JP7228612B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びプログラム - Google Patents

Description

本開示は、基板に薄膜の生成等の処理を行う基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。

半導体装置の製造方法に於いて、基板（以下、ウェーハと称す）に酸化膜や金属膜を形成する為の装置として、縦型基板処理装置が使用される場合がある。又、ウェーハを保持するボート、ウェーハを処理する処理室を複数備え、各処理室に対してボートを順次搬入出し、ウェーハを処理する基板処理装置がある。

従来の基板処理装置では、基板処理装置の周辺、例えば側方に各機構のメンテナンスを行う為のメンテナンスエリアを確保する必要がある。従って、メンテナンスエリアも考慮して設置する必要がある為、基板処理装置の設置に必要なフットプリントが大きくなり、ＣＯＯ（Ｃｏｓｔ ｏｆ Ｏｗｅｎｅｒｓｈｉｐ）も高くなっていた。

特許第６４８４６０１号公報 ＷＯ２０１９／１７２２７４号公報 特開２０１２－９９７６３号公報 ＷＯ２０１８／３０７２号公報

本開示は、フットプリントの低減を図りつつ、排気効率の向上を図る構成を提供するものである。

本開示は、基板処理用の第１の処理容器と、正面側に設けられた基板の搬入口とを有する第１の処理モジュールと、前記第１の処理容器内に処理ガスを供給する第１の供給系を含み、前記第１の処理モジュールの背面に近接して配置される第１のユーティリティ系と、前記第１の処理モジュールの後方に配置され、前記第１の処理容器内を排気する第１の真空排気装置を備え、前記第１の真空排気装置の外側の側面は、前記第１のユーティリティ系の外側の側面よりも外側に突出しない構成に係るものである。

本開示によれば、複数の基板処理装置の間での排気特性のばらつき（機差）を抑制しつつ排気効率（排気速度）を向上させることができる。

本開示の実施例に係る基板処理装置の一例を示す上面図である。 本開示の実施例に係る基板処理装置の一例を示す縦断面図である。 本開示の実施例に係る基板処理装置の一例を示す横断面図である。 本開示の実施例に係る処理炉の一例を示す縦断面図である。 本開示の実施例に係るユーティリティ系の一例を示す斜視図である。 本開示の実施例に係るブースタポンプの一例を示す縦断面図である。 （Ａ）（Ｂ）は、本開示の実施例に係るブースタポンプの一例を示す斜視図である。 本開示の実施例に係る基板処理装置の変形例１を示す上面図である。 本開示の実施例に係る基板処理装置の変形例２を示す上面図である。 本開示の実施例に係る排気系及び周辺部の一例を示す正面図である。 本開示の実施例に係る排気系及び周辺部の一例を示す平面図である。 本開示の実施例に係る接続部の一例を示す斜視図である。 （Ａ）は接続部に制振板を設けなかった場合の振動と周波数の関係を示すグラフであり、（Ｂ）は接続部に制振板を設けた場合の振動と周波数の関係を示すグラフである。 本開示の実施例に係る基板処理装置の変形例３を示す上面図である。 本開示の実施例に係る基板処理装置の変形例４を示す上面図である。 基板処理装置の変形例４を示す横断面図である。 本開示の実施例に係る基板処理装置の変形例５を示す上面図である。 基板処理装置の変形例５を示す横断面図である。

以下、図面を参照しつつ本開示の限定的でない例示の実施例を説明する。尚、以下の説明に於いて用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面に示される、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。又、複数の図面の相互間に於いても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。又、全図面中、同一又は対応する構成については、同一又は対応する符号を付し、重複する説明を省略する。又、後述する収納室１３側を正面側（前側）、後述する第１のユーティリティ系５４Ａ、第２のユーティリティ系５４Ｂ側を背面側（後側）とする。更に、後述する第１の処理モジュール２Ａ、第２の処理モジュール２Ｂの境界線（隣接面）に向う側を内側、境界線から離れる側を外側とする。

本実施例に於いて、基板処理装置は、半導体装置（デバイス）の製造方法に於ける製造工程の一工程として、熱処理等の基板処理工程を実施する縦型基板処理装置（以下、基板処理装置と称する）１として構成されている。

図１、図２に示される様に、基板処理装置１は、第１の処理モジュール２Ａと、第２の処理モジュール２Ｂとを備えている。処理モジュール２Ａ及び２Ｂは、おおよそ直方体の輪郭を有する筐体又は躯体を有し、それぞれの一側面が互いに平行に密着又は隣接して配置されている。処理モジュール２Ａは、第１の処理炉４Ａ（処理炉４Ａ）と第１の搬送室５Ａ（搬送室５Ａ）により構成される。処理モジュール２Ｂは、第２の処理炉４Ｂ（処理炉４Ｂ）と第２の搬送室５Ｂ（搬送室５Ｂ）により構成される。

処理炉４Ａと処理炉４Ｂの下方には、搬送室５Ａと搬送室５Ｂがそれぞれ配置されている。搬送室５Ａと搬送室５Ｂの正面側に隣接して、移載室１１が配置されている。移載室１１は、おおよそ直方体の外形の筐体を有し、ウェーハ８を移載する移載機９が備えられる。移載室１１の正面側には、ウェーハ８を複数枚収納するポッド（フープ）１２を収納する収納室１３が連結されている。収納室１３、処理モジュール２Ａ、２Ｂ、移載室１１は、互いに直交する面からなる多面体を基調とした外径を有し、それぞれ着脱可能に構成され、その接続部は適切な気密性を有する。収納室１３の前面には、Ｉ／Ｏポート１４が設置され、Ｉ／Ｏポート１４を介して基板処理装置１の内外にポッド１２が搬入出される。又収納室１３には、移載室１１の正面に接続されたＦＩＭＳ（Ｆｒｏｎｔ－ｏｐｅｎｉｎｇ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｔａｎｄａｒｄ）等のロードポート１６が設けられ、ポッド１２の開閉を行う。ポッド１２から取出されたウェーハ８は、ミニエンバイロメントを構成する移載室１１と搬送室５Ａ、５Ｂの中で取扱われる。

搬送室５Ａ、５Ｂと移載室１１との境界壁（隣接面）には、両者の間でウェーハ（基板）８を搬入する為の第１のゲートバルブ１５Ａ（ゲートバルブ１５Ａ）と第２のゲートバルブ１５Ｂ（ゲートバルブ１５Ｂ）がそれぞれ設置される。移載室１１内及び搬送室５Ａ、５Ｂ内には圧力検知器がそれぞれ設置されており、移載室１１内の圧力は、搬送室５Ａ、５Ｂ内の圧力よりも低くなる様に設定されている。又、移載室１１内及び搬送室５Ａ、５Ｂ内には酸素濃度検知器がそれぞれ設置されており、移載室１１内及び搬送室５Ａ、５Ｂ内の酸素濃度は大気中に於ける酸素濃度よりも低く維持されている。移載室１１の天井部には、移載室１１内にクリーンエアを供給するクリーンユニット１７が設置されており、移載室１１内にクリーンエアとして、例えば不活性ガスを循環させる様に構成されている。移載室１１内を不活性ガスにて循環パージすることにより、移載室１１内を清浄な雰囲気とすることができる。この様な構成により、移載室１１内に搬送室５Ａ、５Ｂ内のパーティクル等が混入することを抑制することができ、移載室１１内及び搬送室５Ａ、５Ｂ内でウェーハ８上に自然酸化膜が形成されるのを抑制することができる。

処理モジュール２Ａと処理モジュール２Ｂは細部を除き略同一（面対称）の構成を備える為、以下に於いては、代表して第１の処理モジュールについてのみ説明する。

図４に示される様に、処理炉４Ａは、円筒形状の第１の処理容器１８Ａ（反応管１８Ａ）と、反応管１８Ａの外周に設置された加熱手段（加熱機構）としての第１のヒータ１９Ａ（ヒータ１９Ａとを備える。反応管１８Ａは、例えば石英（Ｓｉ）やシリコンカーバイド（ＳｉＣ）によって形成される。反応管１８Ａの内部には、基板としてのウェーハ８を処理する第１の処理室２１Ａ（処理室２１Ａ）が形成される。又、反応管１８Ａには、温度検出器としての第１の温度検出部２２Ａが反応管１８Ａの内壁に沿って立設されている。

基板処理に使用されるガスは、ガス供給系としての第１のガス供給機構２３Ａによって処理室２１Ａ内に供給される。ガス供給機構２３Ａが供給するガスは、成膜される膜の種類に応じて換えられる。ここでは、ガス供給機構２３Ａは、原料ガス供給部、反応ガス供給部及び不活性ガス供給部を含む。ガス供給機構２３Ａは、後述する第１の供給ボックス２４Ａ（ガスボックス）に収納されている。

原料ガス供給部は、ガス供給管２５ａを備え、ガス供給管２５ａには、上流方向から順次、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２６ａ及び開閉弁であるバルブ２８ａが設けられている。ガス供給管２５ａは第１のマニホールド２７Ａ（マニホールド２７Ａ）の側壁を貫通するノズル２９ａに接続されている。ノズル２９ａは、反応管１８Ａ内に上下方向に沿って立設し、第１のボート３１Ａ（ボート３１Ａ）に保持されるウェーハ８に向って開口する複数の供給孔が形成されている。ノズル２９ａの供給孔を通してウェーハ８に対して原料ガスが供給される。

以下、同様の構成にて、反応ガス供給部からは、ガス供給管２５ｂ、ＭＦＣ２６ｂ、バルブ２８ｂ及びノズル２９ｂを介して、反応ガスがウェーハ８に対して供給される。不活性ガス供給部からは、ガス供給管２５ｃ，２５ｄ、ＭＦＣ２６ｃ，２６ｄ、バルブ２８ｃ，２８ｄ、及びノズル２９ａ，２９ｂを介して、ウェーハ８に対して不活性ガスが供給される。

反応管１８Ａの下端開口部には、円筒形のマニホールド２７Ａが、Ｏリング等のシール部材を介して連結され、反応管１８Ａの下端を支持している。マニホールド２７Ａの下端開口部は、搬送室５Ａの天井に対応して配置されており、円盤状の第１の蓋部３２Ａ（蓋部３２Ａ）によって開閉される。蓋部３２Ａの上面にはＯリング等のシール部材が設置されており、これにより反応管１８Ａと外気とが気密にシールされる。蓋部３２Ａ上には、第１の断熱部３３Ａ（断熱部３３Ａ）が載置される。

マニホールド２７Ａには、軸心に対して直交する方向、即ち反応管１８Ａの管軸に対して直交する方向に延出する第１の排気ポート３０Ａ（排気ポート３０Ａ）が形成され、排気ポート３０Ａを介して第１の排気管３４Ａが取付けられている。排気管３４Ａには、処理室２１Ａ内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての第１の圧力センサ３５Ａ（圧力センサ３５Ａ）と、圧力調整器（圧力調整部）としての第１のコンダクタンス可変バルブ３６Ａを介して、真空排気装置としての第１のブースタポンプ３８Ａに接続されている。尚、コンダクタンス可変バルブ３６Ａは、ＡＰＣ（ＡｕｔｏＰｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブとゲートバルブの２つのバルブを直列に接続して構成された２段構成のバルブとなっている。又、ＡＰＣバルブは、排気管３４Ａの断面積と同等若しくはそれ以上の流路断面積で開放可能なバタフライバルブとなっている。この様な構成により、処理室２１Ａ内の圧力を処理に応じた処理圧力とすることができる。主に、排気管３４Ａ、圧力センサ３５Ａ、コンダクタンス可変バルブ３６Ａにより、第１の排気系としての排気系３９Ａが構成される。排気系３９Ａは、後述する第１の排気ボックス４０Ａ（排気ボックス４０Ａ）に収納されうる。

処理室２１Ａは、複数枚、例えば１０～１５０枚のウェーハ８を垂直に棚状に支持する基板保持具としてのボート３１Ａを内部に収納する。ボート３１Ａは、蓋部３２Ａ及び断熱部３３Ａを貫通する第１の回転軸４１Ａ（回転軸４１Ａ）により、断熱部３３Ａの上方に支持される。回転軸４１Ａは、蓋部３２Ａの下方に設置された第１の回転機構４２Ａ（回転機構４２Ａ）に接続されており、回転軸４１Ａは反応管１８Ａの内部を気密にシールした状態で回転可能に構成される。蓋部３２Ａは、昇降機構としての第１のボートエレベータ４３Ａ（ボートエレベータ４３Ａ）により上下方向に駆動される。これにより、ボート３１Ａ及び蓋部３２Ａが一体的に昇降され、反応管１８Ａに対してボート３１Ａが搬入出される。

ボート３１Ａへのウェーハ８の移載は搬送室５Ａで行われる。図３に示される様に、搬送室５Ａの一側面（搬送室５Ａの外側側面、搬送室５Ｂに面する側面と反対側の側面）には、第１のクリーンユニット４４Ａ（クリーンユニット４４Ａ）が設置されており、搬送室５Ａ内にクリーンエア（例えば、不活性ガス）を循環させる様に構成されている。搬送室５Ａ内に供給された不活性ガスは、ボート３１Ａを挟んでクリーンユニット４４Ａと対面する側面（搬送室５Ｂに面する側面）に設置された第１の排気部４５Ａ（排気部４５Ａ）によって搬送室５Ａ内から排気され、クリーンユニット４４Ａから搬送室５Ａ内に再供給される（循環パージ）。搬送室５Ａ内の圧力は移載室１１内の圧力よりも常に低くなる様に設定されている。これにより、搬送室５Ａ内のパーティクルや汚染源を移載室１１に持ち込んで汚染が広がることを防いでいる。又、搬送室５Ａ内の酸素濃度は、大気中に於ける酸素濃度よりも低くなる様に設定されている。

回転機構４２Ａ、ボートエレベータ４３Ａ、ガス供給機構２３ＡのＭＦＣ３８ａ～３８ｄ、バルブ２８ａ～２８ｄ及びコンダクタンス可変バルブ３６Ａには、これらを制御するコントローラ４６が接続される。コントローラ４６は、例えばＣＰＵを備えたマイクロプロセッサ（コンピュータ）からなり、処理モジュール２Ａ、２Ｂの動作を制御する様に構成される。コントローラ４６には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置４７が接続されている。コントローラ４６は、処理モジュール２Ａと処理モジュール２Ｂとでそれぞれに１つずつ設置されてもよいし、共通して１つ設置されてもよい。

コントローラ４６には記憶媒体としての記憶部４８が接続されている。記憶部４８には、基板処理装置１の動作を制御する制御プログラムや、処理条件に応じて基板処理装置１の各構成部に処理を実行させる為のプログラム（レシピとも言う）が、読出し可能に格納される。

記憶部４８は、コントローラ４６に内蔵された記憶装置（ハードディスクやフラッシュメモリ）であってもよいし、可搬性の外部記憶装置（磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）であってもよい。又、コンピュータへのプログラムの提供は、インターネットの専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。プログラムは、必要に応じて、入出力装置４７からの指示等にて記憶部４８から読出され、読出されたレシピに従った処理をコントローラ４６が実行することで、基板処理装置１はコントローラ４６の制御のもと、所望の処理を実行する。コントローラ４６は、基板処理装置１の任意の場所に設けたコントロールボックス（図示せず）に収納される。

次に、基板処理装置１の背面構成について説明する。

図１に示される様に、搬送室５Ａ、５Ｂの背面側には、第１のメンテナンス口５１Ａ、第２のメンテナンス口５１Ｂ（メンテナンス口５１Ａ、５１Ｂ）がそれぞれ形成されている。メンテナンス口５１Ａは、搬送室５Ｂ側に偏って形成され、反応管１８Ａ及びボート３１Ａを搬入出可能な幅及び高さを有している。メンテナンス口５１Ｂは、搬送室５Ａ側に偏って形成され、反応管１８Ｂ及びボート３１Ｂを搬入出可能な幅及び高さを有している。メンテナンス口５１Ａ、５１Ｂは、第１のメンテナンス扉５２Ａ（メンテナンス扉５２Ａ）、第２のメンテナンス扉５２Ｂ（メンテナンス扉５２Ｂ）により開閉される。メンテナンス扉５２Ａ、５２Ｂは、第１のヒンジ５３Ａ（ヒンジ５３Ａ）、第２のヒンジ５３Ｂ（ヒンジ５３Ｂ）を基軸として回動可能に構成される。ヒンジ５３Ａは搬送室５Ａの搬送室５Ｂ側に設置され、ヒンジ５３Ｂは搬送室５Ｂの搬送室５Ａ側に設置される。即ち、ヒンジ５３Ａ及びヒンジ５３Ｂは、搬送室５Ａ及び搬送室５Ｂの背面側の隣接面に位置する内側角部付近に互いに隣接する様に設置される。而して、搬送室や処理炉等のメンテナンスを実施する為のメンテナンスエリア、処理モジュール２Ａの背面に於ける処理モジュール２Ｂ側と、処理モジュール２Ｂの背面に於ける処理モジュール２Ａ側とに形成される。

メンテナンス扉５２Ａ、５２Ｂがヒンジ５３Ａ、５３Ｂを中心にして搬送室５Ａ、５Ｂの背面側後方に水平に回動されることにより、メンテナンス口５１Ａ、５１Ｂが開かれる。メンテナンス扉５２Ａ、５２Ｂは、９０度以上、より好ましくは約１８０°回動可能な様に構成される。１８０°近く回動することにより、開放時にメンテナンス扉５２Ａ及び５２Ｂの一方は他方に重なり、メンテナンス作業の邪魔にならない。

処理モジュール２Ａ、２Ｂの背面に近接して、後方に伸びる第１のユーティリティ系５４Ａ（ユーティリティ系５４Ａ）及び第２のユーティリティ系５４Ｂ（ユーティリティ系５４Ｂ）が設置されている。ユーティリティ系５４Ａ、５４Ｂは、メンテナンスエリアを介在して対向して面対称に配置される。ユーティリティ系５４Ａ、５４Ｂのメンテナンスを行なう際は、ユーティリティ系５４Ａ、５４Ｂの内側、即ちユーティリティ系５４Ａ、５４Ｂの間の空間（メンテナンスエリア）から行う。ユーティリティ系５４Ａ、５４Ｂは、供給ボックス２４Ａ、２４Ｂ、排気ボックス４０Ａ、４０Ｂ、ブースタポンプ３８Ａ、３８Ｂを有する。ユーティリティ系５４Ａ、５４Ｂの各ボックスのメンテナンス口は、それぞれ内側（メンテナンスエリア側）に形成されている。即ち、ユーティリティ系５４Ａ、５４Ｂの各ボックスのメンテナンス口は、互いに向かい合う様に形成されている。

ユーティリティ系５４Ａ、５４Ｂは、細部を除き略同一の構成を備える為、以下に於いては、代表してユーティリティ系５４Ａについてのみ説明する。供給ボックス２４Ａは、搬送室５Ａの背面の外側寄りの部分に隣接して配置される。排気ボックス４０Ａは、処理炉４Ａの背面の外側寄りの部分に隣接して配置される。即ち、供給ボックス２４Ａ及び排気ボックス４０Ａの外側の側面は、搬送室５Ａの外側側面と、実質的に連続して接続する様、平坦に（滑らかに）位置決めされる。又、供給ボックス２４Ａ及び排気ボックス４０Ａは、上下方向に於いて互いに隣接している。供給ボックス２４Ａと排気ボックス４０Ａのそれぞれの背面は、実質的に同一平面である。

ブースタポンプ３８Ａは、供給ボックス２４Ａ及び排気ボックス４０Ａの背面に隣接して配置される。ブースタポンプ３８Ａは、おおよそ直方体の輪郭を有する筐体（枠体）に収納され、所定の高さを有する第１の架台５５Ａ（架台５５Ａ）上に設置されうる。架台５５Ａは底面に４個のスイベルキャスター６４Ａを有し、床の上を移動可能に構成される。尚運用中は、架台５５Ａは床面にボルトで固着されるとともに、ブースタポンプ３８Ａは架台５５Ａにボルトで固着される。ブースタポンプ３８Ｂも同様である。

ブースタポンプ３８Ａと架台５５Ａは、積み重ねられた状態に於ける設置面積（フットプリント）は５００×５００ｍｍに満たない一方、高さは２５００ｍｍに達しうる。図７（Ａ）に示される例では、設置面積が４５０×４５０ｍｍとなる様構成され、その幅は、ユーティリティ系５４Ａの最大幅と実質的に等しい。又、ブースタポンプ３８Ａ、３８Ｂの外側側面は、ユーティリティ系５４Ａ、５４Ｂの外側側面、即ち排気ボックス４０Ａ、４０Ｂの外側側面と供給ボックス２４Ａ、２４Ｂの外側側面よりも外側に突出しない様に配置されている。尚、架台５５Ａ、５５Ｂはそれぞれ高さが変更できる様な構成としてもよい。又、架台５５Ａ、５５Ｂには、ブースタポンプ３８Ａ、３８Ｂからの振動や地震等の振動を吸収する対策（振動対策）が施されうる。

図１、図３及び図５から認識される様に、供給ボックス２４Ａの厚さ（基板処理装置１の正面から見た時の横幅）は、前側から後ろ側に向かって階段状に広がり、その最大幅は排気ボックス４０Ａの厚さよりも小さいか等しくなっている。一方で、排気ボックス４０Ａの厚さは、前側から後ろ側に亘って一定であり、直方体の外形を有し、その中を排気管３４Ａが前後方向に水平に貫通している。言い換えれば、供給ボックス２４Ａ、２４Ｂよりも排気ボックス４０Ａ、４０Ｂの方が、メンテナンスエリア側に突出している。幅の広い排気ボックス４０Ａを搬送室５Ａよりも実質的に上方に設置することにより、搬送室５Ａのメンテナンス扉５２Ａの後方のメンテナンスエリアの横幅を広く確保することができる。即ち、上面視に於いて、排気ボックス４０Ａ、４０Ｂとの間の距離よりも供給ボックス２４Ａ、２４Ｂとの間の距離の方が大きくなっている為、開放したメンテナンス扉５２Ａから反応管１８Ａを取出すのに十分な幅のメンテナンスエリアが確保される。フロアボックス６７Ａは、メンテナンスエリア全域の床に設置され、排気ダクト、冷却水設備、電気ケーブル等を収容する。フロアボックス６７Ａの上面は平面であり、メンテナンス扉の下端よりも低い。フロアボックス６７Ａは、重量物のメンテナンス時に支点となるハードポイントを１つ以上有しうる。

図３及び図５に示される様に、供給ボックス２４Ａは、排気ボックス４０Ａよりも下方に於いて、第１のガス供給機構２３Ａの大部分を収容する。ガス供給管２５ａ、２５ｂは、供給ボックス２４Ａの外に迄伸び、排気ボックス４０Ａと排気管３４Ａの間を通って、排気ボックス４０Ａ内に配置されたバルブ２８ａ、２８ｂに接続し、更にその先はノズル２９ａ、２９ｂ迄引き回されている。別の構成では、ガス供給機構２３Ａはバルブ２８ａ、２８ｂを収容しうる高さを有し、内側側面に、排気ボックス４０Ａ（排気管３４Ａ）との干渉を避ける様窪みが形成されてもよい。或は、排気ボックス４０Ａを廃し、排気管３４Ａは、供給ボックス２４Ａを貫通して配置してもよい。つまり排気ボックス４０Ａは、箱状である必要はなく、周囲が覆われている必要はなく、他のボックス等との明確な境界も必須ではない。その意味に於いて、排気ボックス４０Ａは排気系を収容する空間でありされすればよい。その場合であっても、排気管３４Ａは、メンテナンス扉５２Ａを避けた高さに於いて、外側寄りに配置される。排気ボックス４０Ａは、尚、図５中では、排気管３４Ａがメンテナンス扉５２Ａよりも上方に設けられているが、排気管３４Ａはメンテナンス扉５２Ａよりも下方に設けてもよい。

ここで、後方を向いた排気ポート３０Ａと、ブースタポンプ３８Ｂに前方を向いて形成された第１の吸気口５６Ａは対向又は略対向している。又、排気ポート３０Ａと吸気口５６Ａの高さは一致又は略一致している。従って、排気管３４Ａは、ユーティリティ系５４Ａの内部を略直線状に、且つ略水平に貫通して、排気ポート３０Ａと第１の吸気口５６Ａを接続する。排気ポート３０Ａと第１の吸気口５６Ａのそれぞれの延伸軸がオフセットしている場合、排気管３４Ａは、緩やかに曲がりうる。本例の排気管３４Ａは、約１００ｍｍの呼び径を有する排気ポート３０Ａから真後ろに僅かに伸びた後、基板処理装置１の外側に向いた緩やかなカーブ区間、呼び径が１００ｍｍから２００ｍｍに拡大するテーパー区間、基板処理装置１の内側に向いた緩やかなカーブ区間、及び吸気口５６Ａの延伸軸に一致する直管区間とが順次連結して構成される。直管区間には、２００ｍｍの呼び径に対応したＡＰＣバルブ、遮断用ゲートバルブ、保守用ゲートバルブ、排気管３４Ａをブースタポンプ３８Ａの振動から隔離する為のベローズ、及び第１の吸気口５６Ａに着脱可能に接続する為のアダプターが、上流から下流の順に配置される。この様に排気管３４を略水平に配置することで、排気管３４の配管長を短くすることができる為、コンダクタンスを向上させることができる。本例の排気ボックス４０Ａは、縦長のゲートバルブを収容する為に、横幅よりも高さが大きくなる様に形成され、排気管３４Ａの直管区間のみを収容する。つまり、処理炉４Ａと排気ボックス４０Ａの間には隙間があり、排気管３４Ａの排気ポート３０Ａから直管区間の間の部分は露出しうる。

次に、図６、図７に於いて、ブースタポンプ３８Ａについて更に説明する。本実施例に於けるブースタポンプ３８Ａは、縦置きに設置する様に構成されている。縦置きに設置することで、フットプリント（設置面積）を小さくしている。

ブースタポンプ３８Ａは、内部に空間（ロータ室）を有する本体（ケーシング）６１Ａと、本体６１Ａ内で回転する１乃至複数のロータ５９Ａと、排気管３４Ａと接続され本体６１Ａの上部側面に設けられた吸気口５６Ａと、本体６１Ａの側面下部に設けられ、ガスを排気する第１の排気口６２Ａと、ロータ５９Ａの回転軸５７Ａを回転するモータ５８Ａと、モータ５８Ａを制御する第１のポンプコントローラ６３Ａと、バラストガスや冷却水等を供給する為の付属設備（不図示）とから構成されている。尚、ポンプコントローラ６３Ａや付属設備は例えば架台５５Ａ内に設けられ、それらの操作部や表示部が側面に設けられうる。

又、吸気口５６Ａ内、排気口６２Ａ内、及び本体６１Ａとロータ５９Ａとの間の移動する中間室によって、第１のガス流路６５Ａ（ガス流路６５Ａ）が形成されている。又、吸気口５６Ａから導入されたガスは、ガス流路６５Ａを流通して排気口６２Ａから排出される様に構成されている。吸気口５６Ａは、ロータ室を直接臨む様に回転軸５７Ａと直交して開口し、排気口６２Ａは、吸気口５６Ａと同じ若しくは反対側の側面に開口し、ロータリポンプ等の補助排気装置（不図示）の吸気口に接続される。

回転軸５７Ａが上下方向に延伸して配置されている為、本体６１Ａは縦長である。本体６１Ａは鋳鉄製であり、大きな重量を有する。モータ５８Ａを本体６１Ａの上に設けたことにより、ブースタポンプ３８Ａの重心を極力低くでき、ブースタポンプ３８Ａを安定して設置できる様構成されている。

回転軸５７Ａで駆動されるロータ５９Ａは、複数のロータ、例えば２つのロータからなる２段ルーツ式となっている。排気管３４Ａを介して吸気口５６Ａから吸引されるガスは、ロータ５９Ａの回転と共にガス流路６５Ａ内を回転しながら排気口６２Ａに導入される。ここで、吸気口５６Ａが本体６１Ａの上部側面に設けられ、排気ポート３０Ａと吸気口５６Ａは、同一又は略同一高さとなっている。従って、排気管３４Ａの形状を直線状とし、且つ水平に配置することができるので、排気ポート３０Ａと吸気口５６Ａとの距離を最短とすることができ、ブースタポンプ３８Ａの排気能力を最大限に活かすことができる。一方で排気口６２Ａを本体６１Ａの下部に設けることで、例えば下のフロアに設置されたメインポンプ迄の配管の引回しを短くすることができる。尚、排気ポート３０Ａと排気口６２Ａが同一高さ又は略同一高さである場合には、排気口６２Ａを吸気口とし、吸気口５６Ａを排気口としてもよい。

又、吸気口５６Ａにゲートバルブを設ける様にしてもよい。これにより、メンテナンス時に、排気管３４Ａ内の雰囲気が開放され、膜種によっては大気、水分と反応してＨＣｌ等の危険性の高いガスが出てしまう場合であっても、吸気口５６Ａを閉じることができるので、メンテナンス時の危険性を防止することができる。

又、ブースタポンプ３８Ａは架台５５Ａ上に設けられているので、高さの異なる架台５５Ａを適宜選択することで、或は架台５５Ａの高さを調整することで、吸気口５６Ａの中心高さを排気ポート３０Ａの中心高さと同一高さとすることができる。これにより高さを変える為の屈曲が無く、供給ボックス２４Ａの奥行きの長さによって隔てられた排気ポート３０Ａと吸気口５６Ａの間を最短距離で接続する最大コンダクタンスの排気管３４Ａ（排気系３９Ａ）を実現しうる。

次に、上述の基板処理装置１を用い、基板上に膜を形成する処理（成膜処理）について説明する。ここでは、ウェーハ８に対して、原料ガスとしてガスＡと、反応ガスとしてガスＢとを供給することで、ウェーハ８上に膜を形成する例について説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置１を構成する各部の動作はコントローラ４６により制御される。

（ウェーハチャージ及びボートロード）
ゲートバルブ１５Ａを開き、ボート３１Ａに対してウェーハ８を搬送する。複数枚のウェーハ８がボート３１Ａに装填（ウェーハチャージ）されると、ゲートバルブ１５Ａが閉じられる。ボート３１Ａは、ボートエレベータ４３Ａによって処理室２１Ａ内に搬入（ボートロード）され、反応管１８Ａの下部開口は蓋部３２Ａによって気密に閉塞（シール）された状態となる。

（圧力調整及び温度調整）
処理室２１Ａが所定の圧力（真空度）となる様に、ブースタポンプ３８Ａによって真空排気（減圧排気）される。処理室２１Ａ内の雰囲気は、排気管３４内を直線状又は略直線状に流通し、ブースタポンプ３８Ａ内を通って排気される。処理室２１Ａ内の圧力は、圧力センサ３５Ａで測定され、この測定された圧力情報に基づき、コンダクタンス可変バルブ３６Ａがフィードバック制御される。又、処理室２１Ａ内のウェーハ８が所定の温度となる様に、ヒータ１９Ａによって加熱される。この際、処理室２１Ａが所定の温度分布となる様に、温度検出部２２Ａが検出した温度情報に基づき、ヒータ１９Ａへの通電具合がフィードバック制御される。又、回転機構４２Ａによるボート３１Ａ及びウェーハ８の回転を開始する。

（成膜処理）
［原料ガス供給工程］
処理室２１Ａ内の温度が予め設定された処理温度に安定すると、処理室２１Ａ内のウェーハ８に対してガスＡを供給する。ガスＡは、ＭＦＣ２６ａにて所望の流量となる様に制御され、ガス供給管２５ａ及びノズル２９ａを介して処理室２１Ａ内に供給される。

［原料ガス排気工程］
次に、ガスＡの供給を停止し、ブースタポンプ３８Ａにより処理室２１Ａ内を真空排気する。処理室２１Ａ内のガスＡは、排気管３４Ａ内を直線状又は略直線状に流通し、ブースタポンプ３８Ａを介して排気される。この時、不活性ガス供給部から不活性ガスとしてＮ2 ガスを処理室２１Ａ内に供給してもよい（不活性ガスパージ）。

［反応ガス供給工程］
次に、処理室２１Ａ内のウェーハ８に対してガスＢを供給する。ガスＢは、ＭＦＣ２６ｂにて所望の流量となる様に制御され、ガス供給管２５ｂ及びノズル２９ｂを介して処理室２１Ａ内に供給される。

［反応ガス排気工程］
次に、ガスＢの供給を停止し、ブースタポンプ３８Ａにより処理室２１Ａ内を真空排気する。処理室２１Ａ内のガスＢは、排気管３４Ａ内を直線状又は略直線状に流通し、ブースタポンプ３８Ａを介して排気される。この時、不活性ガス供給部から不活性ガスとしてＮ2 ガスを処理室２１Ａ内に供給してもよい（不活性ガスパージ）。

上述した４つの工程を行うサイクルを所定回数（１回以上）行うことにより、ウェーハ８上に、所定組成及び所定膜厚の膜を形成することができる。

（ボートアンロード及びウェーハディスチャージ）
所定膜厚の膜を形成した後、不活性ガス供給部からＮ2 ガスが供給され、処理室２１Ａ内がＮ2 ガスで置換されると共に、処理室２１Ａ内の圧力が常圧に復帰される。その後、ボートエレベータ４３Ａにより蓋部３２Ａが降下され、ボート３１Ａが反応管１８Ａから搬出（ボートアンロード）される。その後、処理済ウェーハ８は、ボート３１Ａより取出される（ウェーハディスチャージ）。

その後、ウェーハ８はポッド１２に収納され、基板処理装置１外に搬出されてもよいし、処理炉４Ｂへ搬送され、例えばアニール等の基板処理が連続して行われてもよい。処理炉４Ａでのウェーハ８の処理後に連続して処理炉４Ｂでウェーハ８の処理を行う場合、ゲートバルブ１５Ａ及び第２のゲートバルブ１５Ｂを開とし、ボート３１Ａから第２のボート３１Ｂ（ボート３１Ｂ）へウェーハ８が直接搬送される。その後の処理炉４Ｂ内へのウェーハ８の搬入出は、上述の処理炉４Ａによる基板処理と同様の手順で行われる。又、処理炉４Ｂでの基板処理は、例えば上述の処理炉４Ａによる基板処理と同様の手順にて行われる。

ガスＡ又はガスＢにシリコン含有ガスを用い、ウェーハ８にシリコン又はシリコン化合物を成膜する際の処理条件としては、例えば下記が例示される。
処理温度（ウェーハ温度）：３００℃～７００℃
処理圧量（処理室内圧力）：１Ｐａ～４０００Ｐａ

尚、処理モジュール２Ａと２Ｂで、膜Ａと膜Ｂの様に異なる膜を形成させる様に構成することができる。その場合、ガス供給機構２３Ａと２３Ｂの構成も相違するが、供給ボックス２４Ａ、２４Ｂや排気ボックス４０Ａ、４０Ｂの対称性は維持される。

次に、基板処理装置１のメンテナンスについて説明する。搬送室５Ａ内が不活性ガスで循環パージされている場合、メンテナンス扉５２Ａを開放できない様にインターロックが設定されている。搬送室５Ａ内の酸素濃度が大気圧に於ける酸素濃度よりも低い場合でも、メンテナンス扉５２Ａを開放できない様にインターロックが設定されている。メンテナンス扉５２Ｂに関しても同様である。更に、メンテナンス扉５２Ａ、５２Ｂを開いている時は、ゲートバルブ１５Ａ、１５Ｂを開放できない様にインターロックが設定されている。メンテナンス扉５２Ａ、５２Ｂが開の状態でゲートバルブ１５Ａ、１５Ｂを開とする場合には、基板処理装置１全体をメンテナンスモードとした上で、別途設置されているメンテナンススイッチをオンとすることにより、ゲートバルブ１５Ａ、１５Ｂに関するインターロックが解除され、ゲートバルブ１５Ａ、１５Ｂを開とすることができる。

メンテナンス扉５２Ａをあける際には、搬送室５Ａ内の酸素濃度を大気中に於ける酸素濃度以上、好ましくは大気中に於ける酸素濃度迄上昇させる為に、クリーンユニット４４Ａから搬送室５Ａ内に大気雰囲気を流入させる。この時、搬送室５Ａ内の圧力が、移載室１１内の圧力よりも高くならない様に、搬送室５Ａ内の循環パージを解除し、搬送室５Ａ内の雰囲気を搬送室５Ａ外に排気すると共に、クリーンユニット４４Ａのファンの回転数を循環パージ時の回転数よりも落とし、搬送室５Ａ内への大気の流入量を制御する。この様に制御することで、搬送室５Ａ内の酸素濃度を上昇させつつ、搬送室５Ａ内の圧力を移載室１１内の圧力よりも低く維持することができる。

搬送室５Ａ内の酸素濃度が大気圧中に於ける酸素濃度と同等となると、インターロックが解除され、メンテナンス扉５２Ａを開けることができる。この時、搬送室５Ａ内の酸素濃度が大気圧中に於ける酸素濃度と同等であっても、搬送室５Ａ内の圧力が移載室１１内の圧力よりも高い場合は、メンテナンス扉５２Ａを開放できない様に設定されている。メンテナンス扉５２Ａが開放されると、クリーンユニット４４Ａのファンの回転数を、少なくとも循環パージ時の回転数よりも大きくする。より好適には、クリーンユニット４４Ａのファンの回転数を最大とする。

メンテナンス扉５２Ａを解放後、例えばメンテナンス口５１Ａを介して台車のステージを搬送室５Ａ内に進入させ、台車を介して反応管１８Ａやボート３１Ａが搬送室５Ａ内に搬入出される。この時、排気ポート３０Ａ及び排気管３４Ａは、メンテナンス口５１Ａよりも上方に位置し、搬入出される台車や反応管１８Ａと干渉しない様になっている。

移載室１１内のメンテナンスは、移載室１１の前方であって、ポッドオープナが設置されていない部分に形成されたメンテナンス口５０から行われる。メンテナンス口５０は図示しないメンテナンス扉によって開閉される様構成されている。上述の様に、基板処理装置１全体をメンテナンスモードとした際は、ゲートバルブ１５Ａ、１５Ｂを開として、ゲートバルブ１５Ａ、１５Ｂ側よりメンテナンスすることも出来る。即ち、移載室１１内のメンテナンスは、装置正面からでも装置背面からでも、どちらからでも実施することができる。

上述の様に、本実施例では、排気ボックス４０Ａ、４０Ｂと隣接した位置に、排気ポート３０Ａ、３０Ｂと吸気口５６Ａ、５６Ｂとがそれぞれ対向又は略対向する様に、且つ同一高さとなる様に、ブースタポンプ３８Ａ、３８Ｂを設けている。従って、直線状の排気管３４Ａ、３４Ｂ（図示せず）を水平に配置し、最短距離でブースタポンプ３８Ａ、３８Ｂを反応管１８Ａ、１８Ｂを接続できるので、ブースタポンプ３８Ａ、３８Ｂの排気能力を最大限に発揮させることができ、機差低減を抑制しつつ排気効率（排気速度）を向上させることができると共に、ＣＯＯの低減も図ることができる。

又、直線状の排気管３４Ａ、３４Ｂを用いているので、反応管１８Ａ、１８Ｂから排気されたガスは、排気ポート３０Ａ、３０Ｂと吸気口５６Ａ、５６Ｂとの間を略直線的に流体連通する。従って、排気管３４Ａ、３４Ｂを流通する過程で、排気されたガスに圧力損失を生じることがなく、排気効率を向上させることができる。

又、ブースタポンプ３８Ａ、３８Ｂは、補助排気装置の排気速度が減少する圧力領域（例えば、１Ｐａ～１ｋＰａ）に於いて、排気速度を向上させる。容積移送式ポンプをブースタポンプに用いた場合、その排気速度は、到達真空度付近を除き、ロータの回転速度により決まるので、補助排気装置のみ用いた場合に比べて排気速度のばらつきも軽減される。尚ブースタポンプ３８Ａ、３８Ｂとして、ルーツ型の他、回転翼型（軸流型）、スクリュー型、スクロール型等の各種のメカニカルブースタポンプが使用でき、更にはターボ分子ポンプ、イジェクタ等の運動量輸送式のポンプも使用されうる。

又、ブースタポンプ３８Ａ、３８Ｂは、縦置きで設置面積が５００×５００未満となる様に構成され、且つユーティリティ系５４Ａ、５４Ｂの外側側面から外側に突出しない様に配置されているので、基板処理装置１のフットプリントを低減させることができる。

又、ブースタポンプ３８Ａ、３８Ｂは、架台５５Ａ、５５Ｂ上に設けられている。従って、高さの異なる架台５５Ａ、５５Ｂを適宜選択するか、或は架台５５Ａ、５５Ｂの高さを調整することで、吸気口５６Ａ、５６Ｂの高さを調整することができる。又、ボルト等の固着具により架台５５Ａ、５５Ｂやブースタポンプ３８Ａ、３８Ｂが床面に固定されるので、ブースタポンプ３８Ａ、３８Ｂの転倒を防止することができる。

又、基板処理装置１の背面にメンテナンスエリアを設け、メンテナンスエリアからユーティリティ系５４Ａ、５４Ｂのメンテナンスが可能となっている。従って、基板処理装置１の両側にメンテナンスエリアを確保する必要がない為、基板処理装置１のフットプリントを低減し、クリーンルームの使用面積を抑制させることができる。

又、処理モジュール２Ａ、２Ｂのユーティリティ系５４Ａ、５４Ｂを基板処理装置１の両外側側面に互いに対面して設置することにより、基板処理装置１の背面の空間を左右の処理モジュール２Ａ、２Ｂ共通のメンテナンスエリアとして使用することが可能となる。例えば、従来の装置に於いては、装置背面の両端に供給ボックスと排気ボックスとを対面する様に設置していることがある。この様な構成の装置を２つ並べた場合、２つの装置の境界線で、一方の排気ボックスと他方の供給ボックスとが隣接することになる。これに対して本実施例では、２つの処理モジュール２Ａ、２Ｂの境界線に於いて、ユーティリティ系が配置されていない為、メンテナンスエリアを広く確保することができる。

又、ゲートバルブ１５Ａ、１５Ｂを備えたことで、一方の処理モジュール２Ａ、２Ｂで基板処理を行いつつ、他方の処理モジュール２Ａ、２Ｂや移載室１１内のメンテナンスをすることが可能となる。これにより、成膜処理を停止せずにメンテナンスができる為、基板処理装置１の稼働率を上昇させることができ、生産性を向上させることができる。

次に、図１０、図１１を参照し、ブースタポンプ３８Ａ、排気系３９Ａ、処理炉４Ａの周辺部の詳細について説明する。尚、ブースタポンプ３８Ａとブースタポンプ３８Ｂ、排気系３９Ａと排気系３９Ｂ、処理炉４Ａと処理炉４Ｂは同様の構成であるので、以下ではブースタポンプ３８Ａ、排気系３９Ａ、処理炉４Ａについてのみ説明し、ブースタポンプ３８Ｂ、排気系３９Ｂ、処理炉４Ｂの説明は省略する。又、以下に於いて、Ａという部材について説明する場合、同様の構成のＢという部材も存在するものとする。

配管筐体としての排気ボックス４０Ａがブースタポンプ３８Ａに隣接して配設され、処理炉４Ａが排気ボックス４０Ａに隣接して配設される。又、排気ボックス４０Ａと処理炉４Ａは排気系３９Ａを介して接続され、排気系３９Ａは排気ボックス４０Ａに収納され、支持される。

排気系３９Ａは、排気管３４Ａと、分岐排気管６８Ａと、第１のゲートバルブ６９Ａと、第２のゲートバルブ７１Ａと、第１のＡＰＣバルブ７２Ａと、第２のＡＰＣバルブ７３Ａとを有している。尚、第１のＡＰＣバルブ７２Ａと第２のＡＰＣバルブ７３Ａとでコンダクタンス可変バルブ３６Ａが構成される。

排気管３４Ａの一端は、可撓部としてのベローズ７４Ａを介してブースタポンプ３８Ａの吸気口５６Ａに接続されている。又、排気管３４Ａは、他端側で中途部から縮径された縮径部７７Ａとなっており、縮径部７７Ａは可撓部としてのベローズ７０Ａを介して処理容器１８Ａの排気ポート３０Ａに接続されている。即ち、前記ブースタポンプ３８Ａと処理炉４Ａ内部の処理室２１Ａとが、排気管３４Ａを介して連通する様構成される。又、排気管３４Ａには、ブースタポンプ３８Ａ側から順に、第１のゲートバルブ６９Ａ、第２のゲートバルブ７１Ａ、第１のＡＰＣバルブ７２Ａが設けられている。

分岐排気管６８Ａは、排気管３４Ａの第１のゲートバルブ６９Ａと第２のゲートバルブ７１Ａとの間から上側に向って延出し、処理炉４Ａに向って排気管３４Ａと平行に屈曲され、更に第２のＡＰＣバルブ７３Ａを介して下方に延出し、排気管３４Ａの第１ＡＰＣバルブ７２Ａと縮径部７７Ａとの間に接続されている。即ち、分岐排気管６８Ａの中途部には、第２のＡＰＣバルブ７３Ａが設けられている。従って、第２のゲートバルブ７１Ａの開閉により、排気管３４Ａ及び第１のＡＰＣバルブ７２Ａを介して排気するか、分岐排気管６８Ａ及び第２のＡＰＣバルブ７３Ａを介して排気するかを制御することができる。

尚、排気管３４Ａと分岐排気管６８Ａは、それぞれ所定の形状の配管を複数組合わせた分割構造となっている。即ち、排気管３４Ａと分岐排気管６８Ａは、分割可能な複数の区間を有する。各配管は、配管同士の接続部の周囲を囲繞する様設けられた弾性シール部材８０Ａを介して接続される。

ベローズ７０Ａは蛇腹構造となっており、処理容器１８Ａに対する排気管３４Ａの周方向及び軸心方向の変位を吸収し、許容する。同様にベローズ７４Ａは蛇腹構造となっており、ブースタポンプ３８Ａに対する排気管３４Ａの周方向及び軸心方向の変位を吸収し、許容する。又、ベローズ７４Ａは、両端部に半径方向に突出するフランジ部７５Ａを有し、各フランジ部７５Ａ間に円周所定間隔でシャフト状の固定部材７６Ａ（図１１）を掛渡して取付け可能となっている。固定部材７６Ａは例えばボルトであり、メンテナンス時等に、任意の位置でベローズ７４Ａの変位を拘束する為に用いられうる。又、ベローズ７０Ａは、縮径部７７Ａ側の端にフランジ９１Ａを有し、フランジ９１Ａ若しくは縮径部７７Ａと、排気ポート３０Ａ若しくは処理炉４のフレームとの間には、保持具９２Ａが架け渡されうる。保持具９２Ａは、ベローズ７０Ａ内が真空になった時にその両端の間に生じる引っ張り荷重を負担するものであり、高分子樹脂やゴム、圧縮バネ等の制振部材若しくは後述の制振合金で構成される制振性の締結具である。

排気ボックス４０Ａは、排気ボックス４０Ａ内で上下左右に掛渡る様設けられたフレーム７９Ａと、フレーム７９Ａに取付けられ、その外側の一部又は全部を覆うケーシング７８Ａとを有する。ケーシング７８Ａは、ブースタポンプ３８Ａ及び処理炉４Ａのケーシングと略面一となる側壁パネルを含む。フレーム７９Ａは、排気ボックス４０Ａに収納される様々なコンポーネントが取付けられ、特に排気管３４Ａ及び分岐排気管６８Ａを固定する為に、排気管３４Ａに向って突出して設けられた複数の梁を含みうる。

排気管３４Ａ及び分岐排気管６８Ａは、後述する取付け金具８１Ａを介してフレーム７９Ａと接続され、フレーム７９Ａに支持される。尚、排気管３４Ａは、主に分岐排気管６８Ａとの２箇所の分岐部分周辺で、取付け金具８１Ａを介してフレーム７９Ａに固定される。又、分岐排気管６８Ａは、主に排気管３４Ａから上方への延出部分、第２のＡＰＣバルブ７３Ａから下方への延出部分で、取付け金具８１Ａを介してフレーム７９Ａの梁に固定される。即ち、排気管３４Ａとフレーム７９Ａの接続部及び分岐排気管６８Ａとフレーム７９Ａの接続部は、それぞれベローズ７４Ａ及び第１のゲートバルブ６９Ａよりも処理室２１Ａ側で、且つ分割された各区間毎に複数箇所設けられている。

尚、排気ボックス４０Ａとブースタポンプ３８Ａ、排気ボックス４０Ａと処理炉４Ａ、及び処理炉４Ａと搬送室５Ａとは、ゴムや樹脂等の制振部材で形成された制振性の締結具９０Ａにより連結されてもよい。又ブースタポンプ３８Ａは床の上にゴムや樹脂等の制振部材を介して設置されうる。又、排気管３４Ａ及び分岐排気管６８Ａは、内部に於ける副生成物の蓄積を防止する為、高温に維持されることが望ましい場合があり、電熱線が装着され、保温カバーで覆われうる。

図１２を参照して、排気管３４Ａとフレーム７９Ａとの接続部の詳細について説明する。尚、図１２中では、排気管３４Ａを例示しているが、分岐排気管６８Ａについても排気管３４Ａと同様にフレーム７９Ａに接続される。

排気管３４の外周面の所定位置には、半径方向に延出する取付け板８２Ａが形成されている。取付け板８２Ａには、その延伸方向（上下方向）に長い長孔８３Ａが例えば２つ形成されている。又、フレーム７９Ａの先端には、断面Ｌ字形状の取付け金具８１Ａが設けられ、取付け板８２Ａと平行でネジ孔が設けられた取付け面８４Ａが形成されている。

取付け板８２Ａと取付け面８４Ａとの間に、制振部としての１枚以上の制振板８７Ａが設けられている。制振板８７Ａは、長孔８３Ａと対応する数と大きさを有し、下端が解放された長孔８８Ａを有する金属製の板材である。排気管３４Ａをフレーム７９Ａに接続する際には、取付け面８４Ａのネジ孔にボルト８６Ａを緩く螺合させた状態で、制振板８７Ａの長孔８８Ａをボルト８６Ａに被せた後、排気管３４を適切な高さに保持しながらボルト８６Ａを締め付ける。これにより、制振板８７Ａは取付け板８２Ａと一体に取付け面８４Ａにネジ止めされる。

制振板８７Ａは、フレーム７９Ａと排気管３４Ａとを接続した際に、取付け面８４Ａ（取付け金具８１Ａ）と取付け板８２Ａとの間に挾まれて設けられる。従って、制振板８７Ａは、排気管３４の重量の全部又は一部を制振板８７Ａの面と平行な方向のせん断荷重として支持する。つまりせん断荷重は制振板８７Ａの厚み方向と垂直である。排気管３４の重量の残りの一部はボルト８６Ａによって支持されうるがそれはわずかであり、制振板８７Ａが実質的に全荷重を支えている。

制振板８７Ａの制振性は、対数減衰率δや固有減衰容量Ψ、共振の鋭さQ、損失係数η等によって表現でき、それぞれ以下の様に定義される：
Ψ＝ΔW/W,
Q＝ω₀ /(ω₂ -ω₁ )
η＝f₁ /f₂
ここで、Wは振動に係る力学的エネルギー、ΔWは１周期あたりの損失エネルギーである。又ω₀ 、ω₁ 、ω₂ はそれぞれ共振ピークでの共振周波数、共振ピークの左側に於いて振動エネルギーが共振ピークの半値となる周波数、共振ピークの右側に於いて振動エネルギーが半値となる周波数である。又、f₁ とf₂ はそれぞれ、応力・歪み線図で表されるヒステリシスループの最大変位に於ける力と零変位に於ける力である。対数減衰率はδ、振幅が減衰する場合、隣り合う振幅の比で定義される。対数減衰率の小さい場合(δ＜０．０１)には、δ≒２Ψ≒πη≒２π/Q の関係が成り立つ。対数減衰率は通常、振幅や周波数に依存するが、本実施例の制振板８７Ａの最大の対数減衰率は、半導体製造装置用の素材として一般的なＳＵＳ３０４ステンレスの対数減衰率（約０．０２）よりも大きく、好ましくは減衰させるべき振幅や周波数の振動に対して０．１以上の対数減衰率を有する。制振板８７Ａは、振動の共振点を周波数軸上で分散させ、力学的な振動を減衰させる特性を有する。

尚、制振板８７Ａの材質としては、例えば複合型、強磁性型、転移型、双晶型の制振合金が使用可能である。鋳鉄やアルミニウム－亜鉛合金等の複合型の制振合金は、二相混合組織の相境界を覆う粘弾性体により振動を熱に変換し、吸収緩和する性質を有している。

ニッケルやクロム綱等の磁歪を示す合金に見られる強磁性型の制振合金は、各磁区内で結晶がランダムに自発磁化の方向にひずんでおり、外力の付与により応力を緩和する方向に磁区が回転して材料の弾性限内でひずみを生じ、外力の除荷により収縮する性質を有している。振動が生じた際には、外力の付与を除荷の繰返しにより制振合金が伸縮することで、ヒステリシスループを生じて振動を熱へと変換し、振動を減衰することができる。又、強磁性型の制振合金の場合、熱処理により結晶粒を粗大化させ、磁区壁の移動を容易とすることでも振動減衰の効果を高めることができる。

マグネシウム合金等の転移型の制振合金は、合金中の転移と不純物原子との相互作用により振動を減衰する性質を有している。不純物原子によりピン止めされた状態の転移に外力が付与されることで合金中の転移が張出し移動し、外力が除荷されると転移は元の位置に移動する。振動が生じた際には、外力の付与と除荷の繰返しによる結晶中の転移が移動することで、ヒステリシスループを生じて振動を熱へと変換し、振動を減衰することができる。

双晶型の制振合金は、熱処理によるマルテンサイトを緩和する為に生じるすべり及び双晶変形のうち、双晶に起因して振動を減衰させる性質を有している。又、双晶型の制振合金は、双晶銅－マンガン合金等の緩和型と、銅－アルミニウム－ニッケル合金等のヒステリシス型の２種類に更に分類することができる。緩和型の場合、マルテンサイト中の双晶界が複合型の相境界と類似の作用により、双晶界面で振動を熱に変換し、吸収減衰する性質を有している。又、ヒステリシス型は、転移型に類似した機構で双晶界面が外力により非可逆的に移動することで、ヒステリシスループを生じて振動を熱へと変換し、振動を減衰する性質を有している。

図１３（Ａ）は、フレーム７９Ａと排気管３４Ａとの接続部に制振板８７Ａを設けなかった場合の振動と周波数の関係を示すグラフであり、図１３（Ｂ）はフレーム７９Ａと排気管３４Ａとの接続部に、鉄アルミ合金製の制振板８７Ａを設けた場合の振動と周波数との関係を示すグラフである。それぞれのグラフに於いて、上位８個のピークに長方形のマーカーが付加されている。

図１３（Ａ）に示される様に、制振板８７Ａを設けない場合、振動の共振点８９Ａが周波数軸上の特定の狭い範囲に集中し、共振が生じて振幅が増大する虞れがある。一方で、図１３（Ｂ）に示される様に、振動板８７Ａを設けた場合、振動の共振点８９Ａが周波数軸上で分散されるので、振幅を減少させることができる。

上述の様に、本実施例では、フレーム７９Ａに排気管３４Ａを取付ける際に、前記排気管３４Ａの取付け板８２Ａと、フレーム７９Ａの取付け面８４Ａとの間に制振部としての制振板８７Ａを設けている。従って、ブースタポンプ３８Ａから排気管３４Ａに伝達された振動は、フレーム７９Ａとの接続部へと到達した際に制振板８７Ａにより減衰されるので、振動がブースタポンプ３８Ａから排気管３４Ａを介して処理炉４Ａへと伝達される過程で、振動を充分に減衰させることができる。

又、排気管３４Ａとブースタポンプ３８Ａとの間にベローズ７４Ａが設けられ、且つベローズ７４Ａのフランジ部７５Ａ間が固定されない様になっている。ベローズ７４Ａがブースタポンプ３８Ａに対する排気管３４Ａの変位を吸収可能であるので、ブースタポンプ３８Ａから排気管３４Ａに伝達される大振幅の振動を抑制することができる。

又、ブースタポンプ３８Ａと排気ボックス４０Ａとが制振性の締結具９０Ａによって接続されているので、ブースタポンプ３８Ａから排気ボックス４０Ａへと伝達される振動を抑制することができる。

又、制振板８７Ａは耐熱金属製であるので、制振板を劣化させることなく処理炉４Ａからの排気温度を上昇させることができる。或は、排気管３４Ａに対する加熱温度を上昇させることができる。

更に、制振板８７Ａは、下端が解放された長孔８８Ａを有しており、懸架器具を用いることなく垂直面に対して直接取付けることができる。従って、ゴムや樹脂では耐えられない大きなせん断荷重が作用する場合であっても、制振板８７Ａを適用することができる。

尚、本実施例では、２つの処理モジュール２Ａ、２Ｂを有する基板処理装置１について説明したが、処理モジュールは１つであってもよいし、３つであってもよい。図８は、３つの処理モジュール２Ａ、２Ｂ、２Ｃを有する変形例１の基板処理装置１０１を示している。尚、図示はしないが、処理モジュール２Ｃに対しても処理モジュール２Ａ、２Ｂと同様のユーティリティ系が設けられている。

処理モジュール２Ｃは、移載室１１に対して処理モジュール２Ｂと対称な位置に設けられている。処理モジュール２Ｃと移載室１１とは、ゲートバルブ１５Ｃを介して連通されている。又、処理モジュール２Ｃと収納室１３とはメンテナンス口５１Ｃを介して連通され、メンテナンス口５１Ｃはメンテナンス扉５２Ｃにより気密に閉塞可能となっている。基板処理装置１０１では、収納室１３が処理モジュール２Ｃのメンテナンスエリアとなる様に構成される。

又、図９は１つの処理モジュール２を有する変形例２の基板処理装置を示している。この基板処理装置の場合、搬送室５の背面近傍に第１のユーティリティ系としての供給ボックス２４が設けられ、第２のユーティリティ系としての排気ボックス４０及び電装ボックス（不図示）がメンテナンスエリアを介在して供給ボックス２４に対向して設けられる。尚、供給ボックス２４と排気ボックス４０のメンテナンス口は、互いに向かい合う様に形成されている。

供給ボックス２４の搬送室５に隣接する側と反対側に隣接してブースタポンプ３８が配置される。排気ボックス４０とブースタポンプ３８とは空中に水平に配置された直線状の排気管３４により接続されている。この基板処理装置の場合、ブースタポンプ３８の吸気口はマニホールドの排気ポートとは対向していないが、高さは同一となる様構成される。

図１４は３つの処理モジュールを有する変形例３に係る基板処理装置１３１を示している。３つの処理モジュール２Ａ、２Ｂ、２Ｃは、移載室１１の背面側で横方向に連続的に並んで配置される。処理モジュール２Ａと２Ｂ、及び対応するユーティリティ系５４Ａと５４Ｂは、面対称に配置されている。処理モジュール２Ｂと２Ｃ、及び対応するユーティリティ系５４Ｂと５４Ｃは、メンテナンスエリアに面しない側面で互いに隣接する様にして面対称に配置される。移載室１１は、３つの処理モジュール２Ａ、２Ｂ、２Ｃの横幅の和に対応する横幅を有する。

基板処理装置１３１は、図１４に示した配置（配置Ａと呼ぶ）と鏡像関係にある配置（配置Ｂと呼ぶ）でも構成することができ、配置Ａと配置Ｂの装置を交互に横方向に配列にすることで、配置Ａの基板処理装置１３１の処理モジュール２Ｃ後方のメンテナンスエリアと、配置Ｂの基板処理装置１３１の処理モジュール２Ｃ後方のメンテナンスエリアとが、連続した１つの空間を形成し、その空間は、ユーティリティ系５４Ａと５４Ｂの間のメンテナンスエリアと同様に、メンテナンス扉５１Ｃを介して処理モジュール２Ｃの取外しや取付を行うのに十分な幅を有する。この様にクラスター型の基板処理装置１３１は、配置Ａと配置Ｂとで対をなした時、１対単位で装置側面からのアクセスが不要な構成が実現され、フットプリント当たりの生産性が改善されうる。

図１５及び図１６は３つの処理モジュールを有する変形例４の基板処理装置１４１を示している。３つの処理モジュール２Ａ、２Ｂ及び１４２は、実質的に等しい横幅若しくは１ｍ以下の横幅を有し、移載室１１の背面側で横方向に並んで配置される。処理モジュール１４２は、１枚ずつ収容したウェーハ８をラジカルで処理する枚葉チャンバを収納する筐体１４４と、枚葉チャンバと連通しウェーハ８を枚葉チャンバに搬入出する為の空間を形成する下部チャンバ１４５とを有する。サセプタ１４６は、ウェーハ８を載せながら枚葉チャンバと下部チャンバ１４５との間を上下に運動する。

処理モジュール１４２は、ウェーハ８を例えば酸素、窒素、水素或いは希ガス等のラジカルに曝露し、等方性酸化等の改質又はトリートメント処理を行うことができる。例えば、ウェーハ８上に処理モジュール２Ａで酸化膜形成した後、処理モジュール２Ｂで窒化膜形成を行う連続処理に於いて、窒化膜形成の前に処理モジュール１４２による短時間の処理を介在させて、膜の界面の性質を改善することができる。この時、ウェーハ８は移載室１１を出ることなく、処理モジュール２Ａ、１４２、２Ｂの順に搬送されうる。尚、移載室１１内で搬送に用いられない空間に、ウェーハ８を一時的に保持するカセットや冷却ステーションを設置しても良い。基板処理装置１４１は、高い搬送効率によって高いスループットを実現することができる。

ユーティリティ系１４３は、処理モジュール１４２の付帯設備であり、縦長の箱状の外形を有し、筐体１４４の背面に隣接して配置される。ユーティリティ系１４３には、枚葉チャンバにガスを供給する為のバルブ等を格納する供給ボックス１４７と、枚葉チャンバ内でプラズマを発生させる高周波電力を供給する高周波電源１４８と、枚葉チャンバ及び下部チャンバ１４５を真空排気する為の排気管等を含む排気系１４９とが、収容される。ユーティリティ系１４３は、底にスイベルキャスター等の車輪を有し、前後方向に移動可能に構成されうる。

枚葉チャンバのクラスターを有する一般的な装置は、各枚葉チャンバをメンテナンス可能にする為に、枚葉チャンバ全体を角に設けた垂直ピボットで回転可能に支える構造がしばしば用いられる。単独で設置された基板処理装置１４１の処理モジュール１４２は、背面及び１つの側面が十分な広さの空間に面しており、ピボットは省略可能である。又、基板処理装置１５１も、図１５に示した配置（配置Ａと呼ぶ）と、それと鏡像関係にある配置（配置Ｂと呼ぶ）の装置を交互に横方向に配列することができる。

図１７及び図１８は３つの処理モジュールを有する変形例５のクラスター型の基板処理装置１５１を示している。３つの処理モジュール２Ａ、２Ｂ及び１５２は、実質的に等しい横幅若しくは１ｍ以下の横幅を有し、移載室１１の背面側で横方向に並んで配置される。処理モジュール１５２は、複数のウェーハ８を電磁波でアニールするキャビティを収納する筐体１５４を有する。

ユーティリティ系１５５は、処理モジュール１５２の付帯設備であり、筐体１５４の背面及び底面に隣接して配置され、マイクロ波発生器１５５、供給ボックス１５７と、電源装置１５８と、排気系１５９とを収納する。マイクロ波発生器１５５は、２．４５から２７ＧＨｚ迄の間のマイクロ波を発生させキャビティ内に放射する。供給ボックス１５７は、枚葉チャンバに処理ガスを供給する為のバルブ等を格納する。電源装置１５８は、マイクロ波発生器１５５に必要な電力を供給する。排気系１５９は、キャビティ内を排気する為の排気管や排気弁を含む。

処理モジュール１５２は、キャビティ内でウェーハ８を１又は２つの回転するボート１５６に保持した状態で、キャビティ内にマイクロ波の定在波を生じさせる。マイクロ波はウェーハ８に形成された特定の固相膜又は不純物を特異的に且つ急速に加熱するので、それ以外の膜やウェーハ８が高温になりすぎるのを避けつつ、アニール等の所定の熱処理を行うことができる。例えば、ウェーハ８上に処理モジュール２Ａで膜Ａの形成した後、処理モジュール２Ｂで膜Ｂの形成を行う連続処理に於いて、膜Ｂの形成の前に処理モジュール１５２によるアニールを介在させて、ウェーハ８に既に形成された膜の性質を修正することができ、又はこれから形成する膜の品質が改善されうる。

処理モジュール１５２は、ユーティリティ系１４３の上に搭載されうる。ユーティリティ系１４３は、底にスイベルキャスター等の車輪を有し、処理モジュール１５２を搭載したまま前後方向に移動可能に構成されうる。作業員は、メンテナンス口５０から移載室１１に入り、移載室１１とゲートバルブ１５Ｃとを分離及び連結させることができる。

以上、本開示の実施例を具体的に説明した。然し乍ら、本開示は上述の実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

例えば、上述の実施例では、原料ガスとしてシリコン含有ガスを用いる例について説明したが、本開示は、この様な態様に限定されない。シリコン含有ガスとしては、ＭＣＳ（ＳｉＨ3 Ｃｌ：モノクロロシラン）ガス、ＤＣＳ（ジクロロシラン）ガス、ＴＣＳ（ＳｉＨＣｌ3 ：トリクロロシラン）ガス、ＨＣＤ（Ｓｉ2 Ｃｌ6 ：ヘキサクロロジシラン）ガス、等の無機系ハロシラン原料ガスや、３ＤＭＡＳ（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ3 ）2 ］３Ｈ：トリスジメチルアミノシラン）ガス、ＢＴＢＡＳ（ＳｉＨ2 ［ＮＨ（Ｃ4 Ｈ9 ）］2 ：ビスターシャリブチルアミノシラン）ガス等のハロゲン基非含有のアミノ系（アミン系）シラン原料ガスや、ＭＳ（ＳｉＨ4 ：モノシラン）ガス、ＤＳ（Ｓｉ2 Ｈ6 ：ジシラン）ガス等のハロゲン基非含有の無機系シラン原料ガスを用いることができる。

又、反応ガスとしては、酸素又はオゾンガス等の酸素含有ガス（酸化ガス）、アンモニア（ＮＨ3 ）ガス等の窒素（Ｎ）含有ガス（窒化ガス）、プロピレン（Ｃ3 Ｈ6 ）ガス等の炭素（Ｃ）含有ガス、三塩化硼素（ＢＣｌ3 ）ガス等の硼素（Ｂ）含有ガス等から選ばれる１つ以上のガスを用い、ＳｉＮ膜、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＢＮ膜、ＳｉＢＣＮ膜等を形成することができる。これらの成膜を行う場合に於いても、上述の実施例と同様な処理条件にて成膜を行うことができ、上述の実施例と同様の効果が得られる。

又例えば、本開示は、ウェーハ８上に、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の金属元素を含む膜、即ち、金属系膜を形成する場合に於いても、好適に適用可能である。

上述の実施例では、ウェーハ８上に膜を堆積させる例について説明したが、本開示は、この様な態様に限定されない。例えば、ウェーハ８やウェーハ８上に形成された膜等に対して、酸化処理、拡散処理、アニール処理、エッチング処理等の処理を行う場合にも、好適に適用可能である。

又、上述の実施例や変形例は、適宜組み合わせて用いることができる。この時の処理条件は、例えば上述の実施例や変形例と同様な処理条件とすることができる。

（付記）
又、本開示は以下の実施の態様を含む。

（付記１）基板処理用の第１の処理容器と、正面側に設けられた基板の搬入口とを有する第１の処理モジュールと、該第１の処理モジュールの側面側に近接して配置され、基板処理用の第２の処理容器を有する第２の処理モジュールと、前記第１の処理容器内に処理ガスを供給する第１の供給系を含み、前記第１の処理モジュールの背面に近接して配置される第１のユーティリティ系と、前記第２の処理容器内に処理ガスを供給する第２の供給系を含み、前記第２の処理モジュールの背面に近接して配置される第２のユーティリティ系と、前記第１の処理モジュールの後方に配置され、前記第１の処理容器内を排気する第１の真空排気装置と、前記第２の処理モジュールの後方に配置され、前記第２の処理容器内を排気する第２の真空排気装置とを備え、前記第１の真空排気装置と前記第２の真空排気装置のそれぞれの外側の側面は、前記第１のユーティリティ系と前記第２のユーティリティ系のそれぞれの外側の側面よりも外側に突出しない様構成された基板処理装置。

（付記２）第１の排気ポートは、前記第１の処理容器の管軸と直交する方向に排気が取出される様に形成される付記１に記載の基板処理装置。

１ 基板処理装置
２ 処理モジュール
４ 処理炉
５ 搬送室
８ ウェーハ
１８ 反応管
２４ 供給ボックス
３０ 排気ポート
３４ 排気管
３６ コンダクタンス可変バルブ
３８ ブースタポンプ
４０ 排気ボックス
５１ メンテナンス口
５４ ユーティリティ系
５５ 架台
５６ 吸気口
６８ 分岐排気管
６９ 第１のゲートバルブ
７１ 第２のゲートバルブ
７２ 第１のＡＰＣバルブ
７３ 第２のＡＰＣバルブ
７４ ベローズ
７８ 側壁パネル
７９ フレーム
８２ 取付け板
８５ 取付け部
８７ 制振板

Claims (17)

1. 基板処理用の第１の処理容器と、正面側に設けられた基板の搬入口とを有する第１の処理モジュールと、
   前記第１の処理容器内に処理ガスを供給する第１の供給系を含み、前記第１の処理モジュールの背面に近接して配置される第１のユーティリティ系と、
   前記第１の処理モジュールの後方に配置され、前記第１の処理容器内を排気する第１の真空排気装置を備え、
   前記第１のユーティリティ系と前記第１の真空排気装置は、前記第１の処理モジュールの背面から後方に亘ってメンテナンスエリアを設ける様に配置され、前記第１の真空排気装置の外側の側面は、前記第１のユーティリティ系の外側の側面よりも外側に突出しない様構成された基板処理装置。
2. 前記第１の真空排気装置は、前記第１のユーティリティ系の背面に近接して配置され、前記第１の処理容器の背面側に設けられた第１の排気ポートと略対向する位置に吸気口を有し、前記基板処理装置は更に、前記第１の排気ポートと前記第１の真空排気装置の吸気口との間を略直線的に流体連通させると共に、流路上に第１の圧力調整部を有する第１の排気管を備える請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記第１の処理モジュールの側面側に近接して配置され、基板処理用の第２の処理容器を有する第２の処理モジュールと、前記第２の処理容器内に処理ガスを供給する第２の供給系を含み、前記第２の処理モジュールの背面に近接して配置される第２のユーティリティ系と、外側の側面が前記第２のユーティリティ系のそれぞれの外側の側面よりも外側に突出しない様に前記第２の処理モジュールの後方に配置され、前記第２の処理容器内を排気する第２の真空排気装置とを更に備える請求項１に記載の基板処理装置。
4. 前記メンテナンスエリアは、前記第１の真空排気装置、前記第１のユーティリティ系、前記第１の処理モジュール、前記第２の処理モジュール、前記第２のユーティリティ系、及び前記第２の真空排気装置によって順次囲まれて形成される請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記第１の真空排気装置は、前記第１のユーティリティ系の背面に近接して配置され、前記第１の処理容器の背面側に設けられた第１の排気ポートと略対向する位置に吸気口を有し、前記第２の真空排気装置は、前記第２のユーティリティ系の背面に近接して配置され、前記第２の処理容器の背面側に設けられた第２の排気ポートと略対向する位置に吸気口を有し、
   前記基板処理装置は更に、
   前記第１の排気ポートと前記第１の真空排気装置の吸気口との間を略直線的に流体連通させると共に、流路上に第１の圧力調整部を有する第１の排気管と、
   前記第２の排気ポートと前記第２の真空排気装置の吸気口との間を略直線的に流体連通させると共に、流路上に第２の圧力調整部を有する第２の排気管を備える請求項３に記載の基板処理装置。
6. 前記第１の処理容器は、第１の基板保持具上に多段に配列された複数の基板を収容して熱処理するものであり、前記第２の処理容器は、第２の基板保持具上に多段に配列された複数の基板を収容して熱処理するものであり、
   前記第１の処理モジュールの背面には、前記第１の排気ポートよりも下又は上の位置に、前記第１の処理容器又は前記第１の基板保持具を前記基板処理装置の外へ取出し可能なメンテナンス口を有し、前記第２の処理モジュールの背面には、前記第２の排気ポートよりも下又は上の位置に、前記第２の処理容器又は前記第２の基板保持具を前記基板処理装置の外へ取出し可能なメンテナンス口を有する請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記メンテナンスエリアは、前記メンテナンス口から取出された前記第１の処理容器、前記第１の基板保持具、前記第２の処理容器又は前記第２の基板保持具のうち少なくとも１つを搬送可能な幅及び高さを有する様構成された請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記第１の真空排気装置と、前記第２の真空排気装置は、各吸気口の高さを、対応する前記第１の排気ポートと前記第２の排気ポートと一致させる架台を有する請求項５に記載の基板処理装置。
9. 前記第１の圧力調整部及び前記第２の圧力調整部のそれぞれは、前記第１の排気管及び前記第２の排気管のそれぞれの断面積と同等若しくはそれ以上の流路断面積で開くことが可能に構成される請求項５に記載の基板処理装置。
10. 前記第１のユーティリティ系は、
    前記第１の処理容器にガスを供給する第１のガス供給機構を収納し、ユーティリティ系内の下側に設けられる第１の供給ボックスと、
    前記第１の処理容器と前記第１の真空排気装置とを略水平に接続する排気管を収納する、前記第１の供給ボックスよりも幅が広い第１の排気ボックスと、を備える請求項１に記載の基板処理装置。
11. 前記第１の処理モジュールは、前記第１の処理容器の下方に第１の搬送室を有し、
    前記第１の排気ボックスは、前記第１の搬送室よりも実質的に上方に設置され、
    前記排気管は、前記第１の処理容器と前記第１の真空排気装置とを略直線的に流体連通させる、請求項１０に記載の基板処理装置。
12. 前記第２の処理モジュールの側面側に近接して配置され、基板処理用の第３の処理容器を有する第３の処理モジュールと、
    前記第１乃至第３の処理モジュールのそれぞれの正面側に隣接して配置され、内部に基板を移載する移載機が備えられる移載室と、
    を更に備え、
    前記第３の処理モジュールの後方には、前記第２のユーティリティ系と反対側の側方が開放されたメンテナンスエリアが形成される、請求項３に記載の基板処理装置。
13. 前記第３の処理モジュールは、枚葉処理チャンバを備え、前記第１の処理モジュールと実質的に等しい横幅又は１ｍ以下の横幅を有する、請求項１２に記載の基板処理装置。
14. 前記真空排気装置は、下のフロアに設置された補助排気装置と組合わせて使用されるブースタポンプである、請求項２に記載の基板処理装置。
15. 第１の処理モジュールが有する基板処理用の第１の処理容器に、正面側に設けられた搬入口を通って搬入された基板を提供する工程と、
    前記第１の処理モジュールの背面側に近接して配置される第１のユーティリティ系が含む第１の供給系から、前記第１の処理容器内に処理ガスを供給する工程と、
    前記第１の処理モジュールの後方で、前記第１のユーティリティ系の外側側面よりも外側に突出しない様配置された第１の真空排気装置が、前記第１の処理容器内を排気する行程と、を有し、
    前記第１のユーティリティ系と前記第１の真空排気装置は、基板処理装置の背面にメンテナンスエリアを設ける様に配置される半導体装置の製造方法。
16. 第１の処理モジュールが有する基板処理用の第１の処理容器に、正面側に設けられた搬入口を通って搬入された基板を提供する工程と、
    前記第１の処理モジュールの背面側に近接して配置される第１のユーティリティ系が含む第１の供給系から、前記第１の処理容器内に処理ガスを供給する工程と、
    前記第１の処理モジュールの後方で、前記第１のユーティリティ系の外側側面よりも外側に突出しない様配置された第１の真空排気装置が、前記第１の処理容器内を排気する行程と、を有し、
    前記第１のユーティリティ系と前記第１の真空排気装置は、基板処理装置の背面にメンテナンスエリアを設ける様に配置される基板処理方法。
17. 第１の処理モジュールが有する基板処理用の第１の処理容器に、正面側に設けられた搬入口を通って搬入された基板を提供する手順と、
    前記第１の処理モジュールの背面側に近接して配置される第１のユーティリティ系が含む第１の供給系から、前記第１の処理容器内に処理ガスを供給する手順と、
    前記第１の処理モジュールの後方で、前記第１のユーティリティ系の外側側面よりも外側に突出しない様配置された第１の真空排気装置が、前記第１の処理容器内を排気する手順と、を基板処理装置が備えるコンピュータに実行させるプログラムであって、
    前記第１のユーティリティ系と前記第１の真空排気装置は、基板処理装置の背面にメンテナンスエリアを設ける様に配置されるプログラム。

Images