TW201808467A - 周緣部處理裝置及周緣部處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之周緣部處理裝置係藉由旋轉夾頭而保持基板並使其旋轉。自噴出部對藉由旋轉夾頭而旋轉之基板噴出處理液。噴出部具有排列於一方向之複數個噴出口，且能夠自複數個噴出口分別選擇性地噴出處理液。於噴出部之複數個噴出口之排列橫跨藉由旋轉夾頭而旋轉之基板之周緣部且與周緣部對向之狀態下，自周緣部之內緣對外側處理液供給。不對較基板之周緣部之內緣更靠內側供給處理液。

Description

周緣部處理裝置及周緣部處理方法
本發明係關於一種使用處理液對基板之周緣部進行處理之周緣部處理裝置及周緣部處理方法。
於基板處理裝置中，藉由旋轉夾頭而使受到水平支持之基板旋轉。於該狀態下，藉由自噴嘴對基板之上表面之大致中央部噴出處理液而對基板之表面整體供給處理液。其後，藉由進行特定之熱處理而於基板之表面形成包含處理液之薄膜。此處，若於基板之周緣部形成薄膜，則於搬送基板之搬送裝置把持基板之周緣部時，膜會剝離而成微粒。因此，於對基板之表面整體供給處理液之後進行去除基板之周緣部之處理液之處理(例如，參照日本專利特開2001-110712號公報)。 於日本專利特開2001-110712號公報之塗佈膜去除裝置中，藉由檢測機構檢測由旋轉夾頭保持之基板之周緣部之位置。於該狀態下，藉由使旋轉夾頭旋轉360°而取得旋轉夾頭之旋轉相位及與其對應之基板之周緣部之位置。藉由自清洗液噴出噴嘴對旋轉之基板之周緣部噴出清洗液而將基板之周緣部之抗蝕液去除。於清洗液之噴出時，以補償伴隨旋轉夾頭之旋轉引起之基板之周緣部之位置變動量的方式，藉由對準機構而調整旋轉夾頭或清洗液噴出噴嘴之位置。
於日本專利特開2001-110712號公報中，記載有可以較高之精度去除形成於基板之周緣部之無用之塗佈膜。然而，於日本專利特開2001-110712號公報之方法中，於去除後之塗佈膜之外周部產生凸起。因此，無法準確地控制基板之周緣部之塗佈膜之形狀，從而較難以較高之精度處理基板之周緣部。 本發明之目的在於提供一種能夠以較高之精度進行基板之周緣部之處理的周緣部處理裝置及周緣部處理方法。 (1)本發明之一態樣之周緣部處理裝置係對至少一部分具有圓形之外周部之基板之一面上之沿著外周部之環狀的周緣部進行處理者，且具備：旋轉保持部，其保持基板並使其旋轉；噴出部，其構成為具有排列於一方向之複數個噴出口，且能夠自複數個噴出口分別選擇性地噴出處理液；及噴出控制部，其以於噴出部之複數個噴出口之排列橫跨藉由旋轉保持部而旋轉之基板之周緣部且與周緣部對向之狀態下，不對較周緣部之內緣更靠內側供給處理液且自周緣部之內緣對外側供給處理液之方式，控制自噴出部之複數個噴出口之處理液之噴出。 於該周緣部處理裝置中，藉由旋轉保持部而保持基板並使其旋轉。自噴出部對藉由旋轉保持部而旋轉之基板噴出處理液。此處，噴出部具有排列於一方向之複數個噴出口，且能夠自複數個噴出口分別選擇性地噴出處理液。於噴出部之複數個噴出口之排列橫跨藉由旋轉保持部而旋轉之基板之周緣部且與周緣部對向之狀態下，自周緣部之內緣對外側供給處理液。 根據該構成，不對較基板之周緣部之內緣更靠內側自噴出部供給處理液。又，於自基板之周緣部之內緣對外側供給處理液時無須以較高之壓力噴出處理液。因此，可減少來自基板之一面之處理液之飛濺，從而防止處理液朝較基板之周緣部之內緣更靠內側飛濺。藉此，可以較高之精度進行基板之周緣部之處理。 (2)周緣部處理裝置進而具備：位置變化檢測部，其檢測藉由旋轉保持部而旋轉之基板之外周部之位置的變化；及噴出口決定部，其根據藉由位置變化檢測部檢測出之基板之外周部之位置的變化，決定保持於旋轉保持部之基板之旋轉角度與複數個噴出口中應噴出處理液之1個以上之噴出口的關係；且噴出控制部亦可根據藉由旋轉保持部而旋轉之基板之旋轉角度及藉由噴出口決定部而決定之關係，使處理液自噴出部之複數個噴出口中之1個以上之噴出口噴出。根據該構成，即便於基板之中心相對於旋轉保持部之旋轉中心而偏心之情形時，亦可以較高之精度進行基板之周緣部之處理。 (3)位置變化檢測部包含位置關係檢測部，該位置關係檢測部係針對基板之每一旋轉角度檢測藉由旋轉保持部而旋轉之基板之外周部之位置與噴出部之複數個噴出口之位置的關係，噴出口決定部亦可根據藉由位置關係檢測部檢測出之關係，決定保持於旋轉保持部之基板之旋轉角度與複數個噴出口中應噴出處理液之1個以上之噴出口的關係。於該情形時，特定出基板之外周部之位置與噴出部之複數個噴出口之位置的關係。藉此，即便於噴出部未被固定之情形時，亦可以更高之精度進行基板之周緣部之處理。 (4)亦可為，位置關係檢測部產生表示基板之外周部及噴出部之圖像之圖像資料，且根據所產生之圖像資料而檢測基板之外周部之位置與噴出部之複數個噴出口之位置的關係。於該情形時，可根據圖像資料而以簡單之構成特定出外周部之位置與噴出部之複數個噴出口之位置的關係。 (5)亦可為，噴出口決定部係將與基板之周緣部之內緣對向之噴出口、及與較內緣更靠外側之區域對向之噴出口決定為複數個噴出口中應噴出處理液之1個以上之第1噴出口，噴出控制部使處理液自藉由噴出口決定部而決定之1個以上之第1噴出口噴出。於該情形時，可對基板之周緣部準確且確實地供給處理液。 (6)亦可為，噴出口決定部係決定表示藉由旋轉保持部而旋轉之基板之外周部之位置之變化的週期曲線，並且根據週期曲線而決定1個以上之第1噴出口。於該情形時，可根據週期曲線而更容易地決定應噴出處理液之1個以上之噴出口。 (7)噴出口決定部係根據藉由位置變化檢測部檢測出之關係，將位於較基板之外周部更靠外側之噴出口決定為複數個噴出口中不應噴出處理液之1個以上之第2噴出口，噴出控制部亦可不使處理液自藉由噴出口決定部而決定之1個以上之第2噴出口噴出。於該情形時，可不對基板之周緣部之處理造成影響而削減處理液之消耗量。 (8)周緣部處理裝置進而具備：移動部，其使噴出部朝與藉由旋轉保持部所保持之基板之周緣部對向之位置移動；及移動控制部，其控制移動部之動作；且移動控制部亦可根據藉由位置變化檢測部檢測出之基板之外周部之位置的變化，以朝複數個噴出口之列橫跨藉由旋轉保持部而旋轉之基板之周緣部且與周緣部對向之位置移動的方式控制移動部。 於該情形時，於周緣部處理時，可將噴出部適當地配置於與基板之周緣部對向之位置。又，於進行周緣部處理以外之處理時無須將噴出部配置於與基板之周緣部對向之位置。藉此，可順利地進行其他處理。 (9)亦可為，複數個噴出口係噴出用以去除塗佈於基板之周緣部之液體之去除液作為處理液。於該情形時，周緣部處理裝置可進行將塗佈於基板之周緣部之液體去除之去除處理。 (10)亦可為，複數個噴出口係噴出用以於基板之周緣部形成塗佈膜之塗佈液作為處理液。於該情形時，周緣部處理裝置可進行於基板之周緣部形成塗佈膜之塗佈處理。 (11)亦可為，噴出部包含噴墨方式之頭。於該情形時，可容易地自噴出部之複數個噴出口分別選擇性地噴出處理液。 (12)本發明之另一態樣之周緣部處理方法係對至少一部分具有圓形之外周部之基板之一面上之沿著外周部之環狀的周緣部進行處理者，且包含以下步驟：藉由旋轉保持部而保持基板並使其旋轉；及自噴出部噴出處理液；且噴出部具有排列於一方向之複數個噴出口，且能夠自複數個噴出口分別選擇性地噴出處理液，噴出處理液之步驟包含：於噴出部之複數個噴出口之排列橫跨藉由旋轉保持部而旋轉之基板之周緣部且與周緣部對向之狀態下，不對較周緣部之內緣更靠內側供給處理液且自周緣部之內緣對外側供給處理液。 根據該周緣部處理方法，藉由旋轉保持部而保持基板並使其旋轉。自噴出部對藉由旋轉保持部而旋轉之基板噴出處理液。此處，噴出部具有排列於一方向之複數個噴出口，且能夠自複數個噴出口分別選擇性地噴出處理液。於噴出部之複數個噴出口之排列橫跨藉由旋轉保持部而旋轉之基板之周緣部且與周緣部對向之狀態下，自周緣部之內緣對外側供給處理液。 根據該方法，不對較基板之周緣部之內緣更靠內側自噴出部供給處理液。又，對較基板之周緣部之內緣更靠外側供給處理液時無須以較高之壓力噴出處理液。因此，可減少處理液自基板之一面飛濺，從而防止處理液飛濺至較基板之周緣部之內緣更靠內側。藉此，可以較高之精度進行基板之周緣部之處理。
以下，使用圖式對本發明之一實施形態之周緣部處理裝置及周緣部處理方法進行說明。於本實施形態中，對作為周緣部處理裝置之例之對基板進行塗佈處理之塗佈處理單元進行說明。再者，於以下之說明中，所謂基板係指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板或光罩用基板等。又，本實施形態中使用之基板具有至少一部分為圓形之外周部。例如，除定位用凹槽以外之外周部具有圓形。 (1)塗佈處理單元之構成 圖1係表示本發明之一實施形態之塗佈處理單元之構成之模式俯視圖。如圖1所示，塗佈處理單元(旋轉塗佈機)10具備待機部20、複數個旋轉夾頭25、複數個護罩27、複數個塗佈液噴嘴28、噴嘴搬送裝置29、複數個噴嘴單元200及複數個位置檢測單元300。 於本實施形態中，旋轉夾頭25、護罩27、噴嘴單元200及位置檢測單元300於各塗佈處理單元10中分別各設置2個。關於位置檢測單元300之詳情將於以下敍述。 各旋轉夾頭25於保持有基板W之狀態下，藉由未圖示之電動馬達等驅動裝置予以旋轉驅動。護罩27以包圍旋轉夾頭25之周圍之方式設置。於待機時，各塗佈液噴嘴28被插入待機部20。對各塗佈液噴嘴28，自未圖示之塗佈液貯存部通過塗佈液配管而供給各種塗佈液。 複數個塗佈液噴嘴28中之任一個塗佈液噴嘴28藉由噴嘴搬送裝置29而朝基板W之上方移動。藉由一面使旋轉夾頭25旋轉一面自塗佈液噴嘴28噴出塗佈液(本例中為抗蝕液等感光性液體)而將塗佈液塗佈於旋轉之基板W上。藉此，於基板W上形成塗佈液之膜(以下稱為塗佈膜)。 噴嘴單元200朝旋轉之基板W之周緣部噴出去除液(本例中為清洗液)。此處，所謂基板W之周緣部係指基板W之圓形之外周部與自該外周部起相隔一定距離內側之圓之間的環狀區域。藉此，形成於基板W之周緣部之塗佈膜溶解。其結果，基板W之周緣部之塗佈膜被去除。 (2)噴嘴單元之構成 圖2係表示設置於圖1之塗佈處理單元10之一噴嘴單元200之構成的模式立體圖。設置於塗佈處理單元10之另一噴嘴單元200之構成與圖2之噴嘴單元200之構成相同。如圖2所示，噴嘴單元200包含頭部210、調溫部220、貯存部230及噴嘴搬送裝置240(下述之圖8)。 頭部210係由噴墨方式之頭而構成，且包含支持部211及噴出部212。噴出部212具有於一方向延伸之大致長方體形狀，包含矩形狀之一對端面212A、212B、矩形狀之一對側面212C、212D、矩形狀之上表面212E及矩形狀之底面212F。 一對端面212A、212B分別位於噴出部212之長度方向之兩端部。一對側面212C、212D分別位於噴出部212之寬度方向之兩端部。支持部211形成於噴出部212之上表面212E，且安裝於噴嘴搬送裝置240(下述之圖8)。噴出部212自底面212F噴出清洗液。 調溫部220以與噴出部212之側面212C接觸之方式安裝。調溫部220之內部供經溫度調整後之純水等調溫介質循環。藉此，自噴出部212噴出之清洗液之溫度得以調整。於貯存部230貯存有清洗液。貯存於貯存部230內之清洗液被供給至頭部210之噴出部212。 圖3係表示圖2之噴出部212之模式仰視圖。如圖3所示，於噴出部212之大致矩形狀之底面212F，形成有噴出清洗液之複數個噴出口213。於圖3之例中，複數個噴出口213中之大致半數之噴出口213a及其餘之大致半數之噴出口213b配置成沿著噴出部212之長度方向排列成2行。 相鄰之2個噴出口213a之中心間之距離(間距)及相鄰之2個噴出口213b之中心間之距離(間距)分別為L1。於長度方向上，相鄰之噴出口213a與噴出口213b之中心間之距離(間距)為L1/2。即，於長度方向上，各噴出口213b位於相鄰之噴出口213a間之中心，各噴出口213a位於相鄰之噴出口213b間之中心。於寬度方向上，噴出口213a與噴出口213b之中心間之距離(間距)為L2。 於本例中，距離L1例如為0.1693 mm。距離L2例如為0.508 mm。距離L1、L2並不限定於該等值，亦可為其他值。又，各噴出口213a之尺寸(面積)與各噴出口213b之尺寸(面積)可相等，亦可不等。 於以下之說明中，將複數個噴出口213中最靠近端面212A之噴出口213(本例中為噴出口213a)尤其稱為端部噴出口213A。將複數個噴出口213中最靠近端面212B之噴出口213(本例中為噴出口213b)尤其稱為端部噴出口213B。 噴出部212具有將去除液分別引導至複數個噴出口213之複數個流路。於複數個流路中分別設置有壓電元件等加壓元件。藉由分別獨立地控制設置於複數個流路中之加壓元件，而分別獨立地控制自複數個噴出口213之去除液之噴出。 (3)噴嘴單元之動作 圖4(a)～(c)係用以說明噴嘴單元200之動作之一例之圖。於圖4中，省略圖2之調溫部220之圖示。於下述之圖5中亦相同。如圖4(a)所示，於基板W之表面，藉由圖1之塗佈液噴嘴28而形成有塗佈膜F。應去除塗佈膜F之基板W之周緣部之寬度E(以下，稱為切邊寬度E)被預先設定。 於周緣部之塗佈膜F之去除時，頭部210藉由噴嘴搬送裝置240(下述之圖8)而自特定之待機位置移動至基板W周緣部之上方之噴出位置。於噴出位置上，以使噴出部212於基板W之半徑方向延伸且基板W之周緣部與噴出部212之底面212F對向之方式將頭部210定位。藉此，噴出部212之端面212A位於較基板W之周緣部更靠外側，且噴出部212之端面212B位於較基板W之周緣部更靠內側。 如上所述，噴出部212構成為能夠自圖3之複數個噴出口213個別地噴出清洗液。又，如下所述，特定出噴出位置上之噴出部212與基板W之位置關係。