TWI588614B - 減壓乾燥裝置、基板處理裝置以及減壓乾燥方法 - Google Patents

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Description

減壓乾燥裝置、基板處理裝置以及減壓乾燥方法
本發明涉及一種對附著有處理液的基板進行減壓乾燥的技術。
以往， 在半導體晶片（wafer）、液晶顯示裝置用玻璃（ glass）基板、電漿顯示面板（ Plasma Display Panel，PDP）用玻璃基板、光罩（ photo mask）用玻璃基板、彩色濾光片（ color filter）用基板、記錄盤（ disc） 用基板、太陽能電池用基板、電子紙（ electronic paper） 用基板等精密電子裝置用基板的製造步驟中，為了使塗布於基板的處理液乾燥以使用減壓乾燥裝置。這種減壓乾燥裝置具有： 腔室（ chamber）， 收容基板； 以及排氣裝置，將腔室內的氣體排出。現有的減壓乾燥裝置例如記載於專利文獻1中。
當使塗布於基板的光阻劑（ photo resist）等處理液乾燥而形成薄膜時， 如果進行急劇的減壓， 有產生突沸的擔憂。突沸是因塗布於基板表面的光阻劑中的溶劑成分急劇蒸發而產生。如果在減壓乾燥處理中產生突沸， 會產生在光阻劑的表面形成小泡的脫泡現象。因此， 在減壓乾燥處理中， 在初期階段需要不急劇地使腔室內減壓， 而分階段地進行減壓。[現有技術文獻][專利文獻][專利文獻1]日本專利特開2006-261379 號公報
[發明所要解決的問題]
為了分階段地變更腔室內的壓力， 需要調節減壓速度。在專利文獻1 所記載的減壓乾燥裝置中， 在減壓處理中， 一面將腔室內的氣體排出， 一面向腔室內供給惰性氣體（ gas）， 由此對減壓速度進行調節。而且， 為了恰當地調節減壓速度， 而在惰性氣體的供給源與腔室之間設置有可分多個階段地變更開度的閥（ valve）。
另外， 作為對腔室內的減壓速度進行調節的其他方法，也可在腔室與排氣裝置之間設置可分多個階段地變更開度的閥。此時， 可分階段地調整從腔室的排氣量。
不論在調整惰性氣體的供給量及從腔室的排氣量的任一者的情況下， 為了以所需的減壓速度進行減壓處理， 均需要將所述閥設定為與所述減壓速度相應的開度。然而， 即便在對同機型的減壓乾燥裝置設定同一閥開度的情況下， 也會因裝置的個體差或設置環境的差異等而使減壓速度產生偏差。因此， 有所需的減壓速度與現實的減壓速度之間產生背離的情況。
本發明是鑒於這種情況而完成的， 目的在於提供一種技術， 在具有可分多個階段地變更開度的閥的減壓乾燥裝置中， 能夠以與所需的減壓速度更接近的減壓速度進行減壓處理。
[解決問題的技術手段]
為了解決所述問題， 本申請的第一發明是一種減壓乾燥裝置， 對附著有處理液的基板進行減壓乾燥， 所述減壓乾燥裝置包括： 腔室， 收容所述基板； 減壓排氣單元， 對所述腔室內進行減壓排氣； 閥， 介置於所述腔室與所述減壓排氣單元之間， 利用閥的開度來調節減壓排氣的流量； 學習單元， 針對所述閥的規定的每種開度， 獲取表示減壓排氣所引起的所述腔室內的壓力變化的減壓曲線資料（ data）； 輸入單元， 被輸入目標壓力值及目標達到時間； 以及控制部， 對所述閥的開度進行控制； 且所述控制部基於所述減壓曲線資料、所輸入的所述目標壓力值及所述目標達到時間而調節所述閥的開度。
本申請的第二發明是根據第一發明的減壓乾燥裝置， 對所述輸入單元輸入連續的多個所述目標壓力值及所述目標達到時間。
本申請的第三發明是根據第一發明的減壓乾燥裝置， 包括多個所述閥， 且所述控制部使多個所述閥全部以同一開度進行動作。
本申請的第四發明是根據第一發明的減壓乾燥裝置， 所述閥通過改變閥的角度來調節開度。
本申請的第五發明是根據第一發明的減壓乾燥裝置， 所述減壓曲線資料包含： 壓力下降部， 所述腔室內的壓力隨時間經過而下降； 以及壓力穩定部， 所述腔室內的壓力穩定在規定的壓力值； 且在所述目標壓力值低於所述腔室內的原本的壓力值的期間， 所述控制部參照所述壓力下降部來設定所述閥的開度， 在所述目標壓力值與所述腔室內的原本的壓力值大致相同的期間， 所述控制部參照所述壓力穩定部來設定所述閥的開度。
本申請的第六發明是根據第一發明的減壓乾燥裝置， 包括多個所述腔室， 且所述學習單元針對所述腔室的每一個獲取固有的所述減壓曲線資料。
本申請的第七發明是一種基板處理裝置， 對所述基板進行抗蝕液的塗布與顯影， 且包括： 塗布部， 對曝光處理前的所述基板塗布所述抗蝕液； 根據第一發明至第六發明中任一發明的減壓乾燥裝置， 對附著有所述抗蝕液的所述基板進行減壓乾燥； 以及顯影部， 對實施所述曝光處理後的所述基板進行顯影處理。
本申請的第八發明是一種減壓乾燥方法， 通過將附著有處理液的基板收容於腔室內並對所述腔室內進行減壓， 而使所述基板乾燥，所述減壓乾燥方法包括： a）學習步驟，針對調節從所述腔室減壓排氣的流量的閥的規定的每種開度， 獲取表示減壓排氣所引起的所述腔室內的壓力變化的減壓曲線資料； b） 輸入步驟，輸入目標壓力值及目標達到時間；以及c）減壓乾燥步驟，在所述學習步驟及所述輸入步驟之後， 基於所述減壓曲線資料、所輸入的所述目標壓力值及目標達到時間而調節所述閥的開度。
本申請的第九發明是根據第八發明的減壓乾燥方法， 在所述輸入步驟中， 輸入連續的多個的所述目標壓力值及所述目標達到時間。
本申請的第十發明是根據第八發明或第九發明的減壓乾燥方法， 所述減壓曲線資料包含： 壓力下降部， 所述腔室內的壓力隨時間經過而下降； 以及壓力穩定部， 所述腔室內的壓力穩定在規定的壓力值； 且在所述減壓乾燥步驟中， 在所述目標壓力值低於所述腔室內的原本的壓力值的期間， 參照所述壓力下降部來設定所述閥的開度， 在所述目標壓力值與所述腔室內的原本的壓力值大致相同的期間，參照所述壓力穩定部來設定所述閥的開度。
[發明的效果]
根據本申請的第一發明至第十發明， 獲取所使用的腔室在設置環境下的減壓曲線資料， 基於所述減壓曲線資料而調節閥的開度。因此， 不論裝置的個體差或設置環境如何， 均能夠以與所需的減壓速度更接近的減壓速度進行減壓處理。
以下，一面參照附圖一面對本發明的實施方式進行說明。
＜ 1.第一實施方式＞
＜ 1-1.基板處理裝置的構成＞
圖1 是表示第一實施方式的包括減壓乾燥裝置1 的基板處理裝置9 的構成的概略圖。本實施方式的基板處理裝置9 是對液晶顯示裝置用玻璃基板G 進行抗蝕液的塗布、曝光及曝光後的顯影的裝置。以下， 液晶顯示裝置用玻璃基板G 稱作基板G。
基板處理裝置9 包括搬入部90、清洗部91、去水烘烤（ dehydration bake）部92、塗布部93、作為減壓乾燥部的減壓乾燥裝置1、預烘烤（ pre-bake） 部94、曝光部95、顯影部96、沖洗（rinse）部97、後烘烤（ post bake）部98 及搬出部99 作為多個處理部。基板處理裝置9 的各處理部以所述順序相互鄰接而配置。基板G 利用搬送機構（ 未圖示），如虛線箭頭所示般依照處理的進行而按所述順序向各處理部搬送。
搬入部90 將要在基板處理裝置9 中進行處理的基板G 搬入基板處理裝置9 內。清洗部91 對搬入至搬入部90 的基板G 進行清洗， 而將以微細的顆粒（ part icle） 為首的有機污染或金屬污染、油脂、自然氧化膜等去除。去水烘烤部92 對基板G 進行加熱，使在清洗部91 中附著於基板G 的清洗液氣化， 由此使基板G 乾燥。
塗布部93 對在去水烘烤部92 中進行乾燥處理後的基板G的表面塗布處理液。在本實施方式的塗布部93 中，對基板G 的表面塗布抗蝕液。然後， 減壓乾燥裝置1 利用減壓使塗布於基板G的表面的所述抗蝕液的溶劑蒸發，而使基板G 乾燥。預烘烤部94是加熱處理部， 對在減壓乾燥裝置1 中實施減壓乾燥處理後的基板G 進行加熱， 而使基板G 表面的抗蝕劑成分固化。由此， 在基板G 的表面形成處理液的薄膜、即抗蝕膜。
接下來，曝光部95 對形成有抗蝕膜的基板G 的表面進行曝光處理。曝光部95 經由描繪有電路圖案（ pattern）的光罩照射遠紫外線， 而將圖案轉印至抗蝕膜。顯影部96 將在曝光部95 中曝光圖案後的基板G 浸漬於顯影液中而進行顯影處理。
沖洗部97 利用沖洗液對在顯影部96 中顯影處理後的基板G 進行沖洗。由此使顯影處理的進行停止。後烘烤部98 對基板G 進行加熱，使在沖洗部97 中附著於基板G 的沖洗液氣化，由此使基板G 乾燥。在基板處理裝置9 的各處理部中實施處理後的基板G 被搬送至搬出部99。然後， 從搬出部99 將基板G 搬出至基板處理裝置9 的外部。
另外， 本實施方式的基板處理裝置9 具有曝光部95，但在本發明的基板處理裝置中也可省略曝光部。此時， 將基板處理裝置與另外的曝光裝置組合而使用即可。
＜ 1-2.減壓乾燥裝置的構成＞
圖2 是表示本實施方式的減壓乾燥裝置1 的構成的概略圖。如上所述， 減壓乾燥裝置1 是對塗布有抗蝕液等處理液的基板G 進行減壓乾燥的裝置。如圖2 所示， 減壓乾燥裝置1 具有腔室20、排氣泵（ pump）30、配管部40、惰性氣體供給部50、控制部60 及輸入部70。
腔室20 具有基座（ base）部21 及蓋部22。基座部21 是呈大致水準擴展的板狀的構件。蓋部22 是覆蓋基座部21 的上方的有蓋筒狀的構件。在包含基座部21 及蓋部22 的框體的內部，收容基板G。而且，在蓋部22 的下端部具備密封（ seal）材料221。由此將基座部21 與蓋部22 的接觸部位處的腔室20 的內部與外部的連通阻斷。
在基座部21， 設置有排氣口23。由此可將腔室20 內的氣體經由排氣口23 而排出至腔室20 外。在本實施方式的腔室20，設置有4 個排氣口23。在圖2 中，僅圖示有4 個排氣口23 中的2個排氣口23。另外，設於腔室20 的排氣口23 的數量既可為1 個、2 個或3 個， 也可為5 個以上。
在腔室20 的內部， 設置有支撐機構24。支撐機構24 具有支撐板241、多個支撐銷（ pin）242 及支撐柱243。支撐板241是呈大致水準擴展的板狀的構件。支撐板241 保持多個支撐銷242。在多個支撐銷242 的上端載置基板G，從背面對基板G 進行支撐。支撐銷242 分別從支撐板241 向上方延伸。多個支撐銷242在水準方向上分散配置。由此，基板G 被穩定地支撐。支撐柱243是對支撐板241 進行支撐的構件。支撐柱243 的下端部固定於基座部21。另外， 支撐柱243 的下端部也可固定於升降裝置等其他構件。
另外， 在腔室20 設置有對腔室20 內的壓力進行測定的壓力感測器（ sensor）25。本實施方式的壓力感測器25 設於基座部21，但也可在配管部40 的單獨配管41 或第一共有配管42 設置壓力感測器。
排氣泵30 是將腔室20 內的氣體排出的泵。排氣泵30 經由配管部40 而與腔室20 的排氣口23 連接。由此，如果排氣泵30驅動，便經由排氣口23 及配管部40 將腔室20 內的氣體排出至減壓乾燥裝置1 的外部。所述排氣泵30 為通過以固定的輸出驅動而對腔室20 內進行減壓排氣的減壓排氣手段。從腔室20 的排氣速度的調節是利用後述的閥45 來進行。
配管部40 具有4 個單獨配管41、第一共有配管42、第二共有配管43 及2 個分支配管44。單獨配管41 各自的上游側的端部連接於排氣口23，下游側的端部連接於第一共有配管42。另外， 在本實施方式中，2 個單獨配管41 的下游側的端部連接於第一共有配管42 的一端， 另外2 個單獨配管41 的下游側的端部連接於第一共有配管42 的另一端。
第二共有配管43 的下游側的端部連接於排氣泵30。2 個分支配管44 各自的上游側的端部連接於第一共有配管42 的管路中途，下游側的端部連接於第二共有配管43 的上游側的端部。由此， 腔室20 的內部與排氣泵30 經由4 個排氣口23、4 個單獨配管41、第一共有配管42、2 個分支配管44 及第二共有配管43 而連通。
