로써, 토출부 (212) 의 단면 (212A) 은 기판 (W) 의 주연부보다 외방에 위치하고, 토출부 (212) 의 단면 (212B) 은 기판 (W) 의 주연부보다 내방에 위치한다.
상기와 같이, 토출부 (212) 는, 도 3 의 복수의 토출구 (213) 로부터 개별적으로 린스액을 토출 가능하게 구성된다. 또, 후술하는 바와 같이, 토출 위치에 있어서의 토출부 (212) 와 기판 (W) 의 위치 관계가 특정된다. 그래서, 기판 (W) 의 주연부의 도포막 (F) 이 에지 컷폭 (E) 만 제거되도록, 복수의 토출구 (213) 중, 린스액을 토출하는 토출구 (213) 와 린스액을 토출하지 않는 토출구 (213) 가 결정된다.
도 4(b) 의 예에서는, 토출부 (212) 의 길이 방향에 있어서, 단부 토출구 (213A) (도 3) 로부터 토출부 (212) 의 단면 (212B) 을 향하여 폭 (w1) 의 영역에 포함되는 복수의 토출구 (213) (도 3) 로부터 린스액 (R) 이 토출된다. 한편, 토출부 (212) 의 길이 방향에 있어서, 단부 토출구 (213B) (도 3) 로부터 토출부 (212) 의 단면 (212A) 을 향하여 폭 (w2) 의 영역에 포함되는 복수의 토출구 (213) 로부터는 린스액 (R) 이 토출되지 않는다.
이로써, 도 4(c) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 주연부에 있어서의 에지 컷폭 (E) 의 영역 내의 도포막 (F) 부분이 제거된다. 이 구성에 의하면, 제거 후의 도포막 (F) 의 외주부에 부풀어오름 (도 4(c) 의 2 점 쇄선 참조) 이 발생하는 것이 방지된다. 이로써, 기판 (W) 의 주연부의 도포막 (F) 의 제거를 높은 정밀도로 실시할 수 있다.
도 5(a)∼(c) 는, 노즐 유닛 (200) 의 동작의 다른 예를 설명하기 위한 도면이다. 기판 (W) 은, 그 중심이 스핀 척 (25) 의 회전 중심에 대략 일치하도록 재치(載置)된다. 그러나, 기판 (W) 을 스핀 척 (25) 으로 반송하는 반송 장치에 있어서의 여러 가지 부재의 기계 정밀도의 제한에 의해, 기판 (W) 의 중심과 스핀 척 (25) 의 회전 중심에는 100 ㎛ 정도의 어긋남이 발생한다.
이 상태에서 스핀 척 (25) 이 회전하면, 도 5(a) 에 굵은 화살표로 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 외주부의 위치가 변화한다. 도 5(a) 에 있어서는, 최내방으로 변위된 기판 (W) 이 실선으로 나타나고, 최외방으로 변위된 기판 (W) 이 2 점 쇄선으로 나타난다. 변위의 진폭은 ΔA 이다. 또한, 여기서 사용되는 진폭이란, 전체 진폭 (양진폭), 즉 피크 투 피크값을 의미한다. 이와 같은 경우에도, 기판 (W) 의 변위에 따라 주연부의 도포막 (F) 이 에지 컷폭 (E) 만 제거되도록, 복수의 토출구 (213) 중, 린스액을 토출하는 토출구 (213) 와 린스액을 토출하지 않는 토출구 (213) 가 기판 (W) 의 회전 각도에 대응하여 축차 결정된다.
도 5(b) 의 예에서는 기판 (W) 이 최외방으로 변위된다. 이 때, 토출부 (212) 의 길이 방향에 있어서, 단부 토출구 (213A) (도 3) 로부터 토출부 (212) 의 단면 (212B) 을 향하여 폭 (w3) 의 영역에 포함되는 복수의 토출구 (213) (도 3) 로부터 린스액 (R) 이 토출된다. 한편, 토출부 (212) 의 길이 방향에 있어서, 단부 토출구 (213B) (도 3) 로부터 토출부 (212) 의 단면 (212A) 을 향하여 폭 (w4) 의 영역에 포함되는 복수의 토출구 (213) 로부터는 린스액 (R) 이 토출되지 않는다.
도 5(c) 의 예에서는, 기판 (W) 이 최내방으로 변위된다. 이 때, 토출부 (212) 의 길이 방향에 있어서, 단부 토출구 (213A) 로부터 토출부 (212) 의 단면 (212B) 을 향하여 폭 (w5) 의 영역에 포함되는 복수의 토출구 (213) 로부터 린스액 (R) 이 토출된다. 한편, 토출부 (212) 의 길이 방향에 있어서, 단부 토출구 (213B) 로부터 토출부 (212) 의 단면 (212A) 을 향하여 폭 (w6) 의 영역에 포함되는 복수의 토출구 (213) 로부터는 린스액 (R) 이 토출되지 않는다. 폭 (w5) 은 폭 (w3) 보다 크고, 폭 (w6) 은 폭 (w4) 보다 작다.
이로써, 도 4(c) 의 예와 동일하게, 기판 (W) 의 주연부에 있어서의 에지 컷폭 (E) 의 영역 내의 도포막 (F) 부분이 제거된다. 이 구성에 의하면, 기판 (W) 의 중심과 스핀 척 (25) 의 회전 중심이 어긋나 있음으로써 기판 (W) 이 스핀 척 (25) 에 관해 편심되어 회전하는 경우에도, 기판 (W) 의 주연부의 도포막 (F) 의 제거를 높은 정밀도로 실시할 수 있고, 에지 컷폭 (E) 을 원하는 일정값으로 할 수 있다. 이하의 설명에 있어서, 폭 (w1, w3, w5) 의 영역과 같이, 토출부 (212) 의 저면 (212F) 에 있어서의 린스액 (R) 을 토출하는 영역을 토출 영역이라고 부른다.
(4) 위치 검출 유닛의 구성
도 6 은, 도 1 의 도포 처리 유닛 (10) 에 형성되는 일방의 위치 검출 유닛 (300) 의 모식적 측면도이다. 도 7 은, 도 6 의 위치 검출 유닛 (300) 의 모식적 평면도이다. 도포 처리 유닛 (10) 에 형성되는 타방의 위치 검출 유닛 (300) 의 구성은, 도 6 및 도 7 의 위치 검출 유닛 (300) 의 구성과 동일하다.
본 실시형태에서는, 도 6 및 도 7 에 나타내는 바와 같이, 위치 검출 유닛 (300) 은 단일한 촬상 장치 (310) 에 의해 구성된다. 촬상 장치 (310) 는, 조명부 (311), 반사 미러 (312) 및 CCD (전하 결합 소자) 라인 센서 (313) 를 구비한다.
조명부 (311) 는 기판 (W) 의 주연부의 상방에 배치된다. 반사 미러 (312) 는, 노즐 유닛 (200) 을 사이에 두고 조명부 (311) 와 대향하도록 기판 (W) 의 상방에 배치된다. 반사 미러 (312) 의 상방에 CCD 라인 센서 (313) 가 배치된다. CCD 라인 센서 (313) 는, 화소가 1 열로 나열되도록 배치된다.
조명부 (311) 로부터 띠상의 광 (이하, 조명광이라고 부른다) 이 발생된다. 조명광은, 기판 (W) 의 주연부에 조사된다. 또, 조명광의 일부는 노즐 유닛 (200) 의 하단에 조사된다. 조사된 조명광은, 기판 (W) 상에서 반사되고, 또한 반사 미러 (312) 상에서 반사되어, CCD 라인 센서 (313) 에 입사한다.
이로써, 기판 (W) 의 주연부 및 그 근방의 영역 (이하, 주연부 영역이라고 약기한다) 이 촬상됨과 함께, 노즐 유닛 (200) 의 하단의 토출부 (212) (도 2) 의 하단이 촬상된다. 기판 (W) 의 주연부 영역 및 토출부 (212) 의 화상을 나타내는 화상 데이터는, 후술하는 도 8 의 로컬 컨트롤러 (400) 에 제공된다.
(5) 로컬 컨트롤러의 구성
도 8 은, 도 1 의 도포 처리 유닛 (10) 을 제어하기 위한 로컬 컨트롤러 (400) 의 구성을 나타내는 블록도이다. 도 8 에 나타내는 바와 같이, 로컬 컨트롤러 (400) 는, 기억부 (410) 및 주제어부 (420) 를 포함한다. 기억부 (410) 는, 예를 들어 불휘발성 메모리 또는 하드 디스크에 의해 구성된다. 기억부 (410) 에는, 도포 처리 유닛 (10) 의 동작을 제어하기 위한 프로그램이 기억됨과 함께, 여러 가지 데이터가 기억된다. 또, 기억부 (410) 에는, 미리 설정된 에지 컷폭 (E) 을 나타내는 정보가 기억된다.
주제어부 (420) 는, 중앙 연산 처리 장치 (CPU) 에 의해 구성되고, 반송 제어부 (421), 회전 제어부 (422), 촬상 제어부 (423), 기판 위치 산출부 (424), 노즐 위치 산출부 (425), 토출구 결정부 (426) 및 토출 제어부 (427) 를 포함한다. 주제어부 (420) 가 기억부 (410) 에 기억된 프로그램을 실행함으로써, 반송 제어부 (421), 회전 제어부 (422), 촬상 제어부 (423), 기판 위치 산출부 (424), 노즐 위치 산출부 (425), 토출구 결정부 (426) 및 토출 제어부 (427) 의 기능이 실현된다.
반송 제어부 (421) 는, 노즐 유닛 (200) 의 헤드부 (210) (도 2) 를 대기 위치와 토출 위치 사이에서 이동시키도록 노즐 반송 장치 (240) 를 제어한다. 회전 제어부 (422) 는, 기판 (W) 을 유지, 회전 또는 정지시키도록 스핀 척 (25) 을 제어함과 함께, 스핀 척 (25) 의 회전 속도를 제어한다. 또, 스핀 척 (25) 에는, 인코더가 형성된다. 회전 제어부 (422) 는, 스핀 척 (25) 의 인코더로부터 출력 신호를 취득하고, 스핀 척 (25) 의 회전 각도 (기판 (W) 의 회전 각도) 를 검출한다. 예를 들어, 기판 (W) 의 노치가 미리 정해진 방향을 향하는 상태를 기준 각도 (0 도) 로 정의한다. 회전 각도는 기준 각도로부터의 기판 (W) 의 회전 각도이다.
촬상 제어부 (423) 는, 기판 (W) 의 주연부 영역 및 토출부 (212) 를 촬상함으로써 화상 데이터를 생성하도록 위치 검출 유닛 (300) 을 제어한다. 또, 촬상 제어부 (423) 는, 위치 검출 유닛 (300) 으로부터 기판 (W) 의 주연부 영역 및 토출부 (212) 의 화상을 나타내는 화상 데이터를 취득한다.
기판 위치 산출부 (424) 는, 회전 제어부 (422) 에 의해 검출된 기판 (W) 의 회전 각도와, 촬상 제어부 (423) 에 의해 취득된 화상 데이터에 기초하여, 기판 (W) 의 반경 방향에 있어서의 기판 (W) 의 외주부의 위치를 회전 각도마다 산출한다. 노즐 위치 산출부 (425) 는, 촬상 제어부 (423) 에 의해 취득된 화상 데이터에 기초하여, 기판 (W) 에 대한 토출부 (212) 의 위치를 산출한다.
토출부 (212) 에 있어서의 각 토출구 (213) (도 3) 의 위치는 이미 알려진 바와 같다. 그래서, 토출구 결정부 (426) 는, 기판 위치 산출부 (424) 에 의해 산출된 기판 (W) 의 외주부의 위치와, 노즐 위치 산출부 (425) 에 의해 산출된 토출부 (212) 의 위치에 기초하여, 린스액을 토출하는 토출구 (213) 를 기판 (W) 의 회전 각도마다 결정한다. 토출 제어부 (427) 는, 회전 제어부 (422) 에 의해 검출되는 기판 (W) 의 회전 각도에 따라, 토출구 결정부 (426) 에 의해 결정된 토출구 (213) 로부터 린스액을 토출하고, 다른 토출구 (213) 로부터는 린스액을 토출하지 않게 토출부 (212) 를 제어한다.
(6) 로컬 컨트롤러의 동작
도 9(a)∼(c) 는, 도 8 의 로컬 컨트롤러 (400) 의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 도 9(a)∼(c) 에 있어서는, 최외방으로 변위된 기판 (W) 의 외주부가 2 점 쇄선으로 도시되고, 최내방으로 변위된 기판 (W) 의 외주부가 실선으로 나타난다. 도 9(a) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 이 회전되면서 위치 검출 유닛 (300) 에 의해 기판 (W) 의 주연부 영역이 촬상된다. 이로써, 기판 (W) 의 주연부 영역의 화상을 나타내는 화상 데이터가 생성된다.
위치 검출 유닛 (300) 에 의해 생성된 화상 데이터가 촬상 제어부 (423) (도 8) 에 의해 취득된다. 이로써, 기판 (W) 의 회전 각도마다의 기판 (W) 의 외주부의 위치가 기판 위치 산출부 (424) 에 의해 산출된다. 최외방으로 변위된 기판 (W) 의 외주부의 위치와 최내방으로 변위된 기판 (W) 의 외주부의 위치의 차 (기판 (W) 의 변위의 진폭) 는 ΔA 이다. 진폭 (ΔA) 은, 기판 (W) 의 회전 중심 (스핀 척 (25) 의 회전 중심) 에 대한 기판 (W) 의 중심의 편심량에 상당한다. 토출부 (212) 의 토출 영역의 길이는, 에지 컷폭 (E) 과 상기의 진폭 (ΔA) 의 합계 이상이다.
다음으로, 도 8 의 노즐 반송 장치 (240) 가 반송 제어부 (421) 로 제어됨으로써, 도 9(b) 에 나타내는 바와 같이, 토출부 (212) 가 대기 위치로부터 토출 위치로 이동된다. 이 경우, 반송 제어부 (421) 는, 토출부 (212) 의 복수의 토출구 (213) 의 나열이 기판 (W) 의 반경 방향에 대략 일치하고, 또한 토출부 (212) 의 단부 토출구 (213A) (도 3) 가 최외방에 위치한 기판 (W) 의 외주부의 위치보다 외방에 있도록 노즐 반송 장치 (240) 를 제어한다. 이로써, 기판 (W) 의 회전에 따라 기판 (W) 의 외주부의 위치가 변화해도, 토출부 (212) 의 토출 영역이 기판 (W) 의 주연부에 대향한다.
이 상태에서, 위치 검출 유닛 (300) 에 의해 회전하는 기판 (W) 의 주연부 영역 및 토출부 (212) 가 촬상된다. 이로써, 기판 (W) 의 주연부 영역 및 토출부 (212) 의 화상을 나타내는 화상 데이터가 생성된다.
위치 검출 유닛 (300) 에 의해 생성된 화상 데이터가 촬상 제어부 (423) 에 의해 취득된다. 이로써, 기판 (W) 의 외주부의 위치에 대한 토출부 (212) 의 위치가 기판 (W) 의 회전 각도마다 노즐 위치 산출부 (425) (도 8) 에 의해 산출된다. 여기서, 토출부 (212) 에 있어서의 각 토출구 (213) (도 3) 의 위치는 이미 알려진 바와 같기 때문에, 기판 (W) 의 외주부의 위치에 대한 각 토출구 (213) 의 위치가 기판 (W) 의 회전 각도마다 특정된다. 그 후, 기판 (W) 의 외주부의 위치에 대한 각 토출구 (213) 의 위치에 기초하여, 린스액을 토출해야 할 토출구 (213) (토출 영역) 가 기판 (W) 의 회전 각도마다 토출구 결정부 (426) (도 8) 에 의해 결정된다.
구체적으로는, 도 9(c) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 이 최외방으로 변위되었을 때의 토출부 (212) 의 토출 영역이 결정된다. 당해 토출 영역은, 도 5(b) 의 폭 (w3) 의 영역에 상당한다. 또, 기판 (W) 이 최내방으로 변위되었을 때의 토출부 (212) 의 토출 영역이 결정된다. 당해 토출 영역은, 도 5(c) 의 폭 (w5) 의 영역에 상당한다. 이들 토출 영역은, 기판 (W) 의 주연부의 내측 가장자리에 대향하는 토출구 (213) 및 그 내측 가장자리보다 외방의 영역에 대향하는 토출구 (213) 에 상당한다.
도 10(a)∼(c) 는, 토출부 (212) 의 토출 영역을 결정하는 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 10(a)∼(c) 에 있어서는, 가로축은 기판 (W) 의 회전 각도를 나타내고, 세로축은 토출부 (212) 의 토출 영역의 폭을 나타낸다. 도 10(a) 의 예에서는, 상기와 같이, 토출 영역의 폭 (w3, w5) 이 결정된다. 그 후, 최외방과 최내방 사이에서 기판 (W) 의 외주부의 위치가 변위되었을 때의 기판 (W) 의 회전 각도와 토출 영역의 폭의 관계가 토출구 결정부 (426) 에 의해 정현 곡선 또는 여현 곡선으로 보간(補間)된다.
도 10(a) 에 있어서는, 보간된 토출 영역의 폭을 나타내는 곡선이 2 점 쇄선으로 나타난다. 곡선의 진폭은, 폭 (w3) 과 폭 (w5) 의 차이고, 기판 (W) 의 외주부의 변위의 진폭 (ΔA) 과 동등하다. 도 10(a) 의 예에서는 2 개의 토출 영역의 폭 (w3, w5) 에 기초하여 다른 위치에 기판 (W) 의 외주부가 변위되었을 때의 기판 (W) 의 회전 각도와 토출 영역의 폭의 관계가 보간되지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다.
도 10(b) 의 예에서는, 최외방과 최내방의 중간 위치에 기판 (W) 의 외주부가 변위되었을 때의 기판 (W) 의 회전 각도와 토출 영역의 폭의 관계가, 폭 (w3, w5) 의 결정 방법과 동일한 방법으로 미리 결정된다. 그 후, 다른 위치에 기판 (W) 의 외주부가 변위되었을 때의 기판 (W) 의 회전 각도와 토출 영역의 폭의 관계가 보간된다. 도 10(c) 의 예에서는, 기판의 더욱 다수의 회전 각도에서의 기판 (W) 의 회전 각도와 토출 영역의 폭의 관계의 관계가 폭 (w3, w5) 의 결정 방법과 동일한 방법으로 결정된다.
도 11 은, 토출부 (212) 의 제어를 설명하기 위한 도면이다. 도 11 의 상부에 있어서, 가로축은 기판 (W) 의 회전 각도를 나타내고, 세로축은 기판 (W) 의 외주부의 위치를 나타낸다. 기판 (W) 의 외주부의 위치는, 스핀 척 (25) (도 1) 의 회전 중심을 원점 (0) 으로 하여 나타낸다. 도 11 의 하부에 있어서, 가로축은 기판 (W) 의 회전 각도를 나타내고, 세로축은 토출부 (212) 의 토출 영역의 폭을 나타낸다. 토출부 (212) 의 토출 영역의 폭은, 토출부 (212) 의 길이 방향에 있어서의 단부 토출구 (213A) 의 위치를 원점 (0) 으로 하여 나타낸다.
이하, 도 11 의 상부에 있어서의 기판 (W) 의 외주부의 위치 변화를 나타내는 곡선을 위치 변화 곡선이라고 부르고, 도 11 의 하부에 있어서의 토출부 (212) 의 토출 영역의 폭을 나타내는 곡선을 폭 변화 곡선이라고 부른다. 도 11 에 나타내는 바와 같이, 폭 변화 곡선과 위치 변화 곡선의 위상차가 π 가 되도록, 토출 영역의 토출구 (213) (도 3) 로부터 린스액을 토출하도록 토출부 (212) 가 토출 제어부 (427) (도 8) 에 의해 제어된다. 이 경우, 토출 제어부 (427) 는, 토출부 (212) 의 토출 영역의 폭의 변화가 기판 (W) 의 회전 속도에 동기하도록 토출부 (212) 를 제어한다. 이로써, 기판 (W) 의 중심이 기판 (W) 의 회전 중심으로부터 편심되어 있는 경우에도, 도포막 (F) 의 제거되는 부분의 폭이 일정해진다.
(7) 주연부 처리
도 12 는, 기판 (W) 의 주연부를 처리하기 위한 주연부 처리를 나타내는 플로우 차트이다. 이하, 도 8 을 참조하면서 로컬 컨트롤러 (400) 의 주제어부 (420) 에 의한 주연부 처리를 설명한다. 주연부 처리는, 기판 (W) 에 도포막이 형성된 직후에, 기판 (W) 이 스핀 척 (25) 에 의해 계속 회전되는 상태에서 실행된다.
먼저, 주제어부 (420) 는, 회전하는 기판 (W) 의 주연부 영역을 위치 검출 유닛 (300) 에 의해 촬상한다 (단계 S1). 다음으로, 주제어부 (420) 는, 생성된 화상 데이터를 취득한다 (단계 S2). 계속해서, 주제어부 (420) 는, 취득된 화상 데이터에 기초하여, 기판 (W) 의 외주부의 위치를 회전 각도마다 산출한다 (단계 S3).
다음으로, 주제어부 (420) 는, 노즐 반송 장치 (240) 에 의해 헤드부 (210) (도 2) 를 대기 위치로부터 토출 위치로 이동시킨다 (단계 S4). 이 상태에서, 주제어부 (420) 는, 회전하는 기판 (W) 의 주연부 영역과 함께, 헤드부 (210) 의 토출부 (212) 를 위치 검출 유닛 (300) 에 의해 촬상한다 (단계 S5). 계속해서, 주제어부 (420) 는, 생성된 화상 데이터를 취득한다 (단계 S6). 그 후, 주제어부 (420) 는, 취득된 화상 데이터에 기초하여, 기판 (W) 의 외주부에 대한 토출부 (212) 의 위치를 산출한다 (단계 S7).
다음으로, 주제어부 (420) 는, 기판 (W) 에 대한 토출부 (212) 의 각 토출구 (213) (도 3) 의 위치를 특정한다 (단계 S8). 계속해서, 주제어부 (420) 는, 기판 (W) 의 외주부의 위치, 기판 (W) 에 대한 토출부 (212) 의 각 토출구 (213) 의 위치 및 미리 설정된 에지 컷폭 (E) 에 기초하여, 토출부 (212) 의 토출 영역의 폭을 기판 (W) 의 회전 각도마다 결정한다 (단계 S9).
그 후, 주제어부 (420) 는, 기판 (W) 의 회전 각도마다의 토출 영역의 폭을 변화시키면서 토출부 (212) 의 토출 영역에 상당하는 하나 이상의 토출구 (213) 로부터 린스액을 토출한다 (단계 S10). 토출부 (212) 가 린스액을 토출하면서 기판 (W) 이 1 회전 이상의 미리 정해진 회전수만큼 회전한 후, 주제어부 (420) 는, 노즐 반송 장치 (240) 에 의해 헤드부 (210) 를 토출 위치로부터 대기 위치로 이동시키고 (단계 S11), 처리를 종료한다.
