JP4205107B2 - シリコン窒化膜の形成方法及び形成装置 - Google Patents
シリコン窒化膜の形成方法及び形成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4205107B2 JP4205107B2 JP2006008293A JP2006008293A JP4205107B2 JP 4205107 B2 JP4205107 B2 JP 4205107B2 JP 2006008293 A JP2006008293 A JP 2006008293A JP 2006008293 A JP2006008293 A JP 2006008293A JP 4205107 B2 JP4205107 B2 JP 4205107B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust pipe
- ammonia
- gas
- silicon nitride
- pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
また、本発明は、排気系に付着する付着物の塩素濃度を減少させることができるシリコン窒化膜の形成方法及び形成装置を提供することを目的とする。
被処理体を収容する反応室と、
前記反応室内にヘキサクロロジシラン及びアンモニアを供給するガス供給手段と、
前記反応室内を前記ヘキサクロロジシランと前記アンモニアとが反応可能な温度に設定する第1加熱部と、
前記反応室に接続され、所定の温度に設定可能な第2加熱部を有する排気管と、
前記反応室内のガスを前記排気管から排気して、前記反応室を所定の圧力に設定する排気手段と、
前記排気管を塩化アンモニウムが気化可能な温度に加熱させるとともに、前記排気管にアンモニアを供給させる制御手段と、
を、備え、
前記制御手段は、前記ガス供給手段を制御して、前記ヘキサクロロジシランの導入量の20〜50倍の導入量のアンモニアを前記反応室内に供給させ、前記排気管にアンモニアを供給する、ことを特徴とする。
反応室に被処理体を収容し、前記反応室に接続された排気管から前記反応室内のガスを排気させるとともに、前記反応室にヘキサクロロジシラン及びアンモニアを供給して被処理体にシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜の形成方法であって、
前記排気管を塩化アンモニウムが気化可能な温度に加熱するとともに、前記排気管にアンモニアが供給されるように、前記ヘキサクロロジシランの導入量の20〜50倍の導入量のアンモニアを前記反応室内に供給する、ことを特徴とする。
第1の実施の形態では、シリコン窒化膜の形成方法、形成装置を、図1に示すバッチ式縦型熱処理装置を用いて、半導体ウエハ(被処理体)上にシリコン窒化膜を形成する場合を例に説明する。
第2の実施の形態では、シリコン窒化膜形成装置の洗浄前処理方法を、第1の実施の形態の熱処理装置1を用いて説明する。本洗浄前処理方法は、半導体ウエハ10上にシリコン窒化膜を形成する成膜処理の後、熱処理装置1を分解・洗浄するための前処理であり、図3に示すレシピを参照して説明する。本実施の形態では、処理ガス導入管13bから導入するアンモニアをヘキサクロロジシランと反応するのに適した量(過剰に入れない)とした場合を除いて、第1の実施の形態と同様の条件で成膜処理を行っている。
パージガス供給管15から反応管2内に所定量の窒素ガスを供給し、半導体ウエハ10が収容されたウエハボート9を反応管2内にロードする(ロード工程)。また、排気管用ヒータ20により、排気管16及びバルブ17を150℃〜200℃に加熱する。
このようにして、洗浄前処理が終了する。この後、熱処理装置1から排気管16等の部品を分解して洗浄する分解・洗浄が行われる。分解・洗浄は、排気管16の接続部16bを取り外して排気管16を分解し、パイプ16a、接続部16b等の排気系に付着したSi−N−Hから構成された化合物を、例えばフッ化水素(HF)酸溶液を用いて洗浄する。
2 反応管
3 内管
4 外管
10 半導体ウエハ
12 昇温用ヒータ
13 処理ガス導入管
14 排出口
15 パージガス供給管
16 排気管
17 バルブ
19 真空ポンプ
20 排気管用ヒータ
21 制御部
Claims (4)
- 被処理体を収容する反応室と、
前記反応室内にヘキサクロロジシラン及びアンモニアを供給するガス供給手段と、
前記反応室内を前記ヘキサクロロジシランと前記アンモニアとが反応可能な温度に設定する第1加熱部と、
前記反応室に接続され、所定の温度に設定可能な第2加熱部を有する排気管と、
前記反応室内のガスを前記排気管から排気して、前記反応室を所定の圧力に設定する排気手段と、
前記排気管を塩化アンモニウムが気化可能な温度に加熱させるとともに、前記排気管にアンモニアを供給させる制御手段と、
を、備え、
前記制御手段は、前記ガス供給手段を制御して、前記ヘキサクロロジシランの導入量の20〜50倍の導入量のアンモニアを前記反応室内に供給させ、前記排気管にアンモニアを供給する、ことを特徴とするシリコン窒化膜の形成装置。 - 前記制御手段は、前記第2加熱部を制御して、前記排気管を少なくとも150℃に加熱する、ことを特徴とする請求項1に記載のシリコン窒化膜の形成装置。
- 反応室に被処理体を収容し、前記反応室に接続された排気管から前記反応室内のガスを排気させるとともに、前記反応室にヘキサクロロジシラン及びアンモニアを供給して被処理体にシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜の形成方法であって、
前記排気管を塩化アンモニウムが気化可能な温度に加熱するとともに、前記排気管にアンモニアが供給されるように、前記ヘキサクロロジシランの導入量の20〜50倍の導入量のアンモニアを前記反応室内に供給する、ことを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法。 - 前記排気管を少なくとも150℃に加熱する、ことを特徴とする請求項3に記載のシリコン窒化膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006008293A JP4205107B2 (ja) | 2001-02-07 | 2006-01-17 | シリコン窒化膜の形成方法及び形成装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001030344 | 2001-02-07 | ||
JP2006008293A JP4205107B2 (ja) | 2001-02-07 | 2006-01-17 | シリコン窒化膜の形成方法及び形成装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002030756A Division JP3774668B2 (ja) | 2001-02-07 | 2002-02-07 | シリコン窒化膜形成装置の洗浄前処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006108722A JP2006108722A (ja) | 2006-04-20 |
JP4205107B2 true JP4205107B2 (ja) | 2009-01-07 |
Family
ID=36377982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006008293A Expired - Fee Related JP4205107B2 (ja) | 2001-02-07 | 2006-01-17 | シリコン窒化膜の形成方法及び形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4205107B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6035161B2 (ja) * | 2012-03-21 | 2016-11-30 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
-
2006
- 2006-01-17 JP JP2006008293A patent/JP4205107B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006108722A (ja) | 2006-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3774668B2 (ja) | シリコン窒化膜形成装置の洗浄前処理方法 | |
US6844273B2 (en) | Precleaning method of precleaning a silicon nitride film forming system | |
JP4430918B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成方法 | |
KR100825135B1 (ko) | 박막형성장치의 세정방법 | |
KR100781408B1 (ko) | 반도체 처리 장치에서의 처리실의 클리닝 방법 | |
JP4974815B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
JP5044579B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム | |
JP4675127B2 (ja) | 薄膜形成装置、薄膜形成装置の洗浄方法及びプログラム | |
JP5554469B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
US20090253269A1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
US7942974B2 (en) | Method of cleaning a film-forming apparatus | |
JP4205107B2 (ja) | シリコン窒化膜の形成方法及び形成装置 | |
JP5197554B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成方法 | |
JPWO2004070079A1 (ja) | 被処理基板を処理する半導体処理方法及び装置 | |
KR100700762B1 (ko) | 박막형성장치의 세정방법 | |
US11618947B2 (en) | Method of cleaning, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
JP2004288903A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP3891765B2 (ja) | 被処理体の洗浄方法及び洗浄装置 | |
JP4607347B2 (ja) | 被処理体の処理方法及び処理装置 | |
JP4626912B2 (ja) | 被処理体の処理方法、処理装置、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
JP2006108595A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080606 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080610 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080806 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081014 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081015 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111024 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111024 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141024 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |