JPS63283031A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS63283031A JPS63283031A JP7894288A JP7894288A JPS63283031A JP S63283031 A JPS63283031 A JP S63283031A JP 7894288 A JP7894288 A JP 7894288A JP 7894288 A JP7894288 A JP 7894288A JP S63283031 A JPS63283031 A JP S63283031A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
半導体の製造プロセスに於いて半導体基板に膜を形成す
る工程が用いられている。
る工程が用いられている。
この様に工程は、ＰＶＤ （物理的気相成長）やＣＶＤ
（化学的気相成長）が用いられる事が多いが、ここで
使われる容器としての炉芯管にも膜が形成される。この
膜は炉芯管と熱膨張係数が異なる為、剥れ落ちて異物と
なり製品の歩留りを著しく低下させたり、ひどい場合に
は応力の発生により炉芯管にヒビ割れを生ずる事がある
。
（化学的気相成長）が用いられる事が多いが、ここで
使われる容器としての炉芯管にも膜が形成される。この
膜は炉芯管と熱膨張係数が異なる為、剥れ落ちて異物と
なり製品の歩留りを著しく低下させたり、ひどい場合に
は応力の発生により炉芯管にヒビ割れを生ずる事がある
。
本発明はかかる膜を安全に且つ能率的に除去する装置に
関するものである。
関するものである。
シリコン半導体基板の一部に極部的に酸化珪素膜を形成
する場合には部分的に窒化珪素膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）でシ
リコン表面を被い、露出しているシリコン基板表面を熱
酸化する方法が用いられる。
する場合には部分的に窒化珪素膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）でシ
リコン表面を被い、露出しているシリコン基板表面を熱
酸化する方法が用いられる。
かかる熱酸化防止用の膜として用いられるＳｉ３Ｎ４膜
は、ＣＶＤ法により６００〜８００ ’Ｃに於いてモノ
シラン（Ｓ、１Ｈ４）ガスとアンモニア（ＮＨ３）ガス
の反応で形成される。このＳｉ３Ｎ４膜の形成に於いて
、反応を行わせる容器として石英ガラス製の炉芯管やシ
リコン基板を保持する石英ボート等が用いられる。この
炉芯管やボートにもＳｉ：＋Ｎ４膜が形成され、膜が剥
れて異物となる等の障害が起こる為、定期的にこの膜を
除去してやる必要が生ずる。
は、ＣＶＤ法により６００〜８００ ’Ｃに於いてモノ
シラン（Ｓ、１Ｈ４）ガスとアンモニア（ＮＨ３）ガス
の反応で形成される。このＳｉ３Ｎ４膜の形成に於いて
、反応を行わせる容器として石英ガラス製の炉芯管やシ
リコン基板を保持する石英ボート等が用いられる。この
炉芯管やボートにもＳｉ：＋Ｎ４膜が形成され、膜が剥
れて異物となる等の障害が起こる為、定期的にこの膜を
除去してやる必要が生ずる。
従来はこの様な膜は薬品を使用してエツチング溶解して
いた。しかし薬品の場合以下の様な問題があった。つま
り、弗酸、硝酸の混合液では５ｔ３Ｎ４のエツチングレ
イトよりは石英ガラスのエラチンブレイトが大きく、石
英ガラスの表面の凹凸が激しくなりエツチングする以前
に比べて異物の発生がかえって多（なってしまう。また
、熱リン酸を用いる場合は、第２図に示す様な装置を用
いて液温を約１７０°Ｃ以上に上げる必要があり大型の
槽を必要とし、しかも安全上非常に問題があった。弗酸
、硝酸混合液の場合も熱リン酸の場合も炉芯管のＳｉ３
Ｎ４膜除去には多量の薬品を必要とし、不経済であった
。
いた。しかし薬品の場合以下の様な問題があった。つま
り、弗酸、硝酸の混合液では５ｔ３Ｎ４のエツチングレ
イトよりは石英ガラスのエラチンブレイトが大きく、石
英ガラスの表面の凹凸が激しくなりエツチングする以前
に比べて異物の発生がかえって多（なってしまう。また
、熱リン酸を用いる場合は、第２図に示す様な装置を用
