JP2015183985A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】処理チャンバ内の減圧を良好に行う技術を提供すること。【解決手段】基板処理装置１は、処理チャンバ２０から排気ポンプ３０まで接続する２つの第一流路部（共有配管部４１および第一配管部４２）と、第二流路（共有配管部４１および第二配管部４３）を備えている。第一配管部４２および第二配管部４３には、それぞれ、流量を制御する第一調整弁４４および第二調整弁４５が設けられている。制御部５０は、真空計４６によって測定される処理チャンバ２０内の圧力に基づいて、第一調整弁４４および第二調整弁４５を制御する。第二配管部４３の配管径は、第一配管部４２よりも大きい。第二調整弁４５の弁サイズは、第一調整弁４４の弁サイズよりも大きい。このため、第二流路部における最大流量は、第一流路部における最大流量よりも大きくなっている。【選択図】図２

Description

この発明は、処理液が付着した基板を減圧乾燥する技術に関し、特に、処理チャンバ内の減圧を良好に行う技術に関する。

処理液が付着した基板をチャンバ内にて支持し、チャンバ内を減圧することによって、基板を乾燥する技術が知られている。例えば、ＬＣＤ用カラーフィルタにおいて、フォトリソグラフィによってガラス基板に所望のパターンの形成を行う際、レジスト液などの塗布液が塗布されたガラス基板を減圧乾燥している（例えば、特許文献１）。

特開２００９−２７５９２４号公報

特許文献１に記載の減圧乾燥を行う真空乾燥装置は、基板が収容される真空チャンバと、真空ポンプと、真空チャンバおよび真空ポンプの間を接続する配管（吸引管）に設けられたコンダクタンスバルブと、当該配管に設けられた真空計と、コンダクタンスバルブを制御する制御部とで構成されている。制御部は真空計によって計測された真空チャンバの真空度に基づき、コンダクタンスバルブの開度を制御し、真空チャンバ内の雰囲気の排気速度を調整する。これによって、真空チャンバ内の圧力が、理想的に変化するように制御される。

また、実際の減圧乾燥処理においては、塗布液に含まれる溶媒の突沸を防ぐために、まず溶媒が突沸しない程度の圧力まで比較的ゆっくりと排気を行う低速排気を行った後、溶媒の蒸発を促すために、高速に排気を行う高速排気が行われる場合がある。これによって、乾燥処理を早めるのと同時に、塗布液乾燥後の基板表面の平滑性が高められる。

ところで、特許文献１の真空乾燥装置では、単一の配管および当該配管に単一のコンダクタンスバルブを制御することによって、排気速度が制御されている。このため、バルブサイズもしくは配管径が、低速排気および高速排気で共通しているため、低速排気および高速排気の双方を良好に実行することが困難であった。具体的には、図８および図９を参照しつつ説明する。

図８および図９は、従来の減圧乾燥処理における処理チャンバ内の圧力変化を示す図である。図８および図９において、横軸は時間を示し、縦軸は圧力を示している。また、図８および図９に示される期間Ｔｅ１（時間ｔ０−ｔ１）は大気圧Ｐ０から第一目標圧Ｐ１まで低速排気を行う期間であり、期間Ｔｅ２（時間ｔ１−ｔ２）は第一目標圧Ｐ１からより低圧の第二目標圧Ｐ２まで高速排気を行う期間である。また、期間Ｔｅ３（時間ｔ２−ｔ３）は第二目標圧Ｐ２を維持する期間であり、期間Ｔｅ４（時間ｔ３以降）は大気開放を行う期間となっている。

図８は、バルブサイズもしくは配管径を低速排気に適するように大きさとした場合の圧力変化グラフ９６１を示す図である。一般的に、バルブサイズもしくは配管径サイズを比較的小さくすれば、排気量を厳密に制御し易くなる。このため、流量制御の精度が高まり、高精度な圧力制御が行い易くなる。しかしながら、最大流量が制限されることによって、高速排気を良好に行うことが困難となる。すると、図８に示されるように、圧力変化グラフ９６１は、高速排気の期間Ｔｅ２において、所定の時間内に第二目標圧Ｐ２まで圧力が低下せずに、目標の圧力変化グラフ９６０から大きく外れてしまう。このような場合、溶媒を十分に蒸発させることが困難となる。

図９は、バルブサイズもしくは配管径が高速排気に適した大きさである場合の圧力変化グラフ９６２を示す図である。一般的に、バルブサイズもしくは配管径サイズを比較的大きくすれば、高速排気が行い易くなる。しかしながら、この場合は、排気量の高精度な制御が、バルブサイズもしくは配管径サイズが小さい場合よりも難しくなる。このため、圧力の制御を良好に行うことが困難となる。したがって、図９に示されるように、圧力変化グラフ９６２は、低速排気の期間Ｔｅ１において、目標の圧力変化グラフ９６０と比較すると、大きく乱れている。上述したように、低速排気時は、溶媒の突沸を抑えるため、高速排気時に比べて厳密な圧力制御が求められる。このため、このような期間Ｔｅ１における圧力の乱れは、基板表面の平滑性を損なわせる虞がある。

そこで、本発明は、処理チャンバ内の減圧を良好に行う技術を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、第１の態様は、処理液が付着した基板を減圧乾燥する基板処理装置であって、基板を収容する処理チャンバと、前記処理チャンバ内の雰囲気を排気する排気部と、前記処理チャンバから前記排気部までの前記雰囲気の第一流路を形成する第一流路部と、前記処理チャンバから前記排気部までの前記雰囲気の第二流路を形成しており、少なくとも前記第二流路の一部は前記第一流路とは異なっている第二流路部と、前記処理チャンバ内の圧力を検出する圧力検出部と、前記圧力検出部が検出した前記処理チャンバ内の圧力に基づいて、前記第一流路内および前記第二流路内の前記雰囲気の流量を調整する流量調整部とを備え、前記第二流路における前記雰囲気の最大流量は、前記第一流路における前記雰囲気の最大流量よりも大きい。

また、第２の態様は、第１の態様に係る基板処理装置において、前記流量調整部が、前記第一流路部の開度を調整する第一調整弁と、前記第二流路部の開度を調整する第二調整弁と、前記第一調整弁及び前記第二調整弁を制御する制御部とを備える。

また、第３の態様は、第２の態様に係る基板処理装置であって、前記第一調整弁の開度調整幅が、前記第二調整弁の開度調整幅よりも小さい。

また、第４の態様は、第１から第３の態様のいずれか１態様に係る基板処理装置であって、前記第二流路部の配管径が、前記第一流路部の配管径よりも大きい。

また、第５の態様は、第１から第４の態様のいずれか１態様に係る基板処理装置であって、前記排気部は、前記第一流路部を通じて前記雰囲気を排気する第一排気部と、前記第二流路部を通じて前記雰囲気を排気する第二排気部とを含み、前記第二排気部の単位時間あたりの排気量が、前記第一排気部の単位時間あたりの排気量よりも大きい。

また、第６の態様は、第２または第３の態様に係る基板処理装置であって、前記制御部は、前記第一調整弁を制御することによって、前記処理チャンバ内の圧力を第一目標圧に向けて低下させた後、前記第二調整弁を制御することによって、前記処理チャンバ内の圧力を前記第一目標圧よりも低い第二目標圧に向けて低下させる。

また、第７の態様は、処理液が付着した基板を減圧乾燥する基板処理方法であって、（ａ）処理チャンバ内に基板を支持する支持工程と、（ｂ）前記処理チャンバ内の雰囲気を、前記処理チャンバおよび排気部を繋ぐ第一流路を通じて排気する第一排気工程と、（ｃ）前記処理チャンバ内の雰囲気を、前記処理チャンバおよび排気部を繋ぐ流路であって、少なくともその一部の流路が、前記第一流路とは異なっている第二流路を通じて排気する第二排気工程とを含み、前記第一排気工程は、（ｂ−１）前記処理チャンバ内の圧力に基づいて、前記第一流路内における前記雰囲気の流量を調整する第一調整工程を含み、前記第二排気工程は、（ｃ−１）前記処理チャンバ内の圧力に基づいて、前記第二流路内における前記雰囲気の流量を調整する第二調整工程を含み、前記第二流路における前記雰囲気の最大流量が、前記第一流路における前記雰囲気の最大流量よりも大きい。

第１の態様に係る基板処理装置によると、第一流路は、第二流路よりも最大流量が小さいため、流量制御が行いやすい。このため、処理チャンバ内の圧力制御を良好に行うことができる。また、第二流路は第一流路よりも最大流量が大きいため、処理チャンバ内の雰囲気を高速で排気するのに好適である。

また、第２の態様に係る基板処理装置によると、第一調整弁および第二調整弁を制御することによって、流量制御を適切に行うことができる。

また、第３の態様に係る基板処理装置によると、第一調整弁の開度調整幅が第二調整弁の開度調整幅よりも小さいため、第一流路における雰囲気の流量制御を、第二流路における雰囲気の流量制御よりも高精度に行うことができる。

また、第４の態様に係る基板処理装置によると、第二流路部の配管径が第一流路部の配管径よりも大きいため、第二流路の最大流量を第一流路の最大流量よりも大きくすることができる。

また、第５の態様に係る基板処理装置によると、第二排気部の単位時間あたりの排気量が第一排気部の単位時間あたりの排気量よりも大きいため、第二流路の最大流量を第一流路の最大流量よりも大きくすることができる。

また、第６の態様に係る基板処理装置によると、第一調整弁を制御することで、高精度な圧力制御を行いつつ、第一目標圧まで処理チャンバ内を減圧できる。また、その後に、第二調整弁を制御することで、より低圧の第二目標圧まで高速に減圧することができる。

第１実施形態に係る基板処理装置を備えた基板処理システムを示す概略平面図である。 基板処理装置を示す概略構成図である。 減圧乾燥処理における処理チャンバ内の圧力変化を示す図である。 第２実施形態に係る基板処理装置を示す概略構成図である。 第３実施形態に係る基板処理装置を示す概略構成図である。 第４実施形態に係る基板処理装置を示す概略構成図である。 第５実施形態に係る基板処理装置を示す概略構成図である。 従来の減圧乾燥処理における処理チャンバ内の圧力変化を示す図である。 従来の減圧乾燥処理における処理チャンバ内の圧力変化を示す図である。

＜１． 第１実施形態＞
＜基板処理装置１の構成および機能＞
図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１を備えた基板処理システム１００を示す概略平面図である。基板処理システム１００は、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板９０（以下、単に基板９０と称する。）を処理する。

基板処理システム１００は、搬入部１０、洗浄部１１、デハイドベーク部１２、塗布部１３、減圧乾燥部としての基板処理装置１およびプリベーク部１４を備えている。搬入部１０は、基板処理システム１００において処理される基板９０を受け入れる部分である。洗浄部１１は、搬入部１０に搬入された基板９０を洗浄して清浄化する。デハイドベーク部１２は、洗浄部１１にて洗浄液が付着した基板９０を乾燥する。

塗布部１３は、デハイドベーク部１２で乾燥された基板９０の表面に処理液（ここでは、レジスト液）を塗布する。減圧乾燥部としての基板処理装置１は、塗布部１３で塗布された処理液を減圧乾燥させる。プリベーク部１４は、基板９０を加熱することによって処理液を固化させ、基板９０に処理液の薄膜を形成する。

図１に示されるように、搬入部１０、洗浄部１１、デハイドベーク部１２、塗布部１３、減圧乾燥部としての基板処理装置１およびプリベーク部１４は、この順に、一方向（第一方向Ｄ１）に沿って直線状に隣接するように配置されている。

また、基板処理システム１００は、処理液の薄膜が形成された基板９０の表面に対して、所要の回路パターン状に露光する露光部１５を備えている。露光部１５は上記第１方向に直交する方向（第二方向Ｄ２）に延びている。露光部１５の入り口側の部分は、プリベーク部１４に隣接しており、露光部１５の出口側の部分は、現像部１６に隣接している。

基板処理システム１００は、さらに、現像部１６、リンス部１７、ポストベーク部１８および搬出部１９を備えている。現像部１６は、露光部１５において露光された基板９０を現像液に浸して、現像処理する。リンス部１７は、現像部１６にて現像処理した基板９０をリンス液ですすぐことによって、現像処理の進行を停止させる。

ポストベーク部１８は、基板９０を加熱することによって、基板９０に付着したリンス液を除去する。搬出部１９は、基板処理システム１００において処理が完了した基板９０を外部に搬出する部分である。現像部１６、リンス部１７、ポストベーク部１８および搬出部１９は、第一方向Ｄ１とは反対側の方向（第三方向Ｄ３）に沿って直線状に隣接するように配置されている。基板処理システム１００においては、基板９０が露光部１５においてＵターンするように、その進行方向が第一方向Ｄ１から第三方向Ｄ３に変更される。

図２は、基板処理装置１を示す概略構成図である。基板処理装置１は、レジスト液が塗布された基板９０を減圧乾燥する減圧乾燥装置として構成されている。基板処理装置１は、処理チャンバ２０、排気ポンプ３０、配管部４０および制御部５０を備えている。

処理チャンバ２０は、基板９０が収容される密閉空間を形成する筐体構造を有している。処理チャンバ２０は、上部に取り外し可能な蓋部２１を備えている。蓋部２１は、処理チャンバ２０の内部に基板９０を搬入または搬出する際に開閉するように構成されている。なお、処理チャンバ２０の側面部に開閉構造を設けることによって、基板９０が搬入または搬出されるようにしてもよい。

処理チャンバ２０の内部には、基台２２、支持ステージ２３および複数の支持ピン２４が設けられている。基台２２は、支持ステージ２３を下方から支持する。支持ステージ２３は、複数の支持ピンを保持している。複数の支持ピン２４は、水平方向に分散して配置されている。これら複数の支持ピン２４の上端に、レジスト液が塗布された基板９０が設置される。

また、処理チャンバ２０の底部には、第一排気口２６および第二排気口２７が設けられている。なお、第一排気口２６および第二排気口２７は、処理チャンバ２０における底部以外の位置に設けられていてもよい。第一排気口２６および第二排気口２７は、配管部４０を介して排気ポンプ３０に接続されている。処理チャンバ２０内の雰囲気は、排気ポンプ３０が駆動されることによって、第一排気口２６および第二排気口２７を介して排出される。

配管部４０は、共有配管部４１、第一配管部４２および第二配管部４３を備えている。共有配管部４１の一端は、排気ポンプ３０に接続されており、その他端は第一配管部４２の一端および第二配管部４３の一端に接続されている。第一配管部４２の他端は、処理チャンバ２０の第一排気口２６に接続されている。第二配管部４３の他端は、第二排気口２７に接続されている。共有配管部４１および第一配管部４２は、処理チャンバ２０から排気ポンプ３０までを繋ぐ第一流路を形成する第一流路部の一例である。また、共有配管部４１および第二配管部４３は、処理チャンバ２０から排気ポンプ３０までを繋ぐ第二流路を形成する第二流路部の一例である。第一流路部および第二流路部は、共有配管部４１を共有している。また、第一流路部および第二流路部は、それぞれ、互いに相違する流路を形成する第一配管部４２および第二配管部４３を備えている。

第一配管部４２の途中には、第一調整弁４４が設けられている。また、第二配管部４３の途中には第二調整弁４５が設けられている。第一調整弁４４および第二調整弁４５は、例えば、開度が調整可能なバタフライ弁として構成されている。第一調整弁４４および第二調整弁４５の開度調整は、制御部５０の制御に基づいて行われる。

真空計４６は、第一配管部４２における第一排気口２６の接続部分と、第一調整弁４４の接続部分との間の位置に設けられている。真空計４６は、それぞれ、第一配管部４２および第二配管部４３内の真空度を測定することによって、処理チャンバ２０内の圧力を検出する圧力検出手段である。

制御部５０は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ、及び、制御用アプリケーションまたはデータ等を記憶する記憶部を備えている。制御部５０は、真空計４６によって測定した処理チャンバ２０内の圧力に基づき、第一調整弁４４及び第二調整弁４５を制御する。これによって、第一調整弁４４または第二調整弁４５の各々における雰囲気の排気速度（雰囲気の流速）を制御する。第一調整弁４４、第二調整弁４５および制御部５０は、流量調整部を構成する。

第二配管部４３の配管径（断面の開口面積）は、第一配管部４２の配管径よりも大きくなっている。このため、第二流路部（共有配管部４１および第一配管部４２）の方が、第一流路部（共有配管部４１および第一配管部４２）よりも、単位時間あたりに雰囲気が流れることのできる量（最大流量）が大きくなっている。このため、第二流路部は、高速排気を行うのに適した構成となっている。なお、第二配管部４３の配管径を、その全長にわたって第一配管部４２の配管径よりも大きくする必要はない。すなわち、第二配管部４３のうち一部の配管径を第一配管部４２のうちの一部の配管径よりも大きくすることによって、第二流路部の最大流量が第一流路部の最大流量よりも大きくなるようにしてもよい。

