JPH0250422A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0250422A JPH0250422A JP20126588A JP20126588A JPH0250422A JP H0250422 A JPH0250422 A JP H0250422A JP 20126588 A JP20126588 A JP 20126588A JP 20126588 A JP20126588 A JP 20126588A JP H0250422 A JPH0250422 A JP H0250422A
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- JP
- Japan
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- dust
- exhaust
- processing chamber
- process room
- control system
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に関し、特にイオン注入・スパ
ッタ・プラズマエツチング等の各工程で使用される予備
排気室を有する半導体製造装置に関する。
ッタ・プラズマエツチング等の各工程で使用される予備
排気室を有する半導体製造装置に関する。
従来、この稲の半導体製造装置の処理室は、通常クライ
オポンプやターボポンプ等で高真空に保持されるだけで
あった。
オポンプやターボポンプ等で高真空に保持されるだけで
あった。
上述した従来の半導体製造装置は、処理室内の各種の製
造工程の処理動作において、はとんどの処理装置がゴミ
を発生させる動作であるにもかかわらず、処理動作完了
後や処理待ちの間でも真空に引き続けるなめ、処理室内
の雰囲気の流れは、ゴミの流れの少ない分子流領域かそ
れに近い状態となり発生したゴミが各種工程の処理を重
ねるに連れ増加するという欠点があった。
造工程の処理動作において、はとんどの処理装置がゴミ
を発生させる動作であるにもかかわらず、処理動作完了
後や処理待ちの間でも真空に引き続けるなめ、処理室内
の雰囲気の流れは、ゴミの流れの少ない分子流領域かそ
れに近い状態となり発生したゴミが各種工程の処理を重
ねるに連れ増加するという欠点があった。
本発明の目的は、ゴミの少ない処理室を有する半導体製
造設備を提供することにある６〔課題を解決するための
手段〕 本発明の半導体製造装置は、室内の半導体ウェーハを取
扱うために排気系により制御され真空に近い状態に保た
れる処理室と、該処理室にゲートを介して接続された予
備排気室とを有する半導体製造装置において、前記処理
室のゴミ数を測定するゴミ検査装置と、該ゴミ検査装置
の測定結果に対応して前記処理室に不活性ガスを導入し
た後前記排気系を制御する排気制御システムとを付加し
て構成されている。
造設備を提供することにある６〔課題を解決するための
手段〕 本発明の半導体製造装置は、室内の半導体ウェーハを取
扱うために排気系により制御され真空に近い状態に保た
れる処理室と、該処理室にゲートを介して接続された予
備排気室とを有する半導体製造装置において、前記処理
室のゴミ数を測定するゴミ検査装置と、該ゴミ検査装置
の測定結果に対応して前記処理室に不活性ガスを導入し
た後前記排気系を制御する排気制御システムとを付加し
て構成されている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例のブロック図である。
半導体製造装置は、排気バルブ８ａ、８ｂを介して高真
空ポンプ９．低真空ポンプ１０及びＮ２ガス供給のガス
バルブ６とに接続しがっ内部の処理テーブル１１に被処
理の半導体ウェーハ１２を載置する処理室１と、処理室
１にゲートＧを通して半導体ウェーハ１２を供給する予
備排気室５と、処理室１のゴミを検査するゴミセンサ２
及びゴミ検査装置３と、ゴミ検査装置３の信号を受けて
ガスバルブ６、排気バルブ８ａ〜８ｃを制御する排気制
御システム４とを含んで構成されている。
空ポンプ９．低真空ポンプ１０及びＮ２ガス供給のガス
バルブ６とに接続しがっ内部の処理テーブル１１に被処
理の半導体ウェーハ１２を載置する処理室１と、処理室
１にゲートＧを通して半導体ウェーハ１２を供給する予
備排気室５と、処理室１のゴミを検査するゴミセンサ２
及びゴミ検査装置３と、ゴミ検査装置３の信号を受けて
ガスバルブ６、排気バルブ８ａ〜８ｃを制御する排気制
御システム４とを含んで構成されている。
半導体ウェーハ１２は、予備排気室５からゲートＧを通
って処理室１に入り、処理テーブル１１上で各種の処理
を受ける。
って処理室１に入り、処理テーブル１１上で各種の処理
を受ける。
処理室５は処理中や処理待ちの間は、排気バルブ８ａを
介し高真空ポンプ９．そして排気バルブ８ｃを介し低真
空ポンプ１０へ排気されるため、高真空に保持されてい
る。
介し高真空ポンプ９．そして排気バルブ８ｃを介し低真
空ポンプ１０へ排気されるため、高真空に保持されてい
る。
所定時間になると、ゴミセンサ２が作動しゴミ数を測定
し良否判定を行ない、否の判定の場合は、排気制御シス
テム４に制御信号を出力する。
し良否判定を行ない、否の判定の場合は、排気制御シス
テム４に制御信号を出力する。
排気制御システム４は信号を受けると各部の状態を確認
後、排気バルブ８ａを閉じる。
後、排気バルブ８ａを閉じる。
なお、排気バルブ８ｂは通常は閉じておく。
その後制御システム４は、ガスバルブ６を開いてＮ２ガ
スを導入し処理室１の内部を分子流領域から粘性流領域
に変化させ、所定時間後ガスパルス６を閉じて排気バル
ブ８ｃを閉じ、そして８ｂを開くことで内部のゴミをＮ
２ガスと同時に排気する。
スを導入し処理室１の内部を分子流領域から粘性流領域
に変化させ、所定時間後ガスパルス６を閉じて排気バル
ブ８ｃを閉じ、そして８ｂを開くことで内部のゴミをＮ
２ガスと同時に排気する。
圧力計７ａ、７ｃの値が高真空ポンプ９の作動領域とな
