TW201825888A - 基板檢查裝置、基板處理裝置、基板檢查方法以及基板處理方法 - Google Patents

基板檢查裝置、基板處理裝置、基板檢查方法以及基板處理方法 Download PDF

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Abstract

藉由旋轉保持部將基板能夠旋轉地加以保持。於第一攝像時，藉由利用攝像部對由旋轉保持部保持之基板進行攝像，而生成表示基板之圖像之第一圖像資料。於第一攝像後，藉由旋轉保持部使基板旋轉預先規定之角度。於基板之旋轉後之第二攝像時，藉由利用攝像部對由旋轉保持部保持之基板進行攝像，而生成表示基板之圖像之第二圖像資料。基於第一圖像資料及第二圖像資料，判定基板之表面狀態有無缺陷。

Description

基板檢查裝置、基板處理裝置、基板檢查方法以及基板處理方法
本發明係有關於一種進行基板之檢查之基板檢查裝置、基板處理裝置、基板檢查方法以及基板處理方法。
基板處理裝置中，使由旋轉夾頭而水平支持之基板旋轉。該狀態下，藉由對基板之上表面之中央部噴出抗蝕劑液等塗佈液，而於基板之表面整體形成塗佈膜。藉由於將塗佈膜曝光後使其顯影，而於塗佈膜形成預定之圖案。此處，若基板之表面為不均勻之狀態，則各基板之部分曝光後之狀態中產生不均，而發生基板之處理不良。因此，有時要進行基板之表面狀態之檢查。
專利文獻1中記載了一種具有表面檢查處理單元之基板處理裝置。表面檢查處理單元中，對基板上之半徑區域持續地照射照明光，來自基板之反射光由CCD(charge coupled device；電荷耦合元件)線感測器所接收。該狀態 下，藉由基板旋轉1周，而對基板之表面之整體照射照明光，並基於CCD線感測器之受光量分佈，將基板之表面整體之反射光之亮度之分佈作為表面圖像資料而獲得。基於表面圖像資料，判定基板之表面狀態是否正常。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2011-66049號公報。
檢查中，較佳為以高精度檢測基板之表面狀態之缺陷。因此，期望實現能夠實現以比習知高之精度檢測基板之表面狀態之缺陷的檢查裝置以及方法。
本發明之目的在於提供一種能夠以高精度檢測基板之表面狀態之缺陷之基板檢查裝置、基板處理裝置、基板檢查方法以及基板處理方法。
(1)本發明之一態樣之基板檢查裝置具備：旋轉保持部，將基板能夠旋轉地加以保持；攝像部，以對由旋轉保持部保持之基板進行攝像之方式設置；第一攝像控制部，以於第一攝像時，生成表示基板之圖像之第一圖像資料之 方式控制攝像部；第一旋轉控制部，以於第一攝像後，使基板旋轉預先規定之角度之方式控制旋轉保持部；第二攝像控制部，以於基板藉由第一旋轉控制部旋轉後的第二攝像時，生成表示基板之圖像之第二圖像資料之方式控制攝像部；以及判定部，基於第一圖像資料及第二圖像資料，判定基板之表面狀態有無缺陷。
該基板檢查裝置中，藉由旋轉保持部將基板能夠旋轉地加以保持。於第一攝像時，藉由對由旋轉保持部保持之基板進行攝像，而生成表示基板之圖像之第一圖像資料。於第一攝像後，藉由旋轉保持部使基板旋轉預先規定之角度。於基板之旋轉後之第二攝像時，藉由對由旋轉保持部保持之基板進行攝像，而生成表示基板之圖像之第二圖像資料。基於第一圖像資料及第二圖像資料，判定基板之表面狀態有無缺陷。
根據該構成，於由第一圖像資料表示之基板之表面、與由第二圖像資料表示之基板之表面，光澤等之態樣不同。因此，於基板之表面存在缺陷之情形時，由第一圖像資料及第二圖像資料中之至少一者表示之圖像中清晰地出現該缺陷之可能性提高。藉此，能夠以高精度檢測基板之表面狀態之缺陷。
(2)攝像部亦可包括：投光部，於第一方向上出射延 伸得較基板之直徑長之光；以及受光部，接收來自基板之反射光，基於受光量生成第一圖像資料或第二圖像資料，基板檢查裝置亦可進一步包括：相對移動部，以來自投光部之光照射至基板之一面之整體之方式，設置成於與第一方向交叉之第二方向、或與第二方向相反之第三方向上使攝像部與旋轉保持部能夠相對移動；第一移動控制部，以於第一攝像時，使攝像部與旋轉保持部於第二方向上相對移動之方式控制相對移動部；以及第二移動控制部，以於第二攝像時，使攝像部與旋轉保持部於第三方向上相對移動之方式控制相對移動部。
該情形時，藉由利用相對移動部使基板與攝像部相對地往復移動，而生成第一攝像資料及第二攝像資料。而且，可使用小型之攝像部對基板之一面之整體進行攝像。藉此，可於短時間內獲得第一攝像資料及第二攝像資料，並且可使基板檢查裝置小型化。
(3)相對移動部亦可包括移動保持部，上述移動保持部保持旋轉保持部且使旋轉保持部相對於攝像部於第二方向或第三方向上移動。該情形時，能夠以簡單之構成對基板之一面之整體進行攝像。
(4)投光部與受光部亦可作為獨立個體而配置。該情形時，可提高攝像部之配置之自由度。
(5)基板檢查裝置亦可進一步包括：方向判定部，判定由旋轉保持部保持之基板之朝向；以及第二旋轉控制部，基於由方向判定部所判定之基板之朝向，以於第一攝像前使基板朝向特定之方向之方式控制旋轉保持部。該情形時，於複數個基板之朝向一致之狀態下檢查基板。藉此，可統一地對複數個基板進行檢查。
(6)基板檢查裝置亦可進一步包括：第三旋轉控制部，以於基板藉由第二旋轉控制部旋轉之前，基板旋轉至少1周之方式控制旋轉保持部；以及凹口檢測部，對藉由第三旋轉控制部而旋轉之基板之凹口進行檢測；方向判定部亦可基於藉由凹口檢測部檢測到基板之凹口時之基板的旋轉角度判定基板之朝向。該情形時，能夠以簡單之構成正確地判定基板之朝向。
(7)第一旋轉控制部亦能夠以第一攝像時之基板之朝向與第二攝像時之基板之朝向非平行之方式控制旋轉保持部。該情形時，由第一圖像資料表示之基板之表面之態樣、與由第二圖像資料表示之基板之表面之態樣有較大不同。藉此，於基板之表面存在缺陷之情形時，可進一步提高由第一圖像資料或第二圖像資料表示之圖像中清晰地出現該缺陷之可能性。
