TWI440116B - 減壓乾燥裝置 - Google Patents

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Description

減壓乾燥裝置
本發明是有關為了在微影(Photolithography)工程中形成塗佈膜，而於減壓環境下對被塗佈處理液的被處理基板實施乾燥處理的減壓乾燥裝置。
例如在FPD(Flat Panel Display)的製造中，是藉由所謂的微影工程來形成電路圖案，亦即對玻璃基板等的被處理基板形成預定的膜之後，塗佈處理液的光阻劑(Photoresist)(以下稱為阻劑)而形成阻劑膜，對應於電路圖案來將阻劑膜曝光，予以進行顯像處理。
在上述阻劑膜的形成工程中，往基板的阻劑塗佈後，進行藉由減壓來使塗佈膜乾燥的減壓乾燥處理。
以往，進行如此的減壓乾燥處理的裝置，例如有圖10的剖面圖所示之揭示於專利文獻1的減壓乾燥單元。
圖10所示的減壓乾燥處理單元是下部腔室61與上部腔室62貼緊而於內部形成處理空間。在該處理空間設有用以載置被處理基板的平台63。在平台63設有用以載置基板G的複數個固定銷66。
在此減壓乾燥處理單元中，一旦被處理面塗佈阻劑的基板G搬入，則基板G會隔著固定銷66來載置於平台63上。
其次，上部腔室62會貼緊於下部腔室61，基板G是形成放置於氣密狀態的處理空間內的狀態。
其次，處理空間內的環境會從排氣口64排氣，成為預定的減壓環境。藉由此減壓狀態維持預定時間，阻劑液中的稀釋劑等溶劑會某程度蒸發，阻劑液中的溶劑會慢慢地放出，不使阻劑受到不良影響的情形下促進阻劑的乾燥。
[專利文獻1]特開2000-181079號公報
可是，以往此減壓乾燥處理是一旦藉由固定銷來支持基板，此固定銷的接觸部的形狀會轉印於基板，因此大多採用以銷來支持畫素配置的區域外，迴避轉印的影響之手段。
然而，近年來，面取形狀多樣化，無法支持畫素區域外的課題、或隨著螢幕尺寸大型化，即使以固定銷來支持畫素區域以外，也會有彎曲變大，使阻劑乾燥處理受到不良影響的其他課題發生。
因此，為了解決該等課題，被要求必須在畫素區域內以銷支持，即使是該情形照樣可防止銷的轉印之技術。
另外，在上述專利文獻1所揭示的減壓乾燥處理中，是在阻劑塗佈處理後調整平台63的溫度，以不會使基板G蒙受溫度變化的方式進行控制，藉此抑制固定銷66轉印至基板G。
然而，專利文獻1所揭示的方法是實施對基板G的減壓乾燥處理的期間，藉由銷來支持基板G的同一處，因此接觸於銷之處與不接觸之處，阻劑的乾燥速度會產生差異，恐有發生銷的轉印之虞。
又，即使基板G的溫度不變化，支持基板G的銷的溫度也會隨著腔室內的減壓而慢慢地降低，銷與基板G的溫度差會擴大，而恐有發生轉印之虞。
本發明是有鑑於上述那樣的情事而研發者，其目的是在於提供一種對被塗佈處理液的被處理基板進行上述處理液的乾燥處理，形成塗佈膜的基板處理裝置中，可防止支持被處理基板的銷轉印至基板之基板處理裝置。
為了解決上述的課題，本發明的減壓乾燥裝置，係對被塗佈處理液的被處理基板進行上述處理液的減壓乾燥處理，形成塗佈膜之減壓乾燥裝置，其特徵係具備：
腔室，其係收容上述被處理基板；減壓手段，其係將上述腔室內減壓；複數的升降銷，其係配列於上述腔室內，從下方來支持上述被處理基板；升降銷升降手段，其係將複數根的上述升降銷設為群組單位，使各群組內的升降銷分別獨立升降；基板溫度範圍檢出手段，其係將隨著減壓乾燥處理而變化的上述基板的溫度分段成預定的溫度範圍來檢測出；升降銷溫調手段，其係對上述群組內的各升降銷，將該銷之與上述基板的接觸部設定成藉由上述基板溫度範圍檢出手段所檢測出的溫度範圍所分別含的預定溫度；及控制手段，其係進行上述升降銷升降手段的驅動控制，上述控制手段係根據藉由上述基板溫度範圍檢出手段所檢測出的溫度範圍，以被溫調成該溫度範圍所含的預定溫度之上述升降銷來支持上述被處理基板的方式進行上述升降銷升降手段的驅動控制。
藉由如此的構成，支持被處理基板的升降銷會以能夠成為被調整成近似於基板溫度的溫度的銷之方式進行轉換控制，隨著該轉換，升降銷與基板的接觸處會轉換。
亦即，即使減壓乾燥處理之間、腔室內的氣壓或溫度變化，還是可經常藉由被溫調成與基板溫度大致相同的溫度的升降銷來支持基板，且無基板的同一處長時間升降銷接觸的情形。因此，可極力縮小升降銷對基板的影響，可防止支持基板的升降銷轉印至基板。
又，最好具備：
氣壓檢出手段，其係檢測出上述腔室內的氣壓；記憶手段，其係記錄顯示上述腔室內的氣壓與上述基板溫度範圍的相關關係的變換表，上述基板溫度範圍檢出手段係根據上述氣壓檢出手段所檢測出的腔室內的氣壓，參照上述變換表，以預定的溫度範圍作為檢出結果輸出。
根據藉由如此的構成所檢測出的氣壓，可容易輸出基板溫度範圍。
或，亦可具備：
基板溫度檢出手段，其係檢測出被配置於上述腔室內的被處理基板的溫度；及記憶手段，其係記錄將藉由上述基板溫度檢出手段所檢測出的基板溫度區分成預定的基板溫度範圍的變換表，上述基板溫度範圍檢出手段係根據上述基板溫度檢出手段所檢測出的基板溫度，參照上述變換表，以預定的溫度範圍作為檢出結果輸出。
根據藉由如此的構成所檢測出的基板溫度，可容易輸出基板溫度範圍。
或，亦可具備記憶手段，其係記錄顯示減壓乾燥處理的經過時間與上述基板溫度範圍的相關關係的變換表，上述基板溫度範圍檢出手段係根據減壓乾燥處理的經過時間，參照上述變換表，以預定的溫度範圍作為檢出結果輸出。
藉由如此的構成，可根據減壓乾燥處理的經過時間，容易輸出基板溫度範圍。
若根據本發明，則可取得一種對被塗佈處理液的被處理基板進行上述處理液的乾燥處理，形成塗佈膜的基板處理裝置中，可防止支持被處理基板的銷轉印至基板之基板處理裝置。
以下，根據圖面來說明有關本發明的實施形態。圖1是具備本發明的減壓乾燥裝置之塗佈顯像處理系統的平面圖。
此塗佈顯像處理系統10是被設置於無塵室內，例如將LCD用的玻璃基板設為被處理基板，在LCD製造過程中進行微影工程中的洗淨、阻劑塗佈、預烘烤、顯像及後烘烤等一連串的處理者。曝光處理是以鄰接於此系統設置的外部的曝光裝置12來進行。
塗佈顯像處理系統10是在中心部配置橫長的製程站(P/S)16，在其長度方向(X方向)兩端部設置卡匣站(C/S)14及介面站(I/F)18。
卡匣站(C/S)14是搬出入卡匣C的埠，該卡匣C是以能夠多段地堆起基板G的方式收容複數片，卡匣站(C/S)14是具備：在水平的一方向(Y方向)可排列載置至4個卡匣C的卡匣平台20、及對於該平台20上的卡匣C進行基板G的搬出入的搬送機構22。搬送機構22是具有可保持基板G的手段，例如搬送臂22a，可以X，Y，Z，θ的4軸來動作，而使能夠與鄰接的製程站(P/S)16側進行基板G的交接。
製程站(P/S)16是在延伸於水平的系統長度方向(X方向)之平行且逆向的一對製程生產線A，B依製程流程或工程的順序配置各處理部。
亦即，從卡匣站(C/S)14側往介面站(I/F)18側的製程生產線A，是搬入單元(IN PASS)24、洗淨製程部26、第1熱的處理部28、塗佈製程部30及第2熱的處理部32會沿著第1平流搬送路34來從上游側依該順序配置成一列。
更詳細是搬入單元(IN PASS)24會從卡匣站(C/S)14的搬送機構22來接受未處理的基板G，以預定的節奏來投入第1平流搬送路34。
在洗淨製程部26，沿著第1平流搬送路34從上游側依序設有準分子UV照射單元(E-UV)36及滌氣器洗淨單元(SCR)38。
在第1熱的處理部28，從上游側依序設有黏附(adhesion)單元(AD)40及冷卻單元(COL)42。在塗佈製程部30，從上游側依序設有阻劑塗佈單元(COT)44及作為本發明的減壓乾燥裝置的減壓乾燥單元(VD)46。
在第2熱的處理部32從上游側設有預烘烤單元(PRE-BAKE)48及冷卻單元(COL)50。
在位於第2熱的處理部32的下游側旁之第1平流搬送路34的終點設有通路單元(PASS)52。
在第1平流搬送路34上平流搬送而來的基板G可由此終點的通路單元(PASS)52往介面站(I/F)18交接。
另一方面，從介面站(I/F)18側往卡匣站(C/S)14側之下游部的製程生產線B，是顯像單元(DEV)54、後烘烤單元(POST-BAKE)56、冷卻單元(COL)58、檢查單元(AP)60及搬出單元(OUT PASS)62會沿著第2平流搬送路64來從上游側依此順序配置成一列。
在此，後烘烤單元(POST-BAKE)56及冷卻單元(COL)58是構成第3熱的處理部66。搬出單元(OUT PASS)62會從第2平流搬送路64一片一片地接受處理完成的基板G，而交接至卡匣站(C/S)14的搬送機構22。
並且，在兩製程生產線A，B之間設有輔助搬送空間68，能以1片的單位水平載置基板G的梭子70可藉由未圖示的驅動機構來雙向移動於製程生產線方向(X方向)。
而且，介面站(I/F)18是具有用以進行上述第1及第2平流搬送路34、64或鄰接的曝光裝置12與基板G的互相交往之搬送裝置72，在該搬送裝置72的周圍配置旋轉平台(R/S)74及周邊裝置76。旋轉平台(R/S)74是使基板G旋轉於水平面內的平台，在與曝光裝置12的交接時，用以變換長方形的基板G的方向。周邊裝置76是例如將字幕機(TITLER)或周邊曝光裝置(EE)等連接至第2平流搬送路64。
圖2是表示此塗佈顯像處理系統對1片的基板G之全行程的處理程序。首先，在卡匣站(C/S)14中，搬送機構22會從平台20上的任一個卡匣C取出基板G，將該取出的基板G搬入製程站(P/S)16的製程生產線A側的搬入單元(IN PASS)24(圖2的步驟S1)。從搬入單元(IN PASS)24移載或投入基板G至第1平流搬送路34上。
被投入第1平流搬送路34的基板G是最初在洗淨製程部26中藉由準分子UV照射單元(E-UV)36及滌氣器洗淨單元(SCR)38來依序實施紫外線洗淨處理及滌氣洗淨處理(圖2的步驟S2、S3)。
滌氣器洗淨單元(SCR)38是對第1平流搬送路34上水平移動的基板G實施刷洗淨或吹洗淨，藉此來從基板表面除去粒子狀的污穢，然後實施洗滌處理，最後利用氣刀等來使基板G乾燥。一旦完成滌氣器洗淨單元(SCR)38之一連串的洗淨處理，則基板G會就那樣下降第1平流搬送路34而至第1熱的處理部28。
