JP5197554B2 - 薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成方法 - Google Patents
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Description
また、本発明は、薄膜形成中におけるフッ素、金属汚染物質等の不純物の拡散を抑制することができる薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成方法を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、薄膜中のフッ素、金属汚染物質等の不純物の濃度を低減することができる薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成方法を提供することを目的とする。
薄膜形成装置の反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記反応室内に、フッ素ガスを含むクリーニングガスを供給して前記付着物を除去する付着物除去工程と、
前記反応室内に、窒素を含む活性化可能な窒素系ガスを供給して、前記反応室内をパージするパージ工程と、を備え、
前記窒素系ガスにアンモニアが用いられ、前記反応室内の材料が石英であり、
前記パージ工程では、前記反応室内を600℃〜1050℃に昇温するとともに、133Pa〜53.3kPaに維持し、当該反応室内にアンモニアのみを供給して該アンモニアを活性化させ、活性化したアンモニアと前記石英とを反応させることにより、前記反応室内の材料の表面を窒化させる、ことを特徴とする。
前記薄膜形成装置としては、例えば、前記反応室に複数の被処理体を収容するバッチ式薄膜形成装置がある。
この発明の第1の観点にかかる薄膜形成装置の洗浄方法により薄膜形成装置を洗浄する洗浄工程と、
被処理体を収容する反応室内を所定の温度に昇温し、所定の温度に昇温した反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する成膜工程と、
を備える、ことを特徴とする。
2 反応管
3 内管
4 外管
5 マニホールド
6 支持リング
7 蓋体
8 ボートエレベータ
9 ウエハボート
10 半導体ウエハ
11 断熱体
12 昇温用ヒータ
13 処理ガス導入管
14 クリーニングガス導入管
15 窒素系ガス導入管
16 排気口
17 パージガス供給管
18 排気管
19 バルブ
20 真空ポンプ
21 制御部
Claims (6)
- 薄膜形成装置の反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記反応室内に、フッ素ガスを含むクリーニングガスを供給して前記付着物を除去する付着物除去工程と、
前記反応室内に、窒素を含む活性化可能な窒素系ガスを供給して、前記反応室内をパージするパージ工程と、を備え、
前記窒素系ガスにアンモニアが用いられ、前記反応室内の材料が石英であり、
前記パージ工程では、前記反応室内を600℃〜1050℃に昇温するとともに、133Pa〜53.3kPaに維持し、当該反応室内にアンモニアのみを供給して該アンモニアを活性化させ、活性化したアンモニアと前記石英とを反応させることにより、前記反応室内の材料の表面を窒化させる、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。 - 前記パージ工程では、前記反応室内を2660Pa〜53.3kPaに維持する、ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記薄膜形成装置が前記反応室に複数の被処理体を収容するバッチ式薄膜形成装置である、ことを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記処理ガスにアンモニアと珪素を含むガスとを用いて前記被処理体にシリコン窒化膜を形成する、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記珪素を含むガスに、ジクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、モノシラン、ジシラン、テトラクロロシラン、トリクロロシラン、ビスターシャルブチルアミノシラン、または、ヘキサエチルアミノジシランを用いる、ことを特徴とする請求項4に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法により薄膜形成装置を洗浄する洗浄工程と、
被処理体を収容する反応室内を所定の温度に昇温し、所定の温度に昇温した反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する成膜工程と、
を備える、ことを特徴とする薄膜形成方法。
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