JPH07240382A

JPH07240382A - 真空排気システム直結型真空処理装置

Info

Publication number: JPH07240382A
Application number: JP5316994A
Authority: JP
Inventors: Mitsuaki Komino; 光明小美野
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1994-02-25
Filing date: 1994-02-25
Publication date: 1995-09-12

Abstract

(57)【要約】【目的】装置間の排気性能差が生じにくい真空処理装
置用真空排気システムを提供する。【構成】本発明によれば、処理ガス供給系（Ｉ）と処
理ガス排気系（Ｏ）とを備えた処理装置１の処理ガス排
気系の真空排気装置を主排気ポンプ１１と補助排気ポン
プ１０，１０’とから構成し、その補助排気ポンプを前
記処理室と同室内に設け、その主排気ポンプを前記処理
室と別室に設けているので、補助排気ポンプと処理装置
との一体設計が可能であるとともに、主排気ポンプの設
置の自由度を増すことができる。さらに補助排気ポンプ
の背圧を主排気ポンプで調整できるので、補助排気ポン
プの小型化を図れる。特に前記処理室と前記補助排気ポ
ンプとを結ぶ排気管のコンダクタンスを一定にすること
で、装置間の排気性能格差を軽減し、製品の均質化が図
れ、プロセスの安定性および信頼性を増すことができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、真空処理装置に係り、
特に真空排気系を直結型に構成した真空処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より半導体製造工程においては、気
密に構成された処理室、処理ガス供給系および処理ガス
排気系を有する真空処理装置を用いて、その処理室内に
おいて酸化膜形成処理、エッチング処理、アッシング処
理などのさまざまな加工を半導体ウェハなどの被処理体
に施している。

【０００３】たとえば図４に示す熱ＣＶＤ装置を例に挙
げて説明すると、アルミニウム製の略円筒形状のバレル
から成る処理室１００内に被処理体、たとえば半導体ウ
ェハを載置可能な載置台１０１が設置されている。この
載置台１０１にはヒータなどの温調装置１０２が内設さ
れ、被処理体を所望の温度にまで昇温することができる
ように構成されている。また上記処理室１００の上部に
は上記載置台１０１の載置面に対向するようにガス供給
装置１０３が設置されている。このガス供給装置１０３
は中空に形成され、その中空部に処理ガス供給系が接続
され、処理ガス源１０４から所定の処理ガスを中空部を
介して下部電極の下面に穿設されたガス供給口１０５か
ら上記処理室１００内に供給することが可能なように構
成されている。

【０００４】さらに上記処理室１００の下方には真空排
気系が接続され、処理室内を所望の減圧雰囲気、たとえ
ば１０^-2Ｔｏｒｒに真空引き可能である。この真空排気
系は、バタフライ弁などの自動圧力制御弁１０６が介挿
された排気管路と、処理室内を真空引きするためのドラ
イ真空ポンプ１０７と、排気ガス中の有害成分を除去す
るための除害装置１０８とから主に構成されている。

【０００５】また上記処理室１００内においてより低い
減圧雰囲気が要求される場合には、図５に示すように、
真空排気系に接続されるポンプとして、メカニカル・ブ
ースタ・ポンプ１０９とドライ真空ポンプ１１０がケー
シング１１１内に一体的に収容されたパッケージ型のポ
ンプを使用し、メカニカル・ブースタ１０９の背圧を調
整することにより、安定した真空排気を行うことが可能
である。

【０００６】

【課題を解決するための手段】ところで、いずれの真空
ポンプを用いるにせよ、真空ポンプ自体はかなり大型で
重い重量を有し機械的に高速で動作するため騒音や熱を
発するうえ、塵や埃などの発生源となるため、非常にデ
リケートな装置であり塵や埃などの浮遊微粒子の存在を
嫌うことから一般にクリーンルームなどの清浄空間内に
設置される真空処理装置と同室に併設することはできな
い。そのため真空ポンプは、処理装置用のクリーンルー
ムとは別室に構成されたポンプ室などに設置する必要が
ある。そして、このような真空処理装置が設置されるク
リーンルームと真空ポンプが設置されるポンプ室との位
置関係は、半導体製造工場や研究所に応じてさまざまで
あり、したがって実際の施工にあたっては真空処理装置
とポンプとを結ぶ真空排気管の配管長さや配管径は一定
ではありえない。そのため、取り付けられる真空ポンプ
の実効排気速度などの排気能力をある所定値に想定して
設計を行った真空処理装置の性能は、真空排気管の配管
長さや配管径に依存するそのコンダクタンスが設置状況
に応じて変化するため、設置状況に応じて大きく異なる
おそれがあり、したがって真空処理装置ごとの性能の個
体差が生じ均一な製品を製造する上での障壁となってい
た。

【０００７】本発明は、従来の真空処理装置の真空排気
系の抱える上記のような問題点に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、設置状況に真空処理装
置の排気能力が左右されず、したがって真空処理装置間
の性能差が生じ難く、プロセスの安定性および信頼性を
向上させることが可能な新規かつ改良された真空処理装
置の排気系に関する提案を行うことである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の観点に基づいて構成された、処理ガ
ス供給系と処理ガス排気系とを備えた処理室内で処理ガ
スにより被処理体を処理するための真空処理装置は、前
記処理ガス排気系の真空排気装置を主排気ポンプと補助
排気ポンプとから構成し、その補助排気ポンプを前記処
理室と同室内に設け、その主排気ポンプを前記処理室と
別室に設けたことを特徴としている。

【０００９】また本発明の第２の観点に基づいて構成さ
れた、処理ガス供給系と処理ガス排気系とを備えた処理
室内で処理ガスにより被処理体を処理するための真空処
理装置は、前記処理ガス排気系の真空排気装置を主排気
ポンプと補助排気ポンプとから構成し、その補助排気ポ
ンプを前記処理室と同室内に設け、その主排気ポンプを
前記処理室と別室に設けるとともに、前記処理室と前記
補助ポンプとを結ぶ排気経路のコンダクタンスを一定に
したことを特徴としている。

【００１０】なお本発明によれば、前記処理室と前記補
助ポンプとを同一の清浄空間、たとえばクリーンルーム
やクリーンブースなどに設置し、前記主排気ポンプはそ
のクリーンルームとは別に構成されたポンプ室などに設
置することが好ましい。また前記処理室と前記補助ポン
プとを結ぶ排気経路中に開放自在のメンテナンス用の密
閉チャンバ、および／またはベローズなどの振動緩衝手
段、および／またはバタフライ弁などの自動圧力制御手
段（ＡＰＣ）を介挿することが好ましい。さらにまた前
記補助排気ポンプとしてターボポンプおよび／または分
子ポンプを使用し、前記主排気ポンプとしてドライポン
プを使用することが可能である。

【００１１】

【作用】本発明の第１の観点によれば、処理室の真空排
気系の真空排気装置を主排気ポンプと補助排気ポンプと
から構成し、補助排気ポンプを同室内に隣接して設ける
ことにより、処理室と真空排気系とを一体的に設計する
ことが可能なので、装置の標準化を進めることができ
る。また主排気ポンプにより補助排気ポンプの背圧を調
整することが可能なので、処理室の有効排気速度を一定
値に保持する真空排気系の安定性および信頼性を向上さ
せることが可能となる。さらに大きな排気量の真空排気
ポンプを単体で用いるよりも、相対的に小さな排気量の
複数の真空排気ポンプから真空排気系を構成することに
より、真空排気系にかかる費用を軽減することが可能で
ある。さらに主排気ポンプの設置場所は処理室との距離
の制約を受けないので、処理室および真空排気装置を設
計する際の設計の自由度を増すことができる。

【００１２】また特に本発明の第２の観点のように、処
理室と補助排気ポンプとを結ぶ真空排気管のコンダクタ
ンスを一定にすることにより、処理装置の設置条件にか
かわらず真空排気性能を一定に保持することが可能なの
で、処理装置の性能差を減少させることができるので、
プロセスの安定性および信頼性が向上するとともに製品
の均質化を図ることが可能となる。

【００１３】また補助排気ポンプは小型で重量も軽く運
転時に発生する騒音や振動や熱も小さいのでクリーンル
ームなどの清浄空間内に処理装置と一緒に設置すること
が可能であり、クリーンルーム内に処理装置と補助排気
ポンプとを併設することで、処理装置と真空排気系の一
体的な設計および施工を容易に行うことができる。

【００１４】また処理室と補助ポンプとを結ぶ排気経路
中に開放自在の密閉チャンバを介挿することにより、た
とえば処理室とチャンバ間に設置されたＡＰＣバルブへ
の付着副生成物の掃除とチャンバと補助ポンプ間に設置
されたゲートバルブへの副生成物の掃除を配管経路やパ
ーツを分解せずに、短時間で簡単に実施することが可能
となる。さらに上記排気経路中にベローズなどの振動緩
衝手段を設けることにより、補助ポンプの振動が処理室
に伝わり、載置台に載置された被処理体のポジショニン
グのずれといった不測の事態が生じることを防止するこ
とが可能である。さらに上記排気経路中にバタフライ弁
などの処理室内の圧力変動に応じて開度を自動的に変更
して圧力を調整することが可能な自動圧力制御手段を設
けることにより、排気系の安定した動作を確保すること
ができる。

【００１５】また本発明は、特に補助排気ポンプとして
既存のメカニカルブースタポンプや分子ポンプを使用
し、主排気ポンプとして既存のドライポンプを使用する
ことが可能であり、このように廉価な市販の部材を使用
することにより処理装置の真空排気系に要するイニシャ
ルコストを軽減することができる。さらにまた本発明
は、特に低い圧力が要求されるＣＶＤ装置に使用する場
合に、特に優れた効果を奏することが可能である。

【００１６】

【実施例】以下に、本発明に基づいて構成された真空排
気システム直結型真空処理装置を枚葉式ＣＶＤ装置に適
用した一実施例について、添付図面を参照しながら詳細
に説明すると、図１は本発明が適用された枚葉式のＣＶ
Ｄ装置１の断面を模式的に示しており、同図からわかる
ように、このＣＶＤ装置１は気密に構成された略円筒状
の処理室２を有している。

【００１７】上記処理室２の上面には、上部電極を構成
するように接地されたアルミニウムなどの導電体よりな
る略中空形状のシャワーヘッド３が気密に設けられてい
る。このシャワーヘッド３の上部には、処理ガス導入管
４が設けられており、また一方、上記処理室２内に設け
られている載置台５との対向面には、吐出口６が多数設
けられている。そして処理ガス供給系（Ｉ）を構成する
処理ガス源７からこの処理ガス導入管４によりマスフロ
ーコントローラ（ＭＦＣ）８を介して処理ガス、例えば
ＳｉＨ₄＋Ｈ₂との混合ガスを、このシャワーヘッド３の
中空部から上記多数の吐出口６を通じて、処理室２内の
載置台５に向けて均等に吐出することができるように構
成されている。

【００１８】上記処理室２の底部近傍には、本発明に基
づいて構成された真空排気系（Ｏ）に連通する排気口９
が設けられており、上記処理室２を、所定の減圧雰囲
気、例えば１０^-6Ｔｏｒｒに設定、維持が可能なように
構成されている。そしてこの真空排気系（Ｏ）は、処理
装置と同一のクリーンルーム（ＣＲ）などの室内に設置
される補助排気ポンプ１０と、上記クリーンルーム（Ｃ
Ｒ）とは別に構成されたポンプ室（ＰＲ）などに設置さ
れた主排気ポンプ１１と、この主排気ポンプからの排気
中に含まれる有害成分を除去するための除害装置１２と
から主に構成されている。

【００１９】図２に示すように、メカニカルブースタポ
ンプ（ＭＢＰ）のような補助排気ポンプ１０は、上記処
理室２内に設置されて処理室内の圧力を検知する圧力セ
ンサ１３からの信号を受けた制御器１４からの指令に応
じて開度が調整されるバタフライ弁などから構成される
自動圧力制御器（ＡＰＣ）１５と、ハッチ１６などを備
えた開閉自在な密閉チャンバ１７と、ストップ弁１８
と、ベローズなどの振動緩衝手段１９とが介挿された第
１の排気経路２０により上記処理室２に接続されてい
る。そして本発明によれば、この第１の排気経路２０の
コンダクタンスが一定に保持されているので、さまざま
な設置条件にかかわらず、処理装置１の実効排気速度な
どの真空排気性能を同一に保持することができる。その
ため、設置条件による処理装置の個体差を軽減し、製品
の均質化を図ることができるので、プロセスの安定性お
よび信頼性を向上させることができる。

【００２０】また図２に示すように開閉自在な密閉チャ
ンバ１７を中間室として上記排気経路２０中に介挿する
ことにより、バタフライ弁やベローズなどに付着し、装
置の機能を悪化させる付着物などの除去作業などのメン
テナンスを容易に行うことが可能となる。また上記排気
経路２０中にベローズなどの振動緩衝手段１９を設ける
ことにより、補助排気ポンプ１０の振動が処理室２に伝
達し、処理室２内のプロセスを不安定にするような事態
を軽減することができる。

【００２１】そして、上記のように処理室２と同一のク
リーンルーム（ＣＲ）内に設置された補助排気ポンプ１
０と、このクリーンルーム（ＣＲ）とは別室に構成され
たポンプ室（ＰＲ）に設置されたドライ真空ポンプなど
の主排気ポンプ１１とは第２の排気経路２１を介して接
続されるが、本発明によれば、この第２の排気経路２１
の長さおよび寸法にかかわらず、処理装置１の実効排気
速度などの排気性能が一定に保持されるので、主排気ポ
ンプ１１を自由な場所に設置することが可能となり、処
理装置および真空排気装置を設置する際の設計の自由度
を増すことができる。

【００２２】再び図１に戻り、本発明に基づいて構成さ
れた真空排気系（Ｏ）を備えた処理装置１の構成につい
ての説明を続けると、上記処理室２の底部は、略円筒状
の支持体２２によって支持された底板２３によって構成
され、さらにこの底板２３の内部には冷却水溜２４が設
けられており、冷却水パイプ２５によって供給される冷
却水が、上記冷却水溜２４内を循環するように構成され
ている。

【００２３】そしてこの支持体２２の上面に上記載置台
５が設置されている。この載置台５は、たとえば、アル
ミニウムなどの導電性材料からなり、その中央上面には
半導体ウェハＷを吸着保持するための静電チャック２６
がウェハＷと略同径大、好ましくはウェハＷの径より若
干小さい径で設けられている。この静電チャック２６は
２枚のポリベンズイミダゾール製樹脂フィルムの間に銅
箔などの導電膜２７を挟持した静電チャックシートから
構成されている。このように構成された静電チャック２
６の導電膜２７に可変直流高圧電源２８から高電圧を印
加することにより上記フィルムの上面に被処理体である
半導体ウェハＷをクーロン力により吸引保持することが
できるように構成されている。

【００２４】さらに上記基台の上面には、たとえば略帯
状の発熱体を適宜の間隔をもって渦巻状に配設した発熱
パターンで配することにより構成されるヒータ２９が設
置されており、上記処理室２の外部に設置されている交
流電源３０から電力を印加することによって所定の温
度、例えば２００゜Ｃ〜２０００゜Ｃまでの任意の熱を
発生するように構成されている。

【００２５】そして、上記載置台５は、既述の如く処理
室２内の底板２３の上に設置され、さらに図１に示した
ように、その中心部に底板２３を貫通した伝熱媒体供給
管３１、この伝熱媒体供給管３１と通ずる流路３２が設
けられ、処理室２の外部から上記伝熱媒体供給管３１を
通じて供給された、たとえばＨｅガスなどの伝熱媒体
が、載置面に載置されたウェハＷの裏面に供給されるよ
うに構成されている。

【００２６】またさらに載置台５には、温度センサ３３
の検知部３３ａが位置しており、載置台５の温度を逐次
検出するように構成されている。そしてこの温度センサ
３３からの信号に基づいて、前出ヒータ２９のパワーや
伝熱媒体の流量等が制御され、載置台５の載置面を最適
な温度に制御するように構成されている。

【００２７】上記の如くして支持体２２上に設置された
載置台５の側面外周には、短筒状の隔壁３４が設けられ
ており、さらにこの隔壁３４、底板２２の側面、および
前出支持体２３の側面と、処理室２の側壁２ａとによっ
て創出される環状の空間内には、載置台５の載置面に載
置されるウェハＷを、リフトアップ−リフトダウンさせ
るためのリフター３５が設けられている。

【００２８】以上のように構成されている処理室２の外
方には、ゲートバルブ３６を介して気密に構成されたロ
ードロック室３７が設けられており、その底部に設けら
れた排気管３８から真空引きされて、このこのロードロ
ック室３７も、上記処理室２と同様、所定の減圧雰囲
気、例えば１０^-6Ｔｏｒｒに設定、維持が可能なように
構成されている。そしてこのロードロック室３７の内部
には、やはりゲートバルブを介して隣接しているカセッ
ト収納室（図示せず）内のカセットと、上記処理室２内
の載置台５との間でウェハＷを搬送させる搬送アーム３
８を備えた搬送装置３９が設けられている。

【００２９】次に以上のように構成された枚葉式ＣＶＤ
装置１の全体的な動作について簡単に説明する。

【００３０】まず処理時には、本発明に基づいて構成さ
れたメカニカルブースタポンプなどの補助排気ポンプ１
０とドライ真空ポンプなどの主排気ポンプ１１とを駆動
することにより、処理室２内を所定の圧力、たとえば１
０^-4〜１０^-3Ｔｏｒｒ程度にまで減圧する。その際に、
本発明によれば、補助排気ポンプ１０と処理室２とを結
ぶ第１の排気経路２０のコンダクタンスが一定に保持さ
れているので、装置間の排気能力の差が生じ難く、製品
の均質化を図ることができるとともに、プロセスの安定
性および信頼性を向上させることができる。またたとえ
ば主排気ポンプ１１により、補助排気ポンプ１０の背圧
を調整することにより、段階的に減圧を行うので、補助
排気ポンプ１０の小型化を図ることが可能である。

【００３１】このようにして処理室２内を所定の圧力に
排気した後、ゲートバルブ３６を開放し、隣接するロー
ドロック室３７から搬送アーム３８により成膜処理が施
される被処理体、たとえば半導体ウェハＷは処理室２内
の載置台５の上方にまで搬入される。このとき、リフタ
ー３５の載置部材３５ａ、３５ｂは上昇しており、ウェ
ハＷを一旦受けとめることが可能である。そしてウェハ
Ｗをそのようにして載置した後、搬送アーム３８はロー
ドロック室３７内に後退し、ゲートバルブ３６は閉鎖さ
れる。

【００３２】その後載置部材３５ａ、３５ｂは下降し
て、ウェハＷは載置台５の載置面に載置され、既述の高
圧直流電源２８からの直流電圧を静電チャック２６の導
電膜２７に印加させることによって、ウェハＷは上記電
圧印加の際に発生する静電吸着力によって、載置台５の
載置面に吸着保持される。而してその後ヒータ２９によ
る加熱によってウェハＷを所定温度、例えば８００゜Ｃ
にまで加熱し、さらに、処理ガス導入管４から処理ガ
ス、例えばＳｉＨ₄＋Ｈ₂を処理室２内に導入することに
より、ウェハＷの成膜処理が開始され、所定の処理終了
後、ウェハＷはゲートバルブ３６を介してロードロック
室３７に搬出される。このようにして、本発明を適用可
能なＣＶＤ装置は一連の動作を終了する。

【００３３】なお図１および図２に関連して説明した上
記実施例においては、補助排気ポンプとしてメカニカル
ブースタポンプ１０を用いた構成を示しているが、本発
明はこれに限定されず、より低い圧力、たとえば１０^-7
Ｔｏｒｒ程度にまで減圧したい場合には、図３に示すよ
うに、ターボ分子ポンプ（ＭＤＰ；Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ
ＤｒｕｇＰｕｍｐ）１０’を用いることも可能であ
る。なお図３に示す実施例は、上記補助排気ポンプの構
成を除き、図１に示す実施例と実質的に同一であり、し
たがって同一の機能を有する構成部材については、同一
の番号付することにより詳細な説明は省略することとす
る。このように、本発明によれば、補助排気ポンプや主
排気ポンプを処理装置用に特別に設計する必要はなく、
メカニカルブースタポンプ１０やターボ分子ポンプ１
０’、あるいはドライ真空ポンプのような市販の装置を
用いることが可能なので、設計が簡単でありまたコスト
を削減することができる。

【００３４】上記実施例では熱ＣＶＤ装置で、ＳｉＨ₄
＋Ｈ₂との混合ガスを用いてウェハＷに成膜を行う場合
を例に挙げて説明したが、本発明はかかる装置に限定さ
れることなく、たとえば同様の熱ＣＶＤ装置で、ＳＨ₄
＋Ｈ₂との混合ガス、あるいはＳｉ₂Ｈ₆＋Ｎ₂との混合ガ
スにより８００℃、１〜１００Ｔｏｒｒの雰囲気で成膜
処理を行う場合、さらにはプラズマＣＶＤ装置で、ＴＥ
ＯＳ＋Ｏ₂＋Ａｒとの混合ガスにより３５０〜４００
℃、０．５〜５Ｔｏｒｒの雰囲気で成膜処理を行う場
合、あるいはＣｌＦ₃やＣＦ₄を使用してクリーニング処
理を行う場合の真空排気に使用することができる。さら
に、本発明は上記枚葉式ＣＶＤ装置に限定されず、さら
にバッチ処理式ＣＶＤ装置にも好適に適用可能であり、
さらにはエッチング装置、アッシング装置、スパッタ装
置などの真空処理装置あるいはロードロック室、カセッ
ト室などの各種チャンバを排気するための全ての真空排
気系に対して適応することが可能であることは言うまで
もない。

【００３５】また上記実施例においては、一対の処理室
と補助排気ポンプに対して１つの主排気ポンプを接続し
た構成を示したが本発明はかかる構成に限定されない。
たとえばマルチチャンバ方式の真空処理装置などでは複
数組の処理室と補助排気ポンプの組合わせに対して１つ
の主排気ポンプを接続することにより、複数の処理室の
処理圧力の安定化を図るとともに装置構成を簡略化する
ことも可能である。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理室の真空排気系の真空排気装置を主排気ポンプと補
助排気ポンプとから構成し、補助排気ポンプを処理室に
隣接して設けることにより、処理室と真空排気系とを一
体的に設計することが可能となり装置の標準化を進める
ことができる。また主排気ポンプにより補助排気ポンプ
の背圧を調整することが可能なので、真空排気系の安定
性および信頼性を向上させることが可能となる。さらに
大きな排気量の真空排気ポンプを単体で用いるよりも、
相対的に小さな排気量の複数の真空排気ポンプから真空
排気系を構成することにより、真空排気系にかかる費用
を軽減することが可能である。さらに主排気ポンプの設
置場所は処理室との距離の制約を受けないので、処理室
および真空排気装置を設置する際の設計の自由度を増す
ことができる。

【００３７】また特に処理室と補助排気ポンプとを結ぶ
真空排気系路のコンダクタンスを一定にすることによ
り、処理装置の設置条件にかかわらず真空排気性能を一
定に保持することが可能なので、処理装置の排気能力の
個体差を軽減しプロセスの安定性および信頼性を向上さ
せることができるとともに、製品の均質化を図ることが
可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に基づいて構成された真空排気系が接続
された真空処理装置の一実施例を示す概略的な説明図で
ある。

【図２】図１に示す真空処理装置の補助排気ポンプ部分
の構成を示す構成図である。

【図３】本発明に基づいて構成された真空排気系が接続
された真空処理装置の他の実施例を示す概略的な説明図
である。

【図４】従来の真空排気系が接続された処理装置の概略
的な説明図である。

【図５】従来の真空排気系が接続された処理装置の概略
的な説明図である。

【符号の説明】

１ＣＶＤ装置２処理室１０補助排気ポンプ（ＭＢＰ）１０’補助排気ポンプ（ＭＤＰ）１１主排気ポンプ１２除害装置１５ＡＰＣ１６ハッチ１７中間質１８ストップ弁１９ベローズ２０第１の排気系路２１第２の排気系路Ｗ被処理体Ｉ処理ガス供給系Ｏ真空排気系ＣＲクリーンルームＰＲポンプ室

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理ガス供給系と処理ガス排気系とを備
えた処理室内で処理ガスにより被処理体を処理するため
の真空処理装置において、前記処理ガス排気系の真空排
気装置を主排気ポンプと補助排気ポンプとから構成し、
その補助排気ポンプを前記処理室と同室内に設け、その
主排気ポンプを前記処理室と別室に設けたことを特徴と
する、真空排気システム直結型真空処理装置。
【請求項２】処理ガス供給系と処理ガス排気系とを備
えた処理室内で処理ガスにより被処理体を処理するため
の真空処理装置において、前記処理ガス排気系の真空排
気装置を主排気ポンプと補助排気ポンプとから構成し、
その補助排気ポンプを前記処理室と同室内に設け、その
主排気ポンプを前記処理室と別室に設けるとともに、前
記処理室と前記補助ポンプとを結ぶ排気経路のコンダク
タンスを一定にしたことを特徴とする、真空排気システ
ム直結型真空処理装置。
【請求項３】前記処理室と前記補助ポンプとを同一の
清浄空間内に設置したことを特徴とする、請求項１また
は２に記載の真空排気システム直結型真空処理装置。
【請求項４】前記処理室と前記補助ポンプとを結ぶ排
気経路中に開放自在のメンテナンス用密閉チャンバを介
挿したことを特徴とする、請求項１、２または３のいず
れかに記載の真空排気システム直結型真空処理装置。
【請求項５】前記処理室と前記補助ポンプとを結ぶ排
気経路中に振動緩衝手段を設けたことを特徴とする、請
求項１、２、３または４のいずれかに記載の真空排気シ
ステム直結型真空処理装置。
【請求項６】前記振動緩衝手段が排気経路の管路に介
挿されたベローズであることを特徴とする、請求項１、
２、３、４または５のいずれかに記載の真空排気システ
ム直結型真空処理装置。
【請求項７】前記処理室と前記補助ポンプとを結ぶ排
気経路中に自動圧力制御手段（ＡＰＣ）を介挿したこと
を特徴とする、請求項１、２、３、４、５または６のい
ずれかに記載の真空排気システム直結型真空処理装置。
【請求項８】前記自動圧力制御手段（ＡＰＣ）がバタ
フライ弁であることを特徴とする、請求項１、２、３、
４、５、６または７のいずれかに記載の真空排気システ
ム直結型真空処理装置。
【請求項９】前記補助排気ポンプがターボポンプであ
ることを特徴とする、請求項１、２、３、４、５、６、
７または８のいずれかに記載の真空排気システム直結型
真空処理装置。
【請求項１０】前記補助排気ポンプば分子ポンプであ
ることを特徴とする、請求項１、２、３、４、５、６、
７、８または９のいずれかに記載の真空排気システム直
結型真空処理装置。
【請求項１１】前記主排気ポンプがドライポンプであ
ることを特徴とする、請求項１、２、３、４、５、６、
７、８、９または１０のいずれかに記載の真空排気シス
テム直結型真空処理装置。
【請求項１２】前記真空処理装置がＣＶＤ装置である
ことを特徴とする、請求項１、２、３、４、５、６、
７、８、９、１０または１１のいずれかに記載の真空排
気システム直結型真空処理装置。