在第1熱的處理部28中，基板G是最初在黏附單元(AD)40實施利用蒸氣狀的HMDS的黏附處理，使被處理面疏水化(圖2的步驟S4)。此黏附處理終了後，基板G是在冷卻單元(COL)42被冷卻至預定的基板溫度(圖2的步驟S5)。此後，基板G亦下降第1平流搬送路34而往塗佈製程部30搬入。
在塗佈製程部30中，基板G最初在阻劑塗佈單元(COT)44維持平流藉由使用細縫噴嘴(Slit nozzle)的非旋轉法(spinless)來對基板上面(被處理面)塗佈阻劑液，緊接著，在下游側旁的減壓乾燥單元(VD)46接受利用減壓之常溫的乾燥處理(圖2的步驟S6)。
出塗佈製程部30的基板G是下降第1平流搬送路34而至第2熱的處理部32。在第2熱的處理部32中，基板G最初是在預烘烤單元(PRE-BAKE)48接受預烘烤作為阻劑塗佈後的熱處理或曝光前的熱處理(圖2的步驟S7)。
藉由此預烘烤，在基板G上的阻劑膜中所殘留的溶劑會被蒸發除去，阻劑膜對基板的密合性會被強化。其次，基板G是在冷卻單元(COL)50被冷卻至預定的基板溫度(圖2的步驟S8)。然後，基板G會從第1平流搬送路34的終點的通路單元(PASS)52退出至介面站(I/F)18的搬送裝置72。
在介面站(I/F)18中，基板G是在旋轉平台74例如接受90度的方向轉換來搬入至周邊裝置76的周邊曝光裝置(EE)，在此接受用以顯像時除去附著於基板G的周邊部的阻劑之曝光後，送往相鄰的曝光裝置12(圖2的步驟S9)。
曝光裝置12是對基板G上的阻劑曝光預定的電路圖案。然後，一旦完成圖案曝光的基板G從曝光裝置12回到介面站(I/F)18，則首先搬入至周邊裝置76的字幕機(TITLER)，在此對基板上的預定部位記錄預定的資訊(圖2的步驟S10)。然後，基板G會藉由搬送裝置72來搬入至製程站(P/S)16的製程生產線B側所鋪設的第2平流搬送路64的顯像單元(DEV)54的始點。
如此基板G將在第2平流搬送路64上往製程生產線 B的下游側搬送。在最初的顯像單元(DEV)54中，基板G是在平流搬送的期間實施顯像、洗滌、乾燥之一連串的顯像處理(圖2的步驟S11)。
在顯像單元(DEV)54完成一連串的顯像處理的基板G是原封不動地載於第2平流搬送路64來依序通過第3熱的處理部66及檢查單元(AP)60。在第3熱的處理部66中，基板G是最初在後烘烤單元(POST-BAKE)56接受作為顯像處理後的熱處理之後烘烤(圖2的步驟S12)。
藉由此後烘烤，在基板G的阻劑膜所殘存的顯像液或洗淨液會被蒸發而除去，阻劑圖案對基板的密合性會被強化。其次，基板G是在冷卻單元(COL)58被冷卻至預定的基板溫度(圖2的步驟S13)。在檢查單元(AP)60是針對基板G上的阻劑圖案來進行非接觸的線寬檢查或膜質.膜厚檢查等(圖2的步驟S14)。
搬出單元(OUT PASS)62是從第2平流搬送路64接受完成全工程的處理而來的基板G，交給卡匣站(C/S)14的搬送機構22。在卡匣站(C/S)14側，搬送機構22會將從搬出單元(OUT PASS)62接到之處理完成的基板G收容於任一個(通常是原來)的卡匣C(圖2的步驟S15)。
在此塗佈顯像處理系統10中，可將本發明的減壓乾燥裝置適用於塗佈製程部30內的減壓乾燥單元(VD)46。
接著，根據圖3~圖6來說明本發明的較佳實施形態 的塗佈製程部30內的減壓乾燥單元(VD)46的構成及作用。
圖3是表示塗佈製程部30的全體構成的平面圖。又，圖4~圖6是表示減壓乾燥單元(VD)46的構成，圖4是其平面圖，圖5是其剖面圖，圖6是其部份擴大剖面圖。
在圖3中，阻劑塗佈單元(COT)44是具有：構成第1平流搬送路34(圖1)的一部分或一區間的浮上式的平台80、及將此平台80上浮在空中的基板G搬送於平台長度方向(X方向)的基板搬送機構82、及對平台80上所被搬送的基板G上面供給阻劑液的阻劑噴嘴84、及在塗佈處理的空閒時間更新阻劑噴嘴84的噴嘴更新部86。
在平台80的上面設有將預定的氣體(例如空氣)噴射至上方的多數個氣體噴射口88，可藉由從該等的氣體噴射口88噴出的氣體壓力來使基板G從平台上面浮上一定的高度。
基板搬送機構82是具備：夾著平台80來延伸於X方向的一對導軌90A、90B、及可沿著該等導軌90A，90B來往復移動的滑塊92、及以能夠在平台80上可裝卸地保持基板G的兩側端部之方式設於滑塊92的吸附墊等的基板保持構件(未圖示)，藉由直進移動機構(未圖示)來使滑塊92移動於搬送方向(X方向)，藉此構成可在平台80上進行基板G的浮上搬送。
阻劑噴嘴84是在平台80的上方橫渡於與搬送方向(X方向)正交的水平方向(Y方向)延伸的長型噴嘴，可在預定的塗佈位置對通過其正下方的基板G上面藉由細縫狀的吐出口來帶狀地吐出阻劑液。並且，阻劑噴嘴84是構成可與支持此噴嘴的噴嘴支持構件94一體移動於X方向，且可升降於Z方向，可在上述塗佈位置與噴嘴更新部86之間移動。
噴嘴更新部86是在平台80上方的預定位置保持於支柱構件96，具備：作為塗佈處理的預先準備，使阻劑液從阻劑噴嘴84吐出的打底(priming)處理部98、及用以除去附著於阻劑噴嘴84的阻劑吐出口附近的阻劑之噴嘴洗淨機構102。
在如此構成的阻劑塗佈單元(COT)44中，首先，藉由前段的第1熱的處理部28例如以滾子搬送所送來的基板G會被搬入至設定於平台80上的前端側的搬入部，在此待機的滑塊92會保持基板G而接收。在平台80上基板G是接受由氣體噴射口88所噴射的氣體(空氣)的壓力來以大致水平的姿勢保持浮上狀態。
然後，滑塊92會一邊保持基板G一邊往減壓乾燥單元(VD)46側移動於搬送方向(X方向)，當基板G通過阻劑噴嘴84的下面時，阻劑噴嘴84會朝基板G的上面帶狀地吐出阻劑液，藉此可在基板G上從基板前端往後端鋪設地毯般地將阻劑液的液膜形成於一面。
如此被塗佈阻劑液的基板G，之後也藉由滑塊92在平台80上浮上搬送，超過平台80的後端後轉乘於後述的滾子搬送路104，在此利用滑塊92的保持會被解除。轉乘於滾子搬送路104的基板G，從此先如後述般在滾子搬送路104上以滾子搬送來移動，搬入至後段的減壓乾燥單元(VD)46。
其次，詳細說明有關本發明的減壓乾燥裝置的減壓乾燥單元(VD)46。
如圖3所示，在阻劑塗佈單元(COT)44的平台80的延長上(下游側)鋪設有構成第1平流搬送路34的一部分或一區間的滾子搬送路104。此滾子搬送路104是在減壓乾燥單元(VD)46的腔室106之中及外(前後)連續鋪設。
更詳細，此減壓乾燥單元(VD)46的滾子搬送路104是由：鋪設於腔室106的搬送上游側亦即搬入側的搬入側滾子搬送路104a、及鋪設於腔室106內的內部滾子搬送路104b、及鋪設於腔室106的搬送下游側亦即搬出側的搬出側滾子搬送路104c所構成。
各滾子搬送路104a、104b、104c是藉由各獨立或共通的搬送驅動部來使各個以適當的間隔配置於搬送方向(X方向)的複數個滾子108a、108b、108c旋轉，而使能夠以滾子搬送基板G於搬送方向(X方向)。在此，搬入側滾子搬送路104a是接受從阻劑塗佈單元(COT)44的平台80以浮上搬送的延長所搬出的基板G，藉滾子搬送來送入減壓乾燥單元(VD)46的腔室106內之機能。
內部滾子搬送路104b是具有以同速度的滾子搬送來將從搬入側滾子搬送路104a以滾子搬送所送來的基板G引入至腔室106內，且將腔室106內減壓乾燥處理完成的基板G以滾子搬送來送出至腔室106外的機能。搬出側滾子搬送路104c是具有以和從腔室106內的內部滾子搬送路104b中送出來的處理完成的基板G同速度的滾子搬送抽出，送至後段的處理部(第2熱的處理部32)的機能。
如圖3～圖5所示，減壓乾燥單元(VD)46的腔室106是形成比較偏平的長方體，具有其中可水平收容基板G的空間。在此腔室106的搬送方向(X方向)彼此相向的一對(上游側及下游側)的腔室側壁分別設有形成基板G剛好可平流通過的大小之細縫狀的搬入口110及搬出口112。而且，用以開閉該等的搬入口110及搬出口112的閘機構114，116會被安裝於腔室106的外壁。另外，腔室106的上面部是形成可拆卸於維修用。
在腔室106內，構成內部滾子搬送部104b的滾子108b是在對應於搬出入口110、112的高度位置，取適當的間隔來一列配置於搬送方向(X方向)，一部分或全部的滾子108b會經由適當的傳動機構來連接至設於腔室106外的馬達等的旋轉驅動源120。
如圖4所示，各滾子108b是構成以外徑一樣的圓筒部或圓柱部來接觸於基板G的背面之棒體，其兩端部可旋轉地被腔室106的左右兩側壁或設於其附近的軸承(未圖示)所支持。傳動機構的旋轉軸122所貫通之腔室106的外壁部分是以密封構件124來密封。
又，如圖5所示，此減壓乾燥單元(VD)46是具備用以在腔室106內大致水平支撐基板G而上升下降的複數個升降銷128。複數的升降銷128是在腔室106內以預定的配置圖案配列，各升降銷128可藉由分別對應的升降機構126(升降銷升降手段)來升降於鉛直方向。升降機構126是例如使用汽缸驅動或滾珠螺桿(ball screw)驅動方式。
更詳細是如圖4、圖5所示，在相鄰接的2根滾子108b間的間隙，沿著基板搬送方向(X方向)，複數根，此實施形態是3根的升降銷128會配置成可分別升降於鉛直方向。
並且，藉由該等3根的升降銷128來構成作為1個群組的銷單元129。上述銷單元129是例如圖4所示，在X方向及Y方向分別排列有複數單元(圖是各7單元)，藉此，在腔室106內，升降銷128會形成矩陣狀配列的狀態。
各升降銷128是如圖5所示具有藉由升降機構126來升降動作的直線棒狀的銷本體128a、及從該銷本體128a的上端突出至鉛直上方的銷尖端部128b。
銷本體128a是構成例如不鏽鋼(SUS)所構成的剛體的中空管。又，銷尖端部128b是例如藉由PEEK(polyetheretherketone；聚醚醚酮)等的樹脂所形成，形成非常細前端成圓的形狀，可構成對基板G以極小面積來點接觸支持。
又，銷本體128a是經由密封構件134來對腔室106的底壁氣密貫通，且如上述般可藉由升降機構126來升降。
又，各升降銷128是例如圖6所示，在銷尖端部128b內具備致冷元件(Peltier device)131，對此致冷元件131藉由電流供給控制手段132來供給預定的電流，以銷尖端部128b能夠形成預定的溫度之方式進行調整(亦即，藉由致冷元件131及電流供給控制手段132來構成升降銷溫調手段)。
具體而言，構成各銷單元129的3根升降銷128的銷尖端部128b是被設定成各個相異的溫度。例如，將3根的升降銷128如圖6所示，分別設為銷A、銷B、銷C，則銷A是與玻璃基板G的初期溫度同23℃，銷B是較低的21℃，銷C是更低的17℃，控制成維持各個的溫度。
並且，各銷單元129的升降銷128是分別獨立的升降驅動控制，因此在各銷單元129中，可控制成3根的升降銷128的任一根突出至上方來支持玻璃基板G。
亦即，全銷單元129的各銷A、或銷B、或銷C(升降銷128相當)，所分別對應的升降機構126會被執行以同一時序來使對升降銷128的同一行程(stroke)的前進(上昇)或後退(下降)驅動一起進行的控制。此時，各銷A、或銷B、或銷C，可使銷尖端端的高度一致，如圖5所示般，在銷尖端端比滾子搬送路104b更低的下降位置、及銷尖端端比滾子搬送路104b更高的上昇位置之間，升降移動。
而且，在腔室106的底壁形成有1處或複數處的排氣口138。在該等的排氣口138是經由排氣管140來連接真空排氣裝置142(減壓手段)。各真空排氣裝置142是具有用以將腔室106內從大氣壓狀態抽真空而維持預定的真空度的減壓狀態之真空泵(未圖示)。另外，為了使該等複數的真空排氣裝置142的排氣能力的偏差平均化，亦可使用排氣管(未圖示)來聯繫各個的排氣管140彼此間。
並且，在腔室106內的兩端部，亦即接近搬入口110及搬出口112，比滾子搬送路104b更低的位置，設有延伸於Y方向的圓筒狀的氮氣體噴出部144。該等的氮氣體噴出部144是例如由燒結金屬粉末而成的多孔質的中空管所構成，經由配管146(圖4)來連接至氮氣體供給源(未圖示)。在減壓乾燥處理的終了後，腔室106會從管的全周面噴出氮氣體。
而且，在腔室106內的大致中央，設有用以檢測出室內的環境壓之氣壓感測器135(氣壓檢出手段)。此氣壓感測器135是例如可使用膜片壓力計(diaphragm gauge)，其係根據靜電容(electrostatic capacity)的變化來檢測出膜片(隔膜)的變形，求取壓力。
並且，在減壓乾燥單元(VD)46設有進行其動作控制之由電腦及記憶裝置等所構成的控制裝置133(控制手段)，可根據所被實行的電腦程式來對閘機構114、116、旋轉驅動源120、各銷單元129的升降機構126、真空排氣裝置142、電流供給控制手段132等各個進行驅動控制。
又，藉由上述氣壓感測器135所檢測出的信號是被輸出至上述控制裝置133，控制裝置133可根據所被檢測出的腔室室內的壓力，來驅動控制各銷單元129的升降機構126。
詳細，控制裝置133是參照預先記錄於所具備的記憶部133a(記憶手段)之顯示腔室室內的壓力與基板G的溫度(溫度範圍)的相關之變換表，轉換被溫調成各個相異的溫度之升降銷128。
舉具體的例子，在控制裝置133內的記憶部133a中，記錄有根據事前的測定之變換表T(參照圖7)，其內容係「腔室106內的氣壓從大氣壓減壓至53088.5Pa的期間，基板G的溫度是位於第一基板溫度範圍(例如23℃以上25℃未滿)，腔室106內的氣壓從53088.4Pa減壓至293.9Pa的期間，基板G的溫度是位於第二基板溫度範圍(例如21℃以上23℃未滿)，腔室106內的氣壓從293.8Pa減壓至19.5Pa的期間，基板G的溫度是位於第三基板溫度範圍(例如17℃以上21℃未滿)」。
控制裝置133是具有作為基板溫度範圍檢出手段的機能，根據藉由上述氣壓感測器135所檢測出的腔室106內的氣壓值，參照記錄於上述記憶部133a的變換表T，檢測出該時的基板G的基板溫度範圍。
然後，控制裝置133會在各銷單元129中進行控制，而使能夠藉由被溫調成含於上述檢測出的基板溫度範圍的預定溫度的銷A(23℃)、銷B(21℃)、銷C(17℃)的其中任一個升降銷128來支持基板G。
接著，根據圖8的流程及圖9的升降銷動作遷移圖來說明有關此減壓乾燥單元(VD)46的動作。
在上游的阻劑塗佈單元(COT)44塗佈阻劑液的基板G是藉由平流搬送來從平台80上的浮上搬送路移載至搬入側滾子搬送路104a上。
然後，基板G是在搬入側滾子搬送路104a上以滾子搬送移動，在減壓乾燥單元(VD)46的腔室106之中，從其搬入口110進入(圖8的步驟ST1)。此時，藉由閘機構114，搬入口110是成開啟的狀態。
內部滾子搬送路104b亦藉由旋轉驅動源120的旋轉驅動，進行與搬入側滾子搬送路104a的滾子搬送動作合時序的同一搬送速度的滾子搬送動作，如圖5所示，將從搬入口110進入的基板G以滾子搬送來引入至腔室106內部。此時，全部的升降機構126是使在全部的升降銷128的各銷尖端端比內部滾子搬送路104b的搬送面更低的下降位置待機。
然後，一旦基板G到達腔室106內的大致中心的位置，則於此內部滾子搬送路104b的滾子搬送動作會停止。同時或之前搬入側滾子搬送路104a的滾子搬送動作也可停止。
如此一來，在阻劑塗佈單元(COT)44被塗佈阻劑液而來的基板G會藉由搬入側滾子搬送路104a及內部滾子搬送路104b上的連續性的滾子搬送來搬入至減壓乾燥單元(VD)46的腔室106。緊接著，閘機構114、116會作動，分別關閉至今開啟的搬入口110及搬出口112，密閉腔室106。
另一方面，一旦腔室106被密閉，則真空排氣裝置142會作動，將腔室106內真空排氣至預定的真空度(圖8的步驟ST2)。如此一來，在腔室106內，基板G會被放置於減壓環境中，藉此基板G上的阻劑液膜會在常溫下效率佳適度地乾燥。
並且，藉由氣壓感測器135所檢測出的電氣信號會經常被輸入至控制裝置133，在控制裝置133開始腔室106內的氣壓監控，根據所被檢測出的氣壓值，檢測出該時的基板G溫度作為預定的基板溫度範圍(圖8的步驟ST3)。另外，上述基板溫度範圍是例如第一~第三的3個基板溫度範圍的其中之一，第一基板溫度範圍是包含所被搬入的基板G的初期溫度，例如23℃以上25℃未滿，第二基板溫度範圍是更低，例如21℃以上23℃未滿，第三基板溫度範圍是例如17℃以上21℃未滿。
又，藉由圖6所示的電流供給控制手段132，在全部的銷單元129的各升降銷128中，對銷尖端部128b的致冷元件131供給預定的電流，以銷尖端部128b能夠成為每個銷A~C所被預先設定的預定溫度之方式調整(圖8的步驟ST4)。具體而言，例如相當於銷A的升降銷128 會被設定於上述第一基板溫度範圍(包含所被搬入的基板G的初期溫度)所含的23℃，相當於銷B的升降銷128會被設定於更低溫的上述第二基板溫度範圍所含的21℃，相當於銷C的升降銷128會被設定於更低溫的上述第三基板溫度範圍所含的17℃。
其次，根據在控制裝置133中所被實行的電腦程式的預定算法來進行升降銷128的升降控制。
亦即，在全部的銷單元129中，3根的升降銷128(銷A、銷B、銷C)之中，相當於被設定於近似所被搬入的基板G的初期溫度的23℃之銷A的升降銷128的升降機構126會驅動。然後，以該銷尖端端能夠超過內部滾子搬送路104b的搬送面的預定高度位置之方式，銷本體128a僅預定的行程(stroke)上昇。
藉此，基板G會從內部滾子搬送路104b保持水平姿勢，移載至相當於銷A的升降銷128的銷尖端部128b，如圖9(a)所示，就那樣往內部滾子搬送路104b的上方舉起(圖8的步驟ST5)。
此時，接觸於基板G的銷尖端部128b是以極小面積來接觸於基板G，被設定成與基板G的溫度(約23℃)大致相同，因此不會有銷尖端部128b的痕跡轉印至基板G的情形。
在此，若減壓乾燥處理進行，腔室室內的氣壓減壓，而下降至第一氣壓(例如53088.4Pa)，則控制裝置133判斷基板溫度移至上述第二基板溫度範圍(圖8的步驟 ST6)。
然後，在全部的銷單元129中，驅動相當於被調溫成上述第二基板溫度範圍所含的21℃的銷B之升降銷128，使該銷尖端端上昇至超過內部滾子搬送路104b的搬送面的預定高度位置。並且，與銷B的銷尖端部128b到達該預定的高度位置同時，使銷A的銷尖端部128b下降。
藉此，支持基板G的升降銷128，如圖9(b)所示，從銷A轉換成銷B(圖8的步驟ST7)。此時，接觸於基板G的銷尖端部128b是以極小面積在與銷A相異之處接觸於基板G，被設定成與隨著腔室內的減壓而溫度降低的基板G溫度(約21℃)大致相同，因此不會有銷尖端部128b的痕跡轉印至基板G的情形。
又，若減壓乾燥處理進行，腔室室內下降至第二氣壓(例如293.8Pa)，則控制裝置133判斷基板溫度移至上述第三基板溫度範圍(圖8的步驟ST8)。
然後，在全部的銷單元129中，驅動相當於被溫調成上述第三基板溫度範圍所含的17℃的銷C之升降銷128，使該銷尖端端上昇至超過內部滾子搬送路104b的搬送面的預定高度位置。並且，與銷C的銷尖端部128b到達其預定的高度位置同時，使銷B的銷尖端部128b下降。
藉此，支持基板G的升降銷128，如圖9(c)所示，從銷B轉換成銷C(圖8的步驟ST9)。此時，接觸於基板G的銷尖端部128b是以極小面積在與銷B相異之處接觸於基板G，被設定成隨著腔室內的減壓而溫度降低的基 板G溫度(約17℃)大致相同，因此不會有銷尖端部128b的痕跡轉印至基板G的情形。
又，若減壓乾燥處理進行，腔室室內下降至第三氣壓(例如19.5Pa)，則控制裝置133判斷減壓乾燥處理終了，使真空排氣裝置142的排氣動作停止(圖8的步驟ST10)。取而代之，氮氣體噴出部144會對腔室106內流入氮氣體。然後，室內的壓力上昇至大氣壓之後，閘機構114，116會作動而開啟搬入口110及搬出口112。
前後，控制裝置133是在全部的銷單元129中，驅動相當於銷C的升降銷128的升降機構126，使該銷尖端端下降至比內部滾子搬送路104b的搬送面更下方的預定待機位置的高度位置。藉由此升降機構126的下降動作，基板G是以水平姿勢從升降銷128的銷尖端移載至內部滾子搬送路104b。
然後，緊接著在內部滾子搬送路104b及搬出側滾子搬送路104c上開始滾子搬送動作，剛接受減壓處理的基板G會從搬出口112搬出至滾子搬送，就那樣以平流送至後段的第2熱的處理部32(圖8的步驟ST11)。
另外，亦可與該處理完成基板G的搬出動作同時，來自阻劑塗佈單元(COT)44的後續基板G藉由搬入側滾子搬送路104a及內部滾子搬送路104b上的連續性的滾子搬送來從搬入口110搬入至腔室106內。
