JP4961381B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
基板を処理する反応容器と、前記反応容器内を加熱するヒータと、前記反応容器内にガスを供給するガス供給ラインと、前記ガス供給ラインに設けられた第1バルブと、前記ガス
供給ラインに設けられガスの供給流量を制御する流量制御器と、前記反応容器内を排気するメイン排気ラインと、前記メイン排気ラインに設けられた第2バルブと、前記第2バルブをバイパスするように前記メイン排気ラインに設けられたスロー排気ラインと、前記スロー排気ラインに設けられた第3バルブと、前記スロー排気ラインに設けられ前記スロー排気ラインのガス流路を絞る絞り部と、前記メイン排気ラインに設けられ前記反応容器内を真空排気可能な真空ポンプと、基板処理時以外のときに、前記反応容器内に不活性ガスを、基板処理時に前記反応容器内に流すガスの総流量よりも大きな流量にて供給しつつ、前記スロー排気ラインを介して前記真空ポンプにより前記反応容器内を排気するように前記各バルブおよび前記流量制御器を制御するコントローラと、を有する基板処理装置が提供される。
基板処理装置の反応容器内に基板を搬入する工程と、前記反応容器内に処理ガスを供給しつつメイン排気ラインを介して真空ポンプにより前記反応容器内を排気して基板を処理する工程と、処理後の基板を前記反応容器内から搬出する工程と、前記反応容器内に次に処理する基板を搬入するまでの間、前記基板処理装置を待機させる工程と、を有し、前記基板を処理する工程以外のときに、前記反応容器内に不活性ガスを、前記基板を処理する工程において前記反応容器内に流すガスの総流量よりも大きな流量にて供給しつつ、前記メイン排気ラインに並列に設けられガス流路を絞る絞り部が設けられたスロー排気ラインを介して前記真空ポンプにより前記反応容器内を排気する半導体装置の製造方法が提供される。
以下に、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置としての縦型CVD装置の構成例について、図面を参照しながら説明する。図1、図2は、本発明の一実施形態にかかる縦型CVD装置の構成概略図(縦断面図)であり、図1は、基板を支持したボートを収容した反応容器をシールキャップにより閉塞した状態を示しており、図2はボートを収容しない状態、すなわちボートを引き出した状態の反応容器をシャッタにより閉塞した状態を示している。図3は、本発明の一実施形態にかかる縦型CVD装置が有するガス供給系として
のガス供給ラインの構成概略図であり、図4は、本発明の一実施形態にかかる縦型CVD装置が有するメイン排気ライン及びスロー排気ラインを含むガス排気系としてのガス排気ラインの構成概略図である。
図1に示すように、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置としての縦型CVD装置は、搬入された基板としてのウェハ200を処理する反応容器210を有している。なお、反応容器210は、プロセスチューブ203とマニホールド209とを有している。
プロセスチューブ203の外側には、プロセスチューブ203と同心円状に、処理室201内を加熱する加熱機構としてのヒータ206が設けられている。ヒータ206は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース251に支持されている。ヒータベース251は、マニホールド209を支持するようにも構成されている。
処理室201内には、基板を支持する支持具としてのボート217を、マニホールド209の下端開口の下方側から搬入することが出来るように構成されている。ボート217は、複数枚の基板としてのウェハ200を、水平姿勢であって互いに中心を揃えた状態で整列させ、多段に支持するように構成されている。ボート217は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料から構成されている。ボート217の下部には、円板形状をした断熱部材としての断熱板216が、ウェハ200と同様に、水平姿勢で多段に複数枚配置されている。断熱板216は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料から構成されており、ヒータ206からの熱がマニホールド209側へ伝わるのを抑制する。
マニホールド209の下端開口には、反応容器210を気密に閉塞することが可能な第1の炉口蓋体としてのシールキャップ219と、第2の炉口蓋体としてのシャッタ260と、が着脱可能に設けられている。シールキャップ219は、マニホールド209の下端に、反応容器210の垂直方向下側から当接されるように構成されている。シールキャップ219は、例えばステンレス等の金属から構成されており、円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面には、マニホールド209の下端と当接するシール部材としてのOリング220bが設けられている。