因此，以將基板W之周緣部之塗佈膜F去除相當於切邊寬度E之量之方式，決定複數個噴出口213中之噴出清洗液之噴出口213與不噴出清洗液之噴出口213。 於圖4(b)之例中，於噴出部212之長度方向上，從自端部噴出口213A(圖3)朝噴出部212之端面212B寬度w1之區域中所包含之複數個噴出口213(圖3)噴出清洗液R。另一方面，於噴出部212之長度方向上，從自端部噴出口213B(圖3)朝噴出部212之端面212A寬度w2之區域中所包含之複數個噴出口213未噴出清洗液R。 藉此，如圖4(c)所示，去除基板W周緣部之切邊寬度E之區域內之塗佈膜F之部分。根據該構成，可防止去除後之塗佈膜F之外周部產生凸起(參照圖4(c)之二點鏈線)。藉此，可以較高之精度進行基板W之周緣部之塗佈膜F之去除。 圖5(a)～(c)係用以說明噴嘴單元200之動作之其他例之圖。基板W係以其中心與旋轉夾頭25之旋轉中心大致一致之方式載置。然而，因將基板W搬送至旋轉夾頭25之搬送裝置中之各種構件之機械精度之限制，基板W之中心與旋轉夾頭25之旋轉中心會產生100 μm左右之偏移。 若於該狀態下旋轉夾頭25旋轉，則如圖5(a)中粗箭頭所示，基板W之外周部之位置產生變化。於圖5(a)中，將位移至最內側之基板W以實線圖示，將位移至最外側之基板W以二點鏈線圖示。位移之振幅為ΔA。再者，此處使用之振幅係指全振幅(雙振幅)即峰間值。於此種情形時，亦以根據基板W之位移而將周緣部之塗佈膜F去除相當於切邊寬度E之量之方式，與基板W之旋轉角度對應地依序決定複數個噴出口213中之噴出清洗液之噴出口213與未噴出清洗液之噴出口213。 於圖5(b)之例中，基板W位移至最外側。此時，於噴出部212之長度方向上，從自端部噴出口213A(圖3)朝噴出部212之端面212B寬度w3之區域中所包含之複數個噴出口213(圖3)噴出清洗液R。另一方面，於噴出部212之長度方向上，從自端部噴出口213B(圖3)朝噴出部212之端面212A寬度w4之區域中所包含之複數個噴出口213未噴出清洗液R。 於圖5(c)之例中，基板W位移至最內側。此時，於噴出部212之長度方上，從自端部噴出口213A朝噴出部212之端面212B寬度w5之區域中所包含之複數個噴出口213噴出清洗液R。另一方面，於噴出部212之長度方向上，從自端部噴出口213B朝噴出部212之端面212A寬度w6之區域中所包含之複數個噴出口213未噴出清洗液R。寬度w5大於寬度w3，寬度w6小於寬度w4。 藉此，與圖4(c)之例同樣地，去除基板W周緣部之切邊寬度E之區域內之塗佈膜F之部分。根據該構成，即便於因基板W之中心與旋轉夾頭25之旋轉中心偏移而導致基板W關於旋轉夾頭25偏心旋轉之情形時，亦能以較高之精度進行基板W之周緣部之塗佈膜F之去除，可使切邊寬度E為所需之固定值。於以下之說明中，將如寬度w1、w3、w5之區域般，噴出部212之底面212F之噴出清洗液R之區域稱為噴出區域。 (4)位置檢測單元之構成 圖6係設置於圖1之塗佈處理單元10之一個位置檢測單元300之模式側視圖。圖7係圖6之位置檢測單元300之模式俯視圖。設置於塗佈處理單元10之另一個位置檢測單元300之構成與圖6及圖7之位置檢測單元300之構成相同。 於本實施形態中，如圖6及圖7所示，位置檢測單元300藉由單一之攝像裝置310構成。攝像裝置310具備照明部311、反射鏡312及CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)線感測器313。 照明部311配置於基板W之周緣部之上方。反射鏡312以隔著噴嘴單元200而與照明部311對向之方式配置於基板W之上方。於反射鏡312之上方配置有CCD線感測器313。CCD線感測器313以使像素排列成一行之方式而配置。 自照明部311產生帶狀之光(以下，稱為照明光)。照明光照射至基板W之周緣部。又，照明光之一部分照射至噴嘴單元200之下端。所照射之照明光於基板W上反射，進而於反射鏡312上反射，入射至CCD線感測器313。 藉此，對基板W之周緣部及其附近之區域(以下，簡記為周緣部區域)進行拍攝，並且對噴嘴單元200下端之噴出部212(圖2)之下端進行拍攝。將表示基板W之周緣部區域及噴出部212之圖像之圖像資料供於下述圖8之區域控制器400。 (5)區域控制器之構成 圖8係表示用以控制圖1之塗佈處理單元10之區域控制器400之構成的方塊圖。如圖8所示，區域控制器400包含記憶部410及主控制部420。記憶部410例如藉由非揮發性記憶體或硬碟構成。於記憶部410中，記憶有用以控制塗佈處理單元10之動作之程式，並且記憶有各種資料。又，於記憶部410中，記憶有表示預先設定之切邊寬度E之資訊。 主控制部420藉由中央運算處理裝置(CPU)而構成，其包含搬送控制部421、旋轉控制部422、攝像控制部423、基板位置算出部424、噴嘴位置算出部425、噴出口決定部426及噴出控制部427。主控制部420藉由執行記憶於記憶部410中之程式而實現搬送控制部421、旋轉控制部422、攝像控制部423、基板位置算出部424、噴嘴位置算出部425、噴出口決定部426及噴出控制部427之功能。 搬送控制部421以使噴嘴單元200之頭部210(圖2)在待機位置與噴出位置之間移動之方式控制噴嘴搬送裝置240。旋轉控制部422以保持基板W並使其旋轉或停止之方式控制旋轉夾頭25，並且控制旋轉夾頭25之旋轉速度。又，於旋轉夾頭25上設置有編碼器。旋轉控制部422自旋轉夾頭25之編碼器取得輸出信號，並檢測旋轉夾頭25之旋轉角度(基板W之旋轉角度)。例如，將基板W之凹槽朝向預先設定之方向之狀態定義為基準角度(0度)。旋轉角度係基板W自基準角度起之旋轉角度。 攝像控制部423以藉由對基板W之周緣部區域及噴出部212進行拍攝而產生圖像資料之方式控制位置檢測單元300。又，攝像控制部423自位置檢測單元300取得表示基板W之周緣部區域及噴出部212之圖像之圖像資料。 基板位置算出部424根據由旋轉控制部422檢測出之基板W之旋轉角度、及由攝像控制部423取得之圖像資料，針對每一旋轉角度算出基板W之半徑方向上之基板W之外周部的位置。噴嘴位置算出部425根據由攝像控制部423取得之圖像資料而算出噴出部212相對於基板W之位置。 噴出部212中之各噴出口213(圖3)之位置為已知。因此，噴出口決定部426根據由基板位置算出部424算出之基板W之外周部之位置、與由噴嘴位置算出部425算出之噴出部212之位置，針對基板W之每一旋轉角度決定噴出清洗液之噴出口213。噴出控制部427根據由旋轉控制部422檢測之基板W之旋轉角度，以從由噴出口決定部426所決定之噴出口213噴出清洗液，且不從其他噴出口213噴出清洗液之方式控制噴出部212。 (6)區域控制器之動作 圖9(a)～(c)係用以說明圖8之區域控制器400之動作之圖。於圖9(a)～(c)中，將位移至最外側之基板W之外周部以二點鏈線圖示，將位移至最內側之基板W之外周部以實線圖示。如圖9(a)所示，一面使基板W旋轉一面藉由位置檢測單元300對基板W之周緣部區域進行拍攝。藉此，產生表示基板W之周緣部區域之圖像之圖像資料。 由位置檢測單元300產生之圖像資料藉由攝像控制部423(圖8)而取得。藉此，基板W之每一旋轉角度之基板W之外周部之位置藉由基板位置算出部424而算出。位移至最外側之基板W之外周部之位置與位移至最內側之基板W之外周部之位置之差(基板W之位移之振幅)為ΔA。振幅ΔA相當於基板W之中心相對於基板W之旋轉中心(旋轉夾頭25之旋轉中心)之偏心量。噴出部212之噴出區域之長度為切邊寬度E與上述振幅ΔA之合計以上。 然後，圖8之噴嘴搬送裝置240受到搬送控制部421之控制，藉此如圖9(b)所示，噴出部212自待機位置移動至噴出位置。於該情形時，搬送控制部421以如下方式控制噴嘴搬送裝置240，即，使噴出部212之複數個噴出口213之排列與基板W之半徑方向大致一致，且使噴出部212之端部噴出口213A(圖3)處於較位於最外側之基板W之外周部之位置更靠外側。藉此，即便基板W之外周部之位置伴隨基板W之旋轉而變化，噴出部212之噴出區域亦與基板W之周緣部對向。 於該狀態下，由位置檢測單元300拍攝旋轉之基板W之周緣部區域及噴出部212。藉此，產生表示基板W之周緣部區域及噴出部212之圖像之圖像資料。 由位置檢測單元300產生之圖像資料藉由攝像控制部423而取得。藉此，針對基板W之每一旋轉角度由噴嘴位置算出部425(圖8)算出相對於基板W之外周部之位置的噴出部212之位置。此處，噴出部212中之各噴出口213(圖3)之位置為已知，故針對基板W之每一旋轉角度特定出相對於基板W之外周部之位置的各噴出口213之位置。其後，根據相對於基板W之外周部之位置的各噴出口213之位置，針對基板W之每一旋轉角度而藉由噴出口決定部426(圖8)決定應噴出清洗液之噴出口213(噴出區域)。 具體而言，如圖9(c)所示，決定基板W位移至最外側時之噴出部212之噴出區域。該噴出區域相當於圖5(b)之寬度w3之區域。又，決定基板W位移至最內側時之噴出部212之噴出區域。該噴出區域相當於圖5(c)之寬度w5之區域。該等噴出區域相當於與基板W之周緣部之內緣對向之噴出口213、及與較該內緣更靠外側之區域對向之噴出口213。 圖10(a)～(c)係用以說明決定噴出部212之噴出區域之方法之圖。於圖10(a)～(c)中，橫軸表示基板W之旋轉角度，縱軸表示噴出部212之噴出區域之寬度。於圖10(a)之例中，如上所述，決定噴出區域之寬度w3、w5。其後，藉由噴出口決定部426以正弦曲線或餘弦曲線對基板W之外周部之位置位移至最外側與最內側之間時之基板W之旋轉角度與噴出區域之寬度的關係進行插補。 於圖10(a)中，將表示插補後之噴出區域之寬度之曲線以二點鏈線表示。曲線之振幅為寬度w3與寬度w5之差，其與基板W之外周部之位移之振幅ΔA相等。於圖10(a)之例中，根據2個噴出區域之寬度w3、w5而對基板W之外周部位移至其他位置時之基板W之旋轉角度與噴出區域之寬度的關係進行插補，但本發明並不限定於此。 於圖10(b)之例中，以與寬度w3、w5之決定方法相同之方法，預先決定基板W之外周部位移至最外側與最內側之中間位置時之基板W之旋轉角度與噴出區域之寬度的關係。其後，對基板W之外周部位移至其他位置時之基板W之旋轉角度與噴出區域之寬度的關係進行插補。於圖10(c)之例中，以與寬度w3、w5之決定方法相同之方法，決定基板之多種旋轉角度下之基板W之旋轉角度與噴出區域之寬度的關係。 圖11係用以說明噴出部212之控制之圖。於圖11之上部，橫軸表示基板W之旋轉角度，縱軸表示基板W之外周部之位置。基板W之外周部之位置係以旋轉夾頭25(圖1)之旋轉中心為原點(0)而表示。於圖11之下部，橫軸表示基板W之旋轉角度，縱軸表示噴出部212之噴出區域之寬度。噴出部212之噴出區域之寬度係以噴出部212之長度方向上之端部噴出口213A之位置為原點(0)而表示。 以下，將圖11之上部之表示基板W之外周部之位置之變化的曲線稱為位置變化曲線，將圖11之下部之表示噴出部212之噴出區域之寬度的曲線稱為寬度變化曲線。如圖11所示，藉由噴出控制部427(圖8)以自噴出區域之噴出口213(圖3)噴出清洗液之方式控制噴出部212，以使寬度變化曲線與位置變化曲線之相位差成為π。於該情形時，噴出控制部427係以噴出部212之噴出區域之寬度之變化與基板W之旋轉速度同步之方式控制噴出部212。藉此，即便於基板W之中心自基板W之旋轉中心偏心之情形時，要被去除塗佈膜F之部分之寬度亦成為固定。 (7)周緣部處理 圖12係表示用以處理基板W之周緣部之周緣部處理之流程圖。以下，一面參照圖8一面說明由區域控制器400之主控制部420實施之周緣部處理。周緣部處理係於在基板W上形成塗佈膜之後，基板W藉由旋轉夾頭25而繼續旋轉之狀態下執行。 首先，主控制部420係藉由位置檢測單元300對旋轉之基板W之周緣部區域進行拍攝(步驟S1)。然後，主控制部420取得所產生之圖像資料(步驟S2)。繼而，主控制部420根據所取得之圖像資料，針對每一旋轉角度算出基板W之外周部之位置(步驟S3)。 然後，主控制部420藉由噴嘴搬送裝置240使頭部210(圖2)自待機位置移動至噴出位置(步驟S4)。於該狀態下，主控制部420藉由位置檢測單元300對旋轉之基板W之周緣部區域與頭部210之噴出部212一併進行拍攝(步驟S5)。繼而，主控制部420取得所產生之圖像資料(步驟S6)。其後，主控制部420根據所取得之圖像資料，算出噴出部212相對於基板W之外周部之位置(步驟S7)。 然後，主控制部420特定出噴出部212之各噴出口213相對於基板W(圖3)之位置(步驟S8)。繼而，主控制部420根據基板W之外周部之位置、噴出部212之各噴出口213相對於基板W之位置及預先設定之切邊寬度E，針對基板W之每一旋轉角度決定噴出部212之噴出區域之寬度(步驟S9)。 其後，主控制部420一面使基板W之每一旋轉角度之噴出區域之寬度產生變化一面自與噴出部212之噴出區域相當之1個以上之噴出口213噴出清洗液(步驟S10)。一面使噴出部212噴出清洗液一面使基板W旋轉1周以上之預先設定之旋轉數之後，主控制部420藉由噴嘴搬送裝置240而使頭部210自噴出位置移動至待機位置(步驟S11)，結束處理。 (8)基板處理裝置之構成 圖13係具備圖1之塗佈處理單元10之基板處理裝置之模式俯視圖。圖13及以後之特定之圖中，為了明確位置關係，標註有表示彼此正交之X方向、Y方向及Z方向之箭頭。X方向及Y方向於水平面內彼此正交，Z方向相當於鉛垂方向。 如圖13所示，基板處理裝置100具備裝載區塊11、塗佈區塊12、顯影區塊13、洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B。