JP2000024483A - 真空装置 - Google Patents
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/002—Component parts of these vessels not mentioned in B01J3/004, B01J3/006, B01J3/02 - B01J3/08; Measures taken in conjunction with the process to be carried out, e.g. safety measures
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00051—Controlling the temperature
- B01J2219/00054—Controlling or regulating the heat exchange system
- B01J2219/00056—Controlling or regulating the heat exchange system involving measured parameters
- B01J2219/00065—Pressure measurement
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チャンバ内のステージ近辺において圧力分布
を解消することが可能な新しい構造の真空装置を提供す
ること。 【解決手段】 チャンバ１０の底面の各隅部に排気口１
４が形成され、排気口１４それぞれの近傍には、圧力計
１６が配設されている。各排気口１４は、それぞれコン
ダクタンス可変バルブ（以下、バルブ）１９を介して分
岐配管１７に連通され、分岐配管１７の先にはターボ分
子ポンプ１５が連設されている。各圧力計１６からの圧
力に対応する信号は、制御部において各圧力計１６それ
ぞれの目標値と比較され、目標値との差に対応した制御
信号としてバルブ駆動モータ２４に出力され、この制御
信号に基づいてバルブ１９が開閉され、排気口１４から
の排気量が是正されてチャンバ１０内のステージ近辺に
おいて圧力分布が解消される。
を解消することが可能な新しい構造の真空装置を提供す
ること。 【解決手段】 チャンバ１０の底面の各隅部に排気口１
４が形成され、排気口１４それぞれの近傍には、圧力計
１６が配設されている。各排気口１４は、それぞれコン
ダクタンス可変バルブ（以下、バルブ）１９を介して分
岐配管１７に連通され、分岐配管１７の先にはターボ分
子ポンプ１５が連設されている。各圧力計１６からの圧
力に対応する信号は、制御部において各圧力計１６それ
ぞれの目標値と比較され、目標値との差に対応した制御
信号としてバルブ駆動モータ２４に出力され、この制御
信号に基づいてバルブ１９が開閉され、排気口１４から
の排気量が是正されてチャンバ１０内のステージ近辺に
おいて圧力分布が解消される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、ドライエ
ッチング、ＣＶＤ、スパッタ、イオン注入等に用いられ
る真空装置に係り、詳細には、チャンバ内の圧力分布を
解消することが可能な真空装置に関する。
ッチング、ＣＶＤ、スパッタ、イオン注入等に用いられ
る真空装置に係り、詳細には、チャンバ内の圧力分布を
解消することが可能な真空装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置や液晶製造装置などにお
いてドライエッチング、ＣＶＤ、スパッタ、イオン注入
などを行う場合に、チャンバ内のプロセスガスをターボ
分子ポンプ等の真空ポンプで排気して真空処理を行う真
空装置が広く使用されている。図６は従来から使用され
ている真空装置の一例を表したものである。この図６に
示すように、従来の真空装置では、チャンバ（容器）１
０内に試料１１等が載置されるステージ１２が配設され
ると共に、チャンバ１０外に、ステージ１２の下側から
ステージ１２を回転等するための駆動機構１３が配設さ
れている。そして、チャンバ１０の底面（または側面）
に配設された排気口１４部分にチャンバ１０の外側から
ターボ分子ポンプ１５を取り付けてチャンバ１０内の気
体を排出する構造になっている。
いてドライエッチング、ＣＶＤ、スパッタ、イオン注入
などを行う場合に、チャンバ内のプロセスガスをターボ
分子ポンプ等の真空ポンプで排気して真空処理を行う真
空装置が広く使用されている。図６は従来から使用され
ている真空装置の一例を表したものである。この図６に
示すように、従来の真空装置では、チャンバ（容器）１
０内に試料１１等が載置されるステージ１２が配設され
ると共に、チャンバ１０外に、ステージ１２の下側から
ステージ１２を回転等するための駆動機構１３が配設さ
れている。そして、チャンバ１０の底面（または側面）
に配設された排気口１４部分にチャンバ１０の外側から
ターボ分子ポンプ１５を取り付けてチャンバ１０内の気
体を排出する構造になっている。
【０００３】しかし、チャンバ１０内は排気口１４から
の排気により圧力が調整されるため排気口１４からの距
離の違い等により、チャンバ１０内に圧力分布が発生す
る。そして、試料１１が、ある程度の面積を有するもの
である場合には、ターボ分子ポンプ１５に近い側Ａでの
圧力が低くなり、遠い側Ｂでの圧力が高くなるというよ
うに、試料１１近傍に圧力分布が生じ、試料１１に対す
る製造条件、反応条件、測定条件等の各種条件が均一に
ならないという問題がある。特に半導体プロセスでは、
最近、試料１１としてステージ１２上に配置されるウエ
ハが大径化しているためにウエハ上の圧力の差が生じや
すくなり、均一な製品を製造する上での支障になってい
る。
の排気により圧力が調整されるため排気口１４からの距
離の違い等により、チャンバ１０内に圧力分布が発生す
る。そして、試料１１が、ある程度の面積を有するもの
である場合には、ターボ分子ポンプ１５に近い側Ａでの
圧力が低くなり、遠い側Ｂでの圧力が高くなるというよ
うに、試料１１近傍に圧力分布が生じ、試料１１に対す
る製造条件、反応条件、測定条件等の各種条件が均一に
ならないという問題がある。特に半導体プロセスでは、
最近、試料１１としてステージ１２上に配置されるウエ
ハが大径化しているためにウエハ上の圧力の差が生じや
すくなり、均一な製品を製造する上での支障になってい
る。
【０００４】そこで、真空装置として、チャンバ１０内
の圧力を均一にするために、以下に示すような構成の真
空装置が提案されている。即ち、図７に示すように、チ
ャンバ１０内に複数（図面では４個）の排気口１４をス
テージの周辺に均等間隔に配設し、各排気口１４を分岐
配管１７を介して１基のターボ分子ポンプ１５に接続す
るようにしたものがある。なお、配管の状態を説明する
ために図７では表示を省略しているが、各排気口１４の
中心位置にステージ１２が配置され、分岐配管１７に囲
まれる中心部分にステージ１２の駆動機構１３が配置さ
れるようになっている。このように排気口１４を試料１
１の周囲に均等間隔に配置することで、試料１１周辺の
圧力を均等にすることが可能になっている。
の圧力を均一にするために、以下に示すような構成の真
空装置が提案されている。即ち、図７に示すように、チ
ャンバ１０内に複数（図面では４個）の排気口１４をス
テージの周辺に均等間隔に配設し、各排気口１４を分岐
配管１７を介して１基のターボ分子ポンプ１５に接続す
るようにしたものがある。なお、配管の状態を説明する
ために図７では表示を省略しているが、各排気口１４の
中心位置にステージ１２が配置され、分岐配管１７に囲
まれる中心部分にステージ１２の駆動機構１３が配置さ
れるようになっている。このように排気口１４を試料１
１の周囲に均等間隔に配置することで、試料１１周辺の
圧力を均等にすることが可能になっている。
【０００５】また、図８に示すように、チャンバ１０内
に複数（図面では４個）の排気口１４をステージの周辺
に均等間隔に配設し、各排気口１４のそれぞれにターボ
分子ポンプ１５を取り付けるようにした真空装置や、図
９に示すように、分岐配管１７をターボ分子ポンプ１５
に対してなるべく対照な形状として配置したものが存在
する。このように構成した真空装置も、試料１１周辺に
均等配置した複数の排気口１４からターボ分子ポンプ１
５で排気しているので、圧力分布の不均一をなくすこと
が可能になる。
に複数（図面では４個）の排気口１４をステージの周辺
に均等間隔に配設し、各排気口１４のそれぞれにターボ
分子ポンプ１５を取り付けるようにした真空装置や、図
９に示すように、分岐配管１７をターボ分子ポンプ１５
に対してなるべく対照な形状として配置したものが存在
する。このように構成した真空装置も、試料１１周辺に
均等配置した複数の排気口１４からターボ分子ポンプ１
５で排気しているので、圧力分布の不均一をなくすこと
が可能になる。
【０００６】さらに、図１０に示すように、チャンバ１
０内のステージ１２と排気口１４との間にコンダクタン
ス調整板１８を配置するようにした真空装置も存在す
る。この真空装置の場合、排気口１４は１つだが、コン
ダクタンス調整板１８が排気流に対する抵抗板として機
能するため、チャンバ１０内での圧力分布の不均一が緩
和されるようになっている。
０内のステージ１２と排気口１４との間にコンダクタン
ス調整板１８を配置するようにした真空装置も存在す
る。この真空装置の場合、排気口１４は１つだが、コン
ダクタンス調整板１８が排気流に対する抵抗板として機
能するため、チャンバ１０内での圧力分布の不均一が緩
和されるようになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図７に示した
真空装置の場合、チャンバ１０の下方中央に駆動機構が
配設されるため、この駆動機構を避けた位置にターボ分
子ポンプ１５を配置する必要があり、これに伴い分岐配
管１７を駆動機構を避けながら配管してターボ分子ポン
プ１５に連設する必要があり、排気口１４毎に配管によ
るコンダクタンス（排気抵抗）が異なってしまい、排気
口１４からの気体の吸引力に差異を生じる。また、排気
口１４が４つ程度の場合には、依然として各排気口１４
の近傍と排気口１４の中間位置との間で圧力の不均一が
発生する。そのため、図６の真空装置よりは圧力の不均
一が解消されるが、依然として圧力分布が生じるという
問題がある。更に、分岐配管１７につまりが生じて一部
の排気口からの排気量が変わってしまっても、これが是
正されずに圧力分布が生じてしまうおそれもある。
真空装置の場合、チャンバ１０の下方中央に駆動機構が
配設されるため、この駆動機構を避けた位置にターボ分
子ポンプ１５を配置する必要があり、これに伴い分岐配
管１７を駆動機構を避けながら配管してターボ分子ポン
プ１５に連設する必要があり、排気口１４毎に配管によ
るコンダクタンス（排気抵抗）が異なってしまい、排気
口１４からの気体の吸引力に差異を生じる。また、排気
口１４が４つ程度の場合には、依然として各排気口１４
の近傍と排気口１４の中間位置との間で圧力の不均一が
発生する。そのため、図６の真空装置よりは圧力の不均
一が解消されるが、依然として圧力分布が生じるという
問題がある。更に、分岐配管１７につまりが生じて一部
の排気口からの排気量が変わってしまっても、これが是
正されずに圧力分布が生じてしまうおそれもある。
【０００８】図８に示した真空装置の場合には、各排気
口１４に独立してターボ分子ポンプ１５が取り付けられ
ているため、配管によるコンダクタンスの不均一はない
が、図７の真空装置の場合と同様に、排気口１４が４つ
程度の場合には、各排気口１４の近傍と排気口１４どう
しの中間位置との間で圧力の不均一が発生するという問
題がある。図９に示した真空装置の場合においても、図
７や図８の真空装置と同様に、排気口１４が４つ程度の
場合には、依然として各排気口１４の近傍と排気口１４
どうしの中間位置との間で圧力の不均一が発生する問題
が残る。また、図１０に示した真空装置の場合、コンダ
クタンス調整板１８を取り付けるコストがかかると共
に、圧力分布の不均一に対して十分な効果は得られな
い。
口１４に独立してターボ分子ポンプ１５が取り付けられ
ているため、配管によるコンダクタンスの不均一はない
が、図７の真空装置の場合と同様に、排気口１４が４つ
程度の場合には、各排気口１４の近傍と排気口１４どう
しの中間位置との間で圧力の不均一が発生するという問
題がある。図９に示した真空装置の場合においても、図
７や図８の真空装置と同様に、排気口１４が４つ程度の
場合には、依然として各排気口１４の近傍と排気口１４
どうしの中間位置との間で圧力の不均一が発生する問題
が残る。また、図１０に示した真空装置の場合、コンダ
クタンス調整板１８を取り付けるコストがかかると共
に、圧力分布の不均一に対して十分な効果は得られな
い。
【０００９】そこで、本発明は、チャンバ内のステージ
近辺の圧力分布を解消することが可能な新しい構造の真
空装置を提供することを目的とする。
近辺の圧力分布を解消することが可能な新しい構造の真
空装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、チャンバと、前記チャンバの複数箇所に
おいて圧力を測定する圧力計と、前記チャンバの複数箇
所に配設された排気口と、前記排気口からチャンバ内の
気体を吸引し排出するポンプと、前記圧力計の測定結果
による圧力分布に基づいて、前記排気口それぞれからポ
ンプにより排出される気体の排出量を調節する排気量調
節手段とを備える真空装置を提供する。本発明に係る真
空装置では、チャンバ内の圧力分布の指標として圧力計
により複数箇所の圧力が測定され、この結果に基づいて
チャンバ内の気体の排気量が較正される。したがって、
配管による排気のインダクタンスの差異や場所の違いと
は無関係に排気量が較正され、効果的且つ適正にチャン
バ内のステージ近辺の圧力分布が解消される。
に、本発明は、チャンバと、前記チャンバの複数箇所に
おいて圧力を測定する圧力計と、前記チャンバの複数箇
所に配設された排気口と、前記排気口からチャンバ内の
気体を吸引し排出するポンプと、前記圧力計の測定結果
による圧力分布に基づいて、前記排気口それぞれからポ
ンプにより排出される気体の排出量を調節する排気量調
節手段とを備える真空装置を提供する。本発明に係る真
空装置では、チャンバ内の圧力分布の指標として圧力計
により複数箇所の圧力が測定され、この結果に基づいて
チャンバ内の気体の排気量が較正される。したがって、
配管による排気のインダクタンスの差異や場所の違いと
は無関係に排気量が較正され、効果的且つ適正にチャン
バ内のステージ近辺の圧力分布が解消される。
【００１１】前記真空装置において、排気口は、前記圧
力計の各圧力測定箇所それぞれに対応して１または複数
個ずつ配設されており、前記排気量調節手段は、前記圧
力計それぞれに対応する１または複数個の排気口毎に前
記排気量を調節するものとすることができる。
力計の各圧力測定箇所それぞれに対応して１または複数
個ずつ配設されており、前記排気量調節手段は、前記圧
力計それぞれに対応する１または複数個の排気口毎に前
記排気量を調節するものとすることができる。
【００１２】また、前記真空装置において、前記排気量
調節手段は、前記排気口と前記ポンプとの間に介在し排
気口からポンプへ排出される気体の流量を調節するバル
ブと、前記圧力分布に基づいて前記バルブを制御するバ
ルブ制御部とを含むものとすることができる。
調節手段は、前記排気口と前記ポンプとの間に介在し排
気口からポンプへ排出される気体の流量を調節するバル
ブと、前記圧力分布に基づいて前記バルブを制御するバ
ルブ制御部とを含むものとすることができる。
【００１３】更に、前記真空装置は、前記ポンプが複数
配設されており、前記排気量調節手段が、前記圧力分布
に基づいて前記複数のポンプそれぞれの回転数を制御す
るポンプ制御部を含むものとすることができる。
配設されており、前記排気量調節手段が、前記圧力分布
に基づいて前記複数のポンプそれぞれの回転数を制御す
るポンプ制御部を含むものとすることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明に好適な実施の形態
について、図１及び図２を参照して詳細に説明する。図
１は、本発明の真空装置の一実施形態の構成を表す概略
斜視図である。この図１に示されるように、本実施形態
の真空装置では、直方体形状のチャンバ１０の底面上中
央に、試料１１等が配置されるステージ（図示せず）が
配設されており、チャンバ１０の外には、ステージの下
方からステージ１２を回転等するための駆動機構（図示
せず）が具備されている。これらについては上述の従来
の真空装置と同じである。
について、図１及び図２を参照して詳細に説明する。図
１は、本発明の真空装置の一実施形態の構成を表す概略
斜視図である。この図１に示されるように、本実施形態
の真空装置では、直方体形状のチャンバ１０の底面上中
央に、試料１１等が配置されるステージ（図示せず）が
配設されており、チャンバ１０の外には、ステージの下
方からステージ１２を回転等するための駆動機構（図示
せず）が具備されている。これらについては上述の従来
の真空装置と同じである。
【００１５】チャンバ１０の底面には、４個の排気口１
４が各隅部に形成され、ステージ１２から均等の間隔を
あけて配設されている。そして、排気口１４と同数（本
実施形態においては４個）の圧力計（圧力センサ）１６
が、排気口１４それぞれのステージ１２側に配設されて
おり、試料１１の近傍の圧力を測定するようになってい
る。このように、本実施形態においては、排気口１４と
圧力計１６とが周方向均等間隔で試料に対して対照に配
設され、試料近辺において一様な圧力分布が形成されや
すく、且つそのための制御が容易となるように構成され
ている。各排気口１４は、それぞれコンダクタンス可変
バルブ（以下、バルブ）１９を介して分岐配管１７に連
通され、分岐配管１７の先にはターボ分子ポンプ１５が
連設されており、チャンバ１０内のプロセスガス等の気
体が排気口１４から分岐配管１７に吸引排出されるよう
になっている。バルブ１９はバルブ駆動モータにより開
閉され、このバルブ１９の開閉によって排気口１４から
吸引排出される気体の流量が調節されるようになってい
る。そして、分岐配管１７に囲まれる中心部分にステー
ジ１２の駆動機構（図示せず）が配置されている。圧力
計からの信号は、制御部に出力されるようになってお
り、制御部において、この信号をもとにバルブ駆動モー
タの駆動が制御されるようになっている。
４が各隅部に形成され、ステージ１２から均等の間隔を
あけて配設されている。そして、排気口１４と同数（本
実施形態においては４個）の圧力計（圧力センサ）１６
が、排気口１４それぞれのステージ１２側に配設されて
おり、試料１１の近傍の圧力を測定するようになってい
る。このように、本実施形態においては、排気口１４と
圧力計１６とが周方向均等間隔で試料に対して対照に配
設され、試料近辺において一様な圧力分布が形成されや
すく、且つそのための制御が容易となるように構成され
ている。各排気口１４は、それぞれコンダクタンス可変
バルブ（以下、バルブ）１９を介して分岐配管１７に連
通され、分岐配管１７の先にはターボ分子ポンプ１５が
連設されており、チャンバ１０内のプロセスガス等の気
体が排気口１４から分岐配管１７に吸引排出されるよう
になっている。バルブ１９はバルブ駆動モータにより開
閉され、このバルブ１９の開閉によって排気口１４から
吸引排出される気体の流量が調節されるようになってい
る。そして、分岐配管１７に囲まれる中心部分にステー
ジ１２の駆動機構（図示せず）が配置されている。圧力
計からの信号は、制御部に出力されるようになってお
り、制御部において、この信号をもとにバルブ駆動モー
タの駆動が制御されるようになっている。
【００１６】図２は、本実施形態の真空装置における制
御部を示すブロック図である。尚、図２においては、２
組の圧力計１６とバルブ１９について図示してあるが、
実際の実施形態においては、４組の圧力計１６とバルブ
１９とが具備され、それぞれについて同様の制御が行わ
れる。この図２に示されるように、各圧力計１６からの
圧力に対応する信号は、制御部２１に出力されるように
なっている。そして、制御部２１において各圧力計１６
それぞれに対する目標値と比較され、その差がＰＩＤ補
償器２２に出力され、ＰＩＤ補償器２２において目標値
との差に対応した値の制御信号が出力され、アンプ２３
において増幅された後、バルブ駆動モータ２４に出力さ
れる。そして、バルブ駆動モータ２４が入力信号に基づ
いて駆動して、バルブ１９を開閉させる。これにより、
圧力計１６近傍の圧力が高い場合には、対応するバルブ
１９が広げられて排気口１４からの気体排出量が増加さ
れ、排気口１４近傍の圧力が下降する。また、圧力計１
６近傍の圧力が低い場合には対応するバルブ１９が狭め
られて排気口１４からの気体排出量が低減され、排気口
１４近傍の圧力は上昇する。
御部を示すブロック図である。尚、図２においては、２
組の圧力計１６とバルブ１９について図示してあるが、
実際の実施形態においては、４組の圧力計１６とバルブ
１９とが具備され、それぞれについて同様の制御が行わ
れる。この図２に示されるように、各圧力計１６からの
圧力に対応する信号は、制御部２１に出力されるように
なっている。そして、制御部２１において各圧力計１６
それぞれに対する目標値と比較され、その差がＰＩＤ補
償器２２に出力され、ＰＩＤ補償器２２において目標値
との差に対応した値の制御信号が出力され、アンプ２３
において増幅された後、バルブ駆動モータ２４に出力さ
れる。そして、バルブ駆動モータ２４が入力信号に基づ
いて駆動して、バルブ１９を開閉させる。これにより、
圧力計１６近傍の圧力が高い場合には、対応するバルブ
１９が広げられて排気口１４からの気体排出量が増加さ
れ、排気口１４近傍の圧力が下降する。また、圧力計１
６近傍の圧力が低い場合には対応するバルブ１９が狭め
られて排気口１４からの気体排出量が低減され、排気口
１４近傍の圧力は上昇する。
【００１７】このように、本実施形態では、チャンバ１
０内の複数箇所の圧力の測定によりチャンバ１０内の実
際の圧力分布が検出され、この圧力分布に基づいて複数
箇所において排気口からの排気量が較正される。従っ
て、本実施形態によると、配管による排気のコンダクタ
ンスの差異や場所の違いとは無関係に複数箇所において
独立して排気量が較正され、効果的且つ適正にチャンバ
１０内の圧力分布を是正し、試料１１近辺の不均一な圧
力分布を解消することが可能である。
０内の複数箇所の圧力の測定によりチャンバ１０内の実
際の圧力分布が検出され、この圧力分布に基づいて複数
箇所において排気口からの排気量が較正される。従っ
て、本実施形態によると、配管による排気のコンダクタ
ンスの差異や場所の違いとは無関係に複数箇所において
独立して排気量が較正され、効果的且つ適正にチャンバ
１０内の圧力分布を是正し、試料１１近辺の不均一な圧
力分布を解消することが可能である。
【００１８】本実施形態によると、試料１１それぞれの
近傍に圧力計１６を配設し、試料１１近傍の圧力を検出
し、各排気口１４毎にバルブ１９を設けて独立して排気
量を制御しているので、分岐配管１７中につまりが生じ
ても、つまりに応じて各排気口１４のバルブが開放さ
れ、つまりの影響を受けずに試料１１近辺における圧力
の均一な、圧力分布を得ることができる。本実施形態に
よると、排気口１４がステージ１２の周囲に均等間隔に
配置されているので、試料周辺の圧力を均等に設定する
ことが可能である。本実施形態によると、排気口１４か
らの排気量を制御してチャンバ１０内の圧力分布を解消
しているので、チャンバ１０内の圧力そのものを同時に
制御することが可能である。本実施形態によると、制御
部２１における目標値に基づいて排気口１４からの排気
量を変えているので、制御部２１の目標値の設定を変え
ることにより、ステージ近辺が様々な大きさで均一な圧
力の、圧力分布や、その他様々な、所望の圧力分布を発
生させることも可能である。
近傍に圧力計１６を配設し、試料１１近傍の圧力を検出
し、各排気口１４毎にバルブ１９を設けて独立して排気
量を制御しているので、分岐配管１７中につまりが生じ
ても、つまりに応じて各排気口１４のバルブが開放さ
れ、つまりの影響を受けずに試料１１近辺における圧力
の均一な、圧力分布を得ることができる。本実施形態に
よると、排気口１４がステージ１２の周囲に均等間隔に
配置されているので、試料周辺の圧力を均等に設定する
ことが可能である。本実施形態によると、排気口１４か
らの排気量を制御してチャンバ１０内の圧力分布を解消
しているので、チャンバ１０内の圧力そのものを同時に
制御することが可能である。本実施形態によると、制御
部２１における目標値に基づいて排気口１４からの排気
量を変えているので、制御部２１の目標値の設定を変え
ることにより、ステージ近辺が様々な大きさで均一な圧
力の、圧力分布や、その他様々な、所望の圧力分布を発
生させることも可能である。
【００１９】尚、本発明の真空装置は上述の実施形態に
限定されるものではなく、適宜変更が可能である。例え
ば、上述の実施形態においては排気量調節手段として、
排気口１４とポンプ１５との間に介在し排気口１４から
ポンプ１５へ排出される気体の流量を調節するバルブ１
９が配設され、制御部２１において圧力計１６からの圧
力による圧力分布に基づいてバルブ１９の開閉を制御し
ているが、これに限られるものではなく、１つまたは複
数の排気口１４毎に対応させたポンプ１５を複数配設
し、制御部２１においてこのポンプ１５の排気量を制御
してもよい。このポンプ１５の排気量の制御は、例え
ば、各ポンプ１５の回転数等を変化させたり、回転数の
異なるポンプ１５に配管を繋ぎ変えたりすることにより
行うことができる。
限定されるものではなく、適宜変更が可能である。例え
ば、上述の実施形態においては排気量調節手段として、
排気口１４とポンプ１５との間に介在し排気口１４から
ポンプ１５へ排出される気体の流量を調節するバルブ１
９が配設され、制御部２１において圧力計１６からの圧
力による圧力分布に基づいてバルブ１９の開閉を制御し
ているが、これに限られるものではなく、１つまたは複
数の排気口１４毎に対応させたポンプ１５を複数配設
し、制御部２１においてこのポンプ１５の排気量を制御
してもよい。このポンプ１５の排気量の制御は、例え
ば、各ポンプ１５の回転数等を変化させたり、回転数の
異なるポンプ１５に配管を繋ぎ変えたりすることにより
行うことができる。
【００２０】このような実施形態の一例を図３に示す。
図３に示す実施形態においては、排気口１４毎に個別の
ポンプ１５が連設されている。そして、圧力計１６から
の圧力に基づく出力は上述の実施形態と同様に制御部２
１から目標値との差に対応した制御信号として出力さ
れ、この制御信号に基づいて、各ポンプ１５の回転数が
制御される。これにより、圧力計１６近傍の圧力が高い
場合には対応する排気口１４から気体を吸引排出させる
ポンプ１５の回転数が高められ、この排気口１４からの
気体排出量が増加し、排気口１４近傍において圧力が減
少する。また、圧力計１６近傍の圧力が低い場合には対
応する排気口１４から気体を吸引排出させるポンプ１５
の回転数が低減され、この排気口１４からの気体排出量
が減少し、排気口１４近傍において圧力が上昇する。
図３に示す実施形態においては、排気口１４毎に個別の
ポンプ１５が連設されている。そして、圧力計１６から
の圧力に基づく出力は上述の実施形態と同様に制御部２
１から目標値との差に対応した制御信号として出力さ
れ、この制御信号に基づいて、各ポンプ１５の回転数が
制御される。これにより、圧力計１６近傍の圧力が高い
場合には対応する排気口１４から気体を吸引排出させる
ポンプ１５の回転数が高められ、この排気口１４からの
気体排出量が増加し、排気口１４近傍において圧力が減
少する。また、圧力計１６近傍の圧力が低い場合には対
応する排気口１４から気体を吸引排出させるポンプ１５
の回転数が低減され、この排気口１４からの気体排出量
が減少し、排気口１４近傍において圧力が上昇する。
【００２１】図３に示す実施形態においても、上述の実
施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施
形態においては、ポンプ１５を複数用いているので、各
ポンプ１５を小型化することができる。また、超低イナ
ーシャ・縦細型のターボ分子ポンプとすることにより、
良好な回転数応答を取得して迅速な圧力分布の解消を図
り、安定して圧力分布の無い状態や理想の圧力分布の状
態を保持することができる。更に、ポンプを装置のフレ
ームに埋め込んで配設することができる。
施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施
形態においては、ポンプ１５を複数用いているので、各
ポンプ１５を小型化することができる。また、超低イナ
ーシャ・縦細型のターボ分子ポンプとすることにより、
良好な回転数応答を取得して迅速な圧力分布の解消を図
り、安定して圧力分布の無い状態や理想の圧力分布の状
態を保持することができる。更に、ポンプを装置のフレ
ームに埋め込んで配設することができる。
【００２２】また、図４に示すように、各排気口１４毎
にバルブ１９とポンプ１５の両方を配設し、バルブによ
り又はバルブ１９とポンプ１５の両方により排気量を調
節するようにしてもよい。更に、図５に示すように、排
気口１４を２個１組としてこの各組のうちの一方の排気
口１４にバルブ１９を配設し、各組の排気口１４毎に同
じポンプ１５から気体を吸引排出させるようにして、バ
ルブ１９の開閉を制御し、又はバルブ１９の開閉とポン
プ１５の回転数との両方を制御しても、各排気口１４か
らの排気量を独立に制御し良好にステージ近辺の圧力分
布の解消を図ることができる。尚、全ての排気口１４に
ついて各々独立して排気量を制御せず、複数個ずつにバ
ルブを設けたり、ポンプ１５を連設して、複数個毎に排
気量が上下するようにしても、ある程度の圧力分布の解
消や、所望の圧力分布状態の取得が可能である。
にバルブ１９とポンプ１５の両方を配設し、バルブによ
り又はバルブ１９とポンプ１５の両方により排気量を調
節するようにしてもよい。更に、図５に示すように、排
気口１４を２個１組としてこの各組のうちの一方の排気
口１４にバルブ１９を配設し、各組の排気口１４毎に同
じポンプ１５から気体を吸引排出させるようにして、バ
ルブ１９の開閉を制御し、又はバルブ１９の開閉とポン
プ１５の回転数との両方を制御しても、各排気口１４か
らの排気量を独立に制御し良好にステージ近辺の圧力分
布の解消を図ることができる。尚、全ての排気口１４に
ついて各々独立して排気量を制御せず、複数個ずつにバ
ルブを設けたり、ポンプ１５を連設して、複数個毎に排
気量が上下するようにしても、ある程度の圧力分布の解
消や、所望の圧力分布状態の取得が可能である。
【００２３】上述の実施形態及び図３乃至図５に示す各
変形例においては、圧力計１６はチャンバ１０の底面の
４隅それぞれに、計４個設けられて４箇所の圧力を計測
するようになっているが、４箇所に限られるものではな
い。但し、チャンバ１０内の圧力分布の指標とするた
め、複数であることが必要である。また、計測箇所はチ
ャンバ１０の形状やチャンバ１０内部の配設部材、排気
口１４の位置等からみて、圧力分布を良好に把握できる
位置であることが好ましく、また、ステージ１２に載置
される試料周囲の圧力分布を確実に把握し解消するため
には、ステージ１２の近傍であることが好ましい。
変形例においては、圧力計１６はチャンバ１０の底面の
４隅それぞれに、計４個設けられて４箇所の圧力を計測
するようになっているが、４箇所に限られるものではな
い。但し、チャンバ１０内の圧力分布の指標とするた
め、複数であることが必要である。また、計測箇所はチ
ャンバ１０の形状やチャンバ１０内部の配設部材、排気
口１４の位置等からみて、圧力分布を良好に把握できる
位置であることが好ましく、また、ステージ１２に載置
される試料周囲の圧力分布を確実に把握し解消するため
には、ステージ１２の近傍であることが好ましい。
【００２４】上述の実施形態及び図３乃至図５に示す各
変形例では、排気口１４が、圧力計１６の測定箇所それ
ぞれに対応して１個ずつ配設されているが、必ずしも排
気口１４と圧力測定個所とが同数でなくてもよい。但
し、各排気口１４に対しての排気量を容易に且つ適切に
是正するためには、排気口１４が、圧力計１６の測定個
所それぞれに対して１または複数個配設され、排気口１
４の近傍の圧力が測定されることが好ましい。
変形例では、排気口１４が、圧力計１６の測定箇所それ
ぞれに対応して１個ずつ配設されているが、必ずしも排
気口１４と圧力測定個所とが同数でなくてもよい。但
し、各排気口１４に対しての排気量を容易に且つ適切に
是正するためには、排気口１４が、圧力計１６の測定個
所それぞれに対して１または複数個配設され、排気口１
４の近傍の圧力が測定されることが好ましい。
【００２５】上述の実施形態及び図３乃至図５に示す各
変形例では、制御部２１において圧力計１６（圧力測定
個所）毎に目標値が定められ、目標値と取得した圧力と
の差から、バルブ１９の開閉の程度やポンプ１５の回転
数等が制御され気体の排出量が調節されているが、取得
した圧力に応じて目標値が定められていてもよい。目標
値は、複数（例えば２つずつ）の圧力計１６毎の平均値
として設定されており、各複数の排気口のうち１つずつ
について排気量を是正し、複数の圧力計１６の範囲毎に
圧力を是正するようにしてもよい。また、チャンバ１０
の使用目的によっては、予め目標値が定められておら
ず、取得された圧力の最高値、最低値、または全圧力の
平均値等がそのまま目標値として設定されるようにして
もよい。
変形例では、制御部２１において圧力計１６（圧力測定
個所）毎に目標値が定められ、目標値と取得した圧力と
の差から、バルブ１９の開閉の程度やポンプ１５の回転
数等が制御され気体の排出量が調節されているが、取得
した圧力に応じて目標値が定められていてもよい。目標
値は、複数（例えば２つずつ）の圧力計１６毎の平均値
として設定されており、各複数の排気口のうち１つずつ
について排気量を是正し、複数の圧力計１６の範囲毎に
圧力を是正するようにしてもよい。また、チャンバ１０
の使用目的によっては、予め目標値が定められておら
ず、取得された圧力の最高値、最低値、または全圧力の
平均値等がそのまま目標値として設定されるようにして
もよい。
【００２６】上述の実施形態や及び図３乃至図５に示す
各変形例のポンプとしては、運動量移送型の真空ポンプ
や容積移送型の真空ポンプを用いることができる。
各変形例のポンプとしては、運動量移送型の真空ポンプ
や容積移送型の真空ポンプを用いることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る真空
装置によれば、チャンバ内のステージ近辺の圧力分布の
不均一を良好に解消することが可能である。
装置によれば、チャンバ内のステージ近辺の圧力分布の
不均一を良好に解消することが可能である。
【図１】本発明の真空装置の一実施形態を示す概略斜視
図である。
図である。
【図２】図１の真空装置における制御を示すブロック図
である。
である。
【図３】本発明の真空装置のその他の実施形態を示す概
略斜視図である。
略斜視図である。
【図４】本発明の真空装置のその他の実施形態を示す概
略斜視図である。
略斜視図である。
【図５】本発明の真空装置のその他の実施形態を示す斜
視図である。
視図である。
【図６】従来の真空装置の一例を示す斜視図である。
【図７】従来の真空装置の他の例を示す斜視図である。
【図８】従来の真空装置の他の例を示す斜視図である。
【図９】従来の真空装置の他の例を示す斜視図である。
【図１０】従来の真空装置の他の例を示す斜視図であ
る。
る。
１０ チャンバ １２ ステージ １４ 排気口 １５ ターボ分子ポンプ １６ 圧力計 １７ 分岐配管 １９ バルブ
Claims (4)
- 【請求項１】 チャンバと、 前記チャンバの複数箇所において圧力を測定する圧力計
と、 前記チャンバの複数箇所に配設された排気口と、 前記排気口からチャンバ内の気体を吸引し排出するポン
プと、 前記圧力計の測定結果による圧力分布に基づいて、前記
排気口それぞれからポンプにより排出される気体の排出
量を調節する排気量調節手段とを備えることを特徴とす
る真空装置。 - 【請求項２】 前記排気口が、前記圧力計の各圧力測定
箇所それぞれに対応して１または複数個ずつ配設されて
おり、 前記排気量調節手段は、前記圧力計それぞれに対応する
１または複数個の排気口毎に前記排気量を調節すること
を特徴とする請求項１に記載の真空装置。 - 【請求項３】 前記排気量調節手段が、前記排気口と前
記ポンプとの間に介在し排気口からポンプへ排出される
気体の流量を調節するバルブと、前記圧力分布に基づい
て前記バルブを制御するバルブ制御部とを含むことを特
徴とする請求項１または請求項２に記載の真空装置。 - 【請求項４】 前記ポンプが複数配設されており、 前記排気量調節手段が、前記圧力分布に基づいて前記複
数のポンプそれぞれの回転数を制御するポンプ制御部を
含むことを特徴とする請求項１から３のうちのいずれか
１の請求項に記載の真空装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10213544A JP2000024483A (ja) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | 真空装置 |
| EP99305547A EP0972561A3 (en) | 1998-07-13 | 1999-07-13 | Vacuum apparatus |
| KR1019990028219A KR20000011683A (ko) | 1998-07-13 | 1999-07-13 | 진공장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10213544A JP2000024483A (ja) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | 真空装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000024483A true JP2000024483A (ja) | 2000-01-25 |
Family
ID=16640962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10213544A Pending JP2000024483A (ja) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | 真空装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0972561A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000024483A (ja) |