(8) 기판 처리 장치의 구성
도 13 은, 도 1 의 도포 처리 유닛 (10) 을 구비한 기판 처리 장치의 모식적 평면도이다. 도 13 및 이후의 소정의 도면에는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해서 서로 직교하는 X 방향, Y 방향 및 Z 방향을 나타내는 화살표를 부여하고 있다. X 방향 및 Y 방향은 수평면 내에서 서로 직교하고, Z 방향은 연직 방향에 상당한다.
도 13 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (100) 는, 인덱서 블록 (11), 도포 블록 (12), 현상 블록 (13), 세정 건조 처리 블록 (14A) 및 반입 반출 블록 (14B) 을 구비한다. 세정 건조 처리 블록 (14A) 및 반입 반출 블록 (14B) 에 의해, 인터페이스 블록 (14) 이 구성된다. 반입 반출 블록 (14B) 에 인접하도록 노광 장치 (15) 가 배치된다.
인덱서 블록 (11) 은, 복수의 캐리어 재치부 (111) 및 반송부 (112) 를 포함한다. 각 캐리어 재치부 (111) 에는, 복수의 기판 (W) 을 다단으로 수납하는 캐리어 (113) 가 재치된다. 반송부 (112) 에는, 메인 컨트롤러 (114) 및 반송 장치 (반송 로봇) (115) 가 형성된다. 메인 컨트롤러 (114) 는, 기판 처리 장치 (100) 의 여러 가지 구성 요소를 제어한다. 반송 장치 (115) 는, 기판 (W) 을 유지하면서 그 기판 (W) 을 반송한다.
도포 블록 (12) 은, 도포 처리부 (121), 반송부 (122) 및 열 처리부 (123) 를 포함한다. 도포 처리부 (121) 및 열 처리부 (123) 는, 반송부 (122) 를 사이에 두고 대향한다. 반송부 (122) 와 인덱서 블록 (11) 사이에는, 기판 (W) 이 재치되는 기판 재치부 (PASS1∼PASS4) (도 16 참조) 가 형성된다. 반송부 (122) 에는, 기판 (W) 을 반송하는 반송 장치 (127, 128) (도 16 참조) 가 형성된다.
현상 블록 (13) 은, 현상 처리부 (131), 반송부 (132) 및 열 처리부 (133) 를 포함한다. 현상 처리부 (131) 및 열 처리부 (133) 는, 반송부 (132) 를 사이에 두고 대향한다. 반송부 (132) 와 반송부 (122) 사이에는, 기판 (W) 이 재치되는 기판 재치부 (PASS5∼PASS8) (도 16 참조) 가 형성된다. 반송부 (132) 에는, 기판 (W) 을 반송하는 반송 장치 (137, 138) (도 16 참조) 가 형성된다.
세정 건조 처리 블록 (14A) 은, 세정 건조 처리부 (161, 162) 및 반송부 (163) 를 포함한다. 세정 건조 처리부 (161, 162) 는, 반송부 (163) 를 사이에 두고 대향한다. 반송부 (163) 에는 반송 장치 (141, 142) 가 형성된다.
반송부 (163) 와 반송부 (132) 사이에는, 재치 겸 버퍼부 (P-BF1, P-BF2) (도 16 참조) 가 형성된다. 재치 겸 버퍼부 (P-BF1, P-BF2) 는, 복수의 기판 (W) 을 수용 가능하게 구성된다.
또, 반송 장치 (141, 142) 사이에 있어서, 반입 반출 블록 (14B) 에 인접하도록, 기판 재치부 (PASS9) 및 후술하는 재치 겸 냉각부 (P-CP) (도 16 참조) 가 형성된다. 재치 겸 냉각부 (P-CP) 는, 기판 (W) 을 냉각시키는 기능 (예를 들어, 쿨링 플레이트) 을 구비한다. 재치 겸 냉각부 (P-CP) 에 있어서, 기판 (W) 이 노광 처리에 적합한 온도로 냉각된다.
반입 반출 블록 (14B) 에는, 반송 장치 (143) 가 형성된다. 반송 장치 (143) 는, 노광 장치 (15) 에 대한 기판 (W) 의 반입 및 반출을 실시한다. 노광 장치 (15) 에는, 기판 (W) 을 반입하기 위한 기판 반입부 (15a) 및 기판 (W) 을 반출하기 위한 기판 반출부 (15b) 가 형성된다.
(9) 도포 처리부 및 현상 처리부
도 14 는, 도 13 의 도포 처리부 (121), 현상 처리부 (131) 및 세정 건조 처리부 (161) 의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다. 도 14 에 나타내는 바와 같이, 도포 처리부 (121) 에는, 도포 처리실 (21, 22, 23, 24) 이 계층적으로 형성된다. 각 도포 처리실 (21∼24) 에는, 도 1 의 도포 처리 유닛 (10) 이 형성된다. 현상 처리부 (131) 에는, 현상 처리실 (31, 32, 33, 34) 이 계층적으로 형성된다. 각 현상 처리실 (31∼34) 에는, 현상 처리 유닛 (139) (스핀 디벨로퍼) 이 형성된다.
본 실시형태에 있어서는, 도포 처리실 (22, 24) 의 도포 처리 유닛 (10) 의 도포액 노즐 (28) 로부터는, 반사 방지막용의 도포액 (반사 방지액) 이 토출된다. 도포 처리실 (21, 23) 의 도포 처리 유닛 (10) 의 도포액 노즐 (28) 로부터는, 레지스트막용의 도포액 (레지스트액) 이 토출된다.
현상 처리 유닛 (139) 은, 도포 처리 유닛 (10) 과 동일하게, 복수의 스핀 척 (35) 및 복수의 컵 (37) 을 구비한다. 또, 도 13 에 나타내는 바와 같이, 현상 처리 유닛 (139) 은, 현상액을 토출하는 2 개의 슬릿 노즐 (38) 및 그들의 슬릿 노즐 (38) 을 이동시키는 이동 장치 (39) 를 구비한다.
현상 처리 유닛 (139) 에 있어서는, 도시되지 않은 구동 장치에 의해 스핀 척 (35) 이 회전된다. 그에 의해, 기판 (W) 이 회전된다. 이 상태에서, 슬릿 노즐 (38) 이 이동하면서 각 기판 (W) 에 현상액을 공급한다. 이로써, 기판 (W) 의 현상 처리가 실시된다.
세정 건조 처리부 (161) 에는, 복수 (본 예에서는 4 개) 의 세정 건조 처리 유닛 (SD1) 이 형성된다. 세정 건조 처리 유닛 (SD1) 에 있어서는, 노광 처리 전의 기판 (W) 의 세정 및 건조 처리가 실시된다.
(10) 열 처리부
도 15 는, 도 13 의 열 처리부 (123, 133) 및 세정 건조 처리부 (162) 의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다. 도 15 에 나타내는 바와 같이, 열 처리부 (123) 는, 상방에 형성되는 상단 열 처리부 (101) 및 하방에 형성되는 하단 열 처리부 (102) 를 갖는다. 상단 열 처리부 (101) 및 하단 열 처리부 (102) 에는, 복수의 열 처리 유닛 (PHP), 복수의 밀착 강화 처리 유닛 (PAHP) 및 복수의 냉각 유닛 (CP) 이 형성된다.
열 처리부 (123) 의 최상부에는, 도 8 의 로컬 컨트롤러 (400) 가 형성된다. 로컬 컨트롤러 (400) 는, 도 13 의 메인 컨트롤러 (114) 로부터의 지령에 기초하여, 도포 처리부 (121), 반송부 (122) 및 열 처리부 (123) 의 동작을 제어한다.