また、第一配管部４２は、第二配管部４３よりも配管径が小さいため、雰囲気の流量が比較的抑えられる。このため、第一配管部４２は、流量制御を高精度に行い易い構成となっている。なお、流量は流速に比例するため、流量制御は流速制御と言い換えることもできる。また、第一調整弁４４は第二調整弁４５よりも弁サイズが小さいため、調整可能な開度の大きさ（開度調整幅）も小さくなっている。開度調整幅が小さい程、一般的に、開度調整の分解能は向上する。例えば、一般的なバタフライ弁の場合、弁サイズが小さい程、ハンドルの単位あたりの回転角度に対応する開度の変更量が小さくなる。すなわち、開度調整の分解能が向上する。このため、開度の調整精度についても、第二調整弁４５よりも第一調整弁４４の方が優れている。したがって、調整弁の面においても、第一流路部の方が、第二流路部よりも高精度な流量制御が可能となっている。

図３は、減圧乾燥処理における処理チャンバ２０内の圧力変化を示す図である。図３において、横軸は時間を示し、縦軸は圧力を示している。また、圧力変化グラフ６０は、制御部５０が流量制御を行う際の目標とする圧力を示したものである。すなわち、制御部５０は、真空計４６を監視することによって、処理チャンバ２０の圧力が、圧力変化グラフ６０に沿って変化するように、第一調整弁４４および第二調整弁４５を制御する。

なお、図３に示される減圧乾燥処理が開始される前に、処理液であるレジスト液が塗布された（付着した）基板９０は、処理チャンバ２０に収容され、複数の支持ピン２４に支持されているものとする（支持工程）。

図３に示されるように、本実施形態では、まず、低速排気を行う第一排気工程が行われる（期間Ｔｅ１（時間ｔ０−ｔ１））。この工程では、処理チャンバ２０内の圧力を、大気圧Ｐ０から第一目標圧Ｐ１に向けて低下させる。より具体的には、第二調整弁４５が閉じられ、第一調整弁４４が開放される。そして、共有配管部４１および第一配管部４２によって形成される第一流路を通じて、処理チャンバ２０内の雰囲気を比較的低速で排気する。第一目標圧Ｐ１は、基板９０に塗布されたレジスト液の溶媒が突沸するよりも若干高い圧力とされる。第一排気工程では、基板に塗布された処理液の溶媒が突沸しないように、比較的穏やかな減圧が行われる。これによって、基板９０に形成する薄膜の均一化を図ることができる。

時間ｔ１まで経過すると、高速排気する第二排気工程が行われる（期間Ｔｅ２（時間ｔ１−ｔ２））。この第二排気工程では、処理チャンバ２０内の圧力を、第一目標圧Ｐ１から当該第一目標圧よりも低い第二目標圧Ｐ２に向けて低下させる。より具体的には、第一調整弁４４が閉じられ、第二調整弁４５が開放される。そして、共有配管部４１および第二配管部４３によって形成される第二流路を通じて、処理チャンバ２０内の雰囲気を比較的高速で排気する。なお、この高速排気工程では、第一調整弁４４が開放されたままとしてよい。

時間ｔ２まで経過すると、処理チャンバ２０内の圧力を、第二目標圧Ｐ２に維持する圧力維持工程が行われる（期間Ｔｅ３（時間ｔ２−ｔ３））。より具体的には、第一調整弁４４および第二調整弁４５が閉じられることによって、処理チャンバ２０の気密性が高められる。なお、第一調整弁４４または第二調整弁４５を完全に閉じずに、処理チャンバ２０の排気を継続して行うことによって、処理チャンバ２０内の圧力が第二目標圧Ｐ２に維持されるようにしてもよい。

第二排気工程および圧力維持工程によって、処理チャンバ２０内の真空度が極めて高くなる。これによって、基板９０に塗布された処理液の溶媒を急速に乾燥させることができる。

時間ｔ３まで経過すると、処理チャンバ２０内を大気開放する大気開放工程が行われる（期間Ｔｅ４（時間ｔ３以降））。例えば、共有配管部４１などに設けられた大気開放弁が開放されることによって、処理チャンバ２０内に大気などが送られる。大気開放工程が完了すると、基板９０は処理チャンバ２０から搬出され、次の処理部（プリベーク部１４、露光部１５）に搬送される。

第一排気工程においては、配管径が比較的小さい第一配管部４２を含む第一流路部、および、弁サイズが比較的小さい第一調整弁４４を介して行われる。上述したように、これらの構成は、流量制御を高精度に行うことが可能となっている。このため、高精度な圧力制御を良好に行うことが可能となっている。したがって、圧力変化グラフ６１で示されるように、期間Ｔｅ１における圧力変化を、目標とする圧力変化グラフ６０に近づけることができる。

また、第二排気工程においては、配管径が比較的大きい第二配管部４３を含む第二流路部、および、弁サイズが比較的大きい第二調整弁４５を介して行われる。上述したように、これらの構成は、高速排気に適した構成である。このため、圧力変化グラフ６１で示されるように、期間Ｔｅ２における圧力変化を、目標とする圧力変化グラフ６０に近づけることができる。

＜２． 第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。なお、以降の説明において、既に説明した要素と同様の機能を有する要素については、同じ符号またはアルファベットを追加した符号を付して、詳細な説明を省略する場合がある。

図４は、第２実施形態に係る基板処理装置１Ａを示す概略構成図である。基板処理装置１Ａにおける配管部４０Ａは、第一調整弁４４の代わりに、第一調整弁４４Ａを備えている点で、基板処理装置１における配管部４０とは相違している。

第一調整弁４４Ａの弁サイズは、第二調整弁４５の弁サイズと同一とされている。すなわち、第一調整弁４４Ａの開度調整幅は、第二調整弁４５の開度調整幅と同一となっている。このため、弁サイズが比較的小さい第一調整弁４４に比べると、第一調整弁４４Ａは、流量制御の精度面で劣っている。しかしながら、第一配管部４２の配管径は比較的細いため、流量制御の精度はある程度保たれている。したがって、基板処理装置１Ａによっても、低速排気の第一排気工程を良好に実施することが可能である。

＜３． 第３実施形態＞
図５は、第３実施形態に係る基板処理装置１Ｂを示す概略構成図である。基板処理装置１Ｂにおける配管部４０Ｂは、第一配管部４２の代わりに、第一配管部４２Ａを備えている点で、基板処理装置１における配管部４０とは相違している。

第一配管部４２Ａの配管径は、第二配管部４３と同一とされている。このため、配管径が比較的小さい第一配管部４２に比べると、第一配管部４２Ａは、流量制御の精度面で劣っている。しかしながら、第一配管部４２Ａに設けられた第一調整弁４４は、弁サイズが比較的小さいため、流量制御の精度はある程度保たれている。したがって、基板処理装置１Ｂによっても、低速排気の第一排気工程を良好に実施することが可能である。

＜４． 第４実施形態＞
図６は、第４実施形態に係る基板処理装置１Ｃを示す概略構成図である。基板処理装置１Ｃは、排気ポンプ３０の代わりに、第一排気ポンプ３１および第二排気ポンプ３２を備えている。また、基板処理装置１Ｃは、配管部４０の代わりに配管部４０Ｃを備えている。

配管部４０Ｃは、共有配管部４１Ａ、第一配管部４２Ｂおよび第二配管部４３Ａを備えている。共有配管部４１Ａの一端は、処理チャンバ２０の底部に形成された共有排気口２８に接続されている。また、共有配管部４１Ａの他端は、第一配管部４２Ｂの一端および第二配管部４３Ａの一端に接続されている。第一配管部４２Ｂの他端は、第一排気ポンプ３１に接続されている。第二配管部４３Ａの他端は、第二排気ポンプ３２に接続されている。第一配管部４２Ｂと第二配管部４３Ａの配管径は、略同一とされている。

また、共有配管部４１Ａには、真空計４６が設けられている。制御部５０は、この真空計４６の測定結果に基づいて、第一調整弁４４Ａおよび第二調整弁４５を制御する。

第二排気ポンプ３２は、第一排気ポンプ３１よりも、排気能力が高い。したがって、処理チャンバ２０および第二排気ポンプ３２の間を接続する第二流路部（共有配管部４１Ａおよび第二配管部４３Ａ）は、処理チャンバ２０および第一排気ポンプ３１の間を接続する第一流路部（共有配管部４１Ａおよび第一配管部４２Ｂ）も、最大流量が大きくなっている。

このように、基板処理装置１Ｃにおいては、第一流路部の最大流量が、第二流路部の最大流量よりも小さい。このため、第一流路部に設けられた第一調整弁４４Ａによって、流量制御を精度よく行うことが可能となっている。一方、第二流路部は、最大流量が大きいために、高速排気を良好に行うことが可能となっている。

基板処理装置１Ｃにおいては、低速排気である第一排気工程では、第一流路部に設けられた第一調整弁４４Ａを制御して流量制御を行い、高速排気である第二排気工程では、第二流路部に設けられた４５を制御して流量制御を行う。これによって、第一排気工程および第二排気工程における圧力変化を、目標とする圧力変化（圧力変化グラフ６１）に近づけることができる。

＜５． 第５実施形態＞
図７は、第５実施形態に係る基板処理装置１Ｄを示す概略構成図である。基板処理装置１Ｄは、配管部４０の代わりに配管部４０Ｄを備えている点で、基板処理装置１と相違する。

配管部４０Ｄは、共有配管部４１Ｂ，４１Ｃ、第一配管部４２Ｃおよび第二配管部４３Ｂで構成されている。共有配管部４１Ｂの一端は、処理チャンバ２０の底部に設けられた共有排気口２８に接続されている。また、共有配管部４１Ｂの他端は、第一配管部４２Ｃの一端および第二配管部４３Ｂの一端に接続されている。また、第一配管部４２Ｃの他端および第二配管部４３Ｂの他端は、共有配管部４１Ｃの一端に接続されている。さらに共有配管部４１Ｃの他端は、排気ポンプ３０に接続されている。

また、第二配管部４３Ｂの配管径は、第一配管部４２Ｃの配管径よりも大きい。このため、処理チャンバ２０および排気ポンプ３０の間を接続する第二流路部（共有配管部４１Ｂ、第二配管部４３Ｂおよび共有配管部４１Ｃ）は、処理チャンバ２０および排気ポンプ３０の間を接続する第一流路部（共有配管部４１Ｂ、第一配管部４２Ｃおよび共有配管部４１Ｃ）よりも、最大流量が大きくなっている。

共有配管部４１Ｂの途中には、真空計４６が設けられている。制御部５０は、真空計４６の測定結果に基づいて、第一配管部４２Ｃに設けられた第一調整弁４４および４３Ｂに設けられた第二調整弁４５を制御する。

このように、基板処理装置１Ｄにおいても、基板処理装置１と同様に、第一流路部の最大流量が、第二流路部の最大流量よりも小さい。このため、第一流路部に設けられた第一調整弁４４によって、流量制御を精度よく行うことが可能となっている。一方、第二流路部は、最大流量が大きいために、高速排気を良好に行うことが可能となっている。したがって、第一低速排気である第一排気工程では、第一調整弁４４を制御して流量制御を行い、高速排気である第二排気工程では、第二調整弁４５を制御して流量制御を行う。これによって、第一排気工程および第二排気工程における処理チャンバ２０の圧力変化を、目標とする圧力変化（圧力変化グラフ６０）に近づけることができる。

＜６． 変形例＞
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。

例えば、第１実施形態に係る基板処理装置１において、第一配管部４２が処理チャンバ２０に設けられた１つの第一排気口２６に接続されていてもよい。ただし、処理チャンバ２０に複数の第一排気口２６が設けられ、これらに第一配管部４２が分岐して接続されていてもよい。他の排気口（第二排気口２７および共有排気口２８）についても、同様である。

また、第１実施形態に係る基板処理装置１において、排気ポンプ３０による排気量を制御することによって、低速排気である第一排気工程または高速排気である第二排気工程がおこなわれてもよい。この場合、例えば、排気ポンプ３０が制御部５０によってインバータ制御することが考えられる。真空計４６の測定結果に基づいて、制御部５０が、排気ポンプ３０を制御することによって、処理チャンバ２０における圧力変化を、目標の圧力変化に近づくよう、排気ポンプ３０の排気量を変更させる。なお、低速排気の場合には、第二調整弁４５を閉じて、第一調整弁４４のみを開放することによって、第一流路部が使われるようにすればよい。また、高速排気の場合には、第二調整弁４５を閉じて、第一調整弁４４を開放する、もしくは、第二調整弁４５および第一調整弁４４を開放して、少なくとも第二流路部が使用されるようにすればよい。排気ポンプ３０の排気量を制御する場合、第一調整弁４４および第二調整弁４５を制御しなくても構わない。

また、図３に示される減圧乾燥処理においては、圧力維持工程の後に大気開放工程が実行されているが、圧力維持工程の後に、再度、第二排気工程が実行されてもよい。また、第一排気工程と第二排気工程とが交互に１回ずつ行われているが、これらの工程が、複数回交互に実行されてもよい。さらに、第一排気工程の後に第二排気工程が行われているが、第二排気工程が行われた後に第一排気工程が行われてもよい。また、圧力維持工程は必ずしも必須ではなく、適宜省略可能である。

上記実施形態では、基板処理装置の処理対象が液晶表示装置用のガラス基板である場合を説明した。しかしながら、処理対象となる基板は、半導体ウェハ、プラズマディスプレイ用ガラス基板、磁気・光ディスク用のガラスまたはセラミック基板、有機ＥＬ用ガラス基板、太陽電池用ガラス基板またはシリコン基板、その他フレキシブル基板およびプリント基板などの電子機器向けの各種被処理基板であってもよい。

この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。また、上記各実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。

１００ 基板処理システム
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ 基板処理装置
２０ 処理チャンバ
２４ 支持ピン
３０ 排気ポンプ（排気部）
３１ 第一排気ポンプ（排気部）
３２ 第二排気ポンプ（排気部）
４０，４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ 配管部
４１、４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ 共有配管部
４２、４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ 第一配管部（第一流路部）
４３，４３Ａ，４３Ｂ 第二配管部（第二流路部）
４４，４４Ａ 第一調整弁（流量調整部）
４５ 第二調整弁（流量調整部）
４６ 真空計（圧力検出部）
５０ 制御部（流量調整部）
６０，９６０ 目標の圧力変化グラフ
６１，９６１，９６２ 圧力変化グラフ
９０ 基板
Ｐ１ 第一目標圧
Ｐ２ 第二目標圧
Ｔｅ１ 低速排気の期間
Ｔｅ２ 高速排気の期間

Claims (7)

1. 処理液が付着した基板を減圧乾燥する基板処理装置であって、
   基板を収容する処理チャンバと、
   前記処理チャンバ内の雰囲気を排気する排気部と、
   前記処理チャンバから前記排気部までの前記雰囲気の第一流路を形成する第一流路部と、
   前記処理チャンバから前記排気部までの前記雰囲気の第二流路を形成しており、少なくとも前記第二流路の一部は前記第一流路とは異なっている第二流路部と、
   前記処理チャンバ内の圧力を検出する圧力検出部と、
   前記圧力検出部が検出した前記処理チャンバ内の圧力に基づいて、前記第一流路内および前記第二流路内の前記雰囲気の流量を調整する流量調整部と、
   を備え、
   前記第二流路における前記雰囲気の最大流量は、前記第一流路における前記雰囲気の最大流量よりも大きい、基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記流量調整部が、
   前記第一流路部の開度を調整する第一調整弁と、
   前記第二流路部の開度を調整する第二調整弁と、
   前記第一調整弁及び前記第二調整弁を制御する制御部と、
   を備える、基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記第一調整弁の開度調整幅が、前記第二調整弁の開度調整幅よりも小さい、基板処理装置。
4. 請求項１から３のいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
   前記第二流路部の配管径が、前記第一流路部の配管径よりも大きい、基板処理装置。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
   前記排気部は、
   前記第一流路部を通じて前記雰囲気を排気する第一排気部と、
   前記第二流路部を通じて前記雰囲気を排気する第二排気部と、
   を含み、
   前記第二排気部の単位時間あたりの排気量が、前記第一排気部の単位時間あたりの排気量よりも大きい、基板処理装置。
6. 請求項２または３に記載の基板処理装置であって、
   前記制御部は、
   前記第一調整弁を制御することによって、前記処理チャンバ内の圧力を第一目標圧に向けて低下させた後、前記第二調整弁を制御することによって、前記処理チャンバ内の圧力を前記第一目標圧よりも低い第二目標圧に向けて低下させる、基板処理装置。
7. 処理液が付着した基板を減圧乾燥する基板処理方法であって、
   （ａ）処理チャンバ内に基板を支持する支持工程と、
   （ｂ）前記処理チャンバ内の雰囲気を、前記処理チャンバおよび排気部を繋ぐ第一流路を通じて排気する第一排気工程と、
   （ｃ）前記処理チャンバ内の雰囲気を、前記処理チャンバおよび排気部を繋ぐ流路であって、少なくともその一部の流路が、前記第一流路とは異なっている第二流路を通じて排気する第二排気工程と、
   を含み、
   前記第一排気工程は、
   （ｂ−１） 前記処理チャンバ内の圧力に基づいて、前記第一流路内における前記雰囲気の流量を調整する第一調整工程を含み、
   前記第二排気工程は、
   （ｃ−１） 前記処理チャンバ内の圧力に基づいて、前記第二流路内における前記雰囲気の流量を調整する第二調整工程を含み、
   前記第二流路における前記雰囲気の最大流量が、前記第一流路における前記雰囲気の最大流量よりも大きい、基板処理方法。

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