マニホールド209の側面部には、シールキャップ219やシャッタ260により閉塞された反応容器210内に処理ガス及び不活性ガスを供給するガス供給系としてのガス供給ライン230が設けられている。
るように構成されている。
BTBAS供給ライン230aには、常温では液体である液体原料としてのBTBASを供給するBTBAS供給源50と、BTBASの液体流量を制御する液体流量制御器としての液体マスフローコントローラ(LMFC)51と、BTBASを気化させて処理ガスとしての原料ガスを発生させる気化器52とが、直列に接続されている。
ブ53を開けるよう、開閉バルブ53、54を切り替えることにより処理室201内への処理ガスの安定した供給を迅速に行うことが出来る。
NH3ガス供給ライン230bには、処理ガスとしてのアンモニア(NH3)ガスを供給するNH3ガス供給源60と、NH3ガスのガス流量を制御する流量制御器としてのマスフローコントローラ(MFC)61とが、直列に接続されている。NH3ガス供給ライン230bのNH3ガス供給源60とMFC61との間には開閉バルブ62が、MFC61とマニホールド209との間には開閉バルブ63が、それぞれ設けられている。
N2ガス供給ライン230cには、不活性ガスとしての窒素(N2)ガスを供給するN2ガス供給源70と、N2ガスのガス流量を制御する流量制御器としてのマスフローコントローラ(MFC)71とが、直列に接続されている。N2ガス供給ライン230cのN2ガス供給源70とMFC71との間には、開閉バルブ72が設けられている。また、N2ガス供給ライン230cのMFC71よりも下流側は、開閉バルブ73aを介して、BTBAS供給ライン230aの開閉バルブ53よりも下流側(すなわち開閉バルブ53とマニホールド209との間)に接続されている。さらに、N2ガス供給ライン230cのMFC71の下流側は、開閉バルブ73bを介して、NH3ガス供給ライン230bの開閉バルブ63よりも下流側(すなわち開閉バルブ63とマニホールド209との間)にも接続されている。
ガス供給ライン230とは反対側のマニホールド209の側面部には、処理室201内を排気するガス排気系としてのガス排気ライン231を構成するメイン排気ライン231aが設けられている。メイン排気ライン231aは、インナーチューブ204とアウターチューブ205との隙間によって形成される筒状空間250の下端部に連通している。
等の真空排気装置231dが、直列に接続されている。従って、メイン排気バルブ231bを開けて、真空排気装置231dを作動させることによって、処理室201内を排気することが可能である。
メイン排気ライン231aには、処理室201内を排気するガス排気系としてのガス排気ライン231を構成するスロー排気ライン232aがメイン排気ライン231aから分岐するように設けられている。スロー排気ライン232aは、メイン排気ライン231aと並列に設けられており、その内径はメイン排気ライン231aの内径よりも小さい。スロー排気ライン232aは、メイン排気バルブ231bをバイパスするようにメイン排気ライン231aに接続されている。すなわち、スロー排気ライン232aは、メイン排気ライン231aのうちメイン排気バルブ231bよりも上流側と、メイン排気バルブ231bよりも下流側と、にそれぞれ接続されている。
メイン排気ライン231a内への反応副生成物の付着を抑制することが出来る。また、オリフィス232cが設けられることにより、スロー排気ライン232aで排気する際のスロー排気ライン232aからの排気量の安定化を図ることが出来るとともに、真空排気装置231dへの負担の軽減を図ることが出来る。なお、オリフィス232cは、スロー排気バルブ232bよりも上流側に設けてもよく、下流側に設けてもよい。
ガス供給/流量制御部235、排気/圧力制御部236、駆動制御部237、及び温度制御部238は、基板処理装置全体を制御する主制御部239に電気的に接続されている。ガス供給/流量制御部235、排気/圧力制御部236、駆動制御部237、温度制御部238、及び主制御部239は、基板処理装置のコントローラ240として構成されている。
続いて、本発明の一実施形態にかかる基板処理方法の一例として、上述の基板処理装置を用いて半導体装置の製造工程の一工程として、CVD法によりウェハ200上に薄膜を形成する方法について図5を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作は、コントローラ240により制御される。
まず図2に示すように、ボートエレベータ115によりシールキャップ219とボート217を下降させ、反応容器210をシャッタ260により封止した状態で処理対象の複数枚のウェハ200を、ボート217に装填(ウェハチャージ)する。そして、シャッタ駆動装置261によりシャッタ260を下降及び回転させることでマニホールド209の下端を開口させる。そして、図1に示すように、複数枚のウェハ200を支持したボート217を、ボートエレベータ115によって上昇させて、処理室201内に搬入(ボートロード)する。そして、マニホールド209の下端開口部を、Oリング220bを介してシールキャップ219によりシールする。その結果、図1に示す状態となる。
