TWI425557B - 液體處理裝置及液體處理方法 - Google Patents

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Description

液體處理裝置及液體處理方法
本發明係關於液體處理裝置及液體處理方法，對例如半導體晶圓或液晶顯示器用之玻璃基板(平面顯示器基板)的所謂基板，從塗佈液噴嘴塗佈抗蝕劑液或顯影液等塗佈液。
一般而言，半導體裝置或平面顯示器基板之製造製程之一的在基板上形成抗蝕劑圖案的處理係進行以下之一連串步驟，藉此得到所希望之圖案：在基板例如半導體晶圓(以下稱晶圓)形成抗蝕劑膜，並使用光罩將該抗蝕劑膜曝光後，進行顯影處理；且該等一連串步驟自以往利用塗佈、顯影裝置而進行。
例如，塗佈抗蝕劑液作為塗佈液的塗佈單元中，以圍繞基板固持部，即旋轉夾盤之周圍方式設有杯體，且對該旋轉夾盤所固持之晶圓的大致中央供給抗蝕劑液而使旋轉夾盤旋轉，藉此進行抗蝕劑液之旋轉塗佈或甩乾，甚至側面清洗等處理。
對晶圓之抗蝕劑液供給，係藉由從噴嘴(塗佈液噴嘴)噴出供給單元所供給的抗蝕劑液而進行。另外，該噴嘴以不妨礙晶圓之送入送出動作方式，通常在遠離晶圓之送入送出路徑的位置待機，僅於噴出抗蝕劑液時輸送至旋轉夾盤所固持之晶圓中央。
該等塗佈單元依形成抗蝕劑膜之底層膜的種類或所形成的膜厚等條件而使用複數種抗蝕劑液。該等種類不同之每種抗蝕劑液具備塗佈噴嘴，且以共通之驅動臂使其於塗佈噴嘴的待機位置，與進行抗蝕劑液塗佈處理的處理位置之間移動。此結構需要以驅動臂更換塗佈噴嘴的作業而動作步驟變多，對基板之噴吐位置的調整也必須個別進行而費事。
從該等情形，塗佈單元中如下述結構之抗蝕劑塗佈裝置為已知：將複數塗佈單元並排成一列而構成，使該等塗佈單元所使用之複數塗佈噴嘴一體集中，並安裝在可於上述並排成一列之複數塗佈單元間共通移動的驅動臂(例如參照專利文獻1)。
通常，該等複數之塗佈液噴嘴的前端狀態為抑制抗蝕劑液與大氣的界面污染或抑制乾燥，以回吸抗蝕劑液後的狀態待機。又，該等複數之塗佈液噴嘴中，儘管於塗佈處理不使用，但以驅動臂移動之複數塗佈液噴嘴較佳係各別確認塗佈液噴嘴的狀態，並為使複數之噴嘴一體移動，必須降低例如液體滴入或乾燥的風險。由此情形，專利文獻1中藉由以溶劑密封塗佈液噴嘴前端而製作空氣層，也可認為係防止抗蝕劑液的乾燥。
以往依抗蝕劑液之液體種類或所含溶劑，而將乾燥程度不同之抗蝕劑液的假注液(dummy dispense)依抗蝕劑之特性分別設定；但是藉由如上述構成，而有如下之方法：藉由在塗佈液噴嘴前端以溶劑同樣地密封，由於塗佈液噴嘴之抗蝕劑本身不必直接與外部氣體之大氣接觸，而降低塗佈液噴嘴乾燥的風險，因此可進行長時間假注液。
【專利文獻1】日本特開2006-302934號公報(圖3、圖4、圖8)
然而，設於驅動臂之一體構成的複數塗佈液噴嘴中，於所使用之塗佈液噴嘴向塗佈單元移動時不使用之噴嘴的前端部變成暴露於風切。因此，長期不使用時，即使將專利文獻1所載之塗佈液噴嘴前端以溶劑密封，有時塗佈液噴嘴前端之溶劑的抗蝕劑仍會乾燥。對此，於各噴嘴前端部密封之溶劑往噴嘴內部之抽吸量的差異也會成為其原因。該所抽吸溶劑之量因某種原因若少於既定量時溶劑將揮發乾燥。
此種情形，由於密封噴嘴前端之溶劑揮發而密封效果消失，故變得必須在此之前先進行一次假注液後廢棄殘存溶劑，再進行將密封溶劑重新抽吸的動作。當因此種原因而假注液的次數增加時，由於抗蝕劑的使用量增加，並使用共通之驅動臂，因此有對生產力造成影響之虞。又，近年來的裝置為減少占有面積而為堆疊構造，且對高度方向也有更降低的傾向。因此，塗佈單元之構造也變成盡量去除空間浪費，在有對製程處理造成影響之虞的處理液噴嘴的狀態確認，或者以可馬上使用噴嘴之狀態處於長時間待機狀態的調整作業上有時需要時間。
本發明係於此種情形下所設計，其目的為：進行液體抽吸動作，以使不使用之塗佈液噴嘴內部依抗蝕劑的特性(抗蝕劑種類、黏度)依序成為既定之抗蝕劑液、密封空氣層及溶劑層，藉此提供裝置，可於抽吸溶劑層之量所設定的長時間內不必進行假注液(長時間待機狀態)，而且可將為防止液滴滴入所形成之製程不良而進行回吸的作業，分別於複數噴嘴以正確量在短時間內個別設定。
為解決上述課題，本發明之液體處理裝置從塗佈液噴嘴對基板固持部所大致水平固持之基板的表面供給塗佈液，進行向該基板的表面噴出塗佈液以形成塗佈膜的液體處理；其特徵為：包含：噴嘴輸送機構，用來輸送以可在該基板固持部所固持之基板的上方移動方式構成之該塗佈液噴嘴；噴嘴槽，用以使該塗佈液噴嘴於待機位置待機；注液控制部，於該噴嘴槽，從該塗佈液噴嘴對於塗佈液的噴吐動作，或者塗佈液及該塗佈液之抑制乾燥溶劑的抽吸動作與抑制乾燥溶劑的排出動作進行注液控制；控制部，控制該注液控制部；判斷處理部，設於該控制部，將由拍攝該塗佈液噴嘴之攝影機構所拍攝的噴嘴影像資料解析判斷；操作顯示部，用以進行該拍攝有塗佈液噴嘴之噴嘴影像資料的顯示，及設定值的輸入；與軟量尺，具有刻度值，該刻度值在該操作顯示部可重合於該攝影機構所得到之該塗佈液噴嘴影像在垂直方向的長度而固定顯示；該判斷處理部對下列二者加以比較並進行判斷處理：為使該塗佈液噴嘴內之塗佈液與抑制乾燥溶劑在該操作顯示部居於最適當的位置，而在該軟量尺之刻度值所設定的設定值；與藉由該控制部拍攝作動中之塗佈液噴嘴的狀態所得於該塗佈液噴嘴內之塗佈液及抑制乾燥溶劑的各自之抽吸位置；且該控制部依據該判斷處理控制該注液控制部，以調整該塗佈液噴嘴之前端部內的塗佈液的乾燥抑制(申請專利範圍1)。
本發明中，該噴嘴輸送機構設有複數之該塗佈液噴嘴，可對於各個塗佈液噴嘴進行該設定值的輸入、判斷處理及注液控制(申請專利範圍2)。
又，本發明中，控制部也可直接進行注液控制。軟量尺之顯示即使不與塗佈噴嘴成對顯示，若到達塗佈噴嘴之前端的長度相同，也可從噴嘴顯示部之旁邊對塗佈噴嘴顯示共通的刻度顯示線。
藉由如此構成，變得能將以往利用裝置維修者之目視所進行調整的塗佈噴嘴前端的狀態精密地調整，可經過長時間而防止處理液的乾燥。
又，申請專利範圍3之發明中，其特徵為：該設定值分成第1設定值、第2設定值與第3設定值，該第1設定值係從塗佈噴嘴之前端到該塗佈噴嘴內所抽吸之處理液的下端液面的距離，該第2設定值係從該前端到所抽吸之抑制乾燥溶劑的上端液面的距離，而該第3設定值係從該前端到所抽吸之抑制乾燥溶劑的下端液面的距離。此時，該處理液的下端液面與該抑制乾燥溶劑的上端液面之間較佳係設有空氣層(申請專利範圍4)。又，該第3設定值較佳為從該塗佈液噴嘴前端回吸抑制乾燥溶劑的距離(申請專利範圍5)。
藉由如此構成，依據畫面上所顯示的軟量尺，可想像已設定有所希望之抑制乾燥溶劑等之位置的塗佈噴嘴的完成狀態而輸入設定值。
又，申請專利範圍6之發明中，該噴嘴槽具備該塗佈液噴嘴之塗佈液之噴吐孔、及該抑制乾燥溶劑之抽吸孔，並具備切換該塗佈液之噴吐孔的位置與該抑制乾燥溶劑之抽吸孔的位置的轉動機構；其特徵為：該塗佈噴嘴抽吸抑制乾燥溶劑時，以該轉動機構令該噴嘴槽轉動，而從該塗佈液噴嘴之塗佈液之噴吐孔的位置切換成抑制乾燥溶劑之抽吸孔的位置，並從該噴嘴槽之內部所設置的抑制乾燥溶劑的儲存部進行抽吸。此時，該噴嘴槽於該抑制乾燥溶劑之抽吸孔包含儲存部，且較佳係包含一流道，於令該噴嘴槽轉動時，使該抑制乾燥溶劑流通至該塗佈液噴嘴之塗佈液的噴吐孔之下部所設置的塗佈液廢液流道(申請專利範圍7)。
藉由如此構成，可不變更塗佈噴嘴之水平方向的位置，而切換塗佈噴嘴的噴吐位置與抑制乾燥溶劑的抽吸位置。
又，本發明之液體處理方法從塗佈液噴嘴對基板固持部所大致水平固持之基板的表面供給塗佈液，進行向該基板的表面噴出塗佈液以形成塗佈膜的液體處理；其特徵為：包含：噴嘴待機步驟，使該塗佈液噴嘴移動至用以令塗佈液噴嘴待機的噴嘴槽而令其待機；注液控制步驟，從該塗佈液噴嘴對於塗佈液的噴吐動作，或者塗佈液及該塗佈液之抑制乾燥溶劑的抽吸動作與抑制乾燥溶劑的排出動作進行注液控制；判斷處理步驟，將由拍攝該塗佈液噴嘴之攝影機構所拍攝的噴嘴影像資料解析判斷；與操作顯示步驟，在具有可重合於該攝影機構所得到之該塗佈液噴嘴影像在垂直方向的長度而固定顯示之刻度值的軟量尺，顯示拍攝有該塗佈液噴嘴的噴嘴影像資料，並進行設定值的輸入；該判斷處理步驟中，對下列二者加以比較並進行判斷處理：為使該塗佈液噴嘴內之塗佈液與抑制乾燥溶劑在該操作顯示步驟居於最適當的位置，而在該軟量尺之刻度值所設定的設定值；與拍攝作動中之塗佈液噴嘴的狀態所得於該塗佈液噴嘴內之塗佈液及抑制乾燥溶劑的各自之抽吸位置；且依據該判斷處理步驟之結果控制該注液控制步驟，以調整該塗佈液噴嘴之前端部內的塗佈液之乾燥抑制(申請專利範圍8)。
藉由如此構成，變得能將以往利用裝置維修者之目視所進行調整的塗佈噴嘴前端的狀態精密地調整，可經過長時間而防止處理液的乾燥。
申請專利範圍9之發明係於申請專利範圍8之液體處理方法中，其特徵為：該操作顯示步驟之該設定值的設定分成第1設定值、第2設定值與第3設定值，該第1設定值係從塗佈液噴嘴之前端到該塗佈液噴嘴內所抽吸之塗佈液的下端液面的距離，該第2設定值係從該前端到所抽吸之抑制乾燥溶劑的上端液面的距離，而該第3設定值係從該前端到所抽吸之抑制乾燥溶劑的下端液面的距離。
藉由如此構成，依據畫面上所顯示的軟量尺，可想像已設定有所希望之抑制乾燥溶劑等之位置的塗佈噴嘴的完成狀態而輸入設定值。
申請專利範圍10之發明係於申請專利範圍8之液體處理方法中，其特徵為：該注液控制步驟於抽吸抑制乾燥溶劑時包含一步驟，令該噴嘴槽所設有的轉動機構轉動，而從該塗佈液噴嘴之塗佈液之噴吐孔的位置轉動至抑制乾燥溶劑之抽吸孔的位置後，從噴嘴槽之內部所設置的抑制乾燥溶劑的儲存部進行抽吸。
藉由如此構成，不變更塗佈噴嘴之水平方向的位置，而能切換塗佈噴嘴的噴吐位置與抑制乾燥溶劑的抽吸位置。
依本發明，由於使得不使用之塗佈液噴嘴之前端部內的塗佈液的乾燥抑制可輕易地以最適當狀態維持噴嘴狀態，故即使因切換批次而準備不同的塗佈液，也可不花時間進行假注液動作。又，由於藉由精密地調整，而下次進行假注液設定也更正確，因此變得容易管理裝置運轉狀態，甚至生產力也提高；而且由於能以顯示裝置確認所拍攝的影像，故由裝置操作者(操作員)也可確實地確認狀態。又，藉由在噴嘴槽設置用以切換塗佈液之噴吐孔與抑制乾燥溶劑之抽吸孔的轉動機構，而由於不在移動於處理基板上的噴嘴輸送機構設置驅動部，因此機構部不複雜，而來自驅動機構之發塵微粒所造成的缺陷問題也消失。
 (實施發明之最佳形態)
以下，依據附加圖式，說明本發明之最佳實施形態。在此，說明將依本發明之液體處理裝置適用於在晶圓塗佈抗蝕劑液之塗佈單元的實施形態。首先說明依實施形態之塗佈單元的概略結構。圖1(a)係塗佈單元1的概略俯視圖，圖1(b)係其縱剖面圖。又，圖2係顯示塗佈單元1內之液體處理部2，與對該液體處理部2供給塗佈液之供給單元7的關係的結構圖。
如圖1所示，依本實施形態之塗佈單元1包含：液體處理部2a、2b、2c，共3個，於偏平箱狀之框體30內沿橫方向(圖中之Y方向)配置成一列；噴嘴10，有複數支，對該等液體處理部2a、2b、2c供給抗蝕劑液或稀釋劑等塗佈液；噴嘴輸送機構10a，用以輸送該噴嘴10；噴嘴槽14，令噴嘴10待機；及邊緣球狀光阻去除(Edge Bead Remover：EBR)機構6，用以去除所塗佈於晶圓W之抗蝕劑膜的周緣部。
液體處理部2(2a、2b、2c)具備共通之結構，包含：旋轉夾盤41，作為基板固持部；及杯體5，以圍繞該旋轉夾盤41所固持晶圓W方式設置。以下，說明液體處理部2的結構。
旋轉夾盤41用以將晶圓W之背面側中央部抽吸吸附以水平固持，發揮作為基板固持部的功能。如圖2所示，旋轉夾盤41經由軸部42連接於驅動機構(旋轉夾盤馬達)43，並於固持晶圓W的狀態下以可任意旋轉及升降方式構成。在旋轉夾盤41之側方，連結於升降機構44a的升降銷44支持晶圓W之背面而以可升降方式設置，並利用與後述輸送機構(輸送臂A3)之協同作用可進行從框體30外部所送入晶圓W的傳遞。又，圖1(a)所示之符號30a係臨向輸送機構之框體30壁面所形成的晶圓W的送入送出口。
杯體5具有抑制旋轉塗佈等時因旋轉晶圓W而飛散的水氣飛散至框體30內，並將該水氣排出塗佈單元1外的功能。杯體5具有圈餅狀之外觀，其內部形成如圖2所示的構造。
說明杯體5之內部構造如下：圈餅狀之杯體本體50的內部中，如圖2所示地設有傾斜之環狀的第1環構件51及第2環構件52，且該等環構件51、52之間的間隙為含有從晶圓W飛散之水氣的氣體所流通的氣體流道51a。又，第2環構件52以位於旋轉夾盤41所固持之晶圓W的周緣部下方方式設置，其頂面彎曲成「字」狀。該第2環構件52之外端面設有端板53，該端板以進入杯體本體50之底部的液體收納部54方式往下方延伸。藉此，從晶圓W飛散之部分抗蝕劑液作為排放液順著第2環構件52及端板53的表面被導往液體收納部54。
杯體本體50之下部側為液體收納部54，其底部設有：排氣口55，有例如2個，用以排出流通於杯體5內的氣流；及排放口56，用以排出儲存於液體收納部54之抗蝕劑液的排放液。排氣口55連接於未圖示之排氣導管，又，與各液體處理部2a、2b、2c之排氣口55連接的排氣導管在框體30外連接於排氣耗電設備。
在此，排氣口55如圖2所示地構成抗溢流壁54a，該抗溢流壁往液體收納部54內之上方延伸，用以防止抗蝕劑從液體收納部54往排氣口55溢流。又，排放口56也連接於未圖示之排放管，可將抗蝕劑排出塗佈單元1外。
而且，如圖1(b)所示，在與杯體5對向之框體30的頂棚部安裝有過濾單元31，藉由從過濾單元31以既定流量供給例如潔淨空氣，於框體30內形成潔淨空氣的降流。部分潔淨空氣由設在框體30內之未圖示的排氣部所排出，剩餘之潔淨空氣被導入杯體5內，並形成如圖2之杯體5剖面圖內以箭頭所示的氣流而從排氣口55被排出。
接著，說明塗佈液噴嘴10(以下稱噴嘴10)及其輸送機構的結構。噴嘴10發揮對旋轉夾盤41所固持之晶圓W表面供給抗蝕劑液的功能。圖3係顯示噴嘴10與固持該噴嘴10之噴嘴臂11的詳細結構的立體圖。本實施形態之塗佈單元1包含11支噴嘴10，俾於可供給例如濃度或成分不同的10種抗蝕劑液，及用以使抗蝕劑液於晶圓W上容易擴展的稀釋劑(以下總稱為塗佈液)。又，圖1(a)及圖2中為便於圖示，省略噴嘴10的支數而顯示。
如圖1(a)所示，噴嘴輸送機構10a由下列部分構成：噴嘴臂11，固持噴嘴10；基座12，支撐該噴嘴臂11；軌道13，形成基座12的行進軌道；及基座移動機構(未圖示)，使基座12於軌道13上移動。
如圖3所示，噴嘴臂11由固持11支噴嘴10的噴嘴頭部11a，及支撐該噴嘴頭部11a的臂部11b所構成。噴嘴頭部11a之前端部底面形成可嵌入上述噴嘴10之基部的形狀，只要插入噴嘴10之基部即可固持各個噴嘴10。其結果，11支噴嘴10以前端部向下的狀態並排成一列，且以該等噴嘴之排列方向與圖1(a)所示噴嘴10的輸送方向一致方式配置。另一方面，噴嘴頭部11a之基端側連接著後述供給單元7的供給管71，經由噴嘴頭部11a內部可往噴嘴10供給塗佈液。
臂部11b係插設於噴嘴頭部11a與基座12之間的支持構件，俾於可在旋轉夾盤41所固持之晶圓W的大致中央部上方輸送噴嘴10。基座12發揮作為使噴嘴臂11移動之滑動件的功能。基座12包含未圖示之升降機構，臂部11b之基部安裝於該升降機構。藉此，噴嘴臂11可於圖1(b)所示之Z方向任意升降。又，軌道13於液體處理部2之側方與各液體處理部2a、2b、2c之排列方向平行而舖設。在此，塗佈單元1包含用以在不供給塗佈液時載置噴嘴10而令其待機的噴嘴槽14；軌道13具有能於該噴嘴槽14，與可對距離其最遠之液體處理部2a所固持的晶圓W供給塗佈液的位置之間令基座12移動的長度。又，噴嘴槽14形成稀釋劑環境氣體，俾於噴嘴10待機中抗蝕劑液不會乾燥。
又，令基座12移動的機構例如形成在沿軌道13配置之掛設軸掛設用以固定基座12之未圖示的輸送帶，而在該掛設軸之一連接例如馬達等驅動機構(未圖示)的構造，並藉由調整掛設軸的旋轉方向及轉速，可使基座12移動至所希望之位置。
利用以上之結構，藉由使基座12於軌道13上移動，可將並排成一列所固持的噴嘴10在連接噴嘴槽14與液體處理部2a、2b、2c之大致中央部的直線上輸送。因此，晶圓W由任一個液體處理部2a、2b、2c所固持時，均可藉由調整基座12的停止位置，以使供給所希望之塗佈液的噴嘴10移動至晶圓W的大致中央部上方，並從該位置朝晶圓W供給塗佈液。
再來，說明EBR機構6。EBR機構為防止所塗佈於晶圓W之抗蝕劑膜的周緣部剝落等，發揮對晶圓W周緣部供給用以去除抗蝕劑膜之沖洗液的功能。設於各個液體處理部2a、2b、2c之EBR機構6各具有大致共通的結構，如圖1(a)所示地包含：EBR臂61，固持用以噴出沖洗液的噴嘴；基座62，令該EBR臂61移動；軌道63，形成基座62的行進軌道；及EBR噴嘴槽64，於不供給沖洗液時載置沖洗液噴嘴而令其待機。
接著，一面參照圖2，一面說明對噴嘴10供給塗佈液之供給單元7的結構。供給單元7所具備之塗佈液供給機構70(塗佈液供給部)的數目恰對應於塗佈液種類，該塗佈液供給機構包含：供給槽，未圖示，儲存例如塗佈液；加壓部，未圖示，以對該供給槽供給氣體而加壓其內部方式或以電動泵進行供給方式向塗佈單元1輸送供給槽內的塗佈液。
各個塗佈液供給機構70經由氣動閥72，用以切換塗佈液之供給與否的流量調整部；及回吸閥73，用以於不供給塗佈液時從噴嘴10之前端部導入塗佈液的處理液抽吸部，以供給管71連接於各噴嘴10，且可將10種抗蝕劑液與稀釋劑切換而供給。又，圖2中為便於圖示，將供給稀釋劑之塗佈液供給機構70連接於面向圖中左起第2支噴嘴10，但實際上如圖3所示，連接於面向圖中左起第6支噴嘴10。其目的為：使得分別供給於塗佈抗蝕劑液前每次所供給之稀釋劑，與供給稀釋劑後所供給之抗蝕劑液的噴嘴10以該順序往晶圓W中心移動時，使基座12的平均移動距離為最短。該塗佈液供給機構70、氣動閥72與回吸閥73相關聯而連接在用以進行驅動及開閉動作以控制噴吐量、噴吐時間及抽吸量、抽吸時間的注液控制部119。
又，如圖2所示，供給單元7的注液控制部119與統合控制塗佈單元1及各設備之動作的控制部9連接。又，控制部9也兼具統合控制包含依本實施形態之塗佈單元1的塗佈、顯影裝置整體之動作的功能。
依據以上之結構，簡單說明塗佈單元1在晶圓W塗佈抗蝕劑液的動作。以外部之輸送機構從3個送入送出口30a之其中之一所送入框體30內的晶圓W藉由以升降銷44支持背面側，令輸送機構往框體30外退避而使升降銷44下降，而傳遞至對應於所送入之送入送出口30a的液體處理部2(2a、2b、2c)的旋轉夾盤41。
然後，令噴嘴輸送機構10a作動，舉起在噴嘴槽14上待機的噴嘴臂11，送往圖1的Y方向。接著，若供給稀釋劑之噴嘴10到達晶圓W的大致中央上方的位置，停止移動噴嘴臂11，並於該位置令噴嘴臂11下降。其後，在靜止之晶圓W上從噴嘴10供給稀釋劑後，移動噴嘴臂11以使於該處理塗佈之抗蝕劑液的供給噴嘴10位於晶圓W的大致中央上方。與該移動動作並行地，令旋轉夾盤41例如高速旋轉，並對該旋轉中之晶圓W上供給抗蝕劑液並停止供給，以進行往晶圓W之徑方向擴展的旋轉塗佈。
接著，令旋轉夾盤41以低速旋轉，使所旋轉塗佈之抗蝕劑膜的膜厚均一，再藉由使其高速旋轉，進行所旋轉塗佈之抗蝕劑液的甩乾。其間，噴嘴輸送機構10a以與上述路徑相反的路徑移動噴嘴臂11，以使結束供給塗佈液的噴嘴10於噴嘴槽14待機。
另一方面，對於結束甩乾的晶圓W，令對應之EBR機構6運轉以將沖洗液噴嘴從EBR噴嘴槽64輸送至晶圓W之周緣部，而藉由在此塗佈沖洗液，並使旋轉夾盤41旋轉以去除晶圓W周緣部所塗佈的抗蝕劑膜後，與抗蝕劑膜時同樣地進行沖洗液之甩乾而結束一連串的液體處理。
令沖洗液噴嘴退避至EBR噴嘴槽64後，形成抗蝕劑膜的晶圓W以與送入時相反的順序被傳遞至輸送機構，並從塗佈單元1送出。如此依塗佈、顯影處理所決定之晶圓W的輸送循環以例如24秒間隔將晶圓W依序輸送至各液體處理部2a、2b、2c，進行相同的處理。又，噴嘴10於一個液體處理部2結束對晶圓W上噴出塗佈液(稀釋劑及抗蝕劑液)後，退避至例如位於塗佈單元1之一端的噴嘴槽14，抑制抗蝕劑液之乾燥。
再來，說明圖1(b)之噴嘴槽14的結構。以下參照圖4(a)、4(b)、4(c)說明之。圖4(a)係從噴嘴槽14之頂面觀察的圖。噴嘴槽14具備：假注液孔100，有複數個，係對應於噴嘴輸送機構10a所設之噴嘴10的複數噴嘴前端部的數目，用以於假注液時噴出液體；及溶劑抽吸孔101，有複數個，用以與該假注液孔100同樣地從噴嘴前端抽吸例如稀釋劑。圖4(b)顯示已實施假注液的情形，係使噴嘴輸送機構10a與複數之假注液孔100對向而下降，並進行假注液時之噴嘴槽14的剖面圖(沿圖4(a)之I-I線的剖面圖)。假注液孔100的下方設有也與複數之假注液孔100共通相連的共通排放流道103，為減少成為製程缺陷之原因而定期使抗蝕劑液從噴嘴10噴出以廢棄。該所廢棄之抗蝕劑液通過共通排放流道103，往未圖示之廢液管線流出。
噴嘴槽14形成以A點為中心利用轉動機構110在與噴嘴排列方向垂直的鉛直面上45度轉動方式構成。圖4(c)係轉動後之噴嘴槽14的剖面圖。複數之溶劑抽吸孔101的下方個別設有複數之第1溶劑儲存部102。該第1溶劑儲存部102設有：第2溶劑儲存部105，係與複數之第1溶劑儲存部102連通的流道以緩衝室所構成；及溶劑供給孔106，對該第2溶劑儲存部105供給例如稀釋劑，且所供給之溶劑通過第2溶劑儲存部105儲存於第1溶劑儲存部102。又，第1溶劑儲存部102與共通排放流道103於連通路徑104連通，且以於供給溶劑至第1溶劑儲存部102之時間點所溢出的溶劑量流到共通排放流道103的方式構成，於供給溶劑時共通排放流道103也可清洗。
噴嘴10可沿上下方向任意移動，其待機位置設定成：藉由令噴嘴槽14轉動，噴嘴槽14之溶劑抽吸孔101與假注液孔100可共用噴嘴10之下降位置的位置。令噴嘴槽14轉動而形成溶劑抽吸孔101向上狀態時，使噴嘴輸送機構10a下降以使噴嘴10在第1溶劑儲存部102浸漬前端部，抽吸溶劑既定量。
為將依包含以上所說明之結構的本實施形態的塗佈單元1的噴嘴頭部11a及噴嘴10，於例如噴嘴槽14的位置進行光學攝影，以不增加實行對於噴嘴10之乾燥或髒污的假注液的次數，圖5所示之抑制乾燥處理具備實行噴嘴10內所設定的抗蝕劑液層111之位置、空氣層112之位置(寬)、抑制乾燥溶劑層113之位置(寬)、回吸寬114(量)的適當動作的功能。以下，詳細說明該等功能。
就噴嘴10前端部之內外狀態的攝影機構而言，噴嘴輸送機構10a之噴嘴臂11如圖3所示，包含：攝影機構，以影像感測器從側方拍攝噴嘴頭部11a所固持之噴嘴10的影像；及稜鏡照明器200，利用供作向噴嘴10照射LED(發光二極體)照明的三稜鏡。例如作為攝影構件之CCD(電荷耦合元件)或CMOS(互補式金氧半導體)攝影機等的攝影機17透過固定構件18而固定。該攝影機17如圖3所示地從與噴嘴頭部11a所固持之噴嘴10的排列方向大致垂直的方角拍攝噴嘴10，俾於不成為彼此之影子而能拍攝各噴嘴10的前端部。又，攝影機17包含例如廣角透鏡，設定為將排列成一列之全部噴嘴10的前端部收納於攝影區，且對焦在各個前端部。
令噴嘴10移動至噴嘴槽14時，於實施上次假注液的動作後，如圖5所示地進行製程中不使用之噴嘴10的抑制乾燥處理以後經過既定運轉時間的狀態，例如8小時後於噴嘴槽14之上方使稜鏡照明器200亮燈，而以攝影機17總括地拍攝噴嘴10。以下使用該攝影資料，詳細說明對複數之各個噴嘴10施加個別最適合之長時間不進行假注液的處理的方法。
所拍攝之複數噴嘴10的攝影資料被送至控制部9。控制部9包含判斷處理部121，亦即於控制部內部影像處理以進行塗佈噴嘴之狀態的解析處理及判斷處理等的程式。而且，控制部9連接著顯示操作部120。該顯示操作部120依據控制部9的指示，發揮對使用者顯示各種導引顯示或設定值之輸入及監視本發明之動作狀態的影像的功能。顯示由控制部9所輸出之攝影資料的顯示操作部120可如圖6所示。使得以控制部9之軟體程式固定於顯示操作部120內的特定位置之例如每1mm隔開的複數軟量尺(刻度)121a～121c配合複數噴嘴10的長度表示。該特定位置係依據所拍攝之複數噴嘴10的長度、間隔、數目。另外，如圖6(b)、6(c)所示地將實際拍攝之複數噴嘴10的影像122顯示，以與固定於畫面之軟量尺121a～121c重疊而一併顯示。此時藉由將攝影機17的安裝位置嚴格地微調整以使軟量尺121a～121c之下端與噴嘴影像之垂直方向的噴嘴10前端一致，而如圖6(b)、6(c)地結束重疊。
接著，說明圖7中對一個噴嘴10進行設定的方法，但對其他噴嘴亦同。又，採用直接使用與圖5相同之號碼而說明者。首先，先在監視器畫面上之軟量尺121a～121c(以下以121a為代表說明之)與噴嘴10重合的狀態下，進行3種設定俾於成為長時間不進行假注液之噴嘴10內部的處理。Set1可將第1設定高度，即從噴嘴前端到抗蝕劑液前端的距離；Set2可將第2設定高度，即到抑制乾燥溶劑上端的距離；Set3可將第3設定高度，即回吸寬對複數之噴嘴10個別設定。該設定進行設定於控制部9之噴嘴輸送機構10a的動作，並由此發送控制信號至注液控制部119以輸出動作信號。該設定值依軟量尺121a的刻度值進行設定，以構成可一面判斷影像處理狀態，一面調整注液控制部119。又，圖7中，符號111為抗蝕劑液層，符號112為空氣層，符號113為抑制乾燥溶劑層，符號114為回吸寬。
例如，如圖8所示地以噴嘴前端為基準，對於從該噴嘴前端起之距離，使第1設定值，即Set1為8mm；使第2設定值，即Set2為5mm；使第3設定值，即Set3為2mm時，結束的狀態下空氣層112之寬為3mm，抑制乾燥溶劑層113之寬為3mm，回吸寬為2mm。
再來，以圖9對於一連串動作的樣子併記噴嘴前端狀態與氣動閥72及回吸閥的狀態依序說明之。令噴嘴臂11下降以使噴嘴10於噴嘴槽14插入假注液孔100，將抗蝕劑液假注液噴出，令噴嘴臂11上升(參照圖9(a))。拍攝此時的狀態以進行影像解析後，以判斷處理部121決定歸零位置(參照圖9(b))。以下，判斷設定動作時採用從判斷處理部121所發出之信號者。
接著，為確保空氣層112而使回吸閥作動以將抗蝕劑往上抽吸(參照圖9(c))。將該抽吸狀態拍攝並以影像處理於兩個確認點，即噴嘴10前端之成為歸零基準位置的觀視點130，與成為抗蝕劑液液面位置的觀視點131間之距離以軟量尺121a成為3mm的時點停止回吸閥的抽吸動作，俾於成為Set1與Set2之差，即8mm-5mm=3mm狀態(參照圖9(d))。再來，令噴嘴槽14轉動成溶劑抽吸孔101朝向垂直方向，同時從溶劑供給孔106供給溶劑。藉此重新供給溶劑至第1溶劑儲存部102。
接著，如圖9(e)所示，令噴嘴臂11下降，使噴嘴10進入溶劑抽吸孔101之事先設定的下降位置，即噴嘴10前端浸漬於溶劑液面的位置。以回吸動作抽吸溶劑，但由於在此位置無法攝影以確認狀態，因此令回吸閥作動以進行抽吸動作既定量，例如軟量尺值5mm左右的程度(參照圖9(f))。
再來，令噴嘴臂11上升以拍攝噴嘴10，對於抽吸得比設定值多的溶劑，以一面進行送回以回吸動作所抽吸之量的動作，一面進行影像處理而成為既定量方式將溶劑滴入排出而排棄至溶劑抽吸孔(參照圖9(g))。此時以影像處理進行注液控制部119的控制，俾於成為Set2與Set3之差，即5mm-2mm=3mm，而將與軟量尺值重合的抑制乾燥溶劑層調整成3mm(參照圖9(h))。如上述，確認點，即觀視點130的影像認知藉由與該觀視點131及空氣層下方端面(抑制乾燥溶劑上液面)之觀視點132的位置確認而進行，但也可進行僅止於觀視點130、132的影像認知。
接著，進行回吸以使抑制乾燥溶劑於製程中的移動狀態下不產生液滴。此時，一面如前所述地進行攝影，一面以影像處理進行抽吸動作，俾於從圖9(h)所示之狀態成為圖9(i)之狀態，以使Set3的位置成為2mm，並進行抽吸動作，俾於與軟量尺值重合而形成觀視點130、131、132、抑制乾燥溶劑下方液面的觀視點133。此時，也可進行僅止於觀視點130、133的影像認知。
以上之一連串動作時的影像係一面進行影像判斷處理，一面令注液控制進行動作。藉此，可個別設定複數之噴嘴10的最適當之化學藥液的待機狀態。該等假注液實行動作所形成之待機動作係利用於處理批次開始輸送前所實行之定期的時間設定或基板的處理片數設定而起動者。該動作依據一次所設定之設定值而具有動作上的再現性。尤其，以往假注液實行動作所形成之待機動作由於未能正確地確認抑制乾燥溶劑的抽吸量，因此為降低故障風險而將塗佈處理所不使用之噴嘴10的最長可待機時間縮短設定。本發明中，由於藉由因應抗蝕劑之種類或黏度而與軟量尺組合調整動作，可正確地控制空氣層的量或抑制乾燥溶劑的量，因此可正確地掌握複數之噴嘴10的可待機時間，並可正確地設定適當時間。又，由於亦可測量液面到達以觀視點130為基點之以下的觀視點的移動時間，故也能進行抽吸時間的適當調整。
藉此，變得能以短時間結束目視調整不易之處的調整，由於可盡可能抑制伴隨假注液而產生實行間的等待時間等、製程處理的效率降低，故生產力也提高。
接著，簡單說明於顯影裝置適用上述塗佈單元1之一例。圖10係塗佈、顯影裝置連接有曝光裝置的系統的俯視圖，圖11係同系統的立體圖。又，圖12係同系統的縱剖面圖。該裝置設有載具區塊S1，以傳遞臂C從其載置台80a上所載置之密閉型載具80取出晶圓W以傳遞至處理區塊S2，再從處理區塊S2承接結束處理之晶圓W以送回載具80的方式構成。
該處理區塊S2如圖11所示，由以下之部分由下而上依序堆疊而構成：第1區塊(DEV層)B1，本例中用以進行顯影處理；第2區塊(BCT層)B2，形成於抗蝕劑膜之下層側，用以進行抗反射膜的形成處理；第3區塊(COT層)B3，用以進行抗反射膜的塗佈；第4區塊(TCT層)B4，形成於抗蝕劑膜之上層側，用以進行抗反射膜的形成。
第2區塊(BCT層)B2與第4區塊(TCT層)B4由下列部分構成：塗佈單元1，依本發明，以旋轉塗佈法塗佈用以形成各個抗反射膜的化學藥液；加熱‧冷卻系處理單元群，用以進行該塗佈單元1所進行之處理的前處理及後處理；及輸送臂A2、A4，設於該塗佈單元1與處理單元群之間於其間傳遞晶圓W。第3區塊(COT層)B3除該化學藥液為抗蝕劑液外，係相同結構。
另一方面，關於第1區塊(DEV層)B1，圖12中雖未圖示，但一個DEV層B1內堆疊有2段顯影單元。另外，該DEV層B1內設有用以輸送晶圓W至該等2段顯影單元的輸送臂A1。亦即，形成對2段顯影單元係輸送臂A1共通化的結構。
而且，處理區塊S2如圖10及圖12所示地設有棚架單元U5，來自載具區塊S1的晶圓W由設於該棚架單元U5附近之可任意升降的第1傳遞臂D1依序輸送至該棚架單元U5的一個傳遞單元，例如對應於第2區塊(BCT層)B2的傳遞單元CPL2。第2區塊(BCT層)B2內的輸送臂A2從該傳遞單元CPL2承接晶圓W以輸送至各單元(抗反射膜單元及加熱‧冷卻系處理單元群)，於該等單元中晶圓W形成抗反射膜。
其後，晶圓W經由棚架單元U5之傳遞單元BF2、傳遞臂D1、棚架單元U5之傳遞單元CPL3及輸送臂A3，被送入第3區塊(COT層)B3，形成抗蝕劑膜。進而，晶圓W經過輸送臂A3→棚架單元U5之傳遞單元BF3→傳遞臂D1，被傳遞至棚架單元U5之傳遞單元BF3。又，形成有抗蝕劑膜的晶圓W有時也於第4區塊(TCT層)B4進一步形成抗反射膜。此時，晶圓W經由傳遞單元CPL4被傳遞至輸送臂A4，形成抗反射膜後由輸送臂A4傳遞至傳遞單元TRS4。
另一方面，DEV層B1內之上部設有穿梭臂E，該穿梭臂係用以將晶圓W從設於棚架單元U5之傳遞單元CPL11直接輸送至設於棚架單元U6之傳遞單元CPL12的專用輸送機構。形成有抗蝕劑膜甚或抗反射膜的晶圓W透過傳遞臂D1從傳遞單元BF3、TRS4承接，傳遞至傳遞單元CPL11，並由此以穿梭臂E直接輸送到棚架單元U6之傳遞單元CPL12，導入介面區塊S3。又，圖12中之附有CPL之傳遞單元兼為調溫用冷卻單元，附有BF之傳遞單元兼為可載置複數片晶圓W的緩衝單元，接著，晶圓W由介面臂B輸送至曝光裝置S4，於此進行既定之曝光處理後，載置到棚架單元U6的傳遞單元TRS6而送回處理區塊S2。所送回的晶圓W於第1區塊(DEV層)B1進行顯影處理，並由輸送臂A1傳遞至棚架單元U5之傳遞台TRS1。然後，由第1傳遞臂D1輸送至棚架單元U5的傳遞臂C接近範圍的傳遞台，再透過傳遞臂C送回載具80。又，圖10中U1～U4係堆疊有各個加熱部與冷卻部的熱系單元群。
1．．．塗佈單元
2、2a、2b、2c．．．液體處理部
5．．．杯體
6．．．邊緣球狀光阻去除機構(EBR機構)
7．．．供給單元
9．．．控制部
10．．．塗佈液噴嘴
10a．．．噴嘴輸送機構
11．．．噴嘴臂
11a．．．噴嘴頭部
11b．．．臂部
12．．．基座
13．．．軌道
14．．．噴嘴槽
17．．．攝影機(攝影機構)
18．．．固定構件
30．．．框體
30a．．．送入送出口
31．．．過濾單元
41．．．旋轉夾盤(基板固持部)
42．．．軸部
43．．．驅動機構(旋轉夾盤馬達)
44．．．升降銷
44a．．．升降機構
50．．．杯體本體
51．．．第1環構件
51a．．．氣體流道
52．．．第2環構件
53．．．端板
54．．．液體收納部
54a．．．抗溢流璧
55．．．排氣口
56．．．排放口
61．．．EBR臂
62．．．基座
63．．．軌道
64．．．EBR噴嘴槽
70．．．塗佈液供給機構
71．．．供給管
72．．．氣動閥
73．．．回吸閥
80．．．載具
80a．．．載置台
100．．．假注液孔
101．．．溶劑抽吸孔
102．．．第1溶劑儲存部
103．．．共通排放流道
104．．．連通路徑
105．．．第2溶劑儲存部(緩衝室)
106．．．溶劑供給孔
110．．．轉動機構
111．．．抗蝕劑液層
112．．．空氣層
113．．．抑制乾燥溶劑層
114．．．回吸寬
119．．．注液控制部
120．．．顯示操作部(監視器畫面)
121．．．判斷處理部
121a、121b、121c．．．軟量尺
122．．．影像
130．．．觀視點(塗佈噴嘴前端)
131．．．觀視點(抗蝕劑液下端液面)
132．．．觀視點(抑制乾燥溶劑上端液面)
133．．．觀視點(抑制乾燥溶劑下端液面)
200．．．稜鏡照明器
A．．．噴嘴槽14利用轉動機構在與噴嘴排列方向垂直之鉛直面上45度轉動的中心
A1-A4．．．輸送臂
B．．．介面臂
B1．．．第1區塊(DEV層)
B2．．．第2區塊(BCT層)
B3．．．第3區塊(COT層)
B4．．．第4區塊(TCT層)
BF2、BF3．．．傳遞單元
C．．．傳遞臂
CPL2、CPL3、CPL4、CPL11、CPL12．．．傳遞單元
D1．．．第1傳遞臂
E．．．穿梭臂
S1．．．載具區塊
S2．．．處理區塊
S3．．．介面區塊
S4．．．曝光裝置
TRS1．．．傳遞台
TRS4、TRS6．．．傳遞單元
U1-U4．．．熱系單元群
U5、U6．．．棚架單元
Set1．．．第1設定值
Set2．．．第2設定值
Set3．．．第3設定值
W．．．半導體晶圓(基板)
圖1係顯示本發明之塗佈單元的俯視圖1(a)及其縱剖面圖1(b)。
圖2係顯示上述塗佈單元內之液體處理部與供給塗佈液之供給單元的結構圖。
圖3係顯示將本發明之供給塗佈液的塗佈噴嘴安裝於噴嘴臂之狀態的立體圖。
圖4係成為噴嘴臂待機位置之噴嘴槽的概略俯視圖(a)、沿(a)之I-I線的剖面圖(b)及供給溶劑時的剖面圖(c)。
圖5係顯示塗佈噴嘴前端部所設定之液體的狀態的剖面圖。
圖6顯示本發明之軟量尺在監視器畫面的顯示(a)、顯示軟量尺與塗佈噴嘴在監視器畫面的顯示(b)、顯示軟量尺與塗佈噴嘴在監視器畫面的放大顯示(c)。
圖7係設定塗佈噴嘴之狀態時的以軟量尺所設定的概略放大剖面圖。
圖8係顯示設定狀態的概略放大剖面圖。
圖9(a)～9(i)係顯示塗佈噴嘴進行注液控制的樣子的概略放大剖面圖。
圖10係顯示適用上述塗佈單元之塗佈、顯影裝置的實施形態的俯視圖。
圖11係上述塗佈、顯影裝置的立體圖。
圖12係上述塗佈、顯影裝置的縱剖面圖。
10．．．塗佈液噴嘴
111．．．抗蝕劑液層
112．．．空氣層
113．．．抑制乾燥溶劑層
114．．．回吸寬
121a．．．軟量尺
Set1．．．第1設定值
Set2．．．第2設定值
Set3．．．第3設定值

Claims (10)

  1. 一種液體處理裝置，從塗佈液噴嘴對於由基板固持部所大致水平固持之基板的表面供給塗佈液，進行向該基板的表面噴出塗佈液以形成塗佈膜的液體處理；其特徵在於：包含：噴嘴輸送機構，用來輸送以可在該基板固持部所固持之基板的上方移動方式構成之該塗佈液噴嘴；噴嘴槽，用以使該塗佈液噴嘴於待機位置待機；注液控制部，於該噴嘴槽，從該塗佈液噴嘴對於塗佈液的噴吐動作，或者塗佈液及該塗佈液之抑制乾燥溶劑的抽吸動作與抑制乾燥溶劑的排出動作進行注液控制；控制部，控制該注液控制部；判斷處理部，設於該控制部，將由拍攝該塗佈液噴嘴之攝影機構所拍攝的噴嘴影像資料，予以解析判斷；操作顯示部，用以進行拍攝該塗佈液噴嘴之噴嘴影像資料的顯示，及設定值的輸入；與軟量尺，具有刻度值，該刻度值可重合於該攝影機構所得到之該塗佈液噴嘴影像在垂直方向的長度，而固定顯示於該操作顯示部；該判斷處理部對下列二者加以比較並進行判斷處理：為使該塗佈液噴嘴內之塗佈液與抑制乾燥溶劑在該操作顯示部居於最適當的位置，而在該軟量尺之刻度值所設定的設定值；與藉由該控制部拍攝作動中之塗佈液噴嘴的狀態所得於該塗佈液噴嘴內之塗佈液及抑制乾燥溶劑的各自之抽吸位置；且該設定值分成第1設定值、第2設定值與第3設定值，該第1設定值係從塗佈液噴嘴之前端到該塗佈液噴嘴內所抽吸之塗佈液的下端液面的距離，第2設定值係從該前端到所抽吸之抑制乾燥溶劑的上端液面的距離，而第3設定值係從該前端到所抽吸 之抑制乾燥溶劑的下端液面的距離，該控制部依據該判斷處理控制該注液控制部，以調整該塗佈液噴嘴之前端部內的塗佈液之乾燥抑制。
  2. 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中，該噴嘴輸送機構設有複數之該塗佈液噴嘴，可對於各個塗佈液噴嘴進行該設定值的輸入、判斷處理及注液控制。
  3. 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中，該塗佈液的下端液面與該抑制乾燥溶劑的上端液面之間設有空氣層。
  4. 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中，該第3設定值為從該塗佈液噴嘴前端回吸抑制乾燥溶劑的距離。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置，其中，該噴嘴槽具備該塗佈液噴嘴之塗佈液之噴吐孔、及該抑制乾燥溶劑之抽吸孔，並具備切換該塗佈液之噴吐孔的位置與該抑制乾燥溶劑之抽吸孔的位置的轉動機構；該塗佈液噴嘴於抽吸抑制乾燥溶劑時，以該轉動機構令該噴嘴槽轉動，而從該塗佈液噴嘴之塗佈液之噴吐孔的位置切換成抑制乾燥溶劑之抽吸孔的位置，並從設於該噴嘴槽內部的抑制乾燥溶劑之儲存部進行抽吸。
  6. 如申請專利範圍第5項之液體處理裝置，其中，該噴嘴槽於該抑制乾燥溶劑之抽吸孔包含儲存部；且包含一流道，於令該噴嘴槽轉動時，使該抑制乾燥溶劑流通至該塗佈液噴嘴之塗佈液的噴吐孔之下部所設置的塗佈液廢液流道。
  7. 一種液體處理方法，從塗佈液噴嘴對於由基板固持部所大致水平固持之基板的表面供給塗佈液，進行向該基板的表面噴出塗佈液以形成塗佈膜的液體處理；其特徵在於：包含：噴嘴待機步驟，使該塗佈液噴嘴移動至用以令塗佈液噴嘴待機的噴嘴槽而令其待機；注液控制步驟，對於從該塗佈液噴嘴之塗佈液的噴吐動作， 或者塗佈液及該塗佈液之抑制乾燥溶劑的抽吸動作與抑制乾燥溶劑的排出動作，進行注液控制；判斷處理步驟，將由拍攝該塗佈液噴嘴之攝影機構所拍攝的噴嘴影像資料，予以解析判斷；與操作顯示步驟，在具有可重合於該攝影機構所得到之該塗佈液噴嘴影像在垂直方向的長度而固定顯示之刻度值的軟量尺，顯示拍攝有該塗佈液噴嘴的噴嘴影像資料，並進行設定值的輸入；於該判斷處理步驟中，對下列二者加以比較並進行判斷處理：為使該塗佈液噴嘴內之塗佈液與抑制乾燥溶劑在該操作顯示步驟居於最適當的位置，而在該軟量尺之刻度值所設定的設定值；與拍攝作動中之塗佈液噴嘴的狀態所得於該塗佈液噴嘴內之塗佈液及抑制乾燥溶劑的各自之抽吸位置；且該操作顯示步驟之該設定值的設定分成第1設定值、第2設定值與第3設定值，該第1設定值係從塗佈液噴嘴之前端到該塗佈液噴嘴內所抽吸之塗佈液的下端液面的距離，該第2設定值係從該前端到所抽吸之抑制乾燥溶劑的上端液面的距離，而該第3設定值係從該前端到所抽吸之抑制乾燥溶劑的下端液面的距離，依據該判斷處理步驟之結果控制該注液控制步驟，以調整該塗佈液噴嘴之前端部內的塗佈液之乾燥抑制。
  8. 如申請專利範圍第7項之液體處理方法，其中，該注液控制包含於抽吸抑制乾燥溶劑時，令設於該噴嘴槽的轉動機構轉動之步驟；而於從該塗佈液噴嘴之塗佈液之噴吐孔的位置轉動至抑制乾燥溶劑之抽吸孔的位置後，由設於噴嘴槽內部的抑制乾燥溶劑之儲存部進行抽吸。
  9. 一種液體處理方法，從塗佈液噴嘴對於由基板固持部所大致水平固持之基板的表面供給塗佈液，進行向該基板的表面噴出塗佈液以形成塗佈膜的液體處理；其特徵在於：包含： 噴嘴待機步驟，使該塗佈液噴嘴移動至用以令塗佈液噴嘴待機的噴嘴槽而令其待機；注液控制步驟，對於從該塗佈液噴嘴之塗佈液的噴吐動作，或者塗佈液及該塗佈液之抑制乾燥溶劑的抽吸動作與抑制乾燥溶劑的排出動作，進行注液控制；判斷處理步驟，將由拍攝該塗佈液噴嘴之攝影機構所拍攝的噴嘴影像資料，予以解析判斷；與操作顯示步驟，在具有可重合於該攝影機構所得到之該塗佈液噴嘴影像在垂直方向的長度而固定顯示之刻度值的軟量尺，顯示拍攝有該塗佈液噴嘴的噴嘴影像資料，並進行設定值的輸入；且該注液控制包含於抽吸抑制乾燥溶劑時，令設於該噴嘴槽的轉動機構轉動之步驟；而於從該塗佈液噴嘴之塗佈液之噴吐孔的位置轉動至抑制乾燥溶劑之抽吸孔的位置後，由設於噴嘴槽內部的抑制乾燥溶劑之儲存部進行抽吸，且於該判斷處理步驟中，對下列二者加以比較並進行判斷處理：為使該塗佈液噴嘴內之塗佈液與抑制乾燥溶劑在該操作顯示步驟居於最適當的位置，而在該軟量尺之刻度值所設定的設定值；與拍攝作動中之塗佈液噴嘴的狀態所得於該塗佈液噴嘴內之塗佈液及抑制乾燥溶劑的各自之抽吸位置；且依據該判斷處理步驟之結果控制該注液控制步驟，以調整該塗佈液噴嘴之前端部內的塗佈液之乾燥抑制。
  10. 如申請專利範圍第9項之液體處理方法，其中，該操作顯示步驟之該設定值的設定分成第1設定值、第2設定值與第3設定值，該第1設定值係從塗佈液噴嘴之前端到該塗佈液噴嘴內所抽吸之塗佈液的下端液面的距離，該第2設定值係從該前端到所抽吸之抑制乾燥溶劑的上端液面的距離，而該第3設定值係從該前端到所抽吸之抑制乾燥溶劑的下端液面的距離。
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4426403B2 (ja) * 2004-08-31 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 レーザー処理装置
JP4982527B2 (ja) * 2009-06-08 2012-07-25 株式会社東芝 成膜装置及び成膜方法
JP5457384B2 (ja) * 2010-05-21 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
TWI409597B (zh) * 2010-08-06 2013-09-21 Inotera Memories Inc 用於減少顯影劑用量之顯影劑噴灑裝置
JP5336441B2 (ja) * 2010-08-24 2013-11-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP5672204B2 (ja) * 2011-09-13 2015-02-18 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5537581B2 (ja) * 2012-03-08 2014-07-02 株式会社東芝 塗布装置及び塗布体の製造方法
US20130233356A1 (en) * 2012-03-12 2013-09-12 Lam Research Ag Process and apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
JP6203098B2 (ja) 2013-03-29 2017-09-27 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6281161B2 (ja) * 2013-09-27 2018-02-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
US9527116B2 (en) * 2013-09-28 2016-12-27 General Electric Company System and method for conformal cleaning
CN104635436A (zh) * 2013-11-07 2015-05-20 沈阳芯源微电子设备有限公司 可变温度幕状显影装置
KR102340465B1 (ko) * 2014-03-11 2021-12-16 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6423672B2 (ja) * 2014-09-26 2018-11-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6512894B2 (ja) * 2015-03-27 2019-05-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置および処理液供給装置の制御方法
US9589820B2 (en) * 2015-05-29 2017-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor apparatus and adjustment method
JP6473409B2 (ja) * 2015-11-10 2019-02-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス ノズル待機装置および基板処理装置
US9789497B1 (en) * 2016-06-20 2017-10-17 Nordson Corporation Systems and methods for applying a liquid coating to a substrate
US10906058B2 (en) * 2017-01-27 2021-02-02 Nordson Corporation Systems and methods for inspecting and cleaning a nozzle of a dispenser
JP6981032B2 (ja) * 2017-04-18 2021-12-15 凸版印刷株式会社 ノズルの待機方法、及び塗布装置
JP6915498B2 (ja) * 2017-10-23 2021-08-04 東京エレクトロン株式会社 ノズル待機装置、液処理装置及び液処理装置の運転方法並びに記憶媒体
DE102018220405A1 (de) * 2017-12-06 2019-06-06 Robert Bosch Gmbh Medienauftragsvorrichtung
