JPH04332122A - 減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
減圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH04332122A JPH04332122A JP10137291A JP10137291A JPH04332122A JP H04332122 A JPH04332122 A JP H04332122A JP 10137291 A JP10137291 A JP 10137291A JP 10137291 A JP10137291 A JP 10137291A JP H04332122 A JPH04332122 A JP H04332122A
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- JP
- Japan
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- gas
- tube
- furnace core
- core tube
- gas introduction
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
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- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造装置に
関し、特に減圧ＣＶＤ装置に関する。
関し、特に減圧ＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の減圧ＣＶＤ装置は、炉芯管内に、
ウェハーを保持するボートと、成長ガスを導入するガス
導入口及びガス導入管とを有し、該炉芯管内を高温加熱
及び真空排気した後、該ガス導入口及びガス導入管から
成長ガスを導入し化学反応させ、該ウェハー上に所要の
膜を形成させている。
ウェハーを保持するボートと、成長ガスを導入するガス
導入口及びガス導入管とを有し、該炉芯管内を高温加熱
及び真空排気した後、該ガス導入口及びガス導入管から
成長ガスを導入し化学反応させ、該ウェハー上に所要の
膜を形成させている。
【０００３】したがって、該ウェハー上に成膜させる時
、同時に炉芯管の内壁にも膜が形成されることになって
いる。
、同時に炉芯管の内壁にも膜が形成されることになって
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の減圧ＣＶＤ
装置は、ウェハー上に所要の膜を形成させる時、同時に
炉芯管の内壁にも成膜される。特に、炉芯管上部の球面
部が著しく、このため、球面部に蓄積された膜と炉芯管
との熱膨脹率の違い、あるいは、蓄積させた膜のストレ
スにより炉芯管上部の球面部にクラックが生じ、ここか
らのリークの懸念から同一炉芯管の使用は極めて短期間
となり、従って多大な費用を要する結果を招いていた。
装置は、ウェハー上に所要の膜を形成させる時、同時に
炉芯管の内壁にも成膜される。特に、炉芯管上部の球面
部が著しく、このため、球面部に蓄積された膜と炉芯管
との熱膨脹率の違い、あるいは、蓄積させた膜のストレ
スにより炉芯管上部の球面部にクラックが生じ、ここか
らのリークの懸念から同一炉芯管の使用は極めて短期間
となり、従って多大な費用を要する結果を招いていた。
【０００５】また、炉芯管上部の球面部に蓄積された膜
は、炉芯管内の圧力の変化等の影響で剥れ落ち、該炉芯
管下方に位置するウェハー表面に付着するため、パーテ
ィクルとなり、歩留りの低下を招いていた。
は、炉芯管内の圧力の変化等の影響で剥れ落ち、該炉芯
管下方に位置するウェハー表面に付着するため、パーテ
ィクルとなり、歩留りの低下を招いていた。
【０００６】本発明の目的は、炉芯管上部の球面部に成
膜されることを防止した減圧ＣＶＤ装置を提供すること
にある。
膜されることを防止した減圧ＣＶＤ装置を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明に係る減圧ＣＶＤ装置においては、炉芯管内に
、ウェハーを保持するボートと、成長ガスを導入するガ
ス導入口及びガス導入管とを有し、該炉芯管内を高温加
熱及び真空排気した後、該ガス導入口及びガス導入管か
ら成長ガスを導入し、化学反応させ、該ウェハー上に所
要の膜を形成させる減圧ＣＶＤ装置であって、前記成長
ガス導入管の他に、１本または複数の不活性ガス導入管
を有するものである。
、本発明に係る減圧ＣＶＤ装置においては、炉芯管内に
、ウェハーを保持するボートと、成長ガスを導入するガ
ス導入口及びガス導入管とを有し、該炉芯管内を高温加
熱及び真空排気した後、該ガス導入口及びガス導入管か
ら成長ガスを導入し、化学反応させ、該ウェハー上に所
要の膜を形成させる減圧ＣＶＤ装置であって、前記成長
ガス導入管の他に、１本または複数の不活性ガス導入管
を有するものである。
【０００８】
【作用】本発明の減圧ＣＶＤ装置は、成長ガス導入管の
他に別に不活性ガス導入管を有しているため、成膜中、
つまり成長ガス導入管から成長ガスを炉芯管内に導入中
、同時に不活性ガス導入管から不活性ガスを該炉芯管内
上部の球面部付近のみに導入することにより、炉芯管内
上部の球面部での成長ガスの残留の反応を抑制すること
ができ、該球面部内壁への成膜を低減することができる
。
他に別に不活性ガス導入管を有しているため、成膜中、
つまり成長ガス導入管から成長ガスを炉芯管内に導入中
、同時に不活性ガス導入管から不活性ガスを該炉芯管内
上部の球面部付近のみに導入することにより、炉芯管内
上部の球面部での成長ガスの残留の反応を抑制すること
ができ、該球面部内壁への成膜を低減することができる
。
【０００９】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１０】（実施例１）図１は、本発明の実施例１に
係る減圧ＣＶＤ装置を示す断面図である。
係る減圧ＣＶＤ装置を示す断面図である。
【００１１】図において、本実施例に係る減圧ＣＶＤ装
置は、炉芯管１及び２内に、ウェハー３を保持するボー
ト４と、成長ガスを導入するためのガス導入口５及びガ
ス導入管６とを有し、該炉芯管１及び２内を、ヒーター
７により高温加熱、及び真空ポンプ８により真空排気し
た後、該ガス導入口５及びガス導入管６から成長ガスを
導入し、化学反応により該ウェハー３上に所要の膜を形
成させる減圧ＣＶＤ装置を対象とするものである。
置は、炉芯管１及び２内に、ウェハー３を保持するボー
ト４と、成長ガスを導入するためのガス導入口５及びガ
ス導入管６とを有し、該炉芯管１及び２内を、ヒーター
７により高温加熱、及び真空ポンプ８により真空排気し
た後、該ガス導入口５及びガス導入管６から成長ガスを
導入し、化学反応により該ウェハー３上に所要の膜を形
成させる減圧ＣＶＤ装置を対象とするものである。
【００１２】さらに本実施例は、成膜中、つまり成長ガ
スを該炉芯管１及び２内に導入中、同時に炉芯管１上部
の球面部９まで延びた筒状の不活性ガス導入管１０から
不活性ガスを炉芯管上部の球面部９付近にのみ導入し、
炉芯管上部球面部９での成長ガスの残留の反応を抑制し
、球面部９内壁への成膜を低減する。
スを該炉芯管１及び２内に導入中、同時に炉芯管１上部
の球面部９まで延びた筒状の不活性ガス導入管１０から
不活性ガスを炉芯管上部の球面部９付近にのみ導入し、
炉芯管上部球面部９での成長ガスの残留の反応を抑制し
、球面部９内壁への成膜を低減する。
【００１３】（実施例２）図２は、本発明の実施例２を
示す断面図である。
示す断面図である。
【００１４】本実施例は、実施例１（図１）と同一の構
成を持つ減圧ＣＶＤ装置において、不活性ガス導入管１
０の代わりに、炉芯管１上部の球面部９に不活性ガス導
入管１１を加えた形状の炉芯管１を持つことで、不活性
ガス導入管１１より、成膜中に不活性ガスを導入し、実
施例１と同様の作用を施す。
成を持つ減圧ＣＶＤ装置において、不活性ガス導入管１
０の代わりに、炉芯管１上部の球面部９に不活性ガス導
入管１１を加えた形状の炉芯管１を持つことで、不活性
ガス導入管１１より、成膜中に不活性ガスを導入し、実
施例１と同様の作用を施す。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、成膜中に
炉芯管上部球面部付近に不活性ガスを導入することがで
きるため、成長ガスの残留ガスが炉芯管上部球面部で反
応し、該球面部に成膜するという現象を抑制することが
でき、該球面部でのクラックの発生を低減することが可
能となり、同一炉芯管の使用回数を大幅に向上させるこ
とができる。
炉芯管上部球面部付近に不活性ガスを導入することがで
きるため、成長ガスの残留ガスが炉芯管上部球面部で反
応し、該球面部に成膜するという現象を抑制することが
でき、該球面部でのクラックの発生を低減することが可
能となり、同一炉芯管の使用回数を大幅に向上させるこ
とができる。
【００１６】また、該球面部への膜の蓄積を抑制できる
ため、炉芯管内の圧力の変化等の影響による蓄積膜の剥
れ落ちを低減でき、ひいては剥れ落ちた膜片のウェハー
表面への付着を低減することになり、歩留りの向上につ
ながる。
ため、炉芯管内の圧力の変化等の影響による蓄積膜の剥
れ落ちを低減でき、ひいては剥れ落ちた膜片のウェハー
表面への付着を低減することになり、歩留りの向上につ
ながる。
【図１】本発明の実施例１を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例２を示す断面図である。
１，２ 炉芯管
３ ウェハー
４ ボート
５ 成長ガス導入口
６ 成長ガス導入管
７ ヒーター
８ 真空ポンプ
９ 炉芯管１上部の球面部
１０ 不活性ガス導入管
１１ 不活性ガス導入管
Claims (1)
- 【請求項１】 炉芯管内に、ウェハーを保持するボー
トと、成長ガスを導入するガス導入口及びガス導入管と
を有し、該炉芯管内を高温加熱及び真空排気した後、該
ガス導入口及びガス導入管から成長ガスを導入し、化学
反応させ、該ウェハー上に所要の膜を形成させる減圧Ｃ
ＶＤ装置であって、前記成長ガス導入管の他に、１本ま
たは複数の不活性ガス導入管を有することを特徴とする
減圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10137291A JPH04332122A (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10137291A JPH04332122A (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04332122A true JPH04332122A (ja) | 1992-11-19 |
Family
ID=14298987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10137291A Pending JPH04332122A (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04332122A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5503678A (en) * | 1993-11-04 | 1996-04-02 | Nec Corporation | Vertical low pressure CVD apparatus with an adjustable nozzle |
-
1991
- 1991-05-07 JP JP10137291A patent/JPH04332122A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5503678A (en) * | 1993-11-04 | 1996-04-02 | Nec Corporation | Vertical low pressure CVD apparatus with an adjustable nozzle |
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