JP2011124431A - 基板処理装置、基板処理方法及びこの基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】装置コストを増大させることがなく、乾燥処理ユニットで乾燥して形成される塗布膜の膜厚のムラの発生を防止できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】搬送路３４と、被処理面に処理液が塗布処理された状態で搬送路３４を搬送されている基板Ｇの上方で、搬送路３４の搬送方向又は搬送方向と逆方向に流れる気流を形成し、気流により基板Ｇを乾燥処理する気流形成部１１０とを有する。気流形成部１１０は、搬送路３４を搬送されている基板Ｇの上方で気体を吐出する複数の吐出部材１２０と、搬送路３４を搬送されている基板Ｇの上方で気体を吸引する複数の吸引部材１４０とが、搬送方向に沿って交互に配列するように設けられてなる。吐出部材１２０は、気体を吐出する吐出口１２２と、吐出口１２２に気体を供給する供給系１１２と吐出口１２２とを接続する供給流路１２４とが形成されている。
【選択図】図５

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置、その基板処理装置における基板処理方法、及びこの基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体に関する。

液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製造においては、基板処理装置を用い、ガラス基板等の被処理基板（以下「基板」という。）上にレジスト（処理液）を塗布処理し、塗布処理した基板を加熱処理し、露光し、現像処理してレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー工程を行う。フォトリソグラフィー工程の中で、レジスト等（以下「処理液」という場合がある。）を塗布した後、レジスト中の残存溶剤を蒸発させる加熱処理つまりプリベーキングを即座に行うと、溶剤の蒸発が不均一になり、乾燥して形成される塗布膜の膜厚にムラが発生するという問題がある。これは、例えば加熱処理を行う加熱処理ユニット内で、基板と接触するリフトピン、支持ピンまたはバキューム溝等から熱的な影響を受けて溶剤の蒸発が基板面内で不均一になるためである。

そこで、レジストを塗布した後、プリベーキングに先立って、減圧雰囲気中で基板上のレジスト中の残存溶剤をある程度まで揮発させることでレジスト塗布膜の表面に固い層（一種の変質層）を形成する減圧乾燥処理が行われている。レジスト塗布膜の内部またはバルク部を液状に保ちつつ表層部のみを固化する減圧乾燥処理を行うことにより、プリベーキングの際にバルクレジストの流動を抑制して乾燥斑の発生を低減し、膜厚にムラが発生することを防止する。これによって、露光時におけるレジスト解像度が高くなる。

このような減圧乾燥を行う基板処理装置は、基板を減圧下に保持するためのチャンバよりなる減圧乾燥処理ユニットを有する（例えば特許文献１参照）。減圧乾燥処理ユニットのチャンバは、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバと、この下部チャンバの上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバとを有しており、下部チャンバの中にはステージが配設されている。このステージ上にレジストが塗布処理された基板を水平に載置し、チャンバを閉じて（上部チャンバを下部チャンバに密着させて）室内を排気して減圧状態にする。また、チャンバに基板を搬入出する際には、上部チャンバをクレーン等で上昇させてチャンバを開放し、さらには基板のローディング／アンローディングのためにステージをシリンダ等で適宜上昇させるようにしている。

また、減圧乾燥処理ユニットのチャンバの中に、基板をピン先端で略水平に支えて上げ下げするために離散的に配置された多数のリフトピンを有するものがある（例えば特許文献２参照）。乾燥処理を行うときはリフトピンの先端をコロ搬送路よりも高くして基板を支持し、基板の搬入出を行うときはリフトピンのピン先端をコロ搬送路よりも低くして搬送機構による基板のコロ搬送を可能としている。

特開２０００−１８１０７９号公報 特開２００８−１２４３６６号公報

上記のような基板処理装置は、チャンバを有するため、装置コストが増大する点が問題になっている。すなわち、室内を真空に減圧するために、下部チャンバ及び上部チャンバを含めたチャンバ強度を大きくする必要がある。また、基板をチャンバに搬入出する際に上部チャンバを上げ下げ（開閉）するために、昇降機構を設ける必要がある。近時、基板のサイズがＬＣＤ用ガラス基板のように一辺が２ｍを越えるような大きさになると、チャンバも著しく大型化し、上部チャンバだけでも２トン以上の重量になってきている。従って、昇降機構も大掛かりになり、装置コストが増大している。

とりわけ、タクト時間を短縮し、生産性を向上させるためには、減圧乾燥処理ユニットを複数設けることが必要となるため、装置コストがさらに増大する点が問題になっている。

さらに、基板処理装置のチャンバ内に、支持部材に支持された状態で基板が停止するため、乾燥して形成される塗布膜の膜厚にムラが生じやすいという点も問題になっている。具体的には、チャンバ内で基板はステージ上面から突出するピンの上で減圧乾燥処理を受けるため、減圧乾燥により形成される塗布膜にピンの跡が膜厚のムラとして残ってしまうことがある。また、チャンバ内で減圧する際に、またチャンバ内を大気圧に戻す際に、チャンバ内の気流によって、膜厚のムラが生じることもある。

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、乾燥処理を行う基板処理装置において、装置コストを増大させることがなく、乾燥処理により形成される塗布膜の膜厚のムラの発生を防止できる基板処理装置及びその基板処理装置における基板処理方法を提供する。

上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。

本発明の一実施例によれば、基板の被処理面を上に向けた状態で一方向に前記基板を搬送する搬送路と、前記被処理面に処理液が塗布処理された状態で前記搬送路を搬送されている前記基板の上方で、前記搬送路の搬送方向又は前記搬送方向と逆方向に流れる気流を形成し、前記気流により前記基板を乾燥処理する気流形成部とを有し、前記気流形成部は、前記搬送路を搬送されている前記基板の上方で気体を吐出する複数の吐出部材と、前記搬送路を搬送されている前記基板の上方で気体を吸引する複数の吸引部材とを備え、前記吐出部材と前記吸引部材とは、前記搬送方向に沿って交互に配列するように設けられており、前記吐出部材は、気体を吐出する吐出口と、前記吐出口に気体を供給する供給系と前記吐出口とを接続する供給流路とが形成されている基板処理装置が提供される。

また、本発明の一実施例によれば、基板の被処理面を上に向けた状態で一方向に前記基板を搬送する搬送路と、気体を吐出する吐出口と、前記吐出口に気体を供給する供給系と前記吐出口とを接続する供給流路とが形成され、前記搬送路を搬送されている前記基板の上方で気体を吐出する複数の吐出部材と、前記搬送路を搬送されている前記基板の上方で気体を吸引する複数の吸引部材とが、前記搬送路の搬送方向に沿って交互に配列するように設けられてなる気流形成部とを有する基板処理装置における基板処理方法であって、前記被処理面に処理液が塗布処理された前記基板を前記搬送路に沿って搬送する搬送工程と、前記気流形成部により、前記搬送路を搬送されている前記基板の上方で、前記搬送方向又は前記搬送方向と逆方向に流れる気流を形成し、前記気流により前記基板を乾燥処理する乾燥処理工程とを有する基板処理方法が提供される。

本発明によれば、乾燥処理を行う基板処理装置及びその基板処理装置における基板処理方法において、装置コストを増大させることがなく、乾燥処理により形成される塗布膜の膜厚のムラの発生を防止できる。