藉由洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B而構成傳遞區塊14。以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式配置曝光裝置15。 裝載區塊11包含複數個載體載置部111及搬送部112。於各載體載置部111，載置有以多段收納複數個基板W之載體113。於搬送部112，設置有主控制器114及搬送裝置(搬送機器人)115。主控制器114控制基板處理裝置100之各種構成要素。搬送裝置115一面保持基板W一面搬送該基板W。 塗佈區塊12包含塗佈處理部121、搬送部122及熱處理部123。塗佈處理部121及熱處理部123隔著搬送部122而對向。於搬送部122與裝載區塊11之間，設置有載置基板W之基板載置部PASS1～PASS4(參照圖16)。於搬送部122，設置有搬送基板W之搬送裝置127、128(參照圖16)。 顯影區塊13包含顯影處理部131、搬送部132及熱處理部133。顯影處理部131及熱處理部133隔著搬送部132而對向。於搬送部132與搬送部122之間，設置有載置基板W之基板載置部PASS5～PASS8(參照圖16)。於搬送部132，設置有搬送基板W之搬送裝置137、138(參照圖16)。 洗淨乾燥處理區塊14A包含洗淨乾燥處理部161、162及搬送部163。洗淨乾燥處理部161、162隔著搬送部163而對向。於搬送部163設置有搬送裝置141、142。 於搬送部163與搬送部132之間，設置有載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(參照圖16)。載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2以能夠收容複數個基板W之方式構成。 又，於搬送裝置141、142之間，以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式設置有基板載置部PASS9及下述之載置兼冷卻部P-CP(參照圖16)。載置兼冷卻部P-CP具有使基板W冷卻之功能(例如冷卻板)。於載置兼冷卻部P-CP中，將基板W冷卻至適宜曝光處理之溫度。 於搬入搬出區塊14B設置有搬送裝置143。搬送裝置143進行基板W相對於曝光裝置15之搬入及搬出。於曝光裝置15，設置有用以搬入基板W之基板搬入部15a及用以搬出基板W之基板搬出部15b。 (9)塗佈處理部及顯影處理部 圖14係表示圖13之塗佈處理部121、顯影處理部131及洗淨乾燥處理部161之內部構成之模式側視圖。如圖14所示，於塗佈處理部121，階層地設置有塗佈處理室21、22、23、24。於各塗佈處理室21～24設置有圖1之塗佈處理單元10。於顯影處理部131，階層地設置有顯影處理室31、32、33、34。於各顯影處理室31～34設置有顯影處理單元139(旋轉顯影機)。 於本實施形態中，自塗佈處理室22、24之塗佈處理單元10之塗佈液噴嘴28噴出抗反射膜用之塗佈液(抗反射液)。自塗佈處理室21、23之塗佈處理單元10之塗佈液噴嘴28噴出抗蝕膜用之塗佈液(抗蝕液)。 顯影處理單元139與塗佈處理單元10同樣地具備複數個旋轉夾頭35及複數個護罩37。又，如圖13所示，顯影處理單元139具備噴出顯影液之2個狹縫噴嘴38及使該等狹縫噴嘴38移動之移動裝置39。 於顯影處理單元139中，藉由未圖示之驅動裝置而使旋轉夾頭35旋轉。藉此，基板W旋轉。於該狀態下，一面使狹縫噴嘴38移動一面對各基板W供給顯影液。藉此，進行基板W之顯影處理。 於洗淨乾燥處理部161，設置有複數個(本例中為4個)洗淨乾燥處理單元SD1。於洗淨乾燥處理單元SD1中，進行曝光處理前之基板W之洗淨及乾燥處理。 (10)熱處理部 圖15係表示圖13之熱處理部123、133及洗淨乾燥處理部162之內部構成之模式側視圖。如圖15所示，熱處理部123具有設置於上方之上段熱處理部101及設置於下方之下段熱處理部102。於上段熱處理部101及下段熱處理部102，設置有複數個熱處理單元PHP、複數個密接強化處理單元PAHP及複數個冷卻單元CP。 於熱處理部123之最上部，設置有圖8之區域控制器400。區域控制器400根據來自圖13之主控制器114之指令而控制塗佈處理部121、搬送部122及熱處理部123之動作。 於熱處理單元PHP中，進行基板W之加熱處理及冷卻處理。於密接強化處理單元PAHP中，進行用以使基板W與抗反射膜之密接性提高之密接強化處理。具體而言，於密接強化處理單元PAHP中，對基板W塗佈HMDS(六甲基二矽氮烷)等密接強化劑，並且對基板W進行加熱處理。於冷卻單元CP中，進行基板W之冷卻處理。 熱處理部133具有設置於上方之上段熱處理部103及設置於下方之下段熱處理部104。於上段熱處理部103及下段熱處理部104設置有冷卻單元CP、複數個熱處理單元PHP及邊緣曝光部EEW。 於熱處理部133之最上部設置有區域控制器500。區域控制器500根據來自圖13之主控制器114之指令而控制顯影處理部131、搬送部132及熱處理部133之動作。 於邊緣曝光部EEW中，進行基板W之周緣部之曝光處理(邊緣曝光處理)。藉由對基板W進行邊緣曝光處理而於其後之顯影處理時，將基板W之周緣部上之抗蝕膜去除。藉此，於顯影處理後，於基板W之周緣部與其他部分接觸之情形時，可防止基板W之周緣部上之抗蝕膜剝離而成為微粒。 於洗淨乾燥處理部162設置有複數個(本例中為5個)洗淨乾燥處理單元SD2。於洗淨乾燥處理單元SD2中，進行曝光處理後之基板W之洗淨及乾燥處理。 (11)搬送部 圖16係表示搬送部122、132、163之內部構成之模式側視圖。如圖16所示，搬送部122具有上段搬送室125及下段搬送室126。搬送部132具有上段搬送室135及下段搬送室136。於上段搬送室125設置有搬送裝置127，於下段搬送室126設置有搬送裝置128。又，於上段搬送室135設置有搬送裝置137，於下段搬送室136設置有搬送裝置138。 在搬送部112與上段搬送室125之間設置有基板載置部PASS1、PASS2，在搬送部112與下段搬送室126之間設置有基板載置部PASS3、PASS4。在上段搬送室125與上段搬送室135之間設置有基板載置部PASS5、PASS6，在下段搬送室126與下段搬送室136之間設置有基板載置部PASS7、PASS8。 在上段搬送室135與搬送部163之間設置有載置兼緩衝部P-BF1，在下段搬送室136與搬送部163之間設置有載置兼緩衝部P-BF2。於搬送部163，以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式設置有基板載置部PASS9及複數個載置兼冷卻部P-CP。 載置兼緩衝部P-BF1構成為能夠藉由搬送裝置137及搬送裝置141、142(圖13)進行基板W之搬入及搬出。載置兼緩衝部P-BF2構成為能夠藉由搬送裝置138及搬送裝置141、142(圖13)進行基板W之搬入及搬出。又，基板載置部PASS9及載置兼冷卻部P-CP構成為能夠藉由搬送裝置141、142(圖13)及搬送裝置143進行基板W之搬入及搬出。 搬送裝置127相對於塗佈處理室21、22(圖14)、基板載置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6(圖16)及上段熱處理部101(圖15)進行基板W之交接。搬送裝置128相對於塗佈處理室23、24(圖14)、基板載置部PASS3、PASS4、PASS7、PASS8(圖16)及下段熱處理部102(圖15)進行基板W之交接。 搬送裝置137相對於顯影處理室31、32(圖14)、基板載置部PASS5、PASS6(圖16)、載置兼緩衝部P-BF1(圖16)及上段熱處理部103(圖15)進行基板W之交接。搬送裝置138相對於顯影處理室33、34(圖14)、基板載置部PASS7、PASS8(圖16)、載置兼緩衝部P-BF2(圖16)及下段熱處理部104(圖15)進行基板W之交接。 (12)基板處理 一面參照圖13～圖16一面說明基板處理。於裝載區塊11之載體載置部111(圖13)載置收容有未處理之基板W之載體113。搬送裝置115自載體113將未處理之基板W搬送至基板載置部PASS1、PASS3(圖16)。又，搬送裝置115將載置於基板載置部PASS2、PASS4(圖16)之已處理之基板W搬送至載體113。 於塗佈區塊12中，搬送裝置127(圖16)將載置於基板載置部PASS1之未處理之基板W依序搬送至密接強化處理單元PAHP(圖15)、冷卻單元CP(圖15)及塗佈處理室22(圖14)。然後，搬送裝置127將塗佈處理室22之基板W依序搬送至熱處理單元PHP(圖15)、冷卻單元CP(圖15)、塗佈處理室21(圖14)、熱處理單元PHP(圖15)及基板載置部PASS5(圖16)。 於該情形時，於密接強化處理單元PAHP中對基板W進行密接強化處理之後，於冷卻單元CP中，將基板W冷卻至適宜抗反射膜之形成之溫度。然後，於塗佈處理室22中，藉由塗佈處理單元10(圖14)而於基板W上形成抗反射膜，且將基板W之周緣部之抗反射膜去除。繼而，於熱處理單元PHP中進行基板W之熱處理之後，於冷卻單元CP中，將基板W冷卻至適宜抗蝕膜之形成之溫度。然後，於塗佈處理室21中，藉由塗佈處理單元10(圖14)而於基板W上形成抗蝕膜，且將基板W之周緣部之抗蝕膜去除。其後，於熱處理單元PHP中進行基板W之熱處理，將該基板W載置於基板載置部PASS5。 又，搬送裝置127將載置於基板載置部PASS6(圖16)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS2(圖16)。 搬送裝置128(圖16)將載置於基板載置部PASS3之未處理之基板W依序搬送至密接強化處理單元PAHP(圖15)、冷卻單元CP(圖15)及塗佈處理室24(圖14)。然後，搬送裝置128將塗佈處理室24之基板W依序搬送至熱處理單元PHP(圖15)、冷卻單元CP(圖15)、塗佈處理室23(圖14)、熱處理單元PHP(圖15)及基板載置部PASS7(圖16)。 又，搬送裝置128(圖16)將載置於基板載置部PASS8(圖16)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS4(圖16)。塗佈處理室23、24(圖14)及下段熱處理部102(圖15)中之基板W之處理內容與上述塗佈處理室21、22(圖14)及上段熱處理部101(圖15)中之基板W之處理內容分別相同。 於顯影區塊13中，搬送裝置137(圖16)將載置於基板載置部PASS5之抗蝕膜形成後之基板W依序搬送至邊緣曝光部EEW(圖15)及載置兼緩衝部P-BF1(圖16)。於該情形時，於邊緣曝光部EEW中，對基板W進行邊緣曝光處理。將邊緣曝光處理後之基板W載置於載置兼緩衝部P-BF1。 又，搬送裝置137(圖16)自與洗淨乾燥處理區塊14A鄰接之熱處理單元PHP(圖15)將曝光處理後且熱處理後之基板W取出。搬送裝置137將該基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖15)、顯影處理室31、32(圖14)之任一者、熱處理單元PHP(圖15)及基板載置部PASS6(圖16)。 於該情形時，於冷卻單元CP中，將基板W冷卻至適宜顯影處理之溫度之後，於顯影處理室31、32之任一者，藉由顯影處理單元139進行基板W之顯影處理。其後，於熱處理單元PHP中進行基板W之熱處理，且將該基板W載置於基板載置部PASS6。 搬送裝置138(圖16)將載置於基板載置部PASS7之抗蝕膜形成後之基板W依序搬送至邊緣曝光部EEW(圖15)及載置兼緩衝部P-BF2(圖16)。 又，搬送裝置138(圖16)自與洗淨乾燥處理區塊14A鄰接之熱處理單元PHP(圖15)將曝光處理後且熱處理後之基板W取出。搬送裝置138將該基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖15)、顯影處理室33、34(圖14)之任一者、熱處理單元PHP(圖15)及基板載置部PASS8(圖16)。顯影處理室33、34及下段熱處理部104中之基板W之處理內容與上述顯影處理室31、32及上段熱處理部103中之基板W之處理內容分別相同。 於洗淨乾燥處理區塊14A中，搬送裝置141(圖13)將載置於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(圖16)之基板W依序搬送至洗淨乾燥處理單元SD1(圖14)及載置兼冷卻部P-CP(圖16)。於該情形時，於洗淨乾燥處理單元SD1中進行基板W之洗淨及乾燥處理之後，於載置兼冷卻部P-CP中將基板W冷卻至適宜藉由曝光裝置15(圖13)進行曝光處理之溫度。 搬送裝置142(圖13)將載置於基板載置部PASS9(圖16)之曝光處理後之基板W依序搬送至洗淨乾燥處理單元SD2(圖15)及上段熱處理部103或下段熱處理部104之熱處理單元PHP(圖15)。於該情形時，於洗淨乾燥處理單元SD2中進行基板W之洗淨及乾燥處理之後，於熱處理單元PHP中進行曝光後烘烤(PEB)處理。 於搬入搬出區塊14B中，搬送裝置143(圖13)將載置於載置兼冷卻部P-CP(圖16)之曝光處理前之基板W搬送至曝光裝置15之基板搬入部15a(圖13)。又，搬送裝置143(圖13)自曝光裝置15之基板搬出部15b(圖13)取出曝光處理後之基板W，且將該基板W搬送至基板載置部PASS9(圖16)。 於本實施形態中，可並行進行設置於上段之塗佈處理室21、22、顯影處理室31、32及上段熱處理部101、103中之基板W之處理、與設置於下段之塗佈處理室23、24、顯影處理室33、34及下段熱處理部102、104中之基板W之處理。