ったら、制御システム４は排気バルブ８ｂを閉じて排気
バルブ８ｃ、８ａを開き処理のできる真空度に戻し制御
サイクルを終了する。
ったら、制御システム４は排気バルブ８ｂを閉じて排気
バルブ８ｃ、８ａを開き処理のできる真空度に戻し制御
サイクルを終了する。
第２図は本発明の第２の実施例のブロック図面である。
処理室１は、排気バルブ８を介して低真空ポンプ１０で
常時排気されている。
常時排気されている。
この実施例においてもゴミセンサ２で測定されたゴミ数
の結果から排気制御システム４を動作させガスバルブ６
と排気バルブ８を制御して粘性流領域へ戻してのゴミ排
気を達成出来る利点がある。
の結果から排気制御システム４を動作させガスバルブ６
と排気バルブ８を制御して粘性流領域へ戻してのゴミ排
気を達成出来る利点がある。
以上説明したように本発明は、処理室内部のゴミ数を測
定するゴミ検査装置で異常を発見した場合、排気制御シ
ステムが連動して不活性ガス導入から排気系を制御して
ゴミを排気する工程を行うため、半導体ウェーハの各種
処理工程での処理室内雰囲気のゴミ数増加を防止できる
効果がある。
定するゴミ検査装置で異常を発見した場合、排気制御シ
ステムが連動して不活性ガス導入から排気系を制御して
ゴミを排気する工程を行うため、半導体ウェーハの各種
処理工程での処理室内雰囲気のゴミ数増加を防止できる
効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例のブロック図、第２図は
本発明の第２の実施例のブロック図である。 １・・・処理室、２・・・ゴミセンサ、３・・・ゴミ検
査装置、４・・・排気制御システム、５・・・予備排気
室、６・・・ガスバルブ、８ａ、８ｂ及び８ｃ・・・排
気バルブ、９・・・真空ポンプ、１０・・・低真空ポン
プ、１１・・・処理テーブル、１２・・・半導体ウェー
ハ、Ｇ・・・ゲート。
本発明の第２の実施例のブロック図である。 １・・・処理室、２・・・ゴミセンサ、３・・・ゴミ検
査装置、４・・・排気制御システム、５・・・予備排気
室、６・・・ガスバルブ、８ａ、８ｂ及び８ｃ・・・排
気バルブ、９・・・真空ポンプ、１０・・・低真空ポン
プ、１１・・・処理テーブル、１２・・・半導体ウェー
ハ、Ｇ・・・ゲート。
Claims (1)
- 室内の半導体ウェーハを取扱うために排気系により制
御され真空に近い状態に保たれる処理室と、該処理室に
ゲートを介して接続された予備排気室とを有する半導体
製造装置において、前記処理室のゴミ数を測定するゴミ
検査装置と、該ゴミ検査装置の測定結果に対応して前記
処理室に不活性ガスを導入した後前記排気系を制御する
排気制御システムとを付加したことを特徴とする半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20126588A JP2735231B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20126588A JP2735231B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250422A true JPH0250422A (ja) | 1990-02-20 |
| JP2735231B2 JP2735231B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=16438085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20126588A Expired - Lifetime JP2735231B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2735231B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05102550A (ja) * | 1991-10-08 | 1993-04-23 | Nec Corp | カラー液晶成膜生成装置 |
| US5463362A (en) * | 1993-08-19 | 1995-10-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Tuner circuit having a switching diode to change receiving bands |
| KR100764736B1 (ko) * | 2004-12-09 | 2007-10-08 | 삼성전자주식회사 | 크기가 감소된 데이터 드라이브 집적 회로 및 그것을구비한 디스플레이 장치 |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP20126588A patent/JP2735231B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05102550A (ja) * | 1991-10-08 | 1993-04-23 | Nec Corp | カラー液晶成膜生成装置 |
| US5463362A (en) * | 1993-08-19 | 1995-10-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Tuner circuit having a switching diode to change receiving bands |
| KR100764736B1 (ko) * | 2004-12-09 | 2007-10-08 | 삼성전자주식회사 | 크기가 감소된 데이터 드라이브 집적 회로 및 그것을구비한 디스플레이 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2735231B2 (ja) | 1998-04-02 |
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