TWI479111B - 減壓乾燥方法及減壓乾燥裝置 - Google Patents

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TWI479111B
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Kazuya Iwanaga
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Tokyo Electron Ltd
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Description

減壓乾燥方法及減壓乾燥裝置
本發明，係有關於將被塗布有塗布液之被處理基板置於減壓環境下，並藉由此來對於前述基板上之塗布膜施加乾燥處理之減壓乾燥方法及減壓乾燥裝置。
例如，在FPD(平面面板顯示器)之製造中，係藉由所謂的光微影工程而形成電路圖案。
前述光微影工程，具體而言係如同下述一般地進行。
首先，在玻璃基板等之被處理基板上成膜特定之膜，之後，將身為塗布液之光阻劑作塗布，並形成光阻膜。而後，對應於電路圖案而使光阻膜曝光，再對此進行顯像處理。
在此種光微影工程中，係如圖8(a)中所示一般，而在光阻圖案R處使其具有相異之膜厚(厚膜部R1和薄膜部R2)，並利用此來進行複數次之蝕刻處理，藉由此，係能夠將光罩數以及工程數減少。另外，此種光阻圖案R，係可經由使用有在1枚中而具備有光之透過率為相異的部分之半色調遮罩(half tone mask)的半(半色調)曝光處理，而得到之。
針對在使用了被適用有此半曝光之光阻圖案R的情況時之電路圖案形成工程，使用圖8(a)～(e)來作具體說明。
例如，在圖8(a)中，係在玻璃基板G上，依序層積閘極電極200、絕緣層201、由a-Si層(無摻雜非晶質Si層)202a和n+a-Si層202b(磷摻雜非晶質Si層)所成之Si層202、用以形成電極之金屬層203。
又，在金屬層205上，係被形成有藉由前述半曝光處理以及顯像處理所得到之光阻圖案R。
在此光阻圖案R(厚膜部R1以及薄膜部R2)之形成後，如圖8(b)中所示一般，將此光阻圖案R作為遮罩，而進行金屬膜之蝕刻(第1次蝕刻)。
接著，對於光阻圖案R全體，而在電漿中施加灰化處理。藉由此，如圖8(c)中所示一般，係得到將膜厚作了一半左右的減膜之光阻圖案R3。
之後，如圖8(d)中所示一般，將此光阻圖案R3作為遮罩來利用，並對於露出之金屬膜203或者是Si層202而進行蝕刻(第2次蝕刻)，最後，如同圖8(e)中所示一般，藉由將光阻R3除去而得到電路圖案。
另外，在用以形成前述光阻圖案R之半曝光處理的前段工程中，係在對於基板面之光阻液的塗布處理後，進行有將被作了塗布的光阻膜在減壓環境下而乾燥之減壓乾燥處理。
在此減壓乾燥處理中，係將被塗布有光阻液之基板收容於腔內，並將腔內減壓至光阻液中之溶劑的蒸氣壓，而在特定時間之間，藉由使光阻中之溶劑蒸發，來進行乾燥處理。
另外，關於將被塗布於基板上之光阻液等的塗布液作減壓乾燥之減壓乾燥裝置，係於專利文獻1中有所揭示。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-47797號公報
然而，本發明者們，係發現了：若是如同在先前技術中所進行之減壓乾燥處理一般地而於其之開始時便將腔內之壓力一直減壓至溶劑之蒸氣壓，則如同圖9之測定結果所示一般，溶劑會從光阻膜而突沸性地蒸發(25秒附近)，而此事會對於減壓乾燥後之光阻膜的均一性造成不良影響。
進而，亦得知了：當如同前述一般而經由半曝光處理來形成具有厚膜部R1以及薄膜部R2之光阻圖案R，並對其如同圖8(c)一般地而進行了灰化處理的情況時，在作為殘留膜所得到之光阻圖案R3(圖8(c))中，會由於前述光阻膜之不均一性而產生偏差。
具體而言，在基板面內，係會混合存在有如圖10(a)中所示一般之殘留膜圖案的膜厚、線寬幅過小之部分和如圖10(b)中所示一般之過大之部分，而此會成為問題。
本發明，係為有鑑於上述一般之先前技術的問題點所進行者，其目的，係在於提供一種：在對於被形成在被處理基板上之塗布膜而施加乾燥處理之減壓乾燥裝置中，能夠將乾燥處理後之塗布膜的面內均一性提升，並且能夠將在配線圖案形成過程中之前述塗布膜的殘留膜厚以及線寬幅之均一性提升的減壓乾燥方法及減壓乾燥裝置。
為了解決前述課題，本發明之減壓乾燥方法，係為將被形成有塗布膜之被處理基板置於減壓環境下並使前述塗布膜中之溶劑蒸發而施加前述塗布膜的乾燥處理之減壓乾燥方法，其特徵為：在將被形成有塗布膜之前述基板收容在腔中並且將前述腔內設為減壓環境之工程中，係包含有：將前述腔內之壓力以第1減壓速度來減壓，並設為較前述溶劑之蒸氣壓更高而至少不會使前述溶劑突沸性地蒸發的第1壓力值之步驟；和從前述第1壓力值起，以較前述第1減壓速度更低之第2減壓速度來緩慢地減壓，直到至少成為前述溶劑的蒸氣壓為止之步驟。
另外，較理想，在將前述腔內之壓力設為前述溶劑的蒸氣壓之步驟後，係更進而實施：以前述第2減壓速度來減壓，並設為較前述溶劑之蒸氣壓更低的第2壓力值之步驟。
若依據此種方法，則係從腔內之壓力為較溶劑之蒸氣壓更高的至少不會使前述溶劑突沸性地蒸發之第1壓力值的時間點起，來以更低速度之平緩的第2減壓速度進行減壓。
藉由此控制，在基板面附近之壓力值，係會無偏差地而維持面內均一之狀態並緩慢地減壓，並到達溶劑之蒸氣壓。
其結果，從塗布膜而來之溶劑的突沸性蒸發係被抑制，而能夠進行低速度下之溶劑的蒸發，並能夠將光阻之乾燥狀態設為均一。
又，藉由使光阻之乾燥狀態成為均一，係能夠將例如在使用有半曝光處理的情況時之配線圖案形成過程中的圖案殘留膜厚以及線寬幅之均一性提升。
又，為了解決前述課題，本發明之減壓乾燥裝置，係為將被形成有塗布膜之被處理基板置於減壓環境下並使前述塗布膜中之溶劑蒸發而施加前述塗布膜的乾燥處理之減壓乾燥裝置，其特徵為，具備有：腔，係收容被形成有塗布膜之前述基板；排氣手段，係將前述腔內排氣；排氣量調整手段，係對於前述腔之排氣量作調整；壓力檢測手段，係檢測出前述腔內之壓力；和控制手段，係根據前述壓力檢測手段之檢測結果，而對於由前述排氣量調整手段所致之排氣調整量作控制，前述控制手段，係以將前述腔內之壓力以第1減壓速度來減壓，並設為較前述溶劑之蒸氣壓更高而至少不會使前述溶劑突沸性地蒸發之第1壓力值的方式，來控制前述排氣量調整手段，並且，以從前述第1壓力值起，以較前述第1減壓速度更低之第2減壓速度來緩慢地減壓，直到至少成為前述溶劑的蒸氣壓為止的方式，來控制前述排氣量調整手段。
另外，較理想，前述控制手段，係以將前述腔內之壓力藉由前述第2減壓速度來緩慢地減壓至較前述溶劑之蒸氣壓更低之第2壓力值的方式，來控制前述排氣量調整手段。
若依據此種構成，則從塗布膜而來之溶劑的突沸性蒸發係被抑制，而能夠進行低速度下之溶劑的蒸發，並能夠將光阻之乾燥狀態設為均一。
又，藉由使光阻之乾燥狀態成為均一，係能夠將例如在使用有半曝光處理的情況時之配線圖案形成過程中的圖案殘留膜厚以及線寬幅之均一性提升。
若依據本發明，則能夠得到一種：在對於被形成在被處理基板上之塗布膜而施加乾燥處理之減壓乾燥裝置中，能夠將乾燥處理後之塗布膜的面內均一性提升，並且能夠將在配線圖案形成過程中之前述塗布膜的殘留膜厚以及線寬幅之均一性提升之減壓乾燥方法及減壓乾燥裝置。
以下，根據圖1乃至圖3，針對本發明之減壓乾燥方法及減壓乾燥裝置的其中一種實施形態作說明。
如圖1中所示一般，此減壓乾燥裝置1，係具備有用以將其之內部空間維持為氣密的腔2，此腔2，係具備有下部腔2a和以將其之上方作覆蓋的方式而可升降移動地作設置之上部腔2b。
在下部腔2a處，係被設置有用以將身為被處理基板之玻璃基板G作載置的平台4，此平台4，係為了使基板之搬入搬出成為容易，而經由可升降之軸6來支持。在平台4上，係被設置有用以載置基板G之複數的固定銷5，此些之複數的固定銷5，係在平台4上被作分散配置。另外，此固定銷5，較理想，係藉由與基板G實質上相同之材質(在本實施形態中，係為玻璃)來形成。
又，在下部腔2a之各角隅部處，係被設置有4個的排氣口10(在圖1中，係展示有其中2個)。在各排氣口10處，係通連有排氣管11，排氣管11係被與排氣幫浦17(排氣手段)作連接。亦即是，係構成為：在下部腔2a之處密著有上部腔2b，腔2內係被設為氣密狀態，藉由以排氣幫浦17來透過排氣管11而進行排氣，腔2內係被減壓並被設為特定之真空狀態。
在排氣管11之途中，係被設置有流量調整閥15(排氣量調整手段)和主閥16。前述流量調整閥15，係經由由電腦所成之控制部20來對於其之閥開度作控制，並因應於此開度來決定腔2內之排氣量。
又，在排氣管11處，係被設置有用以進行腔2內之壓力檢測的壓力檢測部18(壓力檢測手段)，控制部20，係設為根據壓力檢測部18之檢測結果來設定流量調整閥15之閥開度。
又，控制部20，係為了依據一定之控制來進行腔2內之減壓，而記憶有特定之控制程式，在減壓乾燥處理之開始時，係構成為實行此控制程式。
另外，此控制程式，係構成為以如圖3中所示一般地伴隨著時間經過而使腔2內之壓力變化的方式來進行控制。又，在此圖3中，於以實線所示之壓力線處，係設為作直線性之壓力變化者，但是，係並不被限定於此，亦可如同以一點鍊線所示一般地而進行曲線性地變化之控制。
接著，針對使用有前述控制程式之減壓乾燥處理作說明。
在前段工程中，若是在基板G之被處理面上被塗布有身為塗布液之光阻液，則前述基板G係被搬入至減壓乾燥裝置1中，並被載置於平台4上。
又，係相對於下部腔2a而使上部腔2b作閉合，並將基板G收容在氣密狀態之腔2內(圖2之步驟S1)。
若是腔2內被設為氣密狀態，則驅動排氣幫浦17，並且開啟主閥16，而從圖3之時間點t0起開始腔2內之排氣。
於此，首先，控制部20，係經由調整流量調整閥15之開度，來如圖3中所示一般地以第1減壓速度v1來將腔2內減壓，並將腔2內之壓力設為較光阻液之溶劑(例如PGMEA)之蒸氣壓Pe更高的第1壓力值P1(例如，在圖3的時間點t1處，係為400Pa)(圖2之步驟S2)。另外，此第1壓力值P1，係較溶劑會突沸性地蒸發之壓力值更高，而不會有使前述溶劑突沸性地蒸發的情況，例如，係為包含有溶劑完全不蒸發的情況以及有些許蒸發的情況(例如，圓5之30秒附近之蒸發速度的情況)之壓力值。又，於此之所謂溶劑的蒸氣壓，係代表在減壓環境下之蒸氣壓的值。
若是腔2內之壓力到達第1壓力值P1，則控制部20係將流量調整閥15之開度朝向閉方向來調整，並經由使排氣量減少，來以較前述第1減壓速度v1更慢之第2減壓速度v2而緩慢地進行減壓(圖2之步驟S3)。
由此第2減壓速度v2所進行之緩慢的減壓控制，係如圖3中所示一般，從第1壓力值P1之時間點t1起直到成為第2壓力值P2(例如250Pa)之時間點t3為止的期間中而被進行。
另外，前述第2壓力值P2，係為較光阻之溶劑的蒸氣壓Pe更低之值，而為在藉由前述第2減壓速度v2來緩慢地持續進行減壓的情況時，光阻中之溶劑的蒸發結束了的時間點t3處之壓力值。前述第1壓力值P1、第2壓力值P2，係因應於溶劑之種類等的各條件來預先作設定。
於此，控制部20，係在將腔2內之壓力從第1壓力值P1起而減壓至第2壓力值P2為止的期間中，根據壓力檢測部18之檢測結果，來對於腔2內之減壓速度是否成為前述第2減壓速度v2附近(特定範圍內)一事作監視(圖2之步驟S4)。
而後，當腔2內之減壓速度為較特定範圍更小的情況時(圖2之步驟S5)，係以使排氣流量增加的方式來將流量調整閥15之開度增大(圖2之步驟S6)。另一方面，當腔2內之減壓速度為較特定範圍更大的情況時(圖2之步驟S5)，係以使排氣流量減少的方式來將流量調整閥15之開度縮小(圖2之步驟S7)。
又，如圖3中所示一般，當將腔2內之壓力從第1壓力值P1來緩慢地減壓至第2壓力值P2的期間中之時間點t2處，腔2內之壓力係到達溶劑之蒸氣壓Pe。
因此，從腔2內之壓力緩慢地到達蒸氣壓Pe的時間點t2的略之前起，溶劑之蒸發係(無突沸狀態地)以低速度開始，進而，在直到到達第2壓力P2為止的期間中，係耗費較長時間地來以安定之蒸發速度而進行溶劑之蒸發。
而後，若是腔2內之壓力被減壓至第2壓力值P2(圖2之步驟S8)，則光阻中之溶劑的蒸發係略結束，控制部20係停止排氣幫浦17之驅動，並結束減壓乾燥處理(圖2之步驟S9)。
如同上述一般，若依據本發明之實施形態，則係從腔2內之壓力為較光阻之溶劑之蒸氣壓更高的至少不會使前述溶劑突沸性地蒸發之第1壓力值P1的時間點t1起，來以更低速度之平緩的第2減壓速度v2進行減壓。
藉由此控制，在基板面附近之壓力，係會無偏差地而維持面內均一之狀態並緩慢地減壓，並到達溶劑之蒸氣壓。
其結果，從光阻膜而來之溶劑的突沸性蒸發係被抑制，而能夠進行低速度下之溶劑的蒸發，並能夠將光阻之乾燥狀態設為均一。
又，藉由使光阻之乾燥狀態成為均一，係能夠將例如在使用有半曝光處理的情況時之配線圖案形成過程中的光阻圖案之殘留膜厚以及線寬幅之均一性提升。
另外，在前述實施形態中，作為在減壓乾燥裝置1中之排氣量調整手段，雖係設置流量調整閥15，並藉由對於其之開度作調整而進行腔2之排氣量的控制，但是，在本發明中，係並不被限定於該構成。
例如，亦可設為下述之構成：亦即是，代替流量調整閥15，而設置使空氣流入至排氣管11內之空氣導入手段(未圖示)，並藉由對於其之空氣導入量作調整，來進行排氣量之控制。
又，如同使用圖3所作了說明一般，在壓力控制中，雖係設為設定第1壓力值P1和第2壓力值P2，並對於直到到達該些之壓力值為止的減壓速度作控制，但是，亦可更進而增加壓力值之設定數量，來更精細地對於減壓速度作控制。
例如，亦可如圖3中所示一般，在第1壓力值P1之附近更進而追加第3壓力值P3、第4壓力值P4，並對於直到到達第1壓力值P1為止的減壓控制作更精細之控制。又，例如，亦可在第1氣壓值P1和第2氣壓值P2之間，設置第5氣壓值P5、第6氣壓值P6，並將在蒸氣壓Pe附近之減壓控制作更精細的控制。
又，在前述實施形態中，於腔2內，係設為將基板G載置在平台4上之構成，但是，係並不被限定於該構成，例如，亦可設為載置在支持銷或者是搬送滾筒上之構成。
[實施例]
接著，根據實施例，針對本發明之塗布膜形成方向以及塗布膜形成裝置更進一步作說明。
[實施例1-4]
在實施例1-4中，係將被塗布了光阻之玻璃基板收容在氣密狀態之腔內，並從減壓至了與前述實施形態中之第1壓力值P1相當的壓力值(400Pa)的狀態起，耗費特定時間地來減壓至相當於第2壓力值P2之特定的壓力值。而後，在從400Pa起而減壓至第2壓力值P2為止的期間中，對於溶劑之蒸發速度作了何種變化一事作檢驗。
另外，在光阻中，係使用AZ-SR210(AZ公司)，在溶劑中，係使用PGMEA，光阻膜之塗布膜厚，係設為1.5 μm。
又，對於相當於前述第2壓力值P2之壓力值，在實施例1中係設為250Pa、在實施例2中係設為200Pa、在實施例3中係設為150Pa、在實施例4中係設為100Pa。
於圖4中，對於各實施例1-4中之腔內的壓力變化作展示。又，於圖5中，對於此時之光阻溶劑的蒸發速度之變化作展示。
從圖5，可以確認到，在減壓速度最為平緩之實施例1(400Pa→250Pa)的情況時，溶劑之蒸發速度的變化係為最少，並且亦未發生突沸性之蒸發，因此，係為理想。
[實施例5-7]
在實施例5-7中，係將相當於前述實施形態中之第1壓力值P1的壓力值，設為400Pa，並將相當於第2壓力值P2之特定的壓力值，設為250Pa，而對依存於從400Pa來減壓至250Pa為止的時間會導致溶劑之蒸發速度作何種的變化一事作了檢討。
另外，光阻、溶劑以及塗布膜厚，係設為與實施例1-4相同。
又，從400Pa起而減壓至250Pa為止的時間，在實施例5中係設為35秒、在實施例6中係設為25秒、在實施例7中係設為15秒。
於圖6中，對於各實施例5-7中之腔內的壓力變化作展示。又，於圖7中，對於此時之光阻溶劑的蒸發速度之變化作展示。
從圖7，可以確認到，在最為耗費時間的減壓速度為平緩之實施例5的情況時，溶劑之蒸發速度的變化係為最少，並且亦未發生突沸性之蒸發，因此，係為理想。
由以上之實施例1-7的結果，可以確認到：經由從至少不會使光阻液之溶劑突沸性地蒸發之第1壓力值P1起來耗費較長時間地而緩慢進行減壓，從光阻膜而來之溶劑的突沸性之蒸發係被抑制，而能夠進行低速度下之溶劑的蒸發。
[實施例8]
