KR100700762B1 - 박막형성장치의 세정방법 - Google Patents

박막형성장치의 세정방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 박막형성공정중에 배기관을 세정하기 위한 방법이다. 이 방법은: 피처리체를 배기관에 접속된 반응실내로 반송하는 반송공정과, 피처리체상에 박막을 형성하기 위하여 반응실을 감압하고 반응가스를 반응실내로 공급하는 박막형성공정 및, 배기관을 세정하기 위하여 배기관내로 크리닝가스를 도입하는 세정공정을 포함하여 구성되며, 세정공정은 박막형성 공정중에 이루어지는 것을 특징으로 한다. 세정공정은 박막형성공정중에 수행된다.

Description

박막형성장치의 세정방법{METHOD FOR CLEANING FILM-FORMING UNIT}
도 1은 본 발명의 열처리장치의 일 실시예의 길이방향 단면도,
도 2는 제 1 도에 나타낸 열처리장치의 크리닝가스 도입관을 포함하는 부분의 개략단면도,
도 3은 본 발명에 따른 제 1 실시형태의 박막형성수단을 설명하기 위한 차트(레시피:recipe)를 나타낸 도면,
도 4는 크리닝가스의 도입시기의 변형예를 설명하기 위한 도면,
도 5는 본 발명에 따른 제 2 실시형태의 박막형성 순서를 설명하기 위한 차트(레시피)를 나타낸 도면,
도 6은 종래의 열처리장치의 개략단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1, 51 : 열처리장치 2, 52 : 반응관
3, 52a : 내관 4, 52b : 외관
5 : 매니폴드 6 : 지지링
7 : 덮개 8 : 보트 엘리베이터
9, 55 : 웨이퍼 보트 10, 54 : 반도체웨이퍼
11 : 단열체 12 : 승온용 히터
13, 57 : 가스도입관 14 : 배출구
15, 58 : 배기관 16, 60 : 트랩
17 : 밸브 1 8, 59 : 진공펌프
19 : 스크러버 20, 53 : 히터
21, 21a 내지 21c : 크리닝가스도입관
22 : 크리닝가스공급원 23 : 제어부
56 : 배기포트
본 발명은, 박막형성장치의 세정방법에 관한 것이며, 상세하게는 박막형성장치의 배기관 등의 배기계에 부착하는 반응생성물을 제거하는 박막형성장치의 세정방법에 관한 것이다.
반도체장치의 제조공정에서는, 실리콘산화막, 실리콘질화막 등의 박막을 CVD(Chemical Vapor Deposition)등의 처리에 의해서, 피처리체, 예를 들면 반도체 웨이퍼에 형성하는 것이 행하여지고 있다. 이러한 박막형성공정에서는, 예를 들면, 도 6에 나타낸 바와 같은 열처리장치가 사용되고 있다.
도 6에 나타내는 열처리장치(51)를 사용한 박막의 형성은 이하와 같이 하여 행하여진다. 먼저, 내관(52a) 및 외관(52b)으로 이루어지는 이중관구조의 반응관 (52)을 히터(53)에 의해 소정 온도로 가열한다. 다음으로, 복수매의 반도체 웨이퍼(54)를 수용하는 웨이퍼 보트(55)를 반응관(52)[내관(52a)]내에 로드한다. 다음에, 배기포트(56)로부터 반응관(52)내의 가스를 배출하고, 반응관(52)내를 소정의 압력으로 감압한다. 반응관(52)내가 소정의 압력으로 감압되면, 가스도입관(57)으로부터 내관(52a)내에 처리가스를 공급하고, 반도체 웨이퍼(54)의 표면에 박막을 형성한다.
박막형성처리에 의해서 발생하는 배기가스는, 배기포트(56), 배기관(58)을 통하여 진공펌프(59)에 의해 흡인되어, 열처리장치(51)의 외부로 배출된다. 배기관(58)에는 트랩(60)이 개설되어 있으며, 배기가스중에 포함되는 반응생성물을 제거하도록 구성되어 있다.
그러나, 모든 반응생성물을 트랩(60)으로 제거하는 것은 곤란하고, 배기포트(56), 배기관(58) 등에 반응생성물이 부착하는 것은 피할 수 없다. 이 반응생성물이 부착한 상태에서 박막형성처리를 행하면, 바로, 반응생성물이 박리하여 파티클을 발생시키고, 이 파티클이 부유하여 반도체 웨이퍼(54)에 부착하여, 제조되는 반도체장치의 생산수율을 저하시켜 버린다. 또한, 트랩(60)내에는 배기가스로부터 제거된 반응생성물이 퇴적된다.
이 때문에, 종래의 열처리장치에서는, 배기관(58), 트랩(60) 등의 부품을 떼어내고, 예를 들면 불화수소(HF)산 용액을 사용하여 세정하고, 반응생성물을 제거 하는 유지관리작업을 정기적으로 행할 필요가 있다.
그러나, 각 부품을 떼어내고, 수작업으로 세정하여, 다시, 조립 및 조정하는 작업은, 번잡하고, 작업에 장시간을 요하고 있었다. 이 때문에, 열처리장치(51)를 장시간 정지시키지 않으면 안되어, 열처리장치(51)의 가동율이 저하한다고 하는 문제가 있었다.
또, 반응생성물은, 트랩(60), 배기포트(56) 근방의 배기관(58), 트랩(60) 근방의 배기관(58)과 같은 배기계에 부착하기 쉽다. 이것은, 배기계는 반응관(52)내에 비하여 온도가 낮고, 또한 배기컨덕턴스가 낮기 때문이다. 이렇게, 반응생성물은 반응관(52)보다도 배기계 쪽에 부착하기 쉬워, 배기계에 부착하는 반응생성물을 감소시킬 수 있으면 열처리장치(51)의 유지관리 사이클을 길게 할 수 있다.
본 발명은, 상기 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 박막형성장치에 의해 제조되는 반도체장치의 생산수율을 올리는 동시에 박막형성장치의 가동율을 높이는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 박막형성공정중에 배기관을 세정하기 위한 방법으로서: 피처리체를 배기관에 접속된 반응실내로 반송하는 반송공정과, 피처리체상에 박막을 형성하기 위하여 반응실을 감압하고 반응기체를 반응실내 로 공급하는 박막형성공정 및, 배기관을 세정하기 위하여 배기관내로 크리닝가스를 도입하는 세정공정을 포함하며, 세정공정은 박막형성 공정중에 이루어지는 세정방법을 제공한다.
이 구성에 의하면, 박막의 형성공정중에, 배기관으로 배출되는 반응생성물이 크리닝가스에 의해 제거된다. 이 때문에, 박막형성장치를 분해하여 세정하는 간격인 유지관리 사이클을 길게 할 수 있고, 박막형성장치의 가동율을 향상시킬 수 있다. 또한, 배기관에의 반응생성물의 부착자체를 감소할 수 있으므로, 떠다니는 파티클의 발생을 억제할 수 있고, 나아가서는, 제조되는 반도체장치의 생산수율을 향상시킬 수 있다.
바람직하게는, 박막형성공정은, 상기 반응실내를 소정의 압력으로 감압하는 감압공정과, 감압분위기하에서 상기 피처리체에 박막을 형성하는 성막공정과, 상기 반응실내의 가스를 배기하는 퍼지공정을 구비하고 있으며, 세정공정은 적어도 부분적으로는 상기 감압공정과 상기 성막공정 및 상기 퍼지공정의 한 공정과 동시에 이루어진다.
이 경우에, 박막을 형성하는 성막공정과 반응 생성물을 제거하기 위한 세정공정이 적어도 부분적으로 동시에 수행된다. 따라서, 박막형성장치의 유지관리 사이클이 길어지는 동시에 박막형성장치의 가동율이 향상한다.
보다 바람직하게는, 세정공정은 적어도 부분적으로는 성막공정과 동시에 수행된다. 이 경우에는, 반응생성물의 배기관에의 부착을 감소시킬수 있다.
부가적으로, 바람직하게는, 상기 배기관을 100℃∼200℃ 의 범위에서 가열하 는 가열공정을 포함한다. 이에 따라, 반응생성물의 제거를 효율적으로 행할 수 있다.
부가적으로, 바람직하게는, 세정공정은 반응실내로 크리닝가스를 희석하는 희석가스를 공급하는 공급공정을 포함한다. 그러면, 희석가스의 공급에 의해, 배기관내의 압력을 제어하기 쉬워진다. 또한, 크리닝가스가 희석되어 배기관내의 부품의 열화가 억제된다. 또한, 반응실내로부터 배기관으로 흐르는 가스의 유량이 증가하여, 크리닝가스가 반응실내로 역류하기 어려워진다.
상기 세정공정중에 크리닝가스의 적어도 일부를 상기 배기관과 상기 반응실을 접속하는 배출구 근방으로 도입하면, 반응생성물이 부착하기 쉬운 배기관의 배출구 근방에 부착한 반응생성물을 제거할 수 있다. 또한, 배출구 근방부분은 배기계의 가장 상류측이며, 배기계 전체에 크리닝가스를 효율적으로 도입할 수 있다.
상기 적어도 일부의 크리닝가스를 상기 배기관내의 컨덕턴스가 적은 부분의 상류측에서 도입하면, 반응생성물이 부착하기 쉬운 부분에 크리닝가스가 집중적으로 공급되고, 반응생성물을 효율적으로 제거할 수 있다.
상기 반응가스는, 예를 들면, 알콕시실란(alkoxysilane)으로 구성되고, 상기 크리닝가스는, 예를 들면, 불화수소가스로 구성된다.
[발명의 실시형태]
(제 1 실시형태)
이하, 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 박막형성장치의 세정방법을, 도 1에 나타내는 배치식(batch-type) 종형열처리장치(1)를 예로 들어 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 열처리장치(1)는, 길이 방향축이 수직방향을 향한 원통형상의 반응관(2)을 구비하고 있다. 반응관(2)은, 내관(3)과, 내관(3)을 덮는 동시에 내관(3)과 일정한 간격을 가지도록 형성된 천장이 있는 외관(4)으로 구성된 이중관구조를 가진다. 내관(3) 및 외관(4)은, 내열재료, 예를 들면 석영으로 형성되어 있다.
내관(3) 및 외관(4)의 아래쪽에는, 통형상으로 형성된 금속으로 이루어지는 매니폴드(5)가 배치되어 있다. 매니폴드(5)는, 외관(4)의 하단과 기밀하게 접속되어 있다. 또한, 내관(3)은 매니폴드(5)의 내벽으로부터 돌출하여 형성된 지지링 (6)에 지지되어 있다.
매니폴드(5)의 아래쪽에는 덮개(7)가 배치되고, 보트 엘리베이터(8)에 의해 덮개(7)는 상하동작 가능하도록 구성되어 있다. 보트 엘리베이터(8)에 의해 덮개 (7)가 상승하면 매니폴드(5)의 아래쪽이 폐쇄된다.
덮개(7)에는, 예를 들면 석영으로 이루어지는 웨이퍼 보트(9)가 놓여진다. 웨이퍼 보트(9)에는, 피처리체, 예를 들면 반도체 웨이퍼(피처리체의 예:10)가 수직방향으로 소정의 간격을 두고 복수매 수용되어 있다.
반응관(2)의 주위에는, 반응관(2)을 취하여 둘러싸도록 단열체(11)가 설치되고, 그 내벽면에는, 예를 들면 저항발열체로 이루어지는 승온용 히터(12)가 설치되어 있다.
매니폴드(5)의 측벽에는, 그 위쪽을 향하여 구부러진 복수의 가스도입관(13) 이 끼워 넣어지고 있다. 또, 도 1에서는 간편을 위하여 가스도입관(13)을 하나만 묘사하고 있다. 다수개의 가스도입관(13)은 알코-실란으로 이루어지는 처리가스, 예를 들면 테트라-실란(TEOS)을 내관(3)내로 도입한다.
매니폴드(5)의 측면에는 배출구(14)가 설치되어 있다. 배출구(14)는 지지링 (6)보다 위쪽에 설치되어 있으며, 반응관(2)내의 내관(3)과 외관(4)과의 사이에 형성된 공간으로 연이어 통한다.
본 발명에 따르면, 처리가스가 가스도입관(13)으로부터 내관(3)내에 공급되어 박막형성처리가 행하여지고, 박막형성처리에 의해서 발생한 반응생성물이 내관(3)과 외관(4)과의 사이를 통하여 배출구(14)로 배출된다.
배출구(14)에는 배기관(15)이 기밀하게 접속되어 있다. 배기관(15)에는, 그 상류측(배기포트측)으로부터, 트랩(16)과, 밸브(17)와, 진공펌프(18)와, 스크러버 (19)가 설치되어 있다.
트랩(16)은 핫 디스크 트랩(hot disk trap)등으로 구성되며, 배기(배출)가스내에 포함되는 반응생성물을 흡착한다. 밸브(17)는, 배기관(15)의 개방도를 조정하여, 반응관(2)내 및 배기관(15)내의 압력을 소정의 압력으로 제어한다. 진공펌프(18)는, 배기관(15)을 통해 반응관(2)내의 가스를 배기하는 동시에 반응관 (2)내 및 배기관(15)내의 압력을 감압한다. 스크러버(19)는, 그 내부에 약제를 저류하고 있으며, 진공펌프(18)에 의해서 배기된 배기가스를 무해하게 만든다. 또한, 배기관(15)에는 배기관용 히터(20)가 설치되어 있으며, 배기관(15)의 온도가 소정 온도로 조절된다.
배기관(15)의 측벽에는, 배기관(15)내를 세정하는 크리닝가스, 예를 들면 불화수소가스(HF가스)를 도입하는 크리닝가스도입관(21)이 접속되어 있다. 크리닝가스도입관(21)은, 배출구(14) 근방에 설치된 제 1 의 크리닝가스도입관(21a)과, 트랩(16)의 상류측 근방에 설치된 제 2 의 크리닝가스도입관(21b) 및 밸브(17)의 상류측 근방에 설치된 크리닝가스도입관(21c)을 구비한다. 크리닝가스도입관(21a), (21b) 및 (21c)의 각각은 크리닝가스공급원(22)에 접속되어 있다.
크리닝가스공급원(22)은, 크리닝가스로서 불화수소가스를 저장하고, 이 불화수소가스를 크리닝가스도입관(21a),(21b) 및 (21c)을 통하여 배기관(15)내에 공급한다.
도 2에 제 1 의 크리닝가스도입관(21a)를 포함하는 부분의 개략단면도를 나타낸다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 크리닝가스도입관(21a)의 선단은, 배기관(15)의 하류측을 향하도록 U 자형으로 굴곡한 형상으로 형성되어 있다. 이 때문에, 크리닝가스도입관(21a)에서 분출한 불화수소가스는, 반응관(2)내로 역류하지 않고, 배기관(15)내에 공급된다.
또한, 보트 엘리베이터(8), 승온용 히터(12), 가스도입관(13), 밸브(17), 진공펌프(18), 배기관용 히터(20), 크리닝가스도입관(21a) 내지 (21c), 크리닝가스공급원(22)에는, 제어부(23)가 접속되어 있다. 제어부(23)는, 마이크로프로세서, 프로세스컨트롤러 등으로 구성되며, 열처리장치(1)의 각부의 온도, 압력 등을 측정하여, 측정데이터에 기초하여, 상기 각 부에 제어신호 등을 출력하여, 열처리장치(1)의 각 부를 도 3에 나타내는 레시피를 따라 제어한다.
다음에, 열처리장치(1)의 세정방법에 대하여, 상기 구성을 가진 열처리장치 (1)를 사용하여, 실리콘산화막을 형성하는 경우를 예로 들어, 도 3에 나타내는 레시피(타임시퀀스 차트)를 참조하여 설명한다. 또, 이하의 설명에서, 열처리장치 (1)를 구성하는 각 부의 동작은, 제어부(23)에 의해 콘트롤되고 있다.
먼저, 보트 엘리베이터(8)에 의해 덮개(7)가 내려진 상태에서, 반도체 웨이퍼(10)가 수용된 웨이퍼 보트(9)를 덮개(7)상에 얹어 놓는다. 또한, 도 3(E)에 나타낸 바와 같이, 승온용 히터(12)에 의해 반응관(2)내를 소정의 온도, 예를 들면 300℃ 내지 900℃로 가열한다.
또한, 도 3(G)에 나타낸 바와 같이, 배기관용 히터(20)에 의해 배기관(15)과 밸브(17)를 소정의 온도, 예를 들면 100℃ 내지 200℃로 가열한다. 100℃ 내지 200℃로 가열하는 이유는: 이들 온도를 100℃보다 낮게 하면 불화수소가스가 액화하여 배기관(15) 등이 녹슬기 쉬워지고, 200℃보다 높게 하면, 예를 들면 밸브(17)내의 O 링이 열적으로 열화하여 버리기 때문이다. 또, 트랩(16)은, 그 내부에 설치된 가열부(도시않됨)에 의해서 소정 온도, 예를 들어 100℃ 내지 200℃로 가열된다.
다음에, 보트 엘리베이터(8)에 의해 덮개(7)를 상승시켜, 웨이퍼 보트(9)[반도체 웨이퍼(10)]를 반응관(2)내로 로드한다. 이에 따라, 반도체 웨이퍼(10)를 반응관(2)의 내관(3)내에 수용함과 동시에, 반응관(2)을 밀폐한다.
반응관(2)을 밀폐한 후, 밸브(17)의 개방도를 제어하면서, 진공펌프(18)를 구동시켜, 반응관(2)내의 가스를 배출하고, 반응관(2)내의 압력을 소정의 압력, 예 를 들면 13.3Pa 내지 1330Pa(0.1Torr 내지 10Torr)로 감압한다 (감압공정).
반응관(2)내의 압력이 소정의 압력으로 감압되면, 도 3(A) 및 (B)에 나타낸 바와 같이, 가스도입관(13)으로부터 반응관(2)[내관(3)]내에, 테트라-실란(TE0S)을 소정의 유량, 예를 들면 0.1리터/분 내지 0.3리터/분 공급하는 동시에, 불화수소가스를 희석하는 희석가스, 예를 들면 질소가스를 소정량, 예컨대 0.05리터/분 내지 10리터/분 공급한다.
이 동안, 도 3(D) 및 (F)에 나타낸 바와 같이, 반응관(2)내 및 배기관(15)내를 13.3Pa 내지 1330Pa(0.1Torr 내지 10Torr)로 유지한다.
또한, 가스도입관(13)으로부터 TEOS 및 질소가스를 공급하는 것과 병행하여, 도 3(C)에 나타낸 바와 같이, 크리닝가스도입관(21a) 내지 (21c)에서, 각각 불화수소가스를 배기관(15)내에 소정량, 예를 들면 크리닝가스도입관(21a) 내지 (21c)의 전부를 합쳐서, 약 1리터/분 공급한다.
반응관(2)내에서는 다음 화학식으로 나타내는 반응이 일어나, 반도체 웨이퍼(10)의 표면에 실리콘산화막(SiO2막)이 형성된다(성막공정).
TEOS →SiO2 + CxHy + H2O (x 와 y는 자연수)
반응관(2), 배기관(15) 등에 부착하는 반응생성물은 주로 탄화수소(CxHy)이며, 대부분의 탄화수소는 배기관(15), 트랩(16) 등과 같은 배출구(14) 이후의 배기계에 부착되는데, 그 이유는 배기계의 온도(100℃ 내지 200℃)가 반응관(2)내의 온도(300℃ 내지 900℃)보다 낮고, 또한 배기컨덕턴스가 낮기 때문이다.
배기관(15)의 내벽에 부착한 반응생성물은, 크리닝가스도입관(21a) 내지 (21c)에서 공급되는 불화수소가스에 의해 배기관(15)의 내벽으로부터 제거(분리)되어, 진공펌프(18)를 통해 스크러버(19)내에 유입하여, 무해화됨과 동시에 제거된다(세정). 또한, 배기된 반응생성물은, 크리닝가스도입관(21a) 내지 (21c)에서 공급되는 불화수소가스에 의해 배기관(15)의 내벽에 부착하기 어렵게 되어, 진공펌프(18)를 통해 스크러버(19)내에 도입하여, 무해화됨과 동시에 제거된다. 또, 스크러버(19)내에 유입한 불화수소가스는, 스크러버(19)의 내부의 약제에 의해 무해화된다.
반응생성물인 탄화수소는, 배기관(15)내의 유로의 컨덕턴스가 낮은 부분, 예를 들어 배출구(14) 근방, 트랩(16)의 상류측 근방, 밸브(17)의 상류측 근방에 부착하기 쉽다. 이들 부분에는 크리닝가스도입관(21a) 내지 (21c)으로부터 불화수소가스가 공급된다. 따라서, 반응생성물이 부착하기 쉬운 부분을 중점적으로 세정할 수 있다. 이 때문에, 반응생성물을 효율적으로 제거할 수 있다.
또한, 배기관용 히터(20)에 의해 배기관(15) 및 밸브(17)의 온도를 100℃ 내지 200℃로 가열하고 있기 때문에, 불화수소가스에 의한 반응생성물의 제거를 효율적으로 행할 수 있다.
반도체 웨이퍼(10)의 표면에 실리콘산화막이 형성되면, 가스도입관(13)으로부터의 TEOS의 공급을 정지하고, 또한 크리닝가스도입관(21)으로부터의 불화수소의 공급을 정지한다. 그리고, 가스도입관(13)으로부터 질소가스를 공급하여 반응관 (2)내의 가스를 배기한다(퍼지공정). 마지막으로, 밸브(17)를 닫고 다시 가스도입 관(13)으로부터 질소가스를 공급하여 반응관(2)내를 상압으로 되돌려, 보트 엘리베이터(8)에 의해 웨이퍼 보트(9)[반도체 웨이퍼(10)]를 반응관(2)으로부터 언로드한다. 이에 따라, 반도체 웨이퍼(10)를 열처리장치(1)로부터 반출하여, 반도체 웨이퍼(10)에 실리콘산화막을 형성하는 박막형성공정을 완료한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 성막공정중에, 배기관(15)으로 배출되는 반응생성물을 불화수소가스에 의해 제거할 수 있다. 또한, 배기관(15)으로 배출되는 반응생성물을 불화수소가스에 의해 배기관(15)의 내벽에 부착하는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, 파티클의 발생을 억제하여, 높은 생산수율로 반도체장치를 제조할 수 있다. 또한, 열처리장치(1)의 유지관리 사이클을 길게 할 수 있어, 열처리장치(1)의 가동율을 향상시킬 수 있다.
또한, TEOS와 함께 TEOS를 희석하는 질소가스를 도입하고 있기 때문에, 배기관(15)내의 압력을 제어하기 쉬워진다. 이 질소가스에 의해, 크리닝가스도 희석되기 때문에, 배기관(15)내의 부품의 열화가 억제된다. 또한, 반응관(2)으로부터 배기관(15)으로 흐르는 가스의 유량이 증가하여, 크리닝가스가 반응관(2)내로 역류하기 어려워진다.
크리닝가스도입구(21a) 내지 (21c)를 배출구(14)의 근방, 트랩(16)의 상류측 근방, 밸브(17)의 상류측 근방에 접속하고 있기 때문에, 반응생성물이 부착하기 쉬운 부분에 불화수소가스가 공급되어, 이들 부분이 중점적으로 세정된다. 이 때문에, 반응생성물을 효율적으로 제거할 수 있다.
또, 크리닝가스를 배기관(15)에 공급하는 주기(타이밍)는, 성막공정중에 한 정되지 않는다. 예를 들면, 도 4의 (A)로 나타낸 바와 같이, 감압공정중에 크리닝가스를 배기관(15)에 공급하여도 좋다. 구체적으로는, 반도체 웨이퍼(10)를 내관 (3)내에 로드하여, 밸브(17)의 개방도를 제어하면서 진공펌프(18)를 구동시켜, 반응관(2)내를 서서히 감압하는 것과 병행하여, 크리닝가스도입관(21a) 내지 (21c)으로부터 불화수소가스를 배기관(15)내에 공급하는 동시에, 가스도입관(13)으로부터 질소가스를 공급한다. 그리고, 반응관(2)내의 압력이 소정의 압력에 달하면, 가스도입관(13)으로부터의 질소가스의 공급을 정지하는 동시에, 크리닝가스도입관(21a) 내지 (21c)으로부터의 불화수소가스의 공급을 정지한다. 이 경우, 지난회의 박막형성공정(웨이퍼의 로드부터 언로드까지)에서 부착한 반응생성물을 크리닝한 후에, 성막공정으로 이행할 수 있다. 또한, 크리닝가스의 공급조건을 성막조건으로부터 독립하여 설정할 수 있다. 예를 들면, 크리닝가스의 공급유량을 3리터/분 정도의 대유량으로 하거나, 배기관(15)의 압력을 감압공정 당초는 39900Pa (300 Torr)정도의 고압으로 설정하고, 성막공정직전에 13.3Pa 내지 1330Pa(0.1Torr 내지 10Torr)로 변경하거나 하면, 크리닝 효율을 높이는 것이 가능하다.
또한, 도 4의 (B)에 나타낸 바와 같이, 반응관(2)내의 가스를 배기하는 퍼지공정중에 크리닝가스를 배기관(15)에 공급하여도 좋다. 구체적으로는, 반도체 웨이퍼(10)의 표면에 실리콘산화막이 형성되어, 가스도입관(13)으로부터의 TEOS의 공급을 정지한 후, 가스도입관(13)으로부터 질소가스를 공급하여 반응관(2)내의 가스를 배기하는 것과 병행하여, 크리닝가스도입관(21a) 내지 (21c)으로부터 불화수소가스를 배기관(15)내에 공급한다. 그리고, 반응관(2)내의 배기가스를 배기하면, 가스 도입관(13)으로부터의 질소가스의 공급을 정지함과 동시에, 크리닝가스도입관(21a) 내지 (21c)으로부터의 불화수소가스의 공급을 정지한다. 이 경우에도, 예를 들면, 배기관(15)내의 압력을 올릴 수 있어, 반응생성물을 효율적으로 제거할 수 있다. 또한, 이번회의 박막형성공정에서 배기관(15)에 부착한 반응생성물을 제거한 후에, 다음회의 박막형성공정을 개시할 수 있다.
또한, 도 4의 (C)에 나타낸 바와 같이, 감압공정으로부터 성막공정까지의 사이에 불화수소가스를 배기관(15)내에 공급하여도 좋은데: 구체적으로는, 밸브(17)의 개방도를 제어하면서 진공펌프(18)를 구동시켜, 반응관(2)내의 감압을 시작하고 나서, 가스도입관(13)으로부터의 TEOS의 공급을 정지하기까지의 사이에, 가스도입관(13)으로부터 질소가스를 공급한다.
또한, 도 4의 (D)에 나타낸 바와 같이, 성막공정으로부터 퍼지공정까지의 사이에, 구체적으로는, 반응관(2)내의 압력이 소정의 압력에 달하여, 가스도입관(13)으로부터 TEOS를 공급하고 나서, 반응관(2)내의 배기가스를 배기하기까지의 사이에, 가스도입관(13)으로부터 질소가스를 공급하는 동시에, 불화수소가스를 공급하여도 좋다.
또한, 도 4의 (E)에 나타낸 바와 같이, 감압공정으로부터 퍼지공정까지의 사이에, 구체적으로는, 밸브(17)의 개방도를 제어하면서 진공펌프(18)를 구동시켜, 반응관(2)내의 감압을 시작하고 나서, 반응관(2)내의 배기가스를 배기하기까지의 사이에, 가스도입관(13)으로부터 질소가스를 공급하는 동시에, 크리닝가스도입관 (21a) 내지 (21c)로부터 불화수소가스를 배기관(15)내에 공급하여도 좋다. 이들 경우에는, 성막중에 발생하는 반응생성물을 발생과 동시에 크리닝할 수 있어, 반응생성물의 제거를 효율적으로 행할 수 있다.
도 4(C) 내지 (E)의 크리닝방법에서는, 성막공정중에는, 성막에 영향을 주지 않도록, 비교적 저압[예를 들면, 13.3Pa 내지 1330Pa (0.1Torr 내지 10Torr)]이면서 소량 (예를 들면 1리터/분)으로 크리닝가스를 공급하고, 감압공정 및/또는 퍼지공정에서는, 크리닝효율을 높이기 위해서, 비교적 고압 [예를 들면, 13300Pa 내지 39900Pa(100Torr∼300Torr)]이면서 대량(예를 들면 3리터/분)으로 크리닝가스를 공급하도록 하여도 좋다.
부가적으로, 도4(F)에 나타낸 바와 같이 크리닝 가스는 감압공정전에, 반도체웨이퍼(10)들이 내관(3)내로 로드되는 반송공정중에 크리닝가스도입관(21a) 내지 (21c)로부터 배기관(15)내로 공급될 수도 있다.
부가적으로, 도 4(G)에 나타낸 바와 같이, 크리닝가스는 퍼지공정후에, 반도체웨이퍼(10)들이 내관(3)으로부터 언로드되는 반출공정중에 크리닝가스도입관 (21a) 내지 (21c)로부터 배기관(15)으로 공급될 수 있다.
도 4(F)에서 나타낸 반도체웨이퍼(10)반입을 위한 반송공정중의 세정공정과, 도 4(G)에서 나타낸 반도체웨이퍼(10)를 반출하기 위한 반송공정중의 세정공정은 도 4(A)내지 (E)에 나타낸 세정공정중의 어느 하나 또는 상호간에 결합되어 실시될 수도 있다.
(제 2 실시형태)
제 1 실시형태에서는, 실리콘산화막을 형성하는 경우를 예로 본 발명을 설명하였으나, 형성대상의 박막이나 형성조건은 임의적이다. 또한, 크리닝가스를 공급하는 주기(타이밍)도, 웨이퍼의 로드부터 언로드까지의 박막형성공정중이라면, 성막대상이나 성막조건에 따라서 적절히 설정가능하다.
그리고, 이하에, 실리콘산화막과 실리콘질화막을 동일반응관내에서 차례로 형성하는 열처리장치를 예로, 본 발명의 제 2 실시형태를 설명한다.
이 실시형태의 열처리장치는: 실리콘질화막을 형성하기 위한 반응가스를 반응관(2)내에 공급하는 가스공급수단을 구비하는 점과, 실리콘질화막을 형성할 때에 발생하는 반응생성물에 대응하여, 배기관(15)의 밸브(17)와 진공펌프(18)의 사이에 물트랩을 구비하는 점을 제외하고, 도 1에 나타내는 열처리장치와 기본적으로 동일한 구성을 갖고 있다.
다음에, 이러한 구성의 열처리장치의 동작을, 도 5에 나타내는 레시피(타임-시퀀스 차트)를 참조하여 설명한다.
먼저, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 반도체웨이퍼(10)를 내관(3)내에 로드하고, 밸브(17)의 개방도를 제어하면서, 진공펌프(18)를 구동시켜, 반응관(2)내를 배기하면서 반응관(2)내의 압력을 서서히 소정압력으로 감압한다(감압공정).
이 감압공정에서는, 크리닝가스도입관(21a) 내지 (21c)에서, 불화수소가스를 배기관(15)내에 소정량, 예를 들어 약 1리터/분으로 각각 공급한다. 이 불화수소가스의 공급과 병행하여, 가스도입관(13)으로부터 질소가스를 소정량, 예를 들어 0.1리터/분 내지 10리터/분 공급한다. 이 때, 반응관(2) 및 배기관(15)의 압력을 소 정의 압력, 예를 들면 33250Pa(250Torr)로 조정한다. 이렇게, 제 1 실시형태보다 고압으로 조정할 수 있는 것은, 이 공정에서는 박막을 형성하지 않아, 압력을 올리기 쉽기 때문이다. 또한, 배기관용 히터(20)에 의해 배기관(15), 밸브(17)의 온도를 소정의 온도, 예컨대 100℃ 내지 200℃로 가열한다.
배기관(15)내에 부착하고 있는 반응생성물은, 크리닝가스도입관(21a) 내지 (21c)으로부터 공급되는 불화수소가스에 의해 배기관(15)의 내벽으로부터 분리(세정)되어, 진공펌프(18)를 통해 스크러버(19)내에 유입하여 제거된다.
다음으로, 반응관(2)내의 압력을 13.3Pa 내지 1330Pa(0.1Torr 내지 10Torr)정도의 성막가능한 값으로 조정한다. 그리고, 크리닝가스도입관(21a)으로부터의 불화수소가스와, 가스도입관(13)으로부터의 질소가스의 공급을 정지한다. 또는, 유량 및 압력을 서서히 저하시켜도 좋다.
