JP3433862B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP3433862B2 JP3433862B2 JP13419395A JP13419395A JP3433862B2 JP 3433862 B2 JP3433862 B2 JP 3433862B2 JP 13419395 A JP13419395 A JP 13419395A JP 13419395 A JP13419395 A JP 13419395A JP 3433862 B2 JP3433862 B2 JP 3433862B2
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- JP
- Japan
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- wafer
- positioning
- reaction tube
- semiconductor manufacturing
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置の１つ
であるＣＶＤ装置、特に枚葉ＣＶＤ装置におけるウェー
ハ台の位置決め方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】図２は（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ従来の
枚葉式ＣＶＤ装置におけるウェーハ台の位置決め方法を
実施した反応室の構造を示す縦断面図及びＡ−Ａ線矢視
断面図である。図２において１は石英反応管、２はこれ
にウェーハを載せて挿設されるウェーハ台、３は石英反
応管１の左右に配設したガス導入出部で、反応ガスは左
右のガス導入出部のガス導入孔３Ａからタイミングをと
って切り換えて流し、ガス導出孔３Ｂから流出させる。
４はガス導入出部３のフランジ部である。従来のウェー
ハ台の位置決め方法は、図２に示すように石英反応管１
の内部にリブ８を設け、その内部に例えば石英から成る
ウェーハ台２を装着して位置決めをしていた。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】このような従来方法で
は、ウェーハ台２の装着の際、石英反応管１の内部にリ
ブ８があるため、メンテナンス性が悪く、また石英反応
管１の洗浄が難しいという課題がある。 【０００４】 【課題を解決するための手段】本発明方法は、上記の課
題を解決するため、図１に示すように半導体製造装置に
おけるガス導入出部３のフランジ部４に切り欠き５を設
け、この切り欠き５と、前記ウェーハ台２から延在する
位置決め部６とで位置決めすることを特徴とする。 【０００５】 【作 用】上記のような構成であるから、ガス導入出部
３のフランジ部４に設けた切り欠き５に、ウェーハ台２
から延在する位置決め部６を密着させることで、位置決
めされることになる。 【０００６】 【実施例】図１（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ本発明方法を
実施した枚葉式ＣＶＤ装置における反応室の構造を示す
縦断面図、同じく横断平面図及び図１（Ａ）のＡ−Ａ線
矢視図である。図１において１は石英反応管、２はこれ
にウェーハを載せて挿設されるウェーハ台、３は石英反
応管１の左右に配設したガス導入出部で、反応ガスは左
右のガス導入出部のガス導入孔３Ａからタイミングをと
って切り換えて流し、ガス導出孔３Ｂから流出させる。
４はガス導入出部３のフランジ部、７は角形のヒータ、
９は搬送チャンバ、１０はゲートバルブ、１１は開口部
である。本実施例は、反応管１内にウェーハを載せるウ
ェーハ台２を挿設し、該反応管１内にガス導入出部３よ
りガスを導入し、ヒータ７で加熱して、ウェーハを処理
する装置におけるガス導入出部３の後部に、ウェーハ台
２を装着する切り欠き５を設け、この切り欠き５と、ウ
ェーハ台２から延在する位置決め部６とで位置決めする
構成とする。 【０００７】上記構成において石英反応管１の内部にウ
ェーハ台２を挿入後、ガス導入出部３のフランジ部４に
設けた切り欠き５に、ウェーハ台２から延在する位置決
め部６を密着させることで、ウェーハ台２の位置決めが
容易にできるようになる。 【０００８】上述のように本発明によれば、ウェーハ台
の位置決めを容易に正確に行うことができるばかりでな
く、ウェーハ台装着のメンテナンスを容易にできる。
であるＣＶＤ装置、特に枚葉ＣＶＤ装置におけるウェー
ハ台の位置決め方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】図２は（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ従来の
枚葉式ＣＶＤ装置におけるウェーハ台の位置決め方法を
実施した反応室の構造を示す縦断面図及びＡ−Ａ線矢視
断面図である。図２において１は石英反応管、２はこれ
にウェーハを載せて挿設されるウェーハ台、３は石英反
応管１の左右に配設したガス導入出部で、反応ガスは左
右のガス導入出部のガス導入孔３Ａからタイミングをと
って切り換えて流し、ガス導出孔３Ｂから流出させる。
４はガス導入出部３のフランジ部である。従来のウェー
ハ台の位置決め方法は、図２に示すように石英反応管１
の内部にリブ８を設け、その内部に例えば石英から成る
ウェーハ台２を装着して位置決めをしていた。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】このような従来方法で
は、ウェーハ台２の装着の際、石英反応管１の内部にリ
ブ８があるため、メンテナンス性が悪く、また石英反応
管１の洗浄が難しいという課題がある。 【０００４】 【課題を解決するための手段】本発明方法は、上記の課
題を解決するため、図１に示すように半導体製造装置に
おけるガス導入出部３のフランジ部４に切り欠き５を設
け、この切り欠き５と、前記ウェーハ台２から延在する
位置決め部６とで位置決めすることを特徴とする。 【０００５】 【作 用】上記のような構成であるから、ガス導入出部
３のフランジ部４に設けた切り欠き５に、ウェーハ台２
から延在する位置決め部６を密着させることで、位置決
めされることになる。 【０００６】 【実施例】図１（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ本発明方法を
実施した枚葉式ＣＶＤ装置における反応室の構造を示す
縦断面図、同じく横断平面図及び図１（Ａ）のＡ−Ａ線
矢視図である。図１において１は石英反応管、２はこれ
にウェーハを載せて挿設されるウェーハ台、３は石英反
応管１の左右に配設したガス導入出部で、反応ガスは左
右のガス導入出部のガス導入孔３Ａからタイミングをと
って切り換えて流し、ガス導出孔３Ｂから流出させる。
４はガス導入出部３のフランジ部、７は角形のヒータ、
９は搬送チャンバ、１０はゲートバルブ、１１は開口部
である。本実施例は、反応管１内にウェーハを載せるウ
ェーハ台２を挿設し、該反応管１内にガス導入出部３よ
りガスを導入し、ヒータ７で加熱して、ウェーハを処理
する装置におけるガス導入出部３の後部に、ウェーハ台
２を装着する切り欠き５を設け、この切り欠き５と、ウ
ェーハ台２から延在する位置決め部６とで位置決めする
構成とする。 【０００７】上記構成において石英反応管１の内部にウ
ェーハ台２を挿入後、ガス導入出部３のフランジ部４に
設けた切り欠き５に、ウェーハ台２から延在する位置決
め部６を密着させることで、ウェーハ台２の位置決めが
容易にできるようになる。 【０００８】上述のように本発明によれば、ウェーハ台
の位置決めを容易に正確に行うことができるばかりでな
く、ウェーハ台装着のメンテナンスを容易にできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ本発明方法を実施し
た枚葉式ＣＶＤ装置における反応室の構造を示す縦断面
図、同じく横断平面図及び図１（Ａ）のＡ−Ａ線矢視図
である。 【図２】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ従来の枚葉式ＣＶＤ
装置におけるウェーハ台の位置決め方法を実施した反応
室の構造を示す縦断面図及びＡ−Ａ線矢視断面図であ
る。 【符号の説明】 １ 石英反応管 ２ ウェーハ台 ３ ガス導入出部 ３Ａ ガス導入孔 ３Ｂ ガス導出孔 ４ フランジ部 ５ 切り欠き ６ 位置決め部 ７ ヒータ ８ リブ ９ 搬送チャンバ １０ ゲートバルブ １１ 開口部
た枚葉式ＣＶＤ装置における反応室の構造を示す縦断面
図、同じく横断平面図及び図１（Ａ）のＡ−Ａ線矢視図
である。 【図２】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ従来の枚葉式ＣＶＤ
装置におけるウェーハ台の位置決め方法を実施した反応
室の構造を示す縦断面図及びＡ−Ａ線矢視断面図であ
る。 【符号の説明】 １ 石英反応管 ２ ウェーハ台 ３ ガス導入出部 ３Ａ ガス導入孔 ３Ｂ ガス導出孔 ４ フランジ部 ５ 切り欠き ６ 位置決め部 ７ ヒータ ８ リブ ９ 搬送チャンバ １０ ゲートバルブ １１ 開口部
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】反応管内でウエーハ台にウエーハを載せた
状態で、該反応管内にガスを導入し、ヒータで加熱し
て、ウエーハを処理する半導体製造装置において、該反
応管のフランジ部に切り欠きを設け、この切り欠きと、
前記ウエーハ台から延在する位置決め部とで位置決めす
ることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13419395A JP3433862B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13419395A JP3433862B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330238A JPH08330238A (ja) | 1996-12-13 |
| JP3433862B2 true JP3433862B2 (ja) | 2003-08-04 |
Family
ID=15122615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13419395A Expired - Fee Related JP3433862B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3433862B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5960159A (en) * | 1997-10-14 | 1999-09-28 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Heat treatment of semiconductor wafers where upper heater directly heats upper wafer in its entirety and lower heater directly heats lower wafer in its entirety |
-
1995
- 1995-05-31 JP JP13419395A patent/JP3433862B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08330238A (ja) | 1996-12-13 |
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Legal Events
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