在實施例8中，係將相當於前述實施形態中之第1壓力值P1的壓力值，設為400Pa，並將相當於第2壓力值P2之特定的壓力值，設為250Pa，而從400Pa來減壓至250Pa。
使用經由其結果所得到的光阻膜來進行半曝光處理，並針對所得到的光阻圖案之圖案線寬幅以及殘留膜厚，而在基板面內之25個點處來進行測定，並求取出變動幅度(偏差)。又，在各測定點處，係測定出光阻圖案剖面之錐狀角度(相對於基板面之傾斜角：圖8(c)中所示之θ角)，並求取出該些之平均值。
又，作為比較例1，針對藉由先前技術之減壓乾燥方法(亦即是，將腔內急遽地減壓至光阻之溶劑的蒸氣壓，並經由維持該壓力來進行乾燥處理)而進行了乾燥處理的基板，與實施例8相同的而求取出了變動幅度以及錐狀角度。
另外，在實施例8以及比較例1中，於光阻中，係使用AZ-SR210，在溶劑中，係使用PGMEA，光阻膜之塗布膜厚，係設為2.2μm。
於表1中，對於實施例8以及比較例1之結果作展示。
如表1中所示一般，若依據適用有本發明之減壓乾燥方法的實施例8，則相較於適用有先前技術之方法的比較例1之結果，在光阻圖案之殘留膜厚、線寬幅中，變動幅度(偏差)均係降低，而確認到，相較於先前技術，基板面內之均一性係被提升。
又，關於錐狀角度，相較於比較例1，實施例8係更為變小，由此檢討結果，可以確認到，藉由對於第1壓力值P1～蒸氣壓Pe之斜率(蒸發速度)作控制，係能夠任意地控制光阻圖案之錐狀角度。
接著，針對本發明之第2實施形態作說明。在本實施形態中，將腔2內減壓時之步驟，係與前述之實施形態1有部分相異。另外，針對與前述實施形態相同之部分，係省略其說明。
如圖11中所示一般，若是腔2內被設為氣密狀態，則係驅動排氣幫浦17，並且將主閥16開啟。而後，控制部20係對於流量調整閥15之開度作調整，並從圖12之時間點t0起來開始腔2內之排氣。之後，藉由較前述第1減壓速度v1而更慢之第3減壓速度V3來進行減壓，直到到達特定之第10壓力值P10(例如，在圖12之時間點t10處的70000Pa)為止(圖11之步驟S10)。另外，此時之減壓速度v3，係為不會使被塗布在基板G上之光阻液突沸的減壓速度，此係為了防止由於突沸而造成光阻液之表面變得粗糙之故。
若是腔2內之壓力到達壓力值P10，則控制部20係將流量調整閥15之開度朝向開方向來調整，並經由使排氣量增加，來以前述第1減壓速度v1進行減壓，並減壓至到達前述第1壓力值P1(例如，在圖12之時間點t1處而為400Pa)為止。(圖11之步驟S2)
若是腔2內之壓力到達第1壓力值P1，則控制部20係將流量調整閥15之開度朝向閉方向來調整，並經由使排氣量減少，來以較前述第1減壓速度v1更慢之前述第2減壓速度v2而緩慢地進行減壓(圖11之步驟S3)。
由此第2減壓速度v2所進行之緩慢的減壓控制，係如圖12中所示一般，從第1壓力值P1之時間點t1起直到成為特定之第11壓力值P11(例如350Pa)之時間點t11為止的期間中而被進行。另外，壓力值P11，係為較光阻之溶劑的蒸氣壓Pe更低之值，並為較前述第2壓力值P2更高之值。於此，壓力值P11，係因應於溶劑之種類等的各條件而預先被設定。
於此，控制部20，係在將腔2內之壓力從第1壓力值P1起而減壓至壓力值P11為止的期間中，根據壓力檢測部18之檢測結果，來對於腔2內之減壓速度是否成為前述第2減壓速度v2附近(特定範圍內)一事作監視(圖11之步驟S4)。
而後，當腔2內之減壓速度為較特定範圍更小的情況時(圖11之步驟S5)，係以使排氣流量增加的方式來將流量調整閥15之開度增大(圖11之步驟S6)。另一方面，當腔2內之減壓速度為較特定範圍更大的情況時(圖11之步驟S5)，係以使排氣流量減少的方式來將流量調整閥15之開度縮小(圖11之步驟S7)。
又，如圖12中所示一般，當將腔2內之壓力從第1壓力值P1來緩慢地減壓至壓力值P11的期間中之時間點t2處，腔2內之壓力係到達溶劑之蒸氣壓Pe。
因此，從腔2內之壓力緩慢地到達蒸氣壓Pe的時間點t2的略之前起，溶劑之蒸發係(無突沸狀態地)以低速度開始，進而，在直到到達壓力值P11為止的期間中，係耗費較長時間地來以安定之蒸發速度而進行溶劑之蒸發。
而後，若是腔2內之壓力被減壓至壓力值P11(圖11之步驟S11)，則係以使排氣流量增加的方式來將流量調節閥15之開度增大，並藉由較第2減壓速度v2更大之第4減壓速度v4來減壓至前述第2壓力值P2為止(圖11之步驟S12)。另外，在時間點t11處，光阻之表面係為略乾燥，就算是將減壓速度從v2而增大至v4，亦不會產生處理上的問題。
而後，若是腔2內之壓力被減壓至第2壓力值P2，則光阻中之溶劑的蒸發係略結束，控制部20係停止排氣幫浦17之驅動，並結束減壓乾燥處理(圖2之步驟S13)。
如同上述一般，若依據本發明之第2實施形態，則由於除了前述實施形態之效果以外，亦能夠防止減壓開始時之突沸，因此，係能夠防止光阻膜之表面變粗，並且，從壓力值P11起直到壓力值P2為止，由於係藉由較減壓速度v2更大之減壓速度v4來更進而作減壓，因此，係能夠以較前述實施形態更短的時間來結束處理。
另外，在第2實施形態之步驟S10中，亦可與圖11之步驟S4、步驟S5、步驟S6、步驟S7、步驟S11相同的而藉由第3減壓速度v3來控制排氣動作，直到到達壓力值P10為止，又，在步驟S12中，亦可同樣的藉由第4減壓速度v4來控制排氣動作，直到到達壓力值P2為止。
1．．．減壓乾燥裝置
2．．．腔
2a．．．下部腔
2b．．．上部腔
4．．．平台
5．．．固定銷
6．．．升降軸
10．．．排氣口
11．．．排氣管
15．．．流量調整閥(排氣量調整手段)
16．．．主閥
17．．．排氣幫浦(排氣手段)
20．．．控制部
G．．．玻璃基板(被處理基板)
P1．．．第1壓力值
P2．．．第2壓力值
Pe．．．溶劑之蒸氣壓
P10．．．第10壓力值
P11．．．第11壓力值
v1．．．第1減壓速度
v2．．．第2減壓速度
v3．．．第3減壓速度
v4．．．第4減壓速度
[圖1]圖1，係為對於本發明之其中一種實施形態的全體概略構成作展示之剖面圖。
[圖2]圖2，係為對於本發明之其中一種實施形態的動作作展示之流程圖。
[圖3]圖3，係為對於本發明之其中一種實施形態中的腔內之減壓控制作展示之圖表。
[圖4]圖4，係為對於本發明之實施例1～4中的腔內之壓力變化作展示之圖表。
[圖5]圖5，係為對於本發明之實施例1～4中的光阻之溶劑的蒸發速度之變化作展示之圖表。
[圖6]圖6，係為對於本發明之實施例5～7中的腔內之壓力變化作展示之圖表。
[圖7]圖7，係為對於本發明之實施例5～7中的光阻之溶劑的蒸發速度之變化作展示之圖表。
[圖8]圖8(a)～(e)，係為用以對於使用有半曝光處理之配線圖案的一連串之形成工程作說明的剖面圖。
[圖9]圖9，係為當使用有先前技術之減壓乾燥方法的情況時之測定結果，並為對於腔內之壓力變化以及光阻之溶劑的蒸發速度之變化作展示之圖表。
[圖10]圖10(a)、(b)，係為用以對於使用有半曝光處理之配線圖案的形成工程中之光阻圖案殘留膜的偏差作說明之剖面圖。
[圖11]圖11，係為對於本發明之第2實施形態的動作作展示之流程圖。
[圖12]圖12，係為對於本發明之第2實施形態中的腔內之減壓控制作展示之圖表。

Claims (4)

  1. 一種減壓乾燥方法，係將被形成有塗布膜之被處理基板置於減壓環境下而使前述塗布膜中之溶劑蒸發，並施予前述塗布膜的乾燥處理之減壓乾燥方法，其特徵為：在將被形成有塗布膜之前述基板收容在腔中並且將前述腔內設為減壓環境之工程中，包含有：將前述腔內之壓力以第1減壓速度來減壓，並設為較前述溶劑之蒸氣壓更高而至少不會使前述溶劑突沸性地蒸發的第1壓力值之步驟；和從前述第1壓力值起，以較前述第1減壓速度更低之第2減壓速度來緩慢地減壓，直到至少成為前述溶劑的蒸氣壓為止之步驟，使前述腔內之壓力設為前述溶劑之蒸氣壓之後，又實施以前述第2減壓速度來減壓，並設為較前述溶劑之蒸氣壓更低的第2壓力值之步驟，當前述腔內之壓力被減壓至前述第2壓力值時，前述溶劑之蒸發結束，並結束減壓乾燥處理。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之減壓乾燥方法，其中，在設為前述第1壓力值之步驟前，又包含以較前述第1減壓速度低的第3減壓速度，將前述腔內之壓力減壓至較前述第1壓力值大的壓力值之步驟。
  3. 一種減壓乾燥裝置，係將被形成有塗布膜之被處理基板置於減壓環境下而使前述塗布膜中之溶劑蒸發，並施 予前述塗布膜的乾燥處理之減壓乾燥裝置，其特徵為，具備有：腔，係收容被形成有塗布膜之前述基板；排氣手段，係將前述腔內排氣；排氣量調整手段，係對於前述腔之排氣量作調整；壓力檢測手段，係檢測出前述腔內之壓力；和控制手段，係根據前述壓力檢測手段之檢測結果，而對於由前述排氣量調整手段所致之排氣調整量作控制，前述控制手段，係以將前述腔內之壓力以第1減壓速度來減壓，並設為較前述溶劑之蒸氣壓更高而至少不會使前述溶劑突沸性地蒸發之第1壓力值的方式，來控制前述排氣量調整手段，並且，以從前述第1壓力值起，以較前述第1減壓速度更低之第2減壓速度來緩慢地減壓，直到至少成為前述溶劑的蒸氣壓為止的方式，來控制前述排氣量調整手段，以將前述腔內之壓力藉由前述第2減壓速度來緩慢地減壓至較前述溶劑之蒸氣壓更低之第2壓力值的方式，來控制前述排氣量調整手段，當前述腔內之壓力被減壓至前述第2壓力值時，前述溶劑之蒸發結束，且前述控制手段停止前述排氣手段之驅動，結束減壓乾燥處理。
  4. 如申請專利範圍第3項所記載之減壓裝置，其中，在以前述第1減壓速度來減壓之前，以較前述第1減壓速度更低之第3減壓速度，將前述腔內之壓力減壓至較前述第1壓力值之方式，來控制前述排氣量調整手段。
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