続いて、処理室201内が所望の圧力(真空度)となるように、真空排気装置231dを作動させ、メイン排気バルブ231bを閉じ、スロー排気バルブ232bを開くことで、スロー排気ライン232aにより処理室201内を穏やかに排気(スロー排気)した後、スロー排気バルブ232bを閉じ、メイン排気バルブ231bを開くことで、メイン排気ライン231aにより処理室201内を真空排気(メイン排気)する。この際、処理室201内の圧力を圧力センサ245で検出(測定)し、この検出(測定)した圧力情報に基づいて、メイン排気バルブ231bをフィードバック制御する。
続いて、開閉バルブ50cを開け、原料タンク50a内に押し出しガスを供給し、原料タンク50aからLMFC51へとBTBASを押し出し、押し出したBTBASをLMFC51によって流量制御しながら気化器52へと供給し、気化器52にてBTBASを
加熱昇温することにより気化させて、BTBASガスを発生させる。なお、BTBASガスは、圧力調整工程及び温度調整工程(S2)の完了までに発生させておくことが好ましい。その際、発生させたBTBASガスは、開閉バルブ53を閉め、開閉バルブ54を開けることにより、処理室201内へ供給することなく、メイン排気ライン231aを介して排気しておくことが好ましい。
続いて、開閉バルブ72,73a,73bを開けることにより、処理室201内へN2ガスを供給して処理室201内をパージし、処理室201内の雰囲気をN2ガスに置換して、処理室201内の圧力を大気圧に復帰させる。
続いて、ボートエレベータ115によりシールキャップ219を下降させて、マニホールド209の下端を開口させるとともに、処理済のウェハ200を保持したボート217を下降させて、処理室201内から搬出(ボートアンロード)する。この際、開閉バルブ72,73a,73bは開けたままとし、反応容器内にN2ガスを常に流しておくことが好ましい。その後、シャッタ駆動装置261によりシャッタ260を回転及び上昇させることで、マニホールド209の下端開口部を、Oリング220cを介してシャッタ260によりシールする。その結果、図2に示す状態となる。その後、処理室201内から搬出したボート217から、処理済のウェハ200を取り出す(ウェハディスチャージ)。
ボート217が引き出し位置(マニホールド209の下端開口より下方のHOME位置)にある間、マニホールド209の下端開口部は、上述のようにシャッタ260により封
止され、装置の待機運転(アイドル運転)を行う待機工程中、反応容器は図2に示す状態に維持される。
本実施形態によれば、以下に示す一つ又は複数の効果を奏する。
気すると、ガス流速は遅くなるものの、N2分子間の距離が小さくなり、N2分子はガス流中に密に存在することとなり、N2分子が副生成物等と衝突する確率が高くなるので、逆流しようとする副生成物等を有効に排出することができるようになる。
整するためのオリフィス232cが挿入されていることから、スロー排気ライン232aからの排気量を安定させるとともに、真空排気装置231dへの負荷を軽減させることが出来る。
以下に、本発明の実施例1を、比較例とともに説明する。
図6は、本発明の実施例および比較例における処理済みのウェハ上での微小パーティクル(異物)の発生量を示したグラフ図である。図6の横軸は、バッチ処理回数(Run No.)を示しており、No.1〜4が比較例の連続バッチ処理、No.5〜10が実施例の連続バッチ処理を示している。図6の縦軸は、ウェハ上での微小パーティクル(0.08μm〜)の発生量を示している。また、◆印はボート217の上部(TOP)に、■印はボート217の中央部(CENTER)に、△印はボート217の底部(BOTTOM)に配置された各ウェハ200上での微小パーティクル(異物)の発生量をそれぞれ示している。
以下に、本発明の実施例2について説明する。
パーティクルの巻き上げが生じなかったことを示しており、×は副生成物の逆拡散が生じたこと、パーティクルの巻き上げが生じたことを示している。
上述の説明においては、BTBASガスと、NH3ガスとを処理ガスとして用いることでSi3N4膜(BTBAS−SiN膜)を形成する場合について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されない。すなわち、本発明は、BTBASガスの代わりにDCS(ジクロロシラン(SiH2Cl2))ガス、TCS(トリクロロシラン(SiHCl3))ガス、HCD(ヘキサクロロジシラン(Si2Cl6))ガス等のクロル系シランガスを用いてSi3N4膜を形成する場合や、NH3ガスの代わりにN2H4等のヒドラジン系ガスを用いてSi3N4膜を形成する場合にも適用することができる。
S−SiN膜に比べ、非常に薄くても剥がれるのが特徴であり、DCS−SiN膜では気にしないレベルでの膜剥がれが起こる。従って、本発明は、BTBAS−SiN膜のような剥がれやすい膜を成膜する場合において特に有効といえる。
232aの周囲に配管ヒータ310を設け、配管内からの副生成物等の逆流や配管内への副生成物等の付着をさらに防止するようにしてもよい。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
基板を処理する反応容器と、
前記反応容器内を加熱するヒータと、
前記反応容器内にガスを供給するガス供給ラインと、
前記ガス供給ラインに設けられた第1バルブと、
前記ガス供給ラインに設けられガスの供給流量を制御する流量制御器と、
前記反応容器内を排気するメイン排気ラインと、
前記メイン排気ラインに設けられた第2バルブと、
前記第2バルブをバイパスするように前記メイン排気ラインに設けられたスロー排気ラインと、
前記スロー排気ラインに設けられた第3バルブと、
前記スロー排気ラインに設けられ前記スロー排気ラインのガス流路を絞る絞り部と、
前記メイン排気ラインに設けられ前記反応容器内を真空排気可能な真空ポンプと、
基板処理時以外のときに、前記反応容器内に不活性ガスを、基板処理時に前記反応容器内に流すガスの総流量よりも大きな流量にて供給しつつ、前記スロー排気ラインを介して前記真空ポンプにより前記反応容器内を排気するように前記各バルブおよび前記流量制御器を制御するコントローラと、を有する基板処理装置が提供される。
孔の直径が1mm以上3mm以下である。
前記コントローラは、前記メイン排気ラインの前記第2バルブよりも上流側および/または前記スロー排気ラインの前記第3バルブよりも上流側の温度が120℃以上200℃以下となるように前記サブヒータを制御する。
内から引き出し、前記反応容器を前記シャッタにより閉塞してから、次に処理する基板を支持した前記支持具を前記反応容器内に搬入するために前記シャッタを開放するまでの間(であって、前記反応容器内のクリーニング時以外の時)である。
基板処理装置の反応容器内に基板を搬入する工程と、
前記反応容器内に処理ガスを供給しつつメイン排気ラインを介して真空ポンプにより前記反応容器内を排気して基板を処理する工程と、
処理後の基板を前記反応容器内から搬出する工程と、
前記反応容器内に次に処理する基板を搬入するまでの間、前記基板処理装置を待機させる工程と、を有し、
前記基板を処理する工程以外のときに、前記反応容器内に不活性ガスを、前記基板を処理する工程において前記反応容器内に流すガスの総流量よりも大きな流量にて供給しつつ、前記メイン排気ラインに並列に設けられガス流路を絞る絞り部が設けられたスロー排気ラインを介して前記真空ポンプにより前記反応容器内を排気する
半導体装置の製造方法が提供される。
217 ボート(支持具)
219 シールキャップ
230 ガス供給ライン
230a BTBAS供給ライン(処理ガス供給ライン)
230b NH3ガス供給ライン(処理ガス供給ライン)
230c N2ガス供給ライン(不活性ガス供給ライン)
231a メイン排気ライン
231b メイン排気バルブ
232a スロー排気ライン
232b スロー排気バルブ
232c オリフィス(絞り部)
240 コントローラ
245 圧力センサ
Claims (10)
- 基板を処理する反応容器と、
前記反応容器内を加熱するヒータと、
前記反応容器内にガスを供給するガス供給ラインと、
前記ガス供給ラインに設けられた第1バルブと、
前記ガス供給ラインに設けられガスの供給流量を制御する流量制御器と、
前記反応容器内を排気するメイン排気ラインと、
前記メイン排気ラインに設けられた第2バルブと、
前記第2バルブをバイパスするように前記メイン排気ラインに設けられたスロー排気ラインと、
前記スロー排気ラインに設けられた第3バルブと、
前記スロー排気ラインに設けられ前記スロー排気ラインのガス流路を絞る絞り部と、
前記メイン排気ラインに設けられ前記反応容器内を真空排気可能な真空ポンプと、
基板処理時以外のときに、前記反応容器内に不活性ガスを、基板処理時に前記反応容器内に流すガスの総流量よりも大きな流量にて供給しつつ、前記スロー排気ラインを介して前記真空ポンプにより前記反応容器内を排気するように前記各バルブおよび前記流量制御器を制御するよう構成されているコントローラと、
を有し、
前記絞り部はオリフィスにより構成され、該オリフィスのガス流路となる孔の直径が1mm以上3mm以下であり、
前記コントローラは、さらに、基板処理時以外のときに、前記反応容器内に不活性ガスを5slm以上30slm以下の流量にて供給しつつ、前記スロー排気ラインを介して前記真空ポンプにより前記反応容器内を排気するように前記各バルブおよび前記流量制御器を制御するよう構成されていることを特徴とする基板処理装置。 - 前記絞り部および前記コントローラは、基板処理時以外のときに、前記反応容器内に不活性ガスを、基板処理時に前記反応容器内に流すガスの総流量よりも大きな流量にて供給しつつ、前記スロー排気ラインを介して前記真空ポンプにより前記反応容器内を排気するように前記各バルブおよび前記流量制御器を制御する際に、前記反応容器内の圧力を大気圧とし、前記スロー排気ライン内の前記絞り部よりも下流側の圧力を減圧とするよう構成
されていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記絞り部および前記コントローラは、基板処理時以外のときに、前記反応容器内に不活性ガスを、基板処理時に前記反応容器内に流すガスの総流量よりも大きな流量にて供給しつつ、前記スロー排気ラインを介して前記真空ポンプにより前記反応容器内を排気するように前記各バルブおよび前記流量制御器を制御する際に、前記反応容器内の圧力を大気圧とし、前記スロー排気ライン内の前記絞り部よりも下流側の圧力および前記メイン排気ライン内の前記第2バルブよりも下流側の圧力を減圧とするよう構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記メイン排気ラインの前記第2バルブよりも上流側および前記スロー排気ラインの前記第3バルブよりも上流側のうち少なくとも何れかにはサブヒータが設けられており、
前記コントローラは、さらに、前記メイン排気ラインの前記第2バルブよりも上流側および前記スロー排気ラインの前記第3バルブよりも上流側のうち少なくとも何れかの温度が120℃以上200℃以下となるように前記サブヒータを制御するよう構成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記基板処理時以外のときが、処理済の基板を前記反応容器内から搬出し、前記反応容器を閉塞している間であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- さらに、基板を支持する支持具と、前記反応容器を閉塞するシャッタと、を有し、前記基板処理時以外のときが、処理済の基板を支持した前記支持具を前記反応容器内から引き出し、前記反応容器を前記シャッタにより閉塞している間であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- さらに、基板を支持する支持具と、前記支持具を支持すると共に前記反応容器を閉塞するシールキャップと、前記反応容器を閉塞するシャッタと、を有し、前記基板処理時以外のときが、処理済の基板を支持した前記支持具を前記反応容器内から引き出し、処理済の基板を回収した後の基板を支持しない空の前記支持具を前記反応容器内に搬入して前記反応容器を前記シールキャップにより閉塞している間であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記基板処理時以外のときが、基板を前記反応容器内に搬入している間、処理済の基板を前記反応容器内から搬出している間、および、処理済の基板を前記反応容器内から搬出し、前記反応容器を閉塞している間であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 基板処理装置の反応容器内に基板を搬入する工程と、
前記反応容器内に処理ガスを供給しメイン排気ラインを介して真空ポンプにより前記反応容器内を排気して基板を処理する工程と、
処理後の基板を前記反応容器内から搬出する工程と、
前記反応容器内に次に処理する基板を搬入するまでの間、前記基板処理装置を待機させる工程と、を有し、
前記基板を処理する工程以外のときに、前記反応容器内に不活性ガスを、前記基板を処理する工程において前記反応容器内に流すガスの総流量よりも大きな流量にて供給しつつ、前記メイン排気ラインに並列に設けられガス流路を絞る絞り部が設けられたスロー排気ラインを介して前記真空ポンプにより前記反応容器内を排気するようにし、
前記絞り部はオリフィスにより構成され、該オリフィスのガス流路となる孔の直径が1mm以上3mm以下であり、
さらに、前記反応容器内に供給する不活性ガスの流量を5slm以上30slm以下とすることを特徴とする基板処理方法。 - 基板処理装置の反応容器内に基板を搬入する工程と、
前記反応容器内に処理ガスを供給しメイン排気ラインを介して真空ポンプにより前記反応容器内を排気して基板を処理する工程と、
処理後の基板を前記反応容器内から搬出する工程と、
前記反応容器内に次に処理する基板を搬入するまでの間、前記基板処理装置を待機させる工程と、を有し、
前記基板を処理する工程以外のときに、前記反応容器内に不活性ガスを、前記基板を処理する工程において前記反応容器内に流すガスの総流量よりも大きな流量にて供給しつつ、前記メイン排気ラインに並列に設けられガス流路を絞る絞り部が設けられたスロー排気ラインを介して前記真空ポンプにより前記反応容器内を排気するようにし、
前記絞り部はオリフィスにより構成され、該オリフィスのガス流路となる孔の直径が1mm以上3mm以下であり、
さらに、前記反応容器内に供給する不活性ガスの流量を5slm以上30slm以下とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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