반응관(2)내의 압력이 13.3Pa 내지 1330Pa(0.1Torr 내지 10Torr)정도에 달한 후에, 가스도입관(13)으로부터 반응관(2)내에 테트라-실란(TEOS)을 공급하여, 반도체 웨이퍼(10)의 표면에 실리콘산화막(SiO2막)을 형성한다(산화막성막공정).
실리콘산화막의 성막이 완료하면, 가스도입관(13)으로부터의 TEOS의 공급을 정지하고, 가스도입관(13)으로부터 질소가스를 공급하여 반응관(2)내의 반응생성물을 배출하고, 반응관(2)내의 압력을 소정의 압력, 예를 들면 13.3Pa 내지 133Pa (0.1Torr 내지 1Torr)로 감압한다(배기 및 감압공정).
반응관(2)내의 압력이 소정의 압력에 달하면, 가스도입관(13)으로부터 NH3가 스, 다음에 SiH2Cl2가스를 소정량 공급한다.
반응관(2)내에서는 다음의 화학식으로 나타낸 반응이 일어나, 반도체 웨이퍼(10)의 표면에 실리콘질화막(Si3N4막)이 형성된다(질화막성막공정).
10NH3+ 3SiH2Cl2 →Si3N4+ 6NH4Cl+6H 2
이 중, 반응생성물은 주로 NH4Cl이다. 여기서, 배기관(15) 및 트랩(16)은 100℃ 내지 200℃로 가열되고 있으며, NH4Cl은 배기관(15) 및 트랩(16)에 부착하지 않고 물트랩까지 배출된다. 그리고, NH4Cl은 물트랩내에서 냉각되어, 배기가스로부터 석출, 제거된다.
그리고, 가스도입관(13)으로부터 질소가스를 공급하여 반응관(2)내의 가스를 배기한다(퍼지공정). 마지막으로, 밸브(17)를 닫고 다시 가스도입관(13)으로부터 질소가스를 공급하여 반응관(2)내를 상압으로 되돌려, 보트 엘리베이터(8)에 의해 웨이퍼 보트(9)[반도체 웨이퍼(10)]를 반응관(2)으로부터 언로드한다. 이에 따라, 반도체 웨이퍼(10)를 열처리장치(1)로부터 반출하여, 반도체 웨이퍼(10)에 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 차례로 형성하는 박막형성공정을 완료한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 감압공정중에, 크리닝가스도입관(21a) 내지 (21c)에서 불화수소가스를 배기관(15)내에 공급하고 있기 때문에, 배기관(15)내의 압력을 33250Pa(250Torr)와 같이 고압으로 할 수 있어, 배기관(15)내에 부착한 반응생성물을 효율적으로 제거할 수 있다. 또한, 전회의 박막형성공정 에서 배기관(15)에 부착한 반응생성물을, 이번회의 박막형성공정의 최초의 단계인 감압공정중에 제거하기 때문에, 배기관(15)내에 반응생성물이 거의 존재하지 않는 상태에서 산화막성막공정을 행할 수 있다.
또, 이 실시 형태에 있어서도, 산화막성막공정, 배기·감압공정, 질화막성막공정, 퍼지공정중의 어느 하나, 또는 이들 조합의 기간에 크리닝가스를 배기관(15)에 공급하여, 세정하여도 좋다.
본 발명은, 상기 제 1 및 제 2 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 여러가지 변형 및 응용이 가능하다. 예를 들면, 박막형성장치는, 열처리장치에 한정되는 것이 아니라, 반응가스를 공급하여 박막을 형성할 수 있으면 되고, 예를 들어 플라즈마 CVD장치이더라도 좋다.
크리닝가스도입관(21)은 크리닝가스도입관(21a)뿐이어도 좋다. 이 경우, 열처리장치(1)의 구조를 간단하게 할 수 있다. 또, 이 경우에는, 크리닝가스의 공급량을 많이 하는 것이 바람직하다.
크리닝가스도입관(21)의 설치부분도, 본 실시형태에 한하지 않는다. 단, 반응생성물을 효율적으로 제거하기 위해서는, 배기관(15)내의 유로의 컨덕턴스가 낮고, 반응생성물이 부착하기 쉬운 부분에 복수 설치하는 것이 바람직하다. 예를 들면 배기관(15)이 굴곡하고 있는 경우, 이 굴곡부의 상류측에 설치하는 것이 바람직하다.
크리닝가스의 양 및 압력은 본 실시형태에 한정되지 않고, 예를 들면 약 4리터/분, 39900Pa(300Torr)와 같이 크리닝가스의 공급량 및 압력을 크게 하여, 반응 생성물을 효율적으로 제거하여도 좋다.
또한, 희석가스(질소가스)의 양은, 크리닝가스에 의해 배기관(15)내의 부품이 열화하지 않는 정도이면 좋지만, 배기관(15)내의 압력의 제어를 용이하게 하기 때문에 많은 쪽이 바람직하다.
반응가스는, 반도체 웨이퍼(10)에 형성하는 박막의 종류에 따라 다르고, 본 실시형태에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 실리콘산화막을 형성하는 경우, TEOS의 외에, 모노메톡시트리클로로실란과 같은 알콕시실란이라도 좋다.
크리닝가스는, 반응생성물을 제거할 수 있는 것이면 좋고, 반응생성물의 종류에 따라 다르다. TEOS로 실리콘산화막을 형성하는 경우에는, 상술한 바와 같이, 불화수소가스가 바람직하다.
또한, 피처리체는 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, 예를 들면 유리기판이어도 좋다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 배기계에 부착하는 반응생성물을 제거하여, 박막형성장치의 유지관리 사이클을 길게 할 수 있다. 이 때문에, 박막형성장치의 가동율을 높일 수 있다 . 또한, 배기계에 부착하는 반응생성물을 제거할 수 있기 때문에, 파티클의 발생을 억제할 수 있고, 나아가서는, 제조되는 반도체장치의 생산수율을 올릴 수 있다.

Claims (18)

  1. 박막형성공정중에 배기관을 세정하기 위한 방법으로서:
    피처리체를 배기관에 접속된 반응실내로 반송하는 반송공정과,
    피처리체상에 박막을 형성하기 위하여 반응실을 감압하고 반응가스를 반응실내로 공급하는 박막형성공정 및,
    배기관을 세정하기 위하여 배기관내로 크리닝가스를 도입하는 세정공정을 포함하여 구성되며,
    상기 세정공정은 상기 박막형성 공정중에 이루어지는 박막형성장치의 세정방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 박막형성공정은:
    상기 반응실내를 소정의 압력으로 감압하는 감압공정과,
    피처리체상에 박막을 형성하기 위하여 감압된 반응실내로 반응가스를 공급하는 성막공정과,
    상기 반응실내의 가스를 배기하는 퍼지공정을 포함하며,
    상기 세정공정은, 상기 감압공정, 성막공정 및 퍼지공정 중 하나 이상의 공정중에 행해지는 것을 특징으로 하는 박막형성장치의 세정방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 세정공정은 상기 성막공정중에 행해지는 것을 특징으로 하는 박막형성장치의 세정방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 세정공정은 상기 배기관을 100℃ 내지 200℃로 가열하는 가열공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성장치의 세정방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 세정공정은 크리닝가스를 희석하는 희석가스를 상기 반응실내에 공급하는 공급공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성장치의 세정방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 크리닝가스의 일부 또는 전부를 세정공정중에 상기 배기관과 상기 반응실의 접속부분의 근방에서 도입하는 것을 특징으로 하는 박막형성장치의 세정방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 크리닝가스의 일부 또는 전부를 세정공정중에 상기 배기관의 컨덕턴스가 저하하는 부분에 도입하는 것을 특징으로 하는 박막형성장치의 세정방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 반응가스는 알콕시실란(alkoxysilane)이며, 상기 크리닝가스는 불화수소가스인 것을 특징으로 하는 박막형성장치의 세정방법.
  9. 박막형성공정중에 배기관을 세정하기 위한 방법으로서:
    피처리체를 배기관에 접속된 반응실내로 반송하는 반송공정과,
    피처리체상에 박막을 형성하기 위하여 반응실을 감압하고 반응가스를 반응실내로 공급하는 박막형성공정 및,
    배기관을 세정하기 위하여 배기관내로 크리닝가스를 도입하는 세정공정을 포함하여 구성되며,
    상기 세정공정은 상기 반송공정중에 이루어지는 박막형성장치의 세정방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 세정공정은 상기 배기관을 100℃ 내지 200℃로 가열하는 가열공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성장치의 세정방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 크리닝가스의 일부 또는 전부를 세정공정중에 상기 배기관과 상기 반응실의 접속부분의 근방에서 도입하는 것을 특징으로 하는 박막형성장치의 세정방법.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 크리닝가스의 일부 또는 전부를 세정공정중에 상기 배기관의 컨덕턴스가 저하하는 부분에 도입하는 것을 특징으로 하는 박막형성장치의 세정방법.
  13. 제 9 항에 있어서, 상기 반응가스는 알콕시실란(alkoxysilane)이며, 상기 크리닝가스는 불화수소가스인 것을 특징으로 하는 박막형성장치의 세정방법.
  14. 박막형성공정중에 배기관을 세정하기 위한 방법으로서:
    피처리체를 배기관에 접속된 반응실내로 반송하는 반송공정과,
    피처리체상에 박막을 형성하기 위하여 반응실을 감압하고 반응가스를 반응실내로 공급하는 박막형성공정과,
    피처리체를 반응실로부터 반출하는 반출공정 및,
    배기관을 세정하기 위하여 배기관내로 크리닝가스를 도입하는 세정공정을 포함하여 구성되며,
    상기 세정공정은 상기 반출공정중에 이루어지는 박막형성장치의 세정방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 세정공정은 상기 배기관을 100℃ 내지 200℃로 가열하는 가열공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성장치의 세정방법.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 크리닝가스의 일부 또는 전부를 세정공정중에 상기 배기관과 상기 반응실의 접속부분의 근방에서 도입하는 것을 특징으로 하는 박막형성장치의 세정방법.
  17. 제 14 항에 있어서, 상기 크리닝가스의 일부 또는 전부를 세정공정중에 상기 배기관의 컨덕턴스가 저하하는 부분에 도입하는 것을 특징으로 하는 박막형성장치의 세정방법.
  18. 제 14 항에 있어서, 상기 반응가스는 알콕시실란(alkoxysilane)이며, 상기 크리닝가스는 불화수소가스인 것을 특징으로 하는 박막형성장치의 세정방법.
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CN102231357B (zh) * 2011-05-12 2012-09-12 陕西建工集团设备安装工程有限公司 一种电子级多晶硅工艺管道洁净度控制施工方法
KR20140136594A (ko) * 2013-05-20 2014-12-01 삼성전자주식회사 배기 장치 및 이를 구비하는 박막 증착 설비
JP6380063B2 (ja) * 2014-12-08 2018-08-29 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、および、気相成長装置
JP6422907B2 (ja) * 2016-03-14 2018-11-14 株式会社東芝 半導体製造装置
CN114360997B (zh) * 2021-12-09 2024-06-21 北京北方华创微电子装备有限公司 多腔室清洗方法和半导体工艺设备

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