JP2009295817A - 減圧乾燥装置 - Google Patents

Abstract

【課題】被処理基板を支持するピンの基板への転写を防止することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｇを収容するチャンバ１０６と、チャンバ１０６内を減圧する減圧手段１４２と、チャンバ１０６内に配列され、被処理基板Ｇを下方から支持する複数のリフトピン１２８と、リフトピン１２８の複数本をグループ単位として、各グループ内のリフトピン１２８をそれぞれ独立に昇降させるリフトピン昇降手段１２６と、減圧乾燥処理に伴い変化する基板Ｇの温度を、所定の温度範囲に区切って検出する基板温度範囲検出手段１３３と、前記グループ内のリフトピン１２８毎に、当該ピンにおける基板Ｇとの接触部を前記基板温度範囲検出手段１３３により検出された温度範囲に含まれる所定温度に設定するリフトピン温調手段１３１、１３２と、リフトピン昇降手段１２６の駆動制御を行う制御手段１３３とを備える。
【選択図】図５

Description

本発明は、フォトリソグラフィ工程において塗布膜を形成するために、処理液が塗布された被処理基板に減圧環境下で乾燥処理を施す減圧乾燥装置に関する。

例えばＦＰＤ（フラット・パネル・ディスプレイ）の製造においては、ガラス基板等の被処理基板に所定の膜を成膜した後、処理液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ工程により回路パターンを形成する。
前記レジスト膜の形成工程において、基板へのレジスト塗布後、減圧により塗布膜を乾燥させる減圧乾燥処理が行われる。
従来、このような減圧乾燥処理を行う装置としては、例えば図１０の断面図に示す特許文献１に開示の減圧乾燥ユニットがある。

図１０に示す減圧乾燥処理ユニットは、下部チャンバ６１と、上部チャンバ６２とが密着して、内部に処理空間が形成される。その処理空間には、被処理基板を載置するためのステージ６３が設けられている。ステージ６３には基板Ｇを載置するための複数の固定ピン６６が設けられている。
この減圧乾燥処理ユニットにおいては、被処理面にレジスト塗布された基板Ｇが搬入されると、基板Ｇはステージ６３上に固定ピン６６を介して載置される。
次いで下部チャンバ６１に上部チャンバ６２が密着し、基板Ｇは気密状態の処理空間内に置かれた状態となる。

次いで、処理空間内の雰囲気が排気口６４から排気され、所定の減圧雰囲気となされる。この減圧状態が所定時間、維持されることにより、レジスト液中のシンナー等の溶剤がある程度蒸発され、レジスト液中の溶剤が徐々に放出され、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥が促進される。
特開２０００−１８１０７９号公報

ところで従来、この減圧乾燥処理にあっては、基板を固定ピンにより支持すると、固定ピンの接触部の形状が基板に転写するため、画素配置される領域外をピンで支持し、転写の影響を回避する手段が多く採られてきた。
しかしながら、近年では、面取り形状が多様化し、画素領域外を支持出来ないという課題や、スクリーンサイズが大型化するに伴い、画素領域以外を固定ピンで支持しても、撓みが大きくなり、レジスト乾燥処理に悪影響を及ぼすという他の課題も生じていた。
このため、いずれの課題をも解決するには、画素領域内をピンで支持する必要があり、その場合であってもピンの転写を防止することのできる技術が求められていた。

尚、前記特許文献１に開示の減圧乾燥処理においては、レジスト塗布処理後にステージ６３の温度を調整し、基板Ｇに温度変化を与えないよう制御を行うことによって、固定ピン６６の基板Ｇへの転写を抑制している。
しかしながら、特許文献１に開示の方法にあっては、基板Ｇに対する減圧乾燥処理が施される間、基板Ｇの同一箇所をピンにより支持するため、ピンに接触する箇所と接触しない箇所とでレジストの乾燥速度に差違が生じ、ピンの転写が発生する虞があった。
また、基板Ｇの温度が変化しなくても、基板Ｇを支持するピンの温度がチャンバ内の減圧によって徐々に低下し、ピンと基板Ｇとの温度差が拡がって転写が発生する虞があった。

本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の乾燥処理を行い、塗布膜を形成する基板処理装置において、被処理基板を支持するピンの基板への転写を防止することのできる基板処理装置を提供することを目的とする。

前記した課題を解決するために、本発明に係る減圧乾燥装置は、処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥装置であって、前記被処理基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内を減圧する減圧手段と、前記チャンバ内に配列され、前記被処理基板を下方から支持する複数のリフトピンと、前記リフトピンの複数本をグループ単位として、各グループ内のリフトピンをそれぞれ独立に昇降させるリフトピン昇降手段と、減圧乾燥処理に伴い変化する前記基板の温度を、所定の温度範囲に区切って検出する基板温度範囲検出手段と、前記グループ内のリフトピン毎に、当該ピンにおける前記基板との接触部を前記基板温度範囲検出手段により検出された温度範囲にそれぞれ含まれる所定温度に設定するリフトピン温調手段と、前記リフトピン昇降手段の駆動制御を行う制御手段とを備え、前記制御手段は、前記基板温度範囲検出手段により検出された温度範囲に基づき、該温度範囲に含まれる所定温度に温調された前記リフトピンで前記被処理基板を支持するよう前記リフトピン昇降手段の駆動制御を行うことに特徴を有する。

このように構成することにより、被処理基板を支持するリフトピンが、基板温度に近似する温度に調整されたピンとなるよう切り替え制御がなされ、また、その切り替えに伴いリフトピンと基板との接触箇所が切り替わる。
即ち、減圧乾燥処理の間、チャンバ内の気圧や温度が変化しても、常に、基板温度と略同じ温度に温調されたリフトピンによって基板を支持することができ、且つ、基板の同一箇所に長時間、リフトピンが接触することがない。このため、リフトピンの基板に対する影響を極力小さくすることができ、基板を支持するリフトピンの基板への転写を防止することができる。

また、前記チャンバ内の気圧を検出する気圧検出手段と、前記チャンバ内の気圧と前記基板温度範囲との相関関係を示す変換テーブルを記録した記憶手段とを備え、前記基板温度範囲検出手段は、前記気圧検出手段が検出したチャンバ内の気圧に基づき前記変換テーブルを参照し、所定の温度範囲を検出結果として出力することが望ましい。
このように構成することにより検出した気圧に基づき、容易に基板温度範囲を出力することができる。

或いは、前記チャンバ内に配置された被処理基板の温度を検出する基板温度検出手段と、前記基板温度検出手段により検出された基板温度を所定の基板温度範囲に仕分ける変換テーブルを記録した記憶手段とを備え、前記基板温度範囲検出手段は、前記基板温度検出手段が検出した基板温度に基づき前記変換テーブルを参照し、所定の温度範囲を検出結果として出力するようにしてもよい。
このように構成することにより検出した基板温度に基づき、容易に基板温度範囲を出力することができる。

また、或いは、減圧乾燥処理の経過時間と前記基板温度範囲との相関関係を示す変換テーブルを記録した記憶手段とを備え、前記基板温度範囲検出手段は、減圧乾燥処理の経過時間に基づき前記変換テーブルを参照し、所定の温度範囲を検出結果として出力するようにしてもよい。
このように構成することにより減圧乾燥処理の経過時間に基づき、容易に基板温度範囲を出力することができる。

本発明によれば、処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の乾燥処理を行い、塗布膜を形成する基板処理装置において、被処理基板を支持するピンの基板への転写を防止することのできる基板処理装置を得ることができる。

以下、本発明にかかる実施の形態につき、図に基づいて説明する。図１は、本発明に係る減圧乾燥装置を具備する塗布現像処理システムの平面図である。
この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ用のガラス基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィ工程中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。

塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容したカセットＣを搬入出するポートであり、水平な一方向（Ｙ方向）に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。

プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、水平なシステム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。
即ち、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向うプロセスラインＡには、搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４、洗浄プロセス部２６、第１の熱的処理部２８、塗布プロセス部３０および第２の熱的処理部３２が第１の平流し搬送路３４に沿って、上流側からこの順序で一列に配置されている。

より詳細には、搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４はカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２から未処理の基板Ｇを受け取り、所定のタクトで第１の平流し搬送路３４に投入するように構成されている。
洗浄プロセス部２６には、第１の平流し搬送路３４に沿って上流側から順にエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８が設けられている。

第１の熱的処理部２８には、上流側から順にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０および冷却ユニット（ＣＯＬ）４２が設けられている。塗布プロセス部３０には、上流側から順にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４および、本発明に係る減圧乾燥装置としての減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６が設けられている。

第２の熱的処理部３２には、上流側からプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８および冷却ユニット（ＣＯＬ）５０が設けられている。
第２の熱的処理部３２の下流側隣に位置する第１の平流し搬送路３４の終点にはパスユニット（ＰＡＳＳ）５２が設けられている。
第１の平流し搬送路３４上を平流しで搬送されてきた基板Ｇは、この終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８へ渡されるようになっている。

一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、現像ユニット（ＤＥＶ）５４、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８、検査ユニット（ＡＰ）６０および搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２が第２の平流し搬送路６４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。

ここで、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６および冷却ユニット（ＣＯＬ）５８は、第３の熱的処理部６６を構成する。搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の平流し搬送路６４から処理済みの基板Ｇを１枚ずつ受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２に渡すように構成されている。

また、両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間６８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル７０が図示しない駆動機構によってプロセスライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。

また、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、前記第１および第２の平流し搬送路３４、６４や隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置７２を有し、この搬送装置７２の周囲にロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４および周辺装置７６を配置している。ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４は、基板Ｇを水平面内で回転させるステージであり、露光装置１２との受け渡しに際して長方形の基板Ｇの向きを変換するために用いられる。周辺装置７６は、例えばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）や周辺露光装置（ＥＥ）等を第２の平流し搬送路６４に接続している。

図２に、この塗布現像処理システムにおける１枚の基板Ｇに対する全行程の処理手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上のいずれか１つのカセットＣから基板Ｇを取り出し、その取り出した基板Ｇをプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＡ側の搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４に搬入する（図２のステップＳ１）。搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４から基板Ｇは第１の平流し搬送路３４上に移載または投入される。

第１の平流し搬送路３４に投入された基板Ｇは、最初に洗浄プロセス部２６においてエキシマＵＶユニット（Ｅ−ＵＶ）３６およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８により紫外線洗浄処理およびスクラビング洗浄処理を順次施される（図２のステップＳ２、Ｓ３）。
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８は、平流し搬送路３４上を水平に移動する基板Ｇに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８における一連の洗浄処理を終えると、基板Ｇはそのまま第１の平流し搬送路３４を下って第１の熱的処理部２８に至る。

第１の熱的処理部２８において、基板Ｇは、最初にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０で蒸気状のＨＭＤＳを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される（図２のステップＳ４）。このアドヒージョン処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）４２で所定の基板温度まで冷却される（図２のステップＳ５）。この後も、基板Ｇは第１の平流し搬送路３４を下って塗布プロセス部３０へ搬入される。

塗布プロセス部３０において、基板Ｇは最初にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４で平流しのままスリットノズルを用いるスピンレス法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６で減圧による常温の乾燥処理を受ける（図２のステップＳ６）。

塗布プロセス部３０を出た基板Ｇは、第１の平流し搬送路３４を下って第２の熱的処理部３２に至る。第２の熱的処理部３２において、基板Ｇは、最初にプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを受ける（図２のステップＳ７）。

このプリベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発して除去され、基板に対するレジスト膜の密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５０で所定の基板温度まで冷却される（図２のステップＳ８）。しかる後、基板Ｇは、第１の平流し搬送路３４の終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８の搬送装置７２に引き取られる。

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、ロータリステージ７４で例えば９０度の方向転換を受けてから周辺装置７６の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（図２のステップＳ９）。

露光装置１２では、基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると、先ず周辺装置７６のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記録される（図２のステップＳ１０）。しかる後、基板Ｇは、搬送装置７２よりプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＢ側に敷設されている第２の平流し搬送路６４の現像ユニット（ＤＥＶ）５４の始点に搬入される。
こうして基板Ｇは、今度は第２の平流し搬送路６４上をプロセスラインＢの下流側に向けて搬送される。最初の現像ユニット（ＤＥＶ）５４において、基板Ｇは、平流しで搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される（図２のステップＳ１１）。

現像ユニット（ＤＥＶ）５４で一連の現像処理を終えた基板Ｇは、そのまま第２の平流し搬送路６４に乗せられたまま第３の熱的処理部６６および検査ユニット（ＡＰ）６０を順次通過する。第３の熱的処理部６６において、基板Ｇは、最初にポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける（図２のステップＳ１２）。

このポストベーキングによって、基板Ｇのレジスト膜に残存していた現像液や洗浄液が蒸発して除去され、基板に対するレジストパターンの密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８で所定の基板温度に冷却される（図２のステップＳ１３）。検査ユニット（ＡＰ）６０では、基板Ｇ上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる（図２のステップＳ１４）。

搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の平流し搬送路６４から全工程の処理を終えてきた基板Ｇを受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２へ渡す。カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２から受け取った処理済みの基板Ｇをいずれか１つ（通常は元）のカセットＣに収容する（図２のステップＳ１５）。

この塗布現像処理システム１０においては、塗布プロセス３０内の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６に本発明の減圧乾燥装置を適用することができる。
続いて、図３〜図６に基づき、本発明に係る好適な実施の形態における塗布プロセス部３０内の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の構成および作用を説明する。
図３は、塗布プロセス部３０の全体構成を示す平面図である。また、図４〜図６は減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の構成を示し、図４はその平面図、図５はその断面図、図６はその一部拡大断面図である。

図３において、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４は、第１の平流し搬送路３４（図１）の一部または一区間を構成する浮上式のステージ８０と、このステージ８０上で空中に浮いている基板Ｇをステージ長手方向（Ｘ方向）に搬送する基板搬送機構８２と、ステージ８０上を搬送される基板Ｇの上面にレジスト液を供給するレジストノズル８４と、塗布処理の合間にレジストノズル８４をリフレッシュするノズルリフレッシュ部８６とを有している。

ステージ８０の上面には所定のガス（例えばエア）を上方に噴射する多数のガス噴射口８８が設けられており、それらのガス噴出口８８から噴出されるガスの圧力によって基板Ｇがステージ上面から一定の高さに浮上するように構成されている。
基板搬送機構８２は、ステージ８０を挟んでＸ方向に延びる一対のガイドレール９０Ａ、９０Ｂと、これらガイドレール９０Ａ，９０Ｂに沿って往復移動可能なスライダ９２と、ステージ８０上で基板Ｇの両側端部を着脱可能に保持するようにスライダ９２に設けられた吸着パッド等の基板保持部材（図示せず）とを備えており、直進移動機構（図示せず）によりスライダ９２を搬送方向（Ｘ方向）に移動させることによって、ステージ８０上で基板Ｇの浮上搬送を行うように構成されている。

レジストノズル８４は、ステージ８０の上方を搬送方向（Ｘ方向）と直交する水平方向（Ｙ方向）に横断して延びる長尺型ノズルであり、所定の塗布位置でその直下を通過する基板Ｇの上面に対してスリット状の吐出口よりレジスト液を帯状に吐出するようになっている。また、レジストノズル８４は、このノズルを支持するノズル支持部材９４と一体にＸ方向に移動可能、かつＺ方向に昇降可能に構成されており、上記塗布位置とノズルリフレッシュ部８６との間で移動できるようになっている。

ノズルリフレッシュ部８６は、ステージ８０の上方の所定位置で支柱部材９６に保持されており、塗布処理のための下準備としてレジストノズル８４にレジスト液を吐出させるためのプライミング処理部９８と、レジストノズル８４のレジスト吐出口近傍に付着したレジストを除去するためのノズル洗浄機構１０２とを備えている。

このように構成されたレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４においては、先ず、前段の第１の熱的処理部２８により例えばコロ搬送で送られてきた基板Ｇがステージ８０上の前端側に設定された搬入部に搬入され、そこで待機していたスライダ９２が基板Ｇを保持して受け取る。ステージ８０上で基板Ｇはガス噴射口８８より噴射されるガス（エア）の圧力を受けて略水平な姿勢で浮上状態を保つ。

そして、スライダ９２が基板Ｇを保持しながら減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６側に向かって搬送方向（Ｘ方向）に移動し、基板Ｇがレジストノズル８４の下を通過する際に、レジストノズル８４が基板Ｇの上面に向けてレジスト液を帯状に吐出することにより、基板Ｇ上に基板前端から後端に向かって絨毯が敷かれるようにしてレジスト液の液膜が一面に形成される。

こうしてレジスト液を塗布された基板Ｇは、その後もスライダ９２によってステージ８０上を浮上搬送され、ステージ８０の後端を超えて後述するコロ搬送路１０４に乗り移り、そこでスライダ９２による保持が解除される。コロ搬送路１０４に乗り移った基板Ｇはそこから先は、後述するようにコロ搬送路１０４上をコロ搬送で移動して後段の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６へ搬入される。

次に本発明に係る減圧乾燥装置としての減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６について詳細に説明する。
図３に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４のステージ８０の延長上（下流側）には、第１の平流し搬送路３４の一部または一区間を構成するコロ搬送路１０４が敷設されている。このコロ搬送路１０４は、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６のチャンバ１０６の中と外（前後）で連続して敷設されている。

より詳しくは、この減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６のコロ搬送路１０４は、チャンバ１０６の搬送上流側つまり搬入側に敷設されている搬入側コロ搬送路１０４ａと、チャンバ１０６内に敷設されている内部コロ搬送路１０４ｂと、チャンバ１０６の搬送下流側つまり搬出側に敷設されている搬出側コロ搬送路１０４ｃとから構成されている。

各コロ搬送路１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃは、搬送方向（Ｘ方向）にそれぞれ適当な間隔で配置した複数本のコロ１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃを各独立または共通の搬送駆動部により回転させて、基板Ｇをコロ搬送で搬送方向（Ｘ方向）に送るようになされている。ここで、搬入側コロ搬送路１０４ａは、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４のステージ８０から浮上搬送の延長で搬出された基板Ｇを受け取り、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６のチャンバ１０６内へコロ搬送で送り込むように機能する。

内部コロ搬送路１０４ｂは、搬入側コロ搬送路１０４ａからコロ搬送で送られてくる基板Ｇを同速度のコロ搬送でチャンバ１０６内に引き込むとともに、チャンバ１０６内で減圧乾燥処理の済んだ基板Ｇをチャンバ１０６の外へコロ搬送で送り出すように機能する。搬出側コロ搬送路１０４ｃは、チャンバ１０６内の内部コロ搬送路１０４ｂ中から送り出されてくる処理済の基板Ｇと同速度のコロ搬送で引き出し、後段の処理部（第２の熱的処理部３２）へ送るように機能する。

図３乃至図５に示すように、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６のチャンバ１０６は、比較的偏平な直方体に形成され、その中に基板Ｇを水平に収容できる空間を有している。このチャンバ１０６の搬送方向（Ｘ方向）において互いに向き合う一対（上流側及び下流側）のチャンバ側壁には、基板Ｇが平流しでようやく通れる大きさに形成されたスリット状の搬入口１１０および搬出口１１２がそれぞれ設けられている。さらに、これらの搬入口１１０及び搬出口１１２を開閉するためのゲート機構１１４，１１６がチャンバ１０６の外壁に取り付けられている。尚、チャンバ１０６の上面部は、メンテナンス用に取り外し可能となされている。

チャンバ１０６内において、内部コロ搬送部１０４ｂを構成するコロ１０８ｂは、搬入出口１１０、１１２に対応した高さ位置で搬送方向（Ｘ方向）に適当な間隔をおいて一列に配置されており、一部または全部のコロ１０８ｂがチャンバ１０６の外に設けられているモータ等の回転駆動源１２０に適当な伝動機構を介して接続されている。
各コロ１０８ｂは、図４に示すように、基板Ｇの裏面に外径の一様な円筒部または円柱部で接触する棒体として構成されており、その両端部がチャンバ１０６の左右両側壁またはその付近に設けられた軸受（図示せず）に回転可能に支持されている。伝動機構の回転軸１２２が貫通するチャンバ１０６の外壁部分はシール部材１２４で封止されている。

また、図５に示すように、この減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６は、チャンバ１０６内で基板Ｇを略水平に支えて上げ下げするための複数のリフトピン１２８を備えている。複数のリフトピン１２８は、チャンバ１０６内に所定の配置パターンで配列され、各リフトピン１２８は、それぞれに対応するリフト機構１２６（リフトピン昇降手段）により鉛直方向に昇降可能となされている。リフト機構１２６は、例えばシリンダ駆動或いはボール螺子駆動方式が用いられる。

より詳細には、図４、図５に示すように、相隣接する２本のコロ１０８ｂ間の隙間に、基板搬送方向（Ｘ方向）に沿って複数本、この実施形態では３本のリフトピン１２８が鉛直方向にそれぞれ昇降可能に配置される。
また、それら３本のリフトピン１２８により１つのグループとしてのピンユニット１２９が構成されている。前記ピンユニット１２９は、例えば図４に示すように、Ｘ方向およびＹ方向に、それぞれ複数ユニット（図では７ユニットずつ）が並べられており、それによりチャンバ１０６内には、リフトピン１２８がマトリクス状に配列された状態となされている。

各リフトピン１２８は、図５に示すようにリフト機構１２６によって昇降動作する直線棒状のピン本体１２８ａと、そのピン本体１２８ａの上端から鉛直上方に突き出るピン先部１２８ｂとを有している。
ピン本体１２８ａは、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる剛体の中空管として構成されている。また、ピン先部１２８ｂは、例えばＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）等の樹脂により形成され、非常に細く先端が丸まった形状とされ、基板Ｇに対し極小面積で点接触して支持するように構成されている。
また、ピン本体１２８ａは、チャンバ１０６の底壁に対しシール部材１３４を介して気密に貫通し、且つ、前記のようにリフト機構１２６によって昇降可能となされている。

また、各リフトピン１２８は、例えば図６に示すように、ピン先部１２８ｂ内にペルチェ素子１３１を備えており、このペルチェ素子１３１に対し電流供給制御手段１３２によって所定の電流が供給され、ピン先部１２８ｂが所定温度となるように調整される（即ち、ペルチェ素子１３１と電流供給制御手段１３２によりリフトピン温調手段が構成される）。

具体的には、各ピンユニット１２９を構成する３本のリフトピン１２８のピン先部１２８ｂが、それぞれ異なる温度となるように設定される。例えば、３つのリフトピン１２８を図６に示すように、それぞれピンＡ、ピンＢ、ピンＣとすれば、ピンＡはガラス基板Ｇの初期温度と同じ２３℃、ピンＢはそれより低い２１℃、ピンＣはさらに低い１７℃となされ、それぞれの温度を維持するように制御される。

また、各ピンユニット１２９におけるリフトピン１２８は、それぞれ独立した昇降駆動制御がなされるため、各ピンユニット１２９においては、３本のリフトピン１２８のいずれか１本が上方に突出してガラス基板Ｇを支持するように制御がなされる。
即ち、全ピンユニット１２９におけるピンＡ、またはピンＢ、またはピンＣ（に相当するリフトピン１２８）ごとに、それぞれ対応するリフト機構１２６が、同一タイミングでリフトピン１２８に対する同一ストロークの前進（上昇）または後退（下降）駆動を一斉に行わせる制御がなされる。このとき、ピンＡ、またはピンＢ、またはピンＣごとに、ピン先端の高さを揃えて、図５に示すようにピン先端がコロ搬送路１０４ｂよりも低くなる下降位置と、ピン先端がコロ搬送路１０４ｂよりも高くなる上昇位置との間で、昇降移動が可能となされている。

また、チャンバ１０６の底壁には１箇所または複数箇所に排気口１３８が形成されている。これらの排気口１３８には排気管１４０を介して真空排気装置１４２（減圧手段）が接続されている。各真空排気装置１４２は、チャンバ１０６内を大気圧状態から真空引きして所定の真空度の減圧状態を維持するための真空ポンプ（図示せず）を有している。尚、それら複数の真空排気装置１４２の排気能力のばらつきを平均化するために、それぞれの排気管１４０同士を排気管（図示せず）で繋いでもよい。

また、チャンバ１０６内の両端部、つまり搬入口１１０および搬出口１１２の近くでコロ搬送路１０４ｂよりも低い位置に、Ｙ方向に延びる円筒状の窒素ガス噴出部１４４が設けられている。これらの窒素ガス噴出部１４４は、例えば金属粉末を焼結してなる多孔質の中空管からなり、配管１４６（図４）を介して窒素ガス供給源（図示せず）に接続されている。減圧乾燥処理の終了後にチャンバ１０６が管の全周面から窒素ガスを噴き出すようになっている。

また、チャンバ１０６内の略中央には、室内の雰囲気圧を検出する気圧センサ１３５（気圧検出手段）が設けられている。この気圧センサ１３５は、例えばダイアフラム（隔膜）の変形を静電容量の変化により検出し、圧力を求めるダイアフラムゲージを用いることができる。

また、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６には、その動作制御を行うコンピュータおよび記憶装置等からなる制御装置１３３（制御手段）が設けられ、実行されるコンピュータプログラムに基づき、ゲート機構１１４、１１６、回転駆動源１２０、各ピンユニット１２９のリフト機構１２６、真空排気装置１４２、電流供給制御手段１３２等のそれぞれに対し駆動制御を行うようになされている。

また、前記気圧センサ１３５により検出された信号は前記制御装置１３３に出力され、制御装置１３３は、検出されたチャンバ室内の圧力に基づき、各ピンユニット１２９のリフト機構１２６を駆動制御するようになされている。
詳しくは、制御装置１３３は、具備する記憶部１３３ａ（記憶手段）に予め記録された、チャンバ室内の圧力と基板Ｇの温度（温度範囲）との相関を示す変換テーブルを参照し、それぞれ異なる温度に温調されたリフトピン１２８を切り替える。

具体的な例を挙げると、制御装置１３３内の記憶部１３３ａには、「チャンバ１０６内の気圧が大気圧から５３０８８．５Ｐａに減圧する間、基板Ｇの温度は第一の基板温度範囲（例えば２３℃以上２５℃未満）にあり、チャンバ１０６内の気圧が５３０８８．４Ｐａから２９３．９Ｐａに減圧する間、基板Ｇの温度は第二の基板温度範囲（例えば２１℃以上２３℃未満）にあり、チャンバ１０６内の気圧が２９３．８Ｐａから１９．５Ｐａに減圧する間、基板Ｇの温度は第三の基板温度範囲（例えば１７℃以上２１℃未満）にある」旨の事前の測定に基づく変換テーブルＴ（図７参照）が記録されている。

制御装置１３３は、基板温度範囲検出手段として機能し、前記気圧センサ１３５により検出されたチャンバ１０６内の気圧値に基づき、前記記憶部１３３ａに記録された変換テーブルＴを参照し、そのときの基板Ｇの基板温度範囲を検出する。
そして、制御装置１３３は、各ピンユニット１２９において、前記検出した基板温度範囲に含まれる所定温度に温調されたピンＡ（２３℃）、ピンＢ（２１℃）、ピンＣ（１７℃）のいずれかのリフトピン１２９により基板Ｇを支持するよう制御を行うようになされている。

