JP2019036654A - 減圧乾燥装置、基板処理装置および減圧乾燥方法 - Google Patents

Abstract

【課題】減圧乾燥装置において、より所望の減圧速度に近い減圧速度で減圧処理を行う技術を提供することを目的とする。【解決手段】この減圧乾燥装置１は、チャンバ内に処理液が付着した基板を収容し、チャンバ内を減圧することにより、基板を乾燥させる。減圧乾燥装置１は、チャンバと、減圧排気部と、減圧排気の流量を調節するバルブ４５と、目標データＳ６１が設定される目標設定部６１と、所定のバルブ開度毎に減圧排気によるチャンバ内の圧力と当該圧力への到達時間との関係を示すテーブルデータＳ６２を取得するテーブルデータ取得部６２と、テーブルデータＳ６２と目標データＳ６１とに基づいて減圧乾燥処理実行時のバルブ開度Ｓ６３を決定する開度決定部６３と、バルブ開度を制御する動作制御部６４とを有する。これにより、装置の個体差や設置環境に拘わらず、より所望の減圧速度に近い減圧速度で減圧処理を行うことができる。【選択図】図３

Description

本発明は、処理液が付着した基板を減圧乾燥する技術に関する。

従来、半導体ウエハ、液晶表示装置や有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、フォトマスク用ガラス基板、カラーフィルタ用基板、記録ディスク用基板、太陽電池用基板、電子ペーパー用基板などの精密電子装置用基板の製造工程では、基板に塗布された処理液を乾燥させるために、減圧乾燥装置が使用される。このような減圧乾燥装置は、基板を収容するチャンバと、チャンバ内の気体を排出する排気装置とを有する。従来の減圧乾燥装置については、例えば、特許文献１に記載されている。

基板に塗布したフォトレジスト等の処理液を乾燥し、薄膜を形成させる場合、急激な減圧を行うと、突沸が発生する虞がある。突沸は、基板表面に塗布されたフォトレジスト中の溶剤成分が急激に蒸発することにより生じる。減圧乾燥処理中に突沸が生じると、フォトレジストの表面に小さな泡が形成される脱泡現象が生じる。そのため、減圧乾燥処理において、初期段階ではチャンバ内を急激に減圧せず、段階的に減圧を行う必要がある。

特開２００６−２６１３７９号公報

チャンバ内の圧力を段階的に変更するためには、減圧速度を調節する必要がある。特許文献１に記載の減圧乾燥装置では、減圧処理中、チャンバ内の気体を排気しつつ、不活性ガスをチャンバ内に供給することにより、減圧速度を調節している。また、減圧速度を適切に調節するため、不活性ガスの供給源とチャンバとの間に複数段階に開度を変更できるバルブが設けられている。

また、チャンバ内の減圧速度を調節するその他の方法として、チャンバと排気装置との間に、複数段階に開度を変更できるバルブを設けて、チャンバからの排気量を調整してもよい。この場合、不活性ガスをチャンバ内に供給することなく、チャンバからの排気量を段階的に調整できる。

不活性ガスの供給量およびチャンバからの排気量のいずれを調整する場合であっても、所望の減圧速度で減圧処理を行うためには、上記バルブを、その減圧速度に応じた開度に設定する必要がある。しかしながら、同機種の減圧乾燥装置に対して同一のバルブ開度を設定した場合であっても、装置の個体差や設置環境の違い等により、減圧速度にばらつきが生じる。そのため、所望の減圧速度と現実の減圧速度との間に乖離が生じる場合があった。

本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、複数段階に開度を変更できるバルブを有する減圧乾燥装置において、より所望の減圧速度に近い減圧速度で減圧処理を行うことができる技術を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本願の第１発明は、処理液が付着した基板を減圧乾燥する減圧乾燥装置であって、前記基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内を減圧排気する減圧排気部と、前記チャンバと前記減圧排気部との間に介在し、バルブ開度により減圧排気の流量を調節するバルブと、処理期間ごとに、初期圧力値、目標圧力値および目標到達期間を含む目標データが設定される目標設定部と、所定の複数の前記バルブ開度のそれぞれについて、減圧排気による前記チャンバ内の圧力と前記圧力への到達時間との関係を示すテーブルデータを取得するテーブルデータ取得部と、前記テーブルデータと、前記目標データとに基づいて、減圧乾燥処理実行時の前記バルブ開度を決定する開度決定部と、前記減圧乾燥処理実行時に、前記開度決定部の決定に基づいて前記バルブ開度を制御する動作制御部と、を有する。

本願の第２発明は、第１発明の減圧乾燥装置であって、前記開度決定部は、前記テーブルデータから、それぞれの前記バルブ開度について、前記初期圧力値への前記到達時間である第１時間と、前記目標圧力値への前記到達時間である第２時間とを参照し、前記第２時間と前記第１時間との差分を算出し、前記差分と前記目標到達時間とが一致または近似する前記バルブ開度に基づいて、減圧乾燥処理実行時の前記バルブ開度に決定する。

本願の第３発明は、第２発明の減圧乾燥装置であって、前記開度決定部は、前記差分と前記目標到達時間とが一致する前記バルブ開度がある場合、前記差分と前記目標到達時間とが一致する前記バルブ開度を減圧乾燥処理実行時の前記バルブ開度に決定し、前記差分と前記目標到達時間とが一致する前記バルブ開度がない場合、前記差分が前記目標到達時間よりも大きい前記バルブ開度であって、前記差分が前記目標到達時間に最も近似する前記バルブ開度を減圧乾燥処理実行時の前記バルブ開度に決定する。

本願の第４発明は、第１発明ないし第３発明のいずれかの減圧乾燥装置であって、前記開度決定部は、前記処理期間を複数の小期間に分割し、前記小期間ごとに、前記テーブルデータと前記目標データとに基づいて、減圧乾燥処理実行時の前記バルブ開度を決定する。

本願の第５発明は、第１発明ないし第４発明のいずれかの減圧乾燥装置であって、
前記目標設定部において、連続する複数の前記目標データが入力される、減圧乾燥装置。

本願の第６発明は、第１発明ないし第５発明のいずれかの減圧乾燥装置であって、複数の前記バルブを有し、前記動作制御部は、複数の前記バルブの全てを同一の開度で動作させる。

本願の第７発明は、第１発明ないし第６発明のいずれかの減圧乾燥装置であって、前記バルブは、弁の角度を変えることによって開度を調節する。

本願の第８発明は、第１発明ないし第７発明のいずれかの減圧乾燥装置であって、複数の前記チャンバを有し、前記テーブルデータ取得部は、前記チャンバのそれぞれに対して、固有の前記テーブルデータを取得する。

本願の第９発明は、前記基板に対してレジスト液の塗布と現像を行う基板処理装置であって、露光処理前の前記基板に前記レジスト液を塗布する塗布部と、前記レジスト液が付着した前記基板を減圧乾燥する、第１発明ないし第８発明のいずれかに記載の減圧乾燥装置と、前記露光処理が施された前記基板に対して現像処理を行う現像部とを有する。