(8)預先規定之角度亦可為90度之奇數倍之角度。該情形時，由第一圖像資料表示之基板之表面之態樣、與由第二圖像資料表示之基板之表面之態樣有更大不同。藉此，於基板之表面存在缺陷之情形時，可進一步提高由第一圖像資料或第二圖像資料表示之圖像中清晰地出現該缺陷之可能性。
(9)本發明之另一態樣之基板處理裝置具備：膜形成部，藉由將塗佈液供給至基板之表面而於表面形成塗佈膜；本發明之一態樣之基板檢查裝置，對藉由膜形成部形成有塗佈膜之基板之表面狀態進行檢查；以及搬送機構，於膜形成部與基板檢查裝置之間搬送基板。
該基板處理裝置中，藉由利用膜形成部將塗佈液供給至基板之表面，而於表面形成有塗佈膜。利用膜形成部於表面形成塗佈膜之基板藉由搬送機構而搬送。由搬送機構搬送之基板之表面狀態藉由上述檢查裝置而檢查。
基板檢查裝置中，藉由旋轉保持部將基板能夠旋轉地加以保持。於第一攝像時，藉由對由旋轉保持部保持之基板進行攝像，而生成表示基板之圖像之第一圖像資料。於第一攝像後，藉由旋轉保持部使基板旋轉預先規定之角度。於基板之旋轉後之第二攝像時，藉由對由旋轉保持部保持之基板進行攝像，而生成表示基板之圖像之第二圖像 資料。基於第一圖像資料及第二圖像資料，判定基板之表面狀態有無缺陷。
根據該構成，於由第一圖像資料表示之基板之表面、與由第二圖像資料表示之基板之表面，光澤等之態樣不同。因此，於基板之表面存在缺陷之情形時，於由第一圖像資料及第二圖像資料中之至少一者表示之圖像中清晰地出現該缺陷之可能性提高。藉此，能夠以高精度檢測基板之表面狀態之缺陷。
(10)本發明之又一態樣之基板檢查方法包括下述步驟：藉由旋轉保持部將基板能夠旋轉地加以保持；於第一攝像時，藉由對由旋轉保持部保持之基板進行攝像而生成表示基板之圖像之第一圖像資料；於第一攝像後，藉由旋轉保持部使基板旋轉預先規定之角度；於基板之旋轉後之第二攝像時，藉由對由旋轉保持部保持之基板進行攝像而生成表示基板之圖像之第二圖像資料；以及基於第一圖像資料及第二圖像資料，判定基板之表面狀態有無缺陷。
根據該基板檢查方法，藉由旋轉保持部將基板能夠旋轉地加以保持。於第一攝像時，藉由對由旋轉保持部保持之基板進行攝像，而生成表示基板之圖像之第一圖像資料。於第一攝像後，藉由旋轉保持部使基板旋轉預先規定之角度。於基板之旋轉後之第二攝像時，藉由對由旋轉保 持部保持之基板進行攝像，而生成表示基板之圖像之第二圖像資料。基於第一圖像資料及第二圖像資料，判定基板之表面狀態有無缺陷。
根據該方法，於由第一圖像資料表示之基板之表面、與由第二圖像資料表示之基板之表面，光澤等之態樣不同。因此，於基板之表面存在缺陷之情形時，由第一圖像資料及第二圖像資料中之至少一者表示之圖像中清晰地出現該缺陷之可能性提高。藉此，能夠以高精度檢測基板之表面狀態之缺陷。
(11)本發明之又一態樣之基板處理方法包括下述步驟：藉由利用膜形成部將塗佈液供給至基板之表面而於表面形成塗佈膜；藉由搬送機構搬送利用膜形成部於表面形成有塗佈膜之基板；以及對由搬送機構搬送之基板之表面狀態進行檢查之本發明之又一態樣之基板檢查方法中之步驟。
根據該基板處理方法，藉由利用膜形成部將塗佈液供給至基板之表面，而於表面形成塗佈膜。利用膜形成部於表面形成有塗佈膜之基板藉由搬送機構而搬送。由搬送機構搬送之基板之表面狀態由上述基板檢查方法而檢查。
根據上述基板檢查方法，藉由旋轉保持部將基板能夠 旋轉地加以保持。於第一攝像時，藉由對由旋轉保持部保持之基板進行攝像，而生成表示基板之圖像之第一圖像資料。於第一攝像後，藉由旋轉保持部使基板旋轉預先規定之角度。於基板之旋轉後之第二攝像時，藉由對由旋轉保持部保持之基板進行攝像，而生成表示基板之圖像之第二圖像資料。基於第一圖像資料及第二圖像資料，判定基板之表面狀態有無缺陷。
根據該方法，於由第一圖像資料表示之基板之表面、與由第二圖像資料表示之基板之表面上之光澤等之態樣不同。因此，於基板之表面存在缺陷之情形時，由第一圖像資料及第二圖像資料中之至少一者表示之圖像中清晰地出現該缺陷之可能性提高。藉此，能夠以高精度檢測基板之表面狀態之缺陷。
根據本發明，能夠以高精度檢測基板之表面狀態之缺陷。
1‧‧‧攝像部
11‧‧‧裝載區塊
12‧‧‧塗佈區塊
13‧‧‧顯影區塊
14‧‧‧介面區塊
14A‧‧‧清洗乾燥處理區塊
14B‧‧‧搬入搬出區塊
15‧‧‧曝光裝置
20‧‧‧待機部
21、22、23、24‧‧‧塗佈處理室
25‧‧‧旋轉夾頭
27、37‧‧‧護罩體
28‧‧‧處理液噴嘴
29‧‧‧噴嘴搬送機構
30‧‧‧邊緣清洗噴嘴
31、32、33、34‧‧‧顯影處理室
35‧‧‧旋轉夾頭
38‧‧‧狹縫噴嘴
39‧‧‧移動機構
101、103‧‧‧上段熱處理部
102、104‧‧‧下段熱處理部
111‧‧‧載體載置部
112、122、132、163‧‧‧搬送部
113‧‧‧載體
114‧‧‧主控制器
115、127、128、137、138、141、142、143‧‧‧搬送機構
121‧‧‧塗佈處理部
123、133‧‧‧熱處理部
125、135‧‧‧上段搬送室
126、136‧‧‧下段搬送室
129‧‧‧塗佈處理單元
131‧‧‧顯影處理部
139‧‧‧顯影處理單元
161、162‧‧‧清洗乾燥處理部
200‧‧‧基板檢查裝置
210‧‧‧殼體部
211‧‧‧底面部
212、213、214、215‧‧‧側面部
216‧‧‧開口部
220‧‧‧投光部
230‧‧‧反射部
240‧‧‧受光部
250‧‧‧旋轉驅動部
251‧‧‧驅動裝置
251a‧‧‧旋轉軸
252‧‧‧旋轉保持部
260‧‧‧移動部
261‧‧‧導引構件
262‧‧‧移動保持部
270‧‧‧凹口檢測部
300、400‧‧‧現場控制器
401‧‧‧主控制部
402‧‧‧記憶部
410‧‧‧攝像控制部
420‧‧‧旋轉控制部
430‧‧‧移動控制部
440‧‧‧方向判定部
450‧‧‧缺陷判定部
CH‧‧‧晶片
CP‧‧‧冷卻單元
EEW‧‧‧邊緣曝光部
NT‧‧‧凹口
PAHP‧‧‧密接強化處理單元
PASS1~PASS9‧‧‧基板載置部
P-BF1、P-BF2‧‧‧載置兼緩衝區部
P-CP‧‧‧載置兼冷卻部
PHP‧‧‧熱處理單元
SD1、SD2‧‧‧清洗乾燥處理單元
W‧‧‧基板
X、Y、Z‧‧‧方向
圖1係表示本發明之一實施形態之基板檢查裝置之外觀之立體圖。
圖2係表示基板檢查裝置之內部之構成之示意性側 視圖。
圖3係表示基板檢查裝置之內部之構成之示意性俯視圖。
圖4係表示用以控制基板檢查裝置之現場控制器之構成之方塊圖。
圖5(a)及圖5(b)係用以說明基板檢查裝置之動作之圖。
圖6(a)及圖6(b)係用以說明基板檢查裝置之動作之圖。
圖7係表示檢查處理中之圖4之現場控制器之主控制部之動作之流程圖。
圖8係表示檢查處理中之圖4之現場控制器之主控制部之動作之流程圖。
圖9係表示具備圖1之基板檢查裝置之基板處理裝置之示意性俯視圖。
圖10係表示圖9之塗佈處理部、顯影處理部以及清 洗乾燥處理部之內部構成之示意性側視圖。
圖11係表示塗佈處理單元之構成之俯視圖。
圖12係表示圖9之熱處理部以及清洗乾燥處理部之內部構成之示意性側視圖。
圖13係表示搬送部之內部構成之示意性側視圖。
(1)基板檢查裝置之構成
以下，使用圖式對本發明之一實施形態之基板檢查裝置、基板處理裝置、基板檢查方法以及基板處理方法進行說明。另外，以下之說明中，基板是指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板或光罩用基板等。而且，本實施形態中使用之基板具有至少之一部分為圓形之外周部。例如，除定位用之凹口外之外周部具有圓形。
圖1係表示本發明之一實施形態之基板檢查裝置200之外觀之立體圖。圖2係表示基板檢查裝置200之內部之構成之示意性側視圖。圖3係表示基板檢查裝置200之內部之構成之示意性俯視圖。如圖1以及圖2所示，基板檢 查裝置200包含殼體部210、投光部220、反射部230、受光部240、旋轉驅動部250、移動部260以及凹口檢測部270。由投光部220、反射部230以及受光部240構成攝像部1。攝像部1、旋轉驅動部250、移動部260以及凹口檢測部270收容於殼體部210內。
如圖1所示，殼體部210包含大致矩形狀之底面部211以及大致矩形狀之四個側面部212至215。側面部212、214分別位於底面部211之長度方向上之兩端部，側面部213、215分別位於底面部211之寬度方向上之兩端部。藉此，殼體部210具有大致矩形狀之上部開口。殼體部210亦可進一步包括將上部開口封閉之上表面部。
以下，將底面部211之寬度方向簡稱作寬度方向，將底面部211之長度方向稱作前後方向。而且，於前後方向上，將自側面部214朝向側面部212之方向定義為前方，將其反方向定義為後方。於自側面部212至側面部213之前部之部分，形成有用以於殼體部210之外部與內部之間搬送基板W之狹縫狀之開口部216。
投光部220例如包含一個或複數個光源，以沿寬度方向延伸之方式安裝於殼體部210之側面部213、215之內表面。如後述般，自開口部216對殼體部210內搬入檢查對象之基板W，通過投光部220之下方。投光部220將 較基板W之直徑大之帶狀之光向斜下後方出射。
反射部230例如包含鏡面，以較投光部220靠後方且沿寬度方向延伸之方式安裝於殼體部210之側面部213、215之內表面。如圖2所示，藉由投光部220向斜下後方出射之帶狀光係藉由基板W向斜上後方反射。反射部230將藉由基板W反射之帶狀之光自後方而向大致水平方向反射。
受光部240安裝於較反射部230靠後方且殼體部210之底面部211上。受光部240例如為照相機，包含複數個透鏡以及彩色CCD(電荷耦合元件)線感測器。受光部240接收由反射部230反射之帶狀之光，基於與各畫素之受光量對應之畫素資料生成圖像資料。圖像資料由與複數個畫素對應之複數個畫素資料構成。
如圖2所示，旋轉驅動部250例如為旋轉夾頭，包含驅動裝置251以及旋轉保持部252。驅動裝置251例如為電動馬達，具有旋轉軸251a。驅動裝置251中設置有未圖示之編碼器。旋轉保持部252安裝於驅動裝置251之旋轉軸251a之前端，於保持著檢查對象之基板W之狀態下繞鉛垂軸旋轉驅動。
如圖3所示，移動部260包含複數個(本例中為兩個) 導引構件261以及移動保持部262。複數個導引構件261以於寬度方向上隔開之狀態，以平行且沿前後方向延伸之方式安裝於殼體部210之底面部211。移動保持部262於保持旋轉驅動部250之狀態下，沿著複數個導引構件261向前後方向移動。
凹口檢測部270例如為包含投光元件以及受光元件之反射型光電感測器，安裝於殼體部210之側面部215中之內表面之前上部。於檢查對象之基板W之周緣部位於凹口檢測部270之下方時，凹口檢測部270向下方出射光並且接收來自基板W之反射光。此處，於位於凹口檢測部270之下方之基板W之部分形成有凹口之情形時，凹口檢測部270之受光量減少。凹口檢測部270基於來自藉由旋轉驅動部250旋轉之基板W之受光量檢測基板W有無凹口。另外，亦可使用透過型光電感測器作為凹口檢測部270。
(2)基板檢查裝置之動作
圖4係表示用以控制基板檢查裝置200之現場控制器400之構成之方塊圖。如圖4所示，現場控制器400包含主控制部401、記憶部402、攝像控制部410、旋轉控制部420、移動控制部430、方向判定部440以及缺陷判定部450。
主控制部401例如包含CPU(中央運算處理裝置)。記憶部402例如包含非揮發性記憶體或硬碟，記憶用以執行檢查處理之檢查程式。藉由主控制部401執行記憶於記憶部402之檢查程式，而實現攝像控制部410、旋轉控制部420、移動控制部430、方向判定部440以及缺陷判定部450之功能。
攝像控制部410對攝像部1之動作進行控制。旋轉控制部420自旋轉驅動部250之驅動裝置251(圖2)之編碼器取得輸出信號，並檢測驅動裝置251之旋轉角度(基板W之旋轉角度)，並且自方向判定部440取得基板W之朝向之判定結果。而且，旋轉控制部420基於驅動裝置251之旋轉角度或基板W之朝向控制旋轉驅動部250之動作。移動控制部430控制移動部260之動作。
方向判定部440控制凹口檢測部270之動作。而且，方向判定部440取得凹口檢測部270對凹口之檢測結果，並且取得藉由旋轉控制部420檢測到之驅動裝置251之旋轉角度，基於檢測到基板W之凹口時之驅動裝置251之旋轉角度判定基板W之朝向。缺陷判定部450自攝像部1取得圖像資料，基於圖像資料判定基板W之表面狀態有無缺陷。缺陷判定部450之判定結果記憶於記憶部402。
圖5以及圖6係用以對基板檢查裝置200之動作進行說明之圖。圖5(a)、圖5(b)以及圖6(a)、圖6(b)中，左方表示基板檢查裝置200之俯視圖，右方表示檢查對象之基板W之示意圖。本實施形態中，對顯影處理後之基板W進行檢查。因此，如圖5(a)至圖6(b)之右方所示，於基板W之表面形成有成為製品之複數個晶片CH。
在初始狀態下，如圖5(a)所示，旋轉驅動部250位於殼體部210內之前部。該狀態下，藉由基板W之搬送機構(例如後述之圖13之搬送機構137或搬送機構138)而檢查對象之基板W通過開口部216而搬入至殼體部210內，且藉由旋轉驅動部250所保持。
此處，一邊藉由旋轉驅動部250使基板W旋轉1周一邊藉由凹口檢測部270向基板W之周緣部出射光，其反射光由凹口檢測部270接收。藉此，對基板W之凹口NT進行檢測。而且，藉由圖4之方向判定部440對基板W之朝向判定。其後，以基板W朝向特定之方向之方式，藉由旋轉驅動部250而使基板W旋轉。
接下來，如圖5(b)中空箭頭所示，藉由移動部260使基板W向後方移動。此時，以基板W通過投光部220之下方之方式，將由投光部220出射之帶狀之光於基板W上前後方向上相對地掃描。藉此，對基板W之整體照射 帶狀之光。自基板W依序反射之帶狀之光藉由反射部230反射且引導至受光部240。藉此，生成表示基板W之表面整體之圖像之第一圖像資料。
繼而，如圖6(a)粗箭頭所示，藉由旋轉驅動部250使基板W旋轉90度。其後，如圖6(b)中空箭頭所示，藉由移動部260使基板W移動至前方之初始位置。此時，基板W再次通過投光部220之下方與圖5(b)之動作同樣地，生成表示基板W之表面整體之圖像之第二圖像資料。基於所生成之第一資料以及第二資料，藉由圖4之缺陷判定部450判定基板W有無缺陷。藉由缺陷判定部450進行之基板W有無缺陷之判定亦可於任意之時間點進行。
(3)檢查處理
圖7以及圖8係表示檢查處理中之圖4之現場控制器400之主控制部401之動作之流程圖。一邊參照圖1以及圖2之基板檢查裝置200、圖4之現場控制器400以及圖7之流程圖，一邊對由主控制部401進行之檢查處理進行說明。
首先，主控制部401藉由移動部260使旋轉驅動部250移動至殼體部210內之前部中的初始位置(步驟S1)。 另外，於初始狀態下旋轉驅動部250位於初始位置之情形時，省略步驟S1之處理。此處，顯影處理後之檢查對象之基板W通過開口部216且藉由搬送機構搬入至殼體部210內。主控制部401藉由旋轉驅動部250保持所搬入之基板W(步驟S2)。
主控制部401藉由旋轉驅動部250使基板W旋轉(步驟S3)，並且檢測基板W之旋轉角度(步驟S4)。而且，主控制部401藉由凹口檢測部270，對基板W之周緣部照射光(步驟S5)，並且接收來自基板W之光(步驟S6)。步驟S3至步驟S6之處理幾乎大致同時進行。
主控制部401基於步驟S3至步驟S6之處理之結果，判定是否由凹口檢測部270檢測到基板W之凹口NT(步驟S7)。於檢測到基板W之凹口NT之情形時，主控制部401基於檢測到凹口NT時之基板W之旋轉角度判定基板W之朝向(步驟S8)。步驟S7中，於未檢測到基板W之凹口NT之情形時，進入至步驟S9。
步驟S9中，主控制部401判定基板W是否已旋轉360度(步驟S9)。於基板W未旋轉360度之情形時，回到步驟S3，重複步驟S3至步驟S8之處理。於基板W已旋轉360度之情形時，主控制部401以基板W朝向特定之方向之方式藉由旋轉驅動部250使基板W旋轉(步驟 S10)。
接下來，主控制部401藉由移動部260使基板W與旋轉驅動部250一起向後方移動(步驟S11)。此處，基板W通過投光部220之下方。主控制部401藉由攝像部1，對基板W照射帶狀之光(步驟S12)，並且接收來自基板W之帶狀之光(步驟S13)。步驟S11至步驟S13之處理幾乎大致同時地進行。主控制部401基於步驟S11至步驟S13之處理之結果，藉由攝像部1生成第一圖像資料(步驟S14)。進而，主控制部401藉由旋轉驅動部250使基板W旋轉90度(步驟S15)。
然後，藉由移動部260使基板W與旋轉驅動部250一起向前方(初始位置)移動(步驟S16)。此處，基板W再次通過投光部220之下方。主控制部401藉由攝像部1，對基板W照射帶狀之光(步驟S17)，並且接收來自基板W之帶狀之光(步驟S18)。步驟S16至步驟S18之處理大致同時地進行。主控制部401基於步驟S16至步驟S18之處理之結果，藉由攝像部1生成第二圖像資料(步驟S18)。
主控制部401基於所生成之第一圖像資料及第二圖像資料判定基板W之表面狀態有無缺陷(步驟S20)。最後，主控制部401將關於基板W之表面狀態有無缺陷之判定結果記憶於圖4之記憶部402(步驟S21)，結束檢查 處理。
(4)基板處理裝置
圖9係具備圖1之基板檢查裝置200之基板處理裝置100之示意性俯視圖。圖9以及以後之預定之圖中，為了明確位置關係而附上表示彼此正交之X方向、Y方向以及Z方向之箭頭。X方向以及Y方向於水平面內彼此正交，Z方向相當於鉛垂方向。
如圖9所示，基板處理裝置100具備裝載區塊11、塗佈區塊12、顯影區塊13、清洗乾燥處理區塊14A以及搬入搬出區塊14B。由清洗乾燥處理區塊14A以及搬入搬出區塊14B構成介面區塊14。以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式配置曝光裝置15。
裝載區塊11包含複數個載體載置部111以及搬送部112。各載體載置部111中載置有呈多段收納複數個基板W之載體113。搬送部112中設置主控制器114以及搬送機構115。主控制器114控制基板處理裝置100之各種構成要素。搬送機構115係一邊保持基板W一邊搬送該基板W。
塗佈區塊12包含塗佈處理部121、搬送部122以及 熱處理部123。塗佈處理部121以及熱處理部123以隔著搬送部122而對向之方式設置。於搬送部122與裝載區塊11之間，設置有供基板W載置之基板載置部PASS1至PASS4(參照圖13)。於搬送部122設置有搬送基板W之搬送機構127、128(參照圖13)。
顯影區塊13包含顯影處理部131、搬送部132以及熱處理部133。顯影處理部131以及熱處理部133以隔著搬送部132而對向之方式設置。搬送部132與搬送部122之間設置有供基板W載置之基板載置部PASS5至PASS8(參照圖13)。於搬送部132設置有搬送基板W之搬送機構137、138(參照圖13)。
清洗乾燥處理區塊14A包含清洗乾燥處理部161、162以及搬送部163。清洗乾燥處理部161、162以隔著搬送部163而對向之方式設置。於搬送部163設置有搬送機構141、142。
搬送部163與搬送部132之間設置有載置兼緩衝區部P-BF1、P-BF2(參照圖13)。載置兼緩衝區部P-BF1、P-BF2構成為能夠收容複數個基板W。
而且，於搬送機構141、142之間，以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式設置有基板載置部PASS9以及後述之 載置兼冷卻部P-CP(參照圖13)。載置兼冷卻部P-CP具備將基板W冷卻之功能(例如，冷卻板)。載置兼冷卻部P-CP中，基板W被冷卻至適合於曝光處理之溫度。於搬入搬出區塊14B設置有搬送機構143。搬送機構143進行基板W對於曝光裝置15之搬入以及搬出。
(5)塗佈處理部以及顯影處理部
圖10係表示圖9之塗佈處理部121、顯影處理部131以及清洗乾燥處理部161之內部構成之示意性側視圖。如圖10所示，於塗佈處理部121分階層地設置有塗佈處理室21、22、23、24。各個塗佈處理室21、22、23、24中設置有塗佈處理單元129。於顯影處理部131分階層地設置有顯影處理室31、32、33、34。於各個顯影處理室31、32、33、34設置有顯影處理單元139。
圖11係表示塗佈處理單元129之構成之俯視圖。如圖10以及圖11所示，各塗佈處理單元129具備待機部20、複數個旋轉夾頭25、複數個護罩體27、複數個處理液噴嘴28、噴嘴搬送機構29以及複數個邊緣清洗噴嘴30。本實施形態中，旋轉夾頭25、護罩體27以及邊緣清洗噴嘴30於各塗佈處理單元129各設置有兩個。
各旋轉夾頭25於保持基板W之狀態下，藉由未圖示 之驅動裝置(例如電動馬達)旋轉驅動。護罩體27以包圍旋轉夾頭25之周圍之方式設置。對各處理液噴嘴28，自未圖示之處理液貯存部通過處理液配管而供給各種處理液。於未對基板W供給處理液之待機時，各處理液噴嘴28插入至待機部20。於對基板W供給處理液時，待機部20中之任一處理液噴嘴28由噴嘴搬送機構29所保持，且搬送至基板W之上方。
旋轉夾頭25係一邊旋轉一邊自處理液噴嘴28噴出處理液，藉此對旋轉之基板W上塗佈處理液。本實施形態中，圖10之塗佈處理室22、24之塗佈處理單元129中，抗反射膜用之處理液(以下稱作抗反射液)自處理液噴嘴28供給至基板W。於塗佈處理室21、23之塗佈處理單元129，抗蝕膜用之處理液(以下稱作抗蝕劑液)自處理液噴嘴28供給至基板W。
邊緣清洗噴嘴30自預定之待機位置移動至基板W之周緣部之附近。此處，基板W之周緣部是指於基板W之表面沿著基板W之外周部之固定寬度之區域。旋轉夾頭25一邊旋轉一邊自邊緣清洗噴嘴30朝向旋轉之基板W之周緣部噴出清洗液，藉此塗佈於基板W之處理液之周緣部溶解。藉此，將基板W之周緣部之處理液除去。
如圖10所示，顯影處理單元139係與塗佈處理單元 129同樣地，具備複數個旋轉夾頭35以及複數個護罩體37。而且，如圖9所示，顯影處理單元139具備噴出顯影液之兩個狹縫噴嘴38以及使該等狹縫噴嘴38沿X方向移動之移動機構39。顯影處理單元139中，藉由未圖示之驅動裝置使旋轉夾頭35旋轉。藉此，使基板W旋轉。狹縫噴嘴38一邊移動一邊對旋轉之各基板W供給顯影液。藉此，進行基板W之顯影處理。
於清洗乾燥處理部161設置有複數個(本例中為四個)清洗乾燥處理單元SD1。清洗乾燥處理單元SD1中，進行曝光處理前之基板W之清洗以及乾燥處理。
(6)熱處理部
圖12係表示圖9之熱處理部123、133以及清洗乾燥處理部162之內部構成之示意性側視圖。如圖12所示，熱處理部123具有設置於上方之上段熱處理部101以及設置於下方之下段熱處理部102。於上段熱處理部101以及下段熱處理部102，設置有複數個熱處理單元PHP、複數個密接強化處理單元PAHP以及複數個冷卻單元CP。
於熱處理部123之最上部設置有現場控制器300。現場控制器300基於來自圖9之主控制器114之指令，控制塗佈處理部121、搬送部122以及熱處理部123之動作。
熱處理單元PHP中，進行基板W之加熱處理以及冷卻處理。密接強化處理單元PAHP中，進行用以提高基板W與抗反射膜之密接性之密接強化處理。具體而言，密接強化處理單元PAHP中，對基板W塗佈HMDS(六甲基二矽氮烷)等密接強化劑，並且對基板W進行加熱處理。冷卻單元CP中進行基板W之冷卻處理。
熱處理部133具有設置於上方之上段熱處理部103以及設置於下方之下段熱處理部104。於上段熱處理部103以及下段熱處理部104，設置有冷卻單元CP、複數個熱處理單元PHP、邊緣曝光部EEW以及基板檢查裝置200。上段熱處理部103以及下段熱處理部104之熱處理單元PHP構成為能夠自清洗乾燥處理區塊14A搬入基板W。
於熱處理部133之最上部設置有圖4之現場控制器400。現場控制器400基於來自圖9之主控制器114之指令，控制基板檢查裝置200之動作，並且控制顯影處理部131、搬送部132以及熱處理部133之動作。
