JP3151564B2 - ガス供給装置 - Google Patents

ガス供給装置

Info

Publication number
JP3151564B2
JP3151564B2 JP25857691A JP25857691A JP3151564B2 JP 3151564 B2 JP3151564 B2 JP 3151564B2 JP 25857691 A JP25857691 A JP 25857691A JP 25857691 A JP25857691 A JP 25857691A JP 3151564 B2 JP3151564 B2 JP 3151564B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
gas supply
filter
supply device
particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP25857691A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0568826A (ja
Inventor
剛伸 松尾
剛 若林
修司 守谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP25857691A priority Critical patent/JP3151564B2/ja
Priority to US07/942,501 priority patent/US5307568A/en
Publication of JPH0568826A publication Critical patent/JPH0568826A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3151564B2 publication Critical patent/JP3151564B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は例えば半導体ウエハの熱
処理装置に用いられるガス供給装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおいて
は、ウエハ内へパーティクルの混入を防止するために、
装置、作業雰囲気、処理ガスなどの各方面においてパー
ティクルの混入防止対策を講じる必要がある。
【0003】そのためウエハの搬送系やクリーンルーム
について改良が加えられ、またガス供給装置についても
ガス配管の材質の選択や溶接方法に対して種々の検討が
なされると共に、更にガス供給源に含まれるパーティク
ルを除去するためにガス供給路にガスフィルタを配置す
るなどの対策がとられている。ここで従来のガス供給装
置では、図5に示すように例えば両端に垂直パネル部1
a、1bを備えたコ字状の固定用の構造体1を用い、前
記垂直パネル部1a、1bに、ガス供給源側及び熱処理
装置側のガス配管に夫々接続されるガス配管接続部2
a、2bを取り付け、これらガス配管接続部2a、2b
の間に配管機器である例えばガスフィルタFa、バルブ
V、マスフロコントローラMFC及びガスフィルタFb
を上流側からこの順に配置して構成されており、バルブ
VやマスフロコントローラMFCなど重量の大きい機器
を前記構造体に固定している。ただし、図5における配
管機器は便宜的に示したものであり、実際の配管機器の
種類、数には必ずしも対応していない。
【0004】一方ガスフィルタはガス通気路部材中に例
えばステンレス製のメッシュ体よりなるフィルタ部を内
臓した機器であり、部品の重量もそれ程大きくなく、更
に小型化される傾向にあることから例えば一端側を前記
ガス配管接続部2a(2b)、に他端側をバルブVやマ
スフロコントローラMFC側のガス配管に夫々着脱自在
に接続して固定されていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところでガス供給装置
の配置されている雰囲気例えばクリーンルーム内では空
調機や排気ポンプなどの機械的振動が常時ガス供給装置
に伝幡しており、このためガス供給装置のガス配管に振
動が伝播してその振動周波数がガス配管とガスフィルタ
との固有共振周波数に一致すると大きく共鳴を起こし、
しかもガスフィルタは図5からわかるように振動の腹の
部分に位置するので大きく振動する。また最近ではシス
テムのコンパクト化の要請も一段と強く、例えばガス供
給系と熱処理装置の排気系とを一体のユニットにするな
どの構想もあり、この場合には、ガス供給装置の配管が
空間で複雑な三次元構造となるため配管の固定が困難と
なり、配管の振動が大きくなる傾向にある。このためガ
スフィルタは本来処理ガス中のパーティクルを除去する
ために設置されたものでありながら、捕捉したパーティ
クルの一部がガスフィルタの振動によって離脱し、この
結果ガスフィルタで捕捉したパーティクルがガス供給装
置内における一番のパーティクルの発生源となってい
た。
【0006】一方半導体デバイスはサブミクロンの領域
に移りつつあるためパーティクルの許容範囲は一段と厳
しいものになっており、このような状況下にあっては、
微細なパーティクルであっても熱処理雰囲気内のウエハ
に付着し、熱拡散によりウエハ中に取り込まれることに
よってデバイスの特性に悪影響を及ぼし、歩留まりの低
下につながる問題点がある。
【0007】本発明はこのような事情のもとになされた
ものであり、その目的は、ガスフィルタに捕捉したパー
ティクルの再放出を防止し、パーティクルのガスフィル
タ下流側への流出阻止を図ることができるガス供給装置
を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、ガス
供給路中に設けられ、筒状のガス通気路部材の中にフィ
ルタ部を配置してなるガスフィルタを含む複数の配管機
器と、これら配管機器を固定するための固定用の構造体
と、を備え、ガス供給源よりの処理ガスを配管機器を介
して処理部に供給するためのガス供給装置において、
記固定用の構造体の一部をなし、前記ガス通気路部材が
嵌入される取付け穴を備えたパネル部と、前記ガス通気
路部材の外周面に周方向に沿って形成されたネジ部と、
このネジ部に螺合するナットと、前記ガス通気路部材の
外周面に前記取り付け穴よりも径が大きく形成された大
径部と、を備え、 前記ナットを締め付けることにより当
該ナットと大径部との間で前記パネル部を両面から挟圧
してガスフィルタをパネル部に固定することを特徴とす
る。
【0009】
【作用】ガス供給源からの処理ガスをガス供給路を介し
て熱処理装置に供給すると、ガス中のパーティクルがガ
スフィルタに捕捉される。このガスフィルタは例えば装
置全体を固定するための構造体に固定されているため、
機械振動が伝播してもガスフィルタは振動の節に位置し
ているので、ガスフィルタの振動が抑えられると共にガ
ス供給装置の共鳴による大きな振動も抑えられる。
【0010】従ってガスフィルタに捕捉されたパーティ
クルの離脱が抑えられ、この結果パーティクルが下流側
へ再放出することを低減でき、例えば熱処理装置内へ非
常にクリーンなガスを供給することができる。
【0011】
【実施例】図1は本発明の実施例に係る、例えば半導体
ウエハの熱処理装置に処理ガスを供給するためのガス供
給装置を示す図である。
【0012】図中1は例えばステンレス鋼よりなる板状
体の両端を折曲起立させて垂直パネル部1a、1bを形
成し、ガス供給装置本体を固定するための固定部をなす
固定用の構造体であり、垂直パネル部1a、1bには、
夫々ガス供給源10側の例えばステンレス鋼よりなるガ
ス配管Gaに接続されるガス配管接続部2a及び熱処理
装置100側のガス配管Gbに接続されるガス配管接続
部2bが取り付けられている。この例では前記ガス配管
接続部2a、2bにガス供給装置のガス供給路Gの上流
端及び下流端が接続されており、ガス供給路Gの上流端
側から配管機器である例えばガスフィルタFa、バルブ
V、マスフロコントローラMFC及びガスフィルタFb
がこの順に設けられると共に、ガス配管接続部2a、2
b及び配管機器間にはガス配管3が介装されている。
【0013】前記構造体1の両端部付近には、夫々構造
体1の一部をなす垂直パネル部4a、4bが設けられて
おり、これら垂直パネル部4a、4bに、ガスフィルタ
Fa、Fbが例えばフィルタ部をなすステンレスメッシ
ュ体の内臓されている中央位置にて夫々固定されてい
る。また前記バルブV、マスフロコントローラMFC
は、下端が取り付け台5を介して構造体1に固定されて
いる。ただし、これらバルブV、マスフロコントローラ
MFCは必ずしも構造体1に固定しなくてもよい。
【0014】また前記ガス配管Gbは、テフロンチュー
ブT及び例えば石英からなるインジェクタ101を介し
て半導体ウエハの熱処理装置100の例えば石英からな
る反応管102内に導入されるように構成されている。
そしてこの反応管102内には、半導体ウエハを積層収
納する例えば石英からなるウエハボート103が搬入搬
出可能に設けられている。また反応管102の外周には
円筒状の加熱装置であるヒータ104が設けられてお
り、このヒータ104により反応管102内に所定の均
熱領域が形成され、処理ガスによって酸化、拡散、CV
Dなどの所定の熱処理が行われる。なお、図1における
配管機器は便宜的に示したものであり、実際の配管機器
の種類、数には必ずしも対応していない。
【0015】次にガスフィルタFA(FB)の構造及び
固定方法の一例について図2を参照しながら詳述する
と、図2中6はガスフィルタFのガス流路をなす例えば
ステンレス鋼よりなる管状のガス通気路部材であり、こ
のガス通気路部材6の両端は、夫々ガス配管2に接続部
6a、6bを介して気密に着脱自在に接続され、ガス通
気路部材6内をガスが通流するように構成されている。
【0016】前記ガス通気路部材6の中央部は両端部の
径に比べて大きい大径部60を形成しており、この大径
部60の内部にはフィルタ室61が形成されると共に、
このフィルタ室6にはガス通気路部材6の長手方向に直
交するようにフィルタ部62が展設されて前記ガスフィ
ルタFが構成されている。
【0017】前記フィルタ部62は例えばステンレスメ
ッシュより成り、ガス通気路部材6の入り口側から入っ
てきた供給ガス中に混入しているパーティクルを捕捉し
て、クリーンなガスを出口側に流すように構成されてい
る。
【0018】また、前記ガス通気路部材6の中央部(大
径部60)から入口側の外周面には、入口側の端部から
大径部60の端面付近までねじ切り加工したねじ部63
が形成されており、このねじ部63にはナット64が螺
合するように構成されている。
【0019】前記ねじ部63が形成されたガス通気路部
材6は、例えば前記垂直パネル部4a(4b)に形成さ
れた取付け穴65に嵌入されており、ナット64を締め
付けることにより垂直パネル部4a(4b)の両面をナ
ット64とガス通気路部材6の大径部60の端面とによ
り挟圧して当該垂直パネル部4a(4b)に固定されて
いる。
【0020】このようなガスフィルタFにおいては、先
ずナット64を外した状態でねじ部63側のガス通気路
部材6を垂直パネル部4a(4b)の取付け穴65内に
挿入して上述のようにナット64の締め付けにより垂直
パネル部4a(4b)に固定すると共に、接続部6a、
6bによりガス通気路部材6の両端を夫々配管2に接続
する。
【0021】ここで垂直パネル部4a(4b)を例えば
ネジ止めなどの固定手段により構造体1に対して着脱自
在に設けておけば、例えば複数のガスフィルタを垂直パ
ネル部4a(4b)と共に一度に着脱することができ
る。
【0022】図2の例ではガスフィルタFを大径部60
の端部にて垂直パネル部に固定しているが、フィルタ部
62の振動をより一層抑えるためにはフィルタ部62の
位置している部分にて固定する方が望ましい。
【0023】次に上述実施例の作用について説明する。
ガス供給源10からガス配管Gaを介して送られてきた
処理ガスがガスフィルタFa、バルブV、マスフロコン
トローラMFC及びガスフィルタFbの順に通流し、ガ
スフィルタFa(Fb)内を通過するときに、処理ガス
中に含まれているパーティクルはフィルタ部62に補足
される。こうして不用なパーティクルが除去されてクリ
ーン化された処理ガスは、ガス配管Gbを介して熱処理
装置100に送られ所定の熱処理が行われる。なおガス
配管Ga、Gbの途中には他のガス供給装置が介在する
場合もある。そしてガスフィルタFa、Fbは例えば中
央部にて固定用の構造体1に直接固定されているため、
機械振動がガス供給装置に伝播しても、ガスフィルタF
a、Fbの例えばパーティクルの発生源となるフィルタ
部62あるいはその付近が振動の節となるため、フィル
タ部62に捕捉されたパーティクルの離脱を極力抑える
ことができる。
【0024】ここで図3は本発明に係るガス供給装置を
熱処理装置に適用した一例の配管系統図であり、図4は
本発明に係るガス供給装置の一例を示す斜視図である。
【0025】図3及び図4からわかるように、半導体ウ
エハの熱処理装置のガス供給装置は、実際には多数の系
統を有し、ガスフィルタFも含めてバルブなどの多数の
配管機器が組み込まれていて、非常に複雑な三次元配管
構造となっている。なお、図3、図4は便宜的に図示し
たものであり、実際のシステムでは更に複雑に構成され
ている。
【0026】図3、図4において、BV1〜BV4はボ
ールバルブ、RG1〜RG3は減圧弁、F1〜F7はガ
スフィルタ、V1〜V6はバルブ、MFC1〜MFC4
はマスフローコントローラ、CV1〜CV6は逆止弁、
HV1〜HV3はハンドバルブである。
【0027】図5は本発明に係るガス供給装置を縦型熱
処理装置に適用した一例であり、熱処理装置本体11と
供給装置12から構成されている。この供給装置12の
下部に真空排気装置13、上部にガス供給装置14が収
納されている。上記真空排気装置13から発生する振動
はかなり大きいものであるが、ガス供給装置14内に設
けられたガスフィルタは構造体に固定されているので、
上記縦型熱処理装置ではガス供給系でのパ−ティクルの
発生が少なく、処理する半導体素子の歩留まりを向上す
ることができる。
【0028】以上において、本発明のガス供給装置は、
実施例のように固定用の構造体に取り付けられたガス配
管接続部の間に配管機器を介装する構成に限定されるも
のではない。
【0029】またガス供給装置本体を固定するための固
定部としては、枠体や壁部などであってもよく、更にガ
スフィルタを固定するための手段としては、ネジ穴を有
する固定片がガス通気路部材に一体的に設けられた構造
のものや、外部のマグネットに吸着される永久磁石や磁
性体よりなる吸着部などにより構成してもよい。
【0030】また本発明に係るガス供給装置は、熱処理
装置に限らず、エッチング装置、イオン注入装置、プラ
ズマCVD装置などに適用してもよい。
【0031】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、機械振動
がガスフィルタに伝播しても、あるいはガス配管から振
動が伝播したり、ガス供給装置に振動が加わったときに
もガスフィルタは振動の節に位置するので振動が抑えら
れ、このためフィルタ部に捕捉された処理ガス中のパー
ティクルの離脱が抑えられ、その結果パーティクルが下
流側へ再放出することを低減できる。従って例えば半導
体ウエハの熱処理装置内に非常にクリーンなガスを供給
することができ、パーティクルによる半導体ウエハへの
悪影響が低減され、歩留まりの向上を図ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す側面図である。
【図2】本発明の実施例に係るガスフィルタを示す断面
図である。
【図3】本発明のガス供給装置の一例を示す配管系統図
である。
【図4】本発明のガス供給装置の一例を示す斜視図であ
る。
【図5】本発明に係るガス供給装置を縦型熱処理装置に
適用した一例を示す斜視図である。
【図6】ガス供給装置の従来例を示す側面図である。
【符号の説明】
F、Fa、Fb ガスフィルタ 1 固定用構造体 1a、1b、4a、4b 垂直パネル部 2a、2b ガス配管接続部 3 ガス配管 6 ガス通気路部材 61 フィルタ室 62 フィルタ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−83480(JP,A) 実開 平1−83414(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B01D 46/00 F16L 55/24 H01L 21/205 H01L 21/265 H01L 21/3065

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガス供給路中に設けられ、筒状のガス通
    気路部材の中にフィルタ部を配置してなるガスフィルタ
    を含む複数の配管機器と、これら配管機器を固定するた
    めの固定用の構造体と、を備え、ガス供給源よりの処理
    ガスを配管機器を介して処理部に供給するためのガス供
    給装置において、前記固定用の構造体の一部をなし、前記ガス通気路部材
    が嵌入される取付け穴を備えたパネル部と、前記ガス通
    気路部材の外周面に周方向に沿って形成されたネジ部
    と、このネジ部に螺合するナットと、前記ガス通気路部
    材の外周面に前記取り付け穴よりも径が大きく形成され
    た大径部と、を備え、 前記ナットを締め付けることにより当該ナットと大径部
    との間で前記パネル部を両面から挟圧してガスフィルタ
    をパネル部に固定する ことを特徴とするガス供給装置。
JP25857691A 1991-09-09 1991-09-09 ガス供給装置 Expired - Fee Related JP3151564B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25857691A JP3151564B2 (ja) 1991-09-09 1991-09-09 ガス供給装置
US07/942,501 US5307568A (en) 1991-09-09 1992-09-09 Gas supply system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25857691A JP3151564B2 (ja) 1991-09-09 1991-09-09 ガス供給装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0568826A JPH0568826A (ja) 1993-03-23
JP3151564B2 true JP3151564B2 (ja) 2001-04-03

Family

ID=17322172

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25857691A Expired - Fee Related JP3151564B2 (ja) 1991-09-09 1991-09-09 ガス供給装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3151564B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7163197B2 (en) 2000-09-26 2007-01-16 Shimadzu Corporation Liquid substance supply device for vaporizing system, vaporizer, and vaporization performance appraisal method
JP4845385B2 (ja) 2004-08-13 2011-12-28 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP4280782B2 (ja) 2007-04-10 2009-06-17 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置のガス供給システム
CN101773918A (zh) * 2010-01-20 2010-07-14 深圳市日联科技有限公司 全气动钢网清洗机
JP7228612B2 (ja) * 2020-03-27 2023-02-24 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0568826A (ja) 1993-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100633190B1 (ko) 가스 패널
KR100706147B1 (ko) 가스 패널
TW423042B (en) Apparatus for manufacturing semiconductor
JPH08981A (ja) ガス供給キャビネットのためのパージ可能な接続部品
JP3151564B2 (ja) ガス供給装置
WO1993012874A1 (en) Method of feeding ultrahigh-purity gas and feed system thereof
US5230721A (en) Apparatus for supplying ultrahigh purity gas
TWI846819B (zh) 用於單處理及多處理腔室流動串流共享的真空泵
US6254685B1 (en) Chemical vapor deposition trap with tapered inlet
JP3433862B2 (ja) 半導体製造装置
JPS6314866A (ja) 超高純度ガス供給装置
JP3574558B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2953754B2 (ja) 低温液化ガスのパーテイクル低減給液装置
JPH04122411A (ja) 気体分離装置
JPS60118603A (ja) 酸素富化器
JP2001212417A (ja) ガス流浄化システムおよび方法
US7563328B2 (en) Method and apparatus for gas injection system with minimum particulate contamination
JPH11233444A (ja) 半導体製造装置用排気ダクト設備
JP3117238B2 (ja) 半導体製造装置と半導体装置の製造方法。
JPH08195332A (ja) 半導体製造装置用排気装置
TW202434754A (zh) 排出來自腔室的流出物串流的方法
JPH0623566Y2 (ja) 半導体製造装置
KR19990076335A (ko) 반도체소자 제조설비의 배기배관
JPH04107280A (ja) 表面加工装置
JPH0684815A (ja) 半導体製造用チューブ装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees