JPS62222630A - 気相反応処理装置 - Google Patents
気相反応処理装置Info
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- JPS62222630A JPS62222630A JP6632786A JP6632786A JPS62222630A JP S62222630 A JPS62222630 A JP S62222630A JP 6632786 A JP6632786 A JP 6632786A JP 6632786 A JP6632786 A JP 6632786A JP S62222630 A JPS62222630 A JP S62222630A
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- Japan
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- phase reaction
- gas
- gas phase
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- vapor
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、気相反応処理装置に係り、特に半導体製造工
程で用いられる気相反応処理装置に関するものである。
程で用いられる気相反応処理装置に関するものである。
従来の技術
近年、気相反応処理装置は、半導体産業の発展において
不可欠であり、処理工程の低温化や処理物の多種性と相
まって、その用途が拡大されつつある〇 以下図面を参照しながら、上述した従来の気相反応処理
装置の一例について説明する。
不可欠であり、処理工程の低温化や処理物の多種性と相
まって、その用途が拡大されつつある〇 以下図面を参照しながら、上述した従来の気相反応処理
装置の一例について説明する。
第２図は、従来の気相反応処理装置の構成を示すもので
ある。第２図において、１は反応に寄与するガスを供給
又は停止する開閉弁である。２は気相反応処理室で反応
ガス開閉弁１と真空遮断弁３が接続されている。４は真
空ポンプであり、その出口より、排気配管６が未反応物
除外装置６まで接続されている。
ある。第２図において、１は反応に寄与するガスを供給
又は停止する開閉弁である。２は気相反応処理室で反応
ガス開閉弁１と真空遮断弁３が接続されている。４は真
空ポンプであり、その出口より、排気配管６が未反応物
除外装置６まで接続されている。
以上のように構成された気相反応処理装置において、以
下その動作について説明する。
下その動作について説明する。
まず、真空ポンプ４が作動し、真空遮断弁３を介して減
圧に維持された気相反応処理室２に反応ガス開閉弁１よ
り、反応ガスが供給され、気相反応処理が行なわれる。
圧に維持された気相反応処理室２に反応ガス開閉弁１よ
り、反応ガスが供給され、気相反応処理が行なわれる。
また、気相反応処理室２で反応に寄与されなかった未反
応ガスは、真空遮断弁３．真空ポンプ４及び排気配管６
を介して、未反応物除外装置６に導かれる。
応ガスは、真空遮断弁３．真空ポンプ４及び排気配管６
を介して、未反応物除外装置６に導かれる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような構成では、空気の微小リーク
があり気相反応処理室２から未反応物除去装置６までの
系に空気が流入して異常な反応が起きても検出できない
という問題点を有していた。
があり気相反応処理室２から未反応物除去装置６までの
系に空気が流入して異常な反応が起きても検出できない
という問題点を有していた。
この結果、異常発熱によるシール材の破損を生じるおそ
れがあり、又異常生成物による製品の品質低下を招くお
それがあった。
れがあり、又異常生成物による製品の品質低下を招くお
それがあった。
本発明は上記問題点に鑑み、空気のリークを検出して、
異常反応を防止することが可能な装置を提供することに
ある。
異常反応を防止することが可能な装置を提供することに
ある。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の気相反応処理装置
は、減圧状態において気相反応処理が行なわれる装置と
真空遮断弁と、真空ポンプと、未反応物除外装置と、前
記真空ポンプと前記未反応物除外装置との間に配した排
気配管上に空気の成分のうち、気相反応処理の反応に寄
与しない成分を検出できる検知器とを備えたものである
。
は、減圧状態において気相反応処理が行なわれる装置と
真空遮断弁と、真空ポンプと、未反応物除外装置と、前
記真空ポンプと前記未反応物除外装置との間に配した排
気配管上に空気の成分のうち、気相反応処理の反応に寄
与しない成分を検出できる検知器とを備えたものである
。
作 用
本発明は、上記した構成によって前記排気配置における
空気成分の有無を前記検知器で検出して、気相反応処理
装置から未反応物除外装置に到る系内への空気のリーク
の有無を検出できる。従って前記系内への空気のリーク
があるときは反応ガスの供給を停止して異常反応を防止
することが可能となる。
空気成分の有無を前記検知器で検出して、気相反応処理
装置から未反応物除外装置に到る系内への空気のリーク
の有無を検出できる。従って前記系内への空気のリーク
があるときは反応ガスの供給を停止して異常反応を防止
することが可能となる。
実施例
以下本発明の一実施例の気相反応処理装置について、図
面を参照しながら説明する。第１図は本発明の実施例に
おける気相反応処理装置の構成を示すものである。第１
図において、１１はシラン（Ｓ ｉＨ４）を供給又は停
止する開閉弁、１２は図示していないが、加熱されたコ
ンウェハーが設置されている気相反応処理でＳ Ｉ Ｈ
４開閉弁１１と真空遮断弁１３が接続されている。１４
は真空ポンプであり、その出口より、排気配管１６が未
反応物除外装置１６まで接続されている。又、排気配管
１５の上に０□ガス検知器１７が取付けられている。
面を参照しながら説明する。第１図は本発明の実施例に
おける気相反応処理装置の構成を示すものである。第１
図において、１１はシラン（Ｓ ｉＨ４）を供給又は停
止する開閉弁、１２は図示していないが、加熱されたコ
ンウェハーが設置されている気相反応処理でＳ Ｉ Ｈ
４開閉弁１１と真空遮断弁１３が接続されている。１４
は真空ポンプであり、その出口より、排気配管１６が未
反応物除外装置１６まで接続されている。又、排気配管
１５の上に０□ガス検知器１７が取付けられている。
以上のように構成された気相反応処理装置にっいて、以
下第１図を用いてその動作を説明する。
下第１図を用いてその動作を説明する。
第１図はＳ ｉＨ４ガスを熱分解してポリシリコン（Ｐ
ｏｌｙＳｉ）を成長させる気相反応処理装置を示すもの
であって、減圧下で加熱されたシリコンウェハーを設置
した気相反応処理室１２にＳ Ｉ Ｈ４ガスを供給する
ことにより、Ｐｏ１ｙＳｉがそのウェハー上に堆積され
る。又、気相反応処理室１２で反応しなかった未反応ガ
スは、Ｓ Ｉ Ｈ４もしくはＳ Ｉ Ｈ４０分解された
中間生成ガスの形で真空遮断弁１３から真空ポンプ１４
を経て、排気配管１６の内部を流れて、未反応物除外装
置１６に到る、もし、気相反応処理室１２を含めてｏ２
ガス検知器１７までの経路で配管のゆるみやｏリングの
劣化等による空気のリークが生じた場合、それを検出し
て、ＳｉＨ４ガスの開閉バルブ１１を閉じ、Ｓ Ｉ Ｈ
４ガスの供給を停止することにより、Ｓ ｉＨ４の異常
反応による二酸化珪素等の堆積を防止又は抑制すること
ができる。更にＳ Ｉ Ｈ４の異常反応の時に発生する
発熱が長時間続いた時に生じる排気配管１５の７−ル材
として使用されているｏリング等の破損を未然に防止す
ることができる。
ｏｌｙＳｉ）を成長させる気相反応処理装置を示すもの
であって、減圧下で加熱されたシリコンウェハーを設置
した気相反応処理室１２にＳ Ｉ Ｈ４ガスを供給する
ことにより、Ｐｏ１ｙＳｉがそのウェハー上に堆積され
る。又、気相反応処理室１２で反応しなかった未反応ガ
スは、Ｓ Ｉ Ｈ４もしくはＳ Ｉ Ｈ４０分解された
中間生成ガスの形で真空遮断弁１３から真空ポンプ１４
を経て、排気配管１６の内部を流れて、未反応物除外装
置１６に到る、もし、気相反応処理室１２を含めてｏ２
ガス検知器１７までの経路で配管のゆるみやｏリングの
劣化等による空気のリークが生じた場合、それを検出し
て、ＳｉＨ４ガスの開閉バルブ１１を閉じ、Ｓ Ｉ Ｈ
４ガスの供給を停止することにより、Ｓ ｉＨ４の異常
反応による二酸化珪素等の堆積を防止又は抑制すること
ができる。更にＳ Ｉ Ｈ４の異常反応の時に発生する
発熱が長時間続いた時に生じる排気配管１５の７−ル材
として使用されているｏリング等の破損を未然に防止す
ることができる。
以上のように本実施例によれば、排気配管１５上に０２
ガス検知器１７を設けることにより、Ｓ ｘ Ｈ４の異
常反応による二酸化珪素の堆積を防止又は抑制したシ、
異常発熱による排気配管１６の０す／グ等の破損を未然
に防止することができる。
ガス検知器１７を設けることにより、Ｓ ｘ Ｈ４の異
常反応による二酸化珪素の堆積を防止又は抑制したシ、
異常発熱による排気配管１６の０す／グ等の破損を未然
に防止することができる。
なお、上記実施例においては、本発明をＳ Ｉ Ｈ４ガ
スの熱分解によるＰｏ１ｙＳｉ の成長に係る気相反
応処理装置に通用したが、反応ガスの組成を変えること
により、Ｓｉ３Ｎ４．Ｓｔｏ□ 等の絶縁膜の成長に係
るものや、ＧａＡｓ、ＧａＰのような化合物半導体層の
成長に係るものに適用することができる。更に、検知器
としては０２ガス検知器だけでなく、例えば、Ｓ １０
２の場合は、反応に寄与しない空気成分としてのＡｒや
Ｎ２を検知するものでもよい。
スの熱分解によるＰｏ１ｙＳｉ の成長に係る気相反
応処理装置に通用したが、反応ガスの組成を変えること
により、Ｓｉ３Ｎ４．Ｓｔｏ□ 等の絶縁膜の成長に係
るものや、ＧａＡｓ、ＧａＰのような化合物半導体層の
成長に係るものに適用することができる。更に、検知器
としては０２ガス検知器だけでなく、例えば、Ｓ １０
２の場合は、反応に寄与しない空気成分としてのＡｒや
Ｎ２を検知するものでもよい。
発明の効果
以上のように本発明は、減圧下において気相反応処理が
行なわれる装置の排気配管上に空気の成分のうち気相反
応処理に寄与しない成分を検出できる検知器を設けるこ
とにより、空気のリークを検出して、異常反応を防止す
ることができる。
行なわれる装置の排気配管上に空気の成分のうち気相反
応処理に寄与しない成分を検出できる検知器を設けるこ
とにより、空気のリークを検出して、異常反応を防止す
ることができる。
第１図は本発明の実施例における気相反応処理装置の構
成図、第２図は従来の気相反応処理装置の構成図である
。 １１・・・・・・反応ガス開閉弁、１２・・・・・・気
相反応処理室、１３・・・・・・真空遮断弁、１４・・
・・・・真空ポンプ、１６・・・・・・排気配管、１６
・・・・・・未反応物除外装置、１γ・・・・・・ガス
検知器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名Ｉｆ
−−峰がス閉乃呵即 １２−一λ棒Ｉｊ辰にログ １３− 具′￥化妨浄
成図、第２図は従来の気相反応処理装置の構成図である
。 １１・・・・・・反応ガス開閉弁、１２・・・・・・気
相反応処理室、１３・・・・・・真空遮断弁、１４・・
・・・・真空ポンプ、１６・・・・・・排気配管、１６
・・・・・・未反応物除外装置、１γ・・・・・・ガス
検知器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名Ｉｆ
−−峰がス閉乃呵即 １２−一λ棒Ｉｊ辰にログ １３− 具′￥化妨浄
Claims (1)
- 減圧状態において気相反応処理が行なわれる装置と、真
空遮断弁と、真空ポンプと、未反応物除外装置と、前記
真空ポンプと前記未反応物除外装置との間に配した排気
配管上に空気の成分のうち、気相反応処理の反応に寄与
しない成分を検出できる検知器とを備えたことを特徴と
する気相反応処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6632786A JPS62222630A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 気相反応処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6632786A JPS62222630A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 気相反応処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62222630A true JPS62222630A (ja) | 1987-09-30 |
Family
ID=13312633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6632786A Pending JPS62222630A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 気相反応処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62222630A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0262044A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-01 | Fujitsu Ltd | 減圧化学気相成長装置 |
| JPH03241824A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-29 | Fujitsu Ltd | 減圧気相成長装置 |
| JPH0536673A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Nippondenso Co Ltd | 半導体製造装置 |
-
1986
- 1986-03-25 JP JP6632786A patent/JPS62222630A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0262044A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-01 | Fujitsu Ltd | 減圧化学気相成長装置 |
| JPH03241824A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-29 | Fujitsu Ltd | 減圧気相成長装置 |
| JPH0536673A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Nippondenso Co Ltd | 半導体製造装置 |
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