若像以上那樣根據本發明的基板處理裝置的實施形態，則在減壓乾燥單元(VD)46中，支持基板G的升降銷 128會以能夠成為被調整成近似於基板溫度的溫度的銷之方式進行轉換控制，隨著該轉換，升降銷128與基板G的接觸處會轉換。
亦即，即使減壓乾燥處理之間、腔室內的氣壓或溫度變化，還是可經常藉由被溫調成與基板溫度大致相同的溫度的升降銷128來支持基板G，且無基板G的同一處長時間升降銷128接觸的情形。因此，可極力縮小升降銷128對基板G的影響，可防止升降銷128轉印至基板G。
另外，在上述實施形態中，是監控腔室106內的氣壓，根據預先記錄的氣壓與基板溫度範圍的相關關係(變換表)來轉換升降銷128，但亦可為其他的方法，例如在腔室106內設置放射溫度計(基板溫度檢出手段)，藉此直接測定基板G的溫度，根據該測定溫度，參照變換表(此情況用以將基板溫度區分成預定的基板溫度範圍者)，轉換升降銷128。
或，亦可根據預先記錄時間經過與基板溫度範圍的相關關係之變換表，依時間經過來轉換升降銷128。
並且，在上述實施形態中，是藉由致冷元件131及電流供給控制手段132來構成升降銷溫調手段，但並非限於此，亦可使升降銷溫調手段構成為藉由在銷尖端部128b內流動溫水來溫調成預定溫度者。
〔實施例〕
接著，根據實施例更說明有關本發明的減壓乾燥裝置 。本實施例是使用上述實施形態所示構成的減壓乾燥裝置，實際進行實驗，藉此來檢證其效果。
首先，為了設定使用於支持銷轉換控制的基板溫度範圍，而進行以預定的排氣速度(流量)來將腔室內從大氣壓減壓至減壓目標值(19.5Pa)的處理，求取腔室內的減壓推移曲線。其結果，可取得圖11中圖表所示的結果。在圖11中，橫軸是經過時間(sec)，縱軸是氣壓值(Pa)。
如圖11所示，從大氣壓(1000000Pa)到目標值(19.5Pa)的減壓推移，是在從大氣壓到53088.4Pa的期間、從53088.4Pa到293.8Pa的期間、從293.8Pa到目標值(19.5Pa)的期間，各個減壓梯度有所不同。
根據此結果，與上述實施形態同樣地，將腔室內的氣壓為大氣壓~53088.4Pa的期間的基板溫度設為第一基板溫度範圍(23℃以上25℃未滿)，將腔室內的氣壓為53088.4Pa~293.8Pa的期間的基板溫度設為第二基板溫度範圍(21℃以上23℃未滿)，將腔室內的氣壓為293.8Pa~19.5Pa的期間的基板溫度設為第三基板溫度範圍(17℃以上21℃未滿)。
並且，在第一基板溫度範圍中，將使用於基板支持的升降銷的溫度設為23℃，在第二基板溫度範圍中，將使用於基板支持的升降銷的溫度設為21℃，在第三基板溫度範圍中，將使用於基板支持的升降銷的溫度設為17℃。
實驗是與上述實施形態同樣地搬入被塗佈阻劑的基板，而實施減壓乾燥處理，另一方，一邊監控腔室內的氣壓，一邊檢測出基板溫度範圍，轉換支持基板的升降銷。
然後，觀察減壓乾燥處理後所被搬出的基板之與升降銷的接觸處，檢證是否發生轉印。其結果，未被確認出升降銷的轉印。
以上的實施例的結果，可確認若利用本發明的減壓乾燥裝置，則可防止支持基板之銷的轉印。
10．．．塗佈顯像處理系統
30．．．塗佈製程部
46．．．減壓乾燥單元(減壓乾燥裝置)
104．．．滾子搬送路
106．．．腔室
126．．．升降機構(升降銷升降手段)
128．．．升降銷
128a．．．銷本體
128b．．．銷尖端部
129．．．銷單元
133．．．控制裝置(控制手段、基板溫度範圍檢出手段)
133a．．．記憶部(記憶手段)
135．．．氣壓感測器(氣壓檢出手段)
142．．．真空排氣裝置(減壓手段)
G．．．基板
圖1是具備本發明的減壓乾燥裝置之塗佈顯像處理系統的平面圖。
圖2是表示圖1的塗佈顯像處理系統的基板處理的流程的流程圖。
圖3是表示圖1的塗佈顯像處理系統所具備的塗佈製程部的全體構成的平面圖。
圖4是圖3的塗佈製程部所具備的減壓乾燥單元的平面圖。
圖5是減壓乾燥單元的剖面圖。
圖6是減壓乾燥單元的部分擴大剖面圖。
圖7是模式地表示使用於銷升降控制的變換表的表。
圖8是表示減壓乾燥單元的動作流程圖。
圖9是減壓乾燥單元的升降銷動作遷移圖。
圖10是表示以往的減壓乾燥單元的概略構成的剖面圖。
圖11是表示在實施例所使用之腔室內的減壓推移曲線的圖表。
46．．．減壓乾燥單元(減壓乾燥裝置)
104、104a、104b、104c．．．滾子搬送路
106．．．腔室
108a、108b、108c．．．複數個滾子
110．．．搬入口
112．．．搬出口
114、116．．．閘機構
126．．．升降機構(升降銷升降手段)
128．．．升降銷
128a．．．銷本體
128b．．．銷尖端部
129．．．銷單元
133．．．控制裝置(控制手段、基板溫度範圍檢出手段)
133a．．．記憶部(記憶手段)
134．．．密封構件
135．．．氣壓感測器(氣壓檢出手段)
138．．．排氣口
140．．．排氣管
142．．．真空排氣裝置(減壓手段)
144．．．氮氣體噴出部
G．．．基板

Claims (4)

  1. 一種減壓乾燥裝置，係對被塗佈處理液的被處理基板進行上述處理液的減壓乾燥處理，形成塗佈膜之減壓乾燥裝置，其特徵係具備：腔室，其係收容上述被處理基板；減壓手段，其係將上述腔室內減壓；複數的升降銷，其係配列於上述腔室內，從下方來支持上述被處理基板；升降銷升降手段，其係將複數根的上述升降銷設為群組單位，使各群組內的升降銷分別獨立升降；基板溫度範圍檢出手段，其係將隨著減壓乾燥處理而變化的上述基板的溫度分段成預定的溫度範圍來檢測出；升降銷溫調手段，其係對上述群組內的各升降銷，將該銷之與上述基板的接觸部設定成藉由上述基板溫度範圍檢出手段所檢測出的溫度範圍所分別含的預定溫度；及控制手段，其係進行上述升降銷升降手段的驅動控制，上述控制手段係根據藉由上述基板溫度範圍檢出手段所檢測出的溫度範圍，以被溫調成該溫度範圍所含的預定溫度之上述升降銷來支持上述被處理基板的方式進行上述升降銷升降手段的驅動控制。
  2. 如申請專利範圍第1項之減壓乾燥裝置，其中，具備：氣壓檢出手段，其係檢測出上述腔室內的氣壓；記憶手段，其係記錄顯示上述腔室內的氣壓與上述基板溫度範圍的相關關係的變換表，上述基板溫度範圍檢出手段係根據上述氣壓檢出手段所檢測出的腔室內的氣壓，參照上述變換表，以預定的溫度範圍作為檢出結果輸出。
  3. 如申請專利範圍第1項之減壓乾燥裝置，其中，具備：基板溫度檢出手段，其係檢測出被配置於上述腔室內的被處理基板的溫度；及記憶手段，其係記錄將藉由上述基板溫度檢出手段所檢測出的基板溫度區分成預定的基板溫度範圍的變換表，上述基板溫度範圍檢出手段係根據上述基板溫度檢出手段所檢測出的基板溫度，參照上述變換表，以預定的溫度範圍作為檢出結果輸出。
  4. 如申請專利範圍第1項之減壓乾燥裝置，其中，具備記憶手段，其係記錄顯示減壓乾燥處理的經過時間與上述基板溫度範圍的相關關係的變換表，上述基板溫度範圍檢出手段係根據減壓乾燥處理的經過時間，參照上述變換表，以預定的溫度範圍作為檢出結果輸出。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201207442A (en) 2009-12-25 2012-02-16 Mitsui Chemicals Inc Polarizing diffusion film, method for fabricating the same, and liquid crystal display apparatus including the same
KR101099555B1 (ko) * 2010-01-12 2011-12-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN102633442B (zh) * 2012-04-19 2015-12-09 深圳市华星光电技术有限公司 温控针支撑基板进行配向膜预干燥的装置及方法
CN102745889B (zh) * 2012-07-03 2015-02-25 深圳市华星光电技术有限公司 对玻璃基板进行烤焙处理的装置及方法
US9206065B2 (en) 2012-07-03 2015-12-08 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Apparatus and method for baking glass substrate
CN104296520A (zh) * 2013-07-17 2015-01-21 上海和辉光电有限公司 真空干燥腔室排气系统及方法
CN105080803B (zh) * 2015-08-21 2018-08-07 京东方科技集团股份有限公司 基板承载结构、减压干燥设备及减压干燥方法
JP6797063B2 (ja) * 2017-04-14 2020-12-09 東京エレクトロン株式会社 ピン制御方法及び基板処理装置
CN108761872A (zh) * 2018-04-11 2018-11-06 深圳市华星光电技术有限公司 一种用于基板上的支撑针及支撑件
JP6808690B2 (ja) * 2018-07-25 2021-01-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 減圧乾燥装置、基板処理装置および減圧乾燥方法
DE102018009630A1 (de) * 2018-12-11 2020-06-18 Vat Holding Ag Stifthubvorrichtung mit Temperatursensor

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0791828A (ja) * 1993-09-24 1995-04-07 Kurosaki Rokogyo Kk 真空乾燥制御方法及びその制御装置
JP2003314955A (ja) * 2002-04-18 2003-11-06 Canon Inc 真空乾燥装置
JP2006302980A (ja) * 2005-04-18 2006-11-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 減圧乾燥装置

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