いて液温を約１７０°Ｃ以上に上げる必要があり大型の
槽を必要とし、しかも安全上非常に問題があった。弗酸
、硝酸混合液の場合も熱リン酸の場合も炉芯管のＳｉ３
Ｎ４膜除去には多量の薬品を必要とし、不経済であった
。
本発明は、かかる欠点を全て無くした新しい膜除去装置
を提供するものである。
を提供するものである。
以下実施例に従って本発明を説明する。
実施例−１（第３図に沿って説明する）Ｓｉ３Ｎ、膜等
の堆積物１１を除去しようとする炉芯管１の一方１２よ
りコントロールされた流量の四弗化炭素（ＣＦ、）を供
給し、もう一方より排気して炉芯管内１０−２〜１０−
３パス力ル程度の減圧とする。しかる後に炉芯管の外側
に巻いであるコイル１０に高周波エネルギーを加え炉芯
管内にプラズマを発生させ、このプラズマで堆積物１１
を除去する。この場合コイル１０と炉芯管１を相対的に
ずらす事をすれば、炉芯管１全体の堆積物１１を均一に
除去できる。
の堆積物１１を除去しようとする炉芯管１の一方１２よ
りコントロールされた流量の四弗化炭素（ＣＦ、）を供
給し、もう一方より排気して炉芯管内１０−２〜１０−
３パス力ル程度の減圧とする。しかる後に炉芯管の外側
に巻いであるコイル１０に高周波エネルギーを加え炉芯
管内にプラズマを発生させ、このプラズマで堆積物１１
を除去する。この場合コイル１０と炉芯管１を相対的に
ずらす事をすれば、炉芯管１全体の堆積物１１を均一に
除去できる。
実施例−２（第４図に沿って説明する）Ｓｉ３Ｎ４等の
堆積物１１を除去しようとする炉芯管１の開口部から、
内側炉芯管１３を装着する。実施例−１に述べた様にガ
スを供給し減圧にして、内側炉芯管１３の内側から高周
波エネルギーを与えて堆積物をプラズマ反応で除去する
。
堆積物１１を除去しようとする炉芯管１の開口部から、
内側炉芯管１３を装着する。実施例−１に述べた様にガ
スを供給し減圧にして、内側炉芯管１３の内側から高周
波エネルギーを与えて堆積物をプラズマ反応で除去する
。
実施例−３
Ｓｉ３Ｎ、等のＣＶＤ用の炉に於いては抵抗加熱型の拡
散炉が多（用いられるが、この場合炉芯管の外側にはコ
イル状の加熱ヒーターがある。炉芯管内を実施例−１で
説明した雰囲気にして高周波エネルギーをこの加熱ヒー
ターコイルに与えて堆積物を除去する。
散炉が多（用いられるが、この場合炉芯管の外側にはコ
イル状の加熱ヒーターがある。炉芯管内を実施例−１で
説明した雰囲気にして高周波エネルギーをこの加熱ヒー
ターコイルに与えて堆積物を除去する。
実施例−２，３に於いては炉芯管を炉から取り外す事な
（堆積物を除去する事ができる。
（堆積物を除去する事ができる。
以上実施例に於いては堆積物としてＳｉ３Ｎ。
膜のみについて説明したが、珪素膜、５ｉＯ７膜、ＡＬ
膜等あらゆる膜に拡張が可能である。また、炉芯管も石
英ガラスについてのみ説明したが、炭化珪素、シリコン
、アルミナ、ムライト等に拡張できることは言うまでも
ない。
膜等あらゆる膜に拡張が可能である。また、炉芯管も石
英ガラスについてのみ説明したが、炭化珪素、シリコン
、アルミナ、ムライト等に拡張できることは言うまでも
ない。
第１図は一般的なＣＶＤ装置
１は炉芯管
２はガス供給管
３は炉のヒーター
４はシリコン基板保持用ポート
５はシリコン基板
１１は堆積物
第２図は従来の堆積物除去装置。
６は薬品槽
７は薬品加熱用ヒーター
８は薬品
第３図は本発明による堆積物除去装置
９は高周波発振機
１０は高周波コイル
１２はキャップ及びエツチングガス導入口第４図は本発
明になるもう１つの堆積物除去装置 １３喝工ツチング用ガス導入口を持った内側石英管 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 最 上 務 昧 手続補正書（自発） 昭＋ｏＢ３年４ 月２７日 昭和６３年 ３月３１日付提出の特許願（２２）２、発
明の名称 半導体製造装置の堆積物除去方法 ３、補正する者 事件との関係 出願人 東京都新宿区西新宿２丁目４番１号 （２３６）セイコーエプソン株式会社 代表取締役 中 村 恒 也 ４、代理人 〒１０４ 東京都中央区京橋２丁目６番２１号５、補
正の対象 明細書 １、発明の名称 半導体製造装置の堆積物除去方法 ２、特許請求の範囲 ３、発明の詳細な説明 本発明は、半導体製造装置の堆積物除去方法に関するも
のである。 半導体の製造プロセスに於いて半導体基板に膜を形成す
る工程が用いられている。 この様な工程には、ＰＶＤ （物理的気相成長）やＣＶ
Ｄ （化学的気相成長）が用いられる事が多いが、ここ
で使われる容器としての炉芯管（反応管とも言う）にも
膜が形成される。ここで、第１図の一般的なＣＶＤ装置
の概略図を用いて説明する。１は炉芯管、２はガス供給
管、３は炉のヒーター、４はシリコン基板保持用ボート
、５はシリコン基板、１１は堆積物である。この膜とな
った堆積物１１は炉芯管１と熱膨張係数が異なる為、剥
れ落ちて異物となり製品の歩留りを著しく低下させたり
、ひどい場合には応力の発生により炉芯管１にヒビ割れ
を生ずる事がある。 本発明はかかる膜を安全に、低コストで且つ能率的に除
去する半導体製造装置の堆積物除去方法に関するもので
ある。 シリコン半導体基板の一部に極部的に酸化珪素膜を形成
する場合には部分的に窒化珪素膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）でシ
リコン表面を被い、露出しているシリコン基板表面を熱
酸化する方法が用いられる。 かかる熱酸化防止用の膜として用いられるＳｉ３Ｎ４膜
は、ＣＶＤ法により６００〜８００°Ｃに於いてモノシ
ラン（ＳｉＨ４）ガスとアンモニア（ＮＨ３）ガスの反
応で形成される。このＳｉ３Ｎ４膜の形成に於いて、反
応を行わせる容器として石英ガラス製の炉芯管やシリコ
ン基板を保持する石英ボート等が用いられる。この炉芯
管やボートにもＳｉ３Ｎ４膜が形成され、膜が剥れて異
物となる等の障害が起こる為、定期的にこの膜を除去し
てやる必要が生ずる。 従来はこの様な膜は薬品を使用してエツチング溶解して
いた。しかし薬品の場合以下の様な問題があった。つま
り、弗酸、硝酸の混合液ではＳｉ３Ｎ４のエツチングレ
イトよりは石英ガラスのエツチングレイトが大きく、石
英ガラスの表面の凹凸が激しくなりエツチングする以前
に比べて異物の発生がかえって多くなってしまう。また
、熱リン酸を用いる場合は、第２図に示す様な薬品８中
に堆積物１１の付着した炉芯管１を入れる装置を用いて
液温を約１７０°Ｃ以上に上げる必要があり大型の槽を
必要とし、しかも安全上非常に問題があった。弗酸、硝
酸混合液の場合も熱リン酸の場合も炉芯管１のＳｉ３Ｎ
、膜除去には多量の薬品を必要とし、不経済であった。 本発明は、かかる欠点を全て無くした新しい半導体製造
装置の堆積物除去方法を提供することを目的とするもの
である。 以下、本発明を説明するための第３図について述べる。 Ｓｉ３Ｎ、膜等の堆積物１１を除去しようとする炉芯管
１の一方１２よりコントロールされた流量の四弗化炭素
（ＣＦ、）を供給し、もう一方より排気して炉芯管内を
１０−２〜１０−３パスカル程゛ 度の減圧とする。し
かる後に炉芯管１の外側に巻いであるコイル１０に高周
波エネルギーを加え炉芯管内にプラズマを発生させ、こ
のプラズマで堆積物１１を除去する。この場合コイル１
０と炉芯管１を相対的にずらす事をすれば、炉芯管１全
体の堆積物１１を均一に除去できる。 次に、本発明の特徴を最も表わす実施例を示す第４図を
以下に説明する。 炉芯管１の内壁に堆積したＳｉ３Ｎ、膜等の堆積物１１
を除去するために、第４図に示すように、石英等からな
る内側炉芯管１３を炉芯管１の開口部から炉芯管１の内
部に炉芯管１とは一定の間隔を持つように装着する。こ
の内側炉芯管１３は、内部の高周波コイル１０に高周波
発振器９からの高周波エネルギーを与えることによりプ
ラズマを発生するプラズマ発生部となる。この高周波コ
イル１０は、内側炉芯管の存在によりガスから隔離され
て構成されている。 そして、Ｓｉ、Ｎ、膜等の堆積物１１を除去しようとす
る炉芯管１の一方よりコントロールされた流量の四弗化
炭素（ＣＦ、）を供給し、もう一方より排気して炉芯管
１１内を１０−”〜１０−３パスカル程度の減圧とする
。その後、炉芯管１の内側に入れた内側炉芯管１３のコ
イル１０に高周波エネルギーを加えて炉芯管１内にプラ
ズマを発生させ、このプラズマ反応により堆積物１１を
除去する。 これにより、炉芯管１とは独立してプラズマ発生部が炉
芯管１の内側に設けられているので炉芯管１を炉から取
り外す事なく堆積物を除去することができるので、メン
テナンスの時間を大幅に短縮でき、作業能率が向上する
。 さらに、半導体製造装置としてその装置の機能で最初か
らプラズマ発生部を必要としない例えば抵抗加熱ＣＶＤ
炉とかランプ加熱ＣＶＤ炉等に関しても、炉芯管を装置
から取り外す事なく堆積物を除去することができるので
、つまり本発明の構成が共用という形で適用できるので
、どんな装置の炉芯管にも使え、非常にコストパフォー
マンスがすくれ、また極めて効率的であるという効果が
あるものである。 また、熱拡散とかＣＶＤとかのプロセス直後の、炉芯管
がまだ熱い状態で炉芯管の内壁の堆積物を除去できるの
で、堆積物の除去に必要な時間が大幅に短縮され、かつ
より安全に堆積物を除去することができるという効果も
有するものである。 以上実施例に於いて堆積物としてＳ ｉ ３ Ｎ４Ｍ！
のみについて説明したが、珪素膜、ＳｉＣ２膜、Ａ２膜
等あらゆる膜に拡張が可能である。また、炉芯管も石英
ガラスについてのみ説明したが、炭化珪素シリコン、ア
ルミナ、ムライト等に拡張できることは言うまでもない
。 ４、図面の簡単な説明 第１図は一般的なＣＶＤ装置の概略図。 第２図は従来の半導体製造装置の堆積物除去装置の概略
図。 第３図は本発明を説明するための半導体製造装置の堆積
物除去袋装置の概略図。 第４図は本発明の実施例を示す半導体製造装置の堆積物
除去装置の概略図。 １は炉芯管 ２はガス供給管 ３は炉のヒーター ４はシリコン基板保持用ボート ５はシリコン基板 ６は薬品槽 ７は薬品加熱用ヒーター ８は薬品 ９は高周波発振機 １０は高周波コイル １１は堆積物 １２はキャップ及びエツチングガス導入口１３はエツチ
ング用ガス導入口を持った内側炉芯管 以上
明になるもう１つの堆積物除去装置 １３喝工ツチング用ガス導入口を持った内側石英管 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 最 上 務 昧 手続補正書（自発） 昭＋ｏＢ３年４ 月２７日 昭和６３年 ３月３１日付提出の特許願（２２）２、発
明の名称 半導体製造装置の堆積物除去方法 ３、補正する者 事件との関係 出願人 東京都新宿区西新宿２丁目４番１号 （２３６）セイコーエプソン株式会社 代表取締役 中 村 恒 也 ４、代理人 〒１０４ 東京都中央区京橋２丁目６番２１号５、補
正の対象 明細書 １、発明の名称 半導体製造装置の堆積物除去方法 ２、特許請求の範囲 ３、発明の詳細な説明 本発明は、半導体製造装置の堆積物除去方法に関するも
のである。 半導体の製造プロセスに於いて半導体基板に膜を形成す
る工程が用いられている。 この様な工程には、ＰＶＤ （物理的気相成長）やＣＶ
Ｄ （化学的気相成長）が用いられる事が多いが、ここ
で使われる容器としての炉芯管（反応管とも言う）にも
膜が形成される。ここで、第１図の一般的なＣＶＤ装置
の概略図を用いて説明する。１は炉芯管、２はガス供給
管、３は炉のヒーター、４はシリコン基板保持用ボート
、５はシリコン基板、１１は堆積物である。この膜とな
った堆積物１１は炉芯管１と熱膨張係数が異なる為、剥
れ落ちて異物となり製品の歩留りを著しく低下させたり
、ひどい場合には応力の発生により炉芯管１にヒビ割れ
を生ずる事がある。 本発明はかかる膜を安全に、低コストで且つ能率的に除
去する半導体製造装置の堆積物除去方法に関するもので
ある。 シリコン半導体基板の一部に極部的に酸化珪素膜を形成
する場合には部分的に窒化珪素膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）でシ
リコン表面を被い、露出しているシリコン基板表面を熱
酸化する方法が用いられる。 かかる熱酸化防止用の膜として用いられるＳｉ３Ｎ４膜
は、ＣＶＤ法により６００〜８００°Ｃに於いてモノシ
ラン（ＳｉＨ４）ガスとアンモニア（ＮＨ３）ガスの反
応で形成される。このＳｉ３Ｎ４膜の形成に於いて、反
応を行わせる容器として石英ガラス製の炉芯管やシリコ
ン基板を保持する石英ボート等が用いられる。この炉芯
管やボートにもＳｉ３Ｎ４膜が形成され、膜が剥れて異
物となる等の障害が起こる為、定期的にこの膜を除去し
てやる必要が生ずる。 従来はこの様な膜は薬品を使用してエツチング溶解して
いた。しかし薬品の場合以下の様な問題があった。つま
り、弗酸、硝酸の混合液ではＳｉ３Ｎ４のエツチングレ
イトよりは石英ガラスのエツチングレイトが大きく、石
英ガラスの表面の凹凸が激しくなりエツチングする以前
に比べて異物の発生がかえって多くなってしまう。また
、熱リン酸を用いる場合は、第２図に示す様な薬品８中
に堆積物１１の付着した炉芯管１を入れる装置を用いて
液温を約１７０°Ｃ以上に上げる必要があり大型の槽を
必要とし、しかも安全上非常に問題があった。弗酸、硝
酸混合液の場合も熱リン酸の場合も炉芯管１のＳｉ３Ｎ
、膜除去には多量の薬品を必要とし、不経済であった。 本発明は、かかる欠点を全て無くした新しい半導体製造
装置の堆積物除去方法を提供することを目的とするもの
である。 以下、本発明を説明するための第３図について述べる。 Ｓｉ３Ｎ、膜等の堆積物１１を除去しようとする炉芯管
１の一方１２よりコントロールされた流量の四弗化炭素
（ＣＦ、）を供給し、もう一方より排気して炉芯管内を
１０−２〜１０−３パスカル程゛ 度の減圧とする。し
かる後に炉芯管１の外側に巻いであるコイル１０に高周
波エネルギーを加え炉芯管内にプラズマを発生させ、こ
のプラズマで堆積物１１を除去する。この場合コイル１
０と炉芯管１を相対的にずらす事をすれば、炉芯管１全
体の堆積物１１を均一に除去できる。 次に、本発明の特徴を最も表わす実施例を示す第４図を
以下に説明する。 炉芯管１の内壁に堆積したＳｉ３Ｎ、膜等の堆積物１１
を除去するために、第４図に示すように、石英等からな
る内側炉芯管１３を炉芯管１の開口部から炉芯管１の内
部に炉芯管１とは一定の間隔を持つように装着する。こ
の内側炉芯管１３は、内部の高周波コイル１０に高周波
発振器９からの高周波エネルギーを与えることによりプ
ラズマを発生するプラズマ発生部となる。この高周波コ
イル１０は、内側炉芯管の存在によりガスから隔離され
て構成されている。 そして、Ｓｉ、Ｎ、膜等の堆積物１１を除去しようとす
る炉芯管１の一方よりコントロールされた流量の四弗化
炭素（ＣＦ、）を供給し、もう一方より排気して炉芯管
１１内を１０−”〜１０−３パスカル程度の減圧とする
。その後、炉芯管１の内側に入れた内側炉芯管１３のコ
イル１０に高周波エネルギーを加えて炉芯管１内にプラ
ズマを発生させ、このプラズマ反応により堆積物１１を
除去する。 これにより、炉芯管１とは独立してプラズマ発生部が炉
芯管１の内側に設けられているので炉芯管１を炉から取
り外す事なく堆積物を除去することができるので、メン
テナンスの時間を大幅に短縮でき、作業能率が向上する
。 さらに、半導体製造装置としてその装置の機能で最初か
らプラズマ発生部を必要としない例えば抵抗加熱ＣＶＤ
炉とかランプ加熱ＣＶＤ炉等に関しても、炉芯管を装置
から取り外す事なく堆積物を除去することができるので
、つまり本発明の構成が共用という形で適用できるので
、どんな装置の炉芯管にも使え、非常にコストパフォー
マンスがすくれ、また極めて効率的であるという効果が
あるものである。 また、熱拡散とかＣＶＤとかのプロセス直後の、炉芯管
がまだ熱い状態で炉芯管の内壁の堆積物を除去できるの
で、堆積物の除去に必要な時間が大幅に短縮され、かつ
より安全に堆積物を除去することができるという効果も
有するものである。 以上実施例に於いて堆積物としてＳ ｉ ３ Ｎ４Ｍ！
のみについて説明したが、珪素膜、ＳｉＣ２膜、Ａ２膜
等あらゆる膜に拡張が可能である。また、炉芯管も石英
ガラスについてのみ説明したが、炭化珪素シリコン、ア
ルミナ、ムライト等に拡張できることは言うまでもない
。 ４、図面の簡単な説明 第１図は一般的なＣＶＤ装置の概略図。 第２図は従来の半導体製造装置の堆積物除去装置の概略
図。 第３図は本発明を説明するための半導体製造装置の堆積
物除去袋装置の概略図。 第４図は本発明の実施例を示す半導体製造装置の堆積物
除去装置の概略図。 １は炉芯管 ２はガス供給管 ３は炉のヒーター ４はシリコン基板保持用ボート ５はシリコン基板 ６は薬品槽 ７は薬品加熱用ヒーター ８は薬品 ９は高周波発振機 １０は高周波コイル １１は堆積物 １２はキャップ及びエツチングガス導入口１３はエツチ
ング用ガス導入口を持った内側炉芯管 以上
Claims (1)
- 半導体製造に使用する炉芯管の内側または外側から高周
波エネルギーを与える事により、炉芯管等の堆積物を除
去する半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7894288A JPS63283031A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7894288A JPS63283031A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 半導体製造装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12111681A Division JPS5821826A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 半導体製造装置の堆積物除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63283031A true JPS63283031A (ja) | 1988-11-18 |
| JPH0413853B2 JPH0413853B2 (ja) | 1992-03-11 |
Family
ID=13675937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7894288A Granted JPS63283031A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63283031A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03147317A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | プラズマ処理における汚染を抑制するための方法及び装置 |
| US5443686A (en) * | 1992-01-15 | 1995-08-22 | International Business Machines Corporation Inc. | Plasma CVD apparatus and processes |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5821826A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置の堆積物除去方法 |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP7894288A patent/JPS63283031A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5821826A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置の堆積物除去方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03147317A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | プラズマ処理における汚染を抑制するための方法及び装置 |
| US5443686A (en) * | 1992-01-15 | 1995-08-22 | International Business Machines Corporation Inc. | Plasma CVD apparatus and processes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0413853B2 (ja) | 1992-03-11 |
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