JP6808690B2 - 減圧乾燥装置、基板処理装置および減圧乾燥方法 - Google Patents
減圧乾燥装置、基板処理装置および減圧乾燥方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6808690B2 JP6808690B2 JP2018138995A JP2018138995A JP6808690B2 JP 6808690 B2 JP6808690 B2 JP 6808690B2 JP 2018138995 A JP2018138995 A JP 2018138995A JP 2018138995 A JP2018138995 A JP 2018138995A JP 6808690 B2 JP6808690 B2 JP 6808690B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diameter
- pipe
- small
- diameter valve
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 102
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 title claims description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 36
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 71
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 32
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 235000014593 oils and fats Nutrition 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B5/00—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
- F26B5/04—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by evaporation or sublimation of moisture under reduced pressure, e.g. in a vacuum
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
また、開口が複数の場合に、第1共通配管が全ての開口と繋がることにより、全ての開口からの吸引排気力を均一にできる。
また、ポンプが複数の場合に、第2共通配管が全てのポンプと繋がることにより、全ての大径配管および小径配管の下流側における吸引排気圧力を均一にできる。
<1−1.基板処理装置の構成>
図1は、第1実施形態に係る減圧乾燥装置1を備えた基板処理装置9の構成を示した概略図である。本実施形態の基板処理装置9は、液晶表示装置用ガラス基板G(以下、基板Gと称する)に対して、レジスト液の塗布、露光および露光後の現像を行う装置である。
図2は、本実施形態に係る減圧乾燥装置1の構成を示した概略図である。図3は、配管部40の立体的な構成を示した斜視図である。減圧乾燥装置1は、上記の通り、レジスト液等の処理液が塗布された基板Gを減圧乾燥する装置である。図2に示すように、減圧乾燥装置1は、チャンバ20、ポンプ30、配管部40、不活性ガス供給部50、制御部60および入力部70を有する。
続いて、図3を参照しつつ、本実施形態の配管部40の配置について、より具体的に説明する。図3中に示すように、以下では、鉛直方向を上下方向、上下方向に直交する方向を水平方向、水平方向のうち大径バルブ440および小径バルブ450の延びる方向を前後方向、水平方向のうち前後方向と直交する方向を左右方向、とそれぞれ称する。
続いて、この減圧乾燥装置1における減圧乾燥処理について、図4を参照しつつ説明する。図4は、減圧乾燥装置1における減圧乾燥処理の流れを示したフローチャートである。図5は、各制御モードにおける大径バルブと小径バルブとの動作を示した図である。図6は、目標減圧波形の一例を示した図である。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のように変形実施されてもよい。
9 基板処理装置
20,20A,20B,20C チャンバ
23,23A,23B 排気口
25 圧力センサ
30,30A,30B,30C ポンプ
40,40A,40B,40C 配管部
41,41A,41B,41C チャンバ接続配管
42,42C 集合配管
43,43A,43C 第1共通配管
44,44A,44B,44C 大径配管
45,45A,45B,45C 小径配管
46,46A,46C 第2共通配管
47,47A,47B,47C 排気配管
48,48A 個別排気配管
50 不活性ガス供給部
60 制御部
70 入力部
93 塗布部
96 現像部
440,440A,440B,440C 大径バルブ
450,450A,450B,450C 小径バルブ
G 基板
Claims (8)
- 処理液が付着した基板を減圧乾燥する減圧乾燥装置であって、
前記基板を収容し、前記基板の周囲に処理空間を形成するチャンバと、
前記チャンバ内の気体を吸引排気する複数のポンプと、
前記チャンバ内と前記ポンプとを流路接続する排気配管部と、
各部の動作を制御する制御部と、
を有し、
前記排気配管部は、
それぞれ大径バルブが介挿された複数の大径配管と、
前記大径バルブよりも管径の小さい小径バルブが介挿された小径配管と、
を含み、
前記大径バルブおよび前記小径バルブはそれぞれ、開度を変更することにより配管内の流路面積を変更可能であり、
前記複数の大径配管と前記小径配管とは、前記チャンバと前記ポンプとの間において、並列に配置され、
前記制御部は、減圧乾燥処理において、
前記大径バルブの開度を固定しつつ前記小径バルブの開度を調整する小径バルブ制御モードと、
前記大径バルブの開度を調整する大径バルブ制御モードと、
に切り替え可能であり、
前記排気配管部は、
一端が前記チャンバ内に開口する、複数のチャンバ接続配管と、
全ての前記チャンバ接続配管の他端と直接または間接的に流路接続される第1共通配管と、
全ての前記ポンプと直接または間接的に流路接続される第2共通配管と、
をさらに含み、
前記複数の大径配管の、前記大径バルブよりも前記チャンバ側にある上流側端部、および、前記小径バルブよりも前記チャンバ側にある前記小径配管の上流側端部はそれぞれ、前記第1共通配管に流路接続され、
前記複数の大径配管の、前記大径バルブよりも前記ポンプ側にある下流側端部、および、前記小径バルブよりも前記ポンプ側にある前記小径配管の下流側端部はそれぞれ、前記第2共通配管に流路接続され、
前記複数のチャンバ接続配管は、それぞれ前記第1共通配管の両端のどちらかに流路接続され、
前記小径配管は、前記第1共通配管の中央部に流路接続され、
前記小径配管は、前記第2共通配管の中央部に流路接続される、減圧乾燥装置。 - 請求項1に記載の減圧乾燥装置であって、
前記制御部は、減圧乾燥処理において、初めに前記小径バルブ制御モードを実行し、その後、大径バルブ制御モードを実行する、減圧乾燥装置。 - 請求項1または請求項2に記載の減圧乾燥装置であって、
前記小径バルブ制御モードは、
前記大径バルブを閉鎖する第1小径バルブ制御モード
を含む、減圧乾燥装置。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の減圧乾燥装置であって、
前記小径バルブ制御モードは、
前記大径バルブの開度を固定する第2小径バルブ制御モード
を含む、減圧乾燥装置。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の減圧乾燥装置であって、
前記排気配管部の有する前記小径配管は1つである、減圧乾燥装置。 - 前記基板に対してレジスト液の塗布と現像を行う基板処理装置であって、
露光処理前の前記基板に前記レジスト液を塗布する塗布部と、
前記レジスト液が付着した前記基板を減圧乾燥する、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の減圧乾燥装置と、
前記露光処理が施された前記基板に対して現像処理を行う現像部と
を有する、基板処理装置。 - 処理液が付着した基板が収容されたチャンバ内から、排気配管部を介して複数のポンプにより気体を吸引排気することにより前記チャンバ内を減圧し、前記基板を乾燥させる減圧乾燥方法であって、
前記排気配管部は、
それぞれ大径バルブが介挿された複数の大径配管と、
前記大径バルブよりも管径の小さい小径バルブが介挿された小径配管と、
一端が前記チャンバ内に開口する、複数のチャンバ接続配管と、
全ての前記チャンバ接続配管の他端と直接または間接的に流路接続される第1共通配管と、
全ての前記ポンプと直接または間接的に流路接続される第2共通配管と、
を含み、
前記複数の大径配管の、前記大径バルブよりも前記チャンバ側にある上流側端部、および、前記小径バルブよりも前記チャンバ側にある前記小径配管の上流側端部はそれぞれ、前記第1共通配管に流路接続され、
前記複数の大径配管の、前記大径バルブよりも前記ポンプ側にある下流側端部、および、前記小径バルブよりも前記ポンプ側にある前記小径配管の下流側端部はそれぞれ、前記第2共通配管に流路接続され、
前記複数のチャンバ接続配管は、それぞれ前記第1共通配管の両端のどちらかに流路接続され、
前記小径配管は、前記第1共通配管の中央部に流路接続され、
前記小径配管は、前記第2共通配管の中央部に流路接続され、
減圧処理の進行に応じて、
a)前記ポンプによる吸引排気を行いつつ、前記大径バルブの開度を固定して前記小径バルブの開度を調整する工程と、
b)前記ポンプによる吸引排気を行いつつ、前記大径バルブの開度を調整する工程と、
を切り替える、減圧乾燥方法。 - 請求項7に記載の減圧乾燥方法であって、
前記減圧処理の初めに前記工程a)を行い、その後、工程b)を行う、減圧乾燥方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018138995A JP6808690B2 (ja) | 2018-07-25 | 2018-07-25 | 減圧乾燥装置、基板処理装置および減圧乾燥方法 |
KR1020190066531A KR102546381B1 (ko) | 2018-07-25 | 2019-06-05 | 감압 건조 장치, 기판 처리 장치 및 감압 건조 방법 |
CN201910573055.4A CN110779280B (zh) | 2018-07-25 | 2019-06-27 | 减压干燥装置、基板处理装置以及减压干燥方法 |
TW108122919A TWI761687B (zh) | 2018-07-25 | 2019-06-28 | 減壓乾燥裝置、基板處理裝置及減壓乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018138995A JP6808690B2 (ja) | 2018-07-25 | 2018-07-25 | 減圧乾燥装置、基板処理装置および減圧乾燥方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020017603A JP2020017603A (ja) | 2020-01-30 |
JP6808690B2 true JP6808690B2 (ja) | 2021-01-06 |
Family
ID=69383862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018138995A Active JP6808690B2 (ja) | 2018-07-25 | 2018-07-25 | 減圧乾燥装置、基板処理装置および減圧乾燥方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6808690B2 (ja) |
KR (1) | KR102546381B1 (ja) |
CN (1) | CN110779280B (ja) |
TW (1) | TWI761687B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112349623A (zh) | 2019-08-06 | 2021-02-09 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法和计算机可读取记录介质 |
JP7055173B2 (ja) * | 2019-08-06 | 2022-04-15 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理プログラム |
JP7520696B2 (ja) | 2020-11-13 | 2024-07-23 | 株式会社Screenホールディングス | 減圧乾燥装置 |
KR20220124343A (ko) * | 2021-03-03 | 2022-09-14 | 주식회사 엘지에너지솔루션 | 롤투롤 상태 전극의 진공건조장치 및 그 진공건조방법 |
JP7316323B2 (ja) * | 2021-06-30 | 2023-07-27 | 株式会社Screenホールディングス | 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 |
KR102597096B1 (ko) * | 2023-05-26 | 2023-11-01 | 주성엔지니어링(주) | 기판처리장치 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5250209U (ja) * | 1975-10-06 | 1977-04-09 | ||
JPS6063374A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-11 | Canon Inc | 気相法堆積膜製造装置 |
JPS63227976A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | Hitachi Ltd | 減圧装置 |
JP2670515B2 (ja) * | 1988-08-26 | 1997-10-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
JP3631847B2 (ja) * | 1996-05-28 | 2005-03-23 | 大日本印刷株式会社 | 真空乾燥装置 |
JP2000024483A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-01-25 | Seiko Seiki Co Ltd | 真空装置 |
JP2000241623A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-09-08 | Canon Inc | 樹脂組成物層の乾燥方法、この乾燥方法を用いたカラーフィルタ基板の製造方法および液晶表示素子 |
DE502004008341D1 (de) * | 2004-03-31 | 2008-12-11 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | Schleusenanordnung für eine Vakuumbehandlungsanlage und Verfahren zum Betreiben von dieser |
KR100697280B1 (ko) | 2005-02-07 | 2007-03-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 설비의 압력 조절 방법 |
JP2006261379A (ja) | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 減圧乾燥装置、排気装置および減圧乾燥方法 |
JP4272230B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2009-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧乾燥装置 |
JP5008147B2 (ja) * | 2008-06-05 | 2012-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧乾燥装置 |
JP2015183985A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR101594932B1 (ko) * | 2014-04-01 | 2016-02-18 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
JP6391362B2 (ja) * | 2014-08-25 | 2018-09-19 | 株式会社Screenホールディングス | 減圧乾燥装置、基板処理装置および減圧乾燥方法 |
CN107185783A (zh) * | 2016-03-15 | 2017-09-22 | 株式会社斯库林集团 | 减压干燥方法及减压干燥装置 |
-
2018
- 2018-07-25 JP JP2018138995A patent/JP6808690B2/ja active Active
-
2019
- 2019-06-05 KR KR1020190066531A patent/KR102546381B1/ko active IP Right Grant
- 2019-06-27 CN CN201910573055.4A patent/CN110779280B/zh active Active
- 2019-06-28 TW TW108122919A patent/TWI761687B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102546381B1 (ko) | 2023-06-21 |
JP2020017603A (ja) | 2020-01-30 |
CN110779280A (zh) | 2020-02-11 |
KR20200011866A (ko) | 2020-02-04 |
TW202029306A (zh) | 2020-08-01 |
TWI761687B (zh) | 2022-04-21 |
CN110779280B (zh) | 2022-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6808690B2 (ja) | 減圧乾燥装置、基板処理装置および減圧乾燥方法 | |
JP6391362B2 (ja) | 減圧乾燥装置、基板処理装置および減圧乾燥方法 | |
JP6781031B2 (ja) | 基板処理方法及び熱処理装置 | |
JP5819458B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5003774B2 (ja) | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 | |
JP5179170B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4074593B2 (ja) | 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法 | |
TWI682481B (zh) | 減壓乾燥裝置、基板處理裝置及減壓乾燥方法 | |
TWI672731B (zh) | 減壓乾燥裝置、基板處理裝置及減壓乾燥方法 | |
JP7316323B2 (ja) | 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 | |
JP5622701B2 (ja) | 減圧乾燥装置 | |
JP2015183985A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR101020675B1 (ko) | 기판 상의 포토레지스트막을 건조하기 위한 장치 | |
KR20100059238A (ko) | 기판 상의 포토레지스트막을 건조하기 위한 장치 | |
JP6579773B2 (ja) | 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 | |
JP5638477B2 (ja) | 現像処理方法、現像処理装置、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP4472647B2 (ja) | 加熱処理装置、加熱処理方法、コンピュータ読取可能な記憶媒体 | |
JP4319201B2 (ja) | 基板の処理方法、プログラム及び基板処理システム | |
JP3170799U (ja) | 減圧乾燥装置 | |
JP7555804B2 (ja) | 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 | |
KR20230028151A (ko) | 감압 건조 장치, 감압 건조 방법 및 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체에 기억된 컴퓨터 프로그램 | |
JP2002110535A (ja) | 基板処理装置、及び基板乾燥方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190401 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200327 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200828 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201209 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6808690 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |