KR940006184A - 감압처리장치 및 감압처리방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 감압처리장치는 감압분위기에서 피처리체에 소정의 처리를 실시하기 위한 처리용기와, 상대적으로 큰 배기력을 갖는 주배기계 및 상대적으로 작은 배기력의 부배기계를 갖고, 상기 처리용기내를 배기하기 위한 배기기구와, 부배기계에 의한 배기시의 상기 처리용기내의 산소가스농도를 검출하기 위한 산소가스 농도 센서를 갖는다. 그리고 처리용기내를 상대적으로 작은 배기력으로 배기하는 동안에 처리용기내의 산소가스농도를 검출하고, 이 검출치가 일정시간내에 소정치이하로 되었는지의 여부를 확인하므로서 누설유무를 판정하고, 누설없음이라고 판정된 경우에 상기 처리용기내를 상대적으로 큰 배기력으로 배기하고, 누설있음이라고 판정된 경우에 배기를 중단하여 필요한 처치를 실시하고, 처리용기내가 원하는 감압상태가 되었을 때, 그 안에서 피처리체에 소정의 처리를 실시하는 것이다..
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한 형태에 관한 감압처리장치률 도시하는 단면도,
제2도는 제1도의 장치에 있어서 배기시의 처리용기내 압력의 시간경과변화를 도시하는 도면.
제3도 내지 제7도는 본 발명의 다른 ㄴ형태에 관한 감입처리장치의 배기계를 도시하는 도면.
Claims (14)
- 감압분위기에서 피처리체에 소정의 처리를 실시하기 위한 처리용기(1)와, 상대적으로 큰 배기력을 갖는 주배기계 및 상대적으로 작은 배기력으로 부배기계를 갖고, 상기 처리용기(1)내를 배기하기 위한 배기수단과, 부배기계에 의한 배기시의 상기 처리용기 내의 산소가스농도 또는 산소가스분압을 검출하기 위한 검출수단과를 구비한 것을 특징으로 하는 감압처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 검출수단은 산소가스농도센서(39)를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 감압처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 검출수단은 질량분석계(42)를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 감압처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 처리용기(1)내의 압력을 검출하기 위한 압력검출수단을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 감압처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 처리용기(1)내에 상기 피처리체에 대하여 소정의 처리를 실시하기 위한 처리가스를 도입하는 가스도입수단을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 감압처리장치.
- 제5항에 있어서, 상기 처리용기(1)내를 가스퍼지하기 위한 퍼지수단을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 감압처리장치.
- 제5항에 있어서, 상기 처리가스에 의해 상기 피처리체표면에 CVD막이 형성되는 것을 특징으로 하는 감압처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 피처리체는 반도체 웨이퍼(W)인 것을 특징으로 하는 감압처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 주배기계는 상기 처리용기(1)에 연속하는 주배기로와, 이 주배기로 설치되고, 이것을 개폐하는 메인밸브(36)와, 주배기로를 통하여 상기 처리용기(1)내를 배기하는 진공펌프(61)를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 감압처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 부배기계는 상기 주배기로에 병렬로 접속된 제1의 부배기로 및 제2부배기로와, 이들 제 1및 제2의 부배기로에 각각 설치되고, 이들을 개폐하는 제1및 제2의 서브밸브(37,40)와, 제1부배기로에 설치되고, 배기량을 조절하기 위한 니들밸브(38)와, 제1부배기로 또는 제2부배기로를 통하여 상기 처리용기 (1)낼를 배기하는 진공펌프(61)를 갖고, 상기 검출수단은 상기 제1의 부배기로에 설치되는 것을 특징으로 하는 감압처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 부배기계는 상기 주배기로에 병렬로 접속된 부배기로와, 이 부배기로에 설치되고, 이것을 개폐하기 위한 서브밸브(52)와, 부배기로를 통하여 상기 처리용기(1)내를 배기하는 진공펌프(61)를 갖고, 상기 검출수단은 상기 부배기로에 설치되는 것을 특징으로 하는 감압처리장치.
- 처리용기 (1)내를 감압분위기로 하여 피처리체를 처리하는 감압처리방법에 있어서, 처리용기 (1)내를 상대적으로 작은 배기력으로 배기하는 공정과, 이 작은 배기력으로 배기하고 있는 동안에 처리용기 내의 산소가스농도 또는 산소가스분압을 검출하는 공정과, 상기 검출치가 일정시간내에 소정치이하로 되었는지의 여부를 확인하므로서 누설유무를 판정하는 공정과, 누설없음이라고 판정된 경우에 상기 처리용기 (1)내를 상대적으로 큰 배기력으로 배기하는 공정과, 누설있음이라고 판정된 경우에 배기를 중단하여 필요한 처리를 실시하는 공정과, 상기 처리용기(1) 내가 원하는 감압상태로 되었을때, 그 중에서 피처리체에 소정의 처리를 실시하는 공정과를 구비하는 것을 특징으로 하는 감압처리방법.
- 제12항에 있어서, 누설있음이라고 판정된 경우에 상기 배기를 중단하여 처리용기내를 가스퍼지하고, 누설 장소의 수리를 실시하는 것을 특징으로 하는 감압처리방법.
- 제12항에 있어서, 상기 처리는 감압 CVD처리인 것을 특징으로 하는 감압처리방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5736520A (en) * | 1988-10-07 | 1998-04-07 | Merrell Pharmaceuticals Inc. | Peptidase inhibitors |
US5616208A (en) * | 1993-09-17 | 1997-04-01 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and method for cleaning the vacuum processing apparatus |
US5526678A (en) * | 1994-08-10 | 1996-06-18 | Chicago Bridge & Iron Technical Services Company | Time of flight measurement/rate of rise measurement method for remote leak detection in evacuated spaces |
GB9515849D0 (en) * | 1995-08-02 | 1995-10-04 | British Gas Plc | Apparatus and method for use in testing gas pressure reduction equipment |
US5908504A (en) * | 1995-09-20 | 1999-06-01 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for tuning barrel reactor purge system |
JP3402039B2 (ja) * | 1995-12-25 | 2003-04-28 | 信越半導体株式会社 | 単結晶製造装置 |
TW506620U (en) * | 1996-03-15 | 2002-10-11 | Asahi Glass Co Ltd | Low pressure CVD apparatus |
US5803107A (en) * | 1996-03-29 | 1998-09-08 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for pressure control in vacuum processors |
US5758680A (en) * | 1996-03-29 | 1998-06-02 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for pressure control in vacuum processors |
US6142163A (en) * | 1996-03-29 | 2000-11-07 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for pressure control in vacuum processors |
KR100414303B1 (ko) * | 1996-12-03 | 2004-03-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체웨이퍼제조장비의가스오염불량방지장치 |
US5788825A (en) * | 1996-12-30 | 1998-08-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Vacuum pumping system for a sputtering device |
SG63825A1 (en) * | 1997-03-11 | 1999-03-30 | Applied Materials Inc | In situ monitoring of contaminants in semiconductor processing chambers |
JP3270730B2 (ja) | 1997-03-21 | 2002-04-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US5979225A (en) * | 1997-08-26 | 1999-11-09 | Applied Materials, Inc. | Diagnosis process of vacuum failure in a vacuum chamber |
US6905578B1 (en) * | 1998-04-27 | 2005-06-14 | Cvc Products, Inc. | Apparatus and method for multi-target physical-vapor deposition of a multi-layer material structure |
US6161311A (en) * | 1998-07-10 | 2000-12-19 | Asm America, Inc. | System and method for reducing particles in epitaxial reactors |
US6673155B2 (en) * | 1998-10-15 | 2004-01-06 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for forming coating film and apparatus for curing the coating film |
US6286362B1 (en) | 1999-03-31 | 2001-09-11 | Applied Materials, Inc. | Dual mode leak detector |
DE19960174A1 (de) * | 1999-12-14 | 2001-06-28 | Leybold Vakuum Gmbh | Verfahren zur Lecksuche und Lecklokalisierung sowie zur Durchführung dieser Verfahren geeignete Vorrichtungen |
JP3741604B2 (ja) * | 2000-11-27 | 2006-02-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置および熱処理方法 |
US6401524B1 (en) * | 2000-12-08 | 2002-06-11 | The Goodyear Tire & Rubber Company | Method of detecting steam expansion vessel leakage |
GB2376744A (en) * | 2001-06-21 | 2002-12-24 | Stephen Daniel Hoath | Air leak detection in a vacuum system |
JP2003273020A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理方法 |
JPWO2003078415A1 (ja) | 2002-03-15 | 2005-07-14 | 千寿製薬株式会社 | 環状ヘミアセタール誘導体およびその用途 |
JP4520747B2 (ja) | 2002-03-29 | 2010-08-11 | 千寿製薬株式会社 | ヒドロキシモルホリノン誘導体およびその医薬用途 |
JP3973605B2 (ja) * | 2002-07-10 | 2007-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びこれに使用する原料供給装置、成膜方法 |
US7022738B2 (en) | 2002-07-22 | 2006-04-04 | Senju Pharmaceutical Co., Ltd. | α-ketoamide derivative and use thereof |
KR101137901B1 (ko) * | 2003-05-16 | 2012-05-02 | 에스브이티 어소시에이츠, 인코포레이티드 | 박막 증착 증발기 |
JP4501799B2 (ja) * | 2005-07-08 | 2010-07-14 | 住友電気工業株式会社 | 排ガス処理装置 |
US7273069B1 (en) | 2006-02-09 | 2007-09-25 | Burt Nelson | Pressure activated shutoff valve |
US8336582B2 (en) | 2008-03-03 | 2012-12-25 | Saranow Mitchell H | Method and system for the preparation of hair dye colors |
US8567455B2 (en) * | 2008-03-03 | 2013-10-29 | SureTint Technologies, LLC | Blending station apparatus and method for using the same |
US8393363B2 (en) * | 2008-03-03 | 2013-03-12 | SureTint Technologies, LLC | Blending station apparatus and method for using the same |
JP4675388B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の処理装置 |
JP5501916B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2014-05-28 | 東レエンジニアリング株式会社 | 基板処理システム |
JP6167673B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP6459462B2 (ja) * | 2014-12-11 | 2019-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | リーク判定方法、基板処理装置及び記憶媒体 |
JP6991795B2 (ja) | 2017-08-30 | 2022-01-13 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
CN107871678A (zh) * | 2017-11-13 | 2018-04-03 | 上海华力微电子有限公司 | 一种真空监测系统及多晶硅炉管机台的真空监控方法 |
US11393703B2 (en) * | 2018-06-18 | 2022-07-19 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling a flow process material to a deposition chamber |
JP7013589B2 (ja) | 2018-09-21 | 2022-01-31 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US11846025B2 (en) * | 2019-08-06 | 2023-12-19 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus capable of adjusting inner pressure of process chamber thereof and method therefor |
JP7306314B2 (ja) * | 2020-04-21 | 2023-07-11 | 信越半導体株式会社 | 単結晶製造装置のリークチェック方法及び単結晶製造方法 |
US11635338B2 (en) | 2020-10-23 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Rapid chamber vacuum leak check hardware and maintenance routine |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4492110A (en) * | 1983-06-01 | 1985-01-08 | Martin Marietta Corporation | Ultra sensitive noble gas leak detector |
GB2190204B (en) * | 1986-05-09 | 1990-10-17 | Boc Group Plc | Improvement in leak detectors |
US4773276A (en) * | 1987-03-04 | 1988-09-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Normal force measuring gauge |
EP0283543B1 (de) * | 1987-03-27 | 1991-12-11 | Leybold Aktiengesellschaft | Lecksuchgerät und Betriebsverfahren dazu |
US4793283A (en) * | 1987-12-10 | 1988-12-27 | Sarkozy Robert F | Apparatus for chemical vapor deposition with clean effluent and improved product yield |
JP2928930B2 (ja) * | 1989-12-06 | 1999-08-03 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 不純物ドーピング装置 |
-
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