JPH0329290B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0329290B2 JPH0329290B2 JP61079138A JP7913886A JPH0329290B2 JP H0329290 B2 JPH0329290 B2 JP H0329290B2 JP 61079138 A JP61079138 A JP 61079138A JP 7913886 A JP7913886 A JP 7913886A JP H0329290 B2 JPH0329290 B2 JP H0329290B2
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- Japan
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- growth chamber
- molecular beam
- substrate holder
- crystal growth
- rotating substrate
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Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 12
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 claims description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
分子線結晶成長装置の内部部品のクリーニング
を外部ヒータによらず、プラズマを発生させ、こ
れにより行う。
を外部ヒータによらず、プラズマを発生させ、こ
れにより行う。
本発明は分子線結晶成長装置に係わり、特に装
置内のクリーニング方法の改良に関する。
置内のクリーニング方法の改良に関する。
分子線結晶成長装置は超精密制御の薄膜エピタ
キシヤルを低温で、大面積にわたり成長させるこ
とが出来る装置で、超格子構造の結晶製造に欠か
せない装置であるが、10-10Torrオーダの超高真
空で使用するため、特に入念なガス抜きをして使
用する必要がある。
キシヤルを低温で、大面積にわたり成長させるこ
とが出来る装置で、超格子構造の結晶製造に欠か
せない装置であるが、10-10Torrオーダの超高真
空で使用するため、特に入念なガス抜きをして使
用する必要がある。
このため、従来は外部ヒータで長時間加熱して
ガス抜きしていたので、加熱による熱的ストレス
で部品の熔接部等に劣化が生じ、又運転効率上も
長時間かかることは好ましくないので改善が望ま
れている。
ガス抜きしていたので、加熱による熱的ストレス
で部品の熔接部等に劣化が生じ、又運転効率上も
長時間かかることは好ましくないので改善が望ま
れている。
第２図は従来例における分子線結晶成長装置と
クリーニング用ヒータの模式的上面図である。
クリーニング用ヒータの模式的上面図である。
図において、１は回転基板ホルダーで、ここに
図示しないGaAs等の半導体基板をマウントして
加熱する。この半導体基板上に分子線セル９−
Ａ、９−Ｂに載置した結晶の構成元素であるソー
ス材料を、分子状態で飛ばしてつけ、単結晶薄膜
を成長させる。この分子線結晶成長は10-10Torr
程度の超高真空下でなされるが、分子線セルのソ
ース材料が消耗してなくなれば、真空系を破つて
再チヤージする必要がある。この装置の運転には
超高真空でなければならないので、一度真空を破
ると、そのとき装置内壁に吸着される不純物ガス
及び運転中に付着した種々の不純物を除去するク
リーニングを行う必要がある。
図示しないGaAs等の半導体基板をマウントして
加熱する。この半導体基板上に分子線セル９−
Ａ、９−Ｂに載置した結晶の構成元素であるソー
ス材料を、分子状態で飛ばしてつけ、単結晶薄膜
を成長させる。この分子線結晶成長は10-10Torr
程度の超高真空下でなされるが、分子線セルのソ
ース材料が消耗してなくなれば、真空系を破つて
再チヤージする必要がある。この装置の運転には
超高真空でなければならないので、一度真空を破
ると、そのとき装置内壁に吸着される不純物ガス
及び運転中に付着した種々の不純物を除去するク
リーニングを行う必要がある。
このため、分子線結晶成長装置６全体を上方と
側面より覆うクリーニング用ヒータ１０を組立
て、これで約200℃に加熱しながら72時間真空に
ひいて脱ガスを行つている。かかるクリーニング
法は長時間を要するだけでなく、装置を形成する
ステンレス、タンタルその他の部品に熱的ストレ
スを生じさせ劣化の原因となる。特に熔接部分に
おける劣化が多く、リーク不良等を起こす。
側面より覆うクリーニング用ヒータ１０を組立
て、これで約200℃に加熱しながら72時間真空に
ひいて脱ガスを行つている。かかるクリーニング
法は長時間を要するだけでなく、装置を形成する
ステンレス、タンタルその他の部品に熱的ストレ
スを生じさせ劣化の原因となる。特に熔接部分に
おける劣化が多く、リーク不良等を起こす。
従来例においては装置のクリーニングに、装置
全体に被せる外部ヒータを取りつけ、且つ長時間
かけてクリーニングしていた。これをプラズマを
使用してクリーニングすることにより、短時間化
し、且つ装置部品の劣化も少なくする。
全体に被せる外部ヒータを取りつけ、且つ長時間
かけてクリーニングしていた。これをプラズマを
使用してクリーニングすることにより、短時間化
し、且つ装置部品の劣化も少なくする。
上記問題点の解決は、成長室と、該成長室内に
該成長室内壁とは電気的に絶縁されて設けられ基
板を保持する回転基板ホルダーと、該回転基板ホ
ルダーに高周波高電圧を印加する電源と、該成長
室内にプラズマ発生用の不活性ガスを導入するガ
ス導入口と、該成長室に接続された排気用のイオ
ンポンプとを有し、該回転基板ホルダーに高周波
高電圧を印加して該回転基板ホルダーと成長室内
壁との間でプラズマを発生させて該内壁に付着し
ている不純物をイオン化し該イオンポンプにより
排気させることを特徴とする分子線結晶成長装置
により達成される。
該成長室内壁とは電気的に絶縁されて設けられ基
板を保持する回転基板ホルダーと、該回転基板ホ
ルダーに高周波高電圧を印加する電源と、該成長
室内にプラズマ発生用の不活性ガスを導入するガ
ス導入口と、該成長室に接続された排気用のイオ
ンポンプとを有し、該回転基板ホルダーに高周波
高電圧を印加して該回転基板ホルダーと成長室内
壁との間でプラズマを発生させて該内壁に付着し
ている不純物をイオン化し該イオンポンプにより
排気させることを特徴とする分子線結晶成長装置
により達成される。
分子線結晶成長装置内にAr等の不活性ガスを
導入し、プラズマを発生させ装置内壁に吸着する
ガスをイオン化して排気除去する。
導入し、プラズマを発生させ装置内壁に吸着する
ガスをイオン化して排気除去する。
第１図は本発明における分子線結晶成長装置の
模式図上面図である。
模式図上面図である。
この図において、１は回転基板ホルダーで、こ
れは基板マニピユレータポート２にたいし電気的
に絶縁されており、高周波高圧電源３により、高
周波電力が供給し得る。又４はニードルバルブ５
付きのプラズマ発生用のガス導入口であり、ここ
より分子線結晶成長装置６の内部にAr、N2また
はNe等の不活性ガスを導入しガス圧は５×
10-6Torr程度にニードルバルブ５で調整し、次
ぎに回転基板ホルダー１に高周波高圧電源３を通
して数十KVの高周波電力を印加すると成長室７
内にプラズマが発生する。プラズマ発生により装
置内壁に吸着された不純物ガスはイオン化する。
分子線結晶成長装置の排気系にはオイルフリーの
超高真空にするためイオンポンプ８が使用されて
いるので、イオン化した不純物ガスはこのイオン
ポンプ８で排気される。
れは基板マニピユレータポート２にたいし電気的
に絶縁されており、高周波高圧電源３により、高
周波電力が供給し得る。又４はニードルバルブ５
付きのプラズマ発生用のガス導入口であり、ここ
より分子線結晶成長装置６の内部にAr、N2また
はNe等の不活性ガスを導入しガス圧は５×
10-6Torr程度にニードルバルブ５で調整し、次
ぎに回転基板ホルダー１に高周波高圧電源３を通
して数十KVの高周波電力を印加すると成長室７
内にプラズマが発生する。プラズマ発生により装
置内壁に吸着された不純物ガスはイオン化する。
分子線結晶成長装置の排気系にはオイルフリーの
超高真空にするためイオンポンプ８が使用されて
いるので、イオン化した不純物ガスはこのイオン
ポンプ８で排気される。
本実施例によれば、従来例における脱ガス法と
異なり装置全体を加熱することがなく、装置内壁
をイオン衝撃で脱ガスするので、金属部品に対す
る熱ストレスがなく、従つて金属の熔接部等にお
ける劣化も生ぜず、又クリーニング所用時間も十
数時間程度で大幅に短縮出来る。
異なり装置全体を加熱することがなく、装置内壁
をイオン衝撃で脱ガスするので、金属部品に対す
る熱ストレスがなく、従つて金属の熔接部等にお
ける劣化も生ぜず、又クリーニング所用時間も十
数時間程度で大幅に短縮出来る。
以上詳細に説明したように、本発明による分子
線結晶成長装置は装置内のクリーニングを短時間
に、且つ簡易に行うことが出来、又装置を加熱す
る必要がないので金属の劣化が少ない。
線結晶成長装置は装置内のクリーニングを短時間
に、且つ簡易に行うことが出来、又装置を加熱す
る必要がないので金属の劣化が少ない。
第１図は本発明における分子線結晶成長装置の
模式的上面図、第２図は従来例における分子線結
晶成長装置とクリーニング用ヒータの模式的上面
図である。 図において、１は回転基板ホルダー、２は基板
マニピユレータポート、３は高周波高圧電源、４
はガス導入口、５はニードルバルブ、６は分子線
結晶成長装置、７は成長室、８はイオンポンプで
ある。
模式的上面図、第２図は従来例における分子線結
晶成長装置とクリーニング用ヒータの模式的上面
図である。 図において、１は回転基板ホルダー、２は基板
マニピユレータポート、３は高周波高圧電源、４
はガス導入口、５はニードルバルブ、６は分子線
結晶成長装置、７は成長室、８はイオンポンプで
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 成長室７と、 該成長室７内に該成長室７内壁とは電気的に絶
縁されて設けられ基板を保持する回転基板ホルダ
ー１と、 該回転基板ホルダー１に高周波高電圧を印加す
る電源３と、 該成長室７内にプラズマ発生用の不活性ガスを
導入するガス導入口４と、 該成長室７に接続された排気用のイオンポンプ
８とを有し、 該回転基板ホルダー１に高周波高電圧を印加し
て該回転基板ホルダー１と成長室７内壁との間で
プラズマを発生させて該内壁に付着している不純
物をイオン化し該イオンポンプ８により排気させ
ることを特徴とする分子線結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7913886A JPS62237720A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 分子線結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7913886A JPS62237720A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 分子線結晶成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62237720A JPS62237720A (ja) | 1987-10-17 |
| JPH0329290B2 true JPH0329290B2 (ja) | 1991-04-23 |
Family
ID=13681596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7913886A Granted JPS62237720A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 分子線結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62237720A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5025751A (en) * | 1988-02-08 | 1991-06-25 | Hitachi, Ltd. | Solid film growth apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52117071A (en) * | 1976-03-29 | 1977-10-01 | Hitachi Ltd | Self-cleaning type preparation of semiconductor |
| JPS5821826A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置の堆積物除去方法 |
-
1986
- 1986-04-08 JP JP7913886A patent/JPS62237720A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52117071A (en) * | 1976-03-29 | 1977-10-01 | Hitachi Ltd | Self-cleaning type preparation of semiconductor |
| JPS5821826A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置の堆積物除去方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62237720A (ja) | 1987-10-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |