JP2015185648A - 位置ずれ検出方法、位置ずれ検出装置、描画装置および基板検査装置 - Google Patents

位置ずれ検出方法、位置ずれ検出装置、描画装置および基板検査装置 Download PDF

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Abstract

【課題】外周部に設けられた切欠部が基準方向を向くように位置決めされた、基板の表面の基準方向に対する回転位置ずれ量を正確に求めることができる位置ずれ検出技術、ならびに当該位置ずれ検出技術を用いて高精度な描画処理や正確な基板検査を行う。【解決手段】基板の表面の部分画像を取得する第1工程と、部分画像に含まれる複数のパターンを取得する第2工程と、複数のパターンからパターン対を複数個選定し、複数のパターン対のうちパターン間の距離が互いに等しい複数の等ピッチ対を求める第3工程と、等ピッチ対毎に、当該等ピッチ対を構成する2つのパターンの位置情報に基づいて基準方向に対する2つのパターンの回転角を求める第4工程と、第4工程で求められた複数の回転角から回転位置ずれ量を求める第5工程とを備える。【選択図】図7

Description

この発明は、オリエンテーションフラットやノッチなどの切欠部が基準方向を向くように位置決めされた、基板の表面の上記基準方向に対する回転位置ずれ量を求める位置ずれ検出技術、ならびに当該位置ずれ検出技術を利用する描画装置および基板検査装置に関するものである。
近年、半導体基板(以下単に「基板」という)に形成されるLSI(Large Scale Integrated Circuit)の高集積化に伴い、光ビームを照射してパターンを描画する描画装置が利用されている。例えば特許文献1に記載の描画装置では、基板をプリアライメント部に搬送し、プリアライメント処理を行う。このプリアライメント処理は、載置台に載置された基板の切欠部(ノッチやオリエンテーションフラットなど)の位置をセンサで検出し、当該切欠部が定められた方向を向くように載置台を回転させることによって行われる。これによって、載置台に載置された基板は基準方向に位置合わせされる。これに続いて、プリアライメント処理済みの基板をステージに搬送する。そして、基板上の複数のアライメントマークをカメラで撮像し、そのマーク位置と設計データ上の位置とのずれ量を検出する。そのずれ量を考慮した上でステージと光学ヘッドとを相対移動させながら光学ヘッドからステージ上の基板に対して光を照射して基板にパターンを描画する。
特開2013−138100号公報
ところで、上記特許文献1に記載の装置で実行されるプリアライメント処理は、切欠部に基づき基板を基準方向に対して位置決めしているにすぎず、基板の表面、特に当該表面上に既に形成されているパターンを基準方向に対して位置決めするものではない。そのため、上記アライメントマークがカメラの視野に入らないことがあった。例えば基板上に既に形成されている第1レイヤに対して上記描画装置を用いて第2レイヤを描画する場合があるが、第1レイヤを形成する装置におけるプリアライメント精度が悪く、基板の切欠部を基準したパターン形成が行われないことがある。この場合、プリアライメント処理を行ったとしても、第1レイヤのパターンは基準方向から回転方向に位置ずれして形成されている。つまり回転位置ずれが発生することがある。したがって、第1レイヤに含まれるアライメントマークをカメラにより撮像することが困難となることがある。
また、描画装置によるパターン形成の対象として、素子(デバイス)が形成されたSiウエハに対して接着剤を用いてノッチ付ガラスウエハを接着した基板があるが、当該基板の場合Siウエハに形成されているパターンと、ガラスウエハのノッチには何の位置関係も存在しないため、プリアライメント処理の精度を向上させたとしても、Siウエハ上のアライメントマークをカメラにより撮像できる保証はどこにもない。
このようにプリアライメント処理によって基板を基準方向に対して位置決めしたとしても、基準方向に対する基板の回転位置ずれが発生することがある。例えば直径が300[mm]の半導体ウエハを上記基板とする場合、半導体ウエハの回転位置が基準方向から角度0.05[゜]だけずれると、半導体ウエハの周縁部では250[μm]程度の位置ずれになってしまう。その結果、半導体ウエハに既に形成されているパターンに別のパターンを正確に描画するのが困難となっている。また、半導体ウエハに既に形成されているパターンの形状異常(ショート、断線など)やウエハ表面の異物検出を行う基板検査装置においても、基準方向に対して位置決めされた半導体ウエハ等の基板に回転位置ずれが発生していると、正確な基板検査を良好に行うことは困難である。
この発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、外周部に設けられた切欠部が基準方向を向くように位置決めされた、基板の表面の基準方向に対する回転位置ずれ量を正確に求めることができる位置ずれ検出技術、ならびに当該位置ずれ検出技術を用いて高精度な描画処理や正確な基板検査を行う装置を提供することを目的とする。
この発明の第1態様は、外周部に設けられた切欠部が基準方向を向くように位置決めされた、基板の表面の基準方向に対する回転位置ずれ量を求める位置ずれ検出方法であって、基板の表面の部分画像を取得する第1工程と、部分画像に含まれる複数のパターンを取得する第2工程と、複数のパターンからパターン対を複数個選定し、複数のパターン対のうちパターン間の距離が互いに等しい複数の等ピッチ対を求める第3工程と、等ピッチ対毎に、当該等ピッチ対を構成する2つのパターンの位置情報に基づいて基準方向に対する2つのパターンの回転角を求める第4工程と、第4工程で求められた複数の回転角から回転位置ずれ量を求める第5工程とを備えることを特徴としている。
また、この発明の第2態様は、外周部に設けられた切欠部が基準方向を向くように位置決めされた、基板の表面の基準方向に対する回転位置ずれ量を求める位置ずれ検出装置であって、基板の表面を部分的に撮像する撮像手段と、撮像部によって撮像された基板の表面の部分画像に基づいて回転位置ずれ量を求める検出手段とを備え、検出手段は、部分画像に含まれる複数のパターンを取得するパターン取得部と、パターン取得部により取得された複数のパターンからパターン対を複数個選定するとともに複数のパターン対のうちパターン間の距離が互いに等しい複数の等ピッチ対を求め、等ピッチ対毎に当該等ピッチ対を構成する2つのパターンの位置情報に基づいて基準方向に対する2つのパターンの回転角を求め、複数の回転角から回転位置ずれ量を求める算出部とを有することを特徴としている。
また、この発明の第3態様は、外周部に設けられた切欠部が基準方向を向くように位置決めされた、基板を保持手段で受け取り、保持手段により保持したまま基板に光を照射して描画する描画装置であって、上記した位置ずれ検出装置と同一の構成を有する位置ずれ検出手段と、保持手段により保持される基板の表面の面法線と平行に延びる回転軸を中心として保持手段を回転させる回転手段と、光による描画前に、位置ずれ検出手段で求められた回転位置ずれ量に基づいて回転手段を制御して保持手段に保持される基板の回転位置を補正する制御手段とを備えることを特徴としている。
さらに、この発明の第4態様は、外周部に設けられた切欠部が基準方向を向くように位置決めされた、基板を保持手段で受け取り、保持手段により保持したまま基板の表面を撮像して検査する基板検査装置であって、上記した位置ずれ検出装置と同一の構成を有する位置ずれ検出手段と、保持手段により保持される基板の表面の面法線と平行に延びる回転軸を中心として保持手段を回転させる回転手段と、基板の表面の撮像前に、位置ずれ検出手段で求められた回転位置ずれ量に基づいて回転手段を制御して保持手段に保持される基板の回転位置を補正する制御手段とを備えることを特徴としている。
このように構成された発明では、切欠部に基づいて基準方向に対して位置決めされた基板の表面の部分画像が取得される。そして、当該部分画像に含まれる複数のパターンに基づいて基準方向に対する基板の回転位置ずれ量が検出される。より詳しくは、上記複数のパターンからパターン対を複数個選定するとともに複数のパターン対のうちパターン間の距離が互いに等しい複数の等ピッチ対を求め、等ピッチ対毎に当該等ピッチ対を構成する2つのパターンの位置情報に基づいて基準方向に対する2つのパターンの回転角を求め、複数の回転角から回転位置ずれ量を求めている。このため、回転位置ずれ量が正確に求められる。
以上のように、外周部に設けられた切欠部が基準方向を向くように位置決めされた、基板の表面の部分画像から複数のパターンを取得し、これらのパターンから基板の回転位置ずれ量を検出しているため、回転位置ずれ量を正確に求めることができる。また、当該位置ずれ検出技術を描画装置で利用することで高精度な描画処理を行うことができる。さらに。当該位置ずれ検出技術を基板検査装置に適用することで正確な検査を行うことができる。
本発明にかかる回転位置ずれ検出装置を装備する描画装置の第1実施形態を示す正面図である。 図1の描画装置の平面図である。 図1の描画装置の電気的構成を示すブロック図である。 プリアライメントユニットの概略構成を示す斜視図である。 図1の描画装置によるパターンの描画動作を示すフローチャートである。 基板の表面の部分画像から複数のパターンを取得する動作を模式的に示す図である。 補正角算出動作を示すフローチャートである。 テンプレートマッチング動作を示すフローチャートである。 テンプレートマッチング動作により得られる重心集合の一例を示す図である。 近接点集合の一例を示す図である。 重心間距離をキーとするヒストグラムの一例を示す図である。 最近接点集合の一例を示す図である。 角度をキーとするヒストグラムの一例を示す図である。 本発明にかかる回転位置ずれ検出装置を装備する描画装置の第2実施形態を示すブロック図である。 部分画像から周期パターンを抽出するパターン抽出処理を示すフローチャートである。 第2実施形態における部分画像からの周期パターンの取得動作を模式的に示す図である。
図1は本発明にかかる回転位置ずれ検出装置を装備する描画装置の第1実施形態を示す正面図である。図2は図1の描画装置の平面図である。図3は図1の描画装置の電気的構成を示すブロック図である。描画装置は、プリアライメント処理された半導体ウエハなどの基板Wを処理ステージ1に搬送し、当該処理ステージ1で基板Wを保持したまま光を基板Wの表面に照射してパターンを描画する装置である。以下においては、装置の全体構成を説明した後、装置の主要構成である露光ユニット、プリアライメントユニット、画像処理ユニットおよびデータ作成ユニットの構成、ならびに描画動作について詳述する。
A.全体構成
描画装置は、露光ユニット100、プリアライメントユニット200、搬送ユニット300、画像処理ユニット400およびデータ作成ユニット500を有している。そして、これらのうち露光ユニット100、プリアライメントユニット200および搬送ユニット300の主要構成要素が、本体フレーム601で構成される骨格の天井面および周囲面にカバーパネル(図示省略)が取り付けられることによって形成される本体内部に配置されている。
描画装置の本体内部は、処理領域602と受け渡し領域603とに区分されている。これらの領域のうち処理領域602には、主として、露光ユニット100の主要構成である処理ステージ1、ステージ移動部2、ステージ位置計測部3、光学ユニット4、アライメント部5が配置されている。そして、露光ユニット100の露光制御部6が露光ユニット100の各部を制御することで光ビームを基板Wに露光してパターンを描画する。一方、受け渡し領域603には、図2に示すようにプリアライメントユニット200および搬送ユニット300が配置されている。プリアライメントユニット200は、プリアライメント処理を行う。また、搬送ユニット300は処理領域602に対する基板Wの搬出入を行う搬送ロボット301を有している。
また、描画装置の本体外部には、図1に示すようにアライメント部5に照明光を供給する照明部7が配置される。また、図1および図2への図示を省略しているが、同本体外部には上記露光制御部6、画像処理ユニット400およびデータ作成ユニット500が配置されている。
さらに、描画装置の本体外部で、受け渡し領域603に隣接する位置には、キャリアCを載置するためのキャリア載置部604が配置される。そして、搬送ロボット301がキャリアC、プリアライメントユニット200および処理ステージ1にアクセスして基板Wを次のように搬送する。つまり、搬送ロボット301は、キャリア載置部604に載置されたキャリアCに収容された未処理の基板Wを取り出し、プリアライメントユニット200に搬入する。このプリアライメントユニット200は、プリアライメント処理を行って基板Wの外周部に形成されるノッチWa(図2、図4参照)が予め設定した基準方向に向くように基板Wを位置決めする。こうしてプリアライメント処理を受けた基板Wを当該プリアライメントユニット200から処理ステージ1に搬送し、描画を行う。そして、描画終了後に描画処理済の基板Wを処理ステージ1からキャリアCに搬出する。
B.露光ユニット100の構成
処理ステージ1は、平板状の外形を有し、その上面に基板Wを水平姿勢に載置して保持する保持部である。処理ステージ1の上面には、複数の吸引孔(図示省略)が形成されており、この吸引孔に負圧(吸引圧)を付与することによって、処理ステージ1上に載置された基板Wを処理ステージ1の上面に固定保持することができるようになっている。そして、処理ステージ1はステージ移動部2により移動させる。
ステージ移動部2は、処理ステージ1を主走査方向(Y軸方向)、副走査方向(X軸方向)、及び回転方向(Z軸周りの回転方向(θ軸方向))に移動させる機構である。ステージ移動部2は、支持プレート22上で処理ステージ1を鉛直軸Z回りに微小回転させる回転機構21と、支持プレート22を支持するベースプレート24と、支持プレート22を副走査方向Xに移動させる副走査機構23と、ベースプレート24を主走査方向Yに移動させる主走査機構25とを備える。副走査機構23および主走査機構25は露光制御部6からの指示に応じて処理ステージ1を移動させる。
副走査機構23は、支持プレート22の下面に取り付けられた図示しない移動子とベースプレート24の上面に敷設された図示しない固定子とにより構成されたリニアモータ23aを有している。また、支持プレート22とベースプレート24との間には、副走査方向に延びる一対のガイド部23bが設けられている。このため、リニアモータ23aを動作させると、ベースプレート24上のガイド部23bに沿って支持プレート22が副走査方向Xに移動する。
主走査機構25は、ベースプレート24の下面に取り付けられた移動子と描画装置の基台8上に敷設された固定子とにより構成されたリニアモータ25aを有している。また、ベースプレート24と基台8との間には、主走査方向に延びる一対のガイド部25bが設けられている。このため、リニアモータ25aを動作させると、基台606上のガイド部25bに沿ってベースプレート24が主走査方向Yに移動する。
