KR101851344B1 - 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

액처리 모듈(2)에 재치된 웨이퍼(W)에 대하여 처리액 노즐(11)로부터 처리액을 공급하여 액처리를 행함에 있어서, 처리액의 공급량을 안정시키고, 이에 의해 웨이퍼(W) 간에서의 도포의 균일성을 도모하는 것이다. 노즐(11)이 노즐 버스(15)에 대기하고 있을 때, 일정량만큼 석백 밸브(52)에 의해 석백을 행하여 노즐(11)의 선단부의 레지스트액의 액면을 인상한다. 노즐(11)을 액처리 모듈(2)의 상방으로 이동시킨 후, 노즐(11)을 지지하는 암(13)에 설치된 카메라(16)에 의해 당해 노즐(11)의 선단부를 촬상하여, 화상 데이터를 취득한다. 이 화상 데이터에 기초하여 액면 레벨을 검출하고, 그 검출 결과에 따라 액면 레벨이 미리 설정한 기준 레벨이 되도록 석백 밸브(52)를 제어한다. 이 때문에, 레지스트 토출 전의 액면 레벨이 일정화되어, 처리액의 토출량이 일정화된다.

Description

액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체{LIQUID PROCESSING APPARATUS, LIQUID PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은 기판으로 처리액을 공급하여 액처리를 행하는 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 하나인 포토레지스트 공정에서 이용되는 레지스트액, 또는 반사 방지막용의 약액을 도포하는 도포 처리 유닛으로는, 장치 구성을 간소화하기 위하여, 컵체 및 스핀 척을 포함하는 액처리 모듈을 공통의 하우징 내에 복수, 예를 들면 3 개 일렬로 배열하여, 급액용의 노즐을 이들 복수개의 액처리 모듈에 대하여 공통화(共通化)되는 액처리 장치가 알려져 있다(특허 문헌 1).
노즐로서는 기판의 종별에 따른 약액, 예를 들면 레지스트액마다 레지스트를 마련하고, 이들 노즐을 집합시켜 집합 노즐인 노즐 유닛을 구성하고, 이 노즐 유닛을 각 액처리 모듈에 대하여 공통으로 이용하고 있다. 구체적으로 노즐 유닛은, 액처리 모듈의 배열 방향으로 이동할 수 있도록 구성되고, 노즐의 처리액 공급로는 레지스트액의 공급원으로부터 연장되어 기대(基臺)에 고정되고, 그 고정점보다 선단측(하류측)의 부위를, 노즐 유닛의 이동에 추종하여 굴곡질 수 있도록 자유단 부위로서 구성되어 있다. 그러나, 노즐이 각 액처리 모듈을 이동할 시 처리액 공급로의 자유단 부위의 굴곡 또는 비틀림 등에 의해, 처리액 공급로 내의 내압의 변화가 발생하는 경우가 있고, 이 때문에 레지스트 토출 노즐의 선단부의 액면 레벨이 변동하는 경우가 있다. 또한, 처리액 공급로의 상태는 노즐이 어느 액처리 모듈 상에 정지하는지에 따라 변하기 때문에, 액처리 모듈 간에서 노즐의 선단부의 액면 레벨이 변경되어, 액처리 모듈 사이에서 레지스트의 토출량이 일정하지 않게 된다. 레지스트액은 고가의 것이라는 점에서, 레지스트 절약 대응이 진행되고 있고, 이 때문에 레지스트의 사용량이 감소됨에 따라, 전술한 노즐 선단부의 액면 변동이 발생할 경우에서의 레지스트액의 공급되는 양의 변동율이 커지고, 기판 간 혹은 로트 간의 도포 처리의 균일성이 떨어지는 것이 염려된다.
특허 문헌 1에서는, 카메라에 의해 노즐의 선단부 내를 촬상하고, 액 흘림 또는 적하(滴下)의 발생에 따라, 더미 디스펜스(dummy dispense) 또는 액처리 정지의 처리를 취하도록 제어하고 있지만, 본 발명과 같은 이동에 의해 발생하는 노즐의 선단부의 액면 레벨의 변화에 따른 토출량의 변동을 억제하는 것은 아니다.
특허 문헌 1 : 일본특허공개공보 2008 - 135679
본 발명은 이러한 사정 하에 이루어진 것이며, 액처리 모듈에 재치(載置)된 기판에 대하여 처리액 노즐로부터 처리액을 공급하여 액처리를 행함에 있어서, 처리액 노즐 내에서의 토출 전의 처리액의 액면 레벨의 일정화를 도모함으로써 처리액의 공급량을 안정시키고, 이에 의해 기판 간에서의 도포의 균일성을 도모하는 기술을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 액처리 장치는,
컵체 내에, 기판을 수평으로 보지(保持)하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 횡방향으로 복수 배열된 액처리 모듈과,
상기 복수의 액처리 모듈에 대하여 공통화되고, 미리 정해진 액처리 모듈의 사용 순서에 따라 노즐 이동 기구에 의해 복수의 액처리 모듈 사이를 이동하고, 상기 기판 보지부에 보지된 기판의 표면으로 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐과,
상기 처리액 노즐로 처리액 공급로를 거쳐 처리액을 미리 설정한 양만큼 토출하기 위한 펌프와,
상기 처리액 공급로에서의 상기 처리액 노즐과 펌프 사이의 처리액을 흡인하여 상기 처리액 노즐의 선단부의 액면 레벨을 인상하기 위한 흡인 기구와,
상기 처리액 노즐이 상기 액처리 모듈의 상방에 위치하고 있을 시, 상기 처리액 노즐의 선단부의 액면 레벨을 검출하는 액면 검출부와,
상기 액면 검출부에서 검출된 검출 결과에 기초하여, 상기 액면 레벨이 미리 설정한 기준 위치가 되도록 상기 흡인 기구를 제어하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 액처리 장치는,
컵체 내에, 기판을 수평으로 보지하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 횡방향으로 복수 배열된 액처리 모듈과,
상기 복수의 액처리 모듈에 대하여 공통화되고, 미리 정해진 액처리 모듈의 사용 순서에 따라 노즐 이동 기구에 의해 복수의 액처리 모듈 사이를 이동하고, 상기 기판 보지부에 보지된 기판의 표면으로 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐과,
상기 처리액 노즐로 처리액 공급로를 거쳐 처리액을 미리 설정한 양만큼 토출하기 위한 펌프와,
상기 처리액 공급로에서의 상기 처리액 노즐과 펌프 사이의 처리액을 흡인하여 상기 처리액 노즐의 선단부의 액면 레벨을 인상하기 위한 흡인 기구와,
상기 사용 순서에 따라 정해진 액처리 모듈의 순서마다, 처리액 노즐이 처리액을 토출하기 전에 처리액을 흡인하기 위한 흡인량을 미리 기억한 기억부와,
상기 기억부로부터 액처리 모듈의 순서에 대응하는 흡인량을 독출하여 상기 흡인량에 대응하는 동작을 행하도록 상기 흡인 기구에 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 해도 된다.
본 발명의 액처리 방법은,
컵체 내에, 기판을 수평으로 보지하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 횡방향으로 복수 배열된 액처리 모듈과, 상기 복수의 액처리 모듈에 대하여 공통화되고, 미리 정해진 액처리 모듈의 사용 순서에 따라 노즐 이동 기구에 의해 복수의 액처리 모듈 사이를 이동하고, 상기 기판 보지부에 보지된 기판의 표면으로 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐을 구비한 액처리 장치를 이용하고,
상기 처리액 노즐이 액처리 모듈의 상방 위치로 이동하기 전에 흡인 기구에 의해 처리액을 흡인하여 상기 처리액 노즐의 선단부의 액면 레벨을 인상하는 공정과,
이어서, 상기 처리액 노즐을 상기 액처리 모듈의 상방으로 이동시키는 공정과,
이어서, 상기 처리액 노즐의 선단부의 액면 레벨을 검출하는 공정과,
액면 레벨의 검출 결과에 기초하여, 상기 액면 레벨이 미리 설정한 기준 위치가 되도록 상기 흡인 기구를 제어하는 공정과,
상기 기판 보지부에 보지된 기판의 표면으로 처리액 노즐로부터 처리액을 미리 설정한 양만큼 토출하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 액처리 방법은,
컵체 내에, 기판을 수평으로 보지하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 횡방향으로 복수 배열된 액처리 모듈과, 상기 복수의 액처리 모듈에 대하여 공통화되고, 미리 정해진 액처리 모듈의 사용 순서에 따라, 노즐 이동 기구에 의해 복수의 액처리 모듈 사이를 이동하고, 상기 기판 보지부에 보지된 기판의 표면으로 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐을 구비한 액처리 장치를 이용하고,
미리 정해진 액처리 모듈의 사용 순서마다, 처리액 노즐이 처리액을 토출하기 전에 처리액을 흡인하기 위한 흡인량을 미리 기억한 기억부로부터, 액처리 모듈의 순서에 대응하는 흡인량을 독출(讀出)하는 공정과,
독출한 흡인량에 대응하는 동작을 행하도록 흡인 기구에 제어 신호를 출력하여,
처리액 공급로에서의 상기 처리액 노즐과 펌프 사이의 처리액을 흡인하고, 상기 처리액 노즐의 선단부의 액면 레벨을 인상하는 공정과,
상기 기판 보지부에 보지된 기판에 대하여, 처리액 노즐로부터 처리액을 미리 설정한 양만큼 토출하여 액처리를 행하는 공정을 구비한 것을 특징으로 해도 된다.
본 발명의 기억 매체는,
컵체 내에, 기판을 수평으로 보지하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 횡방향으로 복수 배열된 액처리 모듈과, 상기 복수의 액처리 모듈에 대하여 공통화되고, 미리 정해진 액처리 모듈의 사용 순서에 따라, 노즐 이동 기구에 의해 복수의 액처리 모듈 사이를 이동하고, 상기 기판 보지부에 보지된 기판의 표면으로 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐을 구비한 액처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 기억한 기억 매체로서,
상기 컴퓨터 프로그램은, 상술한 액처리 방법을 실행하도록 단계군이 탑재되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 액처리 모듈에 재치된 기판에 대하여 처리액 노즐로부터 처리액을 공급하여 액처리를 행함에 있어서, 처리액 노즐이 액처리 모듈의 상방에 위치하고 있을 때 당해 처리액 노즐의 선단부의 액면 레벨을 검출하고, 그 검출 결과에 따라 액면 레벨이 미리 설정한 기준 위치가 되도록 흡인 기구를 제어하도록 하고 있다. 이 때문에, 처리액 토출 전의 액면 레벨이 일정화되어, 처리액의 토출량이 일정화되므로, 기판 간에서의 도포의 균일성을 도모할 수 있다. 또한 다른 발명은, 횡방향으로 복수 배열된 액처리 모듈과, 복수의 액처리 모듈에 대하여 공통화된 처리액 노즐을 구비한 액처리 장치에서, 각 액처리 모듈마다, 처리액 노즐이 처리액을 토출하기 전에 흡인 기구에 의해 처리액의 흡인량을 미리 정하고 있으므로, 동일한 효과가 얻어진다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액처리 장치의 개략을 도시한 사시도이다.
도 2는 상기 액처리 장치의 액처리 모듈 및 처리액 노즐의 처리액 공급로계의 구성도이다.
도 3은 처리액 노즐을 포함하는 노즐 유닛 및 지지 암을 이면측에서 본 사시도이다.
도 4는 본 발명에 따른 석백(suck back) 밸브의 구조 및 동작 상태를 도시한 설명도이다.
도 5는 상기 노즐 선단부 내를 비추는 광원을 설명하는 (a) 사시도 및 (b) 평면도이다.
도 6은 상기 도포 처리부의 제어부를 도시한 구성도이다.
도 7은 노즐 선단부 내를 도시한 종단면도이다.
도 8은 측정된 액면의 높이와 당해 액면 시의 레지스트의 보정량을 나타낸 특성도이다.
도 9는 노즐 버스에 대기하고 있을 때의 노즐 선단부 상태를 도시한 설명도이다.
도 10은 본 발명에 따른 노즐 버스로부터 액처리 모듈(2A)로 이동한 경우를 도시한 설명도이다.
도 11은 본 발명의 도포, 현상 처리를 설명하는 순서도이다.
도 12는 본 발명에 따른 노즐 버스로부터 액처리 모듈(2A)로 이동한 경우의 액면 레벨의 변동과 액면 레벨의 보정을 도시한 설명도이다.
도 13은 다른 실시예에 따른 노즐 선단부의 액면 레벨의 검출 방법을 도시한 설명도이다.
[제 1 실시예]
본 발명의 액처리 장치를 레지스트 도포 장치에 적용한 실시예의 전체 구성에 대하여 설명한다. 이 액처리 장치는 도 1에 도시한 바와 같이, 횡 일렬로 배열된 복수, 예를 들면 3 개의 액처리 모듈(2)과, 노즐 유닛(1)과, 노즐 유닛(1)의 노즐을 대기시키기 위한 노즐 버스(15)와, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)에 도포된 레지스트막의 주연(周緣)를 제거하기 위한 엣지 리무버(61)를 구비하고 있다.
각 액처리 모듈(2A ~ 2C)은 각각 동일하게 구성되어 있으며, 액처리 모듈(2A)을 대표하여 설명한다. 액처리 모듈(2A)은 도 2에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착하여 수평으로 보지하는 기판 보지부인 스핀 척(22A)을 구비하고, 스핀 척(22A)은 회전축(20)을 개재하여 회전 구동 기구(29)와 접속되어 있다. 스핀 척(22A)은, 회전 구동 기구(29) 및 회전축(20)을 개재하여 웨이퍼(W)를 보지한 상태에서 수직축을 중심으로 회전 가능하게 구성되어 있고, 그 회전축(20) 상에 웨이퍼(W)의 중심이 위치하도록 설정되어 있다. 웨이퍼(W)는 액처리 장치의 외부의 기판 반송 수단에 의해 승강 기구(28)에 의해 승강되는 승강 핀(27)을 통하여 전달된다.
스핀 척(22A)의 주위에는 스핀 척(22A) 상의 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 하여 상방측에 개구부를 구비한 컵체(21A)가 설치되어 있고, 컵체(21A)의 측 둘레면 상단(上端)측은 내측으로 경사진 경사부를 형성하고 있다. 컵체(21A)의 저부(底部)측에는 예를 들면 오목부를 이루는 액 받이부(23)가 형성되어 있다. 또한, 액처리 모듈(2)의 각 부의 부호에 대해서는 스핀 척 및 컵체에 관해서만, 액처리 모듈(2)을 구별하기 위한 알파벳(A ~ C)을 부여하고 있다. 액 받이부(23)는 격벽(24)에 의해 웨이퍼(W)의 주연 하방측에 전체 둘레에 걸쳐 외측 영역과 내측 영역으로 구획되어 있다. 외측 영역의 저부에는 드레인(drain)을 배출하기 위한 배액구(25)가 형성되고, 내측 영역의 저부에는 처리 분위기를 배기하기 위한 배기구(26)가 형성되어 있다.
노즐 유닛(1)은 농도 또는 성분이 상이한 복수 종류, 예를 들면 10 종류의 레지스트를 각각 공급하는 10 개의 처리액 노즐인 레지스트액 노즐(11)과 웨이퍼(W) 상에서 레지스트를 쉽게 확산하도록 하기 위한 프리웨트(pre wet) 처리를 행하는 시너를 공급하는 시너 노즐(12)을 구비하고 있다. 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 각 노즐(11, 12)은 암(13)에 의한 이동 방향을 따라 병행하여 배열되어 있고, 각각 수직 방향으로 유로가 형성되고, 하단이 처리액의 토출구로서 개구되어 있다. 노즐 유닛(1)은 지지부인 암(13)에 의해 지지되어 있고, 이 암(13)은 도시하지 않은 승강 기구에 의해 승강되도록 이동체(19)에 설치되어 있다. 이 이동체(19)는 액처리 모듈(2)의 배열을 따라, 기대(99) 상에 Y 축 방향으로 연장되는 가이드 레일(57)에 가이드 되도록 구성되어 있다. 이동체(19)는 도시하지 않은 볼 나사 기구 등에 의해 가이드 레일(57)에 가이드되도록 이동하고, 이에 의해 노즐 유닛(1)은 각 액처리 모듈(2A ~ 2C)의 상방 영역 사이를 이동한다.
각 노즐(11, 12)은 노즐 유닛(1)의 이동에 의해, 각 스핀 척(22A ~ 22C)의 중심부의 상방에 위치하도록 설정되어 있다. 즉, 이들 노즐(11, 12)은 각 액처리 모듈(2A ~ 2C)에 대하여 공통화되어 있다. 노즐 버스(15)는 노즐 유닛(1)이 이동하는 Y 방향의 일단측에 설치되어 있고, 상측이 개구된 컵 형상으로 형성되어 있다. 노즐 유닛(1)은 웨이퍼(W)에 처리를 행하지 않을 때에는 이 노즐 버스(15)에 수납되어 대기한다.
각 노즐(11, 12)은 각각에 처리액 공급로(55)가 접속되어 있고, 노즐 유닛(1)으로부터 외부로 연장된다. 처리액 공급로(55)는, 예를 들면 5 개의 처리액 공급로(55)가 하나로 모아져 외관(外管)(54)에 피복되고, 예를 들면 2 개의 외관(54)으로 모아진 상태로 연장되어 있다. 외관(54)은 각각의 처리액 공급로(55)의 동작을 규제하고, 얽힘 또는 액처리 장치에 걸리는 것을 방지하기 위하여 설치된다. 외관(54)의 내경은 예를 들면 12 mm ~ 15 mm이며, 처리액 공급로(55)는 3 mm ~ 4 mm이다. 처리액 공급로(55)는 외관(54) 내에서 외관(54)에 밀착되어 있는 것이 아니라, 외관(54)과 처리액 공급로(55) 간에는 간극이 있어, 이동체(19)의 이동을 방해하지 않도록 되어 있고, 이동체(19)가 이동할 시, 처리액 공급로(55)는 외관(54) 내를 그 직경 방향으로 이동할 수 있다.
노즐 유닛(1)으로부터 암이 연장되는 방향으로 연장된 외관(54)은 이동체(19) 측면에 설치된 외관 규제부(14)를 향해 연장되고, 당해 외관 규제부(14)에서 굴곡져 기대(99) 상을 액처리 모듈(2A ~ 2C)의 배열 방향을 향해 연장되고, 고정부(56)로 고정되어 있다. 고정부(56)는 가이드 레일(57)을 길이 방향으로 이분하는 위치에, 가이드 레일(57)의 양단까지의 거리가 동일해지도록 설치되어 있다. 외관(54)의 고정부(56)보다 하류의 부분은 충분히 길게 취해져, 자유롭게 굴곡 변형하도록 구성되어 있고, 노즐 유닛(1)은 액처리 모듈(2A ~ 2C) 및 노즐 버스(15) 사이를 자유롭게 이동할 수 있도록 구성되어 있다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 이 처리액 공급로(55)에는, 상술한 고정부(56)보다 상류부측에 처리액의 공급 조정을 행하는 부위가 설치되어 있고, 상류로부터 차례로 각 레지스트액의 종별마다 설치된 레지스트액 탱크(41) 및 시너 탱크(42)를 구비하는 공급 유닛(4), 펌프(53), 개폐 밸브(51), 석백 밸브(52)가 설치되어 있다. 도 2에서 부호 5로 나타낸 부분은 펌프(53) 등을 종합하여 공급 제어 기기군으로서 나타낸 것이다.
흡인 기구인 석백 밸브(52)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 하우징(70)의 내부에 구획벽(71)이 설치되고, 또한 구획벽(71)의 하부측에 다이어프램(diaphragm)(72)이 설치되어 있고, 구획벽(71)과 다이어프램(72)에 의해 둘러싸이는 기압 조정 공간(78)이 형성되어 있다. 이 기압 조정 공간(78)에는 하우징(70) 외부로부터 가압 공기를 공급하는 가압관(74)과 기압 조정 공간(78) 내를 흡인하는 흡인관(75)이 접속되어 있다. 가압관(74)에서의 하우징(70)과 접속되는 부위에는 오리피스(orifice)(79)가 설치되어, 가압 공기의 공급 속도를 억제하도록 구성되어 있다.
가압관(74), 흡인관(75)은 공장 내의 가압용의 배관 및 감압용의 배관에 각각 접속되어 있다. 가압관(74), 흡인관(75)의 도중에는 각각 전자 밸브(76, 77)가 설치되고, 제어부(3)로부터의 제어 신호에 의해 개폐 시간이 제어됨으로써 기압 조정 공간(78)의 압력 조정이 행해지도록 되어 있다. 다이어프램(72)의 하부측은 처리액 공급로(55)와 연통하도록 벨로우즈체(73)에 의해 둘러싸여 있고, 기압 조정 공간(78)의 가압 혹은 흡인에 따른 용적의 변화에 따라, 벨로우즈체(73)가 신축하고, 이에 의해 처리액 공급로(55)로부터 처리액의 석백 혹은 압출이 행해지도록 구성되어 있다.
석백 밸브(52)는 노즐 유닛(1)이 이동할 시 노즐(11, 12)의 선단부로부터 액 흘림이 발생하는 것을 방지하기 위하여 일정량의 석백을 행하고, 레지스트액 혹은 시너의 액면이 노즐(11)의 선단으로부터 조금 상승한 기준 레벨로 설정하는 역할을 한다. 도 1로 돌아와, 액처리 모듈(2A ~ 2C)에는 각각 엣지 리무버(61)가 설치된다. 이들 엣지 리무버(61)는 웨이퍼(W)에 형성된 레지스트막의 주연부를 제거하기 위하여, 시너를 공급하는 노즐을 구비하고 있다. 도 1 중의 62는 노즐이 대기하는 노즐 버스이다.
노즐 유닛(1)의 설명으로 돌아오면, 도 3은 노즐 유닛(1) 및 암(13)의 하면을 도시하고 있고, 당해 암(13)의 이면측에는 노즐(11, 12)의 선단부의 화상을 취득하기 위한 이미지 센서(촬상부)인 CCD 카메라 또는 CMOS 카메라 등의 카메라(16)가 노즐(11)의 배열 방향과 대략 직교하는 방향으로부터 이들 노즐의 선단부 내를 촬상하도록 되어 있고, 노즐(11)의 액면의 높이는 상기 카메라(16)에 의한 촬상에 의해 판정한다. 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이, 노즐(11)로부터 암(13) 방향(이쪽을 노즐(11)의 후방부로 함)으로 광원(17)을 설치하고, 노즐 유닛(1)의 정면과 좌우 전방의 비스듬히 하방부에 광원(18)을 설치한다. 도 5의 (b)에서 도시한 바와 같이, 광원(17)에 의해 노즐(11)을 후방으로부터 비추고, 또한 광원(18)에 의해 정면과 좌우 전방부로부터 기울기 방향으로 노즐(11)을 비춤으로써, 노즐(11)의 선단부 내에 레지스트가 들어 있지 않을 경우는, 공기층의 측면이 반사하기 때문에, 액면의 판정이 용이해진다.
본 실시예의 액처리 장치는 도 6에 도시한 바와 같이, 컴퓨터로 이루어지는 제어부(3)를 구비하고 있다. 도 6 중의 30은 버스, 31은 CPU이다. 33은 처리 레시피이며, 이 처리 레시피(33)는 레지스트액의 도포 처리를 실행하기 위한 순서, 처리 파라미터가 기입된 단계군이다. 36은 제1 메모리이며, 이 제1 메모리(36)에는 카메라(16)에 의해 촬상되어 얻어진, 도 7에 도시한 바와 같은 화상 데이터가 저장된다. 해석 프로그램(34)은 노즐(11)의 선단부의 화상 데이터에 기초하여 액면 레벨의 판정을 하는 판정부로서 기능하고, 동시에 액면의 높이의 변동 시에 대처 처리를 행하기 위한 것이며, 촬상부인 카메라(16) 및 판정부인 해석 프로그램(34)에 의해 액면 검출부가 구성된다.
제2 메모리(37)에는 도 8에 이미지로 나타낸 바와 같이, 검출된 노즐(11)의 선단부의 액면 레벨(높이)과, 액면 레벨에 대응하는 처리액의 흡인량 혹은 압출량과의 관계를 규정한 데이터 테이블이 기억되어 있다. 데이터 테이블의 이미지화한 그래프는 횡축에 액면 레벨, 종축에 석백 밸브(52)에 의한 석백량(정방향에 흡인량, 부방향에 압출량)을 각각 취한 그래프이며, 액면이 기준 레벨(h0)일 때 보정량은 0이 되어 있다. 또한, 액면 레벨이 하강하여 h0보다 낮은 값, 예를 들면 h1으로 검출될 경우 석백이 행해지고, 검출된 액면 레벨이 내려감에 따라 석백량이 증가한다. 한편액면 레벨이 h0보다 높은 값, 예를 들면 h2로 검출될 경우는 압출이 행해지고, 검출된 액면 레벨이 오름에 따라 압출량이 증가하도록 설정되어 있다.
해석 프로그램(34)은 제1 메모리(36)에 저장되어 있는 화상 데이터(도 7)에 기초하여, 노즐(11)의 선단부로부터 액면까지의 높이(h1)를 검출하고, 검출치(h1)를 기초로 상기 제2 메모리(37)의 데이터 테이블로부터 보정량(v1)을 독출하는 단계, 석백 밸브(52)에 설치된 전자 밸브(76, 77)의 개폐 시간을 조정함으로써, 석백 밸브(52)의 기압 조정 공간(78)의 용적을 변화시켜 처리액의 석백 혹은 압출량을 조정하는 단계를 구비하고 있다. 즉, 해석 프로그램(34)에는 상술한 촬상으로부터 보정량 출력까지의 단계군이 탑재되어 있다. 상기 처리 레시피(33) 및 해석 프로그램(34)은, 예를 들면 플렉서블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광학 자기 디스크), 메모리 카드 등의 기억 매체에 의해 저장되어 제어부(3)에 인스톨된다.
이어서, 상술한 실시예의 작용에 대하여 설명한다. 액처리 장치로의 웨이퍼(W)의 반입에 대해서는, 외부의 반송 수단에 의해, 로트(lot)의 1 번째의 웨이퍼(W)로부터 차례로 제1 액처리 모듈(2A) → 제2 액처리 모듈(2B) → 제3 액처리 모듈(2C)의 순서로 각 액처리 모듈로 반복하여 반입되고, 승강 핀(27)을 통하여 스핀 척(22)으로 전달된다. 한편 액처리 장치의 운전 개시 시 혹은 로트의 전환 시에는, 노즐 유닛(1)은 노즐 버스(15)에 대기하고 있다. 이 때 처리액 노즐(11)의 선단부에는, 도 9에 도시한 바와 같이, 선단측으로부터 상류측을 향해 공기층(81), 시너층(82), 공기층(83)이 형성되고, 이 공기층(83)의 상류측에 처리액(84)이 존재한다. 이러한 층 구조는 도 10의 (a)에 도시한 바와 같이, 노즐 유닛(1)이 노즐 버스(15)에 대기하고 있을 때 형성된다.
이하의 동작에 대해서는 도 10 ~ 도 12를 참조하여 설명한다. 로트의 선두의 웨이퍼(W)가 액처리 모듈(2A)로 반입되면, 노즐 유닛(1)은 노즐 버스(15)에서 당해 로트에 사용하는 레지스트액을 토출하는 노즐(11)의 더미 디스펜스를 행하고(도 10의 (a), 도 11의 단계(S1) 및 도 12(a)), 이 후, 액 흘림을 방지하기 위하여 석백 밸브(52)에 의해 일정량 석백을 행하여, 노즐(11)의 선단부 내의 액면을 미리 설정한 기준 레벨(h0)로 인상한다(단계(S2) 및 도 12의 (b)).
이어서, 노즐 유닛(1)은 도 10의 (b)에 도시한 바와 같이, 액처리 모듈(2A)의 상방으로 이동하고, 시너 노즐(12)을 스핀 척(22A)의 중심부의 상방에 위치시킨다(단계(S3)). 노즐(11)의 외관(54)은 노즐 유닛(1)이 이동함으로써, 고정부(56)보다 하류측 부위의 변형 상태가 변화하기 때문에, 처리액 공급로(55)의 내압이 변화하고, 이에 따라 노즐(11)의 선단부의 액면 레벨이 변동한다. 이 예의 경우에는, 노즐 유닛(1)이 노즐 버스(15)에 위치하고 있을 때는, 외관(54)에서의 고정부(56)의 하류측 부위는 노즐 유닛(1)이 액처리 모듈(2A ~ 2C) 상에 위치하고 있을 때보다 완전히 연장된 상태에 있다. 이 때문에, 노즐 유닛(1)이 액처리 모듈(2A) 상으로 이동하면 외관(54)의 굴곡 부위가 고정부(56)측으로 이동하므로 처리액 공급로(55)의 내압이 높아지고, 그 결과 노즐(11)의 선단부의 액면이 도 12의 (c)에 도시한 바와 같이, h0로부터 h1까지 내려간다.
따라서, 레지스트액의 노즐(11)을 카메라(16)에 의해 촬상하고(단계(S4)), 촬상한 화상 데이터를 제어부(3)의 제 2 메모리(37)에 저장한다. 해석 프로그램(34)은 이 화상 데이터에 기초하여 노즐(11)의 선단부의 액면의 높이(여기서는 h1)를 구하고, 제 2 메모리(37) 내의 데이터(도 8)를 참조하여 h1에 대응하는 석백량(v1)이 구해진다(단계(S5)). 그런데, 이 시점 전에 석백 밸브(52)에 흡인 동작을 시켜 일정량만큼 노즐(11)의 선단부의 액면을 인상하고 있고, 이 때문에 도 4에 도시한 다이어프램(72)이 조금 인상된 상태가 되어 있다. 기술한 바와 같이, 액의 흡인량은 이 예에서는 전자 밸브(77)를 개방하고 있는 시간에 대응하고 있기 때문에, 제 2 메모리(37) 내의 상기 보정 데이터의 종축(도 8 참조)은 전자 밸브(77)(혹은, 전자 밸브(76))를 열고 있는 시간에 상당하는 값이다.
그리고, 외관(54)의 고정부(56)의 위치 또는 외관(54)의 연장 방법 등에 따라, 상기 액면 레벨이 기준 레벨(h0)보다 높은지 낮은지가 정해지므로, 액면 레벨의 보정을 행하기 위해서는, 석백 밸브(52)의 가압관(74)의 전자 밸브(76)를 열지 흡인관(75)의 전자 밸브(77)를 열지가 정해진다. 따라서, 가압 동작(음의 흡인)이 작용될 경우에는, 보정 데이터에서의 석백량에 대해서도 양, 음이 할당되고, 이 양음의 부호와 석백량에 따라 개방해야 할 전자 밸브와 개방 시간이 결정되게 된다.
도 1에 기재한 외관(54)의 연장에서는, 노즐 버스(15)에서 노즐(11)에 대하여 일정량의 석백을 행하고 있으므로, 노즐(11)이 각 액처리 모듈(2A ~ 2C)의 상방에 위치했을 때에는, 액면은 기준 레벨(h0)보다 낮게 되어 있고, 석백 밸브(52)가 행하는 보정 동작은 흡인 동작이 된다. 또한, 도 8에 나타낸 보정 데이터의 종축은, 액면 레벨의 높이 위치를 나타내고 있지만, 액면 레벨과 기준 레벨의 차분을 표시해도 마찬가지이다.
도 11에 나타낸 순서도로 돌아와, 제 2 메모리(37)로부터 석백량(v1)이 독출되면, 석백 밸브(52)의 전자 밸브(77)에 제어 신호가 보내져 대응하는 시간만큼 전자 밸브(77)가 개방되어, 레지스트액이 인상되고, 노즐(11)의 선단부 내의 액면의 레벨은 기준 레벨(h0)로 보정된다(단계(S6) 및 도 12의 (d)).
이어서, 단계(S7) 및 도 12의 (e)의 레지스트의 도포 처리를 행한다. 예를 들면, 암(13)의 하강 및 액면 보정과 병행하여 스핀 척(22)은 회전을 개시하고, 회전 중의 웨이퍼(W)의 중심부에 시너를 토출하여 웨이퍼(W)의 표면 전체를 프리웨트하고, 이 후 당해 액처리에 이용하는 노즐(11)이 웨이퍼(W)의 중앙부 상에 위치하고, 펌프(53)에 의해 노즐(11)로부터 레지스트액이 압출되어 웨이퍼(W) 상에 토출되고, 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전체에 당해 레지스트가 펼쳐(展伸)진다. 레지스트의 공급 후 웨이퍼(W)의 회전수를 저하시키고, 레지스트의 두께를 균일하게 한 후, 다시 웨이퍼(W)의 회전수를 올려 도포한 레지스트의 털어내기 건조를 행하여, 레지스트막을 형성한다.
털어내기 건조가 완료된 웨이퍼(W)에 대해서는, 레지스트막의 주연부를 제거하기 위하여, 그 웨이퍼(W)가 회전하는 상태에서 엣지 리무버(61)로부터 시너가 공급된다. 웨이퍼(W) 주연부에 도포된 레지스트막이 제거되고, 이 후 레지스트막의 경우와 마찬가지로 시너의 털어내기 건조를 행하여 일련의 액처리가 완료되고, 엣지 리무버(61)를 엣지 리무버의 노즐 버스(62)까지 퇴피시킨 다음, 웨이퍼(W)는 승강 기구(28)에 의해 승강되는 승강 핀(27)을 통하여 액처리 장치의 외부의 기판 반송 수단으로 전달되고, 도포 처리부(9)로부터 반출된다. 노즐 유닛(1)에서는, 레지스트 토출 후, 이어서 일정량의 석백이 행해진다.
한편, 노즐 유닛(1)에서는 노즐(11)이 레지스트액을 웨이퍼(W)에 토출한 후, 예를 들면 그 위치에서 노즐(11) 내의 레지스트액에 대하여 석백 밸브(52)에 의해 일정량 석백이 행해진다. 이 후, 노즐 유닛(1)은 예를 들면 노즐 버스(15)에서 대기한다. 노즐 유닛(1)의 대기 중에 액처리 모듈(2A) 상의 웨이퍼(W)에 대하여 기술한 털어내기 건조가 행해지고, 또한 당해 노즐 유닛(1)은 액처리 모듈(2B) 상으로 이동하며, 마찬가지로 하여 노즐(11)의 선단부의 촬상을 한 후, 레지스트의 액면의 보정이 행해진 다음, 노즐(11)로부터 레지스트액을 토출하여 웨이퍼(W)에 대하여 도포 처리가 행해진다. 이 후 마찬가지로 하여, 액처리 모듈(2C)에 다음의 웨이퍼(W)가 반입된 후 작업이 행해지고, 이하 후속의 웨이퍼(W)는 액처리 모듈(2A), 액처리 모듈(2B), 액처리 모듈(2C)의 순서로 반입된다. 또한 레지스트액을 토출하고, 일정량의 석백이 행해진 후의 노즐 유닛(1)은, 예를 들면 액처리 모듈(2A), 액처리 모듈(2B) 간 혹은 액처리 모듈(2B), 액처리 모듈(2C)간에 설치된 노즐 버스에서 대기하도록 해도 된다.
상술한 실시예에 의하면, 액처리 모듈(2A(2B, 2C))에 재치된 웨이퍼(W)에 대하여 노즐(11)로부터 처리액을 공급하여 액처리를 행함에 있어서, 노즐(11)이 액처리 모듈(2A(2B, 2C))의 상방에 위치하고 있을 때 당해 노즐(11)의 선단부의 액면 레벨을 검출하고, 그 검출 결과에 따라 액면 레벨이 미리 설정한 기준 위치가 되도록 석백 밸브(52)를 제어하도록 하고 있다. 이 때문에, 처리액 토출 전의 액면 레벨이 액처리 모듈(2A(2B, 2C))에 대하여 일정화되어, 처리액의 토출량이 일정화되므로, 기판 간에서의 도포의 균일성을 도모할 수 있다.
또한 상술한 예에서는, 사용하는 노즐(11) 이외의 대기하고 있는 다른 노즐(11)에 대해서는, 도 9에 도시한 바와 같이 층 구조가 형성되어 있지만, 노즐(11)의 측방으로부터 광을 비춤으로써, 공기층과 액의 굴절률의 차이에 의해 화상 데이터 상에서 공기층과 시너층을 구별할 수 있다. 이 때문에, 노즐(11)의 선단부로부터 공기층(81), 시너층(82), 공기층(83)이 형성되어 있는지 여부를 판정할 수 있고, 예를 들면 선단의 공기층(81)이 존재하지 않고 시너로 채워져 있는 상태를 트러블로서 검출할 수 있다.
[제 2 실시예]
이 제 2 실시예는, 액처리 모듈(2A ~ 2C) 사이를 노즐(11)이 이동함에 따른 노즐(11)의 선단부의 액면의 높이의 변동치를, 장치를 가동하여 미리 측정하고, 이 측정 결과에 기초하여, 각각의 이동 시에서의 액면의 레벨이 기준의 높이 레벨이 되도록 석백량을 정하는 방법이다.
액처리 모듈(2A ~ 2C)의 사용 순서는 미리 정해저 있고, 예를 들면 액처리 모듈(2A) → 액처리 모듈(2B) → 액처리 모듈(2C) → 액처리 모듈(2A) → 액처리 모듈(2B) → 액처리 모듈(2C) ...과 같은 소정의 순서가 반복된다. 이 때문에, 동일 로트에 속하는 예를 들면 15 매의 웨이퍼(W)에 대하여 레지스트액의 도포 처리를 행할 경우에는, 노즐(11)은 노즐 버스(15) → 액처리 모듈(2A) → 노즐 버스(15) → 액처리 모듈(2B) → 노즐 버스(15) → 액처리 모듈(2C) → 노즐 버스(15) → 액처리 모듈(2A) ...의 순으로 이동한다. 그리고, 로트의 1 매째의 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 행하기 전에 노즐(11)은 노즐 버스(15)에서 더미 디스펜스를 행하고, 이어서 일정량의 석백을 행하지만, 이 후에는 웨이퍼(W)에 대하여 레지스트액을 토출한 후에 일정량의 석백을 행한다. 따라서, 1 매째의 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 행하기 전에 노즐(11)이 액처리 모듈(2A) 상에 위치할 때의 액면 레벨과, 4 매째의 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 행하기 전에 노즐(11)이 액처리 모듈(2A) 상에 위치할 때의 액면 레벨은 상이하다.
따라서 이 경우에는, 사전에 상기 액면 레벨의 변동을 조사함에 있어서, 1 매째부터 4 매째의 웨이퍼(W)마다, 각 웨이퍼(W)를 처리하기 전에 일정량을 석백하여 액면 레벨을 기준 레벨까지 인상하고, 이 후 대응하는 액처리 모듈(2A ~ 2C) 상으로 이동했을 때의 액면 레벨의 변동을 파악할 필요가 있다. 이 액면 레벨의 변동량으로부터 역산하여 노즐(11)이 대응하는 액처리 모듈(2A ~ 2C)로 이동하기 전의 석백량을 구한다. 5 매째의 웨이퍼(W)를 처리하기 전의 석백량(4 매째의 웨이퍼(W)에 대하여 레지스트액의 토출을 행한 후의 석백량)은 2 매째의 웨이퍼(W)를 처리하기 전의 석백량과 동일하게 되고, 6 매째, 7 매째의 웨이퍼(W)를 처리하기 전의 석백량은 각각 3 매째, 4 매째의 웨이퍼(W)를 처리할 때의 석백량이 되는, 이하 마찬가지로 하여 예를 들면 1 매째부터 15 매째까지의 웨이퍼(W)를 처리할 때의 석백량이 정해진다. 따라서, 이들 값을 메모리 내에 저장하고, 실처리를 행할 때 메모리 내로부터 석백량을 독출하여 석백 밸브의 동작을 제어함으로써, 노즐(11)의 선단부의 액면 레벨의 일정화를 도모할 수 있다.
제어부(3)의 처리 레시피(33)에는, 상술한 레지스트액의 도포 처리를 실행하기 위한 순서, 처리 파라미터가 기입된 단계군이 탑재되어 있다. 상기 처리 레시피(33)는, 예를 들면 플렉서블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광학 자기 디스크), 메모리 카드 등의 기억 매체에 의해 저장되어 제어부(3)에 인스톨된다. 여기서 일례를 들면, 예를 들어 도 8과 같이, 노즐 버스로부터 컵체(21A)의 이동에 수반하여 노즐 선단부 내의 액면은 h1으로 내려가기 때문에, 도 9의 단계(S2)에서, 일정량 석백의 양(v0)에 상기 액면의 높이(h1)의 경우에 보정에 필요한 양에 상당하는 양(v1)을 더한 양(v0 ＋ v1)을 석백하도록 프로그램을 변경함으로써, 컵체(21A)에 이동 후의 액면의 높이를 h0로 할 수 있다.
또한 기술한 바와 같이, 노즐(11)의 이동 패턴은, 예를 들면 서로 인접하는 액처리 모듈((2A, 2B), (2B, 2C)) 사이에 중간 노즐을 설치하고, 로트의 처리 개시 시를 제외하고 도 1에 도시한 노즐 버스(15)로 노즐(11)을 되돌리는 대신에 이 중간 노즐 버스에 대기시킬 경우에도, 제2 실시예의 방법을 적용할 수 있다. 또한 제2 실시예에서는, 전술한 석백량의 조정에 더하여, 이동 후 레지스트액의 토출 직전의 노즐(11)을 카메라(16)로 촬상하고, 화상 해석에 의해 높이를, 액면 레벨의 측정 결과를 제어부(3)에 피드백하고, 제1 실시예에 나타낸 액면의 높이의 제어를 행하도록 해도 된다.
[다른 실시예]
액면 검출부로서는, 액면을 촬상하는 카메라(16)에 한정되지 않고, 도 13에 도시한 바와 같이, 전기적으로 검출하는 것이어도 된다. 이 예에서는, 노즐 내의 유로를 사이에 두고 서로 대향하는 전극(E1, E2)의 조를 유로를 따라 복수 조 배열하고, 또한 고주파 회로를 설치하고 있다. 이 고주파 회로는, 고주파 전원(101)과 전류 검출부(100)와 스위치부(102)를 구비하고 있고, 스위치부(SW)의 전환 접점을 순차적으로 변경함으로써, 각 조의 전극(E1, E2)을 순차적으로 스위치부(SW)를 개재하여 고주파 회로에 접속하도록 하고 있다. 전극(E1, E2) 간의 용량이 처리액의 유무에 의해 변화하고, 이 때문에 전류치가 변하는 것을 이용하여, 각 전극(E1, E2) 간에 순차적으로 고주파를 흘려 각 전류치를 구함으로써, 제어부측에서는 어느 조의 전극(E1, E2)까지 액이 존재하는지 알 수 있다. 또한, 전극(E1, E2)으로부터의 배선은 예를 들면 노즐의 외면으로 인출하고, 실드선에 의해 연장된다.