於邊緣曝光部EEW中，進行基板W之周緣部之曝光處理(邊緣曝光處理)。藉由對基板W進行邊緣曝光處理，於後之顯影處理時，將基板W之周緣部上之抗蝕膜除 去。藉此，於顯影處理後，基板W之周緣部與其他部分接觸之情形時，防止基板W之周緣部上之抗蝕膜剝離而成為微粒。基板檢查裝置200中，檢查顯影處理後之基板W之表面狀態。
於清洗乾燥處理部162設置有複數個(本例中為五個)清洗乾燥處理單元SD2。清洗乾燥處理單元SD2中，進行曝光處理後之基板W之清洗以及乾燥處理。
(7)搬送部
圖13係表示搬送部122、132、163之內部構成之示意性側視圖。如圖13所示，搬送部122具有上段搬送室125以及下段搬送室126。搬送部132具有上段搬送室135以及下段搬送室136。於上段搬送室125設置搬送機構127，於下段搬送室126設置搬送機構128。而且，於上段搬送室135設置搬送機構137，於下段搬送室136設置搬送機構138。
塗佈處理室21、22(圖10)與上段熱處理部101(圖12)隔著上段搬送室125而對向，塗佈處理室23、24(圖10)與下段熱處理部102(圖12)隔著下段搬送室126而對向。顯影處理室31、32(圖10)與上段熱處理部103(圖12)隔著上段搬送室135而對向，顯影處理室33、34(圖10)與下 段熱處理部104(圖12)隔著下段搬送室136而對向。
搬送部112與上段搬送室125之間設置有基板載置部PASS1、PASS2，搬送部112與下段搬送室126之間設置有基板載置部PASS3、PASS4。上段搬送室125與上段搬送室135之間設置有基板載置部PASS5、PASS6，下段搬送室126與下段搬送室136之間設置有基板載置部PASS7、PASS8。
上段搬送室135與搬送部163之間設置有載置兼緩衝區部P-BF1，下段搬送室136與搬送部163之間設置有載置兼緩衝區部P-BF2。於搬送部163，以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式設置基板載置部PASS9以及複數個載置兼冷卻部P-CP。
載置兼緩衝區部P-BF1構成為能夠藉由搬送機構137以及搬送機構141(圖9)進行基板W之搬入以及搬出。載置兼緩衝區部P-BF2構成為能夠藉由搬送機構138以及搬送機構141(圖9)進行基板W之搬入以及搬出。而且，基板載置部PASS9以及載置兼冷卻部P-CP構成為能夠藉由搬送機構141、142(圖9)以及搬送機構143進行基板W之搬入以及搬出。
於基板載置部PASS1以及基板載置部PASS3載置有 自裝載區塊11向塗佈區塊12搬送之基板W，於基板載置部PASS2以及基板載置部PASS4，載置有自塗佈區塊12向裝載區塊11搬送之基板W。
於基板載置部PASS5以及基板載置部PASS7，載置有自塗佈區塊12向顯影區塊13搬送之基板W，於基板載置部PASS6以及基板載置部PASS8載置有自顯影區塊13向塗佈區塊12搬送之基板W。
於載置兼緩衝區部P-BF1、P-BF2，載置有自顯影區塊13向清洗乾燥處理區塊14A搬送之基板W。於載置兼冷卻部P-CP，載置有自清洗乾燥處理區塊14A向搬入搬出區塊14B搬送之基板W。於基板載置部PASS9，載置有自搬入搬出區塊14B向清洗乾燥處理區塊14A搬送之基板W。
搬送機構127對塗佈處理室21、22(圖10)、基板載置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6以及上段熱處理部101(圖12)進行基板W之交接。搬送機構128對塗佈處理室23、24(圖10)、基板載置部PASS3、PASS4、PASS7、PASS8以及下段熱處理部102(圖12)進行基板W之交接。
搬送機構137對顯影處理室31、32(圖10)、基板載置部PASS5、PASS6、載置兼緩衝區部P-BF1以及上段熱 處理部103(圖12)進行基板W之交接。搬送機構138對顯影處理室33、34(圖10)、基板載置部PASS7、PASS8、載置兼緩衝區部P-BF2以及下段熱處理部104(圖12)進行基板W之交接。
(8)基板處理
一邊參照圖9、圖10、圖12以及圖13一邊對基板處理進行說明。於裝載區塊11之載體載置部111(圖9)載置有收容著未處理之基板W之載體113。搬送機構115自載體113向基板載置部PASS1、PASS3(圖13)搬送未處理之基板W。然後，搬送機構115將載置於基板載置部PASS2、PASS4(圖13)之處理過之基板W搬送至載體113。
於塗佈區塊12，搬送機構127(圖13)將載置於基板載置部PASS1之未處理之基板W依序搬送至密接強化處理單元PAHP(圖12)、冷卻單元CP(圖12)以及塗佈處理室22(圖10)。接下來，搬送機構127將塗佈處理室22之基板W依序搬送至熱處理單元PHP(圖12)、冷卻單元CP(圖12)、塗佈處理室21(圖10)、熱處理單元PHP(圖12)以及基板載置部PASS5(圖13)。
該情形時，於密接強化處理單元PAHP中對基板W進行密接強化處理後，於冷卻單元CP中將基板W冷卻至 適合於抗反射膜之形成之溫度。接下來，於塗佈處理室22中，藉由塗佈處理單元129(圖10)於基板W上形成抗反射膜。繼而，於熱處理單元PHP中，在進行了基板W之熱處理後，於冷卻單元CP中將基板W冷卻至適合於抗蝕膜之形成之溫度。接下來，於塗佈處理室21中，藉由塗佈處理單元129(圖10)而於基板W上形成抗蝕膜。其後，於熱處理單元PHP中進行基板W之熱處理，並將該基板W載置於基板載置部PASS5。
而且，搬送機構127將載置於基板載置部PASS6(圖13)之顯影處理以及檢查處理後之基板W搬送至基板載置部PASS2(圖13)。
搬送機構128(圖13)將載置於基板載置部PASS3之未處理之基板W依序搬送至密接強化處理單元PAHP(圖12)、冷卻單元CP(圖12)以及塗佈處理室24(圖10)。接下來，搬送機構128將塗佈處理室24之基板W依序搬送至熱處理單元PHP(圖12)、冷卻單元CP(圖12)、塗佈處理室23(圖10)、熱處理單元PHP(圖12)以及基板載置部PASS7(圖13)。
而且，搬送機構128(圖13)將載置於基板載置部PASS8(圖13)之顯影處理以及檢查處理後之基板W搬送至基板載置部PASS4(圖13)。塗佈處理室23、24(圖10) 以及下段熱處理部102(圖12)中之基板W之處理內容係分別與上述塗佈處理室21、22(圖10)以及上段熱處理部101(圖12)中之基板W之處理內容相同。
於顯影區塊13，搬送機構137(圖13)將載置於基板載置部PASS5之抗蝕膜形成後之基板W依序搬送至邊緣曝光部EEW(圖12)以及載置兼緩衝區部P-BF1(圖13)。該情形時，於邊緣曝光部EEW對基板W進行邊緣曝光處理。邊緣曝光處理後之基板W載置於載置兼緩衝區部P-BF1。
而且，搬送機構137(圖13)自與清洗乾燥處理區塊14A鄰接之熱處理單元PHP(圖12)取出曝光處理後且熱處理後之基板W。搬送機構137將該基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖12)、顯影處理室31、32(圖10)之其中一者、熱處理單元PHP(圖12)、基板檢查裝置200(圖12)以及基板載置部PASS6(圖13)。
該情形時，於冷卻單元CP，於將基板W冷卻至適合於顯影處理之溫度後，於顯影處理室31、32之其中一者藉由顯影處理單元139進行基板W之顯影處理。其後，熱處理單元PHP中進行基板W之熱處理。然後，於基板檢查裝置200中進行基板W之檢查處理，將該基板W載置於基板載置部PASS6。
搬送機構138(圖13)將載置於基板載置部PASS7之抗蝕膜形成後之基板W依序搬送至邊緣曝光部EEW(圖12)以及載置兼緩衝區部P-BF2(圖13)。
而且，搬送機構138(圖13)自與介面區塊14鄰接之熱處理單元PHP(圖12)取出曝光處理後且熱處理後之基板W。搬送機構138將該基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖12)、顯影處理室33、34(圖10)之其中一者、熱處理單元PHP(圖12)、基板檢查裝置200(圖12)以及基板載置部PASS8(圖13)。顯影處理室33、34以及下段熱處理部104中之基板W之處理內容係分別與上述顯影處理室31、32以及上段熱處理部103中之基板W之處理內容相同。
於清洗乾燥處理區塊14A中，搬送機構141(圖9)將載置於載置兼緩衝區部P-BF1、P-BF2(圖13)之基板W依序搬送至清洗乾燥處理單元SD1(圖10)以及載置兼冷卻部P-CP(圖13)。該情形時，於清洗乾燥處理單元SD1中進行基板W之清洗以及乾燥處理後，於載置兼冷卻部P-CP將基板W冷卻至適合於由曝光裝置15(圖9)進行之曝光處理之溫度。
搬送機構142(圖9)將載置於基板載置部PASS9(圖13) 之曝光處理後之基板W依序搬送至清洗乾燥處理單元SD2(圖12)以及上段熱處理部103或下段熱處理部104之熱處理單元PHP(圖12)。該情形時，於清洗乾燥處理單元SD2中進行基板W之清洗以及乾燥處理後，於熱處理單元PHP中進行曝光後烘烤(PEB；post exposure bake)處理。
於搬入搬出區塊14B，搬送機構143(圖9)將載置於載置兼冷卻部P-CP(圖13)之曝光處理前之基板W搬送至曝光裝置15。然後，搬送機構143(圖9)自曝光裝置15取出曝光處理後之基板W，並將該基板W搬送至基板載置部PASS9(圖13)。
(9)效果
本實施形態之基板檢查裝置200中，藉由利用攝像部1對由旋轉保持部252保持之基板W進行攝像而生成第一圖像資料。然後，藉由旋轉保持部252使基板W旋轉預先規定之角度。基板W之旋轉後，藉由利用攝像部1對由旋轉保持部252保持之基板W進行攝像而生成第二圖像資料。基於第一圖像資料及第二圖像資料，判定基板W之表面狀態有無缺陷。
根據該構成，於由第一圖像資料表示之基板W之表面、與由第二圖像資料表示之基板W之表面，光澤等之 態樣不同。因此，於基板W之表面存在缺陷之情形時，於由第一圖像資料及第二圖像資料中之至少一者表示之圖像中清晰地出現該缺陷之可能性提高。藉此，能夠以高精度檢測基板W之表面狀態之缺陷。而且，檢查係於複數個基板W之朝向對齊之狀態下進行，因而可統一地對複數個基板W進行檢查。
而且，本實施形態中，藉由利用移動部260使基板W與攝像部1沿前後方向相對地往復移動，而生成第一攝像資料及第二攝像資料。進而，可使用小型之攝像部1對基板W之一面之整體進行攝像。藉此，可於短時間內獲得第一攝像資料及第二攝像資料，並且可使基板檢查裝置200小型化。
(10)其他實施形態
(a)上述實施形態中，檢查處理係於顯影處理後進行，但本發明不限於此。檢查處理亦可例如於邊緣曝光處理之前或之後進行，還可於其他時間點進行。
(b)上述實施形態中，步驟S15之處理中之基板W之旋轉角度為90度，但本發明不限於此。基板W之旋轉角度亦可為所期望之角度。該情形時，基板W之旋轉角度較佳為180度之整數倍之角度以外的角度，更佳為90度 之奇數倍之角度。
該情形時，由第一圖像資料表示之基板W之表面之態樣、與由第二圖像資料表示之基板W之表面之態樣有較大不同。藉此，於基板W之表面存在缺陷之情形時，可進一步提高由第一圖像資料或第二圖像資料表示之圖像中清晰出現該缺陷之可能性。
(c)上述實施形態中，步驟S10中以基板W朝向特定之方向之方式使基板W旋轉，但本發明不限於此。於以基板W於朝向特定之方向之狀態下搬入至基板檢查裝置200之方式構成基板處理裝置100之情形時，可省略步驟S3至步驟S10之處理，基板檢查裝置200中亦可不設置凹口檢測部270。同樣地，於可將基板W以朝向任意之方向之狀態進行檢查處理之情形時，可省略步驟S3至步驟S10之處理，基板檢查裝置200中亦可不設置凹口檢測部270。
(d)上述實施形態中，將攝像部1之投光部220以及受光部240係作為獨立個體而構成，但本發明不限於此。攝像部1之投光部220以及受光部240亦可一體地構成。
(e)上述實施形態中，於攝像部1設置反射部230，但本發明不限於此。於受光部240構成為直接接收來自基板 W之帶狀之光之情形時，攝像部1中亦可不設置反射部230。
(f)上述實施形態中，移動部260係構成為使旋轉驅動部250(基板W)相對於攝像部1沿前後方向移動，但本發明不限於此。移動部260亦可構成為使攝像部1與旋轉驅動部250相對地沿前後方向移動。因此，移動部260亦可構成為使攝像部1相對於旋轉驅動部250沿前後方向移動。
(g)上述實施形態中，攝像部1與旋轉驅動部250相對移動，但本發明不限於此。於攝像部1之攝像區域大於基板W之表面整體之情形時，攝像部1與旋轉驅動部250亦可不相對移動，基板檢查裝置200中亦可不設置移動部260。
(h)上述實施形態中，基板檢查裝置200係設置於基板處理裝置100之熱處理部133，但本發明不限於此。基板檢查裝置200亦可設置於基板處理裝置100之塗佈區塊12等其他部位。或者，基板檢查裝置200亦可不設置於基板處理裝置100，為了對基板進行檢查處理而單獨設置。
(11)方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應 關係
以下，對方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應之例進行說明，但本發明不限定於下述之例。
上述實施形態中，基板W為基板之例，旋轉保持部252為旋轉保持部之例，攝像部1為攝像部之例，攝像控制部410為第一攝像控制部及第二攝像控制部之例。旋轉控制部420為第一旋轉控制部至第三旋轉控制部之例，缺陷判定部450為判定部之例，基板檢查裝置200為基板檢查裝置之例，投光部220為投光部之例，受光部240為受光部之例。
移動部260為相對移動部之例，移動控制部430為第一移動控制部及第二移動控制部之例，移動保持部262為移動保持部之例，方向判定部440為方向判定部之例。凹口檢測部270為凹口檢測部之例，塗佈處理單元129為膜形成部之例，搬送機構127、128，137、138為搬送機構之例，基板處理裝置100為基板處理裝置之例。
作為方案之各構成要素，亦可使用具有方案所記載之構成或功能之其他各種要素。
(產業可利用性)
本發明可有效地用於各種基板之表面之檢查。

Claims (11)

  1. 一種基板檢查裝置，包括：旋轉保持部，將基板能夠旋轉地加以保持；攝像部，以對由前述旋轉保持部保持之基板進行攝像之方式設置；第一攝像控制部，以於第一攝像時，生成表示基板之圖像之第一圖像資料之方式控制前述攝像部；第一旋轉控制部，於前述第一攝像後，以使基板旋轉預先規定之角度之方式控制前述旋轉保持部；第二攝像控制部，於基板藉由前述第一旋轉控制部旋轉後的第二攝像時，以生成表示基板之圖像之第二圖像資料之方式控制前述攝像部；以及判定部，基於前述第一圖像資料及第二圖像資料，判定基板之表面狀態有無缺陷。
  2. 如請求項1所記載之基板檢查裝置，其中前述攝像部包括：投光部，於第一方向上出射延伸得較基板之直徑長之光；以及受光部，接收來自基板之反射光，基於受光量生成前述第一圖像資料或第二圖像資料，前述基板檢查裝置進一步包括：相對移動部，以來自前述投光部之光照射至基板之一面之整體之方式，設置成於與前述第一方向交叉之第二方向、或與前述第二方向相反之第三方向上使 前述攝像部與前述旋轉保持部能夠相對移動；第一移動控制部，於前述第一攝像時，以使前述攝像部與前述旋轉保持部於前述第二方向上相對移動之方式控制前述相對移動部；以及第二移動控制部，於前述第二攝像時，以使前述攝像部與前述旋轉保持部於前述第三方向上相對移動之方式控制前述相對移動部。
  3. 如請求項2所記載之基板檢查裝置，其中前述相對移動部包括移動保持部，上述移動保持部保持前述旋轉保持部且使前述旋轉保持部相對於前述攝像部於前述第二方向或第三方向上移動。
  4. 如請求項2或3所記載之基板檢查裝置，其中前述投光部與前述受光部作為獨立個體而配置。
  5. 如請求項1至3中任一項所記載之基板檢查裝置，其進一步包括：方向判定部，判定由前述旋轉保持部保持之基板之朝向；以及第二旋轉控制部，基於由前述方向判定部所判定之基板之朝向，以於前述第一攝像前使基板朝向特定之方向之方式控制前述旋轉保持部。
  6. 如請求項5所記載之基板檢查裝置，其進一步包括：第三旋轉控制部，於基板藉由前述第二旋轉控制部旋轉之前，以使基板旋轉至少1周之方式控制前述旋轉保持部；以及 凹口檢測部，對藉由前述第三旋轉控制部而旋轉之基板之凹口進行檢測；前述方向判定部基於藉由前述凹口檢測部檢測到基板之凹口時之基板的旋轉角度判定基板之朝向。
  7. 如請求項1至3中任一項所記載之基板檢查裝置，其中前述第一旋轉控制部以前述第一攝像時之基板之朝向與前述第二攝像時之基板之朝向非平行之方式，來控制前述旋轉保持部。
  8. 如請求項1至3中任一項所記載之基板檢查裝置，其中前述預先規定之角度為90度之奇數倍之角度。
  9. 一種基板處理裝置，包括：膜形成部，藉由將塗佈液供給至基板之表面而於表面形成塗佈膜；如請求項1至3中任一項所記載之基板檢查裝置，對藉由前述膜形成部形成有塗佈膜之基板之表面狀態進行檢查；以及搬送機構，於前述膜形成部與前述基板檢查裝置之間搬送基板。
  10. 一種基板檢查方法，包括下述步驟：藉由旋轉保持部將基板能夠旋轉地加以保持；於第一攝像時，藉由對由前述旋轉保持部保持之基板進行攝像而生成表示基板之圖像之第一圖像資料；於前述第一攝像後，藉由前述旋轉保持部使基板 旋轉預先規定之角度；於基板之旋轉後之第二攝像時，藉由對由前述旋轉保持部保持之基板進行攝像而生成表示基板之圖像之第二圖像資料；以及基於前述第一圖像資料及第二圖像資料，判定基板之表面狀態有無缺陷。
  11. 一種基板處理方法，包括下述步驟：藉由利用膜形成部將塗佈液供給至基板之表面而於表面形成塗佈膜；藉由搬送機構搬送利用前述膜形成部於表面形成有塗佈膜之基板；以及對由前述搬送機構搬送之基板之表面狀態進行檢查之如請求項10所記載之基板檢查方法之步驟。
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