| KR (1) | KR20000011683A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013144838A (ja) * | 2012-01-16 | 2013-07-25 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置用の排気システム |
| TWI411058B (zh) * | 2009-05-18 | 2013-10-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | 真空系統、真空控制系統、用以控制真空系統之方法 |
| WO2014057536A1 (ja) * | 2012-10-10 | 2014-04-17 | 株式会社岡野製作所 | 圧力センサおよび該センサを用いた真空加工装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100968563B1 (ko) * | 2003-06-16 | 2010-07-08 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 식각 장치의 자동 압력 조절 방법 |
| US8070408B2 (en) * | 2008-08-27 | 2011-12-06 | Applied Materials, Inc. | Load lock chamber for large area substrate processing system |
| WO2016075189A1 (de) * | 2014-11-14 | 2016-05-19 | Von Ardenne Gmbh | Kammerdeckel zum abdichten einer kammeröffnung in einer gasseparationskammer und gasseparationskammer |
| JP6808690B2 (ja) * | 2018-07-25 | 2021-01-06 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 減圧乾燥装置、基板処理装置および減圧乾燥方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62169416A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-25 | Hitachi Ltd | 真空装置の圧力制御方法および装置 |
| JPH03982A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-07 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 真空チャンバ圧力制御方式 |
| JPH06266446A (ja) * | 1993-03-16 | 1994-09-22 | Kokusai Electric Co Ltd | 真空室の圧力制御装置 |
| JP2624943B2 (ja) * | 1994-04-26 | 1997-06-25 | シーケーディ株式会社 | 真空圧力制御システム |
| US5685912A (en) * | 1995-06-20 | 1997-11-11 | Sony Corporation | Pressure control system for semiconductor manufacturing equipment |
-
1998
- 1998-07-13 JP JP10213544A patent/JP2000024483A/ja active Pending
-
1999
- 1999-07-13 KR KR1019990028219A patent/KR20000011683A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-07-13 EP EP99305547A patent/EP0972561A3/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI411058B (zh) * | 2009-05-18 | 2013-10-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | 真空系統、真空控制系統、用以控制真空系統之方法 |
| US8623141B2 (en) | 2009-05-18 | 2014-01-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Piping system and control for semiconductor processing |
| JP2013144838A (ja) * | 2012-01-16 | 2013-07-25 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置用の排気システム |
| WO2014057536A1 (ja) * | 2012-10-10 | 2014-04-17 | 株式会社岡野製作所 | 圧力センサおよび該センサを用いた真空加工装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000011683A (ko) | 2000-02-25 |
| EP0972561A3 (en) | 2000-09-27 |
| EP0972561A2 (en) | 2000-01-19 |
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