藉此，可不增加佔用空間(footprint)而使產能提高。 (13)效果 於本實施形態之塗佈處理單元10中，自噴出部212對藉由旋轉夾頭25而旋轉之基板W噴出清洗液。此處，噴出部212具有排列於一方向之複數個噴出口213，且能夠自複數個噴出口213分別選擇性地噴出清洗液。於噴出部212之複數個噴出口213之排列橫跨藉由旋轉夾頭25而旋轉之基板W之周緣部且與周緣部對向之狀態下，自周緣部之內緣對外側供給清洗液。 根據該構成，不對較基板W之周緣部之內緣更靠內側自噴出部212供給清洗液。又，自基板W之周緣部之內緣對外側供給清洗液時無須以較高之壓力噴出清洗液。因此，可減少清洗液自基板W之一面飛濺，從而可防止清洗液飛濺至較基板W之周緣部之內緣更靠內側。藉此，可防止如圖4(c)之二點鏈線所示之去除後之塗佈膜F之外周部產生凸起。其結果為，能以較高之精度進行基板W之周緣部之處理。 (14)其他實施形態 (a)於上述實施形態中，如圖4(c)及圖5(b)、(c)之例般，於基板W之周緣部之塗佈膜之去除時，自與較基板W之外周部更靠外側之區域對向之噴出口213亦噴出清洗液，但本發明並不限定於此。無須自位於較基板W之外周部更靠外側之噴出口213噴出清洗液。因此，於基板W之周緣部之塗佈膜之去除時，亦可不自與較基板W之外周部更靠外側之區域對向之噴出口213噴出清洗液。於該情形時，可不對基板W之周緣部之處理造成影響而削減清洗液之消耗量。 (b)於上述實施形態中，複數個噴出口213以於長度方向上排列成2行之方式形成於噴出部212之底面212F，但本發明並不限定於此。複數個噴出口213亦可以於長度方向上排列成1行之方式形成於噴出部212之底面212F，複數個噴出口213還可以於長度方向上排列成3行以上之方式形成於噴出部212之底面212F。 (c)於上述實施形態中，於基板W之周緣部之塗佈膜之去除時，以噴出部212之複數個噴出口213之排列與基板W之半徑方向大致一致之方式配置頭部210，但本發明並不限定於此。亦可為，於基板W之周緣部之塗佈膜之去除時，以噴出部212之複數個噴出口213之排列自基板W之半徑方向傾斜之方式配置頭部210。 (d)於上述實施形態中，位置檢測單元300藉由檢測基板W之外周部之位置及噴出部212之位置之共通的攝像裝置310而構成，但本發明並不限定於此。位置檢測單元300亦可藉由分別檢測基板W之外周部之位置及噴出部212之位置的2個攝像裝置310而構成。於該情形時，不存在基板W之外周部與噴嘴單元200之位置關係之制約，從而使噴嘴單元200之配置之自由度提高。 (e)於上述實施形態中，頭部210具有藉由壓電元件分別獨立地控制自複數個噴出口213噴出去除液之壓電方式之噴出部212，但本發明並不限定於此。只要能分別獨立地控制自複數個噴出口213噴出去除液，則頭部210亦可具有熱方式等其他方式之噴出部212。 (f)於上述實施形態中，位置檢測單元300之攝像裝置310係藉由反射型光電感測器而構成，但本發明並不限定於此。攝像裝置310亦可藉由穿透式光電感測器而構成。 (g)於上述實施形態中，攝像裝置310包含反射鏡312，但本發明並不限定於此。攝像裝置310亦可不包含反射鏡312。於該情形時，CCD線感測器313以直接檢測於基板W上反射之光之方式而配置。 (h)於上述實施形態中，進行去除塗佈於基板W之周緣部之抗反射液或抗蝕液之處理作為周緣部處理，但本發明並不限定於此。亦可進行於基板W之周緣部形成塗佈液之膜之處理作為周緣部處理。 例如，有因基板W之周緣部之表面較粗而容易於基板W之周緣部附著異物之情形。於此種情形時，藉由於基板W之周緣部形成塗佈液之膜而將基板W之周緣部被覆。藉此，可防止異物附著於基板W之周緣部。 (15)技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應關係 以下，對技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應之例進行說明，但本發明並不限定於下述例。 於上述實施形態中，基板W為基板之例，塗佈處理單元10為周緣部處理裝置之例，旋轉夾頭25為旋轉保持部之例，噴出口213為噴出口之例。噴出部212為噴出部之例，噴出控制部427為噴出控制部之例，位置檢測單元300、基板位置算出部424及噴嘴位置算出部425為位置變化檢測部之例。噴出口決定部426為噴出口決定部之例，噴嘴位置算出部425為位置關係檢測部之例，噴嘴搬送裝置240為移動部之例，搬送控制部421為移動控制部之例。 作為技術方案之各構成要素，亦可使用具有技術方案中所記載之構成或功能之其他各種要素。 [產業上之可利用性] 本發明可有效地利用於使用有各種處理液之基板之周緣部處理。
10‧‧‧塗佈處理單元
11‧‧‧裝載區塊
12‧‧‧塗佈區塊
13‧‧‧顯影區塊
14‧‧‧傳遞區塊
14A‧‧‧洗淨乾燥處理區塊
14B‧‧‧搬入搬出區塊
15‧‧‧曝光裝置
15a‧‧‧基板搬入部
15b‧‧‧基板搬出部
20‧‧‧待機部
21‧‧‧塗佈處理室
22‧‧‧塗佈處理室
23‧‧‧塗佈處理室
24‧‧‧塗佈處理室
25‧‧‧旋轉夾頭
27‧‧‧護罩
28‧‧‧塗佈液噴嘴
29‧‧‧噴嘴搬送裝置
31‧‧‧顯影處理室
32‧‧‧顯影處理室
33‧‧‧顯影處理室
34‧‧‧顯影處理室
35‧‧‧旋轉夾頭
37‧‧‧護罩
38‧‧‧狹縫噴嘴
39‧‧‧移動裝置
100‧‧‧基板處理裝置
101‧‧‧上段熱處理部
102‧‧‧下段熱處理部
103‧‧‧上段熱處理部
104‧‧‧下段熱處理部
111‧‧‧載體載置部
112‧‧‧搬送部
113‧‧‧載體
114‧‧‧主控制器
115‧‧‧搬送裝置
121‧‧‧塗佈處理部
122‧‧‧搬送部
123‧‧‧熱處理部
125‧‧‧上段搬送室
126‧‧‧下段搬送室
127‧‧‧搬送裝置
128‧‧‧搬送裝置
131‧‧‧顯影處理部
132‧‧‧搬送部
133‧‧‧熱處理部
135‧‧‧上段搬送室
136‧‧‧下段搬送室
137‧‧‧搬送裝置
138‧‧‧搬送裝置
139‧‧‧顯影處理單元
141‧‧‧搬送裝置
142‧‧‧搬送裝置
143‧‧‧搬送裝置
161‧‧‧洗淨乾燥處理部
162‧‧‧洗淨乾燥處理部
163‧‧‧搬送部
200‧‧‧噴嘴單元
210‧‧‧頭部
211‧‧‧支持部
212‧‧‧噴出部
212A‧‧‧端面
212B‧‧‧端面
212C‧‧‧側面
212D‧‧‧側面
212E‧‧‧上表面
212F‧‧‧底面
213‧‧‧噴出口
213A‧‧‧端部噴出口
213a‧‧‧噴出口
213B‧‧‧端部噴出口
213b‧‧‧噴出口
220‧‧‧調溫部
230‧‧‧貯存部
240‧‧‧噴嘴搬送裝置
300‧‧‧位置檢測單元
310‧‧‧攝像裝置
311‧‧‧照明部
312‧‧‧反射鏡