第１の実施の形態に係る基板処理装置を適用した塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。 第１の実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおける１枚の基板に対する全工程の処理手順を示すフローチャートである。 第１の実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布ユニット、乾燥処理ユニット及びプリベークユニットの構成を示す平面図である。 第１の実施の形態に係る基板処理装置のレジスト塗布ユニット及び乾燥処理ユニットの構成を示す側面図である。 第１の実施の形態に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す斜視図である。 第１の実施の形態に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す斜視図である。 第１の実施の形態に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す斜視図である。 第１の実施の形態に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す斜視図である。 吐出部材及び吸引部材を拡大して示す図である。 第２の実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布ユニット、乾燥処理ユニット及びプリベークユニットの構成を示す一部断面を含む平面図である。 第２の実施の形態に係る基板処理装置のレジスト塗布ユニット及び乾燥処理ユニットの構成を示す一部断面を含む側面図である。

次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。
（第１の実施の形態）
始めに、図１から図９を参照し、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。

図１は、本実施の形態に係る基板処理装置を適用した塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。

図１に示すように、塗布現像処理システム１０は、例えばガラス基板（以下「基板Ｇ」という。）を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像及びポストベーク等の一連の処理を行う。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。

塗布現像処理システム１０は、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６及びインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８を有している。塗布現像処理システム１０の中心部には横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６が配置され、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とが配置されている。

カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、カセットステージ２０及び搬送機構２２を備えている。カセットステージ２０は、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平な一方向（Ｙ方向）に４個まで並べて載置できる。搬送機構２２は、カセットステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う。搬送機構２２は、基板Ｇを１枚単位で保持できる搬送アーム２２ａを有し、Ｘ、Ｙ、Ｚ、θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。

プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、水平なシステム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のプロセスラインＡ、Ｂを有している。また、プロセスラインＡ、Ｂには、各処理部がプロセスフローまたは工程の順に配置されている。

プロセスラインＡは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインである。プロセスラインＡは、搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４、洗浄プロセス部２６、第１の熱的処理部２８、塗布プロセス部３０、第２の熱的処理部３２及び第１の搬送路３４を有している。搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４、洗浄プロセス部２６、第１の熱的処理部２８、塗布プロセス部３０及び第２の熱的処理部３２は、第１の搬送路３４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。なお、第１の搬送路３４は、本発明における搬送路に相当する。

搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４は、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２から未処理の基板Ｇを受け取り、被処理面を上に向けた状態で第１の搬送路３４に投入する。洗浄プロセス部２６は、第１の搬送路３４に沿って上流側から順に設けられたエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６及びスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８を有している。第１の熱的処理部２８は、上流側から順に設けられたアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０及び冷却ユニット（ＣＯＬ）４２を有している。塗布プロセス部３０は、上流側から順に設けられたレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４及び乾燥処理ユニット４６を有している。第２の熱的処理部３２は、上流側から順に設けられたプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８及び冷却ユニット（ＣＯＬ）５０を有している。第２の熱的処理部３２の下流側隣に位置する第１の搬送路３４の終点にはパスユニット（ＰＡＳＳ）５２が設けられている。第１の搬送路３４上を搬送されてきた基板Ｇは、この終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８へ渡されるようになっている。

プロセスラインＢは、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインである。プロセスラインＢは、現像ユニット（ＤＥＶ）５４、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８、検査ユニット（ＡＰ）６０、搬出ユニット（ＯＵＴ−ＰＡＳＳ）６２及び第２の搬送路６４を有している。現像ユニット（ＤＥＶ）５４、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８、検査ユニット（ＡＰ）６０及び搬出ユニット（ＯＵＴ−ＰＡＳＳ）６２は、第２の搬送路６４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。ここで、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６及び冷却ユニット（ＣＯＬ）５８は第３の熱的処理部６６を構成する。搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の搬送路６４から処理済の基板Ｇを１枚ずつ受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２に渡す。

両プロセスラインＡ、Ｂの間には補助搬送空間６８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル７０が図示しない駆動機構によってプロセスライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、搬送装置７２、ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４及び周辺装置７６を有している。搬送装置７２は、上記第１及び第２の搬送路３４、６４や隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行う。ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４及び周辺装置７６は、搬送装置７２の周囲に配置されている。ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４は、基板Ｇを水平面内で回転させるステージであり、露光装置１２との受け渡しに際して長方形の基板Ｇの向きを変換するために用いられる。周辺装置７６は、例えばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）や周辺露光装置（ＥＥ）等よりなる。周辺装置７６は、第２の搬送路６４に接続されている。

図２は、本実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおける１枚の基板に対する全工程の処理手順を示すフローチャートである。

先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２が、カセットステージ２０上のいずれか１つのカセットＣから基板Ｇを１枚取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＡ側の搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４に搬入する（ステップＳ１）。搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４に搬入された基板Ｇは、第１の搬送路３４上に移載または投入される。

第１の搬送路３４に投入された基板Ｇは、最初に洗浄プロセス部２６においてエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６及びスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８により紫外線洗浄処理（ステップＳ２）及びスクラビング洗浄処理（ステップＳ３）を順次施される。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８において、基板Ｇは、基板表面から粒子状の汚れを除去するブラッシング洗浄やブロー洗浄が施され、その後にリンス処理が施され、最後にエアーナイフ等を用いて乾燥処理が施される。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８における一連の洗浄処理が施された後、基板Ｇは第１の搬送路３４を通って第１の熱的処理部２８へ搬入される。

第１の熱的処理部２８において、基板Ｇは、最初にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０で蒸気状のＨＭＤＳを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される（ステップＳ４）。アドヒージョン処理が施された後、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）４２で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ５）。その後、基板Ｇは第１の搬送路３４を通って塗布プロセス部３０へ搬入される。

塗布プロセス部３０において、基板Ｇは、最初にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４で基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布処理され、その後に、乾燥処理ユニット４６で後述する常圧雰囲気下のレジスト乾燥処理を受ける（ステップＳ６）。その後、基板Ｇは、第１の搬送路３４を通って第２の熱的処理部３２へ搬入される。

第２の熱的処理部３２において、基板Ｇは、最初にプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを施される（ステップＳ７）。このプリベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発して除去され、基板に対するレジスト膜の密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５０で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ８）。その後、基板Ｇは、第１の搬送路３４の終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８の搬送装置７２に引き取られる。

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４で例えば９０度の方向変換を受けてから周辺装置７６の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入される。周辺露光装置に搬入された基板Ｇは、周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ９）。

露光装置１２では、基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。パターン露光が施された基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ９）、先ず周辺装置７６のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入される。タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）において、基板Ｇは、基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ１０）。その後、基板Ｇは、搬送装置７２よりプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＢ側に敷設されている第２の搬送路６４の始点に搬入される。

こうして、基板Ｇは、今度は第２の搬送路６４上を、被処理面を上に向けた状態でプロセスラインＢの下流側に向けて搬送される。最初の現像ユニット（ＤＥＶ）５４において、基板Ｇは、現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される（ステップＳ１１）。

現像ユニット（ＤＥＶ）５４で一連の現像処理が施された基板Ｇは、第２の搬送路６４を通って第３の熱的処理部６６及び検査ユニット（ＡＰ）６０に順次搬入される。第３の熱的処理部６６において、基板Ｇは、最初にポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける（ステップＳ１２）。このポストベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発して除去され、基板に対するレジストパターンの密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８で所定の基板温度に冷却される（ステップＳ１３）。検査ユニット（ＡＰ）６０では、基板Ｇ上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる（ステップＳ１４）。

搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の搬送路６４から全工程の処理を終えてきた基板Ｇを受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２へ渡す。カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２から受け取った処理済の基板Ｇをいずれか１つ（通常は元）のカセットＣに収容する（ステップＳ１）。

塗布現像処理システム１０においては、塗布プロセス部３０のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４４から第２の熱的処理部３２のプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８までのレジスト処理部（４４、４６、４８）のうち、特に乾燥処理ユニット４６に本発明を適用することができる。以下、図３から図９を参照し、本実施の形態におけるレジスト処理部（４４、４６、４８）の構成及び作用を詳細に説明する。

図３は、本実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布ユニット、乾燥処理ユニット及びプリベークユニットの構成を示す平面図である。

図３に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４は、塗布処理用浮上ステージ８０、基板搬送機構８２、レジストノズル８４及びリフレッシュ部８６を有している。塗布処理用浮上ステージ８０は、第１の搬送路３４の一部または一区間を構成する。基板搬送機構８２は、塗布処理用浮上ステージ８０上で浮上している基板Ｇを塗布処理用浮上ステージ８０の長手方向（Ｘ方向）に搬送する。レジストノズル８４は、塗布処理用浮上ステージ８０上を搬送される基板Ｇの上面にレジスト液を供給する。ノズルリフレッシュ部８６は、塗布処理の合間にレジストノズル８４をリフレッシュする。

塗布処理用浮上ステージ８０の上面には所定のガス（例えばエア）を上方に噴射する多数のガス噴射孔８８が設けられており、それらのガス噴射孔８８から噴射されるガスの圧力によって基板Ｇがステージ上面から一定の高さに浮上するように構成されている。

基板搬送機構８２は、ガイドレール９０ａ、９０ｂ、スライダ９２を備えている。ガイドレール９０ａ、９０ｂは、塗布処理用浮上ステージ８０を挟んでＸ方向に延びる一対のガイドレールである。スライダ９２は、ガイドレール９０ａ、９０ｂに沿って往復移動可能に設けられている。また、スライダ９２には、塗布処理用浮上ステージ８０上で基板Ｇの両側端部を着脱可能に保持するように、吸着パッド等の基板保持部材（図示せず）が設けられている。また、基板搬送機構８２には、図示しない直進移動機構が設けられており、直進移動機構によりスライダ９２を搬送方向（Ｘ方向）に移動させることによって、塗布処理用浮上ステージ８０上で基板Ｇの浮上搬送を行うように構成されている。

レジストノズル８４は、塗布処理用浮上ステージ８０の上方を搬送方向（Ｘ方向）と直交する水平方向（Ｙ方向）に横断して延びる長尺形ノズルである。レジストノズル８４は、所定の塗布位置でその直下を通過する基板Ｇの上面に対してスリット状の吐出口よりレジスト液を帯状に吐出するようになっている。また、レジストノズル８４は、このノズルを支持するノズル支持部材９４と一体にＸ方向に移動可能、かつＺ方向に昇降可能に構成されており、上記塗布位置とノズルリフレッシュ部８６との間で移動できるようになっている。

ノズルリフレッシュ部８６は、プライミング処理部９８、ノズルバス１００及びノズル洗浄機構１０２を備えている。プライミング処理部９８は、塗布処理用浮上ステージ８０の上方の所定位置で支柱部材９６に保持されており、塗布処理のための下準備としてレジストノズル８４にレジスト液を吐出させるためのものである。ノズルバス１００は、レジストノズル８４のレジスト吐出口を乾燥防止の目的から溶剤蒸気の雰囲気中に保つためのものである。洗浄機構１０２は、ノズルバス１００と、レジストノズル８４のレジスト吐出口近傍に付着したレジストを除去するためのものである。

ここで、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４における主な作用を説明する。先ず、上流側の第１の熱的処理部２８（図１）より例えばコロ搬送で搬送されてきた基板Ｇが、塗布処理用浮上ステージ８０上の前端側に設定された搬入部に搬入され、そこで待機していたスライダ９２が基板Ｇを保持して受け取る。塗布処理用浮上ステージ８０上で基板Ｇはガス噴射孔８８より噴射されるガス（エア）の圧力を受けて略水平な姿勢で浮上状態を保つ。

基板Ｇは、スライダ９２に保持された状態で乾燥処理ユニット４６側に向かって搬送方向（Ｘ方向）に搬送される。そして、基板Ｇがレジストノズル８４の下を通過する際に、レジストノズル８４が基板Ｇの上面である被処理面に向けて液状のレジスト液を帯状に吐出することにより、基板Ｇの被処理面上に基板前端から後端に向ってレジストが塗布処理される。レジストが塗布処理された基板Ｇは、スライダ９２により塗布処理用浮上ステージ８０上で浮上搬送され、塗布処理用浮上ステージ８０の後端を越えると、受け渡し用及び浮上搬送駆動用のコロ搬送路１０４に受け渡される。受け渡し用及び浮上搬送駆動用のコロ搬送路１０４に受け渡された基板Ｇは、下流側の乾燥処理ユニット４６へ搬入される。

一方、塗布処理が施された基板Ｇを乾燥処理ユニット４６側へ搬出した後、スライダ９２は次の基板Ｇを受け取るために塗布処理用浮上ステージ８０の前端側の搬入部へ戻る。また、レジストノズル８４は、１回または複数回の塗布処理を終えると、塗布位置（レジスト吐出位置）からノズルリフレッシュ部８６へ移動してそこでノズル洗浄やプライミング処理等のリフレッシュないし下準備をしてから、塗布位置に戻る。

図３に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４の塗布処理用浮上ステージ８０の延長線上（下流側）には、受け渡しおよび浮上搬送駆動用のコロ搬送路１０４を挟んで乾燥処理ユニット４６が設けられている。また、乾燥処理ユニット４６の延長線上（下流側）にはプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）４８の搬送路を構成するコロ搬送路１０５が設けられている。

次に、図３から図９を参照し、乾燥処理ユニット４６について説明する。図４は、本実施の形態に係る基板処理装置のレジスト塗布ユニット及び乾燥処理ユニットの構成を示す側面図である。図５から図８は、本実施の形態に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す斜視図である。図９は、吐出部材及び吸引部材を拡大して示す図である。

図３及び図４に示すように、乾燥処理ユニット４６は、コロ搬送路１０４及び気流形成部１１０を有している。

コロ搬送路１０４は、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿って設けられている。コロ搬送路１０４は、複数のコロ１０８を有している。また、複数のコロ１０８は、図示しない、例えばフレーム等に固定された軸受に回転可能に支持されており、電気モータ等の搬送駆動源に歯車機構またはベルト機構等の伝動機構を介して接続されている。複数のコロ１０８は、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿って並べられており、基板Ｇをコロ搬送する。このような構成により、コロ搬送路１０４は、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４において塗布処理が行われた基板Ｇを、基板の被処理面を上に向けた状態で、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿ってプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８に向けて一方向に搬送することができる。

なお、本発明における搬送路は、本実施の形態における第１の搬送路３４及びコロ搬送路１０４を含むものとする。

気流形成部１１０は、供給源１１２、排気部１１４、複数の吐出部材１２０及び複数の吸引部材１４０を備える。吐出部材１２０は、第１の搬送路３４を搬送されている基板Ｇ側の上方で気体を吐出するものである。吸引部材１４０は、第１の搬送路３４を搬送されている基板Ｇ側の上方で気体を吸引するものである。吐出部材１２０は、搬送方向（Ｘ方向）に沿って配列するように設けられている。また、吸引部材１４０は、搬送方向（Ｘ方向）に沿って吐出部材１２０と交互に配列するように設けられている。従って、複数の吐出部材１２０及び複数の吸引部材１４０は、搬送方向（Ｘ方向）に沿って交互に配列するように設けられている。供給源１１２及び排気部１１４は、それぞれ本発明における供給系及び排出系に相当する。

なお、吐出部材１２０及び吸引部材１４０は、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に向かって左右両側を側板部材で塞がれているが、図５から図９では、吐出部材１２０及び吸引部材１４０の断面形状を分かり易くするために、側板部材が取り外された状態を図示している。

図５から図９に示すように、吐出部材１２０には、吐出口１２２及び供給流路１２４が形成されている。吐出口１２２は、気体を吐出するためのものである。供給流路１２４は、吐出口１２２に気体を供給する供給源１１２と吐出口１２２とを接続するためのものである。吐出部材１２０は、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に延びるように設けられており、供給流路１２４の第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に垂直な断面形状は、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿って略均一である。また、吐出口１２２は、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）にスリット状に延びている。

図５から図９に示すように、吸引部材１４０には、吸引口１４２及び排出流路１４４が形成されている。吸引口１４２は、気体を吸引するためのものである。排出流路１４４は、吸引口１４２から気体を排出する排気部１１４と吸引口１４２とを接続するためのものである。吸引部材１４０は、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に延びるように設けられており、排出流路１４４の第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に垂直な断面形状は、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿って略均一である。また、吸引口１４２は、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）にスリット状に延びている。

吐出部材１２０及び吸引部材１４０の第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に垂直な断面寸法を、例えば縦２００ｍｍ×横１００ｍｍとすることができる。

それぞれの吐出部材１２０には、吐出口１２２と反対側において供給流路１２４と連通し、吐出部材１２０に供給源１１２を接続する供給口１２６が形成されている。供給口１２６は、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）にスリット状に延びている。供給源１１２は、気流形成部１１０の外部に設けられ、供給源１１２から複数に分岐して配管されたガス供給管１１６を介し、それぞれの吐出部材１２０の供給口１２６に接続されている。供給源１１２は、ガス供給源、送風ファン（またはコンプレッサ）等で構成されていてもよい。

それぞれの吸引部材１４０には、吸引口１４２と反対側において排出流路１４４と連通し、吸引部材１４０に排気部１１４を接続する排出口１４６が形成されている。排出口１４６は、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）にスリット状に延びている。排出口１４６は、気流形成部１１０の外部に設けられ、それぞれの吸引部材１４０の排出口１４６に接続され、合流して配管された排気管１１８を介し、排気部１１４に接続されている。排気部１１４は、排気ポンプまたは排気ファン等で構成されていてもよい。

なお、供給口１２６及び排出口１４６は、図５に示すように、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿ってスリット状に一体に形成されてもよく、又は、図６に示すように、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿って途中で分断され、複数（１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｃ、１２６ｄ、１４６ａ、１４６ｂ、１４６ｃ、１４６ｄ）に分割されるように形成されてもよい。

図７に示すように、気流形成部１１０は、支持脚１６０に支持されるように設けられてもよい。支持脚１６０に支持された気流形成部１１０は、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）から見て門形の断面構造を有する。また、支持脚１６０を上部１６２及び下部１６４に分割して構成し、支持脚１６０の第１の搬送路３４に沿って上流側又は下流側にヒンジ１６６を設け、上流側又は下流側のうちヒンジが設けられる側と反対側にハンドル又はレバー１６８を設けることができる。これにより、メンテナンス時に吐出部材１２０及び吸引部材１４０の下面にアクセス可能なように配置することができる。

また、レジストノズル８４により塗布処理がされた直後に基板Ｇに乾燥処理が行われるように、気流形成部は、レジスト塗布ユニットにかかるように設けてもよい。そのような構成の例を図３、図４及び図８に示す。図３、図４及び図８に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４の下流側のみならず、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４の塗布処理用浮上ステージ８０の上方であって、第１の搬送路３４に沿ってレジストノズル８４の直後に第２の気流形成部１１０ａを設けることができる。第１の搬送路３４に沿ってレジストノズル８４の直後に第２の気流形成部１１０ａを設けることにより、基板Ｇにレジストの塗布処理を行った直後に乾燥処理を開始することができるため、処理時間を短縮することができる。あるいは、レジストの種類や基板サイズに対応し、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿って吐出部材１２０及び吸引部材１４０を任意に多数交互に配列することができ、スループットを向上させることができる。

次に、図９を参照し、吐出部材１２０及び吸引部材１４０の形状について説明する。

図９に示すように、吐出部材１２０は、供給流路１２４の途中であって点線で囲まれた領域Iに、供給流路１２４の第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）以外の方向に沿う幅を狭めた狭幅部１３０が形成されている。前述したように、吐出部材１２０には、狭幅部１３０の吐出口１２２と反対側における供給流路１２４と連通し、吐出部材１２０に供給源１１２を接続する供給口１２６が形成されている。また、供給流路１２４の狭幅部１３０より供給源１１２側であって点線で囲まれた領域IIに、供給流路１２４の第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）以外の方向に沿う幅を、狭幅部１３０及び供給口１２６よりも拡げた拡幅部１３２が形成されている。

吐出部材１２０及び吸引部材１４０は、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に延びるように設けられている。供給流路１２４の第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に垂直な断面形状は、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿って略均一である。また、排出流路１４４の第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に垂直な断面形状は、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿って略均一である。その結果、吸引部材１４０の第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に垂直な断面形状は、吐出部材１２０の第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に垂直な断面形状と略同一である。このような吐出部材１２０及び吸引部材１４０は、例えばアルミニウム等の金属を引抜き加工して形成された引抜き材であってもよい。

図９に示す例では、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）から視た供給流路１２４の狭幅部１３０の形状を、第１の搬送路３４に垂直な方向（Ｚ方向）に沿った部分１３０ａと、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿った部分１３０ｂとを含むＳ字状の形状とすることができる。

本実施の形態では、吐出部材１２０と吸引部材１４０とを同一の形状を有する部材とすることができる。従って、吸引部材１４０は、排出流路１４４の途中であって点線で囲まれた領域IIIにも、排出流路１４４の第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）以外の方向に沿う幅を狭めた狭幅部１５０が形成されている。前述したように、吸引部材１４０には、狭幅部１５０の吸引口１４２と反対側における排出流路１４４と連通し、吸引部材１４０に排気部１１４を接続する排出口１４６が形成されている。また、排出流路１４４の狭幅部１５０より排気部１１４側であって点線で囲まれた領域IVに、排出流路１４４の第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）以外の方向に沿う幅を、狭幅部１５０及び排出口１４６より拡げた拡幅部１５２が形成されている。

また、図９に示す例では、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）から視た排出流路１４４の狭幅部１５０の形状を、第１の搬送路３４に垂直な方向（Ｚ方向）に沿った部分１５０ａと、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿った部分１５０ｂとを含むＳ字状の形状とすることができる。

また、吐出口１２２は、吐出部材１２０の側面であって、吐出部材１２０に隣接して設けられた吸引部材１４０に対向する面１３４に形成されてもよい。同様に、吸引口１４２は、吸引部材１４０の側面であって、吸引部材１４０に隣接して設けられた吐出部材１２０と対向する面１５４に形成されてもよい。そして、例えば搬送方向（Ｘ方向）に沿って交互に配列した吐出部材１２０と吸引部材１４０との上方を上面部材１７０により覆うことにより、隣接する吐出部材１２０と吸引部材１４０との間の隙間の上方をも塞ぐようにする。これにより、吐出口１２２から吐出された気体は、吐出部材１２０と吸引部材１４０との隙間１３６を通って気流形成部１１０から基板Ｇ側に流出する。また、気流形成部１１０から基板Ｇ側に流出した気体は、気流形成部１１０の下方を通り、更に、吐出部材１２０と吸引部材１４０との隙間１５６を通って吸引口１４２に吸引される。

このように、吐出口１２２を吐出部材１２０の側面である面１３４に設けることにより、吐出口１２２から吐出された気体を直接基板Ｇに吹き付けることがなく、基板Ｇ上での気流の分布を均一化することができる。また、吸引口１４２を吸引部材１４０の側面である面１５４に設けることによっても、基板Ｇ上での気流の分布を均一化することができる。

吐出口を吐出部材１２０の下面１３８に形成すると、吐出口が形成された付近において下面の強度が弱くなることがある。従って、吐出口１２２を吐出部材１２０の側面である面１３４に形成することにより、吐出部材１２０の下面１３８の強度が弱くなることを防止できる。同様に、吸引口１４２を吸引部材１４０の側面である面１５４に設けることによっても、吸引部材１４０の下面１５８の強度が弱くなることを防止できる。

吐出口１２２及び吸引口１４２をそれぞれ吐出部材１２０及び吸引部材１４０の側面である面１３４及び面１５４に形成したときは、吐出部材１２０及び吸引部材１４０に、供給流路１２４又は排出流路１４４と連通していない空間部１３９、１５９を形成することができる。このうち、空間部１３９には、吐出口１２２から吐出する気体を、常温より高い温度に制御可能な加熱機構が設けられていてもよい。すなわち、吐出部材１２０は、加熱機構を有していてもよい。加熱機構として、例えば、空間部１３９に供給流路１２４に流れる気体とは別の気体、例えば常温より高い温度に温度制御した気体を流し、その気体により吐出部材１２０を加熱することにより、吐出口１２２から吐出する気体の温度を常温より高い温度に制御してもよい。あるいは、空間部１３９にヒータ等の発熱部を設け、発熱部により吐出部材１２０を加熱することにより、吐出口１２２から吐出する気体の温度を常温より高い温度に制御してもよい。更に、吸引部材１４０においても、空間部１５９に温度制御した気体を流すことにより、又は空間部１５９にヒータ等の発熱部を設けることにより、吸引部材１４０を常温より高い温度に制御可能な加熱機構を設けてもよい。

なお、吐出部材１２０は、空間部１３９が形成されていなくてもよい。空間部１３９が形成されていないときは、吐出部材１２０は、供給流路１２４に設けられた、吐出部材１２０自体に埋め込まれた、又は吐出部材に近接して設けられた加熱機構を有していてもよい。

また、気流形成部１１０（第２の気流形成部１１０ａが形成されているときは、気流形成部１１０と第２の気流形成部１１０ａを合わせた全体）の第１の搬送路３４に沿った上流側の端部（１段目）及び下流側の端部（終段部）は、吸引部材１４０にしてもよい。上流側の端部（１段目）及び下流側の端部（終段部）を吸引部材１４０にすることにより、気流形成部１１０の上流側及び下流側に気体を噴出することがないため、気流形成部１１０の下方を搬送された状態で乾燥処理される基板Ｇの上方に形成される気流を安定化することができる。

本実施の形態では、一例として、狭幅部１３０、１５０の長さを１００ｍｍ及び搬送方向（Ｘ方向）に沿う幅を７ｍｍとし、拡幅部１３２、１５２の長さを７０ｍｍ及び搬送方向（Ｘ方向）に沿う幅を３０ｍｍとすることができる。また、吐出部材１２０と吸引部材１４０との間の隙間を７ｍｍとすることができる。

次に、気流形成部１１０が、基板Ｇの上方で形成する気流を、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に均一化することができることについて説明する。

流路のコンダクタンスは、流路の断面積に比例し、流路の長さに反比例する。そのため、狭幅部１３０は、供給流路１２４のコンダクタンスを減少させる。また、拡幅部１３２は、狭幅部１３０に比べて流路の長さが短く、流路の第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）以外の方向に沿う幅が大きい。図９に示す例では、流路の第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿う幅が大きくなっている。従って、拡幅部１３２のコンダクタンスは、狭幅部１３０のコンダクタンスよりも大きい。

本実施の形態では、供給流路１２４上で、狭幅部１３０及び拡幅部１３２は直列に接続されている。そのため、供給流路１２４のコンダクタンスは、狭幅部１３０のコンダクタンス及び拡幅部１３２のコンダクタンスの小さい方である狭幅部１３０のコンダクタンスによって決定される。また、拡幅部１３２は、狭幅部１３０の上流側に配置されている。従って、供給口１２６から供給流路１２４に供給された気体は、狭幅部１３０の手前である拡幅部１３２をバッファとして貯留又は滞留する。拡幅部１３２に貯留又は滞留した気体は、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿って均一化するように拡散する。従って、吐出部材１２０では、供給口１２６から供給された気体が第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿って均一でない場合でも、吐出口１２２から吐出する気体の流量を第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿って均一化することができる。

また、図５から図９に示すように、吐出部材１２０及び吸引部材１４０の基板Ｇ側の面（基板Ｇに対向する面）である下面１３８、１５８に、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に延びる凹溝１３８ａ、１５８ａが、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿って配列するように形成されていてもよい。吐出部材１２０及び吸引部材１４０の下面１３８、１５８に凹溝１３８ａ、１５８ａが配列するように形成されることにより、吐出部材１２０及び吸引部材１４０の下面の表面形状を、平坦でなく、搬送方向（Ｘ方向）に沿って周期的に凹凸が形成された形状とすることができる。あるいは、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）から視た断面形状が迷路状（ラビリンス状）となるようにしてもよい。これにより、各凹溝１３８ａ、１５８ａで乱流が発生するものの、凹溝１３８ａ、１５８ａが第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿って延びるように形成されているため、乱流を含む気流を第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿って均一化することができる。従って、基板Ｇの上方で形成する気流を、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿って均一化することができる。

次に、乾燥処理ユニット４６における作用を説明する。

上記したように、上流側隣のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４でレジスト液を塗布された基板Ｇは、塗布処理用浮上ステージ８０からコロ搬送路１０４のコロ１０８に受け渡される。コロ１０８上に受け渡された基板Ｇは、コロ１０８の駆動力によって搬送方向（Ｘ方向）に搬送される。

このとき、気流形成部１１０に含まれ、搬送方向（Ｘ方向）に沿って交互に配列した吐出部材１２０及び吸引部材１４０により、基板Ｇの被処理面の上方において、搬送方向（Ｘ方向）に沿って順方向（又は逆方向）に一定の気流が形成される。具体的には、吐出部材１２０から吐出する気体の流量及び吸引部材１４０から吸引する気体の温度及び流量を、４０℃及び１０Ｌ／ｍｉｎとすることができる。これにより、レジスト塗布膜における溶剤の空中への拡散（揮発）を一定に保持することができる。その結果、レジスト塗布膜内の乾燥度合いにばらつき（乾燥斑）を生じることなく膜厚が面内均一に乾燥初期値（例えば８μｍ）から所望の乾燥目標値（例えば２〜３μｍ）まで減少することになる。このようにして、減圧乾燥処理ユニットを用いることなく、乾燥処理を行うことが可能になる。

このようにして乾燥処理が行われた基板Ｇは、コロ搬送路１０４のコロ１０８によって搬送され、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８に搬入される。

図３に示すように、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８は、加熱用のヒータとして例えば平板形のシーズヒータ１８４を有している。シーズヒータ１８４は、コロ搬送路１０５を構成する相隣接するコロ１０９とコロ１０９の間に、搬送方向（Ｘ方向）に１枚または複数枚並べて配置されている。各シーズヒータ１８４は、その表面（上面）に例えばセラミックコーティングを有している。セラミックコーティングが図示しないヒータ電源より電気ケーブルを介して供給される電力により通電して発熱することにより、シーズヒータ１８４の高温の表面から放射する熱を至近距離からコロ搬送路１０５上の基板Ｇに与える。

さらに、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８には、コロ搬送路１０５に沿ってその上方に例えばグレイチングパネルからなる排気用吸い込み天井板（多孔板）１９０が設けられていてもよい。排気用吸い込み天井板１９０は、コロ搬送路１０５の搬送面から所定距離のギャップを挟んで水平に配置されており、その上方にバッファ室１９２が形成されていてもよい。バッファ室１９２は、排気管または排気路１９４を介して排気ポンプまたは排気ファン等を有している排気部１９６に通じている。コロ搬送路１０５上で基板Ｇ上のレジスト塗布膜から蒸発した溶剤は周囲の空気と一緒に排気用吸い込み天井板１９０の中へ吸い込まれ、排気部１９６へ送られるようになっている。

なお、コロ搬送路１０５を構成するコロ１０９は、図示しない例えばフレーム等に固定された軸受に回転可能に支持されており、電気モータ等の搬送駆動源に歯車機構またはベルト機構等の伝動機構を介して接続されている。

次に、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８における作用を説明する。

乾燥処理ユニット４６で乾燥処理を終えた基板Ｇは、コロ搬送路１０５に搬送されてプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８へ搬入される。コロ搬送路１０５上で基板Ｇは、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８に搬入されると、そこで至近距離のシーズヒータ１８４から基板裏面に放射熱を受ける。この急速加熱より、コロ搬送路１０５上を搬送される間に基板Ｇの温度は所定温度（例えば１８０〜２００℃程度）まで上昇し、短時間の間にレジスト塗布膜中の残留溶媒の大部分が蒸発して膜が一層薄く固くなり、基板Ｇとの密着性が高められる。このプリベーキングの加熱処理の際に、シーズヒータ１８４からの熱的な影響を受けても、前工程の常圧乾燥処理によってレジスト塗布膜のバルク部内の溶剤が平均化ないし均一化されており、かつ膜厚も十分に（例えば２〜３μｍまでに）薄くなっている。そのため、加熱工程でもレジスト塗布膜に斑は発生し難い。なお、レジスト塗布膜から蒸発した溶剤は、周囲の空気と一緒に排気用吸い込み天井板１９０の中へ吸い込まれて、排気部１９６へ送られる。

プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８でプリベーキングの加熱処理を終えた基板Ｇはそのままコロ搬送路１０５上を搬送され、下流側隣の冷却ユニット（ＣＯＬ）５０（図１）へ送られる。

また、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４、乾燥処理ユニット４６及びプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８内の各部は、図１に示すように、コントローラ２０１によって制御される。コントローラ２０１をマイクロコンピュータで構成した場合は、コントローラ２０１に装置全体の動作（シーケンス）を統括制御させることもできる。また、コントローラ２０１には、基板処理装置である塗布現像処理システムで実行される各種処理をコントローラの制御にて実現するための制御プログラムを格納した記憶媒体（記録媒体）よりなる記憶部２０２が接続されていてもよい。記憶媒体（記録媒体）は、ハードディスクや半導体メモリであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介して制御プログラムを適宜伝送させるようにしてもよい。

また、乾燥処理ユニット４６に基板Ｇを搬送し（搬送工程）、基板の上方に気流を形成して基板を乾燥処理する（乾燥処理工程）工程を含む基板処理方法をコントローラ２０１に実行させるための制御プログラムを、記憶媒体（記録媒体）よりなる記憶部２０２に記憶してもよい。搬送工程は、被処理面に処理液が塗布処理された基板Ｇを、被処理面を上に向けた状態で、第１の搬送路３４に沿って搬送する工程を含む。乾燥処理工程は、複数の吐出部材１２０と複数の吸引部材１４０とが搬送方向に沿って交互に配列するように設けられてなる気流形成部１１０により、搬送されている基板Ｇの上方で、第１の搬送路３４の搬送方向又は搬送方向と逆方向に流れる気流を形成し、気流により基板を乾燥処理する工程を含む。
（第２の実施の形態）
次に、図１０及び図１１を参照し、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。

本実施の形態に係る基板処理装置は、乾燥処理ユニットが、常圧乾燥処理ユニット及び減圧乾燥処理ユニットを含む点で、第１の実施の形態に係る基板処理装置と相違する。また、レジスト塗布ユニットと減圧乾燥処理ユニットとの間に常圧乾燥処理ユニットが配置され、常圧乾燥処理ユニットが吐出部材と吸引部材を備えた気流形成部である点で、第１の実施の形態に係る基板処理装置と相違する。

図１０は、本実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布ユニット、乾燥処理ユニット及びプリベークユニットの構成を示す一部断面を含む平面図である。図１１は、本実施の形態に係る基板処理装置のレジスト塗布ユニット及び乾燥処理ユニットの構成を示す一部断面を含む側面図である。なお、以下の文中では、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。

本実施の形態でも、乾燥処理ユニット以外の塗布現像処理システムの各処理部は、図１から図３を用いて説明した第１の実施の形態に係る塗布現像処理システムと同様にすることができる。

一方、本実施の形態では、乾燥処理ユニット４６は、常圧乾燥処理ユニット４６ａ及び減圧乾燥処理ユニット４６ｂを有する。常圧乾燥処理ユニット４６ａは、第１の実施の形態に係る乾燥処理ユニットよりも交互に配列する吐出部材１２０及び吸引部材１４０の段数が少ない点を除き、第１の実施の形態に係る乾燥処理ユニットと同様にすることができる。また、第２の気流形成部１１０ａが、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４にかかるように設けられてもよいのは、第１の実施の形態と同様である。そのような構成の例を図１０に示す。

一方、本実施の形態では、常圧乾燥処理ユニット４６ａの下流側に、減圧乾燥処理ユニット４６ｂが設けられている。以下、図１０及び図１１を参照し、減圧乾燥処理ユニット４６ｂを中心に説明する。

図１０及び図１１に示すように、常圧乾燥処理ユニット４６ａ及び減圧乾燥処理ユニット４６ｂの下流側には、第１の搬送路３４の一部または一区間を構成するコロ搬送路１０４が敷設されている。コロ搬送路１０４は、気流形成部１１０の下側であってチャンバ１０６の搬送方向（Ｘ方向）に沿って上流側に設けられているコロ搬送路１０４ａ、チャンバ１０６内に敷設されているコロ搬送路１０４ｂ、チャンバ１０６の搬送下流側に設けられているコロ搬送路１０４ｃを有する。コロ搬送路１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃは、搬送方向（Ｘ方向）にそれぞれ適当な間隔で配置した複数本のコロ１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃを各独立または共通の搬送駆動部により回転させて、基板Ｇをコロ搬送で搬送方向（Ｘ方向）に送るようになっている。

コロ搬送路１０４ａは、気流形成部１１０が設けられた常圧乾燥処理ユニット４６ａからチャンバ１０６に向けて基板Ｇをコロ搬送する。コロ搬送路１０４ｂは、コロ搬送路１０４ａからコロ搬送で送られてくる基板Ｇを同速度のコロ搬送でチャンバ１０６内に引き込むとともに、チャンバ１０６内で減圧乾燥処理の済んだ基板Ｇをチャンバ１０６の外（後段）へコロ搬送で送り出す。コロ搬送路１０４ｃは、チャンバ１０６内のコロ搬送路１０４ｂ中から送り出されてくる処理済の基板Ｇを同速度のコロ搬送で引き出して後段の処理部（第２の熱的処理部３２）へ送る。

図１０及び図１１に示すように、減圧乾燥処理ユニット４６ｂのチャンバ１０６は、比較的扁平な直方体に形成され、その中に基板Ｇを水平に収容できる空間を有している。このチャンバ１０６の搬送方向（Ｘ方向）において互いに向き合う一対（上流側および下流側）のチャンバ側壁には、基板Ｇが平流しでようやく通れる大きさに形成されたスリット状の搬入口２１０および搬出口２１２がそれぞれ設けられている。さらに、これらの搬入口２１０および搬出口２１２を開閉するためのゲート機構２１４、２１６がチャンバ１０６の外壁に取り付けられている。チャンバ１０６の上面部または上蓋２１８は、メンテナンス用に取り外し可能になっている。

チャンバ１０６内において、コロ搬送路１０４ｂを構成するコロ１０８ｂは、搬入出口２１０、２１２に対応した高さ位置で搬送方向（Ｘ方向）に適当な間隔を置いて一列に配置されており、一部または全部のコロ１０８ｂがチャンバ１０６の外に設けられているモータ等の図示しない回転駆動源に適当な伝動機構を介して接続されている。

減圧乾燥処理ユニット４６ｂは、チャンバ１０６内で基板Ｇを略水平に支えて上げ下げするためのリフト機構２２６を備えている。このリフト機構２２６は、チャンバ１０６内に所定の配置パターンで（たとえばマトリクス状に）離散的に配置された多数本（好ましくは５０本以上）のリフトピン２２８と、これらのリフトピン２２８を所定の組またはグループ毎にコロ搬送路１０４ｂよりも低い位置にて支持する複数の水平棒または水平板のピンベース２３０と、各ピンベース２３０を昇降移動させるためにチャンバ１０６の外（下）に配置された昇降駆動源たとえばシリンダ２３２とを有している。

チャンバ１０６の底壁には１箇所または複数個所に排気口２３８が形成されている。これらの排気口２３８には排気管２４０を介して真空排気装置２４２が接続されている。各真空排気装置２４２は、チャンバ１０６内を大気圧状態から真空引きして所定真空度の減圧状態を維持するための真空ポンプを有している。

チャンバ１０６内の両端部、つまり搬入口２１０および搬出口２１２の近くでコロ搬送路１０４ｂよりも低い位置に、Ｙ方向に延びる円筒状の窒素ガス噴出部２４４が設けられている。これらの窒素ガス噴出部２４４は、たとえば金属粉末を焼結してなる多孔質の中空管からなり、窒素ガス供給源（図示せず）に接続されている。減圧乾燥処理の終了後にチャンバ１０６を密閉したまま減圧状態から大気圧状態に戻す際に、これらの窒素ガス噴出部２４４が管の全周面から窒素ガスを噴き出すようになっている。

次に、常圧乾燥処理ユニット４６ａ及び減圧乾燥処理ユニット４６ｂを含む乾燥処理ユニット４６の作用を説明する。

上記したように、上流側隣のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４でレジスト液を塗布された基板Ｇは、塗布処理用浮上ステージ８０からコロ搬送路１０４ａのコロ１０８ａに受け渡される。コロ１０８ａ上に受け渡された基板Ｇは、コロ１０８ａの駆動力によって搬送方向（Ｘ方向）に搬送される。

このとき、気流形成部１１０に含まれ、搬送方向（Ｘ方向）に沿って交互に配列した吐出部材及び吸引部材によって基板Ｇの被処理面の上方に搬送方向（Ｘ方向）に沿って順方向（又は逆方向）に一定の気流が形成される。これにより、レジスト塗布膜における溶剤の空中への拡散（揮発）を一定に保持することができ、予めある程度の乾燥処理を行うことができる。

常圧乾燥処理ユニット４６ａで予めある程度乾燥処理された基板Ｇは、減圧乾燥処理ユニット４６ｂのチャンバ１０６の中にその搬入口２１０から進入する。この時、ゲート機構２１４は搬入口２１０を開けておく。

コロ搬送路１０４ｂも、回転駆動源１２０の回転駆動により、コロ搬送路１０４ａのコロ搬送動作とタイミングの合った同一搬送速度のコロ搬送動作を行い、搬入口２１０から入ってきた基板Ｇをコロ搬送でチャンバ１０６の奥に引き込む。この時、リフト機構２２６は、全てのリフトピン２２８を各ピン先端がコロ搬送路１０４ｂの搬送面よりも低くなる復動（下降）位置に待機させておく。そして、基板Ｇがチャンバ１０６内の略中心の所定位置に着くと、そこでコロ搬送路１０４ｂのコロ搬送動作が停止する。これと同時または直前にコロ搬送路１０４ａのコロ搬送動作も停止してよい。その後、ゲート機構２１４、２１６が作動して、それまで開けていた搬入口２１０および搬出口２１２をそれぞれ閉塞し、チャンバ１０６を密閉する。

次いで、リフト機構２２６が昇降シリンダ２３２を往動させて、チャンバ１０６内で全てのリフトピン２２８のピン先端がコロ搬送路１０４ｂの搬送面を越える所定の高さ位置まで全てのピンベース２３０を一斉に所定ストロークだけ上昇させる。このリフト機構２２６の往動（上昇）動作により、図１１に示すように、基板Ｇはコロ搬送路１０４ｂから水平姿勢のままリフトピン２２８のピン先に載り移り、そのままコロ搬送路１０４ｂの上方に持ち上げられる。

一方、チャンバ１０６が密閉された直後から真空排気装置２４２が作動して、チャンバ１０６内を所定の真空度まで真空排気する。これにより、レジスト塗布膜における溶剤の空中への拡散（揮発）を一定に保持することができる。その結果、レジスト塗布膜内の乾燥度合いにばらつき（乾燥斑）を生じることなく膜厚が面内均一に乾燥初期値（例えば８μｍ）から所望の乾燥目標値（例えば２〜３μｍ）まで減少することになる。このようにして、チャンバ１０６内で基板Ｇが減圧雰囲気の中に置かれることで、予め常圧乾燥処理ユニット４６ａの気流形成部１１０により予めある程度乾燥処理された基板Ｇ上のレジスト液膜が常温下で更に乾燥処理される。

上記の減圧乾燥処理は一定時間を経過すると終了し、真空排気装置２４２が排気動作を停止する。これと入れ代わりに、窒素ガス噴出部２４４がチャンバ１０６内に窒素ガスを流し込む。そして、室内の圧力が大気圧まで上がってから、ゲート機構２１４、２１６が作動して搬入口２１０および搬出口２１２を開ける。これと前後し、リフト機構２２６が昇降シリンダ２３２を復動させて、全てのリフトピン２２８のピン先端がコロ搬送路１０４ｂの搬送面よりも低くなる所定の高さ位置まで全てのピンベース２３０を一斉に所定ストロークだけ下降させる。このリフト機構２２６の復動（下降）動作により、基板Ｇは水平姿勢でリフトピン２２８のピン先からコロ搬送路１０４ｂに載り移る。

そして、この直後にコロ搬送路１０４ｂ及びコロ搬送路１０４ｃ上でコロ搬送動作が開始され、減圧乾燥処理が行われた基板Ｇは、搬出口２１２からコロ搬送によって搬出され、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８に搬入される。

本実施の形態では、減圧乾燥処理ユニットの上流側に常圧乾燥処理ユニットを設け、常圧乾燥処理ユニットの気流形成部により、予め常圧雰囲気で基板Ｇの上方に搬送方向又は搬送方向と逆方向に流れる気流を形成し、気流により基板Ｇを乾燥処理する。これにより、減圧乾燥処理ユニットにより基板を乾燥処理する前に、ある程度レジストが塗布処理された基板Ｇの表面を乾燥処理することができる。従って、減圧乾燥処理ユニットを複数段設けなくてもよく、単段の減圧乾燥処理ユニットで十分な乾燥処理を行うことができる。又は、減圧乾燥処理ユニットでの処理時間を短縮することができ、タクト時間を短縮し、生産性を向上させることができる。

以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 塗布現像処理システム
３４ 第１の搬送路
４６ 乾燥処理ユニット
１０４ コロ搬送路
１１０ 気流形成部
１２０ 吐出部材
１２２ 吐出口
１２４ 供給流路
１４０ 吸引部材
１４２ 吸引口
１４４ 排出流路

Claims (22)

1. 基板の被処理面を上に向けた状態で一方向に前記基板を搬送する搬送路と、
   前記被処理面に処理液が塗布処理された状態で前記搬送路を搬送されている前記基板の上方で、前記搬送路の搬送方向又は前記搬送方向と逆方向に流れる気流を形成し、前記気流により前記基板を乾燥処理する気流形成部と
   を有し、
   前記気流形成部は、
   前記搬送路を搬送されている前記基板の上方で気体を吐出する複数の吐出部材と、
   前記搬送路を搬送されている前記基板の上方で気体を吸引する複数の吸引部材と
   を備え、
   前記吐出部材と前記吸引部材とは、前記搬送方向に沿って交互に配列するように設けられており、
   前記吐出部材は、気体を吐出する吐出口と、前記吐出口に気体を供給する供給系と前記吐出口とを接続する供給流路とが形成されている基板処理装置。
2. 前記吐出部材及び前記吸引部材は、前記搬送路を横切る方向に延びるように設けられており、
   前記吐出部材は、前記供給流路の前記搬送路を横切る方向に垂直な断面形状が、前記搬送路を横切る方向に沿って略均一である請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記吐出部材は、前記供給流路の途中に、前記供給流路の前記搬送路を横切る方向以外の方向に沿う幅を狭めた狭幅部が形成されている請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記吐出部材は、前記供給流路の前記狭幅部より前記供給系側に、前記供給流路の前記搬送路を横切る方向以外の方向に沿う幅を、前記狭幅部より拡げた拡幅部が形成されている請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記吐出部材及び前記吸引部材は、それぞれ前記吐出部材の下面及び前記吸引部材の下面に、前記搬送路を横切る方向に延びる凹溝が、前記搬送方向に沿って配列するように形成されている請求項２から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記吸引部材は、気体を吸引する吸引口と、前記吸引口から気体を排出する排出系と前記吸引口とを接続する排出流路とが形成されている請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置。
7. 前記吸引部材は、前記排出流路の前記搬送路を横切る方向に垂直な断面形状が、前記搬送路を横切る方向に沿って略均一である請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記吐出口は、前記吐出部材の側面であって、前記吐出部材に隣接して設けられた前記吸引部材と対向する面に形成されており、
   前記吐出口から吐出された気体は、前記吐出部材と前記吸引部材との隙間を通って前記気流形成部から流出する請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記吸引口は、前記吸引部材の側面であって、前記吸引部材に隣接して設けられた前記吐出部材と対向する面に形成されており、
   前記気流形成部から流出した気体は、前記吸引部材と前記吐出部材との隙間を通って前記吸引口に吸引される請求項８に記載の基板処理装置。
10. 前記吐出部材又は前記吸引部材は、金属を引抜き加工して形成されたものである請求項２から請求項９のいずれかに記載の基板処理装置。
11. 前記吐出部材は、前記吐出口から吐出する気体を、常温より高い温度に制御可能な加熱機構を有する請求項１から請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置。
12. 前記吐出部材は、前記供給流路と連通していない空間部が形成されており、
    前記加熱機構は、前記空間部に設けられている請求項１１に記載の基板処理装置。
13. 基板の被処理面を上に向けた状態で一方向に前記基板を搬送する搬送路と、気体を吐出する吐出口と、前記吐出口に気体を供給する供給系と前記吐出口とを接続する供給流路とが形成され、前記搬送路を搬送されている前記基板の上方で気体を吐出する複数の吐出部材と、前記搬送路を搬送されている前記基板の上方で気体を吸引する複数の吸引部材とが、前記搬送路の搬送方向に沿って交互に配列するように設けられてなる気流形成部とを有する基板処理装置における基板処理方法であって、
    前記被処理面に処理液が塗布処理された前記基板を前記搬送路に沿って搬送する搬送工程と、
    前記気流形成部により、前記搬送路を搬送されている前記基板の上方で、前記搬送方向又は前記搬送方向と逆方向に流れる気流を形成し、前記気流により前記基板を乾燥処理する乾燥処理工程と
    を有する基板処理方法。
14. 前記吐出部材及び前記吸引部材は、前記搬送路を横切る方向に延びるように設けられており、
    前記吐出部材は、前記供給流路の前記搬送路を横切る方向に垂直な断面形状が、前記搬送路を横切る方向に沿って略均一である請求項１３に記載の基板処理方法。
15. 前記吐出部材は、前記供給流路の途中に、前記供給流路の前記搬送路を横切る方向以外の方向に沿う幅を狭めた狭幅部が形成されている請求項１４に記載の基板処理方法。
16. 前記吐出部材は、前記供給流路の前記狭幅部より前記供給系側に、前記供給流路の前記搬送路を横切る方向以外の方向に沿う幅を、前記狭幅部より拡げた拡幅部が形成されている請求項１５に記載の基板処理方法。
17. 前記吐出部材及び前記吸引部材は、それぞれ前記吐出部材の下面及び前記吸引部材の下面に、前記搬送路を横切る方向に延びる凹溝が、前記搬送方向に沿って配列するように形成されている請求項１４から請求項１６のいずれかに記載の基板処理方法。
18. 前記吸引部材は、気体を吸引する吸引口と、前記吸引口から気体を排出する排出系と前記吸引口とを接続する排出流路とが形成されている請求項１３から請求項１７のいずれかに記載の基板処理方法。
19. 前記吐出口は、前記吐出部材の側面であって、前記吐出部材に隣接して設けられた前記吸引部材と対向する面に形成されており、
    前記乾燥処理工程において、前記吐出口から吐出された気体は、前記吐出部材と前記吸引部材との隙間を通って前記気流形成部から流出する請求項１８に記載の基板処理方法。
20. 前記吸引口は、前記吸引部材の側面であって、前記吸引部材に隣接して設けられた前記吐出部材と対向する面に形成されており、
    前記乾燥処理工程において、前記気流形成部から流出した気体は、前記吸引部材と前記吐出部材との隙間を通って前記吸引口に吸引される請求項１９に記載の基板処理方法。
21. 前記乾燥処理工程において、前記吐出部材が有する加熱機構により、前記吐出口から吐出する気体を、常温より高い温度に制御可能である請求項１３から請求項２０のいずれかに記載の基板処理方法。
22. コンピュータに請求項１３から請求項２１のいずれかに記載の基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

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