KR102099114B1 (ko) * 2018-04-16 2020-04-10 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP7179568B2 (ja) * 2018-10-05 2022-11-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7331568B2 (ja) * 2019-09-12 2023-08-23 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理装置の液検出方法
JP7446920B2 (ja) 2020-05-29 2024-03-11 東京エレクトロン株式会社 液処理方法及び液処理装置
US20230255896A1 (en) * 2020-07-10 2023-08-17 Nova Thin Film Pharmaceuticals Llc Method and system for manufacturing oral soluble films, compositions of oral soluble films, oral soluble films made by thereby, and methods of use thereof
JP7170936B2 (ja) * 2020-08-04 2022-11-14 株式会社東芝 塗布装置及び塗布方法
KR102677969B1 (ko) * 2020-12-30 2024-06-26 세메스 주식회사 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법
JP2022124070A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09145453A (ja) * 1995-11-20 1997-06-06 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 光学的境界面計測装置
US20060233952A1 (en) * 2005-04-15 2006-10-19 Tokyo Electron Limited Liquid processing method and liquid processing apparatus
US20080100809A1 (en) * 2006-10-25 2008-05-01 Tokyo Electron Limited Wet processing system, wet processing method and storage medium

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2912663B2 (ja) * 1990-02-28 1999-06-28 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP2923044B2 (ja) * 1990-11-30 1999-07-26 東京エレクトロン株式会社 コーティング装置
JP2000082646A (ja) * 1998-09-04 2000-03-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布液塗布方法及びその装置
JP3993496B2 (ja) * 2001-09-27 2007-10-17 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法および塗布処理装置
US6878401B2 (en) * 2001-09-27 2005-04-12 Tokyo Electron Limited Substrate processing method
JP4024036B2 (ja) * 2001-11-06 2007-12-19 東京エレクトロン株式会社 液処理装置の自動設定方法及びその装置
JP3741655B2 (ja) * 2002-03-04 2006-02-01 東京エレクトロン株式会社 液処理方法および液処理装置
JP3889347B2 (ja) * 2002-11-18 2007-03-07 芝浦メカトロニクス株式会社 シール剤の塗布装置および塗布方法
JP2007075722A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 生ごみ処理装置
JP2008227195A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Hitachi High-Technologies Corp 液処理装置
JP4974363B2 (ja) * 2007-04-09 2012-07-11 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法
JP5036664B2 (ja) * 2008-09-04 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 液処理におけるノズル洗浄、処理液乾燥防止方法及びその装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09145453A (ja) * 1995-11-20 1997-06-06 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 光学的境界面計測装置
US20060233952A1 (en) * 2005-04-15 2006-10-19 Tokyo Electron Limited Liquid processing method and liquid processing apparatus
US20080100809A1 (en) * 2006-10-25 2008-05-01 Tokyo Electron Limited Wet processing system, wet processing method and storage medium

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Publication number Publication date
CN101727009A (zh) 2010-06-09
JP2010103131A (ja) 2010-05-06
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