ステージ位置計測部3は、処理ステージ1の位置を計測する機構である。ステージ位置計測部3は、露光制御部6と電気的に接続されており、露光制御部6からの指示に応じて処理ステージ1の位置を計測する。ステージ位置計測部3は、例えば処理ステージ1に向けてレーザ光を照射し、その反射光と出射光との干渉を利用して、処理ステージ1の位置を計測する機構により構成されているが、その構成動作はこれに限定されるものではない。この実施形態では、ステージ位置計測部3は、レーザ光を出射する出射部31と、ビームスプリッタ32と、ビームベンダ33と、第1干渉計34と、第2干渉計35とを備える。これら出射部31、各干渉計34、35は、露光制御部6と電気的に接続されており、露光制御部6からの指示に応じて処理ステージ1の位置を計測する。
出射部31から出射されたレーザ光は、まずビームスプリッタ32に入射し、ビームベンダ33に向かう第1分岐光と、第2干渉計35に向かう第2分岐光とに分岐される。第1分岐光は、ビームベンダ33により反射され、第1干渉計34に入射するとともに、第1干渉計34から処理ステージ1の第1の部位に照射される。そして、第1の部位で反射した第1分岐光が、再び第1干渉計34へと入射する。第1干渉計34は、処理ステージ1の第1の部位に向かう第1分岐光と第1の部位で反射された第1分岐光との干渉に基づいて第1の部位の位置に対応した位置パラメータを計測する。
一方、第2分岐光は、第2干渉計35に入射するとともに、第2干渉計35から処理ステージ1の第2の部位(ただし、第2の部位は、第1の部位とは異なる位置である。)に照射される。そして、第2の部位で反射した第2分岐光が、再び第2干渉計35へ入射する。第2干渉計35は、処理ステージ1の第2の部位に向かう第2分岐光と処理ステージ1の第2の部位で反射された第2分岐光との干渉に基づいて第2の部位の位置に対応した位置パラメータを計測する。
露光制御部6は、第1干渉計34および第2干渉計35の各々から、処理ステージ1の第1の部位の位置に対応した位置パラメータ及び処理ステージ1の第2の部位の位置に対応した位置パラメータを取得する。そして、取得した各位置パラメータに基づいて、露光制御部6は処理ステージ1の位置を算出する。
光学ユニット4は、2つの光学ヘッド40a、40bを有している。光学ヘッド40a、40bはともに同一構成を有しており、光照射部41から与えられるレーザ光をCADデータで記述されたパターンに対応する描画データに基づき変調する。ここでは、図1を参照しつつ光学ヘッド40aに関連する構成について説明するが、光学ヘッド40bについても同様に構成されている。なお、光学ヘッドの設置数はこれに限定されず任意である。
光照射部41は、レーザ駆動部411、レーザ発振器412および照明光学系413を有している。この光照射部41では、レーザ駆動部411の作動によりレーザ発振器412からレーザ光が出射され、照明光学系413を介して光学ヘッド40aに導入される。この光学ヘッド40aには、光変調素子が設けられており、描画データに基づきレーザ光を変調する。そして、光学ヘッド40aは変調レーザ光を光学ヘッド40aの直下位置で移動している基板Wに対して落射することで処理ステージ1に保持された基板Wの表面を露光してパターンを描画する。これによって、基板Wの表面に対してCADデータで記述されたパターンが重ねて描画される。
アライメント部5は基板Wの表面に形成されるアライメントマーク(図示省略)を撮像する。アライメント部5は、鏡筒、対物レンズ、およびCCD(Charge Coupled Device)イメージセンサを有する撮像部51を備える。本実施形態では、CCDイメージセンサとしてエリアイメージセンサ(二次元イメージセンサ)を用いているが、これに限定されるものではない。また、アライメント部5は、図示しない昇降機構によって所定の範囲内で昇降可能に支持されている。
照明部7は鏡筒とファイバ71を介して接続され、アライメント部5に対して照明用の光を供給する。照明部7から延びるファイバ71によって導かれる光は、撮像部51の鏡筒を介して基板Wの上面に導かれ、その反射光は、対物レンズを介してCCDイメージセンサで受光される。これによって、基板Wの上面が撮像されて撮像データが取得されることになる。撮像部51はマーク位置計測部52と電気的に接続されており、取得した撮像データをマーク位置計測部52に出力する。マーク位置計測部52は当該撮像データに基づいてアライメントマークの座標位置を求め、露光制御部6に出力する。
C.プリアライメントユニット200の構成
図4はプリアライメントユニットの概略構成を例示する斜視図である。プリアライメントユニット200はY方向に延設された長尺プレート状のベース部210を有している。このベース部210の一方端部では、回転テーブル220が回転自在に取り付けられている。この回転テーブル220は搬送ロボット301によって搬送されてきた基板Wを支持する上面を有している。この回転テーブル220の上面には、複数の吸引孔(図示省略)が形成されており、図示を省略する吸引手段によって各吸引孔を吸引することで、基板Wが回転テーブル220上で吸着されて保持される。また、回転テーブル220はモータ230の回転軸に連結されており、モータ230からの回転駆動力を受けて、基板Wを保持しつつZ軸周りに回転する。
また、ベース部210の他方端部では、ノッチ検出部240が回転テーブル220に保持される基板Wの径方向(Y方向)に移動自在に設けられている。このノッチ検出部240は図示を省略する投光素子および受光素子を有している。また、ノッチ検出部240には、検出駆動部250が接続されており、基板Wのウエハサイズに応じてノッチ検出部240をY方向に移動させる。つまり、ウエハサイズが200[mm]のときには(+Y)方向に移動させて第1ポジションに位置決めすることで、投光素子から受光素子に向かう光経路が基板Wの周縁部と交差するようにノッチ検出部240を位置させる。一方、ウエハサイズが300[mm]のときには(−Y)方向に移動させて第2ポジションに位置決めすることで、上記光経路が基板Wの周縁部と交差するようにノッチ検出部240を位置させる。こうして、いずれのウエハサイズにおいても、ノッチ検出部240によりノッチ検出を行うことが可能となっている。すなわち、上記光経路上にノッチWaが位置するタイミングでノッチ検出部240からノッチ検出信号を出力する。そして、プリアライメントユニット200はノッチ検出信号の出力タイミングに基づいて回転テーブル220の回転を制御することで、例えば図2や図4に示すようにノッチWaを(−X)方向に向けた回転位置に基板Wを位置決めする(プリアライメント処理)。このように、本実施形態ではノッチWaが本発明の「切欠部」の一例に相当し、(−X)方向が本発明の「基準方向」に相当している。なお、ノッチ検出に基づく基板Wの回転位置決め方法については周知であるため、ここでは説明を省略する。また、本実施形態では上記したように透過光によってノッチ検出を行っているが、反射光を用いてノッチ検出を行うように構成してもよい。
ここで、ノッチWaに基づく位置決めを行ったとしても、既述したように、基板W上に既に形成されているパターンが必ずしも基準方向に対して正確に位置決めされているわけではなく、基板Wが基準方向に対して基板Wの回転方向に位置ずれを起こしている、つまり回転位置ずれが発生していることがある。そこで、本実施形態では基準方向に位置決めされた基板Wの回転位置ずれ量を検出するために、プリアライメントユニット200には撮像カメラ260が設けられている。
撮像カメラ260は、図4に示すように、回転テーブル220を挟んでノッチ検出部240の反対側で回転テーブル220上に水平に保持された基板Wの周縁部の上方位置に配置されており、基板Wの表面の一部領域を撮像可能となっている。
また本実施形態では、撮像カメラ260についても、ノッチ検出部240と同様に2種類のウエハサイズに対応すべく、カメラ駆動部270が設けられている。このカメラ駆動部270は、撮像カメラ260を回転テーブル220に保持される基板Wの径方向(Y方向)に移動させる機能を有しており、ウエハサイズが200[mm]のときには撮像カメラ260を(−Y)方向に移動させ、また300[mm]のときには撮像カメラ260を(+Y)方向に移動させる。これによって、基板Wの表面のうち周縁部の画像が撮像カメラ260によって撮像される。なお、撮像カメラ260による撮像領域は基板Wの表面周縁領域に限定されるものではないが、次の理由から本実施形態では表面周縁領域の画像を撮像している。すなわち、当該理由は、中心部よりも周縁部の方が回転位置ずれの影響を強く受け易く、後述するようにして求める回転位置ずれ量の検出精度を高めることができるからである。また、後述するように撮像カメラ260により撮像した画像を用いて統計的な手法を用いるために撮像領域を比較的広く取得するのが望ましく、本実施形態では撮像カメラ260の倍率を低倍、具体的な0.5倍に設定している。そして、この撮像カメラ260で撮像された画像、つまり基板Wの表面の一部画像(以下「部分画像」という)はプリアライメントユニット200から画像処理ユニット400に送られる。
D.画像処理ユニット400
画像処理ユニット400は撮像カメラ260の撮像結果に対して画像処理を実行するものであり、露光制御部6とともに電装ラック(図示省略)内に配置されている。画像処理ユニット400は、撮像カメラ260から送信されてくる部分画像を画像メモリ(図示省略)に記憶する。また、画像処理ユニット400はテンプレートマッチング部410および補正角算出部420を備えており、各部で以下の処理を実行する。
テンプレートマッチング部410は、部分画像に含まれる複数のパターンを取得するパターン取得部として機能するものであり、部分画像の一部をテンプレート像として取得した後、部分画像のうちテンプレート像とマッチングするマッチング像を上記パターンとして取得する。なお、その詳しいパターン取得動作については後で詳述する。
補正角算出部420は、テンプレートマッチング部410で取得された複数のパターンに基づいて基準方向に対する基板Wの表面の回転位置ずれ量を求め、これを補正角として出力する機能を有している。なお、その詳しい算出動作についても後で詳述する。
E.データ作成ユニット500
データ作成ユニット500は、CPU(Central Processing Unit)や記憶部510等を有するコンピュータで構成されており、露光制御部6、画像処理ユニット400とともに電装ラック内に配置されている。また、データ作成ユニット500内のCPUが所定のプログラムに従って演算処理することにより、データ作成部520、アライメント座標導出部530およびラスタライズ部540が実現される。本実施形態では、基板Wの表面に重ね合わせて描画するパターンは外部のCAD等により生成されたベクトル形式の設計データで記述されており、その設計データがデータ作成ユニット500に入力されると、記憶部510に書き込まれて保存される。そして、データ作成部520が設計データ511を補正して補正設計データを作成し、アライメント座標導出部530およびラスタライズ部540に送る。
アライメント座標導出部530は上記補正設計データに含まれるアライメントマークの座標を導出し、露光制御部6に送信する。これを受けて露光制御部6はアライメント部5によるアライメント処理を実行する。
ラスタライズ部540は、アライメント座標導出部530によるアライメントマークの座標導出処理および露光制御部6によるアライメント処理と並行して補正設計データをラスタライズしてランレングスデータ(描画データ)512を生成して記憶部510に保存する。そして、露光制御部6からのデータ要求に応じてランレングスデータ512が記憶部510から露光制御部6に出力され、当該ランレングスデータ512にしがたって基板Wの表面へのパターン描画が実行される。
F.描画動作
次に、上記のように構成された描画装置によるパターン描画動作について図5ないし図13を参照しつつ詳述する。なお、ここでは、基板Wのウエハサイズは300[mm]であり、これに対応して予めノッチ検出部240および撮像カメラ260は、図4に示すように300[mm]に対応する位置に位置決めされている。もちろん、200[mm]サイズの基板Wに対して描画処理を行う場合には、300[mm]から200[mm]に切り替わるタイミングでノッチ検出部240および撮像カメラ260の移動が実行される。
図5は図1の描画装置によるパターンの描画動作を示すフローチャートである。また、図6は基板の表面の部分画像から複数のパターンを取得する動作を模式的に示す図である。この描画装置では、搬送ロボット301がキャリア載置部604に載置されたキャリアCから基板Wを搬出し、プリアライメントユニット200の回転テーブル220に搬送する(ステップS1)。すると、回転テーブル220が少なくとも1回転以上回転し、その回転中にノッチ検出部240がノッチWaを検出してノッチ検出信号を出力する。そして、プリアライメントユニット200では、ノッチ検出信号が出力されたタイミングに基づいてノッチWaの回転角度を取得し、当該ノッチWaが基準方向(−X)を向くまで回転テーブル220をさらに回転させる。これによって、ノッチWaを用いた位置合せ、つまりプリアライメント処理が完了する(ステップS2)。
また、プリアライメントユニット200では、撮像カメラ260がプリアライメントされた基板Wの表面の一部、つまり部分画像WIを撮像し、画像処理ユニット400の画像メモリに書き込む(ステップS3)。こうして画像メモリに記憶された部分画像WIの一例が図6(a)に示されている。
プリアライメント処理および部分画像の取得が完了すると、搬送ロボット301が回転テーブル220から基板Wを受け取った後、当該基板Wの処理ステージ1への搬送を開始する(ステップS4)。そして、基板搬送動作を行っている間に、画像処理ユニット400は種々の画像処理および演算処理を行って補正角θの算出を行い(ステップS5)、露光ユニット100の露光制御部6に出力する。
図7は補正角算出動作を示すフローチャートである。この補正角算出動作は補正角算出部420により以下のように実行される。この補正角算出動作では、まずテンプレートマッチング処理が実行されて部分画像WIからのパターンの取得が実行される(ステップS51)。
図8はテンプレートマッチング動作を示すフローチャートである。また、図9はテンプレートマッチング動作により得られる重心集合の一例を示す図である。以下、図6、図8および図9を参照しつつテンプレートマッチング動作について説明する。テンプレートマッチング工程では、マッチングカウント値nを初期値「1」に設定した(ステップS511)後で、テンプレートマッチングにより周期的に繰り返されるパターン、つまり周期パターンを部分画像WIから取得するループ、つまりマッチングループに入る。