在分支配管44 中， 分別設置有閥45。閥45 介置於腔室20 與排氣泵30 之間，對減壓排氣的流量進行調節。本實施方式的閥45 是通過改變閥的角度來調節其開度的蝶形閥（ butterflyvalve）。另外， 在本實施方式中閥45 是使用蝶形閥， 但只要是可通過其開度來調節減壓排氣的流量的閥， 也可使用球形閥（ globevalve） 或其他閥。
另外，在本實施方式中，2 個閥45 以相同開度進行動作。即，如果控制部60 將閥45 的開度設定為20%，則2 個閥45 的開度便均被調節為20%。
惰性氣體供給部50 向腔室20 內供給惰性氣體。惰性氣體供給部50 具有惰性氣體供給配管51、惰性氣體供給源52 及開閉閥53。惰性氣體供給配管51 的一端連接於腔室20 的內部空間，另一端連接於惰性氣體供給源52。本實施方式的惰性氣體供給源52 供給乾燥的氮氣作為惰性氣體。開閉閥53 設置於惰性氣體供給配管51 中。因此， 如果開閉閥53 被打開， 便從惰性氣體供給源52 向腔室20 內供給惰性氣體。而且， 如果開閉閥53 被關閉， 從惰性氣體供給源52 向腔室20 的惰性氣體的供給便停止。
另外，惰性氣體供給部50 也可代替氮氣而供給氬氣等其他乾燥的惰性氣體。而且， 減壓乾燥裝置1 也可代替惰性氣體供給部50 而具有供給大氣的大氣供給部。
控制部60 對減壓乾燥裝置1 的各部進行控制。如圖2 中概念性所示，控制部60 包含電腦（ computer），所述計算機具有中央處理器（Central Processing Unit，CPU） 等運算處理部61、隨機存取記憶體（Random Access Memory，RAM）等記憶體（memory）62 及硬碟驅動器（Hard Disk Drive）等儲存部63。而且， 控制部60 與壓力感測器25、排氣泵30、2 個閥45、開閉閥53 及輸入部70 分別電連接。
控制部60 將儲存於儲存部63 中的電腦程式（ program）或資料暫時讀出至記憶體62 中， 運算處理部61 基於所述電腦程式及資料而進行運算處理， 由此對減壓乾燥裝置1 內的各部的動作進行控制。由此， 執行減壓乾燥裝置1 中的減壓乾燥處理。另外，控制部60 既可僅對減壓乾燥裝置1 進行控制，也可對基板處理裝置9 的整體進行控制。
輸入部70 是用於供使用者輸入目標壓力值及目標達到時間的輸入單元。本實施方式的輸入部70 是設於基板處理裝置9 的輸入面板，但輸入部70 也可為其他形態的輸入單元（ 例如，鍵盤或滑鼠等）。如果將目標壓力值及目標達到時間輸入至輸入部70，所述資料便被取入至控制部60。
＜ 1-3.減壓乾燥處理的流程＞
接下來，一面參照圖3～ 圖5，一面對所述減壓乾燥裝置1 中的減壓乾燥處理進行說明。圖3 是表示減壓乾燥裝置1 中的減壓乾燥處理的流程的流程圖。圖4 是表示減壓曲線資料D 的一例的圖。圖5 是表示目標減壓波形R 的一例的圖。
如圖3 所示， 首先， 減壓乾燥裝置1 進行學習步驟（ 步驟ST101）。在學習步驟中，減壓乾燥裝置1 針對預先決定的閥45的每種開度，獲取表示減壓排氣所引起的腔室20 內的壓力變化的減壓曲線資料D（ 參照圖4）。
在步驟ST101 的學習步驟中， 通過與大氣相通而使腔室20 內的壓力成為大氣壓100,000[Pa]之後， 使排氣泵30 驅動， 並且使閥45 以規定的開度打開。而且， 在閥45 打開後利用壓力感測器25 測量腔室20 內的壓力變化直到經過規定的時間為止。由此控制部60 獲取減壓曲線資料D。通過對預先決定的每種開度進行這種壓力測量， 而針對多種開度分別獲取減壓曲線資料D。減壓曲線資料D 例如以表格資料的形式保持於儲存部63 內，所述表格資料是針對閥45 的每種開度而表示經過時間與壓力值的對應關係。
在本實施方式中，如圖4 所示，針對閥45 的開度為5%、7%、8%、10%、12%、15%、20%、50%及100%的情況， 分別獲取減壓曲線資料D。如此，在本實施方式中， 壓力感測器25 及控制部60 構成學習單元80，該學習單元80 針對閥45 的規定的每種開度獲取減壓曲線資料D。
在本實施方式中， 進行步驟ST101 的學習步驟之後， 進行基板G 的減壓乾燥處理。首先， 將目標壓力值及目標達到時間輸入至輸入單元70（步驟ST102）。在本實施方式中，將連續的多個目標壓力值及目標達到時間輸入至輸入單元70。將包含所述多個目標壓力值及目標達到時間的目標減壓波形R 的一例示於圖5。
在圖5 的示例的目標減壓波形R 中，在第一期間T1，目標壓力值為10,000[Pa]，目標達到時間為20[sec]。在第二期間T2，目標壓力值為400[Pa]，目標達到時間為10[sec]。在第三期間T3，目標壓力值為400[Pa]，目標達到時間為10[sec]。即，在第三期間T3， 以將壓力值維持在400[Pa]為目標。另外， 在第四期間T4，目標壓力值為20[Pa]，目標達到時間為5[sec]。而且，在第四期間T4 達到目標壓力值之後， 通過惰性氣體吹洗（ purge） 而使腔室20 內的壓力恢復到大氣壓。通過如圖5 的示例的目標減壓波形R般分階段地進行減壓，而抑制塗布於基板G 的表面的處理液突沸。
其次，將基板G 搬入至腔室20 內（ 步驟ST103）。此時，在閥45 及開閉閥53 關閉的狀態下，利用腔室開閉機構（ 未圖示）使腔室20 的蓋部22 上升。由此將腔室20 打開。然後，將塗布有處理液的基板G 搬入至腔室20 內，並載置於支撐銷242 上。之後利用腔室開閉機構使蓋部22 下降。由此將腔室20 關閉， 從而將基板G 收容於腔室20 內。
在本實施方式中， 在步驟ST102 的輸入步驟之後進行步驟ST103 的基板的搬入步驟， 但也可使步驟ST102 與步驟ST103的順序顛倒。
接下來， 基於步驟ST102 中所輸入的目標壓力值及目標達到時間，使腔室20 內減壓，由此使附著有處理液的基板G 乾燥（步驟ST104）。在步驟ST104 中， 控制部60 選擇具有順著目標減壓波形R 的波形的減壓曲線資料D， 基於所述減壓曲線資料D中的閥45 的開度， 而選擇各期間的閥45 的開度， 所述目標減壓波形R 包含目標壓力值及目標達到時間。
如圖4 所示， 減壓曲線資料D 分別包含壓力下降部D1與壓力穩定部D2。在壓力下降部D1，腔室20 內的壓力隨時間經過而下降。另一方面， 在壓力穩定部D2， 腔室20 內的壓力與減壓排氣的排氣壓成為平衡狀態， 或者從腔室20 內向排氣泵30 的排氣量與從腔室20 外部向腔室20 內的氣體的流入量成為平衡狀態， 由此腔室20 內的壓力穩定在規定的壓力值。
在步驟ST104 中，在壓力下降的第一期間T1、第二期間T2 及第四期間T4，根據減壓曲線資料D 的壓力下降部D1 來決定閥45 的開度。另外， 在維持壓力的第三期間T3， 根據減壓曲線資料D 的壓力穩定部D2 來決定閥45 的開度。
例如， 在第一期間T1， 需要在20[sec]的期間從大氣壓100,000[Pa]減壓至10,000[Pa]。控制部60 參照減壓曲線資料D 的壓力下降部D1， 並基於開度為8%時從100,000[Pa]減壓至10,000[Pa]的期間為約20[sec]的情況， 將第一期間T1 的閥45 的開度設定為8%。
然後，在第二期間T2，需要在10[sec]的期間從第一期間T1 的目標壓力值10,000[Pa]減壓至400[Pa]。另一方面，參照減壓曲線資料D 的壓力下降部D1，當開度為12%時，從10,000[Pa]減壓至400[Pa]的期間為約9[sec]。另外， 當開度為10%時，從10,000[Pa]減壓至400[Pa]的期間為約12[sec]。
基於此， 在本實施方式中， 控制部60 將第二期間T2 的閥45 的開度設定為10%。即，當在已獲取減壓曲線資料D 的多種開度中， 無符合所需的目標減壓波形R 的開度時， 本實施方式的控制部60 從近似的2 種開度中，選擇開度小的。如果如上所述般選擇減壓速度比目標減壓波形R 更慢的開度，可防止腔室20 內的壓力低於目標減壓波形R。因此， 進一步抑制塗布於基板G 上的處理液的突沸。此時，控制部60 也可基於開度10%的減壓曲線資料D， 將第二期間T2 延長至12[sec]。
另外，控制部60 也可根據在所述期間與目標減壓波形R近似的2 種開度， 通過計算而算出符合目標減壓波形R 的開度。此時， 將第二期間T2 的閥45 的開度設定為通過計算而算出的開度。
接下來， 第三期間T3 的目標壓力值400[Pa]是與第二期間T2 的目標壓力值400[Pa]相同的壓力值。即， 在第三期間T3，需要在10[sec]的期間將腔室20 內的壓力維持在400[Pa]。控制部60 參照減壓曲線資料D 的壓力穩定部D2，並基於開度為7%時壓力維持在約400[Pa]的情況，將第三期間T3 的閥45 的開度設定為7%。
然後， 在第四期間T4， 需要在5[sec]的期間從第三期間T3 的目標壓力值400[Pa]減壓至20[Pa]。控制部60 參照減壓曲線資料D 的壓力下降部D1， 並基於開度50%時從400[Pa]減壓至20[Pa]的期間為約5[sec]的情況，將第四期間T4 的閥45 的開度設定為50%。
在第四期間T4 結束之後，控制部60 將閥45 關閉而停止從腔室20 內的排氣。然後， 將開閉閥53 打開， 進行從惰性氣體供給源52 向腔室20 內的惰性氣體的吹洗。由此使腔室20 內的氣壓上升至大氣壓。當腔室20 內的壓力變為大氣壓時，將開閉閥53關閉。由此減壓乾燥步驟結束。
之後，從腔室20 搬出基板G（ 步驟ST105）。在步驟ST105中， 與步驟ST103 同樣地， 在閥45 及開閉閥53 關閉的狀態下，利用腔室開閉機構使腔室20 的蓋部22 上升。由此將腔室20 打開。然後將實施減壓乾燥處理後的基板G 搬出至腔室20 外。
如果減壓乾燥裝置1 的設置環境不同，即便閥45 的開度相同，腔室20 內的減壓速度也各不相同。因此，有根據減壓乾燥裝置1 的設置環境， 所需的減壓速度與現實的減壓速度之間產生背離的擔憂。
在本實施方式中，在利用步驟ST102、步驟ST103、步驟ST104 以及步驟ST105 進行的基板G 的減壓乾燥處理之前， 進行步驟ST101 的學習步驟。由此， 在與減壓乾燥裝置1 進行基板G的減壓乾燥處理時相同的設置環境下， 獲取減壓曲線資料D。通過基於該減壓曲線資料D 進行減壓乾燥處理， 可抑制所需的減壓速度與現實的減壓速度之間產生背離。即， 能夠以與所需的減壓速度更接近的減壓速度進行減壓處理。
另外，步驟ST101 的學習步驟也可不在利用步驟ST102、步驟ST103、步驟ST104 以及步驟ST105 進行的基板G 的每次減壓乾燥處理時進行。所述學習步驟也可在減壓乾燥裝置1 的設置或移設時進行， 或者在定期的維護（maintenance） 時進行。
另外， 即便是利用同一設計所製造的多個減壓乾燥裝置1，因製造誤差等，即便以相同的閥45 的開度進行減壓乾燥處理，各減壓乾燥裝置1 的腔室20 內的減壓速度也存在偏差。通過如本實施方式般在各減壓乾燥裝置1 中， 在減壓乾燥處理之前獲取減壓曲線資料D， 可抑制如下情況： 因減壓乾燥裝置1 的個體差，所需的減壓速度與現實的減壓速度之間產生背離。即， 能夠以與所需的減壓速度更接近的減壓速度進行減壓處理。
如此，根據本實施方式的減壓乾燥裝置1，不論裝置的個體差或設置環境如何， 均可在目標減壓波形R 的各期間， 以與所需的減壓速度接近的減壓速度進行減壓處理。由此， 抗蝕液的突沸得到抑制， 從而可獲得平滑的抗蝕膜。
＜ 2.變形例＞
以上， 對本發明的一實施方式進行了說明， 但本發明並不限定於所述實施方式， 例如也可如下所述般變形而實施。
在所述實施方式的減壓乾燥裝置中， 通過針對目標減壓波形R 的每個期間， 將各減壓曲線資料中的從原本的壓力值到目標壓力值的減壓所花費的時間、與目標達到時間進行比較， 而設定閥的開度， 但本發明並不限於此。本發明的減壓乾燥裝置也可根據各減壓曲線資料算出減壓速度或減壓加速度等參數（ parameter），基於該參數而設定閥的開度。另外，本發明的減壓乾燥裝置也可使用其他演算法（ algorithm），基於減壓曲線資料而設定閥的開度。
另外， 在所述實施方式中， 減壓乾燥裝置僅具有1 個腔室， 但本發明並不限於此。減壓乾燥裝置也可具有多個腔室、以及與各腔室連接的多個配管部。此時， 控制部優選針對多個腔室的每一個， 獲取固有的減壓曲線資料。由此， 對應於各腔室的固有的壓力變化特性， 可實現與目標減壓波形更接近的減壓波形。
另外， 在所述實施方式中， 配管部具有2 個閥， 但配管部所具備的閥既可為1 個， 也可為3 個以上。
另外， 在所述實施方式中， 使2 個閥以相同開度進行動作， 但也可分別以不同開度進行動作。此時， 製作將各個閥的開度組合而成的表格資料即可。
另外， 所述實施方式的減壓乾燥裝置是基板處理裝置的一部分， 但本發明的減壓乾燥裝置也可為不與其他處理部一起設置的獨立的裝置。另外， 所述實施方式的減壓乾燥裝置是使附著有抗蝕液的基板乾燥， 但本發明的減壓乾燥裝置也可使附著有其他處理液的基板乾燥。
另外， 所述實施方式的減壓乾燥裝置是將液晶顯示裝置用玻璃基板作為處理對象， 但本發明的減壓乾燥裝置也可將PDP用玻璃基板、半導體晶片、光罩用玻璃基板、彩色濾光片用基板、記錄盤用基板、太陽能電池用基板等其他精密電子裝置用基板作為處理對象。
另外， 也可將所述實施方式及變形例中出現的各要素在不產生矛盾的範圍內適當組合。
1‧‧‧減壓乾燥裝置（減壓乾燥部）
9‧‧‧基板處理裝置
20‧‧‧腔室
21‧‧‧基座部
22‧‧‧蓋部
23‧‧‧排氣口
24‧‧‧支撐機構
25‧‧‧壓力感測器
30‧‧‧排氣泵（減壓排氣單元）
40‧‧‧配管部
41‧‧‧單獨配管
42‧‧‧第一共有配管
43‧‧‧第二共有配管
44‧‧‧分支配管
45‧‧‧閥
50‧‧‧惰性氣體供給部
51‧‧‧惰性氣體供給配管
52‧‧‧惰性氣體供給源
53‧‧‧開閉閥
60‧‧‧控制部
61‧‧‧運算處理部
62‧‧‧記憶體
63‧‧‧儲存部
70‧‧‧輸入單元(輸入部)
80‧‧‧學習單元
90‧‧‧搬入部
91‧‧‧清洗部
92‧‧‧去水烘烤部
93‧‧‧塗布部
94‧‧‧預烘烤部
95‧‧‧曝光部
96‧‧‧顯影部
97‧‧‧沖洗部
98‧‧‧後烘烤部
99‧‧‧搬出部
221‧‧‧密封材料
241‧‧‧支撐板
242‧‧‧支撐銷
243‧‧‧支撐柱
D‧‧‧減壓曲線資料
D1‧‧‧壓力下降部
D2‧‧‧壓力穩定部
G‧‧‧基板
R‧‧‧目標減壓波形
ST101～ST105‧‧‧步驟
T1‧‧‧第一期間
T2‧‧‧第二期間
T3‧‧‧第三期間
T4‧‧‧第四期間
圖1 是表示第一實施方式的基板處理裝置的構成的概略圖。圖2 是表示第一實施方式的減壓乾燥裝置的構成的概略圖。圖3 是表示第一實施方式的減壓乾燥處理的流程的流程圖（ flow chart ）。圖4 是表示第一實施方式的減壓曲線資料的一例的圖。圖5 是表示第一實施方式的目標減壓波形的一例的圖。
1‧‧‧減壓乾燥裝置(減壓乾燥部)
20‧‧‧腔室
21‧‧‧基座部
22‧‧‧蓋部
23‧‧‧排氣口
24‧‧‧支撐機構
25‧‧‧壓力感測器
30‧‧‧排氣泵(減壓排氣單元)
40‧‧‧配管部
41‧‧‧單獨配管
42‧‧‧第一共有配管
43‧‧‧第二共有配管
44‧‧‧分支配管
45‧‧‧閥
50‧‧‧惰性氣體供給部
51‧‧‧惰性氣體供給配管
52‧‧‧惰性氣體供給源
53‧‧‧開閉閥
60‧‧‧控制部
61‧‧‧運算處理部
62‧‧‧記憶體
63‧‧‧儲存部
70‧‧‧輸入單元(輸入部)
80‧‧‧學習單元
221‧‧‧密封材料
241‧‧‧支撐板
242‧‧‧支撐銷
243‧‧‧支撐柱
G‧‧‧基板

Claims (9)

  1. 一種減壓乾燥裝置，對附著有處理液的基板進行減壓乾燥，所述減壓乾燥裝置包括：腔室，收容所述基板；減壓排氣單元，對所述腔室內進行減壓排氣；閥，介置於所述腔室與所述減壓排氣單元之間，利用所述閥的開度來調節減壓排氣的流量；學習單元，針對所述閥的規定的每種開度，獲取表示減壓排氣所引起的所述腔室內的壓力變化的減壓曲線資料；輸入單元，被輸入目標壓力值及目標達到時間；以及控制部，對所述閥的開度進行控制；且所述控制部基於所述減壓曲線資料、所輸入的所述目標壓力值及所述目標達到時間而調節所述閥的開度，其中所述減壓曲線資料包含：壓力下降部，所述腔室內的壓力隨時間經過而下降；以及壓力穩定部，所述腔室內的壓力穩定在規定的壓力值；且在所述目標壓力值低於所述腔室內的原本的壓力值的期間，所述控制部參照所述壓力下降部來設定所述閥的開度，在所述目標壓力值與所述腔室內的原本的壓力值大致相同的期間，所述控制部參照所述壓力穩定部來設定所述閥的開度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的減壓乾燥裝置，其中：對所述輸入單元輸入連續的多個所述目標壓力值及所述目標 達到時間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的減壓乾燥裝置，其中：包括多個所述閥，且所述控制部使多個所述閥全部以同一開度進行動作。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的減壓乾燥裝置，其中：所述閥通過改變閥的角度來調節開度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的減壓乾燥裝置，其中：包括多個所述腔室，且所述學習單元針對所述腔室的每一個，獲取固有的所述減壓曲線資料。
  6. 一種基板處理裝置，對基板進行抗蝕液的塗布與顯影，所述基板處理裝置包括：塗布部，對曝光處理前的所述基板塗布所述抗蝕液；如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的減壓乾燥裝置，對附著有所述抗蝕液的所述基板進行減壓乾燥；以及顯影部，對實施所述曝光處理後的所述基板進行顯影處理。
  7. 一種減壓乾燥方法，通過將附著有處理液的基板收容於腔室內並對所述腔室內進行減壓，而使所述基板乾燥，所述減壓乾燥方法包括：學習步驟，針對調節從所述腔室減壓排氣的流量的閥的規定的每種開度，獲取表示減壓排氣所引起的所述腔室內的壓力變化的減壓曲線資料； 輸入步驟，輸入目標壓力值及目標達到時間；以及減壓乾燥步驟，在所述學習步驟及所述輸入步驟之後，基於所述減壓曲線資料、所輸入的所述目標壓力值及目標達到時間而調節所述閥的開度。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的減壓乾燥方法，其中：在所述輸入步驟中，輸入連續的多個的所述目標壓力值及所述目標達到時間。
  9. 如申請專利範圍第7項或第8項所述的減壓乾燥方法，其中，所述減壓曲線資料包含：壓力下降部，所述腔室內的壓力隨時間經過而下降；以及壓力穩定部，所述腔室內的壓力穩定在規定的壓力值；且在所述減壓乾燥步驟中，在所述目標壓力值低於所述腔室內的原本的壓力值的期間，參照所述壓力下降部來設定所述閥的開度，在所述目標壓力值與所述腔室內的原本的壓力值大致相同的期間，參照所述壓力穩定部來設定所述閥的開度。
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