CN112349623A - 基板处理装置、半导体装置的制造方法和计算机可读取记录介质 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法和基板处理程序。目的为不扩散处理室的粒子而在短时间内将处理室设为高真空状态。本发明具备：处理室；主排气线，其具备从处理室排出气体的第1配管、设置在第1配管的第1开度调整阀和开关阀、设置在第1配管的压力传感器；旁路排气线，其具备与主排气线连接的第二配管和设置在第二配管的第二开度调整阀；控制部，其根据压力传感器的信息调整第二开度调整阀的开度并将处理室减压到第一压力，当达到第一压力时关闭第二开度调整阀并开放开关阀和第一开度调整阀，将处理室减压到第二压力，当处理室达到第二压力时关闭开关阀和第一开度调整阀并调整第二开度调整阀的开度，使处理室成为处理压力。

Description

基板处理装置、半导体装置的制造方法和计算机可读取记录 介质
技术领域
本公开的技术涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及基板处理程序。
背景技术
在半导体装置(半导体设备)的制造工序中，垂直基板处理装置可以用作处理包含半导体的被处理体即半导体基板(以下简称为基板)的装置。特别是在专利文献1中记载有以下几点：在减压状态下进行基板处理的基板处理装置中，设置通过排气装置前后的旁路线，在该旁路线上设置开关阀、APC(Auto Proessure Control自动压力控制)阀，并且将该开关阀旁通，设置具有开关阀的旁路线、以及在主线和旁路线双方配备APC阀。
在专利文献1中记载有，通过在旁路线上配置APC阀，从大气压缓慢地减压直到反应室成为预定压力为止，使得不会由于反应室与涡轮分子泵的差压而使反应室内的粒子(石英)扩散。
但是，在这种情况下，旁路线的配管的口径比主线的配管的口径小很多，所以有时从大气压减压到预定压力需要时间。另一方面，在近年来的基板处理中，与以往相比有时需要使处理室成为高真空状态的成膜处理。
专利文献
专利文献1：日本特开平11-300193号公报
发明内容
本公开的目的为不扩散处理室的粒子而在短时间内将处理室设为高真空状态。
根据本公开提供一种基板处理装置，构成为具备：处理室，其处理基板；主排气线，其具备从上述处理室排出气体的第1配管、设置在上述第1配管的第1开度调整阀、设置在上述第1配管的开关阀、设置在上述第1配管且检测上述处理室的压力的压力传感器；旁路排气线，其具备与上述主排气线连接的第2配管和设置在上述第2配管的第2开度调整阀；以及控制部，其根据来自上述压力传感器的信息，调整上述第二开度调整阀的开度并将上述处理室减压至第一压力，当达到上述第一压力时使上述第二开度调整阀关闭并开放上述开关阀和上述第一开度调整阀，上述处理室减压至第二压力，当上述处理室达到第二压力时关闭上述开关阀以及上述第一开度调整阀，调整上述第二开度调整阀的开度，并将上述处理室设为处理压力。
根据本公开的基板处理装置，能够不扩散处理室的粒子而在短时间内使处理室成为高真空状态。
附图说明
图1是表示本公开一个实施方式的基板处理装置的整体结构的概略图。
图2是表示本公开一个实施方式的排气系统的主视图。
图3是表示本公开一个实施方式的排气系统的从大气压减压到第一压力时的动作以及从第二压力减压到高真空区域时的动作的一例的概略图。
图4是表示本公开一个实施方式的排气系统的从第一压力减压到第二压力时的动作的一例的概略图。
图5是表示本公开一个实施方式的排气系统动作的减压状态的图表。
图6是表示本公开一个实施方式的排气系统的动作的流程图。
附图标记的说明
100：基板处理装置、20：处理室、52：主排气线、54：旁路排气线、56：闸阀(开关阀的一例)、58A：第一APC阀(第一开度调整阀的一例)、58B：第二APC阀(第二开度调整阀的一例)、62：压力传感器组、70：主控制部(与APC控制器一起构成的控制部的一例)、72：APC控制器(与主控制部一起构成的控制部的一例)。
具体实施方式
以下，参照附图说明本实施方式的一例。另外，在各个附图中对相同或类似的结构要素以及部分赋予相同的参照标记。另外，为了说明放大了附图的尺寸比率，会与实际的比率不同。另外，将附图的上方向设为上方或上部，将下方向设为下方或下部进行说明。另外，本实施方式中记载的压力全部表示气压。
＜基板处理装置的整体结构＞
如图1所示，基板处理装置100具备具有处理基板30的处理室20的反应炉10、具有将基板30运送到处理室20的载舟26的预备室22、将气体导入处理室20中的气体导入线40、排出处理室20的气体的排气系统50、以及控制基板处理装置100的动作的主控制部70。
〔反应炉〕
如图1所示，在反应炉10内形成有处理室20，处理室20包含在上下方向上具有轴的筒状形成的反应管12、在反应管12的下部夹持连接有气密部件12A并在上下方向上具有轴的筒状形成的炉口凸缘14。此外，反应炉10中，在内管16与反应管12被同芯地支撑在反应管12的内部。此外，在反应管12的外周与反应管12的轴同芯并且与反应管12的外表面具有间隔地设置加热器18。加热器18具有获得来自后述的主控制部70的信号并发热来加热反应管12的功能。这样，通过反应管12、炉口凸缘14、内管16、加热器18和处理室20构成反应炉10。另外，基板30被配置在处理室20上。
〔预备室〕
如图1所示，预备室22设置有与炉口凸缘14的下部密封地连通的运送框体24。在运送框体24的内部以能够在上下方向上移动的方式设置载舟26，该载舟26载置基板30并将基板30搬运并插入到处理室20。另外，具有以下结构：在运送框体24的下部连通有具有与后述的气体导入线40相同结构的第二气体导入线44，可以从该第二气体导入线44导入在处理室20中导入的气体。另外，在运送框体24的下部且载舟26的下方设置有气密地阻塞运送框体24的炉口盖28。
〔气体导入线〕
如图1所示，气体导入线40具有未图示的气体供给部、连通供气体供给部和炉口凸缘14的气体导入管40A、设置在燃气导入管的气体供给部与炉口凸缘14之间的流量控制器42。流量控制器42具有根据来自后述的主控制部70的信号来对设置在内部的未图示的阀开关而控制气体导入量的功能。另外，第二气体导入线44除了将气体供给部和运送框体24的下部连通这点之外，具有与气体导入线40相同的结构，并作为气体导入线40的预备而设置。另外，这里使用的气体是惰性气体，具体而言是氮气。
〔主控制部〕
主控制部70控制基板处理装置100的整体动作。主控制部70虽然未图示，但具有CPU、ROM、RAM、寄存器、输入部、显示部、通信接口等，各自内置有与总线连接的计算机。主控制部70根据来自输入部的输入信息，执行用于进行基板处理设备100的各种处理的基板处理程序。例如，主控制部70执行作为基板处理程序之一的制程配方，控制作为制造半导体装置的一个工序的基板处理工序。此时，主控制部70控制排气系统50的闸阀56的开关，并且与APC控制器72协作地调整第一APC阀58A和第二APC阀58B的开度，并控制处理室20的压力。这里，主控制部70是与后述的APC控制器72一起构成的控制部的一例。另外，以后对APC阀进行闭塞或关闭的记载中，APC阀的开度与0％的含义相同，对于打开APC阀的记载，APC阀的开度与100％的含义相同。
<主要部分的结构>
《排气系统》
如图1至图3所示，排气系统50具有：主排气线52，其至少具备作为从处理室20排出气体的第一配管的大口径配管52A、设置在配管52A中的第一APC阀58A和闸阀56、设置在配管52A中来检测处理室20的压力的压力传感器组62；以及旁路排气线54，其至少具备与配管52A连接且将配管52A的口径设为D时作为口径为D×(0.5～0.9)的第二配管的配管54A、设置在配管54A上的第二APC阀58B。这里，闸阀56是开关阀的一个例子，第一APC阀58A是第一开度调整阀的一个例子，第二APC阀58B是第二开度调整阀的一个例子。另外，作为成为与主排气线52的处理室20相反侧的端部的尾部与泵60的吸引侧连接，泵60也可以包含在排气系统50中。
进一步，排气系统50构成为由控制第一APC阀58A和第二APC阀58B的APC控制器72和主控制部70来控制。
〔主排气线〕
如图1所示，主排气线52上设置有从处理室20连通到泵60的配管52A、在处理室20与泵60之间的第一APC阀58A和闸阀56。闸阀56与主控制部70电连接，并且根据来自与后述的压力传感器组62电连接的主控制部70的信号进行开关动作。另外，第一APC阀58A与APC控制器72电连接，并且根据来自与后述的压力传感器组62电连接的APC控制器72的信号进行开关动作和开度调整。主排气线52构成为，当第一APC阀58A和闸阀56处于打开状态时通过泵60的吸引动作来排出处理室20的气体。在本实施方式中，配管52A的口径作为一例为200mm(200φ)。
〔旁路排气线〕
如图1所示，旁路排气线54中设置在配管52A中将在处理室20和与闸阀56之间分支的分支部54B与在与闸阀56和泵60之间汇合的汇合部54C之间进行连通的配管54A、以及在配管54A的分支部54B与河流部54C之间的第二APC阀58B。第二APC阀58B与APC控制器72电连接，并且根据接收到来自与后述的压力传感器组62电连接的主控制部70的处理室20的压力信息的APC控制器72的动作指令来调整第二APC阀58B的开度并进行开关动作。旁路排气线54构成为，在闸阀56处于关闭状态时，通过泵60的吸引动作来排出处理室20的气体。配管54A的口径在40mm以上且180mm以下，优选在80mm以上且140mm以下，特别优选80mm以上且100mm以下(80φ以上100φ以下)，在本实施方式中，作为一例设为100mm(100φ)。如果配管54A的直径比主排气线52小，则旁路排气线54可以大于180mm，但如果直径过大，则无需设置旁路排气线54。另外，如果配管54A的口径大于140mm，则在来自后述的大气压排气时，尽管调整APC阀仍担心会发生粒子。另一方面，如果配管54A过小，则由于排气线的排气能力的影响会对工艺产生影响。例如，当配管54A的口径小于40mm时，可能会担心排气能力对工艺的影响。
〔压力传感器组〕
如图1所示，压力传感器组62通过配置在比对应于配管52A的分支部54B的位置更靠处理室20侧的多条配管62A相互连通地设置。压力传感器组62具有与主控制部70电连接并且发送处理室20的压力信息的功能。另外，压力传感器组62由后述的大气压传感器64、第一真空传感器68和第二真空传感器66构成。如图2所示，第一真空传感器68、第二真空传感器66和大气压传感器64设置在各个配管62A中，该各个配管62A从靠近分支部分54B的一侧向远离分支部分54B的一侧(处理室20侧)，按照该顺序与配管52A连接。这里，气压传感器64、第一真空传感器68和第二真空传感器66分别是压力传感器的一个例子。
(大气压传感器)
如图2所示，大气压传感器64设置在与离处理室20最近位置的配管52A连接的配管62A上，并且具有检测接近大气压区域的压力的功能。
(第一真空传感器)
如图2所示，第一真空传感器68设置在配管62A中，并且具有作为检测从接近大气压的区域的压力到预定真空区域的压力(10-1～105Pa)为止的广域压力传感器的功能。这里，构成为检测从大气压力到第二压力P2(例如，10Torr)为止。
(第二真空传感器)
如图2所示，第二真空传感器66设置在配管62A中，另外在第二真空传感器66设置有当压力减小到预定压力时为打开的阀66A。在本实施方式中，构成为当处于第二压力P2时阀66A打开。第二真空传感器66具有作为检测高真空区域(高真空状态)压力的压力传感器的功能。这里，构成为阀66A在第二压力P2(例如，10Torr)打开，检测压力。
如上所述，大气压传感器64、第一真空传感器68和第二真空传感器66分别与主控制部70电连接。
〔APC控制器〕
如图1和图2所示，APC控制器72在主排气线52的配管52A中设置在闸阀56和配管62A或分支部54B之间，并且与主控制部70和APC控制器72电连接。如上所述，APC控制器72具有从主控制部70接收处理室20的压力信息并调整第一APC阀58A和第二APC阀58B的开度的功能。这里，APC控制器72是与主控制部70一起构成的控制部的一例。
＜主要部分的作用＞
这里，将参照图3至图6描述本实施例的主要部分即排气系统50的基板处理方法、半导体装置的制造方法以及基板处理程序的动作和步骤。
在本实施方式的排气系统50中，主控制部70和APC控制器72根据来自压力传感器组62的信息，调整第二APC阀58B的开度，并且将处理室12减压到第一压力P1，在达到第一压力P1时关闭第二APC阀58B并开放第一APC阀58A和闸阀56，并且将处理室20减压到第二压力P2，在处理室20达到第二压力P2时关闭第一APC阀58A和闸阀56来调整第二APC阀58B的开度，将处理室20减压到成为预定的高真空状态。这里，将低于第二压力P2的压力称为高真空状态。另外，排气系统50使处理室20的压力减压到比高真空区域中的第二压力P2更低的压力，并维持在处理基板30的处理压力。
在图5中，纵轴是处理室20的压力、横轴是减压所需的时间，本实施方式中的减压线A用粗线表示，比较例中的减压线B用细线表示。另外，大气压P0约为1.023×105Pa(约760Torr)，第一压力P1约为9.066×104Pa(约680Torr)，第二压力P2约为1.333×103Pa(约10Torr)。另外，从大气压开始减压时，会进行慢排气。但是，慢排气实际上所需的时间是几秒左右，与从大气压P0到第二压力P2的5分钟～10分钟左右相比是可以忽略的时间，所以在本说明书中未反映在图5中。以下省略慢排气相关的说明。
〔从大气压到第一压力的减压〕
首先，是将处理室20的压力以预定比率从大气压P0减压到第一压力P1的工序。
最初在处理室20中，放置在载舟26上的多个基板30由载舟26搬运并插入到处理室20内部。此时，将处理室20的压力以大气压进行准备(步骤S01)。另外，第一APC阀58A、闸阀56(561)和第二APC阀58B(581)都被关闭。
如图3和图6所示，首先启动泵60。然后，设置在主排气线52的配管52A中的第一APC阀58A和闸阀56根据来自主控制部70的关闭指令而被关闭。图3中，为了帮助理解，用阀561表示，并且示出阀561为关闭状态。另外，设置在旁路排气线54的配管54A中的第二APC阀58B根据来自APC控制器72的打开指令，在调整开度的同时从关闭状态向开放状态打开。在图3中，为了帮助理解，通过阀581表示，并且示出了阀581在调整开度的同时向开放状态打开的状态(步骤S02)。
然后，处理室20在从大气压P0向第一压力P1调整第二APC阀58B的开度的同时进行减压(步骤S03)。在本实施方式中，由于配管54A的口径具有配管52A的口径的0.5～0.9倍，所以与使用不足0.5倍的细配管的情况相比，排气效率良好。换言之，从大气压P0到第一压力P1的减压所需要的时间被缩短(参照图5的减压线A和B)。
〔从第一压力到第二压力的减压〕
接着，是将处理室20的压力从第一压力P1减压到第二压力P2的工序。
在从第一压力到第二压力的减压中，大气压传感器64设为关闭，并且第二真空传感器的阀66保持关闭，检测第一真空传感器68被减压到第一压力P1(步骤S04)。该信息被发送到主控制部70，并且从主控制部70被发送到APC控制器72。
如图4所示，在该时间点，第一APC阀58A和闸阀56(561)通过来自主控制部70的打开信号被开放。同时，第二APC阀58B(581)通过来自APC控制器72的关闭信号而被关闭(步骤S05)。
然后，处理室20从第一压力P1减压到第二压力P2(步骤S06)。
[从第二压力到高真空区域的减压]
接下来，是将处理室20的压力从第二压力P2进一步减压到高真空区域的压力的工序。
在从第二压力到高真空区域的减压中，大气压传感器64和第一真空传感器68为关闭，当阀66到达第二压力P2时打开，第二真空传感器66接通，从而检测到处理室20的压力被减压到第二压力P2(步骤S07)。该信息被发送到主控制部70，另外从主控制部70被发送到APC控制器72。
如图3所示，在该时间点，第一APC阀58A和闸阀56(561)通过来自主控制部70的关闭信号而被关闭。同时，第二APC阀58B(581)通过来自APC控制部72的打开信号调整开度并被开放(步骤S08)。
然后，处理室20从第二压力P2保持在预定的处理压力(例如，在后述的成膜过程中形成成膜温度时的压力)(步骤S09)。这里，处理压力可以不是高真空状态，当然也可以是比第二压力P2更高的压力。例如，在从第二压力P2进一步减压到高真空区域之后，可以使处理室20成为处理压力，也可以在减压到真空到达压力的状态下检查处理室20的泄露之后，使处理室20成为处理压力。在这种情况下，当从真空到达压力调节到处理压力时，优选供给吹扫气体(惰性气体)。
然后，将处理室20的压力维持在预定处理压力，进行基板30的处理(步骤S10)。
接着，检测基板30的处理结束(步骤S10)。在基板处理工序结束后，在该信息被发送到主控制部70时，主控制部70将惰性气体(例如氮气)供给给处理室，使处理室20置换为氮气氛(步骤S11)。接着，通过来自主控制部70和APC控制器72的关闭信号，第一APC阀58A、闸阀56和第二APC阀58B被关闭，并且处理室20的压力上升。这样，处理室20的压力恢复到大气压。另外，当主控制部70达到某个压力(例如，大气压以下的任何压力)时，向APC控制器72发送任意的压力(在此情况下为大气压)指示，并通过接收到的来自APC控制部72的打开信号来开放第二APC阀58B。此时，第二APC阀58B(581)与图3所示的情况相同，优选在调整开度的同时将处理室20的压力控制为大气压(步骤S12)。
然后，从处理室20排出处理后的基板30。
另外，在图5中，在时刻t和t’以及时刻5t和5t’之间没有被减压的时间表示为作为切换第一APC阀58A、第二APC阀58B和闸阀56所需要的时间而没有被减压的时间，但实际上所需的时间很小，这是为了帮助理解有阀门切换时间。
<比较例>
图5将比较例中处理室减压所需的时间表示为减压线B。在比较例中，旁路排气线的细口径配管和APC阀的流量小于本实施方式中的中径配管的口径和APC阀的流量。具体地说，比较例中的旁路排气线的口径是主排气线的口径的0.2倍。因此，在减压线B中，从大气压P0到第一压力P1的减压所需要的时间约为5t。另外，从大气压P0到第二压力P2的减压所需的时间约为10t。
与此相对，在本实施方式中，如上所述，旁路排气线54的口径由主排气线52的口径D的0.5～0.9倍构成。因此，处理室20的减压所需的时间如图5中的减压线A所示，从大气压P0到第一压力P1的减压所需的时间约为t，并且，从大气压P0到第二压力P2的减压所需的时间约为5t。并且，在进一步对未达到第二压力P2的高真空区域进行减压的区域中，在比较例中如减压线B的虚线所示，减压非常困难，但是在本实施例中，由于具有比比较例减压效率高的旁路排气线54，从而也能够减压到未达到第二压力P2的高真空区域。因此，能够进行作为高真空状态的基板处理(例如成膜处理)。
这样，在本实施例中，当处理室20进行减压作为预定的真空状态时，主控制部70调整旁路排气线54的第二APC阀58B的开度，并且将处理室20减压到成为第一压力P1为止。
这里，旁路排气线54的配管54A的口径是主排气线52的配管52A的口径的0.4～0.9倍，所以排气量与比较例相比并不小，因此，处理室20到第一压力P1为止的时间与现有的基板处理装置相比可以缩短。另外，由于调整第二APC阀58B的开度并进行减压，所以通过开放主排气线52的闸阀56和第一APC阀58A并进行初始排气，可以抑制处理室20的粒子的扩散。
此外，当处理室20达到第一压力P1时，关闭第二APC阀58B并开放闸阀56和第一APC阀58A，通过具备了配管52A的主排气线52进行排气。因此，每小时的排气量增加并可以缩短处理室减压到第二压力P2为止的时间。也就是说，由于可以缩短减压到高真空状态的时间，所以可以适用于近年来的高真空状态下的基板处理。
此外，当处理室20达到第二压力P2时，关闭闸阀56和第一APC阀58A，开放第二APC阀58B并且将处理室20进一步减压到真空度更高的高真空区域。由于第二APC阀58B与闸阀56或第一APC阀58A相比响应性较好，所以与在排气线52中将处理室20设为真空状态相比其口径较小，因此可以没有漏气而成为高真空状态。
＜基板处理工序＞
接着，说明使用本实施方式的基板处理装置100实施的具有预定处理工序的基板处理方法。这里，预定的处理工序以实施半导体设备的制造工序的一个工序即基板处理工序的情况为例。
在基板处理工序的实施中，制程配方在未图示的存储器等中展开，根据需要从主控制部70向APC控制器72提供控制指示，并且向未图示的处理系统控制器或运送系统控制器赋予动作指示。这样实施的基板处理工序至少具有搬入工序、成膜工序以及搬出工序。
(移载工序)
主控制部70在未图示的基板移载机构中开始基板30向载舟26的移载处理。进行该移载处理直到预定的所有基板30向载舟26的装填(晶圆充电)完成为止。
(搬入工序)
当预定张数的基板30被装到载舟26时，载舟26通过未图示的载舟电梯上升，装进形成在反应炉10内的处理室20(舟载)。当载舟26被完全装入后，炉盖28将反应炉10的炉口凸缘14的下端密闭。
(成膜工序)
接着，处理室20通过真空泵等真空排气装置进行真空排气，使得如上所述那样按照来自APC控制器72的指示成为预定的成膜压力(处理压力)。另外，处理室20通过加热器18加热，使得按照来自未图示的温度控制部的指示成为预定的温度。接着，开始未图示的旋转机构进行的载舟26和基板30的旋转。并且，在保持在预定压力和预定温度的状态下，向保持在载舟26中的多张基板30供给预定的气体(处理气体)，对基板30进行预定的处理(例如成膜处理)。另外，在下一个搬出工序前，有时会使温度从处理温度(预定的温度)下降。
(搬出工序)
当对放置在载舟26上的基板30的成膜工序完成时，停止旋转机构进行的载舟26和基板30的旋转，将处理室20置换为氮气氛(氮置换工序)，使大气压恢复。然后，使炉口盖28下降，使炉口凸缘14的下端开口，并且将保持了处理后的基板30的载舟26搬出反应炉10的外部(载舟卸载)。
(回收工序)
然后，保持处理后的基板30的载舟26通过从清洁单元吹出的清洁空气被极为有效地冷却。并且，例如当被冷却到150℃以下时，从载舟26拆卸(晶圆放电)处理后的基板30并将其移载到未图示的吊舱中。在连续地进行分批处理的情况下，再次进行新的未处理基板30向载舟26的移载。
如上所述，在本实施方式中，通过从大气压附近的压力到第一压力为止进行减压的工序、从第一压力到第二压力为止进行减压的工序、从第二压力设为处理压力的工序中的任意一个工序进行真空排气，但在该任意一个工序中可以供给吹扫气体。
如上所述，在本实施例中，通过第一真空传感器和第二真空传感器这两个传感器对从大气压力附近的压力减压到第一压力的工序、从第一压力减压到第二压力的工序、从第二压力设为处理压力的工序进行压力检测，但是例如可以通过真空传感器A执行从大气压附近的压力减压到第一压力的工序，通过真空传感器B执行从第一压力减压到第二压力的工序，通过真空传感器C执行从第二压力到高真空状态的处理压力的工序。
这样，根据本实施方式，通过APC阀调整开度同时进行减压，使得从大气压附近的压力到某种程度的负压(例如第一压力)，所以能够不使粒子扩散到处理室而在短时间内使处理室处于高真空状态。
<其他实施例>
上面已经描述了处理压力低于第二压力P2的压力，这里将简要记载处理压力比第二压力P2高的压力。另外，从大气压减压到第一压力P1的过程与上述内容相同，因此省略。在这种情况下，当处理室20达到第一压力P1时，关闭第二APC阀58B并开放闸阀56，调整第一APC阀58A的开度，并且通过具备了配管52A的主排气线52进行排气，减压至处理压力。
另外，当根据处理压力来开放第一APC阀58A并被减压到某种程度的压力时，可以调整第一APC阀58A的开度并成为处理压力，通过第一AP阀58A的开放而被减压的压力被减压到处理压力附近即可，所以可以高于或低于处理压力。
即使在该实施方式中，由于通过APC阀调整开度同时进行减压，使得从大气压附近的压力到某种程度的负压(例如第一压力)，所以能够不使粒子扩散到处理室而在短时间内调整为处理压力。

Claims (13)

1.一种基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置具备：
处理室，其处理基板；
主排气线，其具备从上述处理室排出气体的第一配管、设置在上述第一配管的第一开度调整阀、设置在上述第一配管的开关阀、设置在上述第一配管且检测上述处理室的压力的压力传感器；
旁路排气线，其具备与上述主排气线连接且口径小于上述第一配管的第二配管和设置在上述第二配管的第二开度调整阀；以及
控制部，其构成为，能够根据来自上述压力传感器的信息，调整上述第二开度调整阀的开度并且将上述处理室减压至上述第一压力，当达到上述第一压力时使上述第二开度调整阀关闭并开放上述开关阀和上述第一开度调整阀，将上述处理室减压至第二压力，当上述处理室达到第二压力时关闭上述开关阀以及上述第一开度调整阀，调整上述第二开度调整阀的开度并使上述处理室成为处理压力。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第二配管的口径小于上述第一配管。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述压力传感器具备第一真空传感器和第二真空传感器，