このマッチングループでは、まず部分画像WIの一部を基準画像RI(n)として取得する(ステップS512)。ここで、基準画像RI(n)のサイズは部分画像WIより小さい任意のサイズに設定することができる。ただし、後述するように補正角を算出するにあたって統計的な手法を用いる点および基板搬送中に補正角の算出および処理ステージ1の回転動作を行う点を考慮すると、例えば図6(b)に示すように、部分画像WIを15×15〜20×20に分割したうちの1つの画像を基準画像RI(n)とするのが好適である。
次に、図6(c)に示すように基準画像RI(n)をテンプレート像として部分画像WI全体に対して従来より多用されているテンプレートマッチングを行う(ステップS513)。そして、マッチングした領域の各々について、重心を求めるとともに当該重心の座標データを周期パターンの重心の位置情報として求め、画像処理ユニット400に設けられるデータメモリ(図示省略)に記憶する(ステップS514)。例えば図6(d)では、合計i個のマッチング領域MR1、MR2、…、MRiが抽出されるとともに、それらの重心g1、g2、…、giが求められ、各々の位置情報(x1,y1)、(x2,y2)、…、(xi,yi)がデータメモリに記憶される。こうして複数の重心の位置情報からなる重心集合Gが周期パターンの位置情報の集合体としてデータメモリに書き込まれる。
ここで、本実施形態では、テンプレートマッチングを行うためのテンプレート像を予め記憶しておくのではなく、部分画像WIから任意に抽出した基準画像RI(n)をテンプレート像として用いる。このため、基準画像RI(n)が周期パターンの全部あるいは一部を含んだ像でテンプレート像として有効に機能する場合には、比較的数多くの重心gが得られる。これに対し、基準画像RI(n)が周期パターンを含まず、あるいは含んでも微小でありテンプレート像として有効に機能しない場合には、取得される重心の数は急激に減少し、後述する補正角の算出が難しくなる。そこで、本実施形態では、重心の数が一定の値GN、例えば20個以上であり、補正角の算出精度を十分に確保することが可能な場合(ステップS515で「NO」)には、マッチングループを抜けてテンプレートマッチング処理を終了する。
一方、重心の数が一定の値GN未満である場合(ステップS515で「YES」)には、マッチングカウント値nを「1」だけインクリメントした(ステップS516)後で基準画像RI(n)の取得、テンプレートマッチングおよび重心の算出・記憶を繰り返す。つまり、部分画像WIの範囲内でテンプレート像を順次ずらしてテンプレートマッチング処理を行ってマッチング像(周期パターン)を取得する。
このテンプレートマッチング動作(ステップS51)により重心集合Gが求まると、図7に示すように、次のステップS52では、重心集合Gをデータメモリから読み出す。そして、重心集合Gを構成する位置情報に基づいて各重心について近接する重心および重心間距離を算出する近接点算出ループに入る。
この近接点算出ループでは、i個の重心g1、g2、…、giの各々について以下の計算(ステップS53〜S55)を実行する。つまり、重心gmから他の重心までの距離(以下「重心間距離」という)をそれぞれ算出する(ステップS53)。そして、それらの重心間距離に基づいて重心gmに最も近接する近接重心gmnを検出し(ステップS54)、重心gmに対して当該近接重心gmnならびに重心gm、gmnの距離Lmを対応付けてデータメモリに記憶する(ステップS55)。こうして、例えば図10に示すように、重心g、近接重心gnおよび重心間距離Lが関連付けられた近接点集合Nが得られ、近接点算出ループから抜ける。
次のステップS56では、近接点集合Nをデータメモリから読み出す。そして、重心間距離Lをキーとしてヒストグラムを作成する(ステップS57)。その一例が図11である。
それに続いて、ヒストグラムから最も出現個数の多い重心間距離L、つまりモード(最頻値)Lmdを導出し(ステップS58)、さらに当該モードLmdに含まれるデータ、つまり重心g、近接重心gnおよび重心間距離Lを近接点集合Nから抽出し、データメモリに記憶する(ステップS59)。こうして、例えば図12に示すように、モードLmdに含まれる重心g、近接重心gnおよび重心間距離Lが関連付けられた最近接点集合MNが得られる。ただし、この時点では図12中の「角度θ」は求められておらず、データメモリにも記憶されていない。
次のステップS60では、最近接点集合MNをデータメモリから読み出す。そして、最近接点集合MNを構成する各データ(重心g、近接重心gn)について角度θを算出する。この角度θは、重心gを有するパターンPT(図6(c)参照)と近接重心gnを有するパターンPTn(図6(c)参照)とで構成される近接パターン対の回転角に相当し、本実施形態では例えば図6(d)に示すように重心gから近接重心gnに向かう仮想直線VLが基準方向(−X)となす角度と定義している。
最近接点集合MNの各データについて角度θが求められると、角度θをキーとしてヒストグラムを作成する(ステップS62)。その一例が図13であり、図6に示すように周期パターンがX方向およびY方向にマトリックス状に形成されている場合には、角度θは0゜、90゜、180゜、270゜付近に集中する。ここで、基準方向(−X)に対して基板Wの表面の回転位置ずれが発生しておらず、プリアライメント処理によって基板Wの表面に既設のパターンが基準方向(−X)に対して位置合せされている場合には、角度θの個数は0゜、90゜、180゜、270゜でピークを示す。一方、プリアライメント処理によって基板Wの表面が基準方向(−X)に対して回転位置ずれを起こしている場合、角度の個数ピークは回転位置ずれ量だけシフトする。そこで、本実施形態では、上記ヒストグラムから角度の最頻値、つまりモードAmd(0)、Amd(90)、Amd(180)、Amd(270)を求める(ステップS63)とともに、それぞれの0゜、90゜、180゜、270゜との差分ΔA(0)、ΔA(90)、ΔA(180)、ΔA(270)、つまり
ΔA(0)=Amd(0)−0
ΔA(90)=Amd(90)−90
ΔA(180)=Amd(180)−180
ΔA(270)=Amd(270)−270
を求める(ステップS64)。さらに差分ΔA(0)、ΔA(90)、ΔA(180)、ΔA(270)の平均値を基準方向(−X)に対する基板Wの表面の回転位置ずれ量であり、これを補正角θとして求める(ステップS65)。
こうして補正角θが求まると、画像処理ユニット400から補正角θが露光制御部6に与えられる。そして、図5に示すようにプリアライメント処理済みの基板Wが処理ステージ1に載置されるまでに、露光制御部6は角度(−θ)だけ処理ステージ1を回転させる旨の指令を回転機構21に与えて作動させる(ステップS6)。これにより、搬送ロボット301が基板Wを処理ステージ1に載置する前に処理ステージ1は角度(−θ)だけ回転しており、その角度姿勢で基板Wを受け取ることとなる。
そして、搬送ロボット301により基板Wが処理ステージ1に載置されて基板Wのローディング動作が完了する(ステップS7で「YES」)と、露光制御部6は角度θだけ処理ステージ1を回転させる旨の指令を回転機構21に与えて作動させる(ステップS8)。これにより、基板Wは補正角θだけ回転し、基準方向(−X)に対する基板Wの表面の回転位置ずれが解消される。それに続いて、アライメント処理を行う。すなわち、ステージ移動部2により処理ステージ1が撮像部51の直下位置に移動して各アライメントマークを順番に撮像部51の撮像可能位置に位置決めし、撮像部51によるマーク撮像が実行される。この撮像部51から出力される画像信号はマーク位置計測部52により処理され、アライメントマークの処理ステージ1上の位置が正確に求められる。そして、これらの計測位置情報に基づき回転機構21が作動して処理ステージ1を基板Wの表面の面法線と平行な軸、つまり鉛直軸回りに微小回転させて基板Wの表面をパターン描画に適した向きにアライメント(位置合わせ)する。なお、処理ステージ1を光学ヘッド40a、40bの直下位置に移動させた後で当該アライメントを行ってもよい。
アライメント処理が完了すると、露光制御部6はデータ作成ユニット500に対してデータ要求を行い、記憶部510から読み出されるランレングスデータ512にしがたって基板Wの表面に対するパターン描画を行う(ステップS9)。
以上のように、本実施形態では、プリアライメント処理によって基板WはノッチWaを基準方向(−X)に向けた状態で位置決めされるが、さらに当該基板Wの表面の部分画像WIを取得し、当該部分画像WIに含まれる周期パターンに基づいて基準方向(−X)に対する基板Wの表面の回転位置ずれ量を検出している。したがって、基板Wの表面の基準方向(−X)に対する回転位置ずれ量を正確に求めることができる。なお、この作用効果は、基板Wの表面がノッチWaに対して一定精度で位置合せされている場合はもちろんのこと、基板Wの表面に既設のパターンがノッチWaに対して正確に位置合せされていない場合、貼り合わせ基板(=Siウエハ+接着剤+ノッチ付ガラスウエハ)のように基板Wの表面がノッチWaに対して何の位置関係も存在しない場合などにおいても好適に発揮される。
また、処理ステージ1に基板Wを載置した状態でアライメント処理を行う前に、基板Wを回転位置ずれ量に相当する分だけ回転させているため、上記アライメント処理時に基板W上のアライメントマークが撮像部51の撮像領域に入り、アライメント処理を確実に行うことができる。そのため、アライメントマークの読取ミスに起因する時間ロスを削減することができ、効率的な描画処理を行うことができる。
また、上記実施形態では、プリアライメントユニット200から処理ステージ1に基板Wを搬送している間に、補正角θを算出しているため、タクトタイムに影響を与えることなく、上記作用効果が得られる。
また、上記実施形態では、部分画像WIの一部の画像、つまり基準画像RI(n)をマッチング像として用いており、予めマッチング像を準備する必要がない。また、基準画像RI(n)がマッチング像として適切でないと判断した(ステップS515)際に、基準画像RI(n+1)に切り替えて部分画像WIからの周期パターンの取得を再試行している。このため、種々の基板に対して適切に対応することができ、高い汎用性を有する。なお、この場合、基準画像RI(n)、RI(n+1)がそれぞれ本発明の「第1画像」および「第2画像」の一例に相当している。
また、上記実施形態では、最近接点集合MNや回転位置ずれ量を求める際にヒストグラムを利用した統計的手法を用いているため、部分画像WIからの周期パターンの取得誤差やノイズなどの影響を抑制して回転位置ずれ量を精度良く求めることができ、その結果、描画精度も向上する。
図14は本発明にかかる回転位置ずれ検出装置を装備する描画装置の第2実施形態を示すブロック図であり、電気的構成を示している。また、図15は部分画像から周期パターンを抽出するパターン抽出処理を示すフローチャートである。さらに、図16は第2実施形態における部分画像からの周期パターンの取得動作を模式的に示す図である。この第2実施形態が第1実施形態と大きく相違する点は部分画像WIから周期パターンの位置情報を取得する方法である。つまり、第1実施形態では、テンプレートマッチング部410によるテンプレートマッチング処理によって部分画像WIから周期パターンを取得している。これに対し、第2実施形態では二値化処理およびラベリング処理を利用して部分画像WIからの周期パターンの取得を行う。なお、それ以外の構成および動作は基本的に第1実施形態と同一である。したがって、以下の説明においては、相違点を中心に説明し、同一構成については同一符号を付して説明を省略する。
第2実施形態では、画像処理ユニット400は、補正角算出部420以外に、二値化処理部430、ラベリング部440および孤立抽出処理部450を有している。二値化処理部430は、撮像カメラ260で撮影された画像、例えば図16(a)に示す部分画像WIを受け取ると、当該部分画像WIを二値化し、例えば図16(b)に示す二値画像BIを生成する(ステップS517)。
ラベリング部440は二値画像BIを受け取ると、当該二値画像BIに対してラベルを付与する(ステップS518)。なお、ラベリング処理についは従来周知技術が数多く提案されており、本実施形態においてはそのうちの一つである8近傍探索方式を採用しているが、その他の方式、例えば4近傍探索方式を用いてもよい。また、二値画像BIをランレングス化して複数のランを生成し、当該複数のランに対してラベルを付与してもよい。
孤立抽出処理部450はラベリング処理された画像から一定の大きさ以下の孤立パターンIP(図16(c))を抽出する(ステップS159)。各孤立パターンIPは部分画像WI内の周期パターンに相当しており、これらの孤立パターンIPが含まれるラベリング済画像PIを補正角算出部420に与える。
そして、補正角算出部420は、ラベリング済画像PI中の孤立パターンIP毎に、孤立パターンIPの重心gを求めるとともに当該重心gの座標データを周期パターンの重心の位置情報として求め、画像処理ユニット400に設けられるデータメモリ(図示省略)に記憶する(ステップS520)。こうして、第1実施形態と同様に、重心集合Gが周期パターンの位置情報の集合体としてデータメモリに存在する。なお、それ以降については、第1実施形態と同様にして基板Wの表面の回転位置ずれ量を補正角θとして算出し、露光制御部6に与える。
以上のように、第2実施形態では、二値化処理およびラベリング処理を用いて部分画像WIから周期パターンを取得し、これらの周期パターンに基づいて基準方向(−X)に対する基板Wの表面の回転位置ずれ量を検出している。したがって、第1実施形態と同様の作用効果が得られる。
このように上記した実施形態では、円盤形状の基板Wの外周部に形成されたノッチWaが本発明の「切欠部」の一例に相当しているが、本発明の適用対象は当該基板Wに限定されるものではなく、切欠部としてオリエンテーションフラットが形成された基板についても本発明を適用することができる。
また、基板Wの部分画像WIの取得工程(ステップS3)が本発明の「第1工程」の一例に相当し、テンプレートマッチング工程(ステップS511〜S516)およびパターン抽出工程(ステップS517〜S520)が本発明の「第2工程」の一例に相当している。また、補正角算出工程のうち、ステップS53〜S59が本発明の「第3工程」の一例に相当し、ステップS60、S61が本発明の「第4工程」の一例に相当し、ステップS62〜S65が本発明の「第5工程」の一例に相当している。
また、値GNが本発明の「回転角を求めるのに必要となる最小個数」の一例に相当している。また、重心間距離をキーとして作成されるヒストグラムが本発明の「第1ヒストグラム」の一例に相当し、角度をキーとして作成されるヒストグラムが本発明の「第2ヒストグラム」の一例に相当している。また、近接点集合Nを構成する重心g、gnをそれぞれ有する2つのパターンが本発明の「パターン対」や「近接パターン対」の一例に相当し、最近接点集合MNを構成する重心g、gnをそれぞれ有する2つのパターンが本発明の「等ピッチ対」の一例に相当している。また、角度θが本発明の「基準方向に対する2つのパターンの角度」の一例に相当している。
さらに、撮像カメラ260および画像処理ユニット400がそれぞれ本発明の「撮像手段」および「検出手段」として機能しており、これらによって本発明の「位置ずれ検出装置」および「位置ずれ検出手段」が構成されている。また、図1に示す描画装置では、処理ステージ1、回転機構21、露光制御部6がそれぞれ本発明の「保持手段」、「回転手段」および「制御手段」の一例に相当している。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば第1実施形態では部分画像WIの範囲の任意位置で基準画像RI(n)をテンプレート像として取得しているが、基板Wに適合するテンプレート像(以下「適合テンプレート像」という)をユーザが予め画像メモリなどのメモリに記憶しておき、これを用いてテンプレートマッチング処理を行ってもよい。また、第2実施形態で実行した二値化処理およびラベリング処理を実行して得られた画像内において1または複数の孤立パターンが含まれる領域の画像を上記適合テンプレート像として求め、これを用いてテンプレートマッチング処理を行ってもよい。これらの場合には、次の作用効果が得られる。
第1実施形態では部分画像WIの範囲の任意位置で基準画像RI(n)をテンプレート像として取得している。このため、最初の基準画像RI(1)をテンプレート像として用いてテンプレートマッチング処理を行った場合に、GN個以上の周期パターンを部分画像WIから取得することができない可能性がある。そこで、第1実施形態では、この点を考慮してGN個以上の周期パターンを取得されるまで、基準画像RI(2)、RI(3)、…とテンプレート像を切り替えながら周期パターンの取得を繰り返している。その結果、補正角θを算出するまでに時間を要することがある。これに対し、適合テンプレート像を用いることで、1回のテンプレートマッチング処理によってGN個以上の周期パターンを部分画像WIから取得することが可能となる。その結果、部分画像WIからの周期パターンの取得に要する時間を最短化することができる。
また、本発明の「第2工程」を実行するために、第1実施形態ではテンプレートマッチング工程(ステップS511〜S516)を実行し、第2実施形態ではパターン抽出工程(ステップS517〜S520)を実行しているが、これらの工程を組み合わせてもよい。つまり、予めテンプレートマッチング工程およびパターン抽出工程を準備しておき、周期パターンの種類に応じてテンプレートマッチング工程およびパターン抽出工程のうちの一方を選択的行うように構成してもよい。また、テンプレートマッチング工程およびパターン抽出工程のうちの一方により本発明の「第2工程」を実行したが、値GN未満の周期パターンしか取得することができなかった場合に、他方を追加実施するように構成してもよい。これによって、周期パターンの種類にかかわらず、本発明の「第2工程」を確実に、しかも良好に行うことができる。
また、上記実施形態では、撮像カメラ260による1回の撮像処理によって部分画像WIを取得しているが、撮像回数は1回に限定されるものではなく、複数回実行してもよい。すなわち、基板Wの表面を撮像するたびにカメラ駆動部270によって撮像カメラ260を1ショット分移動させ、隣の領域を撮像してもよく、これらの撮像領域を繋ぎ合わせた画像を部分画像WIとして用いてもよい。これにより比較的広い部分画像WIを用いて基板Wの表面の回転位置ずれを検出することができ、位置ずれ検出の精度を高めることができる。
さらに、上記実施形態では、本発明にかかる位置ずれ検出方法および装置を描画装置に適用しているが、その適用対象はこれに限定されるものではない。例えば、外周部に設けられた切欠部が基準方向を向くように位置決めされた、基板を保持手段で受け取り、当該保持手段により保持したまま基板に対して所定の処理を施す装置、例えば基板の表面を撮像して検査する基板検査装置に対しても本発明を適用することができる。
この発明は、外周部に設けられた切欠部が基準方向を向くように位置決めされた、基板の表面の前記基準方向に対する回転位置ずれ量を求める位置ずれ検出方法および装置、位置ずれ検出装置を装備して基板の表面に新たなパターンを描画する描画装置や基板の表面を撮像して検査する基板検査装置全般に好適である。
1…処理ステージ
21…回転機構
51…撮像部
200…プリアライメントユニット
240…ノッチ検出部
260…撮像カメラ
400…画像処理ユニット
410…テンプレートマッチング部
420…補正角算出部
430…二値化処理部
440…ラベリング部
450…孤立抽出処理部
BI…二値画像
IP…孤立パターン
PI…ラベリング済画像
RI(n)…基準画像
WI…部分画像
VL…仮想直線
Wa…ノッチ
g,g1,g2,gm,gn…重心
gn,gmn…近接重心
Lmd…モード
L…重心間距離
W…基板
θ…補正角,角度

Claims (16)

  1. 外周部に設けられた切欠部が基準方向を向くように位置決めされた、基板の表面の前記基準方向に対する回転位置ずれ量を求める位置ずれ検出方法であって、
    前記基板の表面の部分画像を取得する第1工程と、
    前記部分画像に含まれる複数のパターンを取得する第2工程と、
    前記複数のパターンからパターン対を複数個選定し、前記複数のパターン対のうちパターン間の距離が互いに等しい複数の等ピッチ対を求める第3工程と、
    前記等ピッチ対毎に、当該等ピッチ対を構成する2つのパターンの位置情報に基づいて前記基準方向に対する前記2つのパターンの回転角を求める第4工程と、
    前記第4工程で求められた複数の回転角から前記回転位置ずれ量を求める第5工程と
    を備えることを特徴とする位置ずれ検出方法。
  2. 請求項1に記載の位置ずれ検出方法であって、
    前記第2工程は、
    前記部分画像の一部をテンプレート像として取得する工程と、
    前記部分画像のうち前記テンプレート像とマッチングするマッチング像を前記パターンとして取得する工程と
    を有する位置ずれ検出方法。
  3. 請求項2に記載の位置ずれ検出方法であって、
    前記第2工程は、前記テンプレート像を前記部分画像の範囲内で順次ずらしてマッチングして前記マッチング像を取得する位置ずれ検出方法。
  4. 請求項3に記載の位置ずれ検出方法であって、
    前記第2工程は、
    前記テンプレート像として前記部分画像のうち第1画像を取得するとともに前記第1画像を用いたマッチングによって取得された前記マッチング像の数が、前記回転角を求めるのに必要となる最小個数未満であるとき、
    前記部分画像のうち前記第1画像と異なる第2画像を前記テンプレート像として取得し、前記第2画像を用いたマッチングによってマッチング像を取得する位置ずれ検出方法。
  5. 請求項2ないし4のいずれか一項に記載の位置ずれ検出方法であって、
    前記第2工程は、
    前記部分画像を二値化して二値画像を取得する工程と、
    前記二値画像に対してラベリング処理を施してラベリング済画像を取得する工程と
    を有し、
    前記ラベリング済画像のうち孤立した像が存在する領域の画像を前記テンプレート像として取得する位置ずれ検出方法。
  6. 請求項5に記載の位置ずれ検出方法であって、
    前記領域には複数の孤立した像が含まれる位置ずれ検出方法。
  7. 請求項1に記載の位置ずれ検出方法であって、
    前記第2工程は、
    前記部分画像を二値化して二値画像を取得する工程と、
    前記二値画像に対してラベリング処理を施してラベリング済画像を取得する工程と、
    前記ラベリング済画像のうち孤立した像を前記パターンとして抽出する工程と
    を有する位置ずれ検出方法。
  8. 請求項1に記載の位置ずれ検出方法であって、
    前記第2工程は、
    前記部分画像の一部をテンプレート像として取得した後で前記部分画像のうち前記テンプレート像とマッチングするマッチング像を前記パターンとして取得するテンプレートマッチング工程と、
    前記部分画像を二値化して得られる二値画像に対してラベリング処理を施してラベリング済画像を取得した後で前記ラベリング済画像のうち孤立した像を前記パターンとして抽出するパターン抽出工程と
    を有し、前記テンプレートマッチング工程およびパターン抽出工程のうち少なくとも一方を実行する位置ずれ検出方法。
  9. 請求項8に記載の位置ずれ検出方法であって、
    前記第2工程は、前記テンプレートマッチング工程を実行して得られる前記パターンの数が前記回転角を求めるのに必要となる最小個数未満であるとき、前記パターン抽出工程を実行する位置ずれ検出方法。
  10. 請求項1ないし9のいずれか一項に記載の位置ずれ検出方法であって、
    前記各パターンの重心を前記位置情報として算出する工程を有する位置ずれ検出方法。
  11. 請求項1ないし10のいずれか一項に記載の位置ずれ検出方法であって、
    前記第3工程は、
    前記パターン毎に、当該パターンから最も近接する他のパターンを選定するとともに当該他のパターンとで構成される近接パターン対におけるパターン間の距離を求める工程と、
    前記各近接パターン対におけるパターン間の距離から第1ヒストグラムを作成し、前記第1ヒストグラムから最頻値を求める工程と、
    前記複数の近接パターン対のうちパターン間の距離が前記最頻値と一致する近接パターン対を前記等ピッチ対として選定する工程と
    を有する位置ずれ検出方法。
  12. 請求項1ないし11のいずれか一項に記載の位置ずれ検出方法であって、
    前記第4工程は、前記等ピッチ対毎に、当該等ピッチ対を構成する2つのパターンを結ぶ仮想直線の前記基準方向に対する傾きにより前記回転角を求める工程を有する位置ずれ検出方法。
  13. 請求項12に記載の位置ずれ検出方法であって、
    前記第4工程は、前記各等ピッチ対における回転角から第2ヒストグラムを作成し、前記第2ヒストグラムから最頻値を前記回転角として求める工程である位置ずれ検出方法。
  14. 外周部に設けられた切欠部が基準方向を向くように位置決めされた、基板の表面の前記基準方向に対する回転位置ずれ量を求める位置ずれ検出装置であって、
    前記基板の表面を部分的に撮像する撮像手段と、
    撮像手段によって撮像された前記基板の表面の部分画像に基づいて前記回転位置ずれ量を求める検出手段とを備え、
    前記検出手段は、
    前記部分画像に含まれる複数のパターンを取得するパターン取得部と、
    前記パターン取得部により取得された複数のパターンからパターン対を複数個選定するとともに前記複数のパターン対のうちパターン間の距離が互いに等しい複数の等ピッチ対を求め、前記等ピッチ対毎に当該等ピッチ対を構成する2つのパターンの位置情報に基づいて前記基準方向に対する前記2つのパターンの回転角を求め、前記複数の回転角から前記回転位置ずれ量を求める算出部と
    を有することを特徴とする位置ずれ検出装置。
  15. 外周部に設けられた切欠部が基準方向を向くように位置決めされた、基板を保持手段で受け取り、前記保持手段により保持したまま前記基板に光を照射して描画する描画装置であって、
    請求項14に記載の位置ずれ検出装置と同一の構成を有する位置ずれ検出手段と、
    前記保持手段により保持される前記基板の表面の面法線と平行に延びる回転軸を中心として前記保持手段を回転させる回転手段と、
    前記光による描画前に、前記位置ずれ検出手段で求められた前記回転位置ずれ量に基づいて前記回転手段を制御して前記保持手段に保持される前記基板の回転位置を補正する制御手段と
    を備えることを特徴とする描画装置。
  16. 外周部に設けられた切欠部が基準方向を向くように位置決めされた、基板を保持手段で受け取り、前記保持手段により保持したまま前記基板の表面を撮像して検査する基板検査装置であって、
    請求項14に記載の位置ずれ検出装置と同一の構成を有する位置ずれ検出手段と、
    前記保持手段により保持される前記基板の表面の面法線と平行に延びる回転軸を中心として前記保持手段を回転させる回転手段と、
    前記基板の表面の撮像前に、前記位置ずれ検出手段で求められた前記回転位置ずれ量に基づいて前記回転手段を制御して前記保持手段に保持される前記基板の回転位置を補正する制御手段と
    を備えることを特徴とする基板検査装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018036235A (ja) * 2016-09-02 2018-03-08 株式会社Screenホールディングス 基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法および基板処理方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6207671B1 (ja) * 2016-06-01 2017-10-04 キヤノン株式会社 パターン形成装置、基板配置方法及び物品の製造方法
JP6688273B2 (ja) 2017-11-13 2020-04-28 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、決定方法及び物品の製造方法
CN113822883B (zh) * 2021-11-22 2022-03-11 中导光电设备股份有限公司 一种基于寻找晶圆直边的晶圆对位方法和系统

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0661119A (ja) * 1992-08-07 1994-03-04 Sony Corp ウエハの回転角度補正方法
JP4037947B2 (ja) * 1998-01-29 2008-01-23 株式会社テクノホロン 対象物のアライメント方法
JP2006071395A (ja) * 2004-09-01 2006-03-16 Nikon Corp 較正方法及び位置合わせ方法
JP5346759B2 (ja) * 2009-09-30 2013-11-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板位置決め方法
JP2013138100A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置および描画方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018036235A (ja) * 2016-09-02 2018-03-08 株式会社Screenホールディングス 基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法および基板処理方法

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