JPS5821826A - 半導体製造装置の堆積物除去方法 - Google Patents

半導体製造装置の堆積物除去方法

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JPS5821826A
JPS5821826A JP12111681A JP12111681A JPS5821826A JP S5821826 A JPS5821826 A JP S5821826A JP 12111681 A JP12111681 A JP 12111681A JP 12111681 A JP12111681 A JP 12111681A JP S5821826 A JPS5821826 A JP S5821826A
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JP
Japan
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core tube
furnace core
deposits
film
coil
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JP12111681A
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JPS6359533B2 (ja
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Yasumasa Otsuki
大月　康正
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Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32394—Treating interior parts of workpieces

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 半導体の製造プロセスに於いて半導体基板に膜？形成す
る工程が用いられている。
この様に工程は、ＰＶＤ（物理的気相成長）やＣＶＤ（
化学的気相成長）が用いられる事が多いが、ここで使わ
れる容器としての炉芯管にも膜が形成される。この膜は
炉芯管と熱膨張係数が異なる為、剥れ落ちて異物となり
判品の歩留りｒ著しく低下させたり、ひどい場合には応
力の発生により炉芯管にヒビ割れ音生ずる事がある。
本発明はかかる膜を安全に且つ能率的に除去する装置に
関するものである。
シリコン半導体基板の一部に極部的て酸化珪素ｊｌ＠を
形成する場合には部分的に窒化珪素膜（ＦＩｉ３Ｎ４膜
）でシリコン表面全被い、露出しているシリコン基板表
面を熱酸化する方法が用いられる。かかる熱酸化防市川
の膜として用いられるｌ”１１３Ｎ４膜は、ＣＶＤ法に
より６００〜８００℃に於いてモノシラン（ＳｉＨ，）
ガスとアンモニア（Ｎ■−ｆ３）ガスの反応で形成され
る。この日ｉ３Ｈ，膜の形成に於いて、反応を行なわせ
る容器として石英ガラス製の炉芯管やシリコン基板を保
持する石英ボート等が用いられる。この炉芯管やポート
にも８１３Ｎ、膜が形成され、膜が剥れて異物となる等
の障害が起こる為、定期的にこのＩｌｇ　ｆ　＃去して
やる必要が生ずる。
従来はこの様な膜は薬品全使用してエツチング溶解して
いた。しかし薬品の場合以下の様な問題があった。つま
り、弗酸、硝酸の混合液では１９１３Ｎ４のエツチング
レイトよりに石英ガラスのエツチングレイトが大キく、
石英カラスの表面の凹凸が激しくなりエツチングする以
前に比べて置物の発生がかえって多くなってしまう。ま
た、熱リン嘴ヲ用いる場合は、第２　［’２１　ＶＣ示
す様な装置葡用いて液温を約１７０℃以上に士げる必要
があり大力の槽を必要とし、しかも安全上非常に間ｉ川
があった。
弗啼、硝酸混合液の場合も熱リン酸の場合も炉芯管のＲ
１，３Ｎ　４１１１！除去には多量の薬品を必要とし、
不８済であった。
本発明に、かかる欠Ａン全て無くした新しい膜除去装置
？、…供するものである。
以下実施例に従って本発明な説明する。
実施例１−１　（第３図に沿って説明する）Ｆ’１３Ｎ
、膜等の堆積物１１葡除去しようとする炉芯管１の一方
１２よりコントロールされた流量の四部化炭ｊｌ　（（
’Ｆ４）　　ｋ供給し、もう−万より排気して炉芯管内
１０−２〜１０−３パス力ル程期の減圧とする。　しか
る後に炉芯管の外側に巻いであるコイル１０に高周波エ
ネルギーを加え炉芯管内にプラズマを発生させ、このプ
ラズマで堆積物１１を除去する。この場合コイル１０と
炉芯管１？相対的にづら丁事全すれば、炉芯管１全体の
堆積物１１ケ均一に除去でＡる。
実施例−２（第４図に沿って説明する〕Ｒ１，３Ｎ　４
等の堆積物１１を除去しようとする炉芯管１の開口部か
ら、内側炉芯管１３ケ装着する。
実施例−１に述べた様にガスを供給し減圧にして、内４
ｆｌｌｊ炉芯管１３の内側から高周波エネルギーを与え
て堆積物にプラズマ反応で除去する。
実施ｆｌ−３ Ｓｉ３Ｎ、等のＣＶＤ用の炉に於いては抵抗加熱型の拡
散炉が多く用いられるが、この場合炉芯管の外側ＶＣは
コイル状の加熱ヒーターがある。炉芯管内覧実施例−１
で説明した雰囲気にして高周波エネルギー？この加熱ヒ
ーターコイルに与えて堆積物？除去する。
実施例−２，３に於いては炉芯管ケ炉から取り外す事な
く堆積物？除去する事ができる。
以上実施例に於いては堆積物としてＳｉ３Ｎ、膜のみに
ついて説明したが、珪素膜、　５ｉｎ２膜、ＡＬ膜等あ
らゆる膜に拡張が可能である。また、炉芯管も石英ガラ
スについてのみ説明したが、炭化珪素シリコン、アルミ
ナ、ムライト等に拡張できることは言うまでもないっ
【図面の簡単な説明】
第１図は一般的なＣＶＤ装置 １は炉芯管 ２はカス供給管 ３は炉のヒーター ４はシリコン基板保持用ボート ５にシリコン基板 １１は堆積物 第２図は従来の堆積物除去装置 ６は檗品槽 ７は薬品加熱用ヒーター ８は薬品 第３図は本発明による堆積物除去装置 ９は高周波発振機 １０は高周波コイル １２はキャップ及びエツチングカス導入口第４図は本発
明になるもう１つの堆積物除去装　５− 置。 １３はエツチング用ガス導入口？持った内側１石英管 以　　　上 出願人　株式会社諏訪精工舎 代理人　弁理士最上　　務 　６−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体製造に［吏用する炉芯管の内側捷たけ外側から高
    周波エネルギー會与える事にエリ、炉芯管等の堆積物？
    除去する半導体製造装置へ
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