本願の第１０発明は、処理液が付着した基板をチャンバ内に収容して前記チャンバ内を減圧することにより、前記基板を乾燥させる減圧乾燥方法であって、ａ）前記チャンバからの減圧排気の流量を調節するバルブの複数のバルブ開度のそれぞれについて、減圧排気による前記チャンバ内の圧力と前記圧力への到達時間との関係を示すテーブルデータを取得する学習工程と、ｂ）初期圧力値、目標圧力値および目標到達時間を含む目標データを設定する設定工程と、ｃ）前記工程ａ）および前記工程ｂ）の後で、前記テーブルデータと、前記目標データとに基づいて、減圧乾燥処理実行時の前記バルブ開度を決定する開度決定工程と、ｄ）前記工程ｃ）における決定に基づいて、前記バルブ開度を調節する減圧乾燥工程と、を有する。

本願の第１１発明は、第１０発明の減圧乾燥方法であって、前記工程ｃ）は、ｃ１）前記テーブルデータから、それぞれの前記バルブ開度について、前記初期圧力値への前記到達時間である第１時間と、前記目標圧力値への前記到達時間である第２時間とを参照する工程と、ｃ２）前記第２時間と前記第１時間との差分を算出する工程と、ｃ３）前記差分と前記目標到達時間とが一致または近似する前記バルブ開度を、前記工程ｄ）の減圧乾燥工程における前記バルブ開度に決定する工程と、を含む。

本願の第１２発明は、第１１発明の減圧乾燥方法であって、前記工程ｃ３）において、前記差分と前記目標到達時間とが一致する前記バルブ開度がある場合、前記差分と前記目標到達時間とが一致する前記バルブ開度を減圧乾燥処理実行時の前記バルブ開度に決定し、前記差分と前記目標到達時間とが一致する前記バルブ開度がない場合、前記差分が前記目標到達時間よりも大きい前記バルブ開度であって、前記差分が前記目標到達時間に最も近似する前記バルブ開度を減圧乾燥処理実行時の前記バルブ開度に決定する。

本願の第１３発明は、第１０発明ないし第１２発明のいずれかの減圧乾燥方法であって、前記工程ｃ）において、前記処理期間を複数に分割した小期間ごとに、前記テーブルデータと前記目標データとに基づいて、減圧乾燥処理実行時の前記バルブ開度を決定する。

本願の第１発明から第１３発明によれば、減圧乾燥装置において、より所望の減圧速度に近い減圧速度で減圧処理を行うことができる。

第１実施形態に係る基板処理装置の構成を示した概略図である。 第１実施形態に係る減圧乾燥装置の構成を示した概略図である。 第１実施形態に係る減圧乾燥装置の電気的接続を示したブロック図である。 第１実施形態に係る減圧乾燥処理の流れを示したフローチャートである。 第１実施形態に係る学習工程における減圧排気時間と圧力値との関係の一例を示したグラフである。 第１実施形態に係るテーブルデータの一例を示したグラフである。 第１実施形態に係る目標減圧波形の一例を示した図である。 変形例に係る目標減圧波形の一例を示した図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。

＜１．第１実施形態＞
＜１−１．基板処理装置の構成＞
図１は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置１を備えた基板処理装置９の構成を示した概略図である。本実施形態の基板処理装置９は、矩形状の液晶表示装置用ガラス基板Ｇ（以下、基板Ｇと称する）に対して、レジスト液の塗布、露光、および露光後の現像を行う装置である。なお、基板Ｇの形状は矩形状に限られない。

基板処理装置９は、複数の処理部として、搬入部９０、洗浄部９１、デハイドベーク部９２、塗布部９３、減圧乾燥部としての減圧乾燥装置１、プリベーク部９４、露光部９５、現像部９６、リンス部９７、ポストベーク部９８および搬出部９９を有する。基板処理装置９の各処理部は、上記の順に互いに隣接して配置される。基板Ｇは、搬送機構（図示せず）により、破線矢印で示すように、処理の進行に従って各処理部へ上記の順に搬送される。

搬入部９０は、基板処理装置９において処理される基板Ｇを、基板処理装置９内に搬入する。洗浄部９１は、搬入部９０へ搬入された基板Ｇを洗浄し、微細なパーティクルをはじめ、有機汚染や金属汚染、油脂、自然酸化膜等を除去する。デハイドベーク部９２は、基板Ｇを加熱し、洗浄部９１において基板Ｇに付着した洗浄液を気化させることによって、基板Ｇを乾燥させる。

塗布部９３は、デハイドベーク部９２で乾燥処理を行った後の基板Ｇに対して、その表面に処理液を塗布する。本実施形態の塗布部９３では、基板Ｇの表面に、感光性を有するフォトレジスト液（以下、単にレジスト液と称する）を塗布する。そして、減圧乾燥装置１は、基板Ｇの表面に塗布された当該レジスト液の溶媒を減圧により蒸発させて、基板Ｇを乾燥させる。プリベーク部９４は、減圧乾燥装置１において減圧乾燥処理が施された基板Ｇを加熱し、基板Ｇ表面のレジスト成分を固化させる加熱処理部である。これにより、基板Ｇの表面に処理液の薄膜、すなわちレジスト膜が形成される。

次に、露光部９５は、レジスト膜が形成された基板Ｇの表面に対して、露光処理を行う。露光部９５は、回路パターンが描画されたマスクを通して遠紫外線を照射し、レジスト膜にパターンを転写する。現像部９６は、露光部９５においてパターンが露光された基板Ｇを現像液に浸して、現像処理を行う。

リンス部９７は、現像部９６において現像処理した基板Ｇをリンス液ですすぐ。これにより、現像処理の進行を停止させる。ポストベーク部９８は、基板Ｇを加熱し、リンス部９７において基板Ｇに付着したリンス液を気化させることによって、基板Ｇを乾燥させる。基板処理装置９の各処理部において処理が施された基板Ｇは、搬出部９９へ搬送される。そして、搬出部９９から基板Ｇが基板処理装置９の外部へ搬出される。

なお、本実施形態の基板処理装置９は露光部９５を有しているが、本発明の基板処理装置においては、露光部が省略されていてもよい。その場合、基板処理装置を、別体の露光装置と組み合わせて使用すればよい。

＜１−２．減圧乾燥装置の構成＞
図２は、本実施形態に係る減圧乾燥装置１の構成を示した概略図である。図３は、減圧乾燥装置１の電気的接続を示したブロック図である。減圧乾燥装置１は、上述の通り、レジスト液等の処理液が塗布された基板Ｇを減圧乾燥する装置である。図２に示すように、減圧乾燥装置１は、チャンバ２０、排気ポンプ３０、配管部４０、不活性ガス供給部５０、制御部６０および入力部７０を有する。

チャンバ２０は、ベース部２１および蓋部２２を有する。ベース部２１は、略水平に拡がる板状の部材である。蓋部２２は、ベース部２１の上方を覆う有蓋筒状の部材である。ベース部２１および蓋部２２により構成される筐体の内部には、基板Ｇが収容される。また、蓋部２２の下端部には、シール材２２１が備えられている。これにより、ベース部２１と蓋部２２との接触箇所における、チャンバ２０の内部と外部との連通が遮断される。

ベース部２１には、排気口２３が設けられている。これにより、チャンバ２０内の気体を、排気口２３を介してチャンバ２０外へ排出できる。本実施形態のチャンバ２０には、４つの排気口２３が設けられている。図２には、４つの排気口２３のうち２つの排気口２３のみが図示されている。なお、チャンバ２０に設けられる排気口２３の数は１つ〜３つであってもよいし、５つ以上であってもよい。

チャンバ２０の内部には、支持機構２４が設けられている。支持機構２４は、支持板２４１、複数の支持ピン２４２および支持柱２４３を有する。支持板２４１は、略水平に拡がる板状の部材である。支持板２４１は、複数の支持ピン２４２を保持する。複数の支持ピン２４２は、その上端に基板Ｇが載置され、基板Ｇを裏面から支持する。支持ピン２４２はそれぞれ、支持板２４１から上方へ延びる。複数の支持ピン２４２は、水平方向に分散して配置される。これにより、基板Ｇが安定的に支持される。支持柱２４３は、支持板２４１を支える部材である。支持柱２４３の下端部は、ベース部２１に固定されている。

また、チャンバ２０には、チャンバ２０内の圧力を測定する圧力センサ２５が設けられている。本実施形態の圧力センサ２５は、ベース部２１に設けられているが、配管部４０の後述する個別配管４１または第１共有配管４２に、圧力センサが設けられてもよい。

排気ポンプ３０は、チャンバ２０内の気体を排出するポンプである。排気ポンプ３０は、配管部４０を介してチャンバ２０の排気口２３と接続されている。これにより、排気ポンプ３０が駆動すると、排気口２３および配管部４０を介してチャンバ２０内の気体が減圧乾燥装置１の外部へと排出される。この排気ポンプ３０は、一定の出力で駆動することによって、チャンバ２０内を減圧排気する。チャンバ２０からの排気速度の調節は、後述するバルブ４５によって行われる。

配管部４０は、４つの個別配管４１、第１共有配管４２、第２共有配管４３および２つの分岐配管４４を有する。個別配管４１はそれぞれ、上流側の端部が排気口２３に接続され、下流側の端部が第１共有配管４２に接続される。なお本実施形態では、２つの個別配管４１の下流側の端部が第１共有配管４２の一端に接続され、他の２つの個別配管４１の下流側の端部が第１共有配管４２の他端に接続される。

第２共有配管４３は、下流側の端部が排気ポンプ３０に接続される。２つの分岐配管４４はそれぞれ、上流側の端部が第１共有配管４２の管路途中に接続され、下流側の端部が第２共有配管４３の上流側の端部に接続される。これにより、チャンバ２０の内部と排気ポンプ３０とは、４つの排気口２３、４つの個別配管４１、第１共有配管４２、２つの分岐配管４４および第２共有配管４３を介して連通する。

分岐配管４４にはそれぞれ、バルブ４５が介挿されている。バルブ４５は、チャンバ２０と排気ポンプ３０との間に介在し、減圧排気の流量を調節する。本実施形態のバルブ４５は、弁の角度を変えることによってバルブ開度を調節するバタフライバルブである。なお、本実施形態ではバルブ４５にバタフライバルブが用いられているが、バルブ開度により減圧排気の流量を調節することができるバルブであればグローブバルブ（玉型弁）や、その他のバルブが用いられてもよい。

また、本実施形態では、２つのバルブ４５は、同じバルブ開度で動作する。すなわち、制御部６０がバルブ４５のバルブ開度を２０°と設定すると、２つのバルブ４５のバルブ開度がともに２０°に調節される。

不活性ガス供給部５０は、チャンバ２０内に不活性ガスを供給する。不活性ガス供給部５０は、不活性ガス供給配管５１および開閉弁５２を有する。不活性ガス供給配管５１は、一端がチャンバ２０の内部空間に接続し、他端が不活性ガス供給源５３に接続する。本実施形態の不活性ガス供給源５３は、不活性ガスとして、乾燥した窒素ガスを供給する。本実施形態の不活性ガス供給源５３は、減圧乾燥装置１の装置外に配置される工場ユーティリティである。なお、減圧乾燥装置１が不活性ガス供給源５３を有していてもよい。

開閉弁５２は、不活性ガス供給配管５１に介挿されている。このため、開閉弁５２が開放されると、不活性ガス供給源５２からチャンバ２０内へ不活性ガスが供給される。また、開閉弁５２が閉鎖されると、不活性ガス供給源５２からチャンバ２０への不活性ガスの供給が停止する。

なお、不活性ガス供給部５０は、窒素ガスに代えて、アルゴンガス等の他の乾燥した不活性ガスを供給するものであってもよい。

制御部６０は、減圧乾燥装置１の各部を制御する。図２中に概念的に示したように、制御部６０は、ＣＰＵ等の演算処理部６０１、ＲＡＭ等のメモリ６０２およびハードディスクドライブ等の記憶部６０３を有するコンピュータにより構成されている。また、制御部６０は、圧力センサ２５、排気ポンプ３０、２つのバルブ４５、開閉弁５２および入力部７０と、それぞれ電気的に接続されている。

制御部６０は、記憶部６０３に記憶されたコンピュータプログラムやデータを、メモリ６０２に一時的に読み出し、当該コンピュータプログラムおよびデータに基づいて、演算処理部６０１が演算処理を行うことにより、減圧乾燥装置１内の各部の動作を制御する。これにより、減圧乾燥装置１における減圧乾燥処理が実行される。なお、制御部６０は、減圧乾燥装置１のみを制御するものであってもよいし、基板処理装置９の全体を制御するものであってもよい。

図３に示すように、制御部６０は、ＣＰＵによるプログラム処理によってソフトウェア的に実現される機能処理部として、目標設定部６１、テーブルデータ取得部６２、開度決定部６３および動作制御部６４を有する。

目標設定部６１には、入力部７０からレシピＳ７０が入力される。レシピＳ７０は、減圧乾燥処理を行う際に、目標とすべき圧力変化を示すものである。目標設定部６１は、レシピＳ７０に基づいて、１つまたは連続する複数の期間について、それぞれ、初期圧力値、目標圧力値および目標到達期間を含む目標データＳ６１を設定する。

テーブルデータ取得部６２は、後述する学習工程（ステップＳＴ１００）において圧力センサ２５から入力された圧力値Ｓ２５に基づいて、テーブルデータＳ６２を取得する。テーブルデータＳ６２は、複数の学習開度のそれぞれについて、減圧排気によるチャンバ２０内の圧力と、当該圧力への到達時間との関係を示す。なお、学習開度とは、学習工程において減圧排気を行うときのバルブ４５の所定の開度である。

開度決定部６３は、目標データＳ６１と、テーブルデータＳ６２とに基づいて、減圧乾燥処理実行時のバルブ４５の開度である実行開度Ｓ６３を決定する。開度決定部６３は、テーブルデータＳ６２から、それぞれの学習開度について、初期圧力値への到達時間である第１時間と、目標圧力値への到達時間である第２時間とを参照し、第２時間から第１時間を引いた差分を算出する。そして、開度決定部６３は、差分と目標到達時間とが一致するまたは近似する学習開度に基づいて、減圧乾燥処理実行時のバルブ４５の開度である実行開度Ｓ６３を決定する。

動作制御部６４は、排気ポンプ３０、バルブ４５および開閉弁５２を含む減圧乾燥装置１内の各部の動作を制御する。

入力部７０は、ユーザがレシピＳ７０を入力するための入力手段である。本実施形態の入力部７０は、基板処理装置９に設けられた入力パネルであるが、入力部７０は、その他の形態の入力手段（例えば、キーボードやマウスなど）であってもよい。レシピＳ７０が入力部７０へ入力されると、当該データは制御部６０へと取り込まれる。

＜１−３．減圧乾燥処理の流れ＞
続いて、この減圧乾燥装置１における減圧乾燥処理について、図４〜図７を参照しつつ説明する。図４は、減圧乾燥装置１における減圧乾燥処理の流れを示したフローチャートである。図５は、学習工程における減圧排気時間と、圧力値Ｓ２５との関係を示した波形の一例のグラフである。図６は、テーブルデータの一例の一部の抜粋を示した図である。図７は、目標減圧波形Ｒの一例を示した図である。

図４に示すように、減圧乾燥装置１は、はじめに学習工程を行う（ステップＳＴ１０１）。学習工程において、動作制御部６４は、チャンバ２０の内部に基板Ｇを収容しない状態で、複数の学習開度のそれぞれについて、チャンバ２０内の減圧排気を行う。そして、テーブルデータ取得部６２は、チャンバ２０内の圧力変化を監視することにより、テーブルデータＳ６２を取得する。

ステップＳＴ１０１の学習工程では、具体的には、大気開放によりチャンバ２０内の圧力を大気圧である１００，０００［Ｐａ］にした後、排気ポンプ３０を駆動させるとともに、所定の開度にバルブ４５を開放する。そして、バルブ４５の開放後所定の時間が経過するまで、圧力センサ２５によりチャンバ２０内の圧力変化を計測する。そして、テーブルデータ取得部６２は、圧力センサ２５の計測した圧力値Ｓ２５の変化を監視し、圧力値Ｓ２５が所定の複数の圧力値に達する度に、減圧排気開始からの到達時間を記録する。このような圧力計測を予め決められたバルブ開度毎に行うことにより、テーブルデータ取得部６２は、例えば図６に示すようなテーブルデータＳ６２を取得する。テーブルデータ取得部６２の取得したテーブルデータＳ６２は、記憶部６０３内に保持される。

本実施形態では、複数の学習開度は、３°〜１０°の間は０．５°間隔、１０°〜３０°の間は１°間隔、そして、３０°〜９０°の間は１０°間隔となるように設定される。すなわち、学習開度が大きくなるにつれて、間隔が大きくなるように学習開度が設定される。具体的には、学習開度は、３．０°、３．５°、４．０°、４．５°、５．０°、５．５°、６．０°、６．５°、７．０°、７．５°、８．０°、８．５°、９．０°、９．５°、１０°、１１°、１２°、１３°、１４°、１５°、１６°、１７°、１８°、１９°、２０°、２１°、２２°、２３°、２４°、２５°、２６°、２７°、２８°、２９°、３０°、４０°、５０°、６０°、７０°、８０°および９０°である。

また、本実施形態では、テーブルデータＳ６２に、圧力値Ｓ２５が９９０００Ｐａ〜１００００Ｐａの間は１０００Ｐａ間隔、１００００Ｐａ〜１０００Ｐａの間は１００Ｐａ間隔、１０００Ｐａ〜１００Ｐａの間は１０Ｐａ間隔、そして、１００Ｐａ〜１００Ｐａの間は１Ｐａ間隔で、各圧力値Ｓ２５への到達時間を記録する。このように、圧力値が小さくなるほど、到達時間を記録する圧力値Ｓ２５の間隔を小さくしている。

本実施形態では、ステップＳＴ１０１の学習工程を行った後、基板Ｇの減圧乾燥処理が進められる。まず、レシピＳ７０が入力部７０へ入力される（ステップＳＴ１０２）。レシピＳ７０は、具体的には、処理期間毎に、目標圧力値および目標到達時間の情報を有する。レシピＳ７０により構成される目標減圧波形Ｒの一例が、図７に示されている。

次に、チャンバ２０内に基板Ｇが搬入される（ステップＳＴ１０３）。ステップＳＴ１０３では、バルブ４５および開閉弁５２が閉鎖された状態で、チャンバ２０の蓋部２２をチャンバ開閉機構（図示せず）により上昇させる。これにより、チャンバ２０が開放される。そして、処理液（レジスト液）が塗布された基板Ｇがチャンバ２０内へ搬入され、支持ピン２４２上に載置される。その後、チャンバ開閉機構により蓋部２２を下降させる。これにより、チャンバ２０が閉鎖されて、チャンバ２０内に基板Ｇが収容される。

本実施形態では、ステップＳＴ１０２の入力工程の後でステップＳＴ１０３の基板の搬入工程が行われるが、ステップＳＴ１０２とステップＳＴ１０３の順番は逆であってもよい。

続いて、ステップＳＴ１０２において入力されたレシピＳ７０に基づいて、目標設定部６１が、各処理期間Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３について、それぞれ、初期圧力値、目標圧力値および目標到達時間を含む目標データＳ６１を設定する（ステップＳＴ１０４）。

例えば、図７の例の目標減圧波形Ｒを達成するためには、目標設定部６１は、第１処理期間Ｔ１の初期圧力値を１００，０００Ｐａ、目標圧力値を１０，０００Ｐａ、目標到達時間を２０ｓｅｃ（秒）に設定する。また、目標設定部６１は、第２処理期間Ｔ２の初期圧力値を１０，０００Ｐａ、目標圧力値を２０Ｐａ、目標到達時間を２０ｓｅｃに設定する。そして、目標設定部６１は、第２処理期間Ｔ２終了後の第３処理期間Ｔ３を、不活性ガスパージによりチャンバ２０内の圧力を大気圧まで戻すパージモードに設定する。図７の例の目標減圧波形Ｒのように、段階的に減圧を行うことにより、基板Ｇの表面に塗布された処理液が突沸するのが抑制される。

その後、開度決定部６３は、テーブルデータＳ６２と、目標データＳ６１とに基づいて、減圧乾燥処理実行時のバルブ４５の開度である実行開度を決定する（ステップＳＴ１０５）。

１回目のステップＳＴ１０５では、例えば、図７の例の目標減圧波形Ｒの第１処理期間Ｔ１および第２処理期間Ｔ２における実行開度を決定する。このため、まず、開度決定部６３はテーブルデータＳ６２を参照する。

第１処理期間Ｔ１では、初期状態である１００，０００Ｐａから２０ｓｅｃで目標圧力値１０，０００Ｐａまで減圧を行う。開度決定部６３は、各学習開度について、初期圧力値１００，０００Ｐａへの到達時間である第１時間を目標圧力値１０，０００Ｐａへの到達時間である第２時間から引いた差分を算出する。なお、この場合、学習工程における初期状態は１００，０００Ｐａであるから、初期圧力値１００，０００Ｐａへの到達時間である第１時間は、０ｓｅｃである。このため、目標圧力値１０，０００Ｐａへの到達時間である第２時間と、差分とが一致する。

開度決定部６３は、テーブルデータＳ６２において、差分と目標到達時間２０ｓｅｃとが一致または近似する学習開度に基づいて減圧乾燥処理実行時のバルブ開度である実行開度を決定する。

具体的には、本実施形態の開度決定部６３は、差分と目標到達時間とが一致する学習開度がある場合、差分と目標到達時間とが一致する学習開度を、実行開度に決定する。また、開度決定部６３は、差分と目標到達時間とが一致する学習開度がない場合、差分が目標到達時間よりも大きい学習開度であって、差分が目標到達時間に最も近似する学習開度を実行開度に決定する。

差分が目標到達時間よりも小さい学習開度を実行開度とすると、チャンバ２０内の圧力が目標減圧波形Ｒよりも低くなる可能性が高い。一度チャンバ２０内の圧力が目標圧力値よりも低くなってしまうと、バルブ４５の開閉制御のみでチャンバ２０内の圧力を再度上昇させることは難しい。このため、本実施形態のように、差分と目標到達時間とが一致する、または差分が目標到達時間よりも大きい学習開度を実行開度とすることが好ましい。

図６のテーブルデータＳ６２では、学習開度が学習開度６．５°における第２時間および差分は２０．２ｓｅｃであり、学習開度７．０°における第２時間および差分は１７．９ｓｅｃである。このため、開度決定部６３は、第１処理期間Ｔ１における実行開度を６．５°に決定する。

なお、開度決定部６３は、差分が目標到達時間に近似する２つの学習開度６．５°および７．０°に基づいて、実行開度を算出してもよい。その場合、例えば、目標到達時間と各学習開度における差分との差に基づいて重み付けを行い、実行開度を算出する。

続いて、開度決定部６３は、第２処理期間Ｔ２におけるバルブ４５の実行開度を決定する。なお、本実施形態では、第２処理期間Ｔ２における実行開度は、２回目の目標設定工程（ステップＳＴ１０４）において再設定される。このため、目標設定工程（ステップＳＴ１０４）では、直後に行われる処理期間のみについてバルブ４５の実行開度を設定するようにしてもよい。

第２処理期間Ｔ２では、初期圧力値１０，０００Ｐａから２０ｓｅｃで目標圧力値２０Ｐａまで減圧を行う。開度決定部６３は、各学習開度について、初期圧力値１０，０００Ｐａへの到達時間である第１時間を目標圧力値２０Ｐａへの到達時間である第２時間から引いた差分を算出する。そして、開度決定部６３は、テーブルデータＳ６２において、差分と目標到達時間２０ｓｅｃとが一致または近似する学習開度に基づいて実行開度を決定する。

図６のテーブルデータＳ６２では学習開度１３°における第１時間は６．７ｓｅｃ、第２時間は２８．３ｓｅｃ、差分は２１．６ｓｅｃであり、学習開度１４°における第１時間は６．４ｓｅｃ、第２時間は２５．６ｓｅｃ、差分は１９．２ｓｅｃである。このため、開度決定部６３は、第２処理期間Ｔ２の実行開度を１３°に決定する。

ステップＳＴ１０５において実行開度が決定すると、次に、所定の期間、動作制御部６４が各部を制御し、減圧乾燥処理が行われる（ステップＳＴ１０６）。本実施形態では、ステップＳＴ１０６において、処理期間Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３のうちの１つの期間の減圧乾燥処理が行われる。このため、１回目のステップＳＴ１０６では、第１処理期間Ｔ１（２０ｓｅｃ）の減圧乾燥処理が行われる。

そして、減圧乾燥処理が所定の期間行われた後に、制御部６０は、減圧乾燥処理が全て完了したか否かを判断する（ステップＳＴ１０７）。具体的には、制御部６０は、残存する処理期間があるか否かを判断し、残存する処理期間があれば減圧乾燥処理が完了していないと判断し、残存する処理期間があれば減圧乾燥処理が全て完了したと判断する。本実施形態では、直前のステップＳＴ１０６で行われた減圧乾燥処理が第１処理期間Ｔ１または第２処理期間Ｔ２であれば、減圧乾燥処理が完了していないと判断する。一方、直前のステップＳＴ１０６で行われた減圧乾燥処理が第３処理期間Ｔ３であれば、減圧乾燥処理が全て完了したと判断する。

ステップＳＴ１０７において、減圧乾燥処理がまだ完了していないと判断すると、制御部６０は、ステップＳＴ１０４へと戻る。

２回目以降の目標設定工程（ステップＳＴ１０４）では、次に行われる処理期間の初期圧力値を、圧力センサ２５から入力される現在の圧力値Ｓ２５とし、バルブ開度決定工程（ステップＳＴ１０５）において次の処理期間における実行開度が再度決定される。

例えば、２回目の目標設定工程（ステップＳＴ１０４）において、１回目の減圧乾燥工程（ステップＳＴ１０６）において目標圧力値１０，０００Ｐａとならず、現在の圧力値Ｓ２５が１１，０００Ｐａとなる場合がある。この場合、目標設定部６１が、次の処理期間である第２処理期間の初期圧力値を現在の圧力値Ｓ２５である１１，０００Ｐａに変更する。上述のように、バルブ開度決定工程（ステップＳＴ１０５）において、差分が目標到達時間と一致しない学習開度を実行開度に決定した場合は特に、このように次の処理期間の初期設定値を設定し直すことが好ましい。

そして、開度決定部６３が、新しい初期圧力値に基づいて第２処理期間の実行開度を決定する（ステップＳＴ１０５）。具体的には、開度決定部６３は、各学習開度について、初期圧力値１１，０００Ｐａへの到達時間である第１時間を目標圧力値２０Ｐａへの到達時間である第２時間から引いた差分を算出する。そして、開度決定部６３は、テーブルデータＳ６２において、差分と目標到達時間２０ｓｅｃとが一致または近似する学習開度に基づいて実行開度を決定する。

図６のテーブルデータＳ６２では学習開度１３°における第１時間は６．５ｓｅｃ、第２時間は２８．３ｓｅｃ、差分は２１．８ｓｅｃであり、学習開度１４°における第１時間は６．３ｓｅｃ、第２時間は２５．６ｓｅｃ、差分は１９．３ｓｅｃである。このため、開度決定部６３は、第２処理期間Ｔ２の実行開度を１３°に決定する。

このように実行開度を再度決定すれば、直前に行われた減圧乾燥処理工程（ステップＳＴ１０６）の終了時の圧力値Ｓ２５が、次に行われる処理期間の初期圧力値と異なっていた場合であっても、その後の減圧乾燥処理を適切に行うことができる。特に、本実施形態では、上述の通り、目標設定工程（ステップＳＴ１０４）において差分と目標到達時間よりも大きい学習開度を実行開度に決定する場合がある。したがって、現在の圧力値Ｓ２５が次に行われる処理期間の初期圧力値よりも大きくなる場合があるため、実行開度を再度決定することが好ましい。なお、直前に行われた減圧乾燥処理工程（ステップＳＴ１０６）の終了時の圧力値Ｓ２５と、次に行われる処理期間の初期圧力値との誤差が僅かである場合は、当該目標設定工程（ステップＳＴ１０４）を省略してもよい。

ステップＳＴ１０４において次の処理期間における実行開度が決定すると、当該実行開度に基づいて、動作制御部６４が各部を制御し、減圧乾燥処理を行う（ステップＳＴ１０６）。そして、再び、制御部６０が、減圧乾燥処理が全て完了したか否かを判断する（ステップＳＴ１０７）。

第２処理期間Ｔ２の完了後、ステップＳＴ１０７において、減圧乾燥処理がまだ完了していないと判断すると、制御部６０は、ステップＳＴ１０４へと戻る。

第３処理期間Ｔ３では、チャンバ２０内の気圧を大気圧まで上昇させる。このため、３回目のステップＳＴ１０４およびステップＳＴ１０５において、目標データＳ６１の設定および実行開度の決定はなされない。

第３処理期間Ｔ３に当たる３回目の減圧乾燥工程（ステップＳＴ１０６）では、動作制御部６４はバルブ４５を閉鎖し、チャンバ２０内からの排気を停止する。そして、開閉弁５２を開放し、不活性ガス供給源５２からチャンバ２０内への不活性ガスのパージを行う。これにより、チャンバ２０内の気圧を大気圧まで上昇させる。チャンバ２０内の圧力が大気圧となったら、開閉弁５２が閉鎖される。これにより、減圧乾燥工程が全て完了する。

第３処理期間Ｔ３の完了後、ステップＳＴ１０７において、減圧乾燥処理が全て完了したと判断すると、制御部６０は、ステップＳＴ１０８へと進む。

そして、チャンバ２０から基板Ｇが搬出される（ステップＳＴ１０８）。ステップＳＴ１０８では、ステップＳＴ１０３と同様、バルブ４５および開閉弁５２が閉鎖された状態で、チャンバ２０の蓋部２２をチャンバ開閉機構により上昇させる。これにより、チャンバ２０が開放される。そして、減圧乾燥処理が施された基板Ｇがチャンバ２０外へと搬出される。

減圧乾燥装置１の設置環境が異なると、バルブ４５の開度が同一であっても、チャンバ２０内の減圧速度がそれぞれ異なる。そのため、減圧乾燥装置１の設置環境により、所望の減圧速度と現実の減圧速度との間に乖離が生じる虞がある。

この減圧乾燥装置１では、ステップＳＴ１０４〜ステップＳＴ１０７で行われる基板Ｇの減圧乾燥処理の前にステップＳＴ１０１の学習工程が行われる。これにより、減圧乾燥装置１が基板Ｇの減圧乾燥処理を行う際と同じ設置環境の下で、テーブルデータＳ６２が取得される。当該テーブルデータＳ６２に基づいて減圧乾燥処理を行うことにより、所望の減圧速度と現実の減圧速度との間に乖離が生じるのが抑制できる。すなわち、より所望の減圧速度に近い減圧速度で減圧処理を行うことができる。

所望の減圧速度で減圧処理を行うために、従来はＰＩＤ制御が行われていた。しかしながら、大気圧から減圧を行う場合、ＰＩＤ制御を用いると、バルブ４５の角度変動に対して真空圧力変動が激しいため、大きくハンチングして制御しきれないという問題が生じる。このため、大気圧から減圧を行う場合、本発明のように、予め行った学習工程（ＳＴ１０１）の結果を用いることにより、このような問題が生じることを抑制できる。なお、減圧がある程度進み、圧力が一定以下となれば、本発明の手法と、ＰＩＤ制御などの従来のフィードバック制御を組み合わせて実行開度Ｓ６３を変更してもよい。

なお、ステップＳＴ１０１の学習工程は、ステップＳＴ１０２〜ステップＳＴ１０５で行われる基板Ｇの減圧乾燥処理毎に行われなくてもよい。当該学習工程は、減圧乾燥装置１の設置や移設の際に行われたり、定期的なメンテナンス時に行われたりするものであってもよい。

また、同一設計により製造される複数の減圧乾燥装置１であっても、製造誤差等により、同じバルブ４５の開度で減圧乾燥処理を行っても、各減圧乾燥装置１におけるチャンバ２０内の減圧速度にはばらつきが存在する。本実施形態のように、各減圧乾燥装置１において減圧乾燥処理前にテーブルデータＳ６２を取得することにより、減圧乾燥装置１の個体差に起因して所望の減圧速度と現実の減圧速度との間に乖離が生じるのが抑制できる。すなわち、より所望の減圧速度に近い減圧速度で減圧処理を行うことができる。

このように、本実施形態の減圧乾燥装置１によれば、装置の個体差や設置環境に拘わらず、目標減圧波形Ｒの各期間において所望の減圧速度に近い減圧速度で減圧処理を行うことができる。これにより、レジスト液の突沸が抑制され、平滑なレジスト膜を得ることができる。

なお、本実施形態では、目標設定工程（ステップＳＴ１０４）において、開度決定部６３が不適切な実行開度Ｓ６３を決定するのを防止するため、テーブルデータＳ６２中において参照するテスト開度を制限する。具体的には、予め、初期圧力値または目標圧力値が属する複数の範囲と、参照するテスト開度の範囲との組み合わせを準備しておく。そして、目標設定工程（ステップＳＴ１０４）において、初期圧力値または目標圧力値が属する範囲に対応するテスト開度の範囲のみを参照して、実行開度Ｓ６３が決定される。

図５には、テスト開度６０°の波形と、テスト開度９０°の波形とがほぼ重なって示されている。図６には、例えば１０，０００Ｐａへの到達時間がテスト開度２３°以上において互いに近似していることがわかる。このように、近似した波形が複数ある場合、目標設定工程（ステップＳＴ１０４）において不適切に大きな実行開度Ｓ６３が設定されるおそれがある。

また、理論的には、テスト開度が大きい程、所定の圧力値Ｓ２５への到達時間が小さくなる。しかしながら、図６においてテスト開度２３°以上における１０，０００Ｐａへの到達時間を参照すると、かならずしもテスト開度が大きい程１０，０００Ｐａへの到達時間が小さくなっていない箇所がある。このように、学習工程（ステップＳＴ１０１）における減圧乾燥装置１周辺の状態の変化や、計測誤差等によって、得られるテーブルデータＳ６２にも誤差が生じている。このような誤差に起因して目標設定工程（ステップＳＴ１０４）において不適切に大きな実行開度Ｓ６３が設定されるおそれもある。

本実施形態では、このような理由によって開度決定部６３が不適切な実行開度Ｓ６３を決定するのを防止するため、目標設定工程（ステップＳＴ１０４）において、テーブルデータＳ６２中において参照するテスト開度を制限している。本実施形態では、開度決定部６３は、例えば、目標圧力値を１０，０００Ｐａとする処理期間については、目標設定工程（ステップＳＴ１０４）において、参照するテスト開度を２３°以下に制限する。このようにすれば、不適切に大きい実行開度Ｓ６３が決定されるのを抑制できる。

＜２．変形例＞
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のように変形実施されてもよい。

図８は、変形例に係る目標減圧波形Ｒの一例を示した図である。図８の例の目標減圧波形Ｒは、上記の実施形態の目標減圧波形Ｒと同じレシピＳ７０を示したものである。図８の例では、制御部６０は、処理期間Ｔ１，Ｔ２を複数の小期間Ｔ１１〜Ｔ１３，Ｔ２１〜Ｔ２７に分割する。そして、ステップＳＴ１０６における減圧乾燥工程（ステップＳＴ１０６）を、小期間Ｔ１１〜Ｔ１３，Ｔ２１〜Ｔ２７ごとに行う。すなわち、バルブ開度決定工程（ステップＳＴ１０５）において、開度決定部６３は、小期間Ｔ１１〜Ｔ１３，Ｔ２１〜Ｔ２７ごとに、テーブルデータＳ６２と目標データＳ６１とに基づいて、実行開度Ｓ６３を決定する。

図５と図８とを比較すると、図８に示す目標減圧波形Ｒが直線的であるのに対して、図５に示すバルブ開度を一定のテスト開度に維持したまま減圧排気をした場合の波形は曲線的な部分が見られる。このため、各処理期間において初期圧力値、目標圧力値および目標到達時間が一致するテスト開度を実行開度として選択した場合であっても、減圧乾燥処理における減圧波形が曲線的に推移し、目標減圧波形Ｒと一致しない部分が生じる場合がある。そこで、図８の例のように、小期間ごとに実行開度Ｓ６３を決定することにより、減圧乾燥処理における減圧波形を、より目標減圧波形Ｒに近似できる。すなわち、より所望の減圧速度に近い減圧速度で減圧処理を行うことができる。

図８の例では、第１処理期間Ｔ１は、小期間Ｔ１１（１０ｓｅｃ）および小期間Ｔ１２，Ｔ１３（５ｓｅｃ）に分割される。また、第２処理期間Ｔ２は、小期間Ｔ２１，Ｔ２２（５ｓｅｃ）および小期間Ｔ２３〜Ｔ２７（２ｓｅｃ）に分割される。

図６に示すように、初期状態の大気圧１００，０００Ｐａから減圧排気を行う場合、チャンバ２０内の圧力が下がり始めるまでに若干の時間（図５および図６の例では、テスト開度８°以上で１．７ｓｅｃ〜２．５ｓｅｃ程度）がかかる。このため、最初の小期間Ｔ１１は、５ｓｅｃ以上とすることが好ましい。

続いて行われる小期間Ｔ１２，Ｔ１３および小期間Ｔ２１，Ｔ２２は、最初の小期間Ｔ１１（１０ｓｅｃ）よりも短い期間（５ｓｅｃ）で行われる。これにより、減圧乾燥処理における減圧波形を、より目標減圧波形Ｒに近似できる。

小期間Ｔ２３〜Ｔ２７は、それ以前の小期間Ｔ１２，Ｔ１３および小期間Ｔ２１，Ｔ２２（５ｓｅｃ）よりもさらに短い期間（２ｓｅｃ）で行われる。

レジストや溶剤の種類にもよるが、チャンバ２０内の圧力が一定（例えば６００Ｐａ）以下となると、レジストや溶剤の蒸発が始まる。その場合、レジストや溶剤の蒸気が発生することにより、チャンバ２０内の圧力が低下しにくくなり、チャンバ２０内の減圧波形が目標減圧波形Ｒと一致しにくくなる。このため、チャンバ２０内の圧力が一定以下となる小期間Ｔ２３〜Ｔ２７では、それ以前の小期間Ｔ１２，Ｔ１３および小期間Ｔ２１，Ｔ２２よりも短い期間とし、チャンバ２０内の圧力値Ｓ２５をフィードバックして実行開度Ｓ６３を決定することが好ましい。

なお、レジストや溶剤の蒸発が始まる圧力に達した場合、ＰＩＤ制御などの従来のフィードバック制御を組み合わせて実行開度Ｓ６３を随時変更するようにしてもよい。

また、上記の実施形態では、減圧乾燥装置が１つのチャンバのみを有していたが、本発明はこれに限られない。減圧乾燥装置は、複数のチャンバと、チャンバのそれぞれに接続する複数の配管部を有していてもよい。その場合、制御部は、複数のチャンバのそれぞれに対して、固有の減圧曲線データを取得することが好ましい。これにより、チャンバごとの固有の圧力変化特性に対応して、目標減圧波形により近い減圧波形を実現できる。

また、上記の実施形態では、配管部がバルブを２つ有していたが、配管部に備えられるバルブは１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。

また、上記の実施形態の減圧乾燥装置は、基板処理装置の一部であったが、本発明の減圧乾燥装置は、他の処理部とともに設置されない独立した装置であってもよい。また、上記の実施形態の減圧乾燥装置は、レジスト液が付着した基板を乾燥させるものであったが、本発明の減圧乾燥装置は、その他の処理液が付着した基板を乾燥させるものであってもよい。

また、上記の実施形態の減圧乾燥装置は、液晶表示装置用ガラス基板を処理対象としていたが、本発明の減圧乾燥装置は、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置などの他のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、カラーフィルタ用基板、記録ディスク用基板、太陽電池用基板などの他の精密電子装置用基板を処理対象とするものであってもよい。

また、上記の実施形態や変形例に登場した各要素を、矛盾が生じない範囲で、適宜に組み合わせてもよい。

１ 減圧乾燥装置
９ 基板処理装置
２０ チャンバ
２５ 圧力センサ
３０ 排気ポンプ
４０ 配管部
５０ 不活性ガス供給部
６０ 制御部
６１ 目標設定部
６２ テーブルデータ取得部
６３ 開度決定部
６４ 動作制御部
７０ 入力部
Ｓ２５ 圧力値
Ｓ６１ 目標データ
Ｓ６２ テーブルデータ
Ｓ６３ 実行開度
Ｓ７０ レシピ
Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３ 処理期間
Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ１３，Ｔ２１，Ｔ２２，Ｔ２３，Ｔ２４，Ｔ２５，Ｔ２６，Ｔ２７ 小期間

Claims (13)

1. 処理液が付着した基板を減圧乾燥する減圧乾燥装置であって、
   前記基板を収容するチャンバと、
   前記チャンバ内を減圧排気する減圧排気部と、
   前記チャンバと前記減圧排気部との間に介在し、バルブ開度により減圧排気の流量を調節するバルブと、
   処理期間ごとに、初期圧力値、目標圧力値および目標到達期間を含む目標データが設定される目標設定部と、
   所定の複数の前記バルブ開度のそれぞれについて、減圧排気による前記チャンバ内の圧力と前記圧力への到達時間との関係を示すテーブルデータを取得するテーブルデータ取得部と、
   前記テーブルデータと、前記目標データとに基づいて、減圧乾燥処理実行時の前記バルブ開度を決定する開度決定部と、
   前記減圧乾燥処理実行時に、前記開度決定部の決定に基づいて前記バルブ開度を制御する動作制御部と、
   を有する、減圧乾燥装置。
2. 請求項１に記載の減圧乾燥装置であって、
   前記開度決定部は、
   前記テーブルデータから、それぞれの前記バルブ開度について、前記初期圧力値への前記到達時間である第１時間と、前記目標圧力値への前記到達時間である第２時間とを参照し、前記第２時間と前記第１時間との差分を算出し、
   前記差分と前記目標到達時間とが一致または近似する前記バルブ開度に基づいて、減圧乾燥処理実行時の前記バルブ開度に決定する、減圧乾燥装置。
3. 請求項２に記載の減圧乾燥装置であって、
   前記開度決定部は、
   前記差分と前記目標到達時間とが一致する前記バルブ開度がある場合、前記差分と前記目標到達時間とが一致する前記バルブ開度を減圧乾燥処理実行時の前記バルブ開度に決定し、
   前記差分と前記目標到達時間とが一致する前記バルブ開度がない場合、前記差分が前記目標到達時間よりも大きい前記バルブ開度であって、前記差分が前記目標到達時間に最も近似する前記バルブ開度を減圧乾燥処理実行時の前記バルブ開度に決定する、減圧乾燥装置。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の減圧乾燥装置であって、
   前記開度決定部は、
   前記処理期間を複数の小期間に分割し、
   前記小期間ごとに、前記テーブルデータと前記目標データとに基づいて、減圧乾燥処理実行時の前記バルブ開度を決定する、減圧乾燥装置。
5. 請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の減圧乾燥装置であって、
   前記目標設定部において、連続する複数の前記目標データが入力される、減圧乾燥装置。
6. 請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の減圧乾燥装置であって、
   複数の前記バルブを有し、
   前記動作制御部は、複数の前記バルブの全てを同一の開度で動作させる、減圧乾燥装置。
7. 請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の減圧乾燥装置であって、
   前記バルブは、弁の角度を変えることによって開度を調節する、減圧乾燥装置。
8. 請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の減圧乾燥装置であって、
   複数の前記チャンバを有し、
   前記テーブルデータ取得部は、前記チャンバのそれぞれに対して、固有の前記テーブルデータを取得する、減圧乾燥装置。
9. 前記基板に対してレジスト液の塗布と現像を行う基板処理装置であって、
   露光処理前の前記基板に前記レジスト液を塗布する塗布部と、
   前記レジスト液が付着した前記基板を減圧乾燥する、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の減圧乾燥装置と、
   前記露光処理が施された前記基板に対して現像処理を行う現像部と
   を有する、基板処理装置。
10. 処理液が付着した基板をチャンバ内に収容して前記チャンバ内を減圧することにより、前記基板を乾燥させる減圧乾燥方法であって、
    ａ）前記チャンバからの減圧排気の流量を調節するバルブの複数のバルブ開度のそれぞれについて、減圧排気による前記チャンバ内の圧力と前記圧力への到達時間との関係を示すテーブルデータを取得する学習工程と、
    ｂ）初期圧力値、目標圧力値および目標到達時間を含む目標データを設定する設定工程と、
    ｃ）前記工程ａ）および前記工程ｂ）の後で、前記テーブルデータと、前記目標データとに基づいて、減圧乾燥処理実行時の前記バルブ開度を決定する開度決定工程と、
    ｄ）前記工程ｃ）における決定に基づいて、前記バルブ開度を調節する減圧乾燥工程と、
    を有する、減圧乾燥方法。
11. 請求項１０に記載の減圧乾燥方法であって、
    前記工程ｃ）は、
    ｃ１）前記テーブルデータから、それぞれの前記バルブ開度について、前記初期圧力値への前記到達時間である第１時間と、前記目標圧力値への前記到達時間である第２時間とを参照する工程と、
    ｃ２）前記第２時間と前記第１時間との差分を算出する工程と、
    ｃ３）前記差分と前記目標到達時間とが一致または近似する前記バルブ開度を、前記工程ｄ）の減圧乾燥工程における前記バルブ開度に決定する工程と、
    を含む、減圧乾燥方法。
12. 請求項１１に記載の減圧乾燥方法であって、
    前記工程ｃ３）において、
    前記差分と前記目標到達時間とが一致する前記バルブ開度がある場合、前記差分と前記目標到達時間とが一致する前記バルブ開度を減圧乾燥処理実行時の前記バルブ開度に決定し、
    前記差分と前記目標到達時間とが一致する前記バルブ開度がない場合、前記差分が前記目標到達時間よりも大きい前記バルブ開度であって、前記差分が前記目標到達時間に最も近似する前記バルブ開度を減圧乾燥処理実行時の前記バルブ開度に決定する、減圧乾燥方法。
13. 請求項１０ないし請求項１２のいずれかに記載の減圧乾燥方法であって、
    前記工程ｃ）において、前記処理期間を複数に分割した小期間ごとに、前記テーブルデータと前記目標データとに基づいて、減圧乾燥処理実行時の前記バルブ開度を決定する、減圧乾燥方法。

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