続いて、この減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の動作について図８のフロー及び、図９のリフトピン動作遷移図に基づいて説明する。
上流のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４でレジスト液を塗布された基板Ｇは、平流し搬送によりステージ８０上の浮上搬送路から搬入側コロ搬送路１０４ａ上に乗り移る。
その後、基板Ｇは、搬入側コロ搬送路１０４ａ上をコロ搬送で移動し、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６のチャンバ１０６の中に、その搬入口１１０から進入する（図８のステップＳＴ１）。このとき、ゲート機構１１４により搬入口１１０は開けた状態となされる。

内部コロ搬送路１０４ｂも、回転駆動源１２０の回転駆動により、搬入側コロ搬送路１０４ａのコロ搬送動作とタイミングの合った同一搬送速度のコロ搬送動作を行い、図５に示すように、搬入口１１０から入ってきた基板Ｇをコロ搬送でチャンバ１０６の奥に引き込む。このとき、全てのリフト機構１２６は、全てのリフトピン１２８の各ピン先端が内部コロ搬送路１０４ｂの搬送面よりも低くなる下降位置に待機させておく。
そして、基板Ｇがチャンバ１０６内の略中心の位置に着くと、そこで内部コロ搬送路１０４ｂのコロ搬送動作が停止する。これと同時または直前に搬入側コロ搬送路１０４ａのコロ搬送動作も停止してよい。

このようにして、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４でレジスト液を塗布されてきた基板Ｇが、搬入側コロ搬送路１０４ａおよび内部コロ搬送路１０４ｂ上の連続的なコロ搬送によって減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６のチャンバ１０６に搬入される。この直後に、ゲート機構１１４、１１６が作動して、それまで開けていた搬入口１１０および搬出口１１２をそれぞれ閉塞し、チャンバ１０６を密閉する。

一方、チャンバ１０６が密閉されると真空排気装置１４２が作動し、チャンバ１０６内を所定の真空度まで真空排気する（図８のステップＳＴ２）。こうして、チャンバ１０６内で基板Ｇが減圧雰囲気の中に置かれることで、基板Ｇ上のレジスト液膜が常温下で効率よく適度に乾燥することとなる。
また、気圧センサ１３５により検出された電気信号が制御装置１３３に常時入力され、制御装置１３３ではチャンバ１０６内の気圧のモニタリングを開始し、検出された気圧値に基づき、そのときの基板Ｇの温度を所定の基板温度範囲として検出する（図８のステップＳＴ３）。尚、前記基板温度範囲は、例えば第一から第三の３つの基板温度範囲のいずれかとなされ、第一の基板温度範囲は、搬入される基板Ｇの初期温度を含む例えば２３℃以上２５℃未満、第二の基板温度範囲はより低い例えば２１℃以上２３℃未満、第三の基板温度範囲は、例えば１７℃以上２１℃未満となされる。

また、図６に示した電流供給制御手段１３２により、全てのピンユニット１２９における各リフトピン１２８において、ピン先部１２８ｂのペルチェ素子１３１に所定の電流が供給され、ピン先部１２８ｂがピンＡ〜Ｃ毎に予め設定された所定温度となるように調整される（図８のステップＳＴ４）。具体的には、例えばピンＡに相当するリフトピン１２８が前記第一の基板温度範囲（搬入される基板Ｇの初期温度を含む）に含まれる２３℃、ピンＢに相当するリフトピン１２８がより低温の前記第二の基板温度範囲に含まれる２１℃、ピンＣに相当するリフトピン１２８がさらに低温の前記第三の基板温度範囲に含まれる１７℃に設定される。

次いで、制御装置１３３において実行されるコンピュータプログラムの所定のアルゴリズムに基づきリフトピン１２８の昇降制御が行われる。
即ち、全てのピンユニット１２９において、３本のリフトピン１２８（ピンＡ、ピンＢ、ピンＣ）のうち、搬入される基板Ｇの初期温度に近似する２３℃に設定されたピンＡに相当するリフトピン１２８のリフト機構１２６が駆動する。そして、そのピン先端が、内部コロ搬送路１０４ｂの搬送面を越える所定の高さ位置となるよう、ピン本体１２８ａが所定のストロークだけ上昇される。

これにより、基板Ｇは、内部コロ搬送路１０４ｂから水平姿勢のまま、ピンＡに相当するリフトピン１２８のピン先部１２８ｂに載り移り、図９（ａ）に示すように、そのまま内部コロ搬送路１０４ｂの上方に持ち上げられる（図８のステップＳＴ５）。
このとき、基板Ｇに接するピン先部１２８ｂは、極小面積で基板Ｇに接する上、基板Ｇの温度（約２３℃）とほぼ同じに設定されているため、基板Ｇにはピン先部１２８ｂの痕が転写することがない。

ここで、減圧乾燥処理が進行し、チャンバ室内の気圧が減圧して第一の気圧（例えば５３０８８．４Ｐａ）まで下がると、制御装置１３２は基板温度が前記第二の基板温度範囲に移ったと判断する（図８のステップＳＴ６）。
そして、全てのピンユニット１２９において、前記第二の基板温度範囲に含まれる２１℃に温調されたピンＢに相当するリフトピン１２８を駆動し、そのピン先端を内部コロ搬送路１０４ｂの搬送面を越える所定の高さ位置まで上昇させる。また、その所定の高さ位置までピンＢのピン先部１２８ｂが達すると同時に、ピンＡのピン先部１２８ｂを下降させる。

これにより、基板Ｇを支持するリフトピン１２８は、図９（ｂ）に示すように、ピンＡからピンＢに切り替わる（図８のステップＳＴ７）。このとき、基板Ｇに接するピン先部１２８ｂは、極小面積でピンＡとは異なる箇所で基板Ｇに接する上、チャンバ内の減圧に伴い温度が低下した基板Ｇの温度（約２１℃）とほぼ同じに設定されているため、基板Ｇにはピン先部１２８ｂの痕が転写することがない。

さらに減圧乾燥処理が進行し、チャンバ室内が第二の気圧（例えば２９３．８Ｐａ）まで下がると、制御装置１３２は基板温度が前記第三の基板温度範囲に移ったと判断する（図８のステップＳＴ８）。
そして、全てのピンユニット１２９において、前記第三の基板温度範囲に含まれる１７℃に温調されたピンＣに相当するリフトピン１２８を駆動し、そのピン先端を内部コロ搬送路１０４ｂの搬送面を越える所定の高さ位置まで上昇させる。また、その所定の高さ位置までピンＣのピン先部１２８ｂが達すると同時に、ピンＢのピン先部１２８ｂを下降させる。

これにより、基板Ｇを支持するリフトピン１２８は、図９（ｃ）に示すように、ピンＢからピンＣに切り替わる（図８のステップＳＴ９）。このとき、基板Ｇに接するピン先部１２８ｂは、極小面積でピンＢとは異なる箇所で基板Ｇに接する上、チャンバ内の減圧に伴い温度が低下した基板Ｇの温度（約１７℃）とほぼ同じに設定されているため、基板Ｇにはピン先部１２８ｂの痕が転写することがない。

さらに減圧乾燥処理が進行し、チャンバ室内が第三の気圧（例えば１９．５Ｐａ）まで下がると、制御装置１３３は、減圧乾燥処理が終了したと判断し、真空排気装置１４２による排気動作を停止させる（図８のステップＳＴ１０）。これと入れ代わりに、窒素ガス噴出部１４４がチャンバ１０６内に窒素ガスを流し込む。そして、室内の圧力が大気圧まで上がってから、ゲート機構１１４，１１６が作動して搬入口１１０および搬出口１１２を開ける。

これと前後し、制御装置１３２は全てのピンユニット１２９において、ピンＣに相当するリフトピン１２８のリフト機構１２６を駆動し、そのピン先端を内部コロ搬送路１０４ｂの搬送面よりも下方となる所定の待機位置の高さ位置まで下降させる。このリフト機構１２６の下降動作により、基板Ｇは水平姿勢でリフトピン１２８のピン先から内部コロ搬送路１０４ｂに載り移る。

そして、この直後に内部コロ搬送路１０４ｂおよび搬出側コロ搬送路１０４ｃ上でコロ搬送動作が開始され、減圧処理を受けたばかりの基板Ｇは搬出口１１２からコロ搬送によって搬出され、そのまま後段の第２の熱的処理部３２へ平流しで送られる（図８のステップＳＴ１１）。
尚、この処理済基板Ｇの搬出動作と同時に、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４からの後続の基板Ｇが、搬入側コロ搬送路１０４ａおよび内部コロ搬送路１０４ｂ上の連続的なコロ搬送によって搬入口１１０からチャンバ１０６内に搬入されてもよい。

以上のように本発明の基板処理装置に係る実施の形態によれば、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６において、基板Ｇを支持するリフトピン１２８が、基板温度に近似する温度に調整されたピンとなるよう切り替え制御がなされ、また、その切り替えに伴いリフトピン１２８と基板Ｇとの接触箇所が切り替わる。
即ち、減圧乾燥処理の間、チャンバ内の気圧や温度が変化しても、常に、基板温度と略同じ温度に温調されたリフトピン１２８によって基板Ｇを支持することができ、且つ、基板Ｇの同一箇所に長時間、リフトピン１２８が接触することがない。このため、リフトピン１２８の基板Ｇに対する影響を極力小さくすることができ、リフトピン１２８の基板Ｇへの転写を防止することができる。

尚、前記実施の形態においては、チャンバ１０６内の気圧をモニタリングし、予め記録した気圧と基板温度範囲との相関関係（変換テーブル）に基づいてリフトピン１２８を切り替えるようにしたが、他の方法として、例えば放射温度計（基板温度検出手段）をチャンバ１０６内に設けることによって基板Ｇの温度を直接測定し、その測定温度に基づき、変換テーブル（この場合、基板温度を所定の基板温度範囲に仕分けるためのもの）を参照し、リフトピン１２８を切り替えるようにしてもよい。
或いは、時間経過と基板温度範囲との相関関係を予め記録した変換テーブルに基づいて時間経過によってリフトピン１２８を切り替えるようにしてもよい。

また、前記実施の形態において、ペルチェ素子１３１と電流供給制御手段１３２によりリフトピン温調手段を構成したが、これに限定されず、リフトピン温調手段をピン先端１２８ｂ内に温水を流すことにより所定温度に温調する構成としてもよい。

続いて、本発明に係る減圧乾燥装置について、実施例に基づきさらに説明する。本実施例では、前記実施の形態に示した構成の減圧乾燥装置を用い、実際に実験を行うことにより、その効果を検証した。

先ず、支持ピン切り替え制御に用いる基板温度範囲を設定するために、所定の排気速度（流量）でチャンバ内を大気圧から減圧目標値（１９．５Ｐａ）まで減圧する処理を行い、チャンバ内における減圧推移カーブを求めた。その結果、図１１にグラフで示す結果が得られた。図１１において、横軸は経過時間（ｓｅｃ）、縦軸は気圧値（Ｐａ）である。
図１１に示すように大気圧（１００００００Ｐａ）から目標値（１９．５Ｐａ）までの減圧推移は、大気圧から５３０８８．４Ｐａまでの期間、５３０８８．４Ｐａから２９３．８Ｐａまでの期間、２９３．８Ｐａから目標値（１９．５Ｐａ）までの期間で、それぞれ減圧勾配が異なった。

この結果に基づき、前記実施の形態と同様に、チャンバ内の気圧が大気圧から５３０８８．４Ｐａまでの期間における基板温度を第一の基板温度範囲（２３℃以上２５℃未満）とし、チャンバ内の気圧が５３０８８．４Ｐａから２９３．８Ｐａまでの期間における基板温度を第二の基板温度範囲（２１℃以上２３℃未満）とし、チャンバ内の気圧が２９３．８Ｐａから１９．５Ｐａまでの期間における基板温度を第三の基板温度範囲（１７℃以上２１℃未満）とした。
また、第一の基板温度範囲において基板支持に用いるリフトピンの温度を２３℃とし、第二の基板温度範囲において基板支持に用いるリフトピンの温度を２１℃とし、第三の基板温度範囲において基板支持に用いるリフトピンの温度を１７℃とした。

実験では、前記実施の形態と同様にレジスト塗布された基板を搬入して減圧乾燥処理を施す一方、チャンバ内の気圧をモニタリングしながら基板温度範囲を検出し、基板を支持するリフトピンを切り替えた。
そして、減圧乾燥処理後に搬出された基板におけるリフトピンとの接触箇所を観察し、転写が発生しているか否かを検証した。その結果、リフトピンの転写は確認されなかった。
以上の実施例の結果、本発明の減圧乾燥装置によれば、基板を支持するピンの転写を防止することができることを確認した。

図１は、本発明に係る減圧乾燥装置を具備する塗布現像処理システムの平面図である。 図２は、図１の塗布現像処理システムの基板処理の流れを示すフローである。 図３は、図１の塗布現像処理システムが備える塗布プロセス部の全体構成を示す平面図である。 図４は、図３の塗布プロセス部が備える減圧乾燥ユニットの平面図である。 図５は、減圧乾燥ユニットの断面図である。 図６は、減圧乾燥ユニットの一部拡大断面図である。 図７は、ピン昇降制御に用いる変換テーブルを模式的に示した表である。 図８は、減圧乾燥ユニットの動作を示すフローである。 図９は、減圧乾燥ユニットにおけるリフトピン動作遷移図である。 図１０は、従来の減圧乾燥ユニットの概略構成を示す断面図である。 図１２は、実施例で用いたチャンバ内の減圧推移カーブを示すグラフである。

符号の説明

１０ 塗布現像処理システム
３０ 塗布プロセス部
４６ 減圧乾燥ユニット（減圧乾燥装置）
１０４ コロ搬送路
１０６ チャンバ
１２６ リフト機構（リフトピン昇降手段）
１２８ リフトピン
１２８ａ ピン本体
１２８ｂ ピン先部
１２９ ピンユニット
１３３ 制御装置（制御手段、基板温度範囲検出手段）
１３３ａ 記憶部（記憶手段）
１３５ 気圧センサ（気圧検出手段）
１４２ 真空排気装置（減圧手段）
Ｇ 基板

Claims (4)

1. 処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥装置であって、
   前記被処理基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内を減圧する減圧手段と、前記チャンバ内に配列され、前記被処理基板を下方から支持する複数のリフトピンと、前記リフトピンの複数本をグループ単位として、各グループ内のリフトピンをそれぞれ独立に昇降させるリフトピン昇降手段と、減圧乾燥処理に伴い変化する前記基板の温度を、所定の温度範囲に区切って検出する基板温度範囲検出手段と、前記グループ内のリフトピン毎に、当該ピンにおける前記基板との接触部を前記基板温度範囲検出手段により検出された温度範囲にそれぞれ含まれる所定温度に設定するリフトピン温調手段と、前記リフトピン昇降手段の駆動制御を行う制御手段とを備え、
   前記制御手段は、前記基板温度範囲検出手段により検出された温度範囲に基づき、該温度範囲に含まれる所定温度に温調された前記リフトピンで前記被処理基板を支持するよう前記リフトピン昇降手段の駆動制御を行うことを特徴とする減圧乾燥装置。
2. 前記チャンバ内の気圧を検出する気圧検出手段と、前記チャンバ内の気圧と前記基板温度範囲との相関関係を示す変換テーブルを記録した記憶手段とを備え、
   前記基板温度範囲検出手段は、前記気圧検出手段が検出したチャンバ内の気圧に基づき前記変換テーブルを参照し、所定の温度範囲を検出結果として出力することを特徴とする請求項１に記載された減圧乾燥装置。
3. 前記チャンバ内に配置された被処理基板の温度を検出する基板温度検出手段と、前記基板温度検出手段により検出された基板温度を所定の基板温度範囲に仕分ける変換テーブルを記録した記憶手段とを備え、
   前記基板温度範囲検出手段は、前記基板温度検出手段が検出した基板温度に基づき前記変換テーブルを参照し、所定の温度範囲を検出結果として出力することを特徴とする請求項１に記載された減圧乾燥装置。
4. 減圧乾燥処理の経過時間と前記基板温度範囲との相関関係を示す変換テーブルを記録した記憶手段とを備え、
   前記基板温度範囲検出手段は、減圧乾燥処理の経過時間に基づき前記変換テーブルを参照し、所定の温度範囲を検出結果として出力することを特徴とする請求項１に記載された減圧乾燥装置。

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