根据来自上述第一真空传感器的信息，减压至上述第二压力，并根据来自上述第二真空传感器的信息，从上述第二压力成为处理压力。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在减压至上述第一压力的工序中，关闭上述开关阀和上述第一开度调整阀。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
将上述第一开度调整阀的开度维持为0％。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在减压至上述第二压力的工序中，将上述第一开度调整阀的开度维持为100％。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第一配管与上述第二配管的直径的比为1.0:0.2以上且1.0:0.8以下。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第二配管的直径为80mm以上且100mm以下。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在减压至上述第一压力的工序、减压至上述第二压力的工序、从上述第二压力成为上述处理压力的工序中的任意一个工序中，供给吹扫气体。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在上述处理压力低于上述第二压力时，达到低于上述第二压力的预定的真空压力，供给上述吹扫气体并调整上述第二开度调整阀的开度而成为上述处理压力。
11.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在上述处理压力高于上述第二压力时，调整上述第一开度调整阀的开度而成为上述预定的处理压力。
12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
该方法具有以下工序：
准备基板处理装置的工序，上述基板处理装置具备：处理基板的处理室；主排气线，其具备从上述处理室排出气体的第一配管、设置在上述第一配管的第一开度调整阀、设置在上述第一配管的开关阀、设置在上述第一配管且检测上述处理室的压力的压力传感器；以及旁路排气线，其具备与上述主排气线连接且口径小于上述第一配管的第二配管和设置在上述第二配管的第二开度调整阀；
根据来自上述压力传感器的信息，调整上述第二开度调整阀的开度并将上述处理室减压至第一压力的工序；
当达到上述第一压力时关闭上述第二开度调整阀并开放上述开关阀和上述第一开度调整阀，将上述处理室减压至第二压力的工序；以及
当上述处理室达到上述第二压力时关闭上述开关阀以及上述第一开度调整阀，调整上述第二开度调整阀的开度，使上述处理室成为处理压力的工序。
13.一种记录有基板处理程序的计算机可读取记录介质，该基板处理程序由基板处理装置来执行，该基板处理装置具备：处理基板的处理室；主排气线，其具备从上述处理室排出气体的第一配管、设置在上述第一配管的第一开度调整阀、设置在上述第一配管的开关阀、设置在上述第一配管且检测上述处理室的压力的压力传感器；以及旁路排气线，其具备与上述主排气线连接且口径小于上述第一配管的第二配管和设置在上述第二配管的第二开度调整阀，其特征在于，
该基板处理程序通过计算机使上述基板处理装置执行以下步骤：
根据来自上述压力传感器的信息，调整上述第二开度调整阀的开度并将上述处理室减压至第一压力的步骤；
当达到上述第一压力时关闭上述第二开度调整阀并开放上述开关阀和第一开度调整阀，将上述处理室减压至第二压力的步骤；以及
当上述处理室达到上述第二压力时关闭上述开关阀和第一开度调整阀，调整上述第二开度调整阀的开度，使上述处理室成为处理压力的步骤。
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