열 처리 유닛 (PHP) 에 있어서는, 기판 (W) 의 가열 처리 및 냉각 처리가 실시된다. 밀착 강화 처리 유닛 (PAHP) 에 있어서는, 기판 (W) 과 반사 방지막의 밀착성을 향상시키기 위한 밀착 강화 처리가 실시된다. 구체적으로는, 밀착 강화 처리 유닛 (PAHP) 에 있어서, 기판 (W) 에 HMDS (헥사메틸디실라잔) 등의 밀착 강화제가 도포됨과 함께, 기판 (W) 에 가열 처리가 실시된다. 냉각 유닛 (CP) 에 있어서는, 기판 (W) 의 냉각 처리가 실시된다.
열 처리부 (133) 는, 상방에 형성되는 상단 열 처리부 (103) 및 하방에 형성되는 하단 열 처리부 (104) 를 갖는다. 상단 열 처리부 (103) 및 하단 열 처리부 (104) 에는, 냉각 유닛 (CP), 복수의 열 처리 유닛 (PHP) 및 에지 노광부 (EEW) 가 형성된다.
열 처리부 (133) 의 최상부에는, 로컬 컨트롤러 (500) 가 형성된다. 로컬 컨트롤러 (500) 는, 도 13 의 메인 컨트롤러 (114) 로부터의 지령에 기초하여, 현상 처리부 (131), 반송부 (132) 및 열 처리부 (133) 의 동작을 제어한다.
에지 노광부 (EEW) 에 있어서는, 기판 (W) 의 주연부의 노광 처리 (에지 노광 처리) 가 실시된다. 기판 (W) 에 에지 노광 처리가 실시됨으로써, 이후의 현상 처리시에, 기판 (W) 의 주연부 상의 레지스트막이 제거된다. 그에 의해, 현상 처리 후에 있어서, 기판 (W) 의 주연부가 다른 부분과 접촉했을 경우에, 기판 (W) 의 주연부 상의 레지스트막이 박리되어 파티클이 되는 것이 방지된다.
세정 건조 처리부 (162) 에는, 복수 (본 예에서는 5 개) 의 세정 건조 처리 유닛 (SD2) 이 형성된다. 세정 건조 처리 유닛 (SD2) 에 있어서는, 노광 처리 후의 기판 (W) 의 세정 및 건조 처리가 실시된다.
(11) 반송부
도 16 은, 반송부 (122, 132, 163) 의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다. 도 16 에 나타내는 바와 같이, 반송부 (122) 는, 상단 반송실 (125) 및 하단 반송실 (126) 을 갖는다. 반송부 (132) 는, 상단 반송실 (135) 및 하단 반송실 (136) 을 갖는다. 상단 반송실 (125) 에는 반송 장치 (127) 가 형성되고, 하단 반송실 (126) 에는 반송 장치 (128) 가 형성된다. 또, 상단 반송실 (135) 에는 반송 장치 (137) 가 형성되고, 하단 반송실 (136) 에는 반송 장치 (138) 가 형성된다.
반송부 (112) 와 상단 반송실 (125) 사이에는, 기판 재치부 (PASS1, PASS2) 가 형성되고, 반송부 (112) 와 하단 반송실 (126) 사이에는, 기판 재치부 (PASS3, PASS4) 가 형성된다. 상단 반송실 (125) 과 상단 반송실 (135) 사이에는, 기판 재치부 (PASS5, PASS6) 가 형성되고, 하단 반송실 (126) 과 하단 반송실 (136) 사이에는, 기판 재치부 (PASS7, PASS8) 가 형성된다.
상단 반송실 (135) 과 반송부 (163) 사이에는, 재치 겸 버퍼부 (P-BF1) 가 형성되고, 하단 반송실 (136) 과 반송부 (163) 사이에는 재치 겸 버퍼부 (P-BF2) 가 형성된다. 반송부 (163) 에 있어서 반입 반출 블록 (14B) 과 인접하도록, 기판 재치부 (PASS9) 및 복수의 재치 겸 냉각부 (P-CP) 가 형성된다.
재치 겸 버퍼부 (P-BF1) 는, 반송 장치 (137) 및 반송 장치 (141, 142) (도 13) 에 의한 기판 (W) 의 반입 및 반출이 가능하게 구성된다. 재치 겸 버퍼부 (P-BF2) 는, 반송 장치 (138) 및 반송 장치 (141, 142) (도 13) 에 의한 기판 (W) 의 반입 및 반출이 가능하게 구성된다. 또, 기판 재치부 (PASS9) 및 재치 겸 냉각부 (P-CP) 는, 반송 장치 (141, 142) (도 13) 및 반송 장치 (143) 에 의한 기판 (W) 의 반입 및 반출이 가능하게 구성된다.
반송 장치 (127) 는, 도포 처리실 (21, 22) (도 14), 기판 재치부 (PASS1, PASS2, PASS5, PASS6) (도 16) 및 상단 열 처리부 (101) (도 15) 에 대해 기판 (W) 의 수수를 실시한다. 반송 장치 (128) 는, 도포 처리실 (23, 24) (도 14), 기판 재치부 (PASS3, PASS4, PASS7, PASS8) (도 16) 및 하단 열 처리부 (102) (도 15) 에 대해 기판 (W) 의 수수를 실시한다.
반송 장치 (137) 는, 현상 처리실 (31, 32) (도 14), 기판 재치부 (PASS5, PASS6) (도 16), 재치 겸 버퍼부 (P-BF1) (도 16) 및 상단 열 처리부 (103) (도 15) 에 대해 기판 (W) 의 수수를 실시한다. 반송 장치 (138) 는, 현상 처리실 (33, 34) (도 14), 기판 재치부 (PASS7, PASS8) (도 16), 재치 겸 버퍼부 (P-BF2) (도 16) 및 하단 열 처리부 (104) (도 15) 에 대해 기판 (W) 의 수수를 실시한다.
(12) 기판 처리
도 13 ∼ 도 16 을 참조하면서 기판 처리를 설명한다. 인덱서 블록 (11) 의 캐리어 재치부 (111) (도 13) 에는, 미처리된 기판 (W) 이 수용된 캐리어 (113) 가 재치된다. 반송 장치 (115) 는, 캐리어 (113) 로부터 기판 재치부 (PASS1, PASS3) (도 16) 로 미처리된 기판 (W) 을 반송한다. 또, 반송 장치 (115) 는, 기판 재치부 (PASS2, PASS4) (도 16) 에 재치된 처리가 끝난 기판 (W) 을 캐리어 (113) 에 반송한다.
도포 블록 (12) 에 있어서, 반송 장치 (127) (도 16) 는, 기판 재치부 (PASS1) 에 재치된 미처리된 기판 (W) 을 밀착 강화 처리 유닛 (PAHP) (도 15), 냉각 유닛 (CP) (도 15) 및 도포 처리실 (22) (도 14) 에 순서대로 반송한다. 다음으로, 반송 장치 (127) 는, 도포 처리실 (22) 의 기판 (W) 을, 열 처리 유닛 (PHP) (도 15), 냉각 유닛 (CP) (도 15), 도포 처리실 (21) (도 14), 열 처리 유닛 (PHP) (도 15) 및 기판 재치부 (PASS5) (도 16) 에 순서대로 반송한다.
이 경우, 밀착 강화 처리 유닛 (PAHP) 에 있어서, 기판 (W) 에 밀착 강화 처리가 실시된 후, 냉각 유닛 (CP) 에 있어서, 반사 방지막의 형성에 적합한 온도로 기판 (W) 이 냉각된다. 다음으로, 도포 처리실 (22) 에 있어서, 도포 처리 유닛 (10) (도 14) 에 의해 기판 (W) 상에 반사 방지막이 형성되고, 기판 (W) 의 주연부의 반사 방지막이 제거된다. 계속해서, 열 처리 유닛 (PHP) 에 있어서, 기판 (W) 의 열 처리가 실시된 후, 냉각 유닛 (CP) 에 있어서, 레지스트막의 형성에 적합한 온도로 기판 (W) 이 냉각된다. 다음으로, 도포 처리실 (21) 에 있어서, 도포 처리 유닛 (10) (도 14) 에 의해, 기판 (W) 상에 레지스트막이 형성되고, 기판 (W) 의 주연부의 레지스트막이 제거된다. 그 후, 열 처리 유닛 (PHP) 에 있어서, 기판 (W) 의 열 처리가 실시되고, 그 기판 (W) 이 기판 재치부 (PASS5) 에 재치된다.
또, 반송 장치 (127) 는, 기판 재치부 (PASS6) (도 16) 에 재치된 현상 처리 후의 기판 (W) 을 기판 재치부 (PASS2) (도 16) 에 반송한다.
반송 장치 (128) (도 16) 는, 기판 재치부 (PASS3) 에 재치된 미처리된 기판 (W) 을 밀착 강화 처리 유닛 (PAHP) (도 15), 냉각 유닛 (CP) (도 15) 및 도포 처리실 (24) (도 14) 에 순서대로 반송한다. 다음으로, 반송 장치 (128) 는, 도포 처리실 (24) 의 기판 (W) 을, 열 처리 유닛 (PHP) (도 15), 냉각 유닛 (CP) (도 15), 도포 처리실 (23) (도 14), 열 처리 유닛 (PHP) (도 15) 및 기판 재치부 (PASS7) (도 16) 에 순서대로 반송한다.
또, 반송 장치 (128) (도 16) 는, 기판 재치부 (PASS8) (도 16) 에 재치된 현상 처리 후의 기판 (W) 을 기판 재치부 (PASS4) (도 16) 에 반송한다. 도포 처리실 (23, 24) (도 14) 및 하단 열 처리부 (102) (도 15) 에 있어서의 기판 (W) 의 처리 내용은, 상기의 도포 처리실 (21, 22) (도 14) 및 상단 열 처리부 (101) (도 15) 에 있어서의 기판 (W) 의 처리 내용과 각각 동일하다.
현상 블록 (13) 에 있어서, 반송 장치 (137) (도 16) 는, 기판 재치부 (PASS5) 에 재치된 레지스트막 형성 후의 기판 (W) 을 에지 노광부 (EEW) (도 15) 및 재치 겸 버퍼부 (P-BF1) (도 16) 에 순서대로 반송한다. 이 경우, 에지 노광부 (EEW) 에 있어서, 기판 (W) 에 에지 노광 처리가 실시된다. 에지 노광 처리 후의 기판 (W) 이 재치 겸 버퍼부 (P-BF1) 에 재치된다.
또, 반송 장치 (137) (도 16) 는, 세정 건조 처리 블록 (14A) 에 인접하는 열 처리 유닛 (PHP) (도 15) 으로부터 노광 처리 후에 또한 열 처리 후의 기판 (W) 을 취출한다. 반송 장치 (137) 는, 그 기판 (W) 을 냉각 유닛 (CP) (도 15), 현상 처리실 (31, 32) (도 14) 중 어느 일방, 열 처리 유닛 (PHP) (도 15) 및 기판 재치부 (PASS6) (도 16) 에 순서대로 반송한다.
이 경우, 냉각 유닛 (CP) 에 있어서, 현상 처리에 적합한 온도로 기판 (W) 이 냉각된 후, 현상 처리실 (31, 32) 중 어느 일방에 있어서, 현상 처리 유닛 (139) 에 의해 기판 (W) 의 현상 처리가 실시된다. 그 후, 열 처리 유닛 (PHP) 에 있어서, 기판 (W) 의 열 처리가 실시되고, 그 기판 (W) 이 기판 재치부 (PASS6) 에 재치된다.
반송 장치 (138) (도 16) 는, 기판 재치부 (PASS7) 에 재치된 레지스트막 형성 후의 기판 (W) 을 에지 노광부 (EEW) (도 15) 및 재치 겸 버퍼부 (P-BF2) (도 16) 에 순서대로 반송한다.
또, 반송 장치 (138) (도 16) 는, 세정 건조 처리 블록 (14A) 에 인접하는 열 처리 유닛 (PHP) (도 15) 으로부터 노광 처리 후에 또한 열 처리 후의 기판 (W) 취출한다. 반송 장치 (138) 는, 그 기판 (W) 을 냉각 유닛 (CP) (도 15), 현상 처리실 (33, 34) (도 14) 중 어느 일방, 열 처리 유닛 (PHP) (도 15) 및 기판 재치부 (PASS8) (도 16) 에 순서대로 반송한다. 현상 처리실 (33, 34) 및 하단 열 처리부 (104) 에 있어서의 기판 (W) 의 처리 내용은, 상기의 현상 처리실 (31, 32) 및 상단 열 처리부 (103) 에 있어서의 기판 (W) 의 처리 내용과 각각 동일하다.
세정 건조 처리 블록 (14A) 에 있어서, 반송 장치 (141) (도 13) 는, 재치 겸 버퍼부 (P-BF1, P-BF2) (도 16) 에 재치된 기판 (W) 을 세정 건조 처리 유닛 (SD1) (도 14) 및 재치 겸 냉각부 (P-CP) (도 16) 에 순서대로 반송한다. 이 경우, 세정 건조 처리 유닛 (SD1) 에 있어서 기판 (W) 의 세정 및 건조 처리가 실시된 후, 재치 겸 냉각부 (P-CP) 에 있어서 노광 장치 (15) (도 13) 에 의한 노광 처리에 적합한 온도로 기판 (W) 이 냉각된다.
반송 장치 (142) (도 13) 는, 기판 재치부 (PASS9) (도 16) 에 재치된 노광 처리 후의 기판 (W) 을 세정 건조 처리 유닛 (SD2) (도 15) 및 상단 열 처리부 (103) 또는 하단 열 처리부 (104) 의 열 처리 유닛 (PHP) (도 15) 에 순서대로 반송한다. 이 경우, 세정 건조 처리 유닛 (SD2) 에 있어서 기판 (W) 의 세정 및 건조 처리가 실시된 후, 열 처리 유닛 (PHP) 에 있어서 노광 후 베이크 (PEB) 처리가 실시된다.
반입 반출 블록 (14B) 에 있어서, 반송 장치 (143) (도 13) 는, 재치 겸 냉각부 (P-CP) (도 16) 에 재치된 노광 처리 전의 기판 (W) 을 노광 장치 (15) 의 기판 반입부 (15a) (도 13) 에 반송한다. 또, 반송 장치 (143) (도 13) 는, 노광 장치 (15) 의 기판 반출부 (15b) (도 13) 로부터 노광 처리 후의 기판 (W) 을 취출하고, 그 기판 (W) 을 기판 재치부 (PASS9) (도 16) 에 반송한다.
본 실시형태에 있어서는, 상단에 형성된 도포 처리실 (21, 22), 현상 처리실 (31, 32) 및 상단 열 처리부 (101, 103) 에 있어서의 기판 (W) 의 처리와, 하단에 형성된 도포 처리실 (23, 24), 현상 처리실 (33, 34) 및 하단 열 처리부 (102, 104) 에 있어서의 기판 (W) 의 처리를 병행하여 실시할 수 있다. 그에 의해, 풋 프린트를 증가시키지 않고, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
(13) 효과
본 실시형태에 관련된 도포 처리 유닛 (10) 에 있어서는, 스핀 척 (25) 에 의해 회전되는 기판 (W) 에 토출부 (212) 로부터 린스액이 토출된다. 여기서, 토출부 (212) 는, 일방향으로 나열되는 복수의 토출구 (213) 를 갖고, 복수의 토출구 (213) 로부터 각각 선택적으로 린스액을 토출 가능하다. 토출부 (212) 의 복수의 토출구 (213) 의 나열이 스핀 척 (25) 에 의해 회전되는 기판 (W) 의 주연부를 가로지르고 또한 주연부에 대향하는 상태에서, 주연부의 내측 가장자리로부터 외방으로 린스액이 공급된다.
이 구성에 의하면, 기판 (W) 의 주연부의 내측 가장자리보다 내방에는 토출부 (212) 로부터 린스액이 공급되지 않는다. 또, 기판 (W) 의 주연부의 내측 가장자리로부터 외방으로 린스액을 공급할 때에 높은 압력으로 린스액을 토출할 필요가 없다. 그 때문에, 기판 (W) 의 일면으로부터의 린스액의 튀어오름이 저감되어, 린스액이 기판 (W) 의 주연부의 내측 가장자리보다 내방으로 튀어오르는 것이 방지된다. 이로써, 도 4(c) 의 2 점 쇄선으로 나타내는 바와 같은 제거 후의 도포막 (F) 의 외주부에 부풀어오름이 발생하는 것이 방지된다. 그 결과, 기판 (W) 의 주연부의 처리를 높은 정밀도로 실시할 수 있다.
(14) 다른 실시형태
(a) 상기 실시형태에 있어서는, 도 4(c) 및 도 5(b), (c) 의 예와 같이, 기판 (W) 의 주연부의 도포막의 제거시에, 기판 (W) 의 외주부보다 외방의 영역에 대향하는 토출구 (213) 로부터도 린스액이 토출되지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 기판 (W) 의 외주부보다 외방에 위치하는 토출구 (213) 로부터는 린스액을 토출할 필요가 없다. 그 때문에, 기판 (W) 의 주연부의 도포막의 제거시에, 기판 (W) 의 외주부보다 외방의 영역에 대향하는 토출구 (213) 로부터는 린스액이 토출되지 않아도 된다. 이 경우, 기판 (W) 의 주연부의 처리에 영향을 미치지 않고 린스액의 소비량을 삭감할 수 있다.
(b) 상기 실시형태에 있어서는, 복수의 토출구 (213) 가 2 열로 길이 방향으로 나열되도록 토출부 (212) 의 저면 (212F) 에 형성되지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 복수의 토출구 (213) 가 1 열로 길이 방향으로 나열되도록 토출부 (212) 의 저면 (212F) 에 형성되어도 되고, 복수의 토출구 (213) 가 3 열 이상으로 길이 방향으로 나열되도록 토출부 (212) 의 저면 (212F) 에 형성되어도 된다.
(c) 상기 실시형태에 있어서는, 기판 (W) 의 주연부의 도포막의 제거시에, 토출부 (212) 의 복수의 토출구 (213) 의 나열이 기판 (W) 의 반경 방향에 대략 일치하도록 헤드부 (210) 가 배치되지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 기판 (W) 의 주연부의 도포막의 제거시에, 토출부 (212) 의 복수의 토출구 (213) 의 나열이 기판 (W) 의 반경 방향으로부터 경사지도록 헤드부 (210) 가 배치되어도 된다.
(d) 상기 실시형태에 있어서는, 위치 검출 유닛 (300) 은 기판 (W) 의 외주부의 위치 및 토출부 (212) 의 위치를 검출하는 공통된 촬상 장치 (310) 에 의해 구성되지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 위치 검출 유닛 (300) 은, 기판 (W) 의 외주부의 위치 및 토출부 (212) 의 위치를 각각 검출하는 2 개의 촬상 장치 (310) 에 의해 구성되어도 된다. 이 경우, 기판 (W) 의 외주부와 노즐 유닛 (200) 의 위치 관계의 제약없이 노즐 유닛 (200) 의 배치의 자유도를 향상시킬 수 있다.
(e) 상기 실시형태에 있어서는, 헤드부 (210) 는 피에조 소자에 의해 복수의 토출구 (213) 로부터의 제거액의 토출이 각각 독립적으로 제어되는 피에조 방식의 토출부 (212) 를 갖지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 복수의 토출구 (213) 로부터의 제거액의 토출을 각각 독립적으로 제어 가능하면, 헤드부 (210) 는 열방식 등의 다른 방식의 토출부 (212) 를 가져도 된다.
(f) 상기 실시형태에 있어서는, 위치 검출 유닛 (300) 의 촬상 장치 (310) 는, 반사형의 광전 센서에 의해 구성되지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 촬상 장치 (310) 는, 투과형의 광전 센서에 의해 구성되어도 된다.
(g) 상기 실시형태에 있어서는, 촬상 장치 (310) 는 반사 미러 (312) 를 포함하지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 촬상 장치 (310) 는 반사 미러 (312) 를 포함하지 않아도 된다. 이 경우, CCD 라인 센서 (313) 는 기판 (W) 상에서 반사된 광을 직접 검출하도록 배치된다.
(h) 상기 실시형태에 있어서는, 주연부 처리로서 기판 (W) 의 주연부에 도포된 반사 방지액 또는 레지스트액을 제거하는 처리가 실시되지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 주연부 처리로서 기판 (W) 의 주연부에 도포액의 막을 형성하는 처리가 실시되어도 된다.
예를 들어, 기판 (W) 의 주연부의 표면이 거칠기 때문에 기판 (W) 의 주연부에 이물질이 부착되기 쉬워지는 경우가 있다. 이와 같은 경우, 기판 (W) 의 주연부에 도포액의 막을 형성함으로써, 기판 (W) 의 주연부가 피복된다. 이로써, 기판 (W) 의 주연부에 이물질이 부착되는 것을 방지할 수 있다.
(15) 청구항의 각 구성 요소와 실시형태의 각 요소의 대응 관계
이하, 청구항의 각 구성 요소와 실시형태의 각 요소의 대응예에 대해 설명하지만, 본 발명은 하기의 예에 한정되지 않는다.
상기의 실시형태에서는, 기판 (W) 이 기판의 예이고, 도포 처리 유닛 (10) 이 주연부 처리 장치의 예이고, 스핀 척 (25) 이 회전 유지부의 예이고, 토출구 (213) 가 토출구의 예이다. 토출부 (212) 가 토출부의 예이고, 토출 제어부 (427) 가 토출 제어부의 예이고, 위치 검출 유닛 (300), 기판 위치 산출부 (424) 및 노즐 위치 산출부 (425) 가 위치 변화 검출부의 예이다. 토출구 결정부 (426) 가 토출구 결정부의 예이고, 노즐 위치 산출부 (425) 가 위치 관계 검출부의 예이고, 노즐 반송 장치 (240) 가 이동부의 예이고, 반송 제어부 (421) 가 이동 제어부의 예이다.
청구항의 각 구성 요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는 다른 여러 가지 요소를 사용할 수도 있다.
본 발명은 여러 가지 처리액을 사용한 기판의 주연부 처리에 유효하게 이용할 수 있다.

Claims (12)

  1. 적어도 일부가 원형의 외주부를 갖는 기판의 일면에 있어서의 상기 외주부를 따른 환상의 주연부에 처리를 실시하는 주연부 처리 장치로서,
    기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와,
    일방향으로 나열되는 복수의 토출구를 갖고, 상기 복수의 토출구로부터 각각 선택적으로 처리액을 토출 가능하게 구성된 토출부와,
    상기 토출부의 상기 복수의 토출구의 나열이 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 상기 주연부를 가로지르고 또한 상기 주연부에 대향하는 상태에서, 상기 주연부의 내측 가장자리보다 내방으로 처리액이 공급되지 않고 또한 상기 주연부의 내측 가장자리로부터 외방으로 처리액이 공급되도록, 상기 토출부의 상기 복수의 토출구로부터의 처리액의 토출을 제어하는 토출 제어부를 구비하는, 주연부 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 외주부의 위치 변화를 검출하는 위치 변화 검출부와,
    상기 위치 변화 검출부에 의해 검출된 기판의 외주부의 위치 변화에 기초하여, 상기 회전 유지부에 유지된 기판의 회전 각도와 상기 복수의 토출구 중 처리액을 토출해야 할 하나 이상의 토출구의 관계를 결정하는 토출구 결정부를 추가로 구비하고,
    상기 토출 제어부는, 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 회전 각도 및 상기 토출구 결정부에 의해 결정된 관계에 기초하여 상기 토출부의 상기 복수의 토출구 중 하나 이상의 토출구로부터 처리액을 토출시키는, 주연부 처리 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 위치 변화 검출부는, 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 외주부의 위치와 상기 토출부의 상기 복수의 토출구의 위치의 관계를 기판의 회전 각도마다 검출하는 위치 관계 검출부를 포함하고,
    상기 토출구 결정부는, 상기 위치 관계 검출부에 의해 검출된 관계에 기초하여, 상기 회전 유지부에 유지된 기판의 회전 각도와 상기 복수의 토출구 중 처리액을 토출해야 할 하나 이상의 토출구의 관계를 결정하는, 주연부 처리 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 위치 관계 검출부는, 기판의 외주부 및 상기 토출부의 화상을 나타내는 화상 데이터를 생성하고, 생성한 화상 데이터에 기초하여 기판의 외주부의 위치와 상기 토출부의 상기 복수의 토출구의 위치의 관계를 검출하는, 주연부 처리 장치.
  5. 청구항 2 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 토출구 결정부는, 상기 복수의 토출구 중 처리액을 토출해야 할 하나 이상의 제 1 토출구로서 기판의 주연부의 내측 가장자리에 대향하는 토출구 및 상기 내측 가장자리보다 외방의 영역에 대향하는 토출구를 결정하고,
    상기 토출 제어부는, 상기 토출구 결정부에 의해 결정된 상기 하나 이상의 제 1 토출구로부터 처리액을 토출시키는, 주연부 처리 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 토출구 결정부는, 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 외주부의 위치 변화를 나타내는 주기 곡선을 결정함과 함께, 상기 주기 곡선에 기초하여 상기 하나 이상의 제 1 토출구를 결정하는, 주연부 처리 장치.
  7. 청구항 2 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 토출구 결정부는, 상기 위치 변화 검출부에 의해 검출된 관계에 기초하여, 상기 복수의 토출구 중 처리액을 토출해서는 안되는 하나 이상의 제 2 토출구로서 기판의 외주부보다 외방에 위치하는 토출구를 결정하고,
    상기 토출 제어부는, 상기 토출구 결정부에 의해 결정된 상기 하나 이상의 제 2 토출구로부터 처리액을 토출시키지 않는, 주연부 처리 장치.
  8. 청구항 2 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 토출부를 상기 회전 유지부에 의해 유지된 기판의 상기 주연부에 대향하는 위치로 이동시키는 이동부와,
    상기 이동부의 동작을 제어하는 이동 제어부를 추가로 구비하고,
    상기 이동 제어부는, 상기 위치 변화 검출부에 의해 검출된 기판의 외주부의 위치 변화에 기초하여, 상기 복수의 토출구의 나열이 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 상기 주연부를 가로지르고 또한 상기 주연부에 대향하는 위치로 이동하도록 상기 이동부를 제어하는, 주연부 처리 장치.
  9. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 토출구는, 기판의 상기 주연부에 도포된 액을 제거하기 위한 제거액을 처리액으로서 토출하는, 주연부 처리 장치.
  10. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 토출구는, 기판의 상기 주연부에 도포막을 형성하기 위한 도포액을 처리액으로서 토출하는, 주연부 처리 장치.
  11. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 토출부는 잉크젯 방식의 헤드를 포함하는, 주연부 처리 장치.
  12. 적어도 일부가 원형의 외주부를 갖는 기판의 일면에 있어서의 상기 외주부를 따른 환상의 주연부에 처리를 실시하는 주연부 처리 방법으로서,
    회전 유지부에 의해 기판을 유지하여 회전시키는 단계와,
    토출부로부터 처리액을 토출하는 단계를 포함하고,
    상기 토출부는, 일방향으로 나열되는 복수의 토출구를 갖고, 상기 복수의 토출구로부터 각각 선택적으로 처리액을 토출 가능하고,
    상기 처리액을 토출하는 단계는, 상기 토출부의 상기 복수의 토출구의 나열이 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 상기 주연부를 가로지르고 또한 상기 주연부에 대향하는 상태에서, 상기 주연부의 내측 가장자리보다 내방으로 처리액을 공급하지 않고 또한 상기 주연부의 내측 가장자리로부터 외방으로 처리액을 공급하는 것을 포함하는, 주연부 처리 방법.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7179568B2 (ja) * 2018-10-05 2022-11-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7153521B2 (ja) * 2018-10-05 2022-10-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び検査方法
JP7295054B2 (ja) * 2020-03-19 2023-06-20 トヨタ自動車株式会社 高粘度材料の塗布方法および塗布装置
JP7572564B2 (ja) 2021-07-26 2024-10-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、情報処理方法及び記憶媒体
CN115889293B (zh) * 2022-11-08 2024-04-16 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 清洗硅片的周缘的装置、方法及清洗硅片的设备
JP2024134148A (ja) * 2023-03-20 2024-10-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001110712A (ja) * 1999-10-12 2001-04-20 Tokyo Electron Ltd 塗布膜除去装置及び塗布膜除去方法
JP2005088567A (ja) * 2003-09-12 2005-04-07 Ind Technol Res Inst 微流体のインクジェット制御方法
KR20130037164A (ko) * 2011-10-05 2013-04-15 가부시키가이샤 소쿠도 도포방법 및 도포장치
JP2014091105A (ja) * 2012-11-06 2014-05-19 Tokyo Electron Ltd 基板周縁部の塗布膜除去方法、基板処理装置及び記憶媒体

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3277278B2 (ja) * 1999-10-28 2002-04-22 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP4069081B2 (ja) * 2004-01-13 2008-03-26 東京エレクトロン株式会社 位置調整方法及び基板処理システム
JP2010040747A (ja) * 2008-08-05 2010-02-18 Toshiba Corp 基板処理装置
JP2013054128A (ja) * 2011-09-01 2013-03-21 Toshiba Corp 塗布装置及び塗布方法
JP5838067B2 (ja) * 2011-10-05 2015-12-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 塗布方法および塗布装置
CN103365075B (zh) * 2012-03-26 2017-06-23 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种能消除晶圆表面彩纹的光刻工艺方法
TWI597770B (zh) * 2013-09-27 2017-09-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
KR101673061B1 (ko) * 2013-12-03 2016-11-04 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6282904B2 (ja) * 2014-03-14 2018-02-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6285275B2 (ja) * 2014-04-30 2018-02-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6352824B2 (ja) * 2015-01-23 2018-07-04 東芝メモリ株式会社 基板処理装置、制御プログラムおよび制御方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001110712A (ja) * 1999-10-12 2001-04-20 Tokyo Electron Ltd 塗布膜除去装置及び塗布膜除去方法
JP2005088567A (ja) * 2003-09-12 2005-04-07 Ind Technol Res Inst 微流体のインクジェット制御方法
KR20130037164A (ko) * 2011-10-05 2013-04-15 가부시키가이샤 소쿠도 도포방법 및 도포장치
JP2014091105A (ja) * 2012-11-06 2014-05-19 Tokyo Electron Ltd 基板周縁部の塗布膜除去方法、基板処理装置及び記憶媒体

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Publication number Publication date
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