313‧‧‧CCD線感測器
400‧‧‧區域控制器
410‧‧‧記憶部
420‧‧‧主控制部
421‧‧‧搬送控制部
422‧‧‧旋轉控制部
423‧‧‧攝像控制部
424‧‧‧基板位置算出部
425‧‧‧噴嘴位置算出部
426‧‧‧噴出口決定部
427‧‧‧噴出控制部
500‧‧‧區域控制器
CP‧‧‧冷卻單元
E‧‧‧寬度
EEW‧‧‧邊緣曝光部
F‧‧‧塗佈膜
L1‧‧‧距離
PAHP‧‧‧密接強化處理單元
PASS1‧‧‧基板載置部
PASS2‧‧‧基板載置部
PASS3‧‧‧基板載置部
PASS4‧‧‧基板載置部
PASS5‧‧‧基板載置部
PASS6‧‧‧基板載置部
PASS7‧‧‧基板載置部
PASS8‧‧‧基板載置部
PASS9‧‧‧載置兼緩衝部
P-BF1‧‧‧載置兼緩衝部
P-BF2‧‧‧載置兼緩衝部
P-CP‧‧‧載置兼冷卻部
PHP‧‧‧熱處理單元
R‧‧‧清洗液
SD1‧‧‧洗淨乾燥處理單元
SD2‧‧‧洗淨乾燥處理單元
W‧‧‧基板
w1‧‧‧寬度
w2‧‧‧寬度
w3‧‧‧寬度
w4‧‧‧寬度
w5‧‧‧寬度
w6‧‧‧寬度
ΔA‧‧‧振幅
圖1係表示本發明之一實施形態之塗佈處理單元之構成的模式俯視圖。 圖2係表示圖1之噴嘴單元之構成之模式立體圖。 圖3係表示圖2之噴出部之模式仰視圖。 圖4(a)～(c)係用以說明噴嘴單元之動作之一例之圖。 圖5(a)～(c)係用以說明噴嘴單元之動作之另一例之圖。 圖6係設置於圖1之塗佈處理單元之一個位置檢測單元之模式側視圖。 圖7係圖6之位置檢測單元之模式俯視圖。 圖8係表示用以控制圖1之塗佈處理單元之區域控制器之構成之方塊圖。 圖9(a)～(c)係用以說明圖8之區域控制器之動作之圖。 圖10(a)～(c)係用以說明決定噴出部之噴出區域之方法之圖。 圖11係用以說明噴出部之控制之圖。 圖12係表示用以處理基板之周緣部之周緣部處理之流程圖。 圖13係具備圖1之塗佈處理單元之基板處理裝置之模式俯視圖。 圖14係表示圖13之塗佈處理部、顯影處理部及洗淨乾燥處理部之內部構成之模式側視圖。 圖15係表示圖13之熱處理部及洗淨乾燥處理部之內部構成之模式側視圖。 圖16係表示搬送部之內部構成之模式側視圖。
25‧‧‧夾頭
200‧‧‧噴嘴單元
210‧‧‧頭部
211‧‧‧支持部
212‧‧‧噴出部
212A‧‧‧端面
212B‧‧‧端面
212C‧‧‧側面
E‧‧‧寬度
F‧‧‧塗佈膜
R‧‧‧清洗液
W‧‧‧基板
w1‧‧‧寬度
w2‧‧‧寬度

Claims (12)

  1. 一種周緣部處理裝置，其係對至少一部分具有圓形之外周部之基板之一面上之沿著上述外周部之環狀的周緣部進行處理者，且具備： 旋轉保持部，其保持基板並使其旋轉； 噴出部，其構成為具有排列於一方向之複數個噴出口，且能夠自上述複數個噴出口分別選擇性地噴出處理液；及 噴出控制部，其以於上述噴出部之上述複數個噴出口之排列橫跨藉由上述旋轉保持部而旋轉之基板之上述周緣部且與上述周緣部對向之狀態下，不對較上述周緣部之內緣更靠內側供給處理液且自上述周緣部之內緣對外側供給處理液之方式，控制自上述噴出部之上述複數個噴出口之處理液之噴出。
  2. 如請求項1之周緣部處理裝置，其進而具備： 位置變化檢測部，其檢測藉由上述旋轉保持部而旋轉之基板之外周部之位置的變化；及 噴出口決定部，其根據藉由上述位置變化檢測部檢測出之基板之外周部之位置的變化，決定保持於上述旋轉保持部之基板之旋轉角度與上述複數個噴出口中應噴出處理液之1個以上之噴出口的關係；且 上述噴出控制部根據藉由上述旋轉保持部而旋轉之基板之旋轉角度及藉由上述噴出口決定部而決定之關係，使處理液自上述噴出部之上述複數個噴出口中之1個以上之噴出口噴出。
  3. 如請求項2之周緣部處理裝置，其中上述位置變化檢測部包含位置關係檢測部，該位置關係檢測部係針對基板之每一旋轉角度檢測藉由上述旋轉保持部而旋轉之基板之外周部之位置與上述噴出部之上述複數個噴出口之位置的關係， 上述噴出口決定部根據藉由上述位置關係檢測部檢測出之關係，決定保持於上述旋轉保持部之基板之旋轉角度與上述複數個噴出口中應噴出處理液之1個以上之噴出口的關係。
  4. 如請求項3之周緣部處理裝置，其中上述位置關係檢測部產生表示基板之外周部及上述噴出部之圖像之圖像資料，且根據所產生之圖像資料而檢測基板之外周部之位置與上述噴出部之上述複數個噴出口之位置的關係。
  5. 如請求項2至4中任一項之周緣部處理裝置，其中上述噴出口決定部係將與基板之周緣部之內緣對向之噴出口及與較上述內緣更靠外側之區域對向之噴出口，決定為上述複數個噴出口中應噴出處理液之1個以上之第1噴出口， 上述噴出控制部使處理液自藉由上述噴出口決定部而決定之上述1個以上之第1噴出口噴出。
  6. 如請求項5之周緣部處理裝置，其中上述噴出口決定部係決定表示藉由上述旋轉保持部而旋轉之基板之外周部之位置之變化的週期曲線，並且根據上述週期曲線而決定上述1個以上之第1噴出口。
  7. 如請求項2至4中任一項之周緣部處理裝置，其中上述噴出口決定部係根據藉由上述位置變化檢測部檢測出之關係，將位於較基板之外周部更靠外側之噴出口決定為上述複數個噴出口中不應噴出處理液之1個以上之第2噴出口， 上述噴出控制部不使處理液自藉由上述噴出口決定部而決定之上述1個以上之第2噴出口噴出。
  8. 如請求項2至4中任一項之周緣部處理裝置，其進而具備： 移動部，其使上述噴出部朝與藉由上述旋轉保持部保持之基板之上述周緣部對向之位置移動；及 移動控制部，其控制上述移動部之動作；且 上述移動控制部根據藉由上述位置變化檢測部檢測出之基板之外周部之位置的變化，以朝上述複數個噴出口之排列橫跨藉由上述旋轉保持部而旋轉之基板之上述周緣部且與上述周緣部對向之位置移動的方式控制上述移動部。
  9. 如請求項1至4中任一項之周緣部處理裝置，其中上述複數個噴出口係噴出用以去除塗佈於基板之上述周緣部之液體之去除液作為處理液。
  10. 如請求項1至4中任一項之周緣部處理裝置，其中上述複數個噴出口係噴出用以於基板之上述周緣部形成塗佈膜之塗佈液作為處理液。
  11. 如請求項1至4中任一項之周緣部處理裝置，其中上述噴出部包含噴墨方式之頭。
  12. 一種周緣部處理方法，其係對至少一部分具有圓形之外周部之基板之一面上之沿著上述外周部之環狀的周緣部進行處理者，且包含以下步驟： 藉由旋轉保持部而保持基板並使其旋轉；及 自噴出部噴出處理液；且 上述噴出部具有排列於一方向之複數個噴出口，且能夠自上述複數個噴出口分別選擇性地噴出處理液， 上述噴出處理液之步驟包含：於上述噴出部之上述複數個噴出口之排列橫跨藉由上述旋轉保持部而旋轉之基板之上述周緣部且與上述周緣部對向之狀態下，不對較上述周緣部之內緣更靠內側供給處理液且自上述周緣部之內緣對外側供給處理液。
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