1 : 노즐 유닛
11 : 처리액 토출 노즐
12 : 시너 토출 노즐
13 : 암
15 : 노즐 버스
16 : 카메라
17, 18 : 광원
19 : 이동체
2 : 액처리 모듈
21A ~ 21C : 컵체
22A ~ 22C : 스핀 척
3 : 제어부
4 : 공급 유닛
51 : 개폐 밸브
52 : 석백 밸브
53 : 펌프
54 : 외관
55 : 처리액 공급로

Claims (8)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 컵체 내에, 기판을 수평으로 보지하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 횡방향으로 복수 배열된 액처리 모듈과,
    상기 복수의 액처리 모듈에 대하여 공통화되고, 미리 정해진 액처리 모듈의 사용 순서에 따라 노즐 이동 기구에 의해 복수의 액처리 모듈 사이를 이동하고, 상기 기판 보지부에 보지된 기판의 표면으로 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐과,
    상기 처리액 노즐에 그 선단측이 접속되고 또한 그 도중 부위가 고정부에 고정되고, 상기 고정부에서의 고정점 보다 선단측의 부위가 처리액 노즐의 이동에 추종하는 굴곡 가능한 자유단 부위로서 구성된 처리액 공급로와
    상기 처리액 노즐로 처리액 공급로를 거쳐 처리액을 미리 설정한 양만큼 토출하기 위한 펌프와,
    상기 처리액 공급로에서의 상기 처리액 노즐과 상기 펌프 사이의 처리액을 흡인하여 상기 처리액 노즐의 선단부의 액면 레벨을 인상하기 위한 흡인 기구와,
    상기 처리액 노즐이 각 액처리 모듈 상을 이동할 때에 어느 액처리 모듈 상에 정지하는가에 따라, 처리액 공급로의 상태가 변하는 것에 기인하여 발생하는 처리액 노즐의 선단부의 액면의 변동을, 각 액처리 모듈 마다 상기 흡인 기구에 의해 흡인량을 조정하는 것으로 회피하고, 상기 액면의 높이 위치를 일정화하기 위하여, 더미 디스펜스를 행한 후에 첫 번째로 사용되는 액처리 모듈 및 처리액 노즐이 그 상방에 정지하는 두 번째 이후에 사용되는 액처리 모듈 마다, 처리액 노즐이 처리액을 토출하기 전에 처리액을 흡인하기 위한 흡인량을 미리 기억한 기억부와,
    상기 기억부로부터 상기 첫 번째로 사용되는 액처리 모듈 또는 두 번째 이후에 사용되는 액처리 모듈에 대응하는 흡인량을 독출(讀出)하여 상기 흡인량에 대응하는 동작을 행하도록 상기 흡인 기구에 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비하고,
    상기 기억부에 기억된 흡인량은, 액처리 장치의 실제 처리를 행하기 전에 미리 액처리 장치를 가동함으로써, 처리액 노즐이 더미 디스펜스를 행한 후에 첫 번째로 사용되는 액처리 모듈로 이동할 때, 및 각 액처리 모듈의 상방으로 이동할 때마다 처리액 노즐의 선단부의 액면 레벨을 측정하고, 이 측정 결과에 기초하여 정해지는 값인 것인 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 각각의 컵체 내에, 기판을 수평으로 보지하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 횡방향으로 복수 배열된 액처리 모듈과, 상기 복수의 액처리 모듈에 대하여 공통화되고, 미리 정해진 액처리 모듈의 사용 순서에 따라, 노즐 이동 기구에 의해 복수의 액처리 모듈 사이를 이동하고, 상기 기판 보지부에 보지된 기판의 표면으로 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐과 상기 처리액 노즐에 그 선단측이 접속되고 또한 그 도중 부위가 고정부에 고정되고, 상기 고정부에서의 고정점 보다 선단측의 부위가 처리액 노즐의 이동에 추종하는 굴곡 가능한 자유단 부위로서 구성된 처리액 공급로를 구비한 액처리 장치를 이용하고,
    상기 처리액 노즐이 각 액처리 모듈 상을 이동할 때에 어느 액처리 모듈 상에 정지하는가에 따라, 처리액 공급로의 상태가 변하는 것에 기인하여 발생하는 처리액 노즐의 선단부의 액면의 변동을, 각 액처리 모듈 마다 흡인 기구에 의해 흡인량을 조정하는 것으로 회피하고, 상기 액면의 높이 위치를 일정화하기 위하여, 더미 디스펜스를 행한 후에 첫 번째로 사용되는 액처리 모듈 및 처리액 노즐이 그 상방에 정지하는 두 번째 이후에 사용되는 액처리 모듈 마다, 처리액 노즐이 처리액을 토출하기 전에 처리액을 흡인하기 위한 흡인량을 미리 기억한 기억부를 이용하여, 상기 기억부로부터, 상기 첫 번째로 사용되는 액처리 모듈 또는 두 번째 이후에 사용되는 액처리 모듈에 대응하는 흡인량을 독출하는 공정과,
    상기 독출한 흡인량에 대응하는 동작을 행하도록 흡인 기구에 제어 신호를 출력하여, 처리액 공급로에서의 상기 처리액 노즐과 펌프 사이의 처리액을 흡인하고, 상기 처리액 노즐의 선단부의 액면 레벨을 인상하는 공정과,
    상기 기판 보지부에 보지된 기판에 대하여, 처리액 노즐로부터 처리액을 미리 설정한 양만큼 토출하여 액처리를 행하는 공정을 구비하고,
    상기 기억부에 기억된 흡인량은, 액처리장치의 실제 처리를 행하기 전에 미리 액처리 장치를 가동함으로써, 처리액 노즐이 더미 디스펜스를 행한 후에 첫 번째로 사용되는 액처리 모듈로 이동할 때, 및 각 액처리 모듈의 상방으로 이동할 때마다 처리액 노즐의 선단부의 액면 레벨을 측정하고, 이 측정 결과에 기초하여 정해지는 값인 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  8. 컵체 내에, 기판을 수평으로 보지하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 횡방향으로 복수 배열된 액처리 모듈과, 상기 복수의 액처리 모듈에 대하여 공통화되고, 미리 정해진 액처리 모듈의 사용 순서에 따라, 노즐 이동 기구에 의해 복수의 액처리 모듈 사이를 이동하여, 상기 기판 보지부에 보지된 기판의 표면으로 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐을 구비한 액처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 기억한 기억 매체로서,
    상기 컴퓨터 프로그램은, 제 7 항에 기재된 액처리 방법을 실행